TWI413061B - A driving circuit and a pixel circuit having the driving circuit - Google Patents

Description

驅動電路及具有該.驅動電路之畫素電路

本發明是有關於一種畫素電路，特別是指一種可補償一薄膜電晶體之臨界電壓變異及補償一有機發光二極體因材料老化而造成亮度衰減之畫素電路。

現今，利用有機發光二極體(OLED)來當作光源，已是相當普遍的應用。而有機發光二極體的亮度是依照流過其上的驅動電流來決定，因此，對於一用以驅動該有機發光二極體之驅動電路而言，其中的電晶體與該有機發光二極體在製程上的相關因素的變化，往往都會影響到該有機發光二極體的發光效能，針對各種因素對於有機發光二極體的影響說明如下：

一、電晶體臨界電壓： 因為一面板長時間使用或是因為製程差異將會造成該臨界電壓值的變異，將會使得流經該有機發光二極體的驅動電流產生變化，因此該有機發光二極體的發光亮度將會受到影響，當該面板中的多數畫素電路皆受到該臨界電壓值變異所影響時，容易使得該面板看起來的亮度不均勻或是發生有時較亮有時較暗等亮度不穩定的問題產生。

二、驅動電路之電源電壓： 當應用於一大尺寸面板上時，隨著訊號線的拉長，內阻逐漸增加，將使得該驅動電路之電源電壓發生 衰減效應，稱之為IR－drop效應，該效應將導致該驅動電流下降，因而使得該大尺寸面板亮度不均勻的情況。

三、有機發光二極體老化效應： 由於材料老化的現象，有機發光二極體在長時間操作下，可能會發生電壓降逐漸上升而影響到該驅動電流的大小。因此，若因長時間操作造成有機發光二極體老化，進而使得其發光效率下降，那即便是該驅動電流符合預期，也無法產生預期的亮度。若是發生在RGB三色的發光效率下降程度不同，更會發生色偏的問題。

針對以上因素，目前已有相關技術與以改善，如：2007年加拿大滑鐵盧大學於IEEE Journal of Display Technology中所提出的「AMOLED pixel circuit with electronic compensation of luminance degradation」、2005年韓國漢城大學於IEEE Electron Device Letter中所提出的「A new a－Si：H TFT pixel circuit compensating the threshold voltage shift of a－Si：H TFT and OLED for active matrix OLED」，及2005年台灣交通大學於IEEE/OSA Journal of Display Technology中所提出的「A new pixel circuit for driving organic light emitting diodes with low temperature polycrystalline thin film transistors」。

在該等相關前案中，為了解決上述各種因素造成的問題，往往導致電路結構太過複雜，使得該畫素電路內具有較多的元件數量，就會導致開口率的降低，並影響該有機 發光二極體的發光效率。因此，如何有效改善各種因素造成的問題，同時又可以降低對於該有機發光二極體發光效率的影響，是相當重要的議題。

因此，本發明之目的是提供一種畫素電路，包含：一有機發光二極體，具有一陽極及一陰極；及一驅動電路，包括：一第一電晶體，及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端，及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一電容；一資料電壓開關；及一參考電壓開關；其中，該有機發光二極體之陽極電連接於一第一電源電壓，該第一電晶體之第二端與該第二電晶體之第二端、該第二電晶體之控制端、該有機發光二極體之陰極電連接，該第一電晶體之控制端與該電容之一端電連接，該第二電晶體之第一端與該電容之另一端電連接，該第一電晶體之第一端與一第二電源電壓電連接，該資料電壓開關接收一資料電壓，並接受一第一控制訊號的控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體之控制端，該參考電壓開關接收一參考電壓，並接受一第二控制訊號的控制，以決定是否輸出該參考電壓到該第二電晶體之第一端。

此外，本發明另一目的是，提供一種驅動電路，包含 ：一第一電晶體，及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端，及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一電容；一資料電壓開關；及一參考電壓開關；其中，該第一電晶體之第二端與該第二電晶體之第二端、該第二電晶體之控制端電連接，該第一電晶體之控制端與該電容之一端電連接，該第二電晶體之第一端與該電容之另一端電連接，該第一電晶體之第一端與一第二電源電壓電連接，該資料電壓開關接收一資料電壓，並接受一第一控制訊號的控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體之控制端，該參考電壓開關接收一參考電壓，並接受一第二控制訊號的控制，以決定是否輸出該參考電壓到該第二電晶體之第一端。

本發明之另一目的是，提供一種畫素電路，包含：一發光元件，具有一陽極及一陰極；及一驅動電路，包括：一第一電晶體，及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端，及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一電容；一資料電壓開關；及 一參考電壓開關；其中，該發光元件之陽極電連接於一第一電源電壓，該第一電晶體之第二端與該第二電晶體之第二端、該第二電晶體之控制端、該發光元件之陰極電連接，該第一電晶體之控制端與該電容之一端電連接，該第二電晶體之第一端與該電容之另一端電連接，該第一電晶體之第一端與一第二電源電壓電連接，該資料電壓開關接收一資料電壓，並接受一第一控制訊號的控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體之控制端，該參考電壓開關接收一參考電壓，並接受一第二控制訊號的控制，以決定是否輸出該參考電壓到該第二電晶體之第一端。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

參閱圖1，本發明之較佳實施例包含一有機發光二極體(OLED)8及一驅動電路9，該驅動電路9包括一第一電晶體91、一第二電晶體92、一電容95、一資料電壓開關98，及一參考電壓開關99，其中，在本實施例中該資料電壓開關98是一第三電晶體93，而該參考電壓開關99是一第四電晶體94。該第一至該第四電晶體91~94是N型薄膜電晶體(TFT)。其中，每一電晶體91~94包括一第一端、一第二端及一決定該第一段與該第二端是否導通之控制端，該有機發光二極體8具有一陽極及一陰極。

該第一電晶體91之第二端與該第二電晶體92之第二端、該第二電晶體92之控制端、該有機發光二極體8之陰極電連接(以下稱為A點)；該第一電晶體91之控制端與該電容95之一端、該第三電晶體93之第二端電連接(以下稱為B點)；該第二電晶體92之第一端與該電容95之另一端、該第四電晶體94之第二端電連接(以下稱為C點)；該第一電晶體91之第一端與一第二電源電壓V_SS 電連接，該第三電晶體93之控制端接收一第一控制訊號V_SEL1 ，該第三電晶體93之第一端接收一資料電壓V_DATA ，該第四電晶體94之控制端接收一第二控制訊號V_SEL2 ，該第四電晶體94之第一端接收一參考電壓V_REF ，該有機發光二極體8之陽極電連接於一第一電源電壓V_DD 。

該較佳實施例之時序圖如圖2所示，可以分為三個階段： 1.資料輸入階段： 聯合參閱圖1、2，該第一控制訊號V_SEL1 與該第二控制訊號V_SEL2 設定為高電位，該參考電壓V_REF 設定為低參考電位V_{REF_L} ，因此，該第三與第四電晶體93、94會被導通，因為此時V_{REF_L} 與V_DATA 皆為低電位，所以該電容95之跨壓V₉₅ 會經由V_REF 端與V_DATA 端放電，其等效電路圖如圖3所示。

當該電容95放電一段時間之後，C點的電壓持續下降，直到C點與A點的電壓差大於該第二電晶體92之臨界電壓值時V_TH,92 時(因為該第二電晶體92之閘極電壓與A點 電連接)，該第二電晶體92將會被導通，此時，進入補償階段“

H.補償階段： 回復參閱圖1、2，當該第二電晶體92被導通之後，該第二控制訊號V_SEL2 設定為低電位，因此，該第四電晶體94會被關閉，此時，因為該第二電晶體92之閘極電壓電連接到A點，因此，該電容95之一端(即C點)會持續充電至V_G,92 －V_TH,92 ，等效電路圖如圖4所示，因此，C點的電壓可以表示如下：V _C ＝V _G,92 －V _TH,92 ＝V _A －V _TH,92 ＝V _DD －V _OLED －V _TH,92

其中，V_OLED 為該有機發光二極體8之端電壓。

同時，因為該第三電晶體93被導通，因此該資料電壓V_DATA 將會被傳送至B點。

當C點電壓被充電至V_DD －V_OLED －V_TH,92 之後，因為該第二電晶體92之閘極電壓與源極電壓差V_GS,92 又小於該第二電晶體之臨界電壓V_TH,92 ，因此，該第二電晶體92將再度關閉，並進入發光階段。值得注意的是，由於該電容95沒有放電路徑可供放電，因此在進入發光階段前，該電容之電壓V₉₅ 為B點電壓V_B 與C點電壓V_C 間的電壓差，如下式所示：V ₉₅ ＝V _B －V _C ＝V _DATA －(V _DD －V _OLED －V _TH,92 )＝V _DATA －V _DD ＋V _OLED ＋V _TH,92

為了後續說明方便，我們假設此時C點的電壓為0， 而B點的電壓為V_DATA －V_DD ＋V_OLED ＋V_TH,92 。

III.發光階段： 聯合參閱圖1、2，該參考電壓V_REF 設定為高參考電位V_{REF_H} ，同時將該第一控制訊號V_SEL1 設定為低電位，使得該第三電晶體93被關閉，之後，再將該第二控制訊號V_SEL2 設定為高電位，使得該第四電晶體92被導通，因此，該高參考電位V_{REF_H} 將會傳送至C點，同時，該電容95之另一端(即B點)之電壓會等量跳躍至V_{REF_H} ＋V_DATA －V_DD ＋V_OLED ＋V_TH,92 ，同時B點電壓V_B 亦為該第一電晶體之閘極電壓V_G,91 ，等效電路圖如圖5所示，因此，會產生一由該有機發光二極體8流至該第一電晶體91第二端之驅動電流I_DRIVE 為：I _OLED ＝K ₉₁ (V _{GS ,91} －V _{TH ,91} )² ＝K₉₁ (V _{G ,91} －V _{S ,91} －V _{TH ,91} )² 二K ₉₁ (V _{REF _H} ＋V _DATA －V _DD ＋V _OLED ＋V _{TH ,92} －V _{TH ,91} －V _SS )²

根據上述的公式，若是假設該第一電晶體91與該第二電晶體92具有相同的臨界電壓，也就是說V_TH,91 ＝V_TH,92 ；此外，當該高參考電位V_{REF_H} 設定為與該第一電源電壓V_DD 相同之電壓時且V_SS 為0V，則上述之公式可以簡化成如下所示：I _OLED ＝K ₉₁ (V _DATA ＋V _OLED )²

根據上述的電流公式可以知道，流經有機發光二極體8的驅動電流I_OLED 與該等第一、第二電源電壓V_DD 、V_SS ，及 該第一電晶體91的臨界電壓V_TH,91 無關。因此，在發光階段時，流經有機發光二極體8的驅動電流I_OLED 僅僅由該資料電壓V_DATA 大小來決定，此外，當V_OLED 因為該有機發光二極體8材料的老化而增加時，相對的也會提高該有機發光二極體8的電流量I_OLED ，因此，可以補償該有機發光二極體8因為材料老化而造成亮度衰減的現象。

值得注意的是，本實施例除了用於驅動該有機發光二極體8之外，也可以用於驅動其他受電流驅動的發光元件，例如：發光二極體(LED)，且該等電晶體91~94除了是N型TFT之外，也可以是N型金屬氧化物半導體(PMOS)。

本實施例採用電路模擬的方式以驗證補償效果。圖6是藉由輸入各種不同的資料電壓值，假設電路中之電晶體分別具有－0.3伏特、0伏特、＋0.3伏特的臨界電壓變異時，該有機發光二極體之驅動電流與資料電壓的轉移曲線圖。由圖6中，可以觀察到習知的驅動電流會根據不同的臨界電壓變異而有相當大的變化，這種現象會造成有機發光二極體的發光亮度不穩定或是不易控制的缺點，相對而言，本實施例的驅動電流對於臨界電壓變異所產生的變化，就穩定很多，換言之，本發明之驅動電流幾乎不受臨界電壓變異的影響。

參閱圖7，假設當一有機發光二極體長時間操作下，因材料發生老化導致該有機發光二極體的電壓降V_OLED 隨之上升時，由圖中可以觀察到，在本實施例中，該有機發光二 極體之驅動電流亦隨之增加，因此，可以補償該有機發光二極體因老化而造成的亮度衰減。

由於本發明之驅動電流I_OLED 僅與該資料電壓V_DATA 及該有機發光二極體之電壓降V_OLED 大小有關，因此，相較於習知之設計本發明具有下列優點：一、具有補償該臨界電壓V_TH 變異的特性：當一面板在長時間操作下或是因為製程上的差異，所產生的臨界電壓V_TH 差異，可能會影響該有機發光二極體8上的驅動電流I_OLED 大小，進而造成一面板上發光亮度的不均勻或是不穩定的情形，然而利用本發明畫素電路之面板，可以避免因臨界電壓V_TH 的變異所造成的亮度問題。

二、能應用於大尺寸面板上：由於本發明之畫素電路的驅動電流I_OLED 與第一、第二電源電壓V_DD 、V_SS 無關，因此，當應用於大尺寸面板時，可能因為訊號線過長所引起的IR－drop效應，將不會影響該驅動電流I_OLED ，因此，不會對該有機發光二極體8的發光亮度造成影響。

三、不會影響該有機發光二極體8的發光效率：由於本發明之畫素電路的驅動電流I_OLED 與該有機發光二極體的電壓降V_OLED 有關，因此，當一使用本畫素電路為光源之面板，內部發生有機發光二極體因為長久使用而產生材料老化，進而使得該有機發光二極體的電壓降V_OLED 上升時，將會使得該驅動電流I_OLED 也隨著上升，因此，該有機發光二極體的亮度將不會隨著材料老化而衰減，進而保持穩定的發光效率，因此，當本發明之畫素電路應用於RGB顯示裝置時，可以避免因為RGB三色發光二極體因為出現發光效率不一致而導致色偏的問題發生。

四、元件數量較少：相較於習知之設計，本發明僅僅利用四個電晶體與一個電容，元件數量相對而言較少，因此對於該有機發光二極體的開口率影響較小，也就是說，本發明可以有效降低對於該有機發光二極體發光效率的影響。

綜上所述，本發明之實施例可以確保畫素電路中該驅動電流將不會受到臨界電壓變異、IR－drop效應及有機發光二極體老化等因素而改變，同時，又可有效降低對於該有機光二極體發光效率的影響程度，因此確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

8‧‧‧有機發光二極體

9‧‧‧驅動電路

91‧‧‧第一電晶體

92‧‧‧第二電晶體

93‧‧‧第三電晶體

94‧‧‧第四電晶體

95‧‧‧電容

98‧‧‧資料電壓開關

99‧‧‧參考電壓開關

圖1是本發明之較佳實施例之電路示意圖；圖2是該較佳實施例之時序圖；圖3是該較佳實施例之資料輸入階段之等效電路示意 圖；圖4是該較佳實施例之補償階段之等效電路示意圖；圖5是該較佳實施例之發光階段之等效電路示意圖；圖6是不同資料電壓對於不同臨界電壓變異之轉移曲線圖；及圖7是該有機發光二極體電壓降與驅動電流之對應關係圖。

8‧‧‧有機發光二極體

9‧‧‧驅動電路

91‧‧‧第一電晶體

92‧‧‧第二電晶體

93‧‧‧第三電晶體

94‧‧‧第四電晶體

95‧‧‧電容

98‧‧‧資料電壓開關

99‧‧‧參考電壓開關

Claims (23)

1. 一種畫素電路，包含：一有機發光二極體，具有一陽極及一陰極；及一驅動電路，包括：一第一電晶體，及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端，及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一電容；一資料電壓開關；及一參考電壓開關；其中，該有機發光二極體之陽極電連接於一第一電源電壓，該第一電晶體之第二端與該第二電晶體之第二端、該第二電晶體之控制端、該有機發光二極體之陰極電連接，該第一電晶體之控制端與該電容之一端電連接，該第二電晶體之第一端與該電容之另一端電連接，該第一電晶體之第一端與一第二電源電壓電連接，該資料電壓開關接收一資料電壓，並接受一第一控制訊號的控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體之控制端，該參考電壓開關接收一參考電壓，並接受一第二控制訊號的控制，以決定是否輸出該參考電壓到該第二電晶體之第一端。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之畫素電路，在一補償階段與一發光階段下操作，其中：當在該補償階段時，該第二電晶體會被導通，然後 該第一控制訊號設定為高電位，且該第二控制訊號設定為低電位，因此，該資料電壓開關會被導通，使得該資料電壓傳送至該電容之一端，而該參考電壓開關會被關閉，使得該電容之另一端會持續充電；當在該發光階段時，該參考電壓設定為高參考電位，同時將該第一控制訊號設定為低電位，使得該資料電壓開關被關閉，然後，再將該第二控制訊號設定為高電位，使得該參考電壓開關被導通，因此，將會使得該電容之一端的電壓等量增加該高參考電位，並導通該第一電晶體，以產生一由該有機發光二極體流至該第一電晶體第二端之驅動電流。
3. 依據申請專利範圍第2項所述之畫素電路，其中，該第一電晶體之臨界電壓與該第二電晶體之臨界電壓相等，且該高參考電位等於該第一電源電壓。
4. 依據申請專利範圍第2項所述之畫素電路，更包含在一資料輸入階段下的操作，其中：當在該資料輸入階段時，該第一控制訊號與該第二控制訊號設定為高電位，該參考電壓設定為低參考電位，因此，該資料電壓開關與該參考電壓開關會被導通。
5. 依據申請專利範圍第1項所述之畫素電路，其中，該資料電壓開關包括一第三電晶體，其具有一第一端、第二端及一決定該第一端與該第二端是否導通的控制端，該第三電晶體的控制端接收該第一控制訊號，該第三電晶體之第一端接收該資料電壓，該第三電晶體之第二端與 該第一電晶體之控制端及該電容之一端電連接。
6. 依據申請專利範圍第1項所述之畫素電路，其中，該參考電壓開關包括一第四電晶體，其具有一第一端、第二端及一決定該第一端與該第二端是否導通的控制端，該第四電晶體的控制端接收該第二控制訊號，該第四電晶體之第一端接收該參考電壓，該第四電晶體之第二端與該第二電晶體之第一端及該電容之另一端電連接。
7. 依據申請專利範圍第1項所述之畫素電路，其中，該等電晶體為N型薄膜電晶體。
8. 依據申請專利範圍第1項所述之畫素電路，其中，該等電晶體為N型金屬氧化物半導體。
9. 一種驅動電路，包含：一第一電晶體，及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端，及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一電容；一資料電壓開關；及一參考電壓開關；其中，該第一電晶體之第二端與該第二電晶體之第二端、該第二電晶體之控制端電連接，該第一電晶體之控制端與該電容之一端電連接，該第二電晶體之第一端與該電容之另一端電連接，該第一電晶體之第一端與一第二電源電壓電連接，該資料電壓開關接收一資料電壓，並接受一第一控制訊號的控制，以決定是否輸出該資 料電壓到該第一電晶體之控制端，該參考電壓開關接收一參考電壓，並接受一第二控制訊號的控制，以決定是否輸出該參考電壓到該第二電晶體之第一端。
10. 依據申請專利範圍第9項所述之驅動電路，在一補償階段與一發光階段下操作，其中：當在該補償階段時，該第二電晶體會被導通，然後該第一控制訊號設定為高電位，且該第二控制訊號設定為低電位，因此，該資料電壓開關會被導通，使得該資料電壓傳送至該電容之一端，而該參考電壓開關會被關閉，使得該電容之另一端會持續充電；當在該發光階段時，該參考電壓設定為高參考電位，同時將該第一控制訊號設定為低電位，使得該資料電壓開關被關閉，然後，再將該第二控制訊號設定為高電位，使得該參考電壓開關被導通，因此，將會使得該電容之一端的電壓等量增加該高參考電位，並導通該第一電晶體，並在該第一電晶體之第二端產生一驅動電流。
11. 依據申請專利範圍第10項所述之驅動電路，更包含在一資料輸入階段下的操作，其中：當在該資料輸入階段時，該第一控制訊號與該第二控制訊號設定為高電位，該參考電壓設定為低參考電位，因此，該資料電壓開關與該參考電壓開關會被導通。
12. 依據申請專利範圍第9項所述之驅動電路，其中，該資料電壓開關包括一第三電晶體，其具有一第一端、第二端及一決定該第一端與該第二端是否導通的控制端，該 第三電晶體的控制端接收該第一控制訊號，該第三電晶體之第一端接收該資料電壓，該第三電晶體之第二端與該第一電晶體之控制端及該電容之一端電連接。
13. 依據申請專利範圍第9項所述之驅動電路，其中，該參考電壓開關包括一第四電晶體，其具有一第一端、第二端及一決定該第一端與該第二端是否導通的控制端，該第四電晶體的控制端接收該第二控制訊號，該第四電晶體之第一端接收該參考電壓，該第四電晶體之第二端與該第二電晶體之第一端及該電容之另一端電連接。
14. 依據申請專利範圍第9項所述之驅動電路，其中，該等電晶體為N型薄膜電晶體。
15. 依據申請專利範圍第9項所述之驅動電路，其中，該等電晶體為N型金屬氧化物半導體。
16. 一種畫素電路，包含：一發光元件，具有一陽極及一陰極；及一驅動電路，包括：一第一電晶體，及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端，及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一電容；一資料電壓開關；及一參考電壓開關；其中，該發光元件之陽極電連接於一第一電源電壓，該第一電晶體之第二端與該第二電晶體之第二端、該 第二電晶體之控制端、該發光元件之陰極電連接，該第一電晶體之控制端與該電容之一端電連接，該第二電晶體之第一端與該電容之另一端電連接，該第一電晶體之第一端與一第二電源電壓電連接，該資料電壓開關接收一資料電壓，並接受一第一控制訊號的控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體之控制端，該參考電壓開關接收一參考電壓，並接受一第二控制訊號的控制，以決定是否輸出該參考電壓到該第二電晶體之第一端。
17. 依據申請專利範圍第16項所述之畫素電路，在一補償階段與一發光階段下的操作，其中：當在該補償階段時，該第二電晶體會被導通，然後該第一控制訊號設定為高電位，且該第二控制訊號設定為低電位，因此，該資料電壓開關會被導通，使得該資料電壓傳送至該電容之一端，而該參考電壓開關會被關閉，使得該電容之另一端會持續充電；當在該發光階段時，該參考電壓設定為高參考電位，同時將該第一控制訊號設定為低電位，使得該資料電壓開關被關閉，然後，再將該第二控制訊號設定為高電位，使得該參考電壓開關被導通，因此，將會使得該電容之一端的電壓等量增加該高參考電位，並導通該第一電晶體，以產生一由該發光元件流至該第一電晶體第二端之驅動電流。
18. 依據申請專利範圍第17項所述之畫素電路，該第一電晶 體之臨界電壓與該第二電晶體之臨界電壓相等，且該高參考電位等於該第一電源電壓。
19. 依據申請專利範圍第17項所述之畫素電路，更包含在一資料輸入階段下的操作，其中：當在該資料輸入階段時，該第一控制訊號與該第二控制訊號設定為高電位，該參考電壓設定為低參考電位，因此，該資料電壓開關與該參考電壓開關會被導通。
20. 依據申請專利範圍第16項所述之畫素電路，其中，該資料電壓開關包括一第三電晶體，其具有一第一端、第二端及一決定該第一端與該第二端是否導通的控制端，該第三電晶體的控制端接收該第一控制訊號，該第三電晶體之第一端接收該資料電壓，該第三電晶體之第二端與該第一電晶體之控制端及該電容之一端電連接。
21. 依據申請專利範圍第16項所述之畫素電路，其中，該參考電壓開關包括一第四電晶體，其具有一第一端、第二端及一決定該第一端與該第二端是否導通的控制端，該第四電晶體的控制端接收該第二控制訊號，該第四電晶體之第一端接收該參考電壓，該第四電晶體之第二端與該第二電晶體之第一端及該電容之另一端電連接。
22. 依據申請專利範圍第16項所述之畫素電路，其中，該等電晶體為N型薄膜電晶體。
23. 依據申請專利範圍第16項所述之畫素電路，其中，該等電晶體為N型金屬氧化物半導體。