TWI413060B - A display device, a lightening unevenness correction method, and a computer program product - Google Patents

A display device, a lightening unevenness correction method, and a computer program product Download PDF

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Description

顯示裝置、發光不均之修正方法及電腦程式產品
本發明係關於一種顯示裝置、發光不均之修正方法及電腦程式，更詳細而言，本發明係關於一種將掃描線、資料線及像素電路配置成矩陣狀而構成之主動矩陣型顯示裝置及其驅動方法，該掃描線以特定之掃描週期而選擇像素，該資料線提供用以驅動像素之亮度資訊，該像素電路基於上述亮度資訊而控制電流量，且根據電流量而使發光元件發光。
作為平面且薄型之顯示裝置，已普遍應用使用有液晶之液晶顯示裝置、使用有電漿之電漿顯示裝置等。
液晶顯示裝置中設有背光源，藉由施加電壓而改變液晶分子之排列，從而使來自背光源之光通過或阻斷該光，藉此顯示圖像。又，電漿顯示裝置中，藉由對封入於基板內之氣體施加電壓而使其成為電漿狀態，藉由自電漿狀態返回至原來狀態時所產生之能量而產生紫外線，該紫外線照射至螢光體後成為可見光，從而顯示圖像。
另一方面，近年來，正開發一種採用藉由施加電壓而使元件自身發光之有機EL(electroluminescence，電致發光)元件的自發光型顯示裝置。有機EL元件若藉由電解而獲得能量，則會自基態變為激發狀態，當自激發狀態恢復至基態時，以光之形式釋放出差分之能量。有機EL顯示裝置係利用該有機EL元件射出之光而顯示圖像之顯示裝置。
自發光型顯示裝置與需要背光源之液晶顯示裝置不同，因元件自身會發光，故而無需背光源，因此，與液晶顯示裝置相比，能夠以更薄之厚度而構成。而且，與液晶顯示裝置相比，動態圖像特性、視角特性、色再現性等優良，故而，使用了有機EL元件之自發光型顯示裝置作為新一代之平面薄型顯示裝置而備受關注。
於如上所述之自發光型顯示裝置之製造步驟中，包括利用雷射光對構成像素之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)進行曝光之步驟。該曝光步驟中，藉由光學機構而將1束雷射光擴散成扇狀，藉由該扇狀之雷射光，對配置於用以顯示圖像之面板之垂直方向上的TFT進行曝光處理。而且，藉由使面板於水平方向上移動，對配置於整個面板上之TFT進行曝光處理。
然而，存在如下情形：將雷射光擴散成扇狀之後，雷射光無法均勻地照射至面板。因此，製造出之面板容易於水平方向或垂直方向上產生條紋狀之發光不均。而且，亦存在除水平方向或垂直方向以外，局部性地產生發光不均之情形。
因此，本發明係為了解決上述問題而成者，本發明之目的在於提供一種經改良之新型之顯示裝置、發光不均之修正方法及電腦程式，其能夠高效地對水平方向或垂直方向上產生之條紋狀之發光不均、以及局部產生之發光不均進 行修正，從而顯示出發光不均已受到抑制之圖像。
為了解決上述問題，根據本發明之一觀點，提供一種顯示裝置，其特徵在於：其包括將像素、掃描線以及資料線排列成矩陣狀而成之顯示部，該像素具有根據電流量而自發光之發光元件、及根據影像訊號而控制施加至發光元件之電流之像素電路，該掃描線以特定之掃描週期將用以選擇欲發光之像素之選擇訊號供給至該像素，該資料線將影像訊號供給至像素，且該顯示裝置包括：不均修正資訊記憶部，其記憶有用以對顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊；以及不均修正部，其自不均修正資訊記憶部讀出不均修正資訊，對具有線性特性之影像訊號進行訊號處理，以修正顯示部之發光不均，且不均修正部利用第1修正及/或第2修正而修正發光不均，該第1修正係對於顯示部之於水平方向或者垂直方向上產生發光不均之部分進行修正，該第2修正係對於顯示部之產生發光不均之部分進行修正。
根據上述構成，修正資訊記憶部中記憶有用以對顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊，不均修正部針自不均修正資訊記憶部讀出不均修正資訊，對具有線性特性之影像訊號進行訊號處理，以修正顯示部之發光不均。而且，不均修正部利用第1修正及/或第2修正而修正發光不均，該第1修正係對顯示部之於水平方向或者垂直方向上產生發光不均之部分進行修正，該第2修正係對顯示部之 產生發光不均之部分進行修正。其結果，可高效地修正於水平方向或垂直方向上產生之條紋狀之發光不均、以及局部產生之發光不均。
又，為了解決上述問題，根據本發明之另一觀點，提供一種發光不均之修正方法，其特徵在於：其係對顯示裝置之發光不均進行修正之方法，該顯示裝置包括將像素、掃描線以及資料線排列成矩陣狀而成之顯示部，該像素具有根據電流量而自發光之發光元件、及根據影像訊號而控制施加至發光元件之電流之像素電路，該掃描線以特定之掃描週期將用以選擇欲發光之像素之選擇訊號供給至該像素，該資料線將影像訊號供給至像素，該發光不均之修正方法包括：不均修正資訊記憶步驟，其記憶用以對顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊；以及不均修正步驟，其讀出於不均修正資訊記憶步驟中所記憶之不均修正資訊，對具有線性特性之影像訊號進行訊號處理，且於上述不均修正步驟中，利用第1修正及/或第2修正而修正發光不均，該第1修正係對於顯示部之於水平方向或者垂直方向上產生發光不均之部分進行修正，第2修正係對於顯示部之產生發光不均之部分進行修正。
又，為了解決上述問題，根據本發明之又一觀點，提供一種電腦程式，其特徵在於：其係使電腦執行對顯示裝置進行控制之電腦程式，該顯示裝置包括將像素、掃描線以及資料線排列成矩陣狀而成之顯示部，該像素具有根據電流量而自發光之發光元件、及根據影像訊號而控制施加至 發光元件之電流之像素電路，該掃描線以特定之掃描週期將用以選擇欲發光之像素之選擇訊號供給至該像素，該資料線將影像訊號供給至像素，該電腦程式中包括不均修正步驟，該不均修正步驟根據預先記憶之用以對顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊，對具有線性特性之影像訊號進行訊號處理，於不均修正步驟中，利用第1修正及/或第2修正而修正發光不均，該第1修正係對於顯示部之於水平方向或者垂直方向上產生發光不均之部分進行修正，該第2修正係對於顯示部之產生發光不均之部分進行修正。
根據以上所述之本發明，可提供一種經改良之新型之顯示裝置、發光不均之修正方法及電腦程式，其能夠高效地對水平方向或垂直方向上產生之條紋狀之發光不均、以及局部產生之發光不均進行修正，從而顯示出發光不均已受到抑制之圖像。
以下，參照隨附圖式，對於本發明之較佳實施形態進行詳細說明。再者，本說明書以及圖式中，對於實質上具有相同功能構成之構成要素標記相同之符號，省略其重複說明。
首先，對本發明之一實施形態中之顯示裝置之構成進行說明。圖1係對本發明之一實施形態中之顯示裝置100之構成進行說明的說明圖。以下，參照圖1，對於本發明之一 實施形態中之顯示裝置100之構成進行說明。
如圖1所示，本發明之一實施形態中之顯示裝置100係包含控制部104、記錄部106、訊號處理積體電路110、記憶部150、資料驅動器152、伽瑪電路154、過電流檢測部156以及面板158而構成。
而且，訊號處理積體電路110係包含邊緣模糊部112、I/F部114、線性轉換部116、圖案產生部118、色溫度調整部120、靜態圖像檢波部122、長期色溫度修正部124、發光時間控制部126、訊號位準修正部128、不均修正部130、伽瑪轉換部132、抖動處理部134、訊號輸出部136、長期色溫度修正檢波部138、閘極脈衝輸出部140以及伽瑪電路控制部142而構成。
顯示裝置100獲得影像訊號之後，對該影像訊號進行分析，且根據已分析之內容而點亮配置於下述之面板158內部之像素，藉此，經由面板158而顯示影像。
控制部104對訊號處理積體電路110進行控制，且與I/F部114之間收發訊號。而且，控制部104對自I/F部114獲取之訊號進行各種訊號處理。控制部104進行之訊號處理中，例如包括算出增益之處理，該增益用於調整面板158中所顯示之圖像之亮度。
記錄部106用以儲存供控制部104對訊號處理積體電路110進行控制之資訊。作為記錄部106，較好的是，採用即便於顯示裝置100之電源已切斷之狀態下亦可儲存資訊而不會丟失資料之記憶體。關於用作記錄部106之記憶體， 較理想的是使用例如能夠電性地對內容進行覆寫之EEPROM(Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory，電子可擦可程式唯讀記憶體)。EEPROM係可在安裝於基板之狀態下進行資料之寫入或刪除之非揮發性記憶體，且係用以儲存時刻變化之顯示裝置100之資訊之較佳的記憶體。
訊號處理積體電路110係輸入有影像訊號，且對所輸入之影像訊號實施訊號處理者。本實施形態中，輸入至訊號處理積體電路110之影像訊號為數位訊號，訊號寬度為10位元。與所輸入之影像訊號相對應之訊號處理，係於訊號處理積體電路110之內部之各部分中進行。
邊緣模糊部112係實施使所輸入之影像訊號之邊緣模糊之訊號處理者。具體而言，邊緣模糊部112為了防止圖像於面板158上留下殘像之現象，有意地移動圖像而使邊緣模糊，從而抑制圖像之殘像現象。
線性轉換部116實施如下之訊號處理，該訊號處理係對與輸入相對應之輸出具有伽瑪特性之影像訊號進行轉換，使得該影像訊號自具有伽瑪特性轉換成具有線性特性。線性轉換部116實施訊號處理，使得上述影像訊號之與輸入相對應之輸出具有線性特性，藉此，容易對面板158中顯示之圖像進行各種處理。藉由線性轉換部116實施之訊號處理，使影像訊號之訊號寬度自10位元擴大至14位元。若藉由線性轉換部116對影像訊號進行轉換以使其具有線性特性，則下述之伽瑪轉換部132對影像訊號進行轉換以使 其具有伽瑪特性。
圖案產生部118產生顯示裝置100內部之圖像處理中所使用之測試圖案。作為顯示裝置100內部之圖像處理中所使用之測試圖案，例如有用於對面板158之顯示進行檢查之測試圖案。
色溫度調整部120對圖像之色溫度進行調整，且對顯示裝置100之面板158中顯示之色彩進行調整。雖然於圖1中未圖示，但顯示裝置100中具備用以調整色溫度之色溫度調整機構，由使用者對色溫度調整機構進行操作，藉此可手動地調整畫面中所顯示之圖像之色溫度。
長期色溫度修正部124修正因有機EL元件之R(紅)、G(綠)、B(藍)各色之亮度．時間特性(LT特性)之不同而產生的經年變化。有機EL元件中，因R、G、B各色之LT特性不同，故而隨著發光時間之經過，色平衡會逐步變差。上述長期色溫度修正部124即為對該色平衡進行修正者。
發光時間控制部126算出將影像顯示於面板158時之脈衝之占空比，且控制有機EL元件之發光時間。顯示裝置100中，於脈衝處於HI狀態期間，使電流流入至面板158內部之有機EL元件中，藉此使有機EL元件發光，從而顯示圖像。
訊號位準修正部128係為了防止圖像之殘像現象而對影像訊號之訊號位準進行修正，藉此調整面板158中顯示之影像之亮度者。圖像之殘像現象，係特定之像素之發光頻率高於其他像素時產生之發光特性惡化的現象，該顯現會 導致已惡化之像素之亮度低於其他未惡化之像素之亮度，從而與周邊未惡化之部分之間之亮度差變大。因該亮度差，可看出於畫面上殘留有文字。
訊號位準修正部128根據影像訊號與由發光時間控制部126算出之脈衝之占空比，而算出各像素或者像素群之發光量，且基於該算出之發光量，算出根據需要而用以降低亮度之增益，且將所算出之增益乘以影像訊號。
長期色溫度修正檢波部138檢測供長期色溫度修正部124進行修正之資訊。由長期色溫度修正檢波部138檢測出之資訊經由I/F部114而傳送至控制部104，且經由控制部104而記錄至記錄部106。
不均修正部130對於面板158中顯示之圖像或影像之不均進行修正。不均修正部130中，以輸入訊號之位準或座標位置為基準，對面板158上之橫條紋、縱條紋以及畫面上局部產生之發光不均進行修正。
伽瑪轉換部132對經線性轉換部116轉換後具有線性特性之影像訊號實施信號處理，以將該影像訊號轉換成具有伽瑪特性之影像訊號。伽瑪轉換部132實施之訊號處理係消除面板158所具有之伽瑪特性，將上述影像訊號轉換成具有線性特性之信號，使得面板158內部之有機EL元件根據訊號之電流而發光。伽瑪轉換部132實施訊號處理，藉此訊號寬度自14位元變化為12位元。
抖動處理部134使經伽瑪轉換部132轉換之訊號抖動。該抖動係組合地顯示可顯示之色彩，以於可使用之色數較少 之環境中表現出中間色。抖動處理部134實施抖動處理之後，可於外觀上產生並表現出原先無法顯示於面板之色彩。藉由抖動處理部134中之抖動處理，訊號寬度自12位元變化為10位元。
訊號輸出部136將經抖動處理部134實施抖動處理後之訊號輸出至資料驅動器152。自訊號輸出部136傳遞至資料驅動器152之訊號係附帶有與R、G、B各色之發光量相關之資訊的訊號，附帶有發光時間資訊之訊號以脈衝之形式而自閘極脈衝輸出部140輸出。
閘極脈衝輸出部140輸出用以對面板158之發光時間進行控制之脈衝。自閘極脈衝輸出部140輸出之脈衝係基於由發光時間控制部126所算出之占空比者。根據來自閘極脈衝輸出部140之脈衝，而決定面板158上之各像素之發光時間。
伽瑪電路控制部142向伽瑪電路154提供設定值。伽瑪電路控制部142所提供之設定值，係用以提供至資料驅動器152內部所含之D/A轉換器之階梯電阻之基準電壓。
記憶部150內相對應地儲存有訊號位準修正部128修正亮度時所必需之、以超出特定亮度之亮度而發光之像素或像素群的資訊、以及表示該超出量之資訊。記憶部150與記錄部106不同，可使用切斷電源後會刪除內容之記憶體，作為此種記憶體，較理想的是使用例如SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存取記憶體)。
過電流檢測部156於基板因短路等而產生過電流時，對該過電流進行檢測，且通知閘極脈衝輸出部140已產生過電流。根據過電流檢測部156發出之已產生過電流之通知，當產生過電流時，可防止該過電流施加於面板158。
資料驅動器152對自訊號輸出部136獲得之訊號進行訊號處理，且向面板158輸出用以在面板158上顯示影像之訊號。資料驅動器152中設有未圖示之D/A轉換器，D/A轉換器將數位訊號轉換成類比訊號後輸出該類比信號。
伽瑪電路154向資料驅動器152內部所含之D/A轉換器之階梯電阻提供基準電壓。如上所述，提供至階梯電阻之基準電壓係由上述之伽瑪電路控制部142產生。
面板158輸入有來自資料驅動器152之輸出訊號、以及來自閘極脈衝輸出部140之輸出脈衝，且根據所輸入之訊號以及脈衝而使作為自發光元件之一例的有機EL元件發光，從而顯示動態圖像或靜態圖像。面板158之顯示圖像之面之形狀為平面。有機EL元件係施加電壓後會發光之自發光型之元件，其發光量與電壓成比例。因此，有機EL元件之IL特性(電流－發光量特性)亦具有比例關係。
面板158中，雖未圖示，但由以特定之掃描週期而選擇像素之掃描線、提供用以驅動像素之亮度資訊之資料線、根據亮度資訊而控制電流量且根據電流量而使發光元件即有機EL元件發光之像素電路配置成矩陣狀而構成，藉由以此種方式構成掃描線、資料線以及像素電路，顯示裝置100可根據影像訊號而顯示影像。
以上，使用圖1對本發明之一實施形態中之顯示裝置100的構成進行了說明。再者，圖1所示之本發明之一實施形態中之顯示裝置100中，於線性轉換部116將影像訊號轉換成具有線性特性之影像訊號之後，將轉換後之影像訊號輸入至圖案產生部118，但亦可調換圖案產生部118與線性轉換部116。
繼而，對於本發明之一實施形態中之顯示裝置100上流動之訊號特性的變化進行說明。圖2A~F係利用圖表來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100上流動的訊號特性之變化之說明圖。圖2A~F中之各圖表中，橫軸表示輸入，縱軸表示輸出。
圖2A表示：當輸入被寫體時，針對與被寫體之光量相對應之輸出A具有伽瑪特性之影像訊號，利用線性轉換部116使該影像訊號與相反之伽瑪曲線(線性伽瑪)相乘，藉此，將該影像訊號轉換成與被寫體之光量相對應之輸出具有線性特性的影像訊號。
圖2B表示：針對已轉換成與被寫體之光量之輸入相對應之輸出B具有線性特性的影像訊號，利用伽瑪轉換部132使該影像訊號與伽瑪曲線相乘，藉此，將該影像訊號轉換成與被寫體之光量之輸入相對應之輸出具有伽瑪特性的影像訊號。
圖2C表示：針對已轉換成與被寫體之光量之輸入相對應之輸出C具有伽瑪特性的影像訊號，利用資料驅動器152執行D/A轉換。於D/A轉換中，輸入與輸出之關係具有線性 特性。因此，利用資料驅動器152執行D/A轉換，藉此，當輸入被寫體之光量之後，輸出電壓具有伽瑪特性。
圖2D表示：將經D/A轉換後之影像訊號輸入至面板158所含之電晶體，藉此，兩者之伽瑪特性相互抵消。電晶體之VI特性係，具有與被寫體之光量之輸入相對應之輸出電壓的伽瑪特性相反的曲線之伽瑪特性。故而，輸入被寫體之光量之後，可再次進行轉換，使得輸出電流轉具有線性特性。
圖2E表示：當輸入被寫體之光量之後，輸出電流具有線性特性之訊號輸入至面板158，藉此，使具有該線性特性之訊號、與如上所述之具有線性特性之有機EL元件之IL特性相乘。
其結果，如圖2F所示，當輸入被寫體之光量之後，面板(OLED，Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)之發光量具有線性特性，因此，利用線性轉換部116而使影像訊號與相反之伽瑪曲線相乘，從而將該影像訊號轉換成具有線性特性之影像訊號，藉此，可將圖1所示之訊號處理積體電路110中之自線性轉換部116至伽瑪轉換部132之間作為線性區域而進行訊號處理。
以上，對於本發明之一實施形態中之顯示裝置100上流動的訊號特性之變化進行了說明。
[像素電路構造]
繼而，對設於圖1所示之面板158之像素電路之構造的一例進行說明。
圖3係表示設於圖1所示之面板158之像素電路之剖面構造的一例之剖面圖。如圖3所示，設於面板158之像素電路之構成如下：於形成有包含驅動電晶體1022等之驅動電路之玻璃基板1201上，依序形成有絕緣膜1202、絕緣平坦化膜1203以及窗口絕緣膜1204，且於該窗口絕緣膜1204之凹部1204A處設有有機EL元件1021。此處，驅動電路之各構成元件中，僅圖示出驅動電晶體1022，省略了其他構成元件。
有機EL元件1021係由以下構件構成：陽極電極1205，其形成於上述窗口絕緣膜1204之凹部1204A之底部且由金屬等形成；有機層(電子輸送層、發光層、電洞輸送層/電洞注入層)1206，其形成於該陽極電極1205上；以及陰極電極1207，其針對全部像素共通地形成於該有機層1206上且由透明導電膜等形成。
該有機EL元件1021中，有機層1206係藉由於陽極電極1205上依序堆積電洞輸送層/電洞注入層2061、發光層2062、電子輸送層2063以及電子注入層(未圖示)而形成。而且，於驅動電晶體1022之電流驅動下，電流自驅動電晶體1022經由陽極電極1205而流動至有機層1206，藉此，當電子與電洞於該有機層1206內之發光層2062上再結合時便會發光。
驅動電晶體1022係由閘極電極1221、設於半導體層1222之一方側之源極/汲極區域1223、設於半導體層1222之另一方側之汲極/源極區域1224、以及半導體層1222之與閘 極電極1221相對向之部分即通道形成區域1225而構成。源極/汲極區域1223經由接觸電洞而與有機EL元件1021之陽極電極1205電性連接。
而且，如圖3所示，於形成有含有驅動電晶體1022之驅動電路之玻璃基板1201上，經由絕緣膜1202、絕緣平坦化膜1203以及窗口絕緣膜1204，以像素為單位而形成有機EL元件1021之後，經由鈍化膜1208且利用接著劑1210而接合有密封基板1209，藉由該密封基板1209來對有機EL元件1021進行密封，藉此形成面板158。
[驅動電路]
繼而，對設於圖1所示之面板158之驅動電路之構成的一例進行說明。
如圖4等所示，有各種用以驅動具備有機EL元件之發光部ELP之驅動電路，但是以下，首先對於基本上由5個電晶體/1個電容部構成之驅動電路(以下，有時亦稱作5Tr/1C驅動電路)、基本上由4個電晶體/1個電容部構成之驅動電路(以下，有時亦稱作4Tr/1C驅動電路)、基本上由3個電晶體/1個電容部構成之驅動電路(以下，有時亦稱作3Tr/1C驅動電路)、以及基本上由2個電晶體/1個電容部構成之驅動電路(以下，有時亦稱作2Tr/1C驅動電路)中之共通事項進行說明。
方便起見，對於構成驅動電路之各電晶體，原則上，以由n通道型薄膜電晶體(TFT)構成之情形進行說明。但是根據情況，亦可由p通道型TFT構成一部分之電晶體。再者， 亦可設為於半導體基板等上形成有電晶體之構成。構成驅動電路之電晶體之構造並無特別限制。於以下之說明中，對於構成驅動電路之電晶體，係以增強型電晶體進行說明，但並不限於此。亦可使用空乏型電晶體。而且，構成驅動電路之電晶體可為單閘極型電晶體，亦可為雙閘極型電晶體。
於以下之說明中，顯示裝置由(N/3)×M個排列成2次元矩陣狀之像素所構成，且1個像素由3個副像素(發出紅光之紅色發光副像素、發出綠光之綠色發光副像素、發出藍光之藍色發光副像素)構成。又，構成各像素之發光元件按照線之順序依序受到驅動，以FR(次/秒)作為顯示訊框速率。亦即，排列於第m列(其中，m＝1、2、3…M)之(N/3)個像素，更具體而言，構成N個副像素之各個之發光元件同時受到驅動。換言之，構成1列之各發光元件之發光/不發光的時序，係以其等所屬之列為單位而受到控制。再者，於構成1列之各像素中寫入影像訊號之處理，可為同時對所有像素寫入影像訊號之處理(以下，有時僅稱為同時寫入處理)，亦可為將影像訊號依序寫入至各像素之處理(以下，有時僅稱為依序寫入處理)。可根據驅動電路之構成而適當地選擇任一寫入處理。
此處，原則上，對與位於第m列、第n行(其中，n＝1、2、3…N)之發光元件相關之驅動、動作進行說明，以下，將上述發光元件稱為第(n，m)發光元件或者第(n，m)副像素。繼而，排列於第m列之各發光元件之水平掃描期間(第 m水平掃描期間)結束之前，實施各種處理(下述之閾值電壓消除處理、寫入處理、移動度修正處理)。再者，寫入處理及移動度修正處理必需於第m水平掃描期間內實施。另一方面，根據驅動電路之種類，可於第m水平掃描期間之前預先實施閾值電壓消除處理或其所相關之前處理。
而且，當上述各種處理全部結束之後，使構成排列於第m列之各發光元件之發光部發光。再者，當上述各種處理全部結束之後，可立即使發光部發光，亦可經過特定之期間(例如，相當於特定之列數之水平掃描期間)之後使發光部發光。該特定之期間可根據顯示裝置之規格或驅動電路之構成等而適當設定。再者，於以下之說明中，為了便於說明，於各種處理結束之後，立即使發光部發光。而且，構成排列於第m列之各發光元件之發光部之發光，持續至排列於第(m＋m')列之各發光元件之水平掃描期間開始之前為止。此處，「m'」取決於顯示裝置之設計規格。亦即，構成排列於某顯示訊框之第m列之各發光元件的發光部之發光，持續至第(m＋m'－1)水平掃描期間之前為止。另一方面，自第(m＋m')水平掃描期間之開始，至下一個顯示訊框之第m水平掃描期間內完成寫入處理或移動度修正處理為止，構成排列於第m列之各發光元件之發光部原則上維持不發光狀態。藉由設置上述不發光狀態之期間(以下，有時僅稱為不發光期間)，可減少因主動矩陣驅動而產生之殘像模糊，從而可進一步提高動態圖像之質量。然而，各副像素(發光元件)之發光狀態/不發光狀態並不限於以上所 說明之狀態。而且，水平掃描期間之時間長度係不足(1/FR)×(1/M)秒之時間長度。當(m＋m')之值超過M時，於下一個顯示訊框中，對超出部分所對應之水平掃描期間進行處理。
於1個電晶體所具有之2個源極/汲極區域中，有時「一方之源極/汲極區域」係表示連接於電源部之側之源極/汲極區域。而且，所謂電晶體處於接通狀態，係指於源極/汲極區域間形成有通道之狀態。與上述電晶體中自一方之源極/汲極區域至另一方之源極/汲極區域內是否有電流流動無關。另一方面，所謂電晶體處於斷開狀態，係指於源極/汲極區域間未形成有通道之狀態。而且，所謂某電晶體之源極/汲極區域與其他電晶體之源極/汲極區域連接，包括某電晶體之源極/汲極區域與其他電晶體之源極/汲極區域佔據相同區域之形態。進而，源極/汲極區域不僅可由含有雜質之多晶矽或非晶矽等導電性物質構成，亦可由金屬、合金、導電性粒子、該等之積層構造、有機材料(導電性高分子)所形成之層構成。又，於以下之說明中所使用之時序圖中，表示各期間之橫軸之長度(時間長度)係模式性者，並不表示各期間之時間長度之比例。
使用有圖4等所示之驅動電路之發光部ELP之驅動方法，例如包括以下步驟：(a)進行前處理，即，向第1節點ND1 施加第1節點初始化電壓，且向第2節點ND2 施加第2節點ND2 初始化電壓，使得第1節點ND1 與第2節點ND2 之間之電位差超過驅動電晶 體TRD 之閾值電壓，且第2節點ND2 與發光部ELP中所含之陰極電極之間的電位差不超過發光部ELP之閾值電壓，繼而(b)實施閾值電壓消除處理，即，於保持第1節點ND1 之電位之狀態下，使第2節點ND2 之電位變化為自第1節點ND1 之電位減去驅動電晶體TRD 之閾值電壓後所得的電位，其後(c)實施寫入處理，即，經由根據來自掃描線SCL之訊號而成為接通狀態之寫入電晶體TRW ，自資料線DTL將影像訊號施加至第1節點ND1 ，繼而(d)根據來自掃描線SCL之訊號而使寫入電晶體TRW 處於斷開狀態，藉此，使第1節點ND1 處於浮動狀態，且自電源部2100經由驅動電晶體TRD ，而使第1節點ND1 與第2節點ND2 之間之電位差的值所對應之電流於發光部ELP中流動，從而驅動發光部ELP。
如上所述，於上述步驟(b)中實施閾值電壓消除處理，即，使第2節點ND2 之電位變化為自第1節點ND1 之電位減去驅動電晶體TRD 之閾值電壓後所得之電位。更具體而言，為了使第2節點ND2 之電位變化為自第1節點ND1 之電位減去驅動電晶體TRD 之閾值電壓後所得之電位，向驅動電晶體TRD 之一方之源極/汲極區域施加如下之電壓，該電壓超過上述步驟(a)中之第2節點ND2 之電位加上驅動電晶體TRD 之閾值電壓後所得的電壓。本質上，於閾值電壓消除處理中，第1節點ND1 與第2節點ND2 之間之電位差(換而 言之，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間的電位差)與驅動電晶體TRD 的閾值電壓相接近的程度，係由閾值電壓消除處理之時間所決定。故而，例如於確保閾值電壓消除處理時間充分長之形態下，第2節點ND2 之電位達到自第1節點ND1 之電位減去驅動電晶體TRD 之閾值電壓後所得的電位。繼而，第1節點ND1 與第2節點ND2 之間之電位差達到驅動電晶體TRD 之閾值電壓，驅動電晶體TRD 成為斷開狀態。另一方面，例如於必需將閾值電壓消除處理之時間設定得較短之形態下，有時第1節點ND1 與第2節點ND2 之間之電位差大於驅動電晶體TRD 的閾值電壓，而驅動電晶體TRD 並不會成為斷開狀態。經閾值電壓消除處理之後，驅動電晶體TRD 未必會成為斷開狀態。
以下，對於各個驅動電路中之驅動電路之構成、以及使用有該等驅動電路之發光部ELP之驅動方法進行詳細說明。
[5Tr/1C驅動電路]
圖4中表示5Tr/1C驅動電路之等價電路圖，圖5中模式性地表示圖4所示之5Tr/1C驅動電路之驅動之時序圖，圖6A~圖6I中模式性地表示圖4所示之5Tr/1C驅動電路中之各電晶體的接通/斷開狀態等。
該5Tr/1C驅動電路由寫入電晶體TRW 、驅動電晶體TRD 、第1電晶體TR1 、第2電晶體TR2 、第3電晶體TR3 該等5個電晶體構成，進而由1個電容部C1 構成。再者，寫入電晶體TRW 、第1電晶體TR1 、第2電晶體TR2 、以及第3電晶 體TR3 亦可由p通道型TFT形成。再者，圖4所示之驅動電晶體TRD 相當於圖3中所示之驅動電晶體1022。
[第1電晶體TR1 ]
第1電晶體TR1 之一方之源極/汲極區域連接於電源部2100(電壓VCC )，而第1電晶體TR1 之另一方之源極/汲極區域連接於驅動電晶體TRD 之一方之源極/汲極區域。又，第1電晶體TR1 之接通/斷開動作係藉由第1電晶體控制線CL1 控制，該第1電晶體控制線CL1 自第1電晶體控制電路2111延伸且連接至第1電晶體TR1 之閘極電極。設置電源部2100之目的在於，將電流供給至發光部ELP而使發光部ELP發光。
[驅動電晶體TRD ]
如上所述，驅動電晶體TRD 之一方之源極/汲極區域連接於第1電晶體TR1 之另一方之源極/汲極區域。另一方面，驅動電晶體TRD 之另一方之源極/汲極區域連接於(1)發光部ELP之陽極電極、(2)第2電晶體TR2 之另一方之源極/汲極區域、以及(3)電容部C1 之一方之電極，從而構成第2節點ND2 。而且，驅動電晶體TRD 之閘極電極連接於(1)寫入電晶體TRW 之另一方之源極/汲極區域、(2)第3電晶體TR3 之另一方之源極/汲極區域、以及(3)電容部C1 之另一方之電極，從而構成第1節點ND1 。
此處，驅動電晶體TRD 係於發光元件之發光狀態下，以 使汲極電流Ids 按照以下之式(1)流動之方式而受到驅動。於發光元件之發光狀態下，驅動電晶體TRD 之一方之源極/汲極區域作為汲極區域而發揮功能，而另一方之源極/汲極區域則作為源極區域而發揮功能。為了便於說明，於以下之說明中，有時將驅動電晶體TRD 之一方之源極/汲極區域僅稱為汲極區域，而將另一方之源極/汲極區域僅稱為源極區域。再者，μ：有效之移動度L：通道長度W：通道寬度Vgs ：閘極電極與源極區域之間之電位差Vth ：閾值電壓Cox ：(閘極絕緣層之相對介電常數)×(真空之介電常數)/(閘極絕緣層之厚度)
k≡(1/2)．(W/L)．Cox 。
Ids ＝k．μ．(Vgs －Vth )2 (1)該汲極電流Ids 於發光部ELP中流動，藉此，發光部ELP發光。進而，根據該汲極電流Ids 之值之大小而控制發光部ELP之發光狀態(亮度)。
[寫入電晶體TRW ]
如上所述，寫入電晶體TRW 之另一方之源極/汲極區域連接於驅動電晶體TRD 之閘極電極。另一方面，寫入電晶體TRW 之一方之源極/汲極區域連接於自訊號輸出電路2102延伸出之資料線DTL。繼而，經由資料線DTL，將用以控制 發光部ELP之亮度之影像訊號Vsig 供給至一方之源極/汲極區域。再者，亦可經由資料線DTL，將VSig 以外之各種訊號．電壓(用於進行預充電驅動之訊號及各種基準電壓等)供給至一方之源極/汲極區域。而且，寫入電晶體TRW 之接通/斷開動作係藉由掃描線SCL控制，該掃描線SCL自掃描電路2101延伸且連接至寫入電晶體TRW 之閘極電極。
[第2電晶體TR2 ]
如上所述，第2電晶體TR2 之另一方之源極/汲極區域連接於驅動電晶體TRD 之源極區域。另一方面，於第2電晶體TR2 之一方之源極/汲極區域上，供給有用以使第2節點ND2 之電位(亦即，驅動電晶體TRD 之源極區域之電位)初始化之電壓VSS 。而且，第2電晶體TR2 之接通/斷開動作係藉由第2電晶體控制線AZ2 控制，該第2電晶體控制線AZ2 自第2電晶體控制電路2112延伸且連接至第2電晶體TR2 之閘極電極。
[第3電晶體TR3 ]
如上所述，第3電晶體TR3 之另一方之源極/汲極區域連接於驅動電晶體TRD 之閘極電極。另一方面，於第3電晶體TR3 之一方之源極/na汲極區域上，供給有用以使第1節點ND1 之電位(亦即，驅動電晶體TRD 之閘極電極之電位)初始化之電壓VOfs 。而且，第3電晶體TR3 之接通/斷開動作係藉由第3電晶體控制線AZ3 控制，該第3電晶體控制線AZ3 自第3電晶體控制電路2113延伸且連接至第3電晶體TR3 之閘極電極。
[發光部ELP]
如上所述，發光部ELP之陽極電極連接於驅動電晶體TRD 之源極區域。另一方面，於發光部ELP之陰極電極上施加有電壓VCat 。發光部ELP之容量由符號CEL 表示。而且，發光部ELP發光所需之閾值電壓由Vth－EL 表示。亦即，若發光部ELP之陽極電極與陰極電極之間施加有Vth－EL 以上之電壓，則發光部ELP發光。
以下之說明中，以如下方式設定電壓或者電位之值，但該等值僅用作說明，並不限定於該等值。
VSig ：用以控制發光部ELP之亮度之影像訊號…0伏特~10伏特VCC ：電源部2100之電壓…20伏特VOfs ：用以使驅動電晶體TRD 之閘極電極之電位(第1節點ND1 之電位)初始化之電壓…0伏特VSS ：用以使驅動電晶體TRD 之源極區域之電位(第2節點ND2 之電位)初始化之電壓…－10伏特Vth ：驅動電晶體TRD 之閾值電壓…3伏特VCat ：施加於發光部ELP之陰極電極之電壓…0伏特Vth－EL ：發光部ELP之閾值電壓 …3伏特
以下，對5Tr/1C驅動電路之動作進行說明。再者，如上所述，對於各種處理(閾值電壓消除處理、寫入處理、移動度修正處理)全部結束之後，立即開始發光狀態之情形進行說明，但並不限於此。下述之4Tr/1C驅動電路、3Tr/1C驅動電路、2Tr/1C驅動電路之說明亦相同。
[期間－TP(5)－1 ](參照圖5以及圖6A)
該[期間－TP(5)－1 ]例如係上一顯示訊框之動作、即上一次之各種處理結束之後，第(n，m)發光元件處於發光狀態的期間。亦即，於構成第(n，m)副像素之發光元件中之發光部ELP中，流動有基於下述之式(5)之汲極電流I'ds ，且構成第(n，m)副像素之發光元件之亮度之值與上述汲極電流I'ds 相對應。此處，寫入電晶體TRW 、第2電晶體TR2 以及第3電晶體TR3 處於斷開狀態，第1電晶體TR1 以及驅動電晶體TRD 處於接通狀態。第(n，m)發光元件之發光狀態持續至排列於第(m＋m')列之發光元件之水平掃描期間開始之前為止。
圖5所示之[期間－TP(5)0 ]~[期間－TP(5)4 ]係自上一次之各種處理結束後之發光狀態結束後，直至實施下一個寫入處理之前為止的動作期間。亦即，該[期間－TP(5)0 ]~[期間－TP(5)4 ]例如係自上一顯示訊框之第(m＋m')水平掃描期間之開始，直至當前顯示訊框之第(m－1)水平掃描期間之結束為止的某時間長度之期間。再者，[期間－TP(5)1 ]~[期間－TP(5)4 ]可設為包含於當前顯示訊框之第m水平掃描期間內 之構成。
繼而，於該[期間－TP(5)0 ]~[期間－TP(5)4 ]內，第(n，m)發光元件原則上處於不發光狀態。亦即，於[期間－TP(5)0 ]~[期間－TP(5)1 ]、[期間－TP(5)3 ]~[期間－TP(5)4 ]內，第1電晶體TR1 處於斷開狀態，因此發光元件不發光。再者，於[期間－TP(5)2 ]內，第1電晶體TR1 處於接通狀態。然而，於該期間內實施下述之閾值電壓消除處理。閾值電壓消除處理之相關說明中有詳細敍述，但若以滿足下述之式(2)為前提，則發光元件不會發光。
以下，首先對[期間－TP(5)0 ]~[期間－TP(5)4 ]之各期間進行說明。再者，[期間－TP(5)1 ]之開始、或[期間－TP(5)1 ]~[期間－TP(5)4 ]之各期間之長度可根據顯示裝置之設計而適當地設定。
[期間－TP(5)0 ]
如上所述，於該[期間－TP(5)0 ]內，第(n，m)發光元件處於不發光狀態。寫入電晶體TRW 、第2電晶體TR2 、第3電晶體處於斷開狀態。而且，於自[期間－TP(5)－1 ]向[期間－TP(5)－1 ]變化之時點，第1電晶體TR1 成為斷開狀態，因此，第2節點ND2 (驅動電晶體TRD 之源極區域或者發光部ELP之陽極電極)之電位下降至(Vth－EL ＋VCat )為止，發光部ELP成為不發光狀態。又，與第2節點ND2 之電位下降相同，浮動狀態之第1節點ND1 (驅動電晶體TRD 之閘極電極)之電位亦下降。
[期間－TP(5)1 ](參照圖6B以及圖6C)
於該[期間－TP(5)1 ]內實施前處理，該前處理用以進行下述之閾值電壓消除處理。亦即，[期間－TP(5)1 ]開始時，將第2電晶體控制線AZ2 以及第3電晶體控制線AZ3 設為高位準，藉此，使第2電晶體TR2 以及第3電晶體TR3 成為接通狀態。其結果，第1節點ND1 之電位成為VOfs (例如，0伏特)。另一方面，第2節點ND2 之電位成為VSS (例如，－10伏特)。繼而，於該[期間－TP(5)1 ]結束之前，將第2電晶體控制線AZ2 設為低位準，藉此，使第2電晶體TR2 成為斷開狀態。再者，可將第2電晶體TR2 以及第3電晶體TR3 同時設為接通狀態，可先將第2電晶體TR2 設為接通狀態，亦可先將第3電晶體TR3 設為接通狀態。
藉由以上之處理，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間的電位差達到Vth 以上。驅動電晶體TRD 處於接通狀態。
[期間－TP(5)2 ](參照圖6D)
繼而，實施閾值電壓消除處理。亦即，維持第3電晶體TR3 之接通狀態，同時將第1電晶體控制線CL1 設為高位準，藉此，使第1電晶體TR1 處於接通狀態。其結果，第1節點ND1 之電位不變(維持VOfs ＝0伏特)，但第2節點ND2 之電位變化為自第1節點ND1 之電位減去驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 後所得的電位。亦即，浮動狀態之第2節點ND2 之電位上升。繼而，若驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間之電位差達到Vth ，則驅動電晶體TRD 成為斷開狀態。具體而言，浮動狀態之第2節點ND2 之電位接近(VOfs － Vth ＝－3伏特>VSS )，並最終變為(VOfs －Vth )。此處，若可確保以下之式(2)成立，換而言之，若以滿足式(2)之方式而選擇且決定電位，則發光部ELP不會發光。
(VOfs －Vth )<(Vth－EL ＋VCat ) (2)
於該[期間－TP(5)2 ]內，第2節點ND2 之電位最終成為(VOfs －Vth )。亦即，第2節點ND2 之電位僅取決於驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 、以及用以使驅動電晶體TRD 之閘極電極初始化的電壓VOfs 。換而言之，第2節點ND2 之電位與發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 無關。
[期間－TP(5)3 ](參照圖6E)
之後，維持第3電晶體TR3 之接通狀態，同時將第1電晶體控制線CL1 設為低位準，藉此，第1電晶體TR1 成為斷開狀態。其結果，第1節點ND1 之電位不變化(維持VOfs ＝0伏特)，浮動狀態之第2節點ND2 之電位亦不變化，且保持(VOfs －Vth ＝－3伏特)。
[期間－TP(5)4 ](參照圖6F)
繼而，將第3電晶體控制線AZ3 設為低位準，藉此，使第3電晶體TR3 成為斷開狀態。第1節點ND1 以及第2節點ND2 之電位實質上不變化。實際上，該第1節點ND1 以及第2節點ND2 會因寄生電容等之電容耦合而產生電位變化，但通常可忽略該等電位變化。
繼而，對[期間－TP(5)5 ]~[期間－TP(5)7 ]之各期間進行說明。再者，如下所述，於[期間－TP(5)5 ]內進行寫入處理，於[期間－TP(5)6 ]內進行移動度修正處理。如上所述，該等 處理必需於第m水平掃描期間內進行。為了便於說明，使[期間－TP(5)5 ]之開始與[期間－TP(5)6 ]之結束分別與第m水平掃描期間之開始與結束相一致而進行說明。
[期間－TP(5)5 ](參照圖6G)
之後，對驅動電晶體TRD 執行寫入處理。具體而言，維持第1電晶體TR1 、第2電晶體TR2 、以及、第3電晶體TR3 之斷開狀態，同時將資料線DTL之電位設為用以控制發光部ELP之亮度之影像訊號VSig ，繼而，將掃描線SCL設為高位準，藉此，使寫入電晶體成為接通狀態。其結果，第1節點ND1 之電位上升至VSig 。
此處，電容部C1 之容量由值c1 表示，發光部ELP之電容CEL 之容量由值cEL 表示。繼而，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間的寄生電容之值由cgs 表示。當驅動電晶體TRD 之閘極電極之電位已自VOfs 變成VSig (>VOfs )時，電容部c1 兩端之電位(第1節點ND1 以及第2節點ND2 之電位)原則上會變化。亦即，基於驅動電晶體TRD 之閘極電極之電位(＝第1節點ND1 之電位)的變化量(VSig －VOfs )而產生之電荷，分配至電客部C1 、發光部ELP之電容CEL 、以及驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間的寄生電容。然而，若值cEL 充分大於值c1 以及值cgs ，則基於驅動電晶體TRD 之閘極電極之電位之變化量(VSig －VOfs )而產生之、驅動電晶體TRD 之源極區域(第2節點ND2 )之電位的變化較小。而且，一般而言，發光部ELP之電容CEL 之容量值cEL 大於電容部C1 之容量值c1 以及驅動電晶體TRD 之寄生電容之值cgs 。因此， 為了便於說明，除了有特殊必要之情形以外，不考慮因第1節點ND1 之電位變化而產生之第2節點ND2 之電位變化來進行說明。對於其他驅動電路亦相同。再者，圖5所示之驅動時序圖中，亦不考慮因第1節點ND1 之電位變化而產生之第2節點ND2 之電位變化來進行表示。當將驅動電晶體TRD 之閘極電極(第1節點ND1 )之電位設為Vg ，將驅動電晶體TRD 之源極區域(第2節點ND2 )之電位設為Vs 時，Vg 之值以及Vs 之值如下所述。因此，第1節點ND1 與第2節點ND2 之電位差，換而言之，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間的電位差Vgs 可由以下之式(3)表示。
Vg ＝VSig Vs ≒VOfs －Vth Vgs ≒VSig －(VOfs －Vth ) (3)
亦即，於對於驅動電晶體TRD 之寫入處理中所獲得之Vgs ，僅取決於用以控制發光部ELP之亮度之影像訊號VSig 、驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 、以及用以使驅動電晶體TRD 之閘極電極初始化之電壓VOfs 。而且，該Vgs 與發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 無關。
[期間－TP(5)6 ](參照圖6H)
之後，基於驅動電晶體TRD 之移動度μ之大小，對驅動電晶體TRD 之源極區域(第2節點ND2 )之電位進行修正(移動度修正處理)。
一般而言，當由多晶矽薄膜電晶體等製造驅動電晶體TRD 時，難以避免於電晶體之間產生移動度μ之不均。因 此，即便對移動度μ存在差異之複數個驅動電晶體TRD 之閘極電極施加相同值之影像訊號，移動度μ大之驅動電晶體TRD 中流動之汲極電流Ids 、與移動度μ小之驅動電晶體TRD 中流動之汲極電流Ids 之間亦會產生差異。繼而，若產生此種差異，則顯示裝置之畫面之均勻性(uniformity)會受損。
因此，具體而言，維持寫入電晶體TRW 之接通狀態，同時將第1電晶體控制線CL1 設為高位準，藉此，使第1電晶體TR1 成為接通狀態，繼而，當經過特定之時間(t0 )之後，將掃描線SCL設為低位準，藉此使寫入電晶體TRW 成為斷開狀態，且使第1節點ND1 (驅動電晶體TRD 之閘極電極)成為浮動狀態。繼而，經過以上處理之後，當驅動電晶體TRD 之移動度μ之值較大時，驅動電晶體TRD 之源極區域中之電位之上升量△V(電位修正值)變大，而當驅動電晶體TRD 之移動度μ之值較小時，驅動電晶體TRD 之源極區域中之電位之上升量△V(電位修正值)變小。此處，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間之電位差自式(3)變形為以下之式(4)。
Vgs ≒VSig －(VOfs －Vth )－△V (4)
再者，當對顯示裝置進行設計時，將用以執行移動度修正處理之特定時間([期間－TP(5)6 ]之全時間t0 )作為設計值而預先決定即可。而且，以使此時之驅動電晶體TRD 之源極區域中之電位(VOfs －Vth ＋△V)滿足以下的式(2')之方式，決定[期間－TP(5)6 ]之全時間t0 。藉此，於[期間－TP(5)6 ]內， 發光部ELP不會發光。進而，亦可藉由該移動度修正處理而同時對係數k(≡(1/2)．(W/L)．Cox )之不均進行修正。
(VOfs －Vth ＋△V)<(Vth－EL ＋VCat ) (2')
[期間－TP(5)7 ](參照圖6I)
藉由以上之操作，完成閾值電壓消除處理、寫入處理、移動度修正處理。然而，當掃描線SCL成為低位準之後，寫入電晶體TRW 成為斷開狀態，且第1節點ND1 即驅動電晶體TRD 之閘極電極成為浮動狀態。另一方面，第1電晶體TR1 維持接通狀態，驅動電晶體TRD 之汲極區域處於與電源部2100(電壓VCC 、例如20伏特)連接之狀態。因此，以上處理之結果為第2節點ND2 之電位上升。
此處，如上所述，驅動電晶體TRD 之閘極電極處於浮動狀態，而且存在電容部C1 ，因此，驅動電晶體TRD 之閘極電極上會產生與所謂之自舉電路中相同之現象，第1節點ND1 之電位亦會上升。其結果，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間之電位差Vgs 保持式(4)的值。
而且，因第2節點ND2 之電位上升且超過(Vth－EL ＋VCat )，故而發光部ELP開始發光。此時，發光部ELP中流動之電流係自驅動電晶體TRD 之汲極區域流向源極區域之汲極電流Ids ，因此，可由式(1)表示。此處，根據式(1)以及式(4)，式(1)可變形為以下之式(5)。
Ids ＝k．μ．(VSig －VOfs －△V)2 (5)
因此，例如當將VOfs 設定為0伏特時，發光部ELP中流動之電流Ids 與如下值之平方成比例，該值係自用以控制發光 部ELP之亮度之影像訊號VSig 之值，減去因驅動電晶體TRD 之移動度μ而引起之第2節點ND2 (驅動電晶體TRD 之源極區域)的電位修正值△V後所得者。換而言之，發光部ELP中流動之電流Ids 並不取決於發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 、以及驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 。亦即，發光部ELP之發光量(亮度)不受發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 以及驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 之影響。而且，第(n，m)發光元件之亮度係與上述電流Ids 相對應之值。
而且，驅動電晶體TRD 之移動度μ越大，則電位修正值△V越大，因此，式(4)左邊之Vgs 之值變小。故而，於式(5)中，當移動度μ之值變大而(VSig －VOfs －△V)2 之值變小之後，可對汲極電流Ids 進行修正。亦即，對於移動度μ不同之驅動電晶體TRD 而言，只要影像訊號VSig 之值相同，則汲極電流Ids 大致相同，從而，使發光部ELP中流動之用以控制發光部ELP之亮度的電流Ids 均勻化。亦即，可對因移動度μ之不均(進而，k之不均)而引起之發光部之亮度的不均進行修正。
使發光部ELP之發光狀態持續至第(m＋m'－1)水平掃描期間為止。此時點相當於[期間－TP(5)－1 ]之結束。
藉此，構成第(n，m)副像素之發光元件10之發光動作結束。
繼而，進行與2Tr/1C驅動電路相關之說明。
[2Tr/1C驅動電路]
圖7中表示2Tr/1C驅動電路之等價電路圖，圖8中模式性 地表示驅動之時序圖，圖9A~圖9F中模式性地表示各電晶體之接通/斷開狀態等。
於該2Tr/1C驅動電路中，省略了上述5Tr/1C驅動電路中之第1電晶體TR1 、第2電晶體TR2 、以及第3電晶體TR3 該等3個電晶體。亦即，該2Tr/1C驅動電路係由寫入電晶體TRW 以及驅動電晶體TRD 該2個電晶體所構成，進而由1個電容部C1 構成。再者，圖7所示之驅動電晶體TRD 相當於圖3中所圖示之驅動電晶體1022。
[驅動電晶體TRD ]
驅動電晶體TRD 之構成與5Tr/1C驅動電路中所說明之驅動電晶體TRD 的構成相同，故省略詳細說明。然而，驅動電晶體之汲極區域連接於電源部2100。再者，電源部2100供給用以使發光部ELP發光之電壓VCC－H 、以及用以控制驅動電晶體TRD 之源極區域之電位之電壓VCC－L 。此處，電壓VCC－H 以及VCC－L 之值可例示為VCC－H ＝20伏特VCC－L ＝－10伏特，但並不限定於該等值。
[寫入電晶體TRW ]
寫入電晶體TRW 之構成與5Tr/1C驅動電路中所說明之寫入電晶體TRW 之構成相同，故省略詳細說明。
[發光部ELP]
發光部ELP之構成與5Tr/1C驅動電路中所說明之發光部ELP之構成相同，故省略詳細說明。
以下，對2Tr/1C驅動電路之動作進行說明。
[期間－TP(2)－1 ](參照圖8以及圖9A)
該[期間－TP(2)－1 ]例如係上一顯示訊框中之動作，實質上，係與5Tr/1C驅動電路中所說明之[期間－TP(5)－1 ]相同之動作。
圖8所示之[期間－TP(2)0 ]~[期間－TP(2)2 ]係與圖5所示之[期間－TP(5)0 ]~[期間－TP(5)4 ]相對應之期間，且係直至實施下一個寫入處理之前為止之動作期間。而且，與5Tr/1C驅動電路相同，於[期間－TP(2)0 ]~[期間－0TP(2)2 ]內，第(n，m)發光元件原則上處於不發光狀態。然而，如圖8所示，2Tr/1C驅動電路之動作與5Tr/1C驅動電路之動作之不同點在於：第m水平掃描期間內不僅包括[期間－TP(2)3 ]，還包括[期間－TP(2)1 ]~[期間－TP(2)2 ]。再者，為了便於說明，使[期間－TP(2)1 ]之開始以及[期間－TP(2)3 ]之結束分別與第m水平掃描期間之開始以及結束一致而進行說明。
以下，對[期間－TP(2)0 ]~[期間－TP(2)2 ]之各期間進行說明。再者，與5Tr/1C驅動電路之說明相同，[期間－TP(2)1 ]~[期間－TP(2)3 ]之各期間之長度可根據顯示裝置之設計而適當地設定。
[期間－TP(2)0 ](參照圖9B)
該[期間－TP(2)0 ]例如係自上一顯示訊框至當前顯示訊框之動作。亦即，該[期間－TP(2)0 ]係自上一顯示訊框內之第(m＋m')水平掃描期間，至當前顯示訊框內之第(m－1)水平掃描期間為止之期間。而且，於該[期間－TP(2)0 ]內，第 (n，m)發光元件處於不發光狀態。此處，於自[期間－TP(2)－1 ]進入[期間－TP(2)0 ]之時點，電源部2100供給之電壓自VCC－H 切換為電壓VCC－L 。其結果，第2節點ND2 之電位下降至VCC－L ，且發光部ELP成為不發光狀態。而且，與第2節點ND2 之電位下降相同，浮動狀態之第1節點ND1 (驅動電晶體TRD 之閘極電極)之電位亦下降。
[期間－TP(2)1 ](參照圖9C)
繼而，當前顯示訊框內之第m水平掃描期間開始。於該[期間－TP(2)1 ]內實施前處理，該前處理用以進行閾值電壓消除處理。當[期間－TP(2)1 ]開始時，將掃描線SCL設為高位準，藉此，使寫入電晶體TRW 成為接通狀態。其結果，第1節點ND1 之電位成為VOfs (例如0伏特)。第2節點ND2 之電位保持VCC－L (例如－10伏特)。
藉由上述處理，驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間之電位差達到Vth 以上，且驅動電晶體TRD 成為接通狀態。
[期間－TP(2)2 ](參照圖9D)
繼而，實施閾值電壓消除處理。亦即，維持寫入電晶體TRW 之接通狀態，同時使電源部2100所供給之電壓自VCC－L 切換為電壓VCC－H 。從而，第1節點ND1 之電位不變化(維持VOfs ＝0伏特)，而第2節點ND2 之電位變化為自第1節點ND1 之電位減去驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 後所得的電位。亦即，浮動狀態之第2節點ND2 之電位上升。繼而，若驅動電晶體TRD 之閘極電極與源極區域之間之電位差達到Vth ， 則驅動電晶體TRD 成為斷開狀態。具體而言，浮動狀態之第2節點ND2 之電位接近(VOfs －Vth ＝－3伏特)，最終成為(VOfs －Vth )。此處，只要確保上述式(2)成立，換而言之，只要以滿足式(2)之方式選擇且決定電位，則發光部ELP不會發光。
於該[期間－TP(2)2 ]內，第2節點ND2 之電位最終成為(VOfs －Vth )。亦即，第2節點ND2 之電位僅取決於驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 、以及用以使驅動電晶體TRD 之閘極電極初始化之電壓VOfs 。而且，該第2節點ND2 之電位與發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 無關。
[期間－TP(2)3 ](參照圖9E)
繼而，對驅動電晶體TRD 進行寫入處理，並且依據驅動電晶體TRD 之移動度μ的大小而對驅動電晶體TRD 之源極區域(第2節點ND2 )之電位進行修正(移動度修正處理)。具體而言，維持寫入電晶體TRW 之接通狀態，同時將資料線DTL之電位設為用以控制發光部ELP之亮度之影像訊號VSig 。其結果，第1節點ND1 之電位上升至VSig ，驅動電晶體TRD 變成接通狀態。再者，可暫且將寫入電晶體TRW 設為斷開狀態，且將資料線DTL之電位變更為用以控制發光部ELP之亮度之影像訊號VSig ，其後將掃描線SCL設為高位準，藉此使寫入電晶體成為接通狀態，從而使驅動電晶體TRD 成為接通狀態。
與5Tr/1C驅動電路中之說明不同，驅動電晶體TRD 之汲極區域上自電源部2100施加有電位VCC－H ，故而，驅動電 晶體TRD 之源極區域之電位上升。經過特定時間(t0 )之後，藉由將掃描線SCL設為低位準，而使寫入電晶體TRW 成為斷開狀態，使第1節點ND1 (驅動電晶體TRD 之閘極電極)成為浮動狀態。再者，於對顯示裝置進行設計時，將該[期間－TP(2)3 ]之全時間t0 作為設計值而預先決定，使得第2節點ND2 之電位達到(VOfs －Vth ＋△V)即可。
於該[期間－TP(2)3 ]內，當驅動電晶體TRD 之移動度μ之值較大時，驅動電晶體TRD 之源極區域中之電位之上升量△V亦較大，當驅動電晶體TRD 之移動度μ之值較小時，驅動電晶體TRD 之源極區域中之電位之上升量△V亦較小。
[期間－TP(2)4 ](參照圖9E)
藉由以上之操作，完成閾值電壓消除處理、寫入處理、移動度修正處理。繼而，實施與5Tr/1C驅動電路中所說明之[期間－TP(5)7 ]相同之處理，第2節點ND2 之電位上升且超過(Vth－EL ＋VCat )，故而，發光部ELP開始發光。此時，於發光部ELP中流動之電流可根據上述式(5)而獲得，因此，於發光部ELP中流動之電流Ids 與發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 以及驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 無關。亦即，發光部ELP之發光量(亮度)不受發光部ELP之閾值電壓Vth－EL 以及驅動電晶體TRD 之閾值電壓Vth 之影響。另外，能夠抑制產生因驅動電晶體TRD 之移動度μ之不均而引起的汲極電流Ids 之不均。
繼而，使發光部ELP之發光狀態持續至第(m＋m'－1)水平掃描期間為止。該時點相當於[期間－TP(2)－1 ]之結束。
藉由以上處理，完成構成第(n，m)副像素之發光元件10之發光動作。
以上，已基於較好之示例進行了說明，但本發明中，驅動電路之構成並不限定於該等示例。各示例中所說明之顯示裝置、發光元件、構成驅動電路之各種構成要素之構成、構造、以及發光部之驅動方法中之步驟為例示，且可適當地加以變更。例如，作為驅動電路，亦可使用圖10所示之4Tr/1C驅動電路、或圖11所示之3Tr/1C驅動電路。
又，於5Tr/1C驅動電路之動作說明中，分別進行寫入處理及移動度修正，但並不限於此。與2Tr/1C驅動電路之動作說明相同，可於寫入處理之同時實施移動度修正處理。具體而言，可於將發光控制電晶體TEL_C 設為接通狀態之狀態下，經由寫入電晶體TSig 而自資料線DTL將影像訊號VSig_m 施加於第1節點。
繼而，對本發明之一實施形態中之不均修正部130之構成進行說明。圖12係用於說明本發明之一實施形態中之不均修正部130之構成的說明圖。
如圖12所示，本發明之一實施形態中之不均修正部130包括位準檢測部162、不均修正資訊記憶部164、插值部166、168以及加法運算器170而構成。
位準檢測部162對影像訊號之電壓(位準)進行檢測。若位準檢測部162檢測出影像訊號之位準，則將檢測出之位準發送至不均修正資訊記憶部164。
不均修正資訊記憶部164記憶有如下之資訊，該資訊係 用於對面板158上顯示之圖像之發光不均進行修正。作為不均修正資訊記憶部，與記錄部106相同，較好的是使用即使於切斷顯示裝置100之電源之狀態下，亦能夠儲存資訊而不會丟失資訊之記憶體。作為用作不均修正資訊記憶部164之記憶體，較理想的是採用例如能夠電性地對內容進行覆寫之EEPROM。此處，對用以修正面板158上顯示之圖像之發光不均的資訊進行說明。
當於對面板158供給具有相同值之影像訊號之狀態下，利用攝影機等之攝影機構而對面板158上之圖像之顯示面進行拍攝時，若面板158上無發光不均，則可自該攝影機構獲得相同值之訊號。然而，若面板158上存在發光不均，則自該攝影機構獲得值相應於發光不均而產生變化之訊號。
因此，為了檢測面板158是否已產生發光不均，向面板158供給使面板158以複數個特定之亮度發光之影像訊號。此種影像訊號例如可由圖案產生部118產生後供給至面板158，亦可由顯示裝置100之外部產生後供給至顯示裝置100。此處，於顯示裝置100中，施加於面板158之各像素之電壓、與面板158之各像素之亮度具有線性之(線形之)關係，因此，面板158之亮度與影像訊號之訊號位準(電壓)成比例地變化。
當面板158上輸入有使其以特定之亮度發光之影像訊號後，面板158根據該影像訊號而發光。利用攝影機構對已發光之面板158之顯示面進行拍攝，且自攝影機構所拍攝 之面板158之顯示面之圖像而獲得訊號電壓。將所獲取之訊號電壓輸入至外部之專用電腦(未圖示)，藉此，獲得該亮度之發光不均之修正資料。
亦即，所謂該亮度之發光不均之修正資料，係指如下之修正資料，即，當面板158中之以該亮度顯示之圖像存在發光不均時，用於對已產生發光不均之處修正影像訊號之訊號位準，以消除面板158中之發光不均。繼而，將此種修正資料記憶於不均修正資訊記憶部164中，且根據所記憶之修正資料而對影像訊號之訊號位準進行修正，藉此，能夠抑制面板158固有之發光不均而顯示圖像。
如上所述，面板158之製造步驟中，包括利用雷射光而對構成像素之TFT進行曝光之步驟，因該雷射光之曝光步驟，容易於面板158之水平方向或垂直方向上產生條紋狀之發光不均。而且，除了面板158之水平方向或垂直方向以外，有時亦會於局部產生發光不均。
因此，發光不均之修正資料中包含：對面板158之水平方向或垂直方向上產生之發光不均進行修正之修正資料，以及對面板158之局部產生之發光不均進行修正之修正資料。本實施形態中之顯示裝置100之特徵在於，組合使用如下兩種修正而進行修正，一種修正(以下亦稱作「縱橫修正」)係對水平方向或垂直方向上產生之發光不均進行之修正，另一種修正(以下亦稱作「點修正」)係對局部產生之發光不均進行之修正。
以上，已對用以修正發光不均之資訊進行了說明，下文 中將對縱橫修正及點修正之詳細內容進行說明。
插值部166、168係藉由插值而產生用以修正影像訊號之修正訊號者。使用藉由插值部166、168產生之修正訊號而對影像訊號進行修正，藉此，對面板158中之發光不均進行修正。
此處，插值部166與插值部168之不同之處在於，插值部166係當藉由縱橫修正而對發光不均進行修正時產生修正訊號者，插值部168係當藉由點修正而對發光不均進行修正時產生修正訊號者。於根據面板158中產生之發光不均之狀態，將修正資訊記錄至不均修正資訊記憶部164時，指定利用縱橫修正與點修正中之任一個修正來對發光不均進行修正，或利用縱橫修正及點修正該兩種修正來對發光不均進行修正。
加法運算器170係將插值部166、168所產生之修正訊號、與輸入至不均修正部130之影像訊號相加者。藉由將插值部166、168所產生之修正訊號、與輸入至不均修正部130之影像訊號相加，可對面板158中之發光不均進行修正。
以上，已對本發明之一實施形態中之不均修正部130之構成進行了說明。其次，對本發明之一實施形態中之顯示裝置100之發光不均的修正方法進行說明。
圖13係用於說明本發明之一實施形態中、顯示裝置100中之發光不均之修正方法之概念的說明圖。於本實施形態中之顯示裝置100中，以3個亮度於面板158中顯示圖像， 藉此檢測發光不均，獲得用於修正發光不均之修正資料，從而對發光不均進行修正。按照由低至高之順序，將用以檢測發光不均之亮度設為L1、L2、L3。繼而，如上所述，施加於面板158之電壓與亮度具有線性之關係。因此，將與亮度L1相對應之電壓設為V1，將與亮度L2相對應之電壓設為V2，將與亮度L3相對應之電壓設為V3。當然，本發明中，用以獲得修正資料之亮度並不限於3個。而且，本實施形態中，將亮度L3設定為大致中等之亮度，本發明中之亮度之設定當然並不限於上述示例。
將具有與各個亮度相對應之訊號位準之影像訊號發送至面板158，且如上所述，利用攝影機等攝影機構而對面板158中顯示之圖像進行拍攝，從而檢測面板158之發光不均。
因面板158之製造步驟而產生之發光不均包括：於面板158之水平方向或垂直方向上產生之條紋狀之發光不均、以及面板158之局部產生之發光不均。縱橫修正適合於對面板158之水平方向或垂直方向上產生之條紋狀之發光不均進行修正。然而，若僅使用縱橫修正，則無法徹底修正面板158之局部產生之發光不均。因此，當對面板158之局部產生之發光不均進行修正時，必需對面板158之顯示面以格子狀設置檢測點而進行修正(以下亦稱為「格子型修正」)。
此處，當使用格子型修正時，格子之孔越細，則越可完全地修正局部產生之發光不均。然而，於格子型修正中， 必需針對格子之各交點而儲存修正資料，故而，格子之孔越細，則不均修正資訊記憶部164內必需記憶之修正資料越多。因此，當記憶體容量有限時，進行格子型修正時之格子之孔的大小受到限制。而且，格子之孔越細，則不均修正部130進行不均修正所需之時間亦會增加。
因此，與如圖14A所示之將整個畫面作為處理區域之先前之格子型修正相比，本發明之一實施形態中之顯示裝置100之發光不均的修正方法之特徵在於，僅將如圖14B所示之產生發光不均之特定區域作為處理區域而進行點修正。如此，僅將特定區域作為處理區域而進行點修正，藉此，即便記憶體容量有限，亦可使格子之孔較細，從而可進一步修正發光不均。
圖15係使用圖表來說明藉由本發明之一實施形態中之顯示裝置100之發光不均的修正方法而修正發光不均之說明圖。橫軸表示輸入至面板158之影像訊號之訊號位準(電壓)，縱軸表示由面板158輸出之圖像之亮度。
符號172所示之線表示產生發光不均之處的、經發光不均檢測而推斷出之輸入輸出特性的一例。又，符號174所示之線表示未產生發光不均時之輸入輸出特性的一例。
如此，當於面板158中產生發光不均時，產生發光不均之處以低於原來之輸入輸出特性之亮度而發光。於不均修正部130中調節影像訊號之訊號位準，使得該以低亮度發光之處以原來之亮度發光。
本發明之一實施形態中之顯示裝置100之發光不均的修 正方法之特徵在於，藉由適當地組合縱橫修正與點修正，而對面板158中產生之發光不均進行修正。此處，對藉由縱橫修正而進行修正時之修正資料、以及藉由點修正而進行修正時之修正資料進行詳細說明。
當藉由縱橫修正而對發光不均進行修正時，製作對水平方向進行修正之修正資料、以及對垂直方向進行修正之資料。對水平方向進行修正之修正資料係於所有之水平線上，對用以將面板158之水平方向上之亮度修正得相同之資料進行平均後而獲得者。同樣，對垂直方向進行修正之修正資料係於所有之垂直線上，對用以將面板158之垂直方向上之亮度修正得相同之資料進行平均後而獲得者。
此處，對縱橫修正進行詳細說明。縱橫修正係對面板158之水平以及垂直方向上產生之發光不均進行修正者。縱橫修正係藉由複數個水平方向以及垂直方向之修正資料而進行修正。水平方向以及垂直方向之修正資料亦可以等間隔設置。例如，當面板158之水平方向上之像素數為960像素，垂直方向上之像素數為540像素時，可以32像素之間隔而設置修正資料。
本實施形態中之水平方向之修正資料，係當假設面板158上有複數條水平線時，於所有水平線上，對用以將該水平線上之水平方向之亮度修正得相同之修正資料進行平均後所得者。而且，本實施形態中之垂直方向之修正資料，係當假設面板158上有複數條垂直線時，於所有垂直線上，對用以將該垂直線上之垂直方向之亮度修正得相同 之修正資料進行平均後所得者。
水平方向上之發光不均之修正與水平掃描位置無關，藉由反覆自不均修正資訊記憶部164讀出與垂直掃描位置相對應之垂直方向的修正資料而實施。其結果，可對水平方向上之條紋狀之發光不均進行修正。同樣，垂直方向上之發光不均之修正與垂直掃描位置無關，藉由反覆自不均修正資訊記憶部164讀出與水平掃描位置相對應之水平方向的修正資料而實施。其結果，可對垂直方向上之條紋狀之發光不均進行修正。
另一方面，當藉由點修正而修正發光不均時，對於產生發光不均之區域以格子狀設置檢測點，對於所有檢測點(格子點)製作用以將該檢測點之亮度修正成未產生發光不均時之亮度的資料。以該方式製作用以修正亮度之資料，藉此，可抑制於畫面上之一部分區域中產生之發光不均，從而以相同之亮度顯示圖像。
此處，對於利用點修正之修正方法進行詳細說明。圖16係說明藉由點修正而對本發明之一實施形態中之面板158的局部產生之發光不均進行修正的說明圖。
將藉由點修正而進行修正之修正區域之左上方的座標設為(X1，Y1)，將右下方之座標設為(X2，Y2)。又，將進行點修正時之格子之橫寬設為hwid，將縱寬設為vwid。此處，較理想的是hwid以及vwid之值為2的乘方。
當將修正區域之橫寬設為hsize(＝X2－X1＋1)，將縱寬設為vsize＝(Y2－Y1＋1)時，圖16所示之修正區域內之修正點 (即，格子之各交點)之數量由以下之數式1表示。
{(hsize/hwid)＋1}×[{(vsize/vwid)/2}＋1]………(數式1)
本實施形態中，於數式1中，(hsize/hwid)以及(vsize/vwid)係採用將各自之小數位進位而得之整數，{(vsize/vwid)/2}則採用舍去小數位而得之整數。而且，於本實施形態中，以由該數式1所求得之值成為特定值以下之方式，且根據修正區域中之發光不均之狀態而決定hwi及vwid之值。
如此，根據修正區域中之發光不均之狀態而決定hwi及vwid之值，藉此，可利用點修正而有效地對面板158中之局部產生之發光不均進行修正。
以上，已對利用點修正之修正方法進行了說明。再者，實施點修正時之格子之橫寬、縱寬，可與實施縱橫修正時之水平線或垂直線之間隔相等，亦可小於實施縱橫修正時之水平線或垂直線之間隔。為了有效地對面板158之發光不均進行修正，較理想的是，實施點修正時之格子之橫寬以及縱寬小於實施縱橫修正時之水平線或垂直線之間隔。
將以上述方式求得之用以修正發光不均之修正資料記憶於不均修正資訊記憶部164。繼而，當影像訊號輸入至不均修正部130時，利用不均修正資訊記憶部164內所記憶之修正資料而對影像訊號之訊號位準進行修正，且輸出修正後之影像訊號。
繼而，對利用不均修正資訊記憶部164內所記憶之修正資料而對影像訊號之訊號位準進行修正的方法進行詳細說 明。
當位準檢測部162對影像訊號之訊號位準(電壓)進行檢測之後，將檢測出之訊號位準發送至不均修正資訊記憶部164。不均修正資訊記憶部164讀出對應於位準檢測部162所檢測出之訊號位準、且與該影像訊號之掃描位置相對應之修正資料。
例如，於本實施形態中，將檢測發光不均之亮度設為L1、L2、L3該三種，但當影像訊號之訊號位準未達與亮度L1相對應之電壓V1時，自不均修正資訊記憶部164讀出亮度L1之修正資料。繼而，當實施縱橫修正時，將修正資料發送至插值部166，當實施點修正時，將修正資料發送至插值部168。
插值部166上輸入有由位準檢測部162檢測出之影像訊號之訊號位準之資訊、以及自不均修正資訊記憶部164讀出之修正資料，該訊號位準之實施縱橫修正時之修正資料係藉由插值而產生。同樣，插值部168上亦輸入有由位準檢測部162檢測出之影像訊號之訊號位準之資訊、以及自不均修正資訊記憶部164讀出之修正資料，該訊號位準之實施點修正時之修正資料係藉由插值而產生。
插值部166、168所產生之修正資料分別輸入至加法運算器170中，該加法運算器170進行將上述修正資料與影像訊號相加之處理。如此，藉由加法運算而進行修正，從而可將產生發光不均之處之亮度修正成與其他未產生發光不均之處的亮度相同。
同樣，當影像訊號之訊號位準為與亮度L1相對應之電壓V1以上，且未達與亮度L1相對應之電壓V2時，自不均修正資訊記憶部164讀出亮度L1之修正資料與亮度L2之修正資料，且根據該等修正資料，於插值部166、168中分別藉由插值而產生修正資料。
而且，當影像訊號之訊號位準為與亮度L2相對應之電壓V2以上，且未達與亮度L3相對應之電壓V3時，自不均修正資訊記憶部164讀出亮度L2之修正資料與亮度L3之修正資料，且根據該等修正資料，於插值部166、168中分別藉由插值而產生修正資料。
而且，當影像訊號之訊號位準為與亮度L3相對應之電壓V3以上時，自不均修正資訊記憶部164讀出亮度L3之修正資料，且根據該修正資料，於插值部166、168中分別藉由插值而產生修正資料。
以上述方式產生之修正資料同樣分別輸入至加法運算器170，該加法運算器170進行將該修正資料與影像訊號相加之處理，藉此，可修正發光不均。
以上，已對本發明之一實施形態中之顯示裝置100之發光不均的修正方法進行了說明。
再者，可於註冊修正資料時，於不均修正部130中設定利用縱橫修正與點修正中之任一種方式來進行不均修正，或利用縱橫修正與點修正該兩種方式來進行不均修正；亦可藉由對畫面上之不均之起伏之寬度或色彩之濃淡程度進行分析，而由不均修正部130判斷利用縱橫修正與點修正 中之任一種方式來進行不均修正，或利用縱橫修正與點修正該兩種方式來進行不均修正。
如以上之說明，根據本發明之一實施形態，組合使用縱橫修正與點修正而對發光不均進行修正，藉此，可抑制因面板158之製造步驟而引起之發光不均，從而可於面板158上顯示圖像。而且，不針對整個面板158實施點修正，而是針對產生發光不均之區域實施點修正，藉此，即便記憶體容量有限，亦可設置較小之檢測點，從而可對面板158之局部產生之發光不均進行修正後於面板158上顯示圖像。
而且，根據本發明之一實施形態，對具有線性特性之影像訊號實施訊號處理而修正發光不均，藉此，與具有伽瑪特性之影像訊號相比，發光不均之檢測面之數量較少。因此，可將用以修正發光不均之修正資料之記憶容量抑制得較小，故而，可降低顯示裝置100之成本。而且，由於只要向不均修正部130輸入亮度值之絕對值即可，故而可容易地進行不均修正部130之修正。
再者，上述本發明之一實施形態中之不均修正方法亦可以下述方式執行，即，預先於顯示裝置100內部之記錄媒體(例如記錄部106)中記錄電腦程式，製作該電腦程式之目的在於執行本發明之一實施形態中之不均修正方法，由運算裝置(例如控制部104)依序讀出且執行該電腦程式。
以上，已參照隨附圖式對本發明之較佳實施形態進行了說明，但本發明當然並不限於上述示例。業者顯然可於專 利申請範圍所揭示之範籌內思及各種變更例或者修正例，且業者瞭解該等變更例或者修正例當然亦屬於本發明之技術範圍。
例如，當對不均進行修正時，亦可不對黑色側(低灰階側)進行修正。其原因在於，由於在線性空間內對不均進行修正，故而，黑色側之精度非常敏感，而且因受到線性空間之位元數之限制，黑色側會超出線性空間。
圖17係說明不對低灰階側進行不均修正之不均修正部130'之構成的說明圖。圖17所示之不均修正部130'與圖12所示之不均修正部130相比，於位準檢測部162之前段設有低灰階側阻斷部161。低灰階側阻斷部161於低灰階側阻斷不均修正部130'所獲取之影像訊號，且將該影像訊號發送至位準檢測部162。
圖18A係概念性地表示對低灰階側亦實施不均修正時之不均修正之狀況的說明圖，符號182所示之線表示存在量化誤差之修正量，符號184所示之線表示理想之修正量。圖18B係概念性地表示藉由設置低灰階側阻斷部161而不對低灰階側進行不均修正時之不均修正的狀況之說明圖，符號183所示之線表示存在量化誤差之修正量，符號184所示之線表示理想之修正量。
於圖18A所示之情形時，存在量化誤差之修正量與理想之修正量之間的誤差位於低灰階側，於線性空間內對不均進行修正，故而，當面板158上顯示出影像時，有可能會看見兩者間之誤差。另一方面，於圖18B所示之情形時， 存在量化誤差之修正量與理想之修正量之間的誤差，與圖18A中之情形相比，靠近高灰階側，故而具有以下效果，即，即便當面板158上顯示出影像時，亦不會看到兩者間之誤差。
100‧‧‧顯示裝置
104‧‧‧控制部
106‧‧‧記錄部
110‧‧‧訊號處理積體電路
112‧‧‧邊緣模糊部
114‧‧‧I/F部
116‧‧‧線性轉換部
118‧‧‧圖案產生部
120‧‧‧色溫度調整部
122‧‧‧靜態圖像檢波部
124‧‧‧長期色溫度修正部
126‧‧‧發光時間控制部
128‧‧‧準修正部
130‧‧‧不均修正部
132‧‧‧伽瑪轉換部
134‧‧‧抖動處理部
136‧‧‧訊號輸出部
138‧‧‧長期色溫度修正檢波部
140‧‧‧閘極脈衝輸出部
142‧‧‧伽瑪電路控制部
150‧‧‧記憶部
152‧‧‧資料驅動器
154‧‧‧伽瑪電路
156‧‧‧過電流檢測部
158‧‧‧面板
162‧‧‧位準檢測部
164‧‧‧不均修正資訊記憶部
166、168‧‧‧插值部
170‧‧‧加法運算器
90‧‧‧訊號配線
91‧‧‧輔助配線
1021‧‧‧有機EL元件
1022‧‧‧驅動電晶體
1201‧‧‧玻璃基板
1202‧‧‧絕緣膜
1203‧‧‧絕緣平坦化膜
1204‧‧‧窗口絕緣膜
1204A‧‧‧凹部
1205‧‧‧陽極電極
1206‧‧‧有機層
1207‧‧‧陰極電極
1208‧‧‧鈍化膜
1209‧‧‧密封基板
1210‧‧‧接著劑
1221‧‧‧閘極電極
1222‧‧‧半導體層
1223‧‧‧源極/汲極區域
1224‧‧‧汲極/源極區域
1225‧‧‧通道形成區域
2061‧‧‧電洞輸送層/電洞注入層
2062‧‧‧發光層
2063‧‧‧電子輸送層
2100‧‧‧電源部
2101‧‧‧掃描電路
2102‧‧‧訊號輸出電路
2111‧‧‧第1電晶體控制電路
2112‧‧‧第2電晶體控制電路
2113‧‧‧第3電晶體控制電路
圖1係用於說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100之構成的說明圖。
圖2A係以圖表之形式來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100中流動之訊號的特性變化之說明圖。
圖2B係以圖表之形式來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100中流動之訊號的特性變化之說明圖。
圖2C係以圖表之形式來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100中流動之訊號的特性變化之說明圖。
圖2D係以圖表之形式來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100中流動之訊號的特性變化之說明圖。
圖2E係以圖表之形式來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100中流動的訊號之特性變化之說明圖。
圖2F係以圖表之形式來說明本發明之一實施形態中之顯示裝置100中流動的訊號之特性變化之說明圖。
圖3係表示設於面板158上之像素電路之剖面構造之一例的剖面圖。
圖4係5Tr/1C驅動電路之等價電路圖。
圖5係驅動5Tr/1C驅動電路之時序圖。
圖6A係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀 態等之說明圖。
圖6B係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6C係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6D係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6E係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6F係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6G係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6H係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖6I係表示5Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖7係2Tr/1C驅動電路之等價電路圖。
圖8係驅動2Tr/1C驅動電路之時序圖。
圖9A係表示2Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖9B係表示2Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖9C係表示2Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀 態等之說明圖。
圖9D係表示2Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖9E係表示2Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖9F係表示2Tr/1C驅動電路之各電晶體之接通/斷開狀態等之說明圖。
圖10係4Tr/1C驅動電路之等價電路圖。
圖11係3Tr/1C驅動電路之等價電路圖。
圖12係對本發明之一實施形態中之不均修正部130之構成進行說明的說明圖。
圖13係對顯示裝置100中之發光不均之修正方法之概念進行說明的說明圖。
圖14A係表示將整個畫面作為處理區域之先前之格子型修正的說明圖。
圖14B係表示僅將產生發光不均之特定區域作為處理區域而進行點修正的說明圖。
圖15係以圖表之形式來說明利用本發明之一實施形態中之顯示裝置100的發光不均之修正方法，對發光不均進行修正之說明圖。
圖16係表示利用點修正而對於面板158上局部產生之發光不均進行修正時的說明圖。
圖17係對不均修正部130'之構成進行說明之說明圖。
圖18A係表示對低灰階側亦進行不均修正時之不均修正 之狀況的說明圖。
圖18B係表示不對低灰階側進行不均修正時之不均修正之狀況的說明圖。
130‧‧‧不均修正部
162‧‧‧位準檢測部
164‧‧‧不均修正資訊記憶部
166、168‧‧‧插值部
170‧‧‧加法運算器

Claims (3)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於：其包括將像素、掃描線以及資料線排列成矩陣狀而成之顯示部，其中該像素具有根據電流量而自發光之有機電激發光元件、及根據影像訊號而控制施加至上述發光元件之電流之像素電路，該掃描線以特定之掃描週期將用以選擇欲發光之上述像素之選擇訊號供給至該像素，該資料線將上述影像訊號供給至上述像素；上述顯示裝置包括：不均修正資訊記憶部，其記憶有用以對上述顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊；及不均修正部，其自上述不均修正資訊記憶部讀出上述不均修正資訊，對具有線性特性之上述影像訊號進行訊號處理，以修正上述顯示部之發光不均；且上述不均修正部係經配置且調適為利用第1修正及第2修正而修正上述發光不均，該第1修正包含於上述顯示部之水平方向及垂直方向之至少一者上的發光不均之修正，該第2修正係施加至上述顯示部之局部產生發光不均之區域，該第2修正係基於在該區域中的複數個檢測點所得之修正資料，上述水平方向上之發光不均的修正包含從上述不均修正資訊記憶部重複讀出針對上述垂直方向的修正資料，其與垂直掃描位置相對應且不拘於水平掃描位置，且 上述垂直方向上之發光不均的修正包含從上述不均修正資訊記憶部重複讀出針對上述水平方向的修正資料，其與水平掃描位置相對應而不拘於垂直掃描位置。
  2. 一種發光不均之修正方法，其特徵在於：其係對顯示裝置之發光不均進行修正之方法；該顯示裝置包括將像素、掃描線以及資料線排列成矩陣狀而成之顯示部，其中該像素具有根據電流量而自發光之發光元件、及根據影像訊號而控制施加至上述發光元件之電流之像素電路，該掃描線以特定之掃描週期將用以選擇欲發光之上述像素之選擇訊號供給至該像素，該資料線將上述影像訊號供給至上述像素；上述發光不均之修正方法包括：不均修正資訊記憶步驟，其記憶用以對上述顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊；以及不均修正步驟，其讀出於上述不均修正資訊記憶步驟中所記憶之上述不均修正資訊，對具有線性特性之上述影像訊號進行訊號處理；且上述不均修正步驟包含利用第1修正及第2修正而修正上述發光不均，該第1修正包含於上述顯示部之水平方向及垂直方向之至少一者上的發光不均之修正，該第2修正係施加至上述顯示部之局部產生發光不均之區域，該第2修正係基於在該區域中的複數個檢測點所得之修正資料， 上述水平方向上之發光不均的修正包含從上述不均修正資訊記憶部重複讀出針對上述垂直方向的修正資料，其與垂直掃描位置相對應且不拘於水平掃描位置，且上述垂直方向上之發光不均的修正包含從上述不均修正資訊記憶部重複讀出針對上述水平方向的修正資料，其與水平掃描位置相對應而不拘於垂直掃描位置。
  3. 一種電腦程式產品，其特徵在於：其係使電腦執行對顯示裝置進行控制之電腦程式；該顯示裝置包括將像素、掃描線以及資料線排列成矩陣狀而成之顯示部，其中該像素具有根據電流量而自發光之發光元件、及根據影像訊號而控制施加至上述發光元件之電流之像素電路，該掃描線以特定之掃描週期將用以選擇欲發光之上述像素之選擇訊號供給至該像素，該資料線將上述影像訊號供給至上述像素；上述電腦程式中包括不均修正步驟，該不均修正步驟根據預先記憶之用以對上述顯示部之發光不均進行修正之不均修正資訊，對具有線性特性之上述影像訊號進行訊號處理；上述不均修正步驟包含利用第1修正及第2修正而修正上述發光不均，該第1修正包含於上述顯示部之水平方向及垂直方向之至少一者上的發光不均之修正，該第2修正係供給至上述顯示部之局部產生發光不均之區域，該第2修正係基於在該區域中的複數個檢測 點所得之修正資料，上述水平方向上之發光不均的修正包含從上述不均修正資訊記憶部重複讀出針對上述垂直方向的修正資料，其與垂直掃描位置相對應且不拘於水平掃描位置，且上述垂直方向之發光不均的修正包含從上述不均修正資訊記憶部重複讀出針對上述水平方向的修正資料，其與水平掃描位置相對應而不拘於垂直掃描位置。
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