TWI407866B - Production method of composite for multilayer circuit board - Google Patents

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Description

多層電路基板用複合體之製造方法
本發明係關於一種多層電路基板用複合體。更加詳細地說，本發明係關於一種用以高度之良品率來製造層間之密合性變高、在總括層積時之位置偏離變小且可靠性變高之多層電路基板之所使用的多層電路基板用複合體。
多層印刷電路板係交互地層積導電體電路和層間絕緣層而組成之層積體。該層積體係在其表面，具有表面配線圖案，在層間絕緣層間，具有內層配線圖案。這些配線圖案係透過穿孔形成於層積體之厚度方向之通孔或者是設置於各個層間絕緣層之導通孔而呈電氣地連接內層配線圖案之相互間或者是表面配線圖案之間。此外，將透過導通孔而呈電氣地連接配線圖案之相互間之構造，稱為局部層間導通孔(IVH)構造。
IVH構造之多層電路基板係適合於用以實現電子機器之小型化、高密度化之構造，為了製造該構造之多層電路基板，因此，檢討各種之材料或製法。
在專利文獻1，揭示：在塑膠絕緣薄膜之單面具有電路導體且在其他面具有接合劑層而在得到層間導通之位置來形成藉由導電材料所造成之導通線腳的單面電路薄膜。在該層積薄膜，使用聚醯亞胺樹脂薄膜，來作為塑膠絕緣薄膜，在接合劑層，使用醯亞胺系接合劑。作為製造該層積薄膜之方法係揭示：在聚醯亞胺樹脂薄膜之單面，藉由藉由物理蒸鍍法而成膜銅等，接著在其他面，塗佈醯亞胺系接合劑，來作為接合劑層之方法；或者是在銅箔，澆鑄聚醯亞胺先驅物，接著在進行醯亞胺化之後，於得到之醯亞胺絕緣薄膜側之面，塗佈環氧系接合劑之方法。
在專利文獻2或專利文獻3，揭示：在以玻纖布作為基材且由環氧樹脂組成物之硬化物所組成之硬質絕緣層之某一面，層積形成銅箔，在其他面，形成包含環氧樹脂之接合劑層的薄片材。
在專利文獻4，揭示：層積玻纖布環氧樹脂、玻纖不織布環氧樹脂、玻纖布雙馬來酸酐縮亞胺三嗪樹脂和聚醯胺不纖布環氧樹脂等硬化成為板狀之硬質基板、以及形成於其某一面之金屬箔、以及形成於其他面之環氧系、聚醯亞胺系、雙馬來酸酐縮亞胺三嗪系、丙烯酸酯系和苯酚系之樹脂接合劑之層的單面貼銅層積板。
【專利文獻1】日本特開平5-198946號公報
【專利文獻2】日本特開2005-158974號公報
【專利文獻3】日本特開2004-327510號公報
【專利文獻4】WO97/048620
但是，在藉由本發明人之檢討時，在企圖藉由熱沖壓等而壓合前述專利文獻所記載之層積薄膜等之複合體來得到多層電路基板時，有層間之密合性變低之狀態發生。此外，在層積此種複合體之複數片而總括地進行壓合(總括層積)之狀態下，有產生位置偏離之狀態發生。此外，此種複合體係一度對於半硬化之硬化性樹脂進行熱沖壓而揮發溶劑，同時，形成硬質樹脂層，接著，在該硬質樹脂層之某一邊之面，形成導體層，在其他邊，形成接合劑層而進行製造，因此，製程變得煩雜，生產性變得極為低。
本發明之目的係提供一種用以高度之生產性及高度之良品率，來製造層間之密合性變高、在總括層積時之位置偏離變小且可靠性變高之多層電路基板的多層電路基板用複合體及其製造方法。
本發明人係為了達成前述之目的，因此，全心地進行檢討，結果，發現：可以藉由將金屬箔之層、包含藉由塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層、以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之接合樹脂之接合樹脂層來依照該順序而進行層積所組成之多層電路基板用複合體予以使用，而以高度之生產性及良品率，來製造層間之密合性變高、在總括層積時之位置偏離變小(層積性呈良好)且可靠性變高的多層電路基板。本發明係根據該意見而還進行檢討，以致於完成本發明。
也就是說，本發明係包含以下之形態。
(1)一種多層電路基板用複合體，係金屬箔之層、包含藉由塊狀聚合反應(1)和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層、以及包含藉由塊塊聚合反應(2)所得到之接合樹脂之接合樹脂層，依照該順序而進行層積所組成。
(2)前述之多層電路基板用複合體，係前述硬質樹脂層或前述接合樹脂層之至少一種，包含環烯烴聚合物。
(3)前述之多層電路基板用複合體，係前述之接合樹脂層還包含交聯劑(2)。
(4)一種多層電路基板用複合體之製造方法，係包含：使得金屬箔之層、以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之樹脂和交聯劑(1)之交聯性樹脂層，進行一體化而形成中間複合體(A)之製程；以及藉由在前述之中間複合體(A)，由金屬箔之層側開始，加入熱量，僅對於接近前述交聯性樹脂層之金屬箔之側，進行交聯反應，而使得前述之交聯性樹脂層，由包含藉著塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之接合樹脂之接合樹脂層來構成之製程。
(5)前述之多層電路基板用複合體之製造方法，係前述中間複合體(A)之交聯反應，使得遠離於前述交聯性樹脂層之金屬箔之層之遠離側之面之溫度，成為前述交聯劑[1]之1分鐘半衰期溫度以下之溫度而進行交聯反應。
(6)前述之多層電路基板用複合體之製造方法，係前述之中間複合體(A)藉由將包含可塊狀聚合之單體和交聯劑[1]之交聯性聚合性組成物，塗佈於前述之金屬箔上，形成該組成物之塗膜，在該塗膜，加入熱量，進行塊狀聚合，而得到中間複合體。
(7)一種多層電路基板用複合體之製造方法，係包含：使得金屬箔之層、包含藉由塊狀聚合反應[3]所得到之樹脂和交聯劑(α)之交聯性樹脂層、以及包含藉由塊狀聚合反應[4]所得到之接合樹脂之接合樹脂層，依照該順序而進行配置，進行一體化而形成中間複合體(B)之製程；以及加熱前述之中間複合體(B)，交聯構成前述交聯性樹脂層之前述樹脂之至少一部分，而使得前述之交聯性樹脂層，成為包含藉由塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層之製程。
(8)前述之多層電路基板用複合體之製造方法，係前述之接合樹脂層，包含1分鐘半衰期溫度高於前述交聯劑(α)之交聯劑(β)。
(9)前述之多層電路基板用複合體之製造方法，係前述之中間複合體(B)藉由：在前述之金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)之製程；在塗佈於前述金屬箔上之前述交聯性聚合性組成物(a)上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)之製程；以及對於前述交聯性聚合性組成物(a)和前述聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合，分別形成前述交聯性樹脂層和前述接合樹脂層之製程；來得到中間複合體。
(10)前述之多層電路基板用複合體之製造方法，係前述之中間複合體(B)在前述之交聯性樹脂層中及/或前述之接合樹脂層中，包含纖維材；前述之中間複合體(B)係藉由：在前述纖維材之某一邊之面，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)之製程；在前述纖維材之其他邊之面，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)之製程；在塗佈於前述纖維材之某一邊之面之前述交聯性聚合性組成物(a)之上，重疊金屬箔之製程；以及對於前述交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合，分別形成前述交聯性樹脂層和前述接合樹脂層之製程；來得到中間複合體。
(11)前述之多層電路基板用複合體之製造方法，係前述之中間複合體(B)藉由：在前述之金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，接著，進行塊狀聚合反應[3]而形成前述交聯性樹脂層之製程；以及在形成於前述金屬箔上之前述交聯性樹脂層上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)，接著，進行塊狀聚合反應[4]而形成前述接合樹脂層之製程；來得到中間複合體。
(12)一種多層電路基板用複合體之製造方法，係包含：在金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，接著，進行塊狀聚合反應[5]而形成交聯性樹脂層之製程；交聯前述交聯性樹脂層之至少一部分，形成包含藉由塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層之製程；以及在前述之硬質樹脂層上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)，接著，進行塊狀聚合反應[6]而形成包含藉由塊狀聚合反應所得到之接合樹脂之接合樹脂層之製程。
(13)一種多層電路基板用單面電路基板，係對於前述之多層電路基板用複合體之前述金屬箔之層，進行圖案化而形成導體電路，形成貫通前述硬質樹脂層和前述接合樹脂層同時在底面露出前述導體電路的導通孔，在前述之導通孔，賦予導體所構成。
(14)一種多層電路基板之製造方法，係製造層積複數個之電路基板所構成之多層電路基板之方法，係包含：重疊2片以上之前述多層電路基板用單面電路基板，或者是重疊前述之多層電路基板用單面電路基板和其他之電路基板，藉由熱沖壓而進行層積之製程。
構成本發明之多層電路基板用複合體之接合樹脂層係藉由塊狀聚合反應而直接地得到，因此，幾乎不包含溶劑等之揮發性成分。結果，可以使得藉由多層電路基板用複合體之熱沖壓所造成之層積性呈良好，提高密合性。此外，構成本發明之多層電路基板用複合體之硬質樹脂層係藉由塊狀聚合反應和交聯反應而直接地得到。該硬質樹脂層係介電質損耗變低，顯示良好之高頻電絕緣性。
本發明之多層電路基板用複合體之製造方法係藉由塊狀聚合反應而直接地得到接合樹脂層和硬質樹脂層，因此，不需要除去溶劑之製程，具有良好之生產性。
可以藉由本發明之多層電路基板用複合體，而以高度之生產性及高度之良品率，來製造層間之密合性變高、在總括層積時之位置偏離變小且可靠性變高的多層電路基板。
本發明之多層電路基板用複合體係金屬箔之層、包含藉由塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層、以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之接合樹脂之接合樹脂層，依照該順序而進行層積所組成。
(金屬箔之層)
金屬箔之層係成為多層電路基板之內層配線或表面配線之部分。金屬箔係如果是具有導電性的話，則並無特別限制。在金屬箔，通常使用鐵、不銹鋼、銅、鋁、鎳、鉻、金、銀等之箔。由作業性等之觀點來看的話，金屬箔之厚度係通常1mm以下、最好是1～500μm、更加理想是2～100μm、甚至最好是3～50μm。這些金屬箔之表面係最好是平滑。此外，這些金屬箔之表面係可以進行粗化處理，也可以藉由矽烷偶合劑等而進行表面處理。
(硬質樹脂層)
硬質樹脂層係藉由對於成為其先驅物之聚合性組成物(在以下，稱為硬質樹脂層用聚合性組成物。)進行塊狀聚合反應及交聯反應而得到。硬質樹脂層係不溶解在浸漬於能夠溶解成為該硬質樹脂前之未交聯樹脂之溶劑時而能夠維持其形狀之層。此種溶劑係由於該未交聯樹脂之種類而不同，例如在未交聯樹脂為環烯烴化合物之聚合物之狀態下，最好是甲苯或環己烷。在未交聯樹脂為苯乙烯類之聚合物之狀態下，最好是甲苯或四氫化呋喃。在未交聯樹脂為丙烯酸酯化合物之聚合物之狀態下，最好是丙酮或乙酸乙酯。此外，在室溫浸漬硬質樹脂層於該溶劑5分鐘之時，有在通常20重量%以下、最好是10重量%以下之範圍而認為樹脂量減少之狀態發生。但是，即使是減少該程度之樹脂量，也能夠維持硬質樹脂層之形狀，因此，成為容許作為本發明之硬質樹脂層之範圍。此外，在本發明，將對於聚合性組成物進行塊狀聚合反應而不進行交聯反應之狀態之層，稱為交聯性樹脂層。
硬質樹脂層用聚合性組成物係如果是能夠具備聚合性和交聯性且可以形成為層狀的話，則並無特別限定。作為硬質樹脂層用聚合性組成物係可以列舉例如含有聚合性單體和聚合起始劑及交聯劑者。
構成硬質樹脂層用聚合性組成物之聚合性單體係如果是能夠進行塊狀聚合且可以形成構成硬質樹脂層之絕緣性聚合物之單體的話，則並無特別限定。列舉例如丙烯酸酯化合物、苯乙烯類、環烯烴化合物等。
在這些當中，具有良好之高頻電流之絕緣性，因此，環烯烴化合物(環烯烴單體)係適合作為聚合性單體。
環烯烴單體係具有藉由碳原子所形成之環構造，在該環中，具有碳-碳雙鍵，該碳-碳雙鍵藉由復分解反應而進行開環，可以生成聚合物的化合物。作為其例子係列舉原菠烷系單體及單環環烯烴，作為理想者係列舉原菠烷系單體。
原菠烷系單體係包含原菠烷環之單體。具體地列舉原菠烷類、二環戊二烯類、四環十二碳烯類等。這些係可以包含烷基、鏈烯基、烷叉基、芳基等之烴基、或者是羧基或酸酐基等之極性基，來作為取代基。此外，除了原菠烷環之雙鍵以外，還可以具有其他之雙鍵。即使是在這些當中，也最好是不包含極性基之原菠烷系單體、也就是僅藉由碳原子和氫原子所構成之原菠烷系單體。構成原菠烷系單體之環數係最好是3～6、更加理想是3或4、特別最好是4。
作為不包含極性基之原菠烷系單體係列舉2-原菠烷、5-環己基-2-原菠烷、5-乙叉-2-原菠烷、5-乙烯基-2-原菠烷、5-苯基-2-原菠烷、四環[9. 2. 1. 02,10 . 03,8 ]十四-3,5,7,12-四烯烴(也稱為1,4-甲烷-1,4,4a,9a-四氫化-9H-芴。)、四環[10. 2. 1. 02,11 . 04,9 ]十五-4,6,8,13-四烯烴(也稱為1,4-甲烷-1,4,4a,9,9a,10-六氫化蒽。)等之原菠烷類；5-環戊基-2-原菠烷、5-環己烯基-2-原菠烷、5-環戊烯基-2-原菠烷等之環數成為3之原菠烷類；二環戊二烯、甲基二環戊二烯、二氫化二環戊二烯(也稱為三環[5. 2. 1. 02,6 ]十-8-烯烴。)等之環數成為3之二環戊二烯類；四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-4-烯烴、9-乙叉四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-4-烯烴、9-乙烯基四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-4-烯烴、9-苯基四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-4-烯烴等之四環十二碳烯類；四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-9-烯烴-4-羧酸、四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-9-烯烴-4,5-二羧酸酐、5-原菠烷-2-羧酸甲酯、2-甲基-5-原菠烷-2-羧酸甲酯、5-原菠烷-2-醇、5-原菠烷-2-腈、7-噁-2-原菠烷等之包含極性基之原菠烷系單體等。
作為單環之環烯烴係列舉環丁烯、環戊烯、環辛烯、環十二碳烯、1,5-環辛二烯等之單環之環烯烴以及具有取代基之這些之衍生物。這些環烯烴單體係可以單獨1種或者是組合2種以上而使用。可以藉由併用2種以上之單體，改變其摻合比而自由地控制得到之聚合物及交聯物之玻璃轉移溫度或溶融溫度。單環之環烯烴類及這些之衍生物之量係相對於環烯烴單體之全量而最好是40質量%以下、更加理想是20質量%以下。在超過40質量%時，有聚合物及交聯物之耐熱性變得不充分之狀態發生。
在本發明之所謂丙烯酸酯化合物係表示丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸(或甲基丙烯酸)酯。丙烯酸(或甲基丙烯酸)酯係最好是烷基酯或鏈烯基酯。烷基酯或者是鏈烯基酯之烷基或鏈烯基之碳數係通常1～20、最好是4～18、更加理想是4～12、特別最好是4～8。
作為丙烯酸(或甲基丙烯酸)酯之具體例係列舉丙烯酸(或甲基丙烯酸)甲酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)乙酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)n-丁酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)2-乙基己酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)n-辛酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)異辛酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)n-癸酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)n-十二烷酯等之丙烯酸(或甲基丙烯酸)烷基酯；丙烯酸(或甲基丙烯酸)烯丙酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)丁烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)戊烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)己烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)庚烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)辛烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)壬烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)癸烯酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)十一碳烯酯等之丙烯酸(或甲基丙烯酸)鏈烯基酯；丙烯酸(或甲基丙烯酸)羥基乙酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)羥基丙酯等之丙烯酸(或甲基丙烯酸)羥烷基酯；丙烯酸(或甲基丙烯酸)N,N-二甲基胺基甲酯、丙烯酸(或甲基丙烯酸)N,N-二甲基胺基乙酯等之丙烯酸(或甲基丙烯酸)N,N-二甲基胺基烷基酯；丙烯酸(或甲基丙烯酸)環氧丙基等之含環氧基丙烯酸(或甲基丙烯酸)酯；聚乙二醇二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯等之二丙烯酸酯類；乙烯二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯等之二甲基丙烯酸酯類；三羥甲基丙烷三丙烯酸酯等之三丙烯酸酯類；三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯等之三甲基丙烯酸酯類等。
在本發明之所謂苯乙烯類係具有芳香族環和結合於該芳香族環之乙烯基或異丙烯基之化合物。作為其具體例係列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、o-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、m-甲基苯乙烯、乙烯基乙基苯、乙烯基二甲苯、p-t-丁基苯乙烯、α-甲基-p-甲基苯乙烯、乙烯基萘等，在這些當中，最好是苯乙烯。此外，作為苯乙烯類係也可以使用o-二乙烯基苯、p-二乙烯基苯及m-二乙烯基苯等之具有2以上之乙烯基之化合物。在使用此種化合物時，可以提高得到之聚合物之交聯反應性，因此，變得理想。
構成使用於本發明之硬質樹脂層用聚合性組成物之聚合起始劑係可以配合於使用之聚合性單體及聚合反應形態而適當地進行選擇。例如在前述之環烯烴單體，可以選擇釕香芹烯配位化合物，來作為適當之聚合起始劑。
釕香芹烯配位化合物係以釕原子作為中心而結合複數個之離子、原子、多原子離子及/或化合物所構成之配位化合物，具有在釕原子結合香芹烯碳之雙鍵之構造(Ru=C)。
釕香芹烯配位化合物係具有良好之聚合時之觸媒活性，因此，可以得到能夠後交聯之聚合物之生產性良好且起因於殘留未反應單體所造成之臭氣變少的聚合物。此外，釕香芹烯配位化合物係對於氧或空氣中之水分而比較穩定，不容易鈍化，因此，即使是在大氣下，也可以生產聚合物。
釕香芹烯配位化合物係例如藉由下列之化學式(1)或化學式(2)所表示。
【化學式1】
在化學式(1)或化學式(2)，R5 及R6 係分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、或者是可以包含鹵素原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或矽原子之碳數1～20之烴基。X1 及X2 係分別獨立地表示任意之陰離子性配位基。L1 及L2 係分別獨立地表示含異原子香芹烯化合物或中性電子給予性化合物。此外，R5 和R6 係可以相互地結合而形成環。此外，R5 、R6 、X1 、X2 、L1 及L2 係能夠以任意之組合而相互地結合，來形成多嚙螯合化配位體。
所謂異原子係表示週期表第15族及第16族之原子，可以具體地列舉N、O、P、S、As、Se原子等。即使是在這些當中，由得到穩定之香芹烯化合物之觀點來看的話，則也最好是N、O、P、S原子等，特別最好是N原子。
含異原子香芹烯化合物係最好是在香芹烯碳之兩側鄰接異原子而進行結合，並且，更加理想是構成包含香芹烯碳原子及其兩側之異原子之異環。此外，最好是在鄰接於香芹烯碳之異原子，具有高體積之取代基。
作為含異原子香芹烯化合物係列舉藉由下列之化學式(3)或化學式(4)所表示之化合物。由能夠更加抑制聚合性組成物之黏度上升之觀點來看的話，則最好是藉由化學式(4)所表示之化合物。
(在化學式中，R7 ～R10 係分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、或者是可以包含鹵素原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子或矽原子之碳數1～20個之烴基。此外，R7 ～R10 係能夠以任意之組合而相互地結合，來形成環。)
前述之藉由化學式(3)或化學式(4)所表示之化合物係列舉1,3-二均三甲苯基咪唑烷基-2-叉、1,3-二(1-金剛烷基)咪唑烷基-2-叉、1-環己基-3-均三甲苯基咪唑烷基-2-叉、1,3-二異丙基-4-咪唑啉-2-叉、1,3-二(1-苯乙基)-4-咪唑啉-2-叉、1,3-二均三甲苯基-2,3-二氫化苯并咪唑-2-叉等。
此外，除了前述之藉由化學式(3)或化學式(4)所表示之化合物以外，也可以使用1,3,4-三苯基-2,3,4,5-四氫化-1H-1,2,4-三唑-5-叉、1,3-二環己基六氫化密啶-2-叉、N,N,N’,N’-四異丙基甲脒叉、1,3,4-三苯基-4,5-二氫化-1H-1,2,4-三唑-5-叉、3-(2,6-二異丙基苯基)-2,3-二氫化噻唑-2-叉等之含異原子香芹烯化合物。
在前述之化學式(1)及化學式(2)，陰離子(anion)性配位基X1 、X2 係在由中心金屬原子來拉離時而具有負電荷之配位基，可以列舉例如F、Cl、Br、I等之鹵素原子、二酮基、取代環戊二烯基、烷氧基、芳氧基、羧基等。即使是在這些當中，也最好是鹵素原子、更加理想是氯原子。
此外，中性之電子給予性化合物係如果是在由中心金屬來拉離時而具有中性電荷之配位基的話，則可以是任何一種。作為其具體例係列舉羰基、胺類、吡啶類、醚類、腈類、酯類、膦類、硫醚類、芳香族化合物、烯烴類、異氰化物類、硫氰酸酯類等。即使是在這些當中，也最好是膦類、醚類及吡啶類，更加理想是膦類。
作為適當地使用成為釕香芹烯配位化合物之化合物係列舉苄叉(1,3-二均三甲苯基咪唑烷基-2-叉)(三環己基膦)釕二氯化物、苄叉(1,3-二均三甲苯基-4,5-二溴基-4-咪唑啉-2-叉)(三環己基膦)釕二氯化物、(1,3-二均三甲苯基-4-咪唑啉-2-叉)(3-苯基-1H-叉-1-叉)(三環己基膦)釕二氯化物、(3-丁烯叉-2-吡啶)(1,3-二均三甲苯基-4-咪唑啉-2-叉)(三環己基膦)釕二氯化物、苄叉(1,3-二均三甲苯基咪唑烷基-2-叉)吡啶釕二氯化物、(1,3-二均三甲苯基咪唑烷基-2-叉)(2-苯基乙叉)(三環己基膦)釕二氯化物、(1,3-二均三甲苯基-4-咪唑啉-2-叉)(2-苯基乙叉)(三環己基膦)釕二氯化物、(1,3-二均三甲苯基-4,5-二溴基-4-咪唑啉-2-叉)[(苯硫基)亞甲基](三環己基膦)釕二氯化物、(1,3-二均三甲苯基-4,5-二溴基-4-咪唑啉-2-叉)(2-吡咯烷酮-1-醯亞甲基)(三環己基膦)釕二氯化物等。
這些釕香芹烯配位化合物係可以藉由記載於Org. Lett.,1999年，第1卷，953頁，Tetrahedron. Lett.,1999年，第40卷，2247頁等之方法而進行製造。
釕香芹烯配位化合物之量係以(釕金屬原子：環烯烴單體)之莫爾數比而通常成為1：2,000～1：2,000,000、最好是1：5,000～1：1,000,000、更加理想是1：10,000～1：500,000之範圍。
可以控制釕香芹烯配位化合物之聚合活性，以提高聚合反應率之目的，來併用活化劑(共觸媒)。作為活化劑係可以例舉鋁、鈧和錫之烷基化物、鹵化物、烷氧基化物以及芳氧基化物等。
活化劑之量係以(釕金屬原子：活化劑)之莫爾數比而通常成為1：0.05～1：100、最好是1：0.2～1：20、更加理想是1：0.5～1：10之範圍。
為了使得釕香芹烯配位化合物呈均勻地分散於組成物中，因此，可以使用釕香芹烯配位化合物而溶解或懸濁於溶媒。
作為釕香芹烯配位化合物用之所使用之溶媒係列舉n-戊烷、n-己烷、n-庚烷、流動狀石蠟、礦油精等之鏈狀脂肪族烴；環戊烷、環己烷、十氫化萘、六氫化茚、環辛烷等之脂環式烴；苯、甲苯、二甲苯等之芳香族烴；茚、四磷等之具有脂環和芳香環之烴化合物；硝基甲烷、硝基苯、乙醯腈等之含氮烴；二乙基醚、四氫化呋喃等之含氧烴等。溶媒量係相對於聚合性單體100質量份而成為0.01～10質量份、最好是0.1～5質量份、特別最好是0.5～3質量份。可以在溶媒，包含液體狀之老化防止劑、液體狀之可塑劑、液體狀之彈性體。
在聚合性單體成為丙烯酸酯化合物之狀態下，作為聚合觸媒係列舉自由基產生劑、陽離子聚合起始劑、陰離子聚合起始劑等，最好是自由基產生劑。
在聚合性單體成為苯乙烯類之狀態下，作為聚合觸媒係列舉自由基產生劑、陽離子聚合起始劑、陰離子聚合起始劑、芳環烯金屬衍生物觸媒、苯氧基亞胺觸媒等，最好是自由基產生劑、芳環烯金屬衍生物觸媒及苯氧基亞胺觸媒，特別最好是自由基產生劑。
作為成為丙烯酸酯化合物及苯乙烯類之聚合觸媒之自由基產生劑係可以使用習知者。例如有過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等之過硫酸鹽；過氧化氫；月桂醯過氧化物、苯醯過氧化物、二-2-乙基己基過氧化二碳酸酯、t-丁基氫化過氧化物、t-丁基過氧化特戊酸酯、環己酮過氧化物、枯烯氫化過氧化物等之有機過氧化物；這些係可以單獨或者是混合，或者是還使用作為例如併用於酸性亞硫酸鈉、硫代硫酸鈉、抗壞血酸等之還原劑之氧化還原系。此外，也可以使用2,2’-偶氮二氮丁腈、2,2’-偶氮二(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮二(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、二甲基2,2’-偶氮二異丁酸酯、4,4’-偶氮二(4-氰基戊醯酸)等之偶氮基化合物；2,2’-偶氮二(2-胺基丙烷)二氫化氯化物、2,2’-偶氮二(N,N’-二亞甲基異丁基脒)、2,2’-偶氮二(N,N’-二亞甲基異丁基脒)二氫化氯化物等之脒化合物等。即使是在這些當中，也最好是1分鐘半衰期溫度成為150℃以下、更加理想是130℃以下。此外，在本發明，所謂1分鐘半衰期溫度係表示分解自由基產生劑而在1分鐘成為一半量之溫度。
最好是在硬質樹脂層用聚合性組成物，還含有塊狀聚合反應之鏈轉移劑。可以藉由含有鏈轉移劑而抑制在室溫以下之聚合反應之進行。此外，可以藉由含有鏈轉移劑而抑制同時進行聚合反應和交聯反應，因此，能夠藉由適當地選擇鏈轉移劑之種類或量而調節交聯樹脂層和接合樹脂層之製造條件。
鏈轉移劑係可以配合於使用之聚合性單體而適當地選擇。在使用環烯烴單體之狀態下，通常可以使用具有乙烯基之化合物。
作為鏈轉移劑係除了乙烯基以外，也最好是後面敘述之具備有助於交聯之基。此種所謂有助於交聯之基係具體地具有碳-碳雙鍵之基，列舉乙烯基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基等。這些之基係最好是位處於分子鏈之末端。特別最好是藉由化學式(C)：CH2 =CH-Q-Y所表示之化合物。在化學式中，Q係表示二價之烴基，Y係表示乙烯基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基。作為藉由Q所表示之二價之烴基係列舉碳數1～20之亞烷基、碳數6～20之丙炔基、以及結合這些所組成之基等。即使是在其中，也最好是亞苯基和碳數4～12之亞烷基。可以藉由使用該構造之鏈轉移劑而得到強度更加高之多層電路基板用複合體。
作為在使用環烯烴單體來作為聚合性單體之狀態下之鏈轉移劑之理想之具體例係列舉甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸3-丁烯-1-醯、甲基丙烯酸己烯酯、甲基丙烯酸十一碳烯酯、甲基丙烯酸癸烯酯等之Y成為甲基丙烯醯基之化合物；甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸3-丁烯-1-醯等之Y成為丙烯醯基之化合物；二乙烯基苯等之Y成為乙烯基之化合物等。即使是在其中，也特別最好是甲基丙烯酸十一碳烯酯、甲基丙烯酸己烯酯及二乙烯基苯。
除了前面之敘述以外，作為能夠使用成為鏈轉移劑之化合物係列舉1-己烯、2-己烯等之脂肪族烯烴類；苯乙烯等之具有芳香族基之烯烴類；乙烯基環己烷等之具有脂環式烴之烯烴類；乙基乙烯醚等之乙烯醚類；甲基乙烯酮、1,5-己二烯-3-酮、2-甲基-1,5-己二烯-3-酮等之乙烯酮類；丙烯酸苯乙烯酯、乙二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯；烯丙基三乙烯基矽烷、烯丙基甲基二乙烯基矽烷、烯丙基二甲基乙烯基矽烷等之矽烷類；丙烯酸環氧丙酯、烯丙基環氧丙基醚；烯丙基胺、2-(二乙基胺基)乙醇乙烯基醚、2-(二乙基胺基)乙基丙烯酸酯、4-乙烯基苯胺等。
在使用丙烯酸酯化合物或苯乙烯類來作為聚合性單體之狀態下，作為鏈轉移劑係可以使用月桂基硫醇、辛基硫醇、2-巰基乙醇、巰基乙酸辛酯、3-二乙基甲酮巰基酸及α-甲基苯乙烯二聚物等。
鏈轉移劑之量係相對於前述之聚合性單體之全量而通常成為0.01～10質量%、最好是0.1～5質量%。在鏈轉移劑之量成為該範圍之時，可以效率良好地得到聚合反應率變高且能夠進行後交聯的熱塑性樹脂。
硬質樹脂層用聚合性組成物係通常為了在塊狀聚合反應後，進行交聯反應，因此，含有交聯劑。
作為交聯劑係列舉例如自由基產生劑、環氧化合物、含異氰酸酯基化合物、含羧基化合物、含酸酐基化合物、含胺基化合物、路易斯酸等。這些係可以單獨1種或者是組合2種以上而使用。即使是在這些當中，也最好是使用自由基產生劑、環氧化合物、含異氰酸酯基化合物、含羧基化合物、含酸酐基化合物，更加理想是使用自由基產生劑、環氧化合物、含異氰酸酯基化合物，特別最好是使用自由基產生劑。
作為自由基產生劑係列舉有機過氧化物、二偶氮基化合物、非極性自由基產生劑等。
作為有機過氧化物係列舉例如t-丁基氫化過氧化物、p-萜烷氫化過氧化物、枯烯氫化過氧化物等之氫化過氧化物類；二枯基過氧化物、t-丁基枯基過氧化物、α,α’-雙(t-丁基過氧化-m-異丙基)苯、二-t-丁基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基過氧化)-3-己炔、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基過氧化)己烷等之二烷基過氧化物類；二丙醯基過氧化物、苯醯過氧化物等之二醯基過氧化物類；2,2-二(t-丁基過氧化)丁烷、1,1-二(t-己基過氧化)環己烷、1,1-二(t-丁基過氧化)-2-甲基環己烷、1,1-二(t-丁基過氧化)環己烷等之過氧化酮縮醇類；t-丁基過氧化乙酸酯、t-丁基過氧化苯甲酸酯等之過氧化酯類；t-丁基過氧化異丙基碳酸酯、二(異丙基過氧化)二碳酸酯等之過氧化碳酸酯；t-丁基三甲基甲矽烷基過氧化物等之烷基甲矽烷基過氧化物類等。即使是在其中，也因為對於復分解聚合反應之阻礙變少之方面，所以，最好是二烷基過氧化物類及過氧化酮縮醇類。
作為二偶氮基化合物係列舉例如4,4’-雙疊氮基苄叉(4-甲基)環己酮、4,4’-二疊氮基芳基丙烯醯芳烴、2,6-雙(4’-疊氮基苄叉)環己酮、2,6-雙(4’-疊氮基苄叉)-4-甲基環己酮、4,4’-二疊氮基二苯基碸、4,4’-二疊氮基二苯基甲烷、2,2’-二疊氮基芪等。
作為使用於本發明之非極性自由基產生劑係列舉2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷、2,3-二苯基丁烷、1,4-二苯基丁烷、3,4-二甲基-3,4-二苯基己烷、1,1,2,2-四苯基乙烷、2,2,3,3-四苯基丁烷、3,3,4,4-四苯基己烷、1,1,2-三苯基丙烷、1,1,2-三苯基乙烷、三苯基甲烷、1,1,1-三苯基乙烷、1,1,1-三苯基丙烷、1,1,1-三苯基丁烷、1,1,1-三苯基戊烷、1,1,1-三苯基-2-丙烷、1,1,1-三苯基-4-戊烯、1,1,1-三苯基-2-苯基乙烷等。
這些自由基產生劑係可以單獨1種或者是組合2種以上而使用。可以藉由併用2種以上之自由基產生劑，改變其練合比，而自由地控制得到之交聯性聚合物及交聯物之玻璃轉移溫度或溶融狀態。使用於硬質樹脂層之交聯劑係最好是1分鐘半衰期溫度成為180℃以下、更加理想是170℃以下。
在這些自由基產生劑，也包含作用成為前述之聚合觸媒。在使用丙烯酸酯化合物或苯乙烯類來作為聚合性單體之狀態下，最好是使用不同之1分鐘半衰期溫度之2種以上之自由基產生劑，在呈選擇性地僅分解一部分之自由基產生劑之溫度，進行塊狀聚合，在高於這個之溫度，分解殘留之自由基產生劑，進行交聯。此外，在僅使用一種自由基產生劑之狀態下，也可以藉由在途中，停止聚合反應，而在得到之交聯性樹脂中，殘留自由基產生劑之一部分，使用這個來作為交聯劑。
交聯劑之量係相對於聚合性單體100質量份而通常成為0.1～10質量份、最好是0.5～5質量份。在交聯劑之量過度少之時，交聯變得不充分，恐怕無法得到高交聯密度之交聯物。在交聯劑之量過度多之狀態下，交聯效果呈飽和，另一方面，恐怕無法得到具有要求物性之聚合物及交聯物。
此外，在本發明，在使用自由基產生劑來作為交聯劑之狀態下，為了促進其交聯反應，因此，可以使用交聯助劑。作為交聯助劑係列舉p-醌二肟等之二肟化合物；月桂基甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯等之甲基丙烯酸酯化合物；二烯丙基富馬酸酯等之富馬酸化合物；二烯丙基鄰苯二甲酸酯等之苯二甲酸化合物、三烯丙基氰尿酸酯等之氰尿酸化合物；馬來酸酐縮亞胺等之醯亞胺化合物等。交聯助劑之量係並無特別限制，但是，相對於聚合性單體100質量份而通常成為0～100質量份、最好是0～50質量份。
可以在前述之硬質樹脂層用聚合性組成物，含有各種之添加劑、例如聚合反應延遲劑、自由基交聯延遲劑、改質劑、氧化防止劑、難燃劑、填充劑、著色劑、光穩定劑等。這些係可以預先地溶解或分散於後面敘述之單體液或者是觸媒液而使用。
作為聚合反應延遲劑係列舉三苯基膦、三丁基膦、三甲基膦、三乙基膦、二環己基膦、乙烯基二苯基膦、烯丙基二苯基膦、三烯丙基膦、苯乙烯基二苯基膦等之膦化合物；苯胺、吡啶等之路易斯鹼。
此外，在可共聚於原菠烷系單體之環狀烯烴系單體中，在分子內具有1,5-二烯烴構造或1,3,5-三烯烴構造之環狀烯烴係也發揮作為聚合反應延遲劑之功能。作為此種化合物係列舉1,5-環辛二烯烴、5-乙烯基-2-原菠烷等。
即使是在這些聚合反應延遲劑中，也使得抑制在室溫以下之聚合反應之進行之效果變大，因此，最好是膦化合物、更加理想是三苯基膦、三乙基膦、二環己基膦以及乙烯基二苯基膦。
作為自由基交聯延遲劑係列舉烷氧基苯酚類、兒茶酚類、苯醌類，最好是3,5-二-t-丁基-4-羥基茴香醚等之烷氧基苯酚類。
作為改質劑係列舉天然橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、乙烯-丙烯-二烯烴三元共聚物(EPDM)、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)、以及這些之氫化物等之彈性體等。
作為氧化防止劑係列舉受阻(hindered)苯酚系、磷系、胺系等之各種塑膠‧橡膠用氧化防止劑等。這些氧化防止劑係可以單獨使用，但是，最好是組合2種以上而使用。
作為難燃劑係列舉磷系難燃劑、氮系難燃劑、鹵素系難燃劑、氫氧化鋁等之金屬氫氧化物系難燃劑、三氧化銻等之銻化合物等。難燃劑係可以單獨使用，但是，最好是組合2種以上而使用。
作為填充劑係列舉玻璃粉末、陶瓷粉末、二氧化矽等。此外，也可以使用短絲束、柔軟纖維等之短纖維狀之填充材。作為此種纖維之種類係列舉玻璃纖維、碳纖維、金屬纖維等之無機纖維；聚醯胺纖維、耐綸纖維等之有機纖維。這些填充劑係可以併用2種以上。作為填充劑係也可以使用藉由矽烷偶合劑等而進行表面處理者。填充劑之量係相對於聚合性單體100質量份而通常成為0～600質量份、最好是50～500質量份、更加理想是50～300質量份。
作為著色劑係使用染料、顏料等。染料之種類係多樣化，可以適當地選擇習知者而使用。
硬質樹脂層用聚合性組成物係最好是藉由(I)聚合起始劑溶解或分解於溶媒而得到觸媒液，另一方面，不同於這個而在聚合性單體，配合於需要，來練合填充劑、難燃劑等之添加劑，調製單體液，以及(Ⅱ)在該單體液，添加觸媒液，進行攪拌及混合，而進行調製。
觸媒液和單體液之混合係最好是進行於進行聚合之即刻前。此外，配合於需要而添加之鏈轉移劑、交聯劑等係可以在混合單體液和觸媒液之前，添加於單體液及/或觸媒液，並且，也可以添加在混合單體液和觸媒液之後。觸媒液和單體液之混合係最好是進行於0～25℃。在混合時之溫度過度低之時，單體液之黏度變高，不容易均勻地混合觸媒液。在混合時之溫度過度高之時，恐怕會急劇地進行聚合反應。
硬質樹脂層係可以藉由前述之硬質樹脂層用聚合性組成物，塗佈於前述之金屬箔，得到該組成物之塗膜，在該塗膜，加入熱量，對於硬質樹脂層用聚合性組成物，進行塊狀聚合反應及交聯反應而得到。或者是可以藉由硬質樹脂層用聚合性組成物，含浸於不織布等之纖維材，將該含浸物，重疊於金屬箔，進行加熱，對於硬質樹脂層用聚合性組成物，進行塊狀聚合反應及交聯反應而得到。
前述之硬質樹脂層用聚合性組成物塗佈於金屬箔之方法係並無特別限制，列舉噴灑塗佈法、浸漬塗佈法、壓輥塗佈法、簾幕塗佈法、模塗佈法、縫隙塗佈法等之習知之塗佈方法。
可以含浸硬質樹脂層用聚合性組成物之纖維材係可以由有機及/或無機之纖維中而任意地選擇。列舉例如由玻璃纖維、碳纖維、聚醯胺纖維、聚乙烯對苯二甲酸酯纖維、維尼綸纖維、聚酯纖維、醯胺纖維、金屬纖維、陶瓷纖維等之所組成之纖維材。這些係可以單獨1種或者是組合2種以上而使用。作為纖維材之形狀係列舉蓆墊、編織物，不織布等。此外，這些纖維材係最好是其表面藉由矽烷偶合劑等而進行表面處理。
硬質樹脂層用聚合性組成物對於纖維材之含浸係可以例如藉由以噴灑塗佈法、浸漬塗佈法、壓輥塗佈法、簾幕塗佈法、模塗佈法、縫隙塗佈法等之習知方法，而將硬質樹脂層用聚合性組成物之既定量，塗佈於纖維材，配合於需要而在其上面重疊保護用薄膜，由上側開始，以滾筒等，來進行擠壓，而進行含浸。
硬質樹脂層用聚合性組成物係在室溫以下之聚合反應之進行變得緩慢，抑制黏度之上升，因此，能夠均勻地含浸於纖維材。可以在硬質樹脂層用聚合性組成物含浸於纖維材之後，藉由加熱含浸物至既定溫度，而對於硬質樹脂層用聚合性組成物，進行塊狀聚合，藉此而得到聚合物含浸於纖維材之黏合片。
用以聚合硬質樹脂層用聚合性組成物之加熱溫度係最好是80℃以上、更加理想是100～200℃。聚合時間係可以適當地進行選擇，但是，通常是10秒鐘至20分鐘、最好是5分鐘以內。為了僅完全地進行塊狀聚合反應，不進行交聯反應，因此，最好是在塊狀聚合反應時之波峰溫度，成為前述之自由基產生劑之1分鐘半衰期溫度以下。作為該波峰溫度係最好是控制成為通常230℃以下、最好是未滿200℃。聚合反應之聚合性組成物之溫度係可以使用例如非接觸式溫度計而進行測定。
加熱硬質樹脂層用聚合性組成物而成為既定溫度之方法係並無特別限制，列舉：載置於加熱板上而進行加熱之方法、使用沖壓機而進行加壓同時進行加熱(熱沖壓)之方法、藉由加熱之滾筒而進行擠壓之方法、以及使用加熱爐之方法等。藉由熱沖壓或滾筒而得到之塊狀聚合物之層係厚度通常成為1mm以下、最好是0.5mm以下、更加理想是0.2mm以下。
交聯反應係可以藉由對於塊狀聚合物，進行加熱熔融等，維持在聚合物發生交聯反應之溫度以上，而進行交聯反應。在交聯聚合物時之溫度係最好是高於前述塊狀聚合時之波峰溫度20℃以上。在交聯聚合物時之溫度係通常170～250℃、最好是180～220℃之範圍。此外，交聯之時間係並無特別限制，但是，通常由數分鐘至數小時。交聯反應係最好是藉由熱沖壓法而進行。在熱沖壓時之壓力係通常0.5～20MPa、最好是3～10MPa。熱沖壓係可以進行於真空或減壓氣氛下。熱沖壓係可以使用具有平板成形用之沖壓模框之習知之沖壓機、板片模鑄混合(SMC)或體積模鑄混合(BMC)等之沖壓成形機而進行熱沖壓。
硬質樹脂層係對於前述之硬質樹脂層用聚合性組成物，幾乎完全地進行塊狀聚合反應，並且，進行交聯反應，因此，殘留單體係幾乎不殘留，並無由於臭氣等而惡化作業環境。並且，在交聯反應時，塊狀聚合物係適度地流動而埋入至金屬箔之微細凹凸，硬質樹脂層和金屬箔之密合性變得良好。
硬質樹脂層之厚度係相對於合併後面敘述之接合樹脂層和硬質樹脂層之厚度而通常成為10%以上、最好是25%以上、更加理想是50%以上、甚至最好是70%以上。此外，上限係通常99.9%、最好是99%。
(接合樹脂層)
接合樹脂層係藉由對於成為其先驅物之聚合性組成物(在以下，稱為接合樹脂層用聚合性組成物。)進行塊狀聚合反應而得到。該接合樹脂層係構成這個之樹脂並無實質地進行交聯，浸漬於能夠溶解接合樹脂之溶劑而溶解於30秒鐘以內。此外，該接合樹脂層係最好即使是浸漬於氯化鐵水溶液等之蝕刻液或除膠渣液也不惡化。
構成接合樹脂層之接合樹脂之重量平均分子量係通常5,000～80,000、最好是10,000～50,000、更加理想是15,000～30,000。
接合樹脂層用聚合性組成物係如果是具有聚合性的話，則並無特別限制。例如含有聚合性單體和聚合起始劑。該接合樹脂層用聚合性組成物係可以相同於前述之硬質樹脂層用聚合性組成物，並且，也可以是在前述之硬質樹脂層用聚合性組成物不含有交聯劑而得到之組成物。為了使用相同於前述之硬質樹脂層用聚合性組成物之相同者而形成接合樹脂層，因此，最好是在不引起交聯反應之溫度，進行塊狀聚合。
使用於接合樹脂層之交聯劑係最好是1分鐘半衰期溫度成為180℃以上、更加理想是190℃以上。
接合樹脂層係最好是可溶解於苯、甲苯等之芳香族烴、二乙基醚、四氫化呋喃等之醚類、二氯甲烷、三氯甲烷等之鹵化烴等之溶媒。此外，最好是顯示熱塑性而能夠對應於電路基板之凹凸，進行變形。
接合樹脂層之厚度係最好是配合於電路基板之導體電路之厚度而適當地進行選擇並且對於導體電路而埋入接合樹脂層之儘可能地變薄。在接合樹脂層變得過度厚之時，恐怕在形成導通孔之時，接合樹脂層發生變形。接合樹脂層之厚度係通常0.1～100μm、最好是1～50μm、更加理想是2～30μm。
接合樹脂層係可以藉由接合樹脂層用聚合性組成物，塗佈於前述之硬質樹脂層(或者是成為硬質樹脂之先驅物之交聯性樹脂層)之上，得到該組成物之塗膜，在該塗膜加入熱量，對於接合樹脂層用聚合性組成物，進行塊狀聚合反應，或者是藉由接合樹脂層用聚合性組成物，含浸於不織布等之纖維材，將該含浸物，重疊於前述之硬質樹脂層(或者是成為硬質樹脂之先驅物之交聯性樹脂層)之上，進行加熱，對於接合樹脂層用聚合性組成物，進行塊狀聚合反應，而得到接合樹脂層。
此外，接合樹脂層係可以在使用兼具硬質樹脂層用聚合性組成物和接合樹脂層用聚合性組成物兩者之單一之聚合性組成物而得到硬質樹脂層或交聯性樹脂層之際，同時得到接合樹脂層。
(多層電路基板用複合體之製造方法)
(1)本發明之多層電路基板用複合體之製造方法之理想形態係藉由金屬箔之層、以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之樹脂和交聯劑之交聯性樹脂層，進行一體化，來形成中間複合體(A)，在前述之中間複合體(A)，由金屬箔之層側開始，加入熱量，僅對於接近交聯性樹脂層之金屬箔之側，進行交聯反應，而使得前述之交聯性樹脂層，由硬質樹脂層和接合樹脂層所構成。
也就是說，在該製造方法，藉由首先將構成硬質樹脂層和接合樹脂層所組成之交聯性樹脂層予以形成，僅對於接近交聯性樹脂層之金屬箔之側，進行交聯反應，而同時形成硬質樹脂層和接合樹脂層。
作為該製造方法之具體程序係例如(i)在金屬箔，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑之交聯性聚合性組成物，形成交聯性聚合性組成物之塗膜。接著，在得到之塗膜，加入熱量，對於交聯性聚合性組成物之塗膜整體，進行塊狀聚合。接著，可以藉由在塊狀聚合之塗膜(交聯性樹脂層)，由金屬箔側開始，加入熱量，在塗膜之厚度方向，僅對於接近金屬箔之側，進行交聯反應，而同時得到硬質樹脂層和接合樹脂層。此外，在(i)之製造方法，可以在塊狀聚合之塗膜，在由金屬箔側開始加入熱量之際，配合於需要而冷卻遠離於金屬箔之側之面。在此，在(i)之製造方法，交聯性聚合性組成物係兼具硬質樹脂層用聚合性組成物和接合樹脂層用聚合性組成物兩者。
或者是作為該製造方法之具體程序係例如(ii)將包含可塊狀聚合之單體和交聯劑之交聯性聚合性組成物，含浸於不織布等之纖維材，將該含浸物重疊於金屬箔。接著，加熱由含浸物和金屬箔所組成之層積體，對於交聯性聚合性組成物，進行塊狀聚合反應而得到附有金屬箔之黏合片。接著，可以藉由在黏合片(交聯性樹脂層)，由金屬箔側開始，加入熱量，在黏合片之厚度方向，僅對於接近金屬箔之側，進行交聯反應，而同時得到硬質樹脂層和接合樹脂層。此外，在(ii)之製造方法，可以在黏合片，在由金屬箔側開始加入熱量之際，配合於需要而冷卻遠離於金屬箔之側之面。在此，在(ii)之製造方法，交聯性聚合性組成物係兼具硬質樹脂層用聚合性組成物和接合樹脂層用聚合性組成物兩者。
在(i)或(ii)之方法，在由金屬箔之層側開始加入熱量之際之企圖進行交聯反應之部分(接近於金屬箔之側)之加熱溫度係通常210℃以上、最好是220℃以上、更加理想是230℃以上、甚至最好是240℃以上、最佳理想是250℃以上。在由金屬箔之層側開始加入熱量之際之不希望進行交聯之部分(遠離於金屬箔之側)之溫度係通常是交聯性聚合性組成物中之交聯劑之1分鐘半衰期溫度以下，最好是100℃以下、更加理想是60℃以下、甚至最好是40℃以下、甚至尤其最好是室溫以下、最佳理想是10℃以下。
在交聯性樹脂層中之進行交聯之範圍係在交聯性樹脂層之厚度方向，通常即使是些微，也可以進行交聯，最好是25%以上、更加理想是50%以上、甚至最好是70%以上。
藉由(i)或(ii)之方法所得到之本發明之複合體係可以在層積於電路基板而進行接合之時，藉由加熱接合樹脂層側至開始進行交聯反應之溫度，而交聯接合樹脂層，得到密合性良好之多層電路基板。
(2)本發明之多層電路基板用複合體之製造方法之其他之某一理想形態係藉由金屬箔之層、及包含藉由塊狀聚合反應所得到之樹脂和交聯劑(α)之交聯性樹脂層、以及接合樹脂層，按照該順序地進行配置，進行一體化，來形成中間複合體(B)，加熱前述之中間複合體(B)，交聯構成前述交聯性樹脂層之前述樹脂之至少一部分而使得前述之交聯性樹脂層成為硬質樹脂層之製程。
作為該製造方法之具體程序係例如(iii)在金屬箔之上，成為硬質樹脂層之先驅物且含有可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)以及成為接合樹脂層之先驅物且包含可塊狀聚合之單體而不含有交聯劑之聚合性組成物(b)，按照該順序地進行塗佈而形成多層塗膜。接著，藉由加熱該多層塗膜，對於交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合反應，使得這些組成物(a)、(b)，分別成為交聯性樹脂層和接合樹脂層，而得到中間複合體(B)。接著，可以藉由加熱該中間複合體(B)，對於交聯性樹脂層，進行交聯，而使得交聯性樹脂層，成為硬質樹脂層。此外，在(iii)之製造方法，在加熱由交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)所組成之多層塗膜之際，就交聯性聚合性組成物(a)而言，可以加入至塊狀聚合反應而進行交聯反應，就聚合性組成物(b)而言，可以藉由進行塊狀聚合反應而同時得到硬質樹脂層和接合樹脂層。但是，在該狀態下，不經過中間複合體(B)而製造多層電路基板用複合體。此外，在(iii)之製造方法，交聯性聚合性組成物(a)係相當於硬質樹脂層用聚合性組成物，聚合性組成物(b)係相當於接合樹脂層用聚合性組成物。
或者是作為該製造方法之具體程序係例如(iv)藉著由不織布等之纖維材之單面開始，含浸成為硬質樹脂層之先驅物且含有可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，由另外一邊之單面開始，含浸成為接合樹脂層之先驅物且包含可塊狀聚合之單體而不含有交聯劑之聚合性組成物(b)，將該含浸物重疊於金屬箔，來得到層積體。接著，藉由加熱該層積體，對於交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合反應，使得這些組成物(a)、(b)，分別成為交聯性樹脂層和接合樹脂層，而得到中間複合體(B)。接著，可以藉由加熱該中間複合體(B)，對於交聯性樹脂層，進行交聯，而使得交聯性樹脂層，成為硬質樹脂層。此外，在(iv)之製造方法，在加熱由交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)所組成之多層塗膜之際，就交聯性聚合性組成物(a)而言，可以加入至塊狀聚合反應而進行交聯反應，就聚合性組成物(b)而言，可以藉由進行塊狀聚合反應而同時得到硬質樹脂層和接合樹脂層。但是，在該狀態下，不經過中間複合體(B)而製造多層電路基板用複合體。此外，在(iv)之製造方法，交聯性聚合性組成物(a)係相當於硬質樹脂層用聚合性組成物，聚合性組成物(b)係相當於接合樹脂層用聚合性組成物。
在前述(iii)或(iv)之方法，交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)係進行塊狀聚合，因此，在聚合性組成物(b)塗佈於金屬箔上或者是含浸於纖維材之後，不需要除去溶劑之製程，所以，生產性良好。此外，聚合性組成物(b)係不包含溶劑，因此，在聚合性組成物(b)塗佈於交聯性聚合性組成物(a)之上或者是含浸於纖維材之際，能夠抑制交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)之相互混合而效率良好地得到本發明之複合體。
(3)此外，作為本發明之多層電路基板用複合體之製造方法之其他之某一理想形態係最好是在(iii)或(iv)之方法，於構成接合樹脂層之聚合性組成物(b)，還含有1分鐘半衰期溫度高於交聯劑(α)之交聯劑(β)。作為在聚合性組成物(b)含有交聯劑(β)之狀態下之多層電路基板用複合體之具體程序係例如可以正如以下。也就是說，(v)在金屬箔上，將成為硬質樹脂層之先驅物且含有可塊狀聚合之單體和在低溫開始進行交聯之交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)、以及成為接合樹脂層之先驅物且包含可塊狀聚合之單體而含有在高溫開始進行交聯之交聯劑(β)之交聯性之聚合性組成物(b)，依照該順序地進行塗佈而形成多層塗膜。接著，可以藉由加熱該多層塗膜至交聯劑(α)開始作用之溫度，對於交聯性聚合性組成物(a)，進行塊狀聚合反應及交聯反應，對於交聯性之聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合反應，而使得交聯性樹脂層，成為硬質樹脂層。在此，在(v)之製造方法，交聯性聚合性組成物(a)係相當於硬質樹脂層用聚合性組成物，交聯性之聚合性組成物(b)係相當於接合樹脂層用聚合性組成物。
或者是作為在聚合性組成物(b)含有交聯劑(β)之狀態下之多層電路基板用複合體之製造之具體程序係例如(vi)藉著由不織布等之纖維材之單面開始，含浸成為硬質樹脂層之先驅物且含有可塊狀聚合之單體和在低溫開始進行交聯之交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，由另外一邊之單面開始，含浸成為接合樹脂層之先驅物且包含可塊狀聚合之單體而含有在高溫開始進行交聯之交聯劑(β)之交聯性之聚合性組成物(b)，將該含浸物重疊於金屬箔，來得到層積體。接著，可以藉由加熱該層積體至交聯劑(α)開始作用之溫度，對於交聯性聚合性組成物(a)，進行塊狀聚合反應及交聯反應，對於交聯性之聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合反應，而使得交聯性樹脂層，成為硬質樹脂層。在此，在(vi)之製造方法，交聯性聚合性組成物(a)係相當於硬質樹脂層用聚合性組成物，交聯性之聚合性組成物(b)係相當於接合樹脂層用聚合性組成物。
在(v)或(vi)之方法，也就是說，如果是藉由在聚合性組成物(b)含有交聯劑(β)之狀態的話，則在本發明之多層電路基板用複合體層積及接合於電路基板之際，可以藉由加熱至交聯劑(β)開始作用之溫度而交聯接合樹脂層，得到密合性良好之多層電路基板。
(4)本發明之多層電路基板用複合體之製造方法之其他之某一理想形態係包含：在金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，接著，進行塊狀聚合而形成交聯性樹脂層之第1製程；交聯前述交聯性樹脂層之至少一部分而形成硬質樹脂層之第2製程；以及在前述之硬質樹脂層上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)，接著，進行塊狀聚合，形成接合樹脂層之第3製程。聚合性組成物(b)係最好是還含有1分鐘半衰期溫度高於交聯劑(α)之交聯劑(β)。在此，在該製造方法，交聯性聚合性組成物(a)係相當於硬質樹脂層用聚合性組成物，聚合性組成物(b)係相當於接合樹脂層用聚合性組成物。
在該製造方法，能夠以形成交聯性樹脂層之第1製程、形成硬質樹脂層之第2製程以及形成接合樹脂層之第3製程之順序而進行，並且，也能夠以形成交聯性樹脂層之第1製程、形成接合樹脂層之第3製程以及形成硬質樹脂層之第2製程之順序而進行。在該製造方法，聚合性組成物(b)係進行塊狀聚合而不包含溶劑，因此，在交聯性樹脂層或硬質樹脂層上來塗佈聚合性組成物(b)之際，可以抑制交聯性樹脂層或硬質樹脂層溶解於聚合性組成物(b)，能夠效率良好地得到本發明之複合體。
此外，在本發明之多層電路基板用複合體之製造方法而進行之加熱、塗佈、含浸等之操作係可以藉由相同於硬質樹脂層之說明之所例舉之方法之同樣方法而進行。
在本發明之複合體，在接合樹脂層和硬質樹脂層之間，不需要明確之境界，例如可以由硬質樹脂層開始逐漸地變化成為接合樹脂層。藉由前述之(i)或(ii)之方法所得到之複合體係在交聯時之溫度分布於厚度方向，因此，由接近於金屬箔之側開始朝向遠離於金屬箔之側而使得交聯反應之程度呈不同。在該狀態下，金屬箔之附近係高度地進行交聯之硬質樹脂層，遠離於金屬箔之側係並無進行交聯之接合樹脂層，其間係由硬質樹脂層開始逐漸地變化成為接合樹脂層。
如果藉由本發明之多層電路基板用複合體的話，則能夠使用這個而容易得到多層電路基板。
具體地說，首先對於本發明之多層電路基板用複合體之金屬箔之層，進行圖案化而形成導體電路。對於金屬箔進行圖案化之方法係並無特別限制，列舉光微影法或雷射加工法等。
接著，貫通硬質樹脂層和接合樹脂層，同時，在底面，形成露出前述導體電路之導通孔。接著，在前述之導通孔，賦予導體，設置由導體電路開始呈電氣地導通至接合樹脂層側之配線，得到多層電路基板用單面電路基板。
導通孔之形成方法係並無特別限定，列舉雷射穿孔法、糊膏印刷法等。在導通孔之形成後，為了除去由於雷射穿孔法之所產生之雷射污跡，因此，可以進行過錳酸之去污跡法。
此外，在導通孔來賦予導體之方法係並無特別限定，列舉藉由網版印刷法而在導通孔來填充導電性糊膏之方法。在除去使用於網版印刷法之保護薄膜時，可以形成導電性糊膏突出於接合樹脂層表面之導電性凸塊。導電性凸塊之高度係通常5～100μm。此外，也可以在導通孔藉由電鍍而賦予導體，來取代導電性糊膏之填充。
藉由重疊2片以上之前述多層電路基板用單面電路基板，或者是前述多層電路基板用單面電路基板重疊於其他之電路基板，進行熱沖壓及層積，而得到具有內層配線和表面配線之多層電路基板。特別是藉由本發明的話，則由於熱沖壓而熔融接合樹脂層，配合於電路基板之凹凸而發生變形。在含有交聯劑之接合樹脂層，在還進行加熱時，進行交聯反應，提高密合性。
【實施例】
在以下，顯示實施例及比較例而具體地說明本發明，但是，本發明係並非限定於這些。此外，在以下之實施例及比較例，「份」及「%」係並無特別限定而成為質量基準。
層積性(擦掠)
藉由目視而觀察多層電路基板，藉由以下之指標而評價擦掠。
A：相對於全面積而完全無擦掠，變得平坦。
B：相對於全面積而成為擦掠超過0%、未滿10%之面積。
C：相對於全面積而成為擦掠10%以上、未滿30%之面積。
D：相對於全面積而成為擦掠30%以上之面積。
此外，所謂擦掠係指在銅箔和樹脂、樹脂和玻纖布、以及樹脂和IPC基板等之異種材料間，產生空間。擦掠越少而不論有無配線圖案，交聯樹脂複合體越加平坦，表示具有良好之成形性。
層積性(位置偏離)
圖1係例舉位置偏離之求法。圖1(a)係顯示在接合樹脂層(未交聯樹脂層)23和硬質樹脂層(交聯樹脂層)22之上形成圖案狀配線21之複合體來一致於配線21之中心線而重疊n片之狀態之圖。在沖壓該重疊物之時，最外層(第1層或第n層)係藉由沖壓板而固定位置，但是，正如成為顯示在沖壓後之狀態(多層電路基板)之圖之圖1(b)所示，內層(例如第2層、第3層、．．．、第n-2層、第n-1層)係多少偏離於左右。此外，在圖1(a)、圖1(b)，3層～n-2層係省略圖示。此外，圖1(b)中之A係配線幅寬，在圖1(b)中，藉由一點鏈線而顯示最外層之配線21之中心線，藉由二點鏈線而顯示第2層及第n-1層之配線21之中心線。在圖1(b)所示之例子，第2層偏離於左邊，第n-1層偏離於右邊，第n-1層之偏離係最大，因此，B(最外層之配線21之中心線和第n-1層之配線21之中心線之間之距離)係成為最大偏離。
像這樣測定多層電路基板之最外層之配線之中心線(一點鏈線)和這個以外之層之配線之中心線(二點鏈線)之最大偏離B，求出最大偏離B相對於配線幅寬A之比例(=B/A×100[%])，藉由以下之基準而進行判定。
A：未滿10%
B：10%以上、未滿30%
C：30%以上、未滿50%
D：50%以上
剝離強度
根據JIS C6481而剝離層積於複合體之12μm之SLP銅箔，測定此時之強度。配合於剝離強度之值，藉由以下之指標而進行評價。
A：超過0.7kN/m
B：超過0.6kN/m、0.7kN/m以下
C：超過0.4kN/m、0.6kN/m以下
D：超過0.1kN/m、0.4kN/m以下
此外，測定在熱沖壓前之複合體單獨之狀態之銅箔和硬質樹脂層之間之剝離強度、以及在熱沖壓複數個之複合體後之狀態之銅箔和硬質樹脂層之間之剝離強度。
電特性(介電損失(tan δ))
使用阻抗分析儀(Agilent Technologies公司製、型號E4991)，藉由電容法而測定頻率1GHz之介電損失(tan δ)。配合於介電損失值而藉由以下之指標，來進行評價。
A:0.0015以下
B：超過0.0015、0.0020以下
C：超過0.0020
可靠性(銲錫試驗)
切出多層電路基板而成為幅寬1cm、長度5cm，這個浸漬於260℃之銲錫浴之10秒鐘而進行上拉。觀察在重複地進行3次之浸漬和上拉後之兩面之外觀，藉由以下之基準而進行評價。
A：完全無膨脹
B：發生膨脹未滿10面積%
C：發生膨脹10面積%以上、未滿30面積%
D：發生膨脹30面積%以上
(實施例1)
將苄叉(1,3-二均三甲苯基咪唑烷基-2-叉)(三環己基膦)釕二氯化物0.1質量份以及三苯基膦0.2質量份，加入至燒瓶。在該燒瓶，於氮氣氛下，注入甲苯2.4質量份而進行溶解，調製觸媒液。
在四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-4-烯烴80質量份和原菠烷20質量份之混合物，添加二氧化矽(Admatechs公司製、製品名稱：S0-E1、矽烷偶合劑處理品；平均粒徑0.2μm)之80質量份，來作為填充劑而均勻地進行混合。在這個，加入甲基丙烯酸己烯酯(ECONOMER-ML C5型式、新中村化學公司製)1質量份來作為鏈鎖移動劑以及2,2-二-t-丁基過氧丁烷(化藥AKZO公司製、製品名稱：Trigonox DT-50、1分鐘半衰期161℃)之1質量份來作為交聯劑，並且，添加前述之觸媒液0.35質量份，進行混合，得到硬質樹脂層用之交聯性聚合性組成物(A)。
另外，在四環[6. 2. 1. 13,6 . 02,7 ]十二-4-烯烴80質量份和原菠烷20質量份之混合物，添加二氧化矽(Admatechs公司製、製品名稱：S0-E1、矽烷偶合劑處理品；平均粒徑0.2μm)之80質量份，來作為填充劑而均勻地進行混合。在這個，加入甲基丙烯酸己烯酯(ECONOMER-ML C5型式、新中村化學公司製)1.8質量份來作為鏈鎖移動劑以及二-t-丁基過氧化物(化藥AKZO公司製、製品名稱：Kayabutyl D、1分鐘半衰期192℃)之1質量份來作為交聯劑，並且，添加前述之觸媒液0.35質量份，進行混合，得到接合樹脂層用之交聯性聚合性組成物(B)。
準備玻纖布(旭SCHWEBEL公司製、玻璃製紗纖布、製品名稱：GC2116)，在單面，吹附前述之交聯性聚合性組成物(A)之70質量份而含浸至玻纖布之內部為止。此外，由其玻纖布之相反側開始，吹附前述之交聯性聚合性組成物(B)之30質量份，整體成為100μm。此外，由交聯性聚合性組成物(A)之側開始，層壓作為支持體之電解銅箔(型式F0、厚度0.012μm、古河電路箔公司製)，在交聯性聚合性組成物(B)之側，層壓聚乙烯苯二甲酸酯(PEN)製薄膜(帝人杜邦薄膜公司製、厚度75μm)，在惰性烤箱內，於130℃，加熱1分鐘。藉由該加熱而以塊狀聚合交聯性聚合性組成物(A)和交聯性聚合性組成物(B)，得到4層構造(銅箔/未交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B)/PEN)之薄膜材。
在由250℃之熱壓輥和25℃之冷卻壓輥所組成之一對壓輥，通過該薄膜材而使得銅箔側接合於熱壓輥，PEN側接合於冷卻壓輥，僅加熱銅箔側1秒鐘。藉由該加熱而交聯銅箔側之樹脂。回復到室溫而剝離PEN薄膜，得到具有銅箔/交聯樹脂(硬質樹脂層)/未交聯樹脂(接合樹脂層)之3層構造之複合體。
在複合體浸漬於甲苯5分鐘之時，溶解接合樹脂層之部分，不溶解硬質樹脂層之部分，在銅箔，密合硬質樹脂層和玻纖布而仍然殘留。
此外，使用雙面膠帶而接合複合體之接合樹脂層面和厚度0.8mm之玻璃環氧基板FR-4。在測定銅箔和硬質樹脂層之間之剝離強度時，成為0.65kN/m。
接著，作成5片之使用氯化鐵溶液而由該複合體來完全地除去銅箔者。層積這個5片，並且，還在其上面，層積無除去銅箔之複合體，在200℃、30分鐘、壓力3MPa，熱沖壓這個而得到在最外面具有銅箔之層積體。在就得到之層積體而測定銅箔和硬質樹脂層之間之剝離強度時，成為0.65kN/m。在熱沖壓之前後，並無看到在銅箔和硬質樹脂層之間之剝離強度有發生變化。
接著，蝕刻複合體之銅箔而作成線＆空間(L/S)=100/100μm之圖案。重疊8片之銅箔進行圖案化之複合體而使得線(配線幅寬)之中心線呈一致。藉由在200℃、30分鐘、3MPa之壓力而進行熱沖壓，得到多層電路基板。藉由熱沖壓而交聯接合樹脂層。在藉由光學顯微鏡而觀察該多層電路基板之垂直剖面時，也並無確認到擦掠和位置偏離。
進行該多層電路基板之銲錫試驗，但是，並無確認到擦掠之發生。
不同於這個，重疊6片之使用氯化鐵溶液而由該複合體來完全地除去銅箔者，藉由在200℃、30分鐘、3MPa之壓力而進行熱沖壓。切出得到之層積體而成為20mm角，成為試驗片。就該試驗片而測定介電損失。將其結果顯示於表1。
(實施例2)
除了改變甲基丙烯酸己烯酯之量成為1.8質量份而使用CaTiO3 (矽烷偶合劑處理品、平均粒徑1.5μm)之150質量份來取代二氧化矽80質量份而作為填充材之外，其餘係相同於實施例1而得到交聯性聚合性組成物(A)。此外，除了使用CaTiO3 (矽烷偶合劑處理品、平均粒徑1.5μm)之150質量份來取代二氧化矽80質量份而作為填充材之外，其餘係相同於實施例1而得到交聯性聚合性組成物(B)。接著，除了使用這些交聯性聚合性組成物之外，其餘係相同於實施例1而得到4層構造之薄膜材。除了藉由在熱壓輥260℃、冷卻壓輥25℃而對於該薄膜材加熱1秒鐘以外，其餘係相同於實施例1而得到3層構造之複合體。接著，進行相同於實施例1之同樣試驗。將其結果顯示於表1。
(實施例3)
除了在調製交聯性聚合性組成物(A)之際而改變甲基丙烯酸己烯酯之量成為1.8質量份來取代2,2-二-t-丁基過氧丁烷而成為二-t-丁基過氧化物(化藥AKZO公司製、製品名稱：Kayabutyl D、1分鐘半衰期192℃)之外，其餘係相同於實施例1而得到4層構造之薄膜材。除了使用該薄膜材而使得熱壓輥之溫度成為260℃以外，其餘係相同於實施例1而進行加熱，得到3層構造之複合體。接著，進行相同於實施例1之同樣試驗。將其結果顯示於表1。
(實施例4)
相同於實施例3而得到4層構造之複合體。除了使用該薄膜材而使得冷卻壓輥之溫度成為50℃以外，其餘係相同於實施例3而進行加熱，得到3層構造之複合體。接著，進行相同於實施例1之同樣試驗。將其結果顯示於表1。
(實施例5)
除了在調製交聯性聚合性組成物(A)之際來改變甲基丙烯酸己烯酯之量成為1.8質量份而在調製交聯性聚合性組成物(B)之際來取代二-t-丁基過氧化物而成為2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷(日本油脂公司製、製品名稱：Nofmer BC-90、1分鐘半衰期285℃)之2重量份來改變在惰性烤箱之加熱條件而成為180℃、2分鐘以外，其餘係相同於實施例1而得到4層構造(銅箔/交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B)/PEN)之薄膜材。藉由利用惰性烤箱所造成之180℃加熱而進行交聯性聚合性組成物(A)之塊狀聚合及交聯反應，得到交聯樹脂(A)。由該薄膜材，來剝離PEN薄膜，得到3層構造(銅箔/交聯樹脂(硬質樹脂層)/未交聯樹脂(接合樹脂層))之複合體。接著，進行相同於實施例1之同樣試驗。將其評價結果顯示於表1。
(實施例6)
在電解銅箔(形式F0、厚度0.012mm、古河電路箔公司製)，吹附相同於實施例1所得到之交聯性聚合性組成物(A)之70質量份而成為厚度70μm。接著，吹附相同於實施例1所得到之交聯性聚合性組成物(B)之30質量份而成為厚度30μm。在交聯性聚合性組成物(B)側，層壓聚乙烯苯二甲酸酯(PEN)製薄膜(帝人杜邦薄膜公司製、厚度75μm)。接著，在惰性烤箱內，於130℃，加熱1分鐘。藉由該加熱而以塊狀聚合交聯性聚合性組成物(A)和交聯性聚合性組成物(B)，得到4層構造(銅箔/未交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B)/PEN)之薄膜材。
使用該薄膜材，相同於實施例1而僅交聯銅箔側之樹脂，得到3層構造之複合體。接著，進行相同於實施例1之試驗。將其評價結果，顯示於表1。
(實施例7)
在電解銅箔(形式F0、厚度0.012mm、古河電路箔公司製)，除了改變甲基丙烯酸己烯酯之量成為1.8質量份以外，其餘係塗佈相同於實施例1之交聯性聚合性組成物(A)而成為厚度30μm，在惰性烤箱內，於130℃，加熱1分鐘，進行塊狀聚合。接著，由銅箔側開始，使用熱壓輥，在260℃，加熱1秒鐘，形成硬質樹脂層。在該硬質樹脂層上，除了改變甲基丙烯酸己烯酯之量成為1.8質量份以外，其餘係塗佈相同於實施例1之交聯性聚合性組成物(A)而成為厚度10μm，在惰性烤箱內，於130℃，加熱1分鐘，進行塊狀聚合。像這樣而得到具有銅箔/交聯樹脂(硬質樹脂層)/未交聯樹脂(接合樹脂層)之構造之3層構造之複合體。接著，進行相同於實施例1之試驗。將其評價結果，顯示於表1。
(比較例1)
相同於實施例3而得到4層構造(銅箔/未交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B)/PEN)之薄膜材，不同於實施例3，並無進行藉著由熱壓輥和冷卻壓輥所組成之一對壓輥所造成之加熱，由該薄膜材，剝離PEN薄膜，得到3層構造(銅箔/未交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B))之複合體。雖然企圖層積該複合體，但是，銅箔之密合性變低而無法製造多層電路基板。
(比較例2)
相同於實施例3而得到4層構造(銅箔/未交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B)/PEN)之薄膜材。由該薄膜材之銅箔側和PEN薄膜側之兩者，藉由熱壓輥而在260℃，加熱1秒鐘。藉由該加熱而一起交聯未交聯樹脂(A)/未交聯樹脂(B)。由得到之薄膜材，剝離PEN薄膜，得到3層構造(銅箔/交聯樹脂(A)/交聯樹脂(B))之複合體。雖然企圖層積該複合體，但是，並無流動接合樹脂層，複合體間之密合性變低而無法製造多層電路基板。
(比較例3)
除了聚合性組成物(A)及(B)一起溶解於溶媒以外，其餘係相同於實施例1，雖然企圖得到4層構造塊狀聚合樹脂薄膜，但是，在除去溶媒時，無法進行硬化/接合之薄膜化，在溶媒蒸發製程，混合2種聚合性組成物，並且，無法進行發泡而得到薄膜。
由以上之結果而得知：可以藉由呈塊狀地聚合含浸交聯性聚合性組成物之纖維材，得到黏合片，接著，加熱該黏合片之某一面，冷卻其他面，而容易得到金屬箔和硬質樹脂層及接合樹脂層依照該順序地層積之多層電路基板用複合體(實施例1～4)。
此外，得知：可以藉由使用含有低分解溫度之交聯劑之交聯性聚合性組成物A和含有高分解溫度之交聯劑之交聯性聚合性組成物B，在低分解溫度之交聯劑開始作用之溫度以上而高分解溫度之交聯劑未開始作用之溫度以下，進行加熱，來容易得到金屬箔和硬質樹脂層及接合樹脂層依照該順序地層積之多層電路基板用複合體(實施例5～7)。
得知：可以藉由使用本發明之複合體而以高度之良品率，來製造層間之密合性變高、層積性良好且可靠性變高之多層電路基板。
A．．．配線幅寬
B．．．偏離
1、2、n-1、n．．．層編號
21．．．配線
22．．．硬質樹脂層(交聯樹脂層)
23．．．接合樹脂層(未交聯樹脂層)
24．．．交聯樹脂層
圖1(a)(b)係顯示多層電路基板之位置偏離之求法之圖。
A．．．配線幅寬
B．．．偏離
1、2、n-1、n．．．層編號
21．．．配線
22．．．硬質樹脂層(交聯樹脂層)
23．．．接合樹脂層(未交聯樹脂層)
24．．．交聯樹脂層

Claims (10)

  1. 一種多層電路基板用複合體之製造方法，包含：使得金屬箔之層、以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之樹脂和交聯劑(1)之交聯性樹脂層，進行一體化而形成中間複合體(A)之製程；以及藉由在前述之中間複合體(A)，由金屬箔之層側開始，加入熱量，僅對於接近前述交聯性樹脂層之金屬箔之側，進行交聯反應，而使得前述之交聯性樹脂層，由包含藉著塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層以及包含藉由塊狀聚合反應所得到之接合樹脂之接合樹脂層來構成之製程。
  2. 如申請專利範圍第1項之多層電路基板用複合體之製造方法，其中，前述中間複合體(A)之交聯反應係使得遠離於前述交聯性樹脂層之金屬箔之層之遠離側之面之溫度，成為前述交聯劑(1)之1分鐘半衰期溫度以下之溫度而進行交聯反應。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之多層電路基板用複合體之製造方法，其中，前述之中間複合體(A)係藉由將包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(1)之交聯性聚合性組成物，塗佈於前述之金屬箔上，形成該組成物之塗膜，在該塗膜，加入熱量，進行塊狀聚合，而得到中間複合體。
  4. 一種多層電路基板用複合體之製造方法，包含：使得金屬箔之層、包含藉由塊狀聚合反應(3)所得到之樹脂和交聯劑(α)之交聯性樹脂層、以及包含藉由塊狀聚 合反應(4)所得到之接合樹脂之接合樹脂層，依照該順序而進行配置，進行一體化而形成中間複合體(B)之製程；以及加熱前述之中間複合體(B)，交聯構成前述交聯性樹脂層之前述樹脂之至少一部分，而使得前述之交聯性樹脂層，成為包含藉由塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層之製程。
  5. 如申請專利範圍第4項之多層電路基板用複合體之製造方法，其中，前述之接合樹脂層係包含1分鐘半衰期溫度高於前述交聯劑(α)之交聯劑(β)。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之多層電路基板用複合體之製造方法，其中，前述之中間複合體(B)係藉由：在前述之金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)之製程；在塗佈於前述金屬箔上之前述交聯性聚合性組成物(a)上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)之製程；以及對於前述交聯性聚合性組成物(a)和前述聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合，分別形成前述交聯性樹脂層和前述接合樹脂層之製程；來得到中間複合體。
  7. 如申請專利範圍第4或5項之多層電路基板用複合體之製造方法，其中，前述之中間複合體(B)係在前述之交聯性樹脂層中及/或前述之接合樹脂層中，包含纖維材；前述之中間複合體(B)係藉由：在前述纖維材之某一邊之面，塗佈包含可塊狀聚合之 單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)之製程；在前述纖維材之其他邊之面，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)之製程；在塗佈於前述纖維材之某一邊之面之前述交聯性聚合性組成物(a)之上，重疊金屬箔之製程；以及對於前述交聯性聚合性組成物(a)和聚合性組成物(b)，進行塊狀聚合，分別形成前述交聯性樹脂層和前述接合樹脂層之製程；來得到中間複合體。
  8. 如申請專利範圍第4或5項之多層電路基板用複合體之製造方法，其中，前述之中間複合體(B)係藉由下列製程來得到中間複合體：在前述之金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，接著，進行塊狀聚合反應(3)而形成前述交聯性樹脂層之製程；以及在形成於前述金屬箔上之前述交聯性樹脂層上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)，接著，進行塊狀聚合反應(4)而形成前述接合樹脂層之製程。
  9. 一種多層電路基板用複合體之製造方法，包含：在金屬箔上，塗佈包含可塊狀聚合之單體和交聯劑(α)之交聯性聚合性組成物(a)，接著，進行塊狀聚合反應(5)而形成交聯性樹脂層之製程；交聯前述交聯性樹脂層之至少一部分，形成包含藉由塊狀聚合反應和交聯反應所得到之硬質樹脂之硬質樹脂層之製程；以及 在前述之硬質樹脂層上，塗佈包含可塊狀聚合之單體之聚合性組成物(b)，接著，進行塊狀聚合反應(6)而形成包含藉由塊狀聚合反應所得到之接合樹脂之接合樹脂層之製程。
  10. 一種多層電路基板之製造方法，製造層積複數個之電路基板所構成之多層電路基板，其包含：重疊2片以上之申請專利範圍第9項所述之多層電路基板用單面電路基板，或者是重疊前述之多層電路基板用單面電路基板和其他之電路基板，藉由熱沖壓而進行層積之製程。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5793425B2 (ja) * 2009-12-14 2015-10-14 株式会社ダイセル 多孔質層を有する積層体、及びそれを用いた機能性積層体
WO2012063918A1 (ja) * 2010-11-12 2012-05-18 国立大学法人東北大学 多層配線基板
JP5901066B2 (ja) * 2012-04-27 2016-04-06 三井金属鉱業株式会社 樹脂組成物、樹脂層付金属箔、金属張積層板及びプリント配線板
KR101906767B1 (ko) * 2018-04-12 2018-10-10 서울대학교산학협력단 구리 기반 전도성 페이스트 및 그 제조방법
JP7127745B2 (ja) * 2019-08-06 2022-08-30 株式会社村田製作所 樹脂多層基板
JP7031955B2 (ja) * 2019-09-10 2022-03-08 Ｆｉｃｔ株式会社 回路基板の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327510A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板用銅張り積層板、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103293A (en) * 1990-12-07 1992-04-07 International Business Machines Corporation Electronic circuit packages with tear resistant organic cores
GB2259812B (en) * 1991-09-06 1996-04-24 Toa Gosei Chem Ind Method for making multilayer printed circuit board having blind holes and resin-coated copper foil used for the method
JP3059568B2 (ja) 1992-01-23 2000-07-04 古河電気工業株式会社 多層プリント回路基板の製造方法
JP3087152B2 (ja) * 1993-09-08 2000-09-11 富士通株式会社 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法
JP3512225B2 (ja) * 1994-02-28 2004-03-29 株式会社日立製作所 多層配線基板の製造方法
IT240132Y1 (it) 1996-06-21 2001-03-26 Concetta Gloriani Contenitore per profilattico ricavato in una lattina per liquidi
JPH10286911A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Nippon Zeon Co Ltd 積層体
KR100480548B1 (ko) * 1997-06-06 2005-04-07 제온 코포레이션 환상 올레핀계 중합체를 포함하는 수지부착 금속박, 이를사용하는 적층판 및 다층적층판, 및 다층적층판의제조방법
US6770380B2 (en) * 1998-08-11 2004-08-03 Nikko Materials Usa, Inc. Resin/copper/metal laminate and method of producing same
DE60030743T2 (de) * 1999-07-12 2007-09-06 Ibiden Co., Ltd., Ogaki Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
JP4759896B2 (ja) * 2001-09-25 2011-08-31 パナソニック電工株式会社 プリント配線板製造用材料の製造方法
US7476716B2 (en) * 2002-06-28 2009-01-13 Zeon Corporation Method of manufacturing thermoplastic resin, crosslinked resin, and crosslinked resin composite material
JP4008298B2 (ja) * 2002-07-22 2007-11-14 株式会社フジクラ 多層配線基板、多層配線基板用基材およびその製造方法
JP4329441B2 (ja) * 2002-07-29 2009-09-09 日本ゼオン株式会社 熱可塑性樹脂、架橋樹脂及び架橋樹脂複合材料の製造方法
KR100742066B1 (ko) * 2002-12-13 2007-07-23 가부시키가이샤 가네카 열가소성 폴리이미드 수지 필름, 적층체 및 그것을 포함하는 인쇄 배선판의 제조 방법
JP2005158974A (ja) 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板製造用シート材
US7378157B2 (en) * 2004-06-28 2008-05-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier film, and display substrate and display using the same
JP2007045974A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Nitto Denko Corp 熱硬化型粘接着剤組成物、熱硬化型粘接着テープ又はシートおよび配線回路基板
JP4850487B2 (ja) * 2005-11-07 2012-01-11 富士フイルム株式会社 プリント配線板用積層体、それを用いたプリント配線板、プリント配線基板の作製方法、電気部品、電子部品、および、電気機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327510A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板用銅張り積層板、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法

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