TWI403864B - 製造接觸孔之系統及方法 - Google Patents
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Description
本發明一般係關於積體電路製造之領域，並且尤其係關於使用特定的雙偶極照射用於製造改變節距及密度之接觸孔之系統及方法。
光學式微影或光學微影結合在積體電路(integrated circuit，IC)元件上所呈現之大範圍結構之形成已經廣泛使用於半導體工業上。該光學微影製程通常開始於在半導體基板或晶圓(或某些中介層)之上表面上或上方之光阻層之形成。通常以鉻形成之具有光線完全無法穿透之不透明區域之遮罩(reticle)或光罩(mask)，以及通常以石英形成之完全光線穿透的透明區域則接著定位在該光阻塗覆的晶圓之上方。
光罩是位在產生預先選擇的波長之光線(例如紫外光線)及幾何圖形之放射線或光源與可能形成部分步進機裝置之光學鏡組系統之間。當來自該光源之光線導引至該光罩上時，該光線經由聚焦以產生縮小的光罩影像於該晶圓上，通常使用含有一個或數個鏡組、濾光器及/或鏡子之光學鏡組系統。光線通過該光罩之透明區域以曝光該下層的光阻層並且由該光罩之不透明區域所阻隔，而留下未曝光之該光阻層之下層部分。接著顯影該曝光的光阻層，通常透過化學方式而移除該光阻層之曝光或未曝光的區域。最終的結果為塗覆了光阻層之半導體晶圓呈現了所需之圖
案，該圖案定義該層之幾何圖形、特徵結構、線路及形狀。該圖案接著可以使用於該晶圓之下層區域之蝕刻。
在積體電路元件設計及製造之技藝上增加各種結構配置之密度為普遍的趨勢。例如，快閃記憶體元件可以包含含有一個或一個以上陣列的密集堆疊型雙位元記憶體單元之核心區域。此類元件之製造可以包含圖案化(patterning)沿著第一方向以最小節距規則間置之密集堆疊型接觸孔(例如源極/汲極接觸孔)之陣列，以及複數個局部隔離的(semi-isolated)接觸孔(例如VSS
接觸孔)。一旦形成時，這些接觸孔可以以傳導材料填覆，諸如金屬、含有金屬的混合物或半導體，以形成用於電性連接位在該接觸層之上方及下方之結構之傳導通孔。
形成接觸孔之其中一個習知的方法包含使用兩個不同的照射源執行雙重曝光技術以曝光用於圖案化一個接觸層之兩個不同的光罩(或一個光罩旋轉成兩個不同的方向)。藉由此種技術，每個光罩/照射對可以最佳化以生產用於特定層級的結構之最大解析度，同時可以使在藉由其它曝光所定義或另外圖案化之結構上之衝擊降至最小。然而，如同使用任何雙重曝光技術，對準失調(misalignment)之缺陷必須列入考量，該考量可能是困難的、耗時的及昂貴的。此外，可能產生轉印缺陷(printing defects)。
雖然各種光罩類型及改良的照射技巧已經使用於包含接觸孔之解析度以下(sub-resolution)結構特徵之成像，但是每個照射類型具有某方面的利益犧牲(例如改良之對比
在聚焦深度上之花費)。此外，視欲映射之圖案而定每個光罩類型可以呈現不同的效能。
因此，需要有用於製造變化節距及密度之接觸孔之改良的系統及方法。
依據本發明之其中一項目的，本發明主要提供在積體電路元件之接觸層內形成複數個接觸孔之方法。該複數個接觸孔可以包含具有沿著第一方向以第一節距規則間置的複數個接觸孔及具有沿著第二方向以第二節距間置之複數個局部隔離(semi-isolated)的接觸孔。該方法可以包含在該接觸層上方提供光阻層及曝光該光阻層於雙偶極照射源。該雙偶極照射源可以透過具有對應於所需的接觸孔圖案之圖案的光罩而傳送光線能量。這種曝光可以造成該所需的接觸孔圖案受到轉移至該光阻層。該雙偶極照射源可以包含第一偶極光圈(aperture)，該第一偶極光圈是用於圖案化該規則間置的接觸孔之方向及最佳化，以及第二偶極光圈，該第二偶極光圈是用於圖案化該複數個局部隔離的接觸孔之實質上正交於該第一偶極光圈之方向及最佳化。該接觸層可以使用該圖案化的光阻層而蝕刻。
依據本發明之另一項目的，本發明在於提供具有用於圖案化複數個變化節距及密度之接觸孔之照射源的光圈平板。該複數個接觸孔可以包含沿著第一方向具有第一節距之複數個規則間置的接觸孔及沿著第二方向具有第二節距之複數個局部隔離的接觸孔。該光圈平板可以包含基板，
該基板定義(i)特定用於圖案化該複數個規則間置的接觸孔開口之第一偶極光圈及(ii)特定用於圖案化該複數個局部隔離的接觸孔開口之第二偶極光圈。
本發明之這些及其它特徵在申請專利範圍中已完整描述及特別地指出。下列的描述及附加的圖式詳細提出本發明之說明的實施例，這些實施例為表示其中使用了本發明之原理之一些各種方式。
在下列詳細的描述中，對應的組件係給定相同的圖式標號而不管是否該組件是顯示於本發明之不同的實施例中。為了以明確及簡潔的方式說明本發明，該圖式並未按照必要的尺寸。
本發明之一個實施例包含在積體電路(integrated circuit，IC)元件之接觸層內形成複數個接觸孔之方法，其中複數個接觸孔包含沿著第一方向具有第一節距之複數個密集堆疊、規則間置的接觸孔及沿著第二方向具有第二節距之複數個局部隔離的接觸孔。在提供光阻層於該接觸層之上方之後，該光阻層可以曝光至雙偶極照射源，該照射源透過具有圖案對應於所需的接觸孔圖案之光罩而傳送光線能量。該雙偶極照射源可以包含用於圖案化該密集堆疊、規則間置的接觸孔之方向及最佳化之第一偶極光圈及在方向上近似正交於該第一偶極光圈與用於圖案化該複數個局部隔離的接觸孔之最佳化之第二偶極光圈。
本發明將於下文之用於形成部分積體電路元件之最終
圖案化接觸層(例如中間層介電物(interlayer dielectric，ILD)層)之製程之例示性的內容中作描述。例示性的積體電路元件可以包含來自由數千或數百萬電晶體所組成之一般用途處理器、快閃記憶體陣列或任何其它專用的電路。然而，熟習此項技藝之人士將會瞭解在此所描述之方法及系統亦可以適用於任何物件之設計製程及/或製造上，該物件包含改變節距及密度之接觸孔或其它特徵圖案並且為使用光學微影而製造，諸如微加工、磁碟驅動頭、基因晶片、微機電系統(microelectro-mechanical systems，MEMS)及其它方面。
第1圖示意地說明例示性的積體電路元件10，諸如快閃電性可抹除及程式化記憶體元件、依據在此所描述之方法而可以製造或另外加工之一個或一個以上之接觸層。該積體電路元件10可以製造或另外形成在具有核心區域14及周邊區域16之半導體基板12之上。例示性的快閃記憶體元件可以包含含有一個或一個以上之陣列的雙位元記憶體單元之核心區域及含有用於控制在該核心區域之內之記憶體單元之邏輯電路之周邊區域。在該核心區域內之典型陣列的雙位元記憶體單元可以包含例如512列及512欄的雙位元記憶體單元。
第2圖為部分接觸層(例如在快閃記憶體元件之核心區域中)之示意性上視圖說明，該接觸層顯示包含密集堆疊、規則間置的接觸孔20及局部隔離的接觸孔24之所需的接觸孔圖案。在一個實施例中，該所需的接觸孔圖案包
含在沿著第一方向(例如該x方向)之最小節距(pitch)上一連串的接觸孔(例如源極/汲極接觸孔)以及在沿著第二方向(例如該y方向)之第二節距上之複數個局部隔離的接觸孔24(例如VSS
接觸孔)。如同在此所使用的，該名詞“密集堆疊的”接觸孔可以包含以大約130奈米(nanometers，nm)至大約270奈米之節距所表示之密度，而該名詞“局部隔離的”可以包含以大約270奈米至大約500奈米之節距所表示之密度。應該瞭解的是該前文所提的節距範圍橫跨數個技術節點。例如，該130奈米技術節點可以包含具有大約380奈米至大約400奈米之節距之密集堆疊的接觸孔，而該90奈米技術節點可包含具有大約240奈米之節距之密集堆疊的接觸孔。該65奈米技術節點可以包含具有大約150奈米至大約160奈米之節距之密集堆疊的接觸孔。再者，該密集堆疊的節距範圍之下限端可以利用193奈米光源而延伸至120奈米或者較低。應該要瞭解的是具有較短波長(例如極紫外光或157奈米)之光源由在此所描述之該方法及元件可能是有益的並且使節距能夠更進一步的縮減。
為了此項描述之目的，第2圖說明在節距x(Pitchx
)之節距上之一連串密集堆疊的接觸孔及在節距y(Pitchy
)之節距上之局部隔離的接觸孔。在一個例示性的實施例中，在第2圖中所說明之該接觸孔圖案可以想像成為對應於在快閃記憶體元件之核心區域中之接觸孔圖案，其中一連串的源極/汲極接觸孔在該x方向上為配置在最小節距上，以
及例如在該y方向上為配置該x方向最小節距的兩倍之節距。此外，每8位元或16位元或16位元以上，將具有局部隔離的VSS
接觸。在一個實施例中，Pitchx
可以具有大約120奈米至大約260奈米之值，而Pitchy
可以具有大約150奈米至大約400奈米之大約兩倍記憶體單元之y單元節距之值。如同在下文之更完整的討論，此類接觸孔圖案可以藉由產生及使用雙偶極照射源而形成，包含一對特定的正交偶極光圈，以曝光具有所需的接觸孔圖案之單一光罩。
茲參考第3圖，該圖提供用於圖案化或另外加工積體電路元件之接觸層以形成所需的接觸孔圖案之光學微影裝置40。該光學微影裝置40可以包含光源42，該光源42照射光圈平板44。該光源42可以包含任何適當的光源，諸如具有大約193奈米的波長之部分同調光源，該193奈米可以藉由氬氟雷射而產生。該光源可以產生具有在該紫外光(ultraviolet，UV)、真空紫外光(vacuum ultraviolet，VUV)、深紫外光(deep ultraviolet，DUV)或極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)範圍內之波長的光線。如同在下文中更為完整說明，該光圈平板44可以是雙偶極光圈平板，該雙偶極光圈平板包含實質上朝向彼此正交之一對特定的偶極光圈。另外，可以使用另一種雙偶極產生工具，諸如適當的繞射光學元件。
穿越透過該光圈平板44之光線可以藉由鏡組系統46而收斂或另外聚焦在其上具有所需的接觸孔圖案之光罩或
遮罩48之上。在一個實施例中，該光罩48可以包含具有鉻圖案蝕刻在石英基板上之能傳遞的二位元光罩(transmissive binary mask)。
然而應該要瞭解的是，其它光罩，諸如反射式光罩、相位偏移光罩、衰減式或其它及類似的光罩亦可以使用，而不會脫離本發明之範疇。藉由該光罩48所通過之光線之至少第0階及第1階繞射分量可以藉由鏡組系統50而聚焦於標的52之上，該標的52諸如包含以感光薄膜(例如光阻58)塗佈之接觸層56之基板或晶圓54。
參考第4圖及接續參考第3圖，該第4圖提供依據本發明之一個實施例之雙偶極光圈平板44。該光圈平板44可以以適當的不透光或電磁輻射阻隔材料，諸如鋁、鋼或任何其它適當的金屬所組成，並且可以是任何適當的幾何形狀，諸如方形、圓形、矩形及類似的形狀。另外，該瞳孔形狀機構可以包含繞射光學元件或包含其它使該瞳孔能夠塑形之光學元件。該光圈平板44可以包含或另外定義第一偶極光圈60及第二偶極光圈62。該第一偶極光圈60可以包含朝向沿著第一主軸(例如x軸)之一對開口或光圈。此外，該光圈平板44可以包含或另外定義朝向沿著第二主軸之第二偶極光圈62，該第二主軸為實質上正交於該第一主軸(例如y軸)。在一個實施例中，關於幾何形狀、間隔及/或尺寸上，該第一偶極光圈60為不同於該第二偶極光圈62。再者，如同於下文中之完整的描述，該第一偶極光圈60為特定及/或最佳化而用於轉印具有節距Pitchx
之密
集堆疊的接觸孔。同樣地，該第二偶極光圈62為特定及/或最佳化而用於轉印具有節距Pitchy
之局部隔離的接觸孔。
第5圖說明依據本發明之一個實施例之另一個例示性的雙偶極光圈平板44。該光圈平板44包含第一偶極光圈60及第二偶極光圈62，該第一偶極光圈60為朝向沿著該x軸，該第二偶極光圈或偶極光圈62為朝向沿著該y軸。另外，該第一及第二偶極光圈60、62可以朝向對於實質上為彼此正交之x軸及y軸之主軸於某個角度。在一個實施例中，該第一偶極光圈60為特定及/或最佳化而用於圖案化具有Pitchx
之節距之該密集堆疊的接觸孔。特定及/或最佳化該第一偶極光圈60可以包含最佳化該偶極光圈關於尺寸、形狀及/或間隔以便增加用於該密集堆疊的接觸孔之解析度。
在一個實施例中，該第一偶極光圈60之間距為最佳化
的或另外依據而選擇，其中λ(8)為欲使用之
光源之波長、NA為結合光學微影裝置之數值孔徑，並且Pitchx
為沿著該x方向之密集堆疊的接觸孔之節距。Dipolex
表示在該偶極光圈60之個別的中心之間之間距(虛線70)。
同樣地，該第二偶極光圈62之間距為最佳化的或另外
依據而選擇，其中λ(8)為欲使用之光源之波
長、NA為結合光學微影裝置之數值孔徑，並且Pitchy
為
沿著該y方向之局部隔離的接觸孔之節距。Dipoley
表示在該偶極光圈62之個別的中心之間之間距(虛線72)。該雙偶極光圈平板44，包含依據用於Dipolex
及Dipoley
之兩個最佳化的解所間隔之第一及第二偶極光圈，為使用於照射具有所需的接觸孔圖案之單一光罩。
除了最佳化該第一偶極光圈及該第二偶極光圈之間距之外，其它照射及/或光圈參數可以經由選擇及/或最佳化。通常，偶極光圈可以使用該下列的參數而特性化：該等極之方向(例如水平的、垂直的或相對於該極之某些角度)；內部半徑σin
；外部半徑σout
；及極角θ(亦稱為楔形角)。這些參數說明第5圖中。
為了測試前文提及的照射及/或光圈參數，一個或一個以上之模擬影像可以使用其中一個各種商業購得的模擬工具而產生，諸如例如來自Mentor Graphics公司之CALIBRE®
。若該接觸層曝光於受引導穿越包含該所需的接觸孔圖案之光罩的照射源(具有選擇的照射及/或光圈參數之組合)時，每個模擬影像可以對應於將受到轉印或另外形成在該接觸層之上或之內之接觸孔圖案。另外，該模擬影像可以對應於光阻層之模擬，該光阻層將依據曝光至受引導穿越包含該所需的接觸孔圖案之光罩的照射源(具有選擇的照射及/或光圈參數)而圖案化。因此，該“實際”接觸孔圖案可以模擬用於照射及/或光圈參數以及光學鄰近效應修正(optical proximity corrections，OPC)與任何其它參數之各種組合，相較於該所需的接觸孔圖案，該
參數可以改變該最終接觸孔圖案。
為了決定每組照射及/或光圈參數之有效性，每個模擬的影像可以藉由使用一個或一個以上之光學規則檢驗(optical rule checking，ORC)測試而作評估。該光學規則檢驗測試可以根據更多製程相關的參數而執行，亦稱為度量(metrics)。落在一個或一個以上之執行相關的參數之允許的範圍之外的接觸孔圖案特徵可以表示為低於照射及/或光圈參數之最佳化集合。
雖然第4及第5圖說明輪狀區段構成的偶極光圈，應該要瞭解的是其它偶極光圈幾何形狀也可以使用。例如，第6及第7圖說明例示性的雙偶極光圈平板44，該雙偶極光圈平板44包含不同的偶極光圈幾何形狀。第6圖包含實質上圓形的光圈或開口之第一偶極光圈60及實質上橢圓形的光圈或開口之第二偶極光圈62。第7圖包含實質上橢圓形的光圈或開口之第一偶極光圈60及實質上圓形的光圈或開口之第二偶極光圈62。當然，這些偶極光圈之尺寸及/或間距亦可以以上文所描述之方式作最佳化及/或特定，而用於轉印密集堆疊的特徵結構、局部隔離的特徵結構或該兩種特徵結構之某些組合。當然，其它幾何形狀之偶極光圈亦可以使用而不會脫離本發明之範疇。
一旦該照射源，包含該特定的雙偶極光圈平板經由選擇後，接觸層可以經由加工以形成所需的接觸孔圖案。這種加工可以是類似於由一般熟習此項技藝之人士所瞭解及使用之方式。因此這種製程將不作更詳細的描述。
諸如半導體晶圓之基板可以包含一層或一層以上之各種材料。在一個實施例中，該晶圓可以包含以所需的接觸孔圖案所圖案化之接觸層。光阻層可以位在該接觸層之上方。熟習該項技藝之人士將會瞭解，其它材料及/或處理可以配置在該接觸層及該光阻層之間，例如包含底層附著劑、底部抗反射塗覆(bottom anti-reflective coating，BARC)層及類似材料。該接觸層可以由任何適當材料所組成，諸如絕緣層(例如氧化矽或SiO2
、氮化矽或Si3
N4
等等)。本發明可以使用諸如正感光(positive tone)或負感光(negative tone)光阻層之適當的光阻層。
該光阻層可以曝光於特定的雙偶極輻射中，係由穿越通過該特定的雙偶極光圈平板之照射源所產生，而穿越通過含有所需的接觸孔圖案之光罩。在一個實施例中，該光罩可以包含能傳遞的二位元光罩，包含在石英上之蝕刻的鉻圖案。然而，應該要瞭解的是可以使用其它光罩。該曝光的光阻層可以顯影，選擇性地包含曝光後(post exposure)烘烤，藉以移除該光阻層(視是否使用正感光或負感光光阻而定)之曝光或未曝光的部分。接續顯影，該光阻層可以包含該所需的接觸孔圖案。一旦該光阻層已經圖案化具有該所需的接觸孔圖案後，該接觸層可以使用適當的濕式蝕刻或乾式反應離子蝕刻(reactive ion etch，REI)而蝕刻以形成接觸孔開口而對應於在該接觸層內之所需的接觸孔圖案。當然，更進一步加工可以包含以適當的傳導材料填覆該接觸孔開口(例如金屬、含有金屬之化合物或半導體)以形成
垂直橫跨該接觸層之傳導通孔。該通孔可以經由使用以在配置於該接觸層下方之層膜及後續形成層、組件或配置在該接觸層上方之內連線之間建立電性連接。
上文的描述提供結合圖案化接觸層之核心區域之例示性的內容以包含藉由使用特定的雙偶極照射之光罩之單一曝光之密集堆疊的接觸孔以及局部隔離的接觸孔。通常，積體電路元件之製造包含在該積體電路元件之周邊區域內之特徵結構的製造。一般而言，用於積體電路元件之接觸層之周邊區域之所需的接觸孔圖案包含接觸孔之隨機配置，該接觸孔在密度上之範圍可以從在最小節距上之固定串列的接觸孔至完全隔離的接觸孔。
在一個實施例中，如同上文之描述，在該元件之核心區域中之接觸層可以使用雙偶極照射源而圖案化，以使光線穿越通過具有所需的接觸孔圖案之單一二位元光罩。該接觸層之周邊區域可以使用不同的照射幾何形狀及不同的光罩而分別圖案化(亦即使用不同的曝光)，具有不同的所需接觸孔圖案。在一個實施例中，可以使用“低σ(sigma)”照射源(亦即其中在σin
及σout
之間之差異性為相對地小的輪狀或雙偶極源)結合具有大約百分之六之穿透之衰減式相位偏移光罩(phase shift mask，PSM)。另外，其它照射源光罩組合可以使用於該接觸層之周邊區域之分別的圖案中。
應該注意的是在解釋說明書及申請專利範圍內之文字“在...之上(above)”、“在...上方(over)”及“在...之頂端
(on top of)”中，這些文字並非意在限定於直接在...之上、直接在...上方或直接在...之頂端，而是可以包含在描述為另一層或基板之“在...之上”、“在...上方”或“在...之頂端”之層膜之間的中介層。例如，在基板之上、在基板之上方或在基板之頂端之第一材料之描述並非意在排除配置於該第一材料之間之其它層。
雖然本發明之特定的實施例已經作詳細描述，應該要瞭解的是本發明並非因此限定於該範疇中，而是包含所有的修正、改變及等同。
10‧‧‧積體電路元件
12‧‧‧半導體基板
14‧‧‧核心區域
16‧‧‧周邊區域
20‧‧‧接觸孔
24‧‧‧接觸孔
40‧‧‧光學微影裝置
42‧‧‧光源
44‧‧‧光圈平板
46‧‧‧鏡組系統
48‧‧‧光罩或遮罩
50‧‧‧鏡組系統
52‧‧‧標的
54‧‧‧基板或晶圓
56‧‧‧接觸層
58‧‧‧光阻層
60‧‧‧第一偶極光圈
62‧‧‧第二偶極光圈
70‧‧‧虛線
72‧‧‧虛線
本發明之上述及更進一步的特徵在參考以上說明及圖式後將是顯而易見的，其中：第1圖為具有包含雙位元記憶體單元之陣列及週邊區域之核心區域的例示性記憶體裝置之示意說明；第2圖為在包含密集堆疊的接觸孔及局部隔離的接觸孔之核心區域中之部分接觸層之示意上視圖式說明；第3圖為依據本發明之光學微影裝置之示意說明；第4圖為依據本發明之一個實施例之例示性的雙偶極光圈平板之示意說明；第5圖為依據本發明之一個實施例之另一個例示性的雙偶極光圈平板之示意說明；第6圖及第7圖為依據本發明之另一個實施例之例示性的雙偶極光圈平板之示意說明。
40‧‧‧光學微影裝置
42‧‧‧光源
44‧‧‧光圈平板
46‧‧‧鏡組系統
48‧‧‧光罩或遮罩
50‧‧‧鏡組系統
52‧‧‧標的
54‧‧‧基板或晶圓
56‧‧‧接觸層
58‧‧‧光阻層
Claims (10)
- 一種在積體電路元件(10)之接觸層(56)中形成複數個接觸孔(20、24)之方法，其中，該複數個接觸孔(20、24)包含具有第一節距沿著第一方向的複數個規則間置的接觸孔(20)及具有第二節距沿著第二方向之複數個局部隔離的接觸孔(24)，該方法包括：提供光阻層(58)於該接觸層(56)之上方；曝光該光阻層(58)於雙偶極照射源(42)，該雙偶極照射源(42)傳送光線能量穿過具有對應於所需的接觸孔圖案之圖案的光罩(48)，該曝光造成該所需的接觸孔圖案轉移至該光阻層(58)；其中，該雙偶極照射源(42)包含第一偶極光圈(60)，該第一偶極光圈(60)為具有方向及最佳化用於圖案化該規則間置的接觸孔(20)；及獨立於該第一偶極光圈的第二偶極光圈(62)，該第二偶極光圈(62)為定向成實質上正交於該第一偶極光圈(60)及最佳化用於圖案化該複數個局部隔離的接觸孔(24)；以及使用該圖案化的光阻層(58)蝕刻該接觸層(56)。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一偶極光圈(60)及該第二偶極光圈(62)具有(i)不同的尺寸及(ii)不同的間距之至少其中之一。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之方法，其中，該第一偶極光圈(60)為實質上垂直定向的並且該第二偶極光圈(62)為實質上水平定向的。
- 如申請專利範圍第3項之方法，其中，該第一偶極光圈 (60)為依據Dipole x =λ /2NA ．Pitch x 而間置，其 中，Pitchx 為該第一節距；以及該第二偶極光圈(62)為依據Dipole y =λ /2NA ．Pitch y 而間置，其中，Pitchy 為該第二節距。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之方法，其中，該規則間置的接觸孔(20)具有大約120奈米至大約270奈米之節距，並且該局部隔離的接觸孔(24)具有大約270奈米至大約500奈米之節距。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之方法，其中，該曝光步驟包含同時照射穿過該第一及第二偶極光圈(60、62)。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之方法，其中，該雙偶極照射源(42)包含光線能量不穿透基板(44)，該光線能量不穿透基板(44)定義第一偶極光圈(60)及第二偶極光圈(62)。
- 一種具有依據如申請專利範圍第1至7項中之任何一項之方法所加工之接觸層(56)的積體電路元件(10)。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之方法，其中，該複數個接觸孔(20、24)包含複數個不規則間置的接觸孔於周邊區域(16)內，該方法更包括：曝光在該周邊區域(16)內之該光阻層(58)於低σ照射源，該低σ照射源提供傳送穿過具有對應於第二所需 的接觸孔圖案之圖案之第二光罩之光線能量。
- 一種用於與照射源(42)一起使用以用於圖案化具有改變節距及密度之複數個接觸孔(20、24)之光圈平板(44)，該複數個接觸孔(20、24)包含具有第一節距沿著第一方向之複數個規則間置的接觸孔(20)及具有第二節距沿著第二方向之複數個局部隔離的接觸孔(24)，該光圈平板(44)包括：基板，該基板定義(i)特定用於圖案化該複數個規則間置的接觸孔開口(20)之第一偶極光圈(60)及(ii)特定用於圖案化該複數個局部隔離的接觸孔開口(24)之第二偶極光圈(62)，其中，該第二偶極光圈是獨立於該第一偶極光圈。
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