TWI402802B - 顯示器件，其驅動方法及電子裝置 - Google Patents

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Description

顯示器件，其驅動方法及電子裝置
本發明係關於一種其中藉由電流來驅動以逐像素方式提供的發光元件以用於影像顯示之顯示器件，及一種驅動該顯示器件之方法。此外，本發明係關於包括該顯示器件之電子裝置。明確言之，本發明係關於一種用於所謂主動矩陣顯示器件之驅動系統，其中施加至一發光元件(例如一有機EL(電致發光)元件)之電流量係藉由在各像素電路中提供的絕緣閘極場效電晶體來控制。
本發明包含與2007年11月14日向日本專利局申請的日本專利申請案第JP 2007-295554號有關之標的，其全部內容係以引用的方式併入本文中。
在一顯示器件中(例如在一液晶顯示器中)，大量液晶像素係配置成一矩陣，而入射光之透射率強度或反射強度係根據關於一欲顯示影像的資訊來以一逐像素方式控制，以由此顯示該影像。在一將有機EL元件用於其像素之有機EL顯示器中亦實施此逐像素之控制。不過，與液晶像素不同，有機EL元件係自發光元件。因此，該有機EL顯示器與該液晶顯示器相比具有以下優點：更高的影像可見性、不需要一背光以及更高的回應速度。此外，該有機EL顯示器係一所謂的電流控制顯示器，其可基於流經該發光元件的電流來控制每一發光元件之亮度位準(灰階)，而因此與一諸如液晶顯示器之類的電壓控制顯示器大不相同。
用於該有機EL顯示器之各類驅動系統包括一簡單矩陣系統與一類似於該液晶顯示器之主動矩陣系統。該簡單矩陣系統具有一較簡單的結構但涉及諸如難以實現一大尺寸且高解析度顯示器之類問題。因此，現在正更積極地開發該主動矩陣系統。在該主動矩陣系統中，藉由提供於該像素電路中之一主動元件(一般係一薄膜電晶體(TFT))來控制在每一像素電路中流經一發光元件的電流。日本專利特許公開案第2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791、2004-093682及2006-215213號中已揭示關於此系統之相關技術。
相關技術中的像素電路係佈置於沿用於供應一控制信號的列之掃描線與沿用於供應一視訊信號的行之信號線之交叉點之每一點處。每一像素電路包括至少一取樣電晶體、一保持電容器、一驅動電晶體及一發光元件。該取樣電晶體係回應於從該掃描線供應的控制信號而開啟，以由此對從該信號線供應的視訊信號進行取樣。該保持電容器保持取決於經取樣視訊信號的信號電位之一輸入電壓。該驅動電晶體依據該保持電容器所保持之該輸入電壓在一預定發光週期期間供應一輸出電流作為一驅動電流。一般地，該輸出電流與該驅動電晶體中之通道區域中的載子遷移率及該驅動電晶體的臨限電壓有相依性。從該驅動電晶體供應之輸出電流驅使該發光元件以取決於該視訊信號的亮度發光。
該驅動電晶體在作為其一控制端子之其閘極處接收藉由該保持電容器保持之輸入電壓，並允許該輸出電流在作為其一對電流端子的其源極與汲極之間通過，以由此將該電流施加至該發光元件。一般地，該發光元件之發光亮度係與所施加的電流量成比例。此外，從該驅動電晶體供應的輸出電流量係藉由閘極電壓(即，寫入至該保持電容器之輸入電壓)來控制。相關技術之像素電路依據該輸入視訊信號來改變向該驅動電晶體的閘極施加之輸入電壓，以由此控制向該發光元件供應之電流量。
該驅動電晶體之操作特性係由等式1來表示。
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2 　...　等式1
在等式1中，Ids表示在該源極與該汲極之間流動的汲極電流。此電流係等效於向在該像素電路中的發光元件供應之輸出電流。Vgs表示相對於該源極向該閘極施加之閘極電壓。該閘極電壓係等效於在該像素電路中的上述輸入電壓。Vth表示該電晶體之臨限電壓。μ表示在用作該電晶體的通道之半導體薄膜中之遷移率。W、L及Cox分別表示通道寬度、通道長度及閘極電容。從等式1會明白，作為一電晶體特性等式，當一薄膜電晶體在其飽和區域中操作時，該電晶體進入開啟狀態而因此若該閘極電壓Vgs超過該臨限電壓Vth則該汲極電流Ids流經其中。原則上，一恆定閘極電壓Vgs不變地向該發光元件供應相同的汲極電流Ids，如等式1所示。因此，將相同位準之視訊信號供應至該螢幕中的所有像素將允許所有該等像素以相同亮度發光，而因此將提供該螢幕之均勻度。
但是，由一半導體薄膜(例如一多晶矽膜)形成之實際的薄膜電晶體(TFT)涉及器件特性之變化。特定言之，該臨限電壓Vth並不恆定，而隨不同像素而變化。從等式1會明白，即使該閘極電壓Vgs係恆定，在個別驅動電晶體之間該臨限電壓Vth之變化亦引起該汲極電流Ids之變化。因此，該亮度隨不同像素而變化，此破壞該螢幕之均勻度。作為一相關技術，已開發一具有抵消在該等驅動電晶體之間該臨限電壓的變化之一功能的像素電路。例如，上面提到的日本專利特許公開案第2004-133240號中揭示此像素電路。
不過，該驅動電晶體之臨限電壓Vth並非向該發光元件之輸出電流之變化的唯一因素。從等式1會明白，當該驅動電晶體之遷移率μ變化時，該輸出電流Ids亦變化。因此，破壞該螢幕之均勻度。作為一相關技術，已開發一具有校正該驅動電晶體的遷移率變化之一功能的像素電路。例如，上面提到的日本專利特許公開案第2006-215213號中揭示此像素電路。
具有該遷移率校正功能之相關技術的像素電路實施該驅動電流之負回授，該驅動電流在一預定校正週期期間依據該信號電位透過該驅動電晶體流向該保持電容器，以由此調整保持於該保持電容器中的信號電位。當該驅動電晶體之遷移率較高時，該負回授量相應地較大，而因此該信號電位之減小寬度較大。因此，可抑制該驅動電流。另一方面，當該驅動電晶體之遷移率較低時，向該保持電容器之負回授量較小，而因此所保持的信號電位之減小寬度較小。因此，不會使該驅動電流大大減小。以此方式，依據在每一像素中的驅動電晶體之遷移率，將該信號電位調整成得以抵消遷移率差。因此，儘管在該等個別像素中的驅動電晶體之間存在遷移率之變化，但該等個別像素針對相同的信號電位提供相同位準的發光亮度。
在一預定的遷移率校正週期期間實施上述遷移率校正操作。在一主動矩陣顯示器件中，每一水平掃描週期以線序方式掃描該等像素列之一個別列。在該主動矩陣顯示器件中，需要在一水平掃描週期內實施上述臨限電壓校正操作、信號寫入操作及遷移率校正操作。由於該主動矩陣顯示器件中的像素密度或解析度之提高已取得進展，因此縮短分配給每一像素列之一水平掃描週期之長度。該遷移率校正時間傾向於亦隨同一水平掃描週期之縮短而縮短。該相關技術之顯示器件將與該遷移率校正週期之縮短不相容而因此無法充分實施該遷移率校正。此係一應解決的問題。
為提高該螢幕之均勻度，重要的係在最佳條件下實施該遷移率校正。但是，該最佳遷移率校正時間不一定係恆定，而實務上係依據該視訊信號之位準。一般地，當該視訊信號之信號電位較高時(當針對白色顯示之發光亮度較高時)，該最佳遷移率校正時間傾向於較短。相反，當該信號電位並不高時(當實施一灰色或黑色位準之顯示時)，該最佳遷移率校正時間傾向於較長。但是，對於該相關技術顯示器件，不一定考量該最佳遷移率校正時間與該視訊信號的信號電位之相依性，此對於提高該螢幕的均勻度而言係一應解決的問題。
需要本發明提供一種能加速遷移率校正操作以便可在一短暫時間內實施遷移率校正之顯示器件。另一需要係由本發明提供一種可依據一視訊信號之灰階(信號位準)來調整一遷移率校正週期之顯示器件。根據本發明之一第一模式，提供一種顯示器件，其包括：一像素陣列部分，其經組態成用以包括沿列佈置之掃描線、沿行佈置之信號線及佈置於該等掃描線與該等信號線的交叉點處且配置成一矩陣之像素：以及一驅動部分，其經組態成用以具有向該等掃描線循序供應一控制信號以由此實施線序掃描之至少一寫入掃描器以及向該等信號線供應一視訊信號以與該線序掃描匹配之一信號選擇器。該等像素之每一像素包括至少一取樣電晶體、一驅動電晶體、一保持電容器及一發光元件。該取樣電晶體之一控制端子係連接至該掃描線，而該取樣電晶體之一對電流端子係連接於該信號線與該驅動電晶體的一控制端子之間。該驅動電晶體之一對電流端子之一者係連接至該發光元件，而該驅動電晶體之該對電流端子之另一者係連接至一電源供應。該保持電容器係連接於該驅動電晶體的控制端子與該驅動電晶體的電流端子之間。該取樣電晶體係回應於向該掃描線供應之一控制信號而開啟，以由此對來自該信號線之一視訊信號進行取樣並將該視訊信號寫入至該保持電容器，而該取樣電晶體實施從該驅動電晶體流向該保持電容器之一電流的負回授，以由此在一預定校正週期中將取決於該驅動電晶體的遷移率之一校正量寫入至該保持電容器直至回應於一控制信號而關閉該取樣電晶體。該驅動電晶體向該發光元件供應取決於該視訊信號及寫入至該保持電容器的校正量之一電流，以由此驅使該發光元件發光。該寫入掃描器將包括至少雙脈衝之一控制信號供應至該掃描線以由此設定一第一校正週期、一第二校正週期及介於該第一校正週期與該第二校正週期之間的一校正中間週期。該取樣電晶體在該第一校正週期中實施一校正量向該保持電容器之寫入，並在該校正中間週期中加速該校正量向該保持電容器之寫入，而該取樣電晶體在該第二校正週期中安定該校正量向該保持電容器之寫入。
根據本發明之一第二模式，提供一種顯示器件，其包括；一像素陣列部分，其經組態成用以包括沿列佈置之掃描線、沿行佈置之信號線及佈置於該等掃描線與該等信號線的交叉點處且配置成一矩陣之像素；以及一驅動部分，其經組態成用以具有向該等掃描線循序供應一控制信號以由此實施線序掃描之至少一寫入掃描器以及向該等信號線供應一視訊信號以與該線序掃描匹配之一信號選擇器。該等像素之每一像素包括至少一取樣電晶體、一驅動電晶體、一保持電容器及一發光元件。該取樣電晶體之一控制端子係連接至該掃描線，而該取樣電晶體之一對電流端子係連接於該信號線與該驅動電晶體的一控制端子之間。該驅動電晶體之一對電流端子之一者係連接至該發光元件，而該驅動電晶體之該對電流端子之另一者係連接至一電源供應。該保持電容器係連接於該驅動電晶體的控制端子與該驅動電晶體的電流端子之間。該取樣電晶體係回應於向該掃描線供應之一控制信號而開啟，以由此對來自該信號線之一視訊信號進行取樣並將該視訊信號寫入至該保持電容器，而該取樣電晶體實施從該驅動電晶體流向該保持電容器之一電流的負回授，以由此在一預定校正週期中將取決於該驅動電晶體的遷移率之一校正量寫入至該保持電容器直至回應於一控制信號而關閉該取樣電晶體。該驅動電晶體向該發光元件供應取決於該視訊信號及寫入至該保持電容器的校正量之一電流，以由此驅使該發光元件發光。該寫入掃描器向該掃描線供應包括具有互不相同的峰值位準之至少雙脈衝之一控制信號。根據向作為該取樣電晶體的閘極之該取樣電晶體的控制端子施加之雙脈衝之峰值位準(其係依據向作為該取樣電晶體的源極之該取樣電晶體的電流端子施加之一視訊信號的位準)而開啟與關閉該取樣電晶體，以由此依據該視訊信號之位準來自動調整一校正時間。
根據本發明之第一模式，該寫入掃描器將包括雙脈衝之一控制信號供應至該掃描線以由此設定該第一校正週期、該第二校正週期及介於此等校正週期之間的校正中間週期。該取樣電晶體在該第一校正週期中實施一校正量向該保持電容器之寫入，而在該校正中間週期中加速該校正量向該保持電容器之寫入。此外，該取樣電晶體在該第二校正週期中安定該校正量向該保持電容器之寫入。以此方式，將該校正週期分成至少較早週期與較晚週期，而在介於該等較早與較晚週期之間的校正中間週期中加速該校正量之寫入。此特徵允許縮短整個校正時間，此可提供與該顯示器件的解析度及像素密度之提高之相容性。
根據本發明之第二模式，該寫入掃描器向該掃描線供應包括具有互不相同的峰值位準之至少雙脈衝之一控制信號。根據向該取樣電晶體的閘極施加之雙脈衝之峰值位準(其係依據向其源極施加的視訊信號之位準)來開啟與關閉該取樣電晶體，以由此依據該視訊信號之位準來自動調整該遷移率校正時間。此特徵使得可以依據該視訊信號之位準將該遷移率校正時間自動調整為該最佳時間，並因此可針對該視訊信號之所有灰階實現高均勻度之影像顯示。
下面將參考附圖詳細說明本發明之具體實施例。圖1係顯示根據本發明之一具體實施例之一顯示器件的完整組態之一方塊圖。如圖1所示，此顯示器件基本上係由一像素陣列部分1、一掃描器部分及一信號部分構成。該掃描器部分及該信號部分用作一驅動部分。該像素陣列部分1包括沿該等列佈置之第一掃描線WS、第二掃描線DS、第三掃描線AZ1及第四掃描線AZ2及沿該等行佈置之信號線SL。此外，該像素陣列部分1包括配置成一矩陣且係各自連接至該等掃描線WS、DS、AZ1及AZ2以及該掃描線SL之像素電路2。此外，該像素陣列部分1包括用於供應該等個別像素電路2的操作所需要之一第一電位Vss1、一第二電位Vss2及一第三電位VDD之複數個電源供應線。該信號部分係由一水平選擇器3形成並向該等信號線SL供應一視訊信號。該掃描器部分係由一寫入掃描器4、一驅動掃描器5、一第一校正掃描器71及一第二校正掃描器72構成，其分別向該等第一掃描線WS、該等第二掃描線DS、該等第三掃描線AZ1及該等第四掃描線AZ2供應控制信號，來以一逐列方式循序掃描該等像素電路2。
圖2係顯示併入於圖1所示之影像顯示器件中的像素之組態之一電路圖。如圖2所示，該像素電路2包括一取樣電晶體Tr1、一驅動電晶體Trd、一第一切換電晶體Tr2、一第二切換電晶體Tr3、一第三切換電晶體Tr4、一保持電容器Cs及一發光元件EL。在一預定取樣週期期間回應於從該掃描線WS供應之控制信號來開啟該取樣電晶體Tr1，以由此在該保持電容器Cs中對從該信號線SL供應的視訊信號之信號電位進行取樣。該保持電容器Cs依據該視訊信號之經取樣的信號電位向該驅動電晶體Trd之閘極G施加一輸入電壓Vgs。該驅動電晶體Trd將取決於該輸入電壓Vgs之一輸出電流Ids供應至該發光元件EL。在一預定發光週期期間從該驅動電晶體Trd供應之輸出電流Ids驅使該發光元件EL以取決於該視訊信號的信號電位之亮度來發光。
在該取樣週期(視訊信號寫入週期)之前回應於從該掃描線AZ1供應之控制信號來開啟該第一切換電晶體Tr2，以由此將作為該驅動電晶體Trd的控制端子之閘極G的電位設定為該第一電位Vss1。在該取樣週期之前回應於從該掃描線AZ2供應之控制信號來開啟該第二切換電晶體Tr3，以由此將作為該驅動電晶體Trd之電流端子之一端子的該驅動電晶體Trd之源極S的電位設定為該第二電位Vss2。在該取樣週期之前回應於從該掃描線DS供應之控制信號來開啟該第三切換電晶體Tr4，以由此將作為該驅動電晶體Trd之電流端子之另一電流端子的該驅動電晶體Trd之汲極耦合至該第三電位VDD。此驅使該保持電容器Cs保持等效於該驅動電晶體Trd的臨限電壓Vth之電壓，以由此校正該臨限電壓Vth之影響。此外，在一發光週期期間再次回應於從該掃描線DS供應的控制信號而開啟此第三切換電晶體Tr4，以由此將該驅動電晶體Trd耦合至該第三電位VDD。此允許該輸出電流Ids流向該發光元件EL。
從以上說明會明白，該像素電路2包括五個電晶體Tr1至Tr4及Trd、一保持電容器Cs及一發光元件EL。該等電晶體Tr1至Tr3及Trd各係一N通道多晶矽TFT。僅該電晶體Tr4係一P通道多晶矽TFT。但是，本發明不受此限制，但可以任何方式混合N通道TFT與P通道TFT。該發光元件EL係(例如)具有一陽極與一陰極之一二極體型有機EL器件。但是，本發明不受此限制，但該發光元件涵蓋透過電流驅動來發光之所有一般器件。
圖3係僅重點解說在圖2所示之影像顯示器件中之像素電路2的部分之一示意圖。為促進理解，圖3包括藉由該取樣電晶體Tr1取樣的視訊信號之信號電位Vsig、該驅動電晶體Trd之輸入電壓Vgs及輸出電流Ids及該發光元件EL所擁有之一電容組件Coled之表示。下面將基於圖3說明與本發明之具體實施例相關的像素電路2之操作。
圖4係關於圖3所示之像素電路之一時序圖。此時序圖顯示與作為本發明之具體實施例的基礎之一相關技術方法相關的一驅動系統。為清楚顯示本發明之先前技術並促進理解，下面將參考圖4之時序圖來最初明確說明此相關技術方法之驅動系統以作為本發明之具體實施例之一部分。在圖4中，沿一時間軸T顯示向個別掃描線WS、AZ1、AZ2及DS施加的控制信號之波形。為簡化說明，將每一控制信號給定為與對應掃描線的符號相同之符號。由於該等電晶體Tr1、Tr2及Tr3各係一N通道電晶體，因此其在該等掃描線WS、AZ1及AZ2處於高位準時處於該開啟狀態，而在此等掃描線處於低位準時處於該關閉狀態。另一方面，由於該電晶體Tr4係一P通道電晶體，因此其在該掃描線DS處於該高位準時處於該關閉狀態，而在該掃描線DS處於該低位準時處於該開啟狀態。在此時序圖中，除該等個別控制信號WS、AZ1、AZ2及DS之波形外，還顯示該驅動電晶體Trd的閘極G及源極S之電位變化。
在圖4之時序圖中，從一時序T1至一時序T8之週期係定義為一場(1f)。在一場中，將該像素陣列之各列循序掃描一次。在該時序圖中，顯示向在一列上的像素施加之個別控制信號WS、AZ1、AZ2及DS之波形。
在一時序T0(其係在說明標的場開始之前)，所有控制信號WS、AZ1、AZ2及DS皆處於低位準。因此，該等N通道電晶體Tr1、Tr2及Tr3處於關閉狀態，而僅該P通道電晶體Tr4處於該開啟狀態。因此，該驅動電晶體Trd係經由處於開啟狀態的電晶體Tr4耦合至該電源供應VDD，而因此依據該預定輸入電壓Vgs將該輸出電流Ids供應至該發光元件EL。因此，該發光元件EL在時序T0發光。此時施加至該驅動電晶體Trd之輸入電壓Vgs係表示為在閘極電位(G)與源極電位(S)之間的電位差。
在時序T1(其係該說明標的場之開始)，將該控制信號DS從低位準切換為高位準。此關閉該切換電晶體Tr4，從而將該驅動電晶體Trd與該電源供應VDD隔離。因此，停止該發光而一非發光週期開始。即，在該時序T1，所有電晶體Tr1至Tr4均進入關閉狀態。
隨後，在一時序T2，將該等控制信號AZ1及AZ2切換為高位準，從而開啟該等切換電晶體Tr2及Tr3。因此，將該驅動電晶體Trd之閘極G耦合至該參考電位Vss1，而將其源極S耦合至該參考電位Vss2。該等電位Vss1及Vss2滿足關係式Vss1-Vss2>Vth。因此，透過確保關係式Vss1-Vss2=Vgs>Vth，實施從一時序T3為Vth校正所作之準備。即，週期T2至T3對應於針對該驅動電晶體Trd之重設週期。此外，設計關係式VthEL>Vss2，其中VthEL表示該發光元件EL之臨限電壓。由於此關係式而施加負偏壓至該發光元件EL，而因此該發光元件EL處於所謂的反向偏壓狀態。需要此反向偏壓狀態來正常地實施Vth校正操作及較晚的遷移率校正操作。
在時序T3，將該控制信號AZ2切換為低位準，而還立即將該控制信號DS切換為該低位準。因此，該電晶體Tr3係關閉，而該電晶體Tr4係開啟。因此，該汲極電流Ids朝該保持電容器Cs流動，從而開始該Vth校正操作。在該電流動期間，將該驅動電晶體Trd之閘極G之電位保持於Vss1。該電流Ids流動，直至切斷該驅動電晶體Trd。在該驅動電晶體Trd切斷之時序，該驅動電晶體Trd之源極電位(S)係Vss1-Vth。在切斷該汲極電流後之一時序T4，再次將該控制信號DS返回至該高位準以關閉該切換電晶體Tr4。此外，將該控制信號AZ1返回該低位準以由此關閉該切換電晶體Tr2。因此，Vth係保持並固定於該保持電容器Cs中。以此方式，在週期T3至T4中偵測該驅動電晶體Trd之臨限電壓Vth。在本說明書中，該偵測週期T3至T4係稱為一Vth校正週期。
在由此實施該Vth校正後，在一時序T5將該控制信號WS切換為該高位準。因此，開啟該取樣電晶體Tr1以由此將該視訊信號Vsig寫入至該保持電容器Cs。該保持電容器Cs之電容與該發光元件EL的等效電容器Coled之電容比相當低。因此，該視訊信號Vsig之大部分係寫入至該保持電容器Cs。確切地說，該電位差Vsig-Vss1係寫入至該保持電容器Cs。因此，該驅動電晶體Trd的閘極G與源極S之間的電壓Vgs變成電壓(Vsig-Vss1+Vth)，其係由經取樣電壓Vsig-Vss1與預先偵測並保持的電壓Vth相加所得。若採用關係式Vss1=0V以便簡化以下說明，則如圖4之時序圖所示，該閘極源極電壓Vgs係Vsig+Vth。實施該視訊信號Vsig之此取樣直至一時序T7，在此時序將該控制信號WS返回至該低位準。即，週期T5至T7對應於該取樣週期(視訊信號寫入週期)。
在一時序T6(其係在作為該取樣週期的結束時序之時序T7之前)，將該控制信號DS切換為該低位準，從而開啟該切換電晶體Tr4。此操作將該驅動電晶體Trd耦合至該電源供應VDD，以使得該像素電路之操作序列從該非發光週期繼續進行至一發光週期。以此方式，在週期T6至T7(其中該取樣電晶體Tr1仍處於該開啟狀態而該切換電晶體Tr4處於該開啟狀態)期間，實施與該驅動電晶體Trd的遷移率相關之校正。即，在一先前技術方法之此範例中，在週期T6至T7(其中該取樣週期之較晚部分與該發光週期之開始部分重疊)期間實施遷移率校正。在用於該遷移率校正之該發光週期的開始部分中，事實上該發光元件EL處於該反向偏壓狀態而因此不發射任何光。在此遷移率校正週期T6至T7中，在該驅動電晶體Trd之閘極G係固定處於該視訊信號Vsig之位準的狀態中，該汲極電流Ids流經該驅動電晶體Trd。若預先設計該關係式Vss1-Vth<VthEL，則該發光元件EL係保持於該反向偏壓狀態而因此不呈現一二極體特性但呈現一簡單的電容特性。因此，將流經該驅動電晶體Trd的電流Ids寫入至該電容器C=Cs+Coled，此係由於該發光元件EL的保持電容器Cs與等效電容器Coled之間的耦合所致。此使得該驅動電晶體Trd之源極電位(S)上升。在圖4之時序圖中以ΔV來指示此電位升高。此ΔV之電位升高最終係等效於從保持於該保持電容器Cs中的閘極源極電壓Vgs減去電壓ΔV，而因此係等效於該負回授。藉由由此實施該驅動電晶體Trd的輸出電流Ids向同一驅動電晶體Trd的輸入電壓Vgs之負回授，來允許針對遷移率μ之校正。可藉由調整該遷移率校正週期T6至T7之時間寬度t來使得負回授量ΔV最佳化。
在時序T7，將該控制信號WS切換為該低位準，此關閉該取樣電晶體Tr1。因此，將該驅動電晶體Trd之閘極G與該信號線SL隔離。由於停止施加該視訊信號Vsig，因此准許該驅動電晶體Trd之閘極電位(G)增加，而因此與該源極電位(S)一起上升。在此電位上升期間，保持於該保持電容器Cs中的閘極源極電壓Vgs係保持於值(Vsig-ΔV+Vth)。該源極電位(S)之增加在適當時間消除該發光元件EL之反向偏壓狀態。因此，該發光元件EL因該輸出電流Ids向其流動而開始實際發光。此時該汲極電流Ids與該閘極電壓Vgs之間的關係係由等式2來表示，其係藉由將等式1中的Vgs替換為Vsig-ΔV+Vth來獲得。
Ids=kμ(Vgs-Vth)2 =kμ(Vsig-ΔV)2 　...　等式2
在等式2中，k=(1/2)(W/L)Cox。等式2不包括項Vth，此意謂著向該發光元件EL供應的輸出電流Ids與該驅動電晶體Trd之臨限電壓Vth並無相依性。基本上，該汲極電流Ids係由該視訊信號之信號電位Vsig決定。即，該發光元件EL以取決於該視訊信號Vsig之亮度來發光。此電壓Vsig係因藉由該負回授量ΔV所作之校正而得出。此校正量ΔV起到抵消該遷移率μ的影響(存在於等式2之係數部分)之功能。因此，該汲極電流Ids實際上僅與該視訊信號Vsig相依。
最後，在時序T8，將該控制信號Ds切換為該高位準而因此關閉該切換電晶體Tr4，從而完成該發光及該說明標的場。同時開始下一場，從而將再次重複該Vth校正操作、該遷移率校正操作及該發光操作。
圖5係顯示在遷移率校正週期T6至T7中該像素電路2的狀態之一電路圖。如圖5所示，在該遷移率校正週期T6至T7中，該取樣電晶體Tr1與該切換電晶體Tr4處於該開啟狀態而該切換電晶體Tr2與Tr3處於該關閉狀態。在此狀態中，該驅動電晶體Tr4之源極電位(S)最初係Vss1-Vth。此源極電位(S)係等效於該發光元件EL之陽極電位。如上所述，若預先設計該關係式Vss1-Vth<VthEL，則發光元件EL係保持於該反向偏壓狀態而因此不呈現一二極體特性但呈現一簡單的電容特性。因此，流經該驅動電晶體Trd的電流Ids流入介於該保持電容器Cs與該發光元件EL的等效電容器Coled之間的合成電容器，即，流入電容器C=Cs+Coled。即，發生該汲極電流Ids之部分向該保持電容器Cs之負回授，此提供針對該遷移率之校正。
圖6係顯示等式2之一曲線圖。該輸出電流Ids係標繪於縱座標上，而該電壓Vsig係標繪於橫座標上。在此曲線圖之下表示等式2。圖6之曲線圖指示兩個特性曲線作為像素1與像素2之間的比較。像素1中的驅動電晶體之遷移率μ相對較高。相反，包括於像素2中的驅動電晶體之遷移率μ相對較低。若該驅動電晶體係由一多晶矽薄膜電晶體或類似物形成，則其遷移率μ將不可避免地以此方式隨不同像素而變化。若將該視訊信號之相同信號電位Vsig寫入至(例如)像素1與像素2兩者，則針對該遷移率之校正皆不會導致在具有高遷移率μ的像素1中流動之一輸出電流Ids1'與在具有低遷移率μ的像素2中流動之一輸出電流Ids2'之間的一較大差異。由於歸因於該遷移率μ之變化而以此方式產生該等輸出電流Ids之間的較大差異，故發生條紋不均勻並因此破壞該螢幕之均勻度。
為解決此問題，在一相關技術方法之此範例中，透過該輸出電流向該輸入電壓側之負回授來抵消該遷移率之變化。從等式1會明白，較高的遷移率提供一較大的汲極電流Ids。因此，該遷移率越高，該負回授量ΔV便越大。如圖6之曲線圖所示，具有高遷移率μ的像素1之負回授量ΔV係大於具有低遷移率μ的像素2之負回授量ΔV2。因此，該較高遷移率μ產生一較大的負回授量，此允許抑制變化。明確言之，如圖6所示，當針對具有高遷移率μ之像素1實施藉由ΔV1所作之校正時，其輸出電流從Ids1'至Ids1大大減小。相反，由於針對具有低遷移率μ的像素2之校正量ΔV2較小，因此其輸出電流之減小量並不很大：從Ids2'至Ids2。因此，Ids1與Ids2係幾乎相等，而因此抵消該遷移率之變化。此遷移率變化之抵消係橫跨從黑色位準至白色位準之該信號電位Vsig的整個範圍來實施，而因此該螢幕之均勻度極高。合起來看，若像素1之遷移率係高於像素2之遷移率，則像素1之校正量ΔV1係大於像素2之校正量ΔV2。即，較高遷移率引起一較大校正量ΔV，而因此引起該輸出電流Ids之一較大的減小量。因此，等化涉及遷移率的差之該等像素的電流值，而因此可校正該遷移率之變化。
為作參考，下面將對上述遷移率校正作數值分析。此分析係針對該等電晶體Tr1及Tr4處於如圖5所示之開啟狀態中之狀態而實施，而在此分析中將該驅動電晶體Trd之源極電位用作一變數V。當該驅動電晶體Trd之源極電位(S)係定義為V時，流經該驅動電晶體Trd之汲極電流Ids係由等式3來表示。
Ids =k μ(Vgs -Vth )2 =k μ(Vsig -V -Vth )2 　...　等式3
此外，該汲極電流Ids與該電容C(=Cs+Coled)之間的關係提供公式Ids=dQ/dt=CdV/dt，如等式4所表示。
將等式3代入等式4，而接著實行所得等式的兩側之積分。該源極電壓V之初始值為-Vth，而該遷移率變化校正週期(T6至T7)之時間寬度係定義為t。求解此差動等式之結果係，獲得與該遷移率校正時間t成函數關係之像素電流，如等式5所表示。
關於該遷移率校正，該最佳遷移率校正時間不一定係恆定而依據該視訊信號之信號位準(信號電壓)來變化。圖7係顯示該最佳遷移率校正時間與該信號電壓之間的關係之一曲線圖。從圖7會明白，當該信號電壓針對白色位準較高時，該最佳遷移率校正時間相比之下較短。當該信號電壓具有針對一灰色位準之一值時，該最佳遷移率校正時間變得更長。此外，當該信號電壓具有針對黑色位準之值時，該最佳遷移率校正時間傾向於進一步延伸。如上所述，在該遷移率校正週期期間向該保持電容器的負回授之校正量ΔV係與該信號電壓Vsig成比例。當該信號電壓較高時，該負回授量對應地較大，而因此該最佳遷移率校正時間傾向於較短。另一方面，當該信號電壓較低時，充分校正所需要的最佳遷移率校正時間傾向於較長，因為該驅動電晶體之電流供應能力變得較低。
針對此特性，過去已開發一系統，其中將該取樣電晶體Tr1的關閉時序自動調整成使得當向該信號線SL供應的視該信號線SL供應的視訊信號之信號電位Vsig較低時該校正時間t變得較長。
圖8之波形圖顯示該控制信號DS之下降波形及該控制信號WS之下降波形，其分別決定該切換電晶體Tr4的開啟時序及該切換電晶體Tr1的關閉時序，此定義該遷移率校正週期t。在向該切換電晶體Tr4的閘極施加之控制信號DS之電位變成低於操作點VDD-|Vtp|時，開啟該切換電晶體Tr4，從而使得該遷移率校正時間開始。VDD表示向該切換電晶體Tr4的源極施加之電壓，而Vtp表示該切換電晶體Tr4之臨限電壓。
將該控制信號WS施加至該取樣電晶體Tr1之閘極。該控制信號WS之下降波形係如圖8所示。明確言之，最初其電位從該供應電位Vcc急劇下降，而接著朝接地電位Vss逐漸減小。當向該取樣電晶體Tr1的源極施加之一信號電位Vsig1係針對該白色位準並因此較高時，該最佳遷移率校正時間t1係較短，因為該取樣電晶體Tr1之閘極電位快速下降至操作點Vsig1+Vtn。Vsig1表示向該取樣電晶體Tr1的源極施加之電壓，而Vtn表示該取樣電晶體Tr1之臨限電壓。當該信號電位係針對一灰色位準的Vsig2時，在該閘極電位從Vcc降低至該操作點Vsig2+Vtn之時序關閉該取樣電晶體Tr1。因此，對應於針對灰色位準的Vsig2之最佳校正時間t2比t1更長。此外，當該信號電位係針對接近黑色位準的Vsig3時，與針對該灰色位準的最佳遷移率校正時間t2相比，該最佳遷移率校正時間t3係進一步更長。
為自動設定針對每一灰階之最佳遷移率校正時間，需要將向該掃描線WS施加的控制信號脈衝之下降波形成形為如圖8所示者之最佳形式。為滿足此需要，一相關技術方法之範例採用一寫入掃描器，其係基於一用於擷取從一外部模組(脈衝產生器)供應之一電源供應脈衝的系統。下面將參考圖9來說明此範例。圖9示意性顯示該寫入掃描器4的輸出部分之三個級(第N-1級、第N級、第N+1級)以及連接至此等三個級的該像素陣列部分1之三個列(三個線)。
該寫入掃描器4包括移位暫存器S/R。該移位暫存器S/R回應於從該外部輸入之一時脈信號而操作並循序傳輸從外部輸入之一開始信號以由此以一逐級方式輸出一循序信號。一NAND元件係連接至該等移位暫存器S/R之每一級。該NAND元件針對從處於相鄰級的移位暫存器S/R輸出之循序信號實行NAND處理，以由此產生具有一矩形波形之一輸入信號IN。具有一矩形波形之此信號係經由一反相器輸入至一輸出緩衝器4B。此輸出緩衝器4B回應於從該移位暫存器側供應之輸入信號IN而操作，並將最終的控制信號WS作為一輸出信號OUT供應至在該像素陣列部分1中的對應掃描線WS。
該輸出緩衝器4B係由串聯連接於供應電位Vcc與接地電位Vss之間的一對切換元件構成。在此具體實施例中，此輸出緩衝器4B具有一反相器組態。該等切換元件之一者係一P通道電晶體TrP(一般係一PMOS電晶體)，而另一者係一N通道電晶體TrN(一般係一NMOS電晶體)。在該像素陣列部分側上的每一線(連接至該等輸出緩衝器4B之一個別輸出緩衝器)係由作為一等效電路之電阻組件R與電容組件C來表示。
在此範例中，該輸出緩衝器4B擷取從一外部脈衝模組4P供應之一電源供應脈衝至一電源供應線，以由此形成該控制信號WS之確定波形。如上所述，此輸出緩衝器4B具有一反相器組態：該P通道電晶體TrP與該N通道電晶體TrN係串聯連接於該電源供應線與該接地電位Vss之間。當回應於來自該移位暫存器S/R側的輸入信號IN而開啟該輸出緩衝器之P通道電晶體TrP時，該輸出緩衝器4B擷取向該電源供應線供應的電源供應脈衝之下降波形並將所擷取之波形作為該控制信號WS之確定波形供應至該像素陣列部分1側。藉由該外部模組4P與該輸出緩衝器4B分離地產生包括該確定波形之脈衝並以此方式將此脈衝供應至該輸出緩衝器4B之電源供應線，可產生具有所需確定波形之控制信號WS。在此情況下，當開啟作為顯性切換元件之P通道電晶體TrP而關閉作為隱性切換元件之N通道電晶體TrN時，該輸出緩衝器4B擷取從該外部供應之電源供應脈衝之下降波形並將所擷取的波形作為該控制信號WS之確定波形OUT輸出。
圖10係用於說明圖9所示之寫入掃描器的操作之一時序圖。如圖10所示，隨1H循環振盪的該等電源供應脈衝之一串係從一外部模組輸入至在該寫入掃描器中的輸出緩衝器之電源供應線。與之同步，將該輸入脈衝IN施加至該輸出緩衝器之反相器。該時序圖顯示向第N-1級及第N級的反相器供應之輸入脈衝IN。此外，沿與該等輸入脈衝IN之時間軸相同之時間軸顯示從該第N-1級及該第N級供應之輸出脈衝OUT。此輸出脈衝OUT係等效於向在對應線上的掃描線WS施加的控制信號。
從該時序圖會明白，該寫入掃描器之每一級之輸出緩衝器回應於該輸入脈衝IN擷取該電源供應脈衝，並將所擷取的脈衝按其原樣作為該輸出脈衝OUT供應至對應的掃描線WS。從該外部模組供應該電源供應脈衝，並可將其下降波形預先設定為最佳波形。此寫入掃描器將此下降波形按其原樣來擷取並針對該控制信號脈衝使用所擷取之波形。
圖11係顯示藉由圖9所示之寫入掃描器產生的控制信號WS之一波形圖。圖11還顯示從該驅動掃描器輸出之控制信號DS。如圖11所示，該遷移率校正開始於該P通道切換電晶體Tr4係因該控制信號DS之下降而開啟之時序，而結束於該N通道取樣電晶體Tr1係因該控制信號WS之下降而關閉之時序。該切換電晶體Tr4之開啟時序係與該控制信號DS之電位變成低於VDD-∣Vtp∣之時序相同。Vtp表示該P通道切換電晶體Tr4之臨限電壓。該取樣電晶體Tr1之關閉時序係與該控制信號WS之電位變成低於Vsig+Vtn之時序相同。Vtn表示該N通道取樣電晶體Tr1之臨限電壓。該信號電位Vsig係從該信號線向該取樣電晶體Tr1之源極施加，而該控制信號WS係從該掃描線WS向該取樣電晶體Tr1之閘極施加。當該閘極電位變得低於藉由將Vtn與該源極電位相加而獲得之電位時關閉該取樣電晶體Tr1。
當該輸入信號IN處於該低位準時，在根據相關技術方法之圖9所示的寫入掃描器中之輸出緩衝器4B經由該P通道電晶體TrP擷取該電源供應脈衝。欲擷取的電源供應脈衝之位準越低，則該輸出緩衝器4B的P通道電晶體TrP之操作電壓Vgs便越低。當該操作電壓Vgs較低時，所擷取的控制信號WS之脈衝瞬變更易受到該P通道電晶體TrP的特性變化之影響。特定言之，由於該P通道電晶體TrP的臨限電壓變化之影響，該控制信號WS的瞬變τ發生變化。在圖11之波形圖中，該控制信號WS之下降波形A指示標準相位，而該下降波形B指示涉及該瞬變τ之一較大變化的最差情況。從圖11會明白，在該最差情況下的遷移率校正時間比在該控制信號WS的下降波形具有該標準相位時更長。以此方式，在基於用於藉由擷取該電源供應脈衝產生該控制信號WS的系統之寫入掃描器中，該控制信號WS的瞬變因製程之影響而隨不同掃描線而變化，而因此該遷移率校正時間亦隨不同掃描線而變化。此變化呈現為在該螢幕上沿水平方向的亮度不均勻(條紋)，此破壞該螢幕之均勻度。
此外，在根據該相關技術方法之寫入掃描器中，一斜率係肯定地賦予該控制信號WS之下降波形，以使得如圖8之波形圖所示對應於該視訊信號的亮度位準之遷移率校正時間最佳化。如圖8所示，當該視訊信號處於位準Vsig1(作為一相比之下較高的位準)時，該最佳遷移率校正時間t1較短。相反，當該視訊信號處於位準Vsig3(作為一相比之下較低的位準)時，該最佳遷移率校正時間t3較長。即，隨著該視訊信號之位準變得越低，該最佳遷移率校正時間t變得越長，而此特性常常與顯示面板的操作速度之提高不相容。明確言之，若隨同該面板的解析度及像素密度之提高而提高一面板之操作速度，則縮短該水平掃描週期。因此，需要在縮短的水平掃描週期內完成該遷移率校正操作。但是，當該最佳遷移率校正時間t針對低亮度而較長時，要讓該相關技術方法之系統滿足此需要變得更難，而此係一應當解決之問題。
此外，在根據相關技術方法之圖9所示的寫入掃描器中，該模組需要以一水平掃描週期(1H)之一循環來產生該電源供應脈衝。此外，所有級之負載係連接至該等互連以將該電源供應脈衝供應至該像素陣列部分側，而因此其互連電容很高。因此，供應該電源供應脈衝之外部模組的功率消耗較高。此外，需要確保穩定的脈衝瞬變以控制該遷移率校正時間。為滿足此需要，需要提高該脈衝模組之能力。此導致模組區域之增加。在應用於行動裝置之一顯示器時，尤其需要減小該顯示器件之功率消耗。但是，採用圖9所示之外部模組之掃描器組態難以滿足此需要。
圖12係顯示用於解決根據該相關技術方法之寫入掃描器的上述問題之一寫入掃描器之一示意性電路圖。圖12所示之寫入掃描器係併入於根據本發明之一具體實施例之圖1及2所示之顯示器件的驅動部分中。如圖12所示，該寫入掃描器4包括移位暫存器S/R。該移位暫存器S/R回應於從該外部輸入之一時脈信號而操作並循序傳輸從外部輸入之一開始信號以由此以一逐級方式輸出一循序信號。一NAND元件係連接至該等移位暫存器S/R之每一級。該NAND元件針對從處於相鄰級的移位暫存器S/R輸出之循序信號實行NAND處理，以由此產生一輸入信號作為該控制信號WS之基礎。將此輸入信號供應至一輸出緩衝器4B。此輸出緩衝器4B回應於從該移位暫存器S/R側供應之輸入信號而操作，並將最終的控制信號WS供應至在該像素陣列部分中的對應掃描線WS。在圖12中，每一掃描線WS的互連電阻係表示為R，而連接至每一掃描線WS的像素之電容係表示為C。
該輸出緩衝器4B係由串聯連接於供應電位Vcc與接地電位Vss之間的一對切換元件構成。在此範例中，此輸出緩衝器4B具有一反相器組態。該等切換元件之一者係一P通道電晶體TrP，而另一者係一N通道電晶體TrN。該反相器使得經由該NAND元件從對應級的移位暫存器S/R供應之輸入信號倒轉，並將該反相信號作為該控制信號輸出至對應的掃描線WS。根據本發明之一具體實施例之此寫入掃描器不採用任何外部脈衝電源供應。藉由該輸出緩衝器4B使得從該移位暫存器S/R供應之輸入信號倒轉並將其放大，並將所得信號作為該控制信號供應至對應的掃描線WS。該寫入掃描器循序傳輸從該外部輸入之開始信號，以由此產生作為該控制信號的基礎之輸入信號。該控制信號之波形基本上與該開始信號之波形相同。此寫入掃描器藉由在不使用一外部脈衝電源供應之條件下以與一典型掃描器類似的方式循序傳輸該開始信號來獲得該控制信號。此允許抑制該寫入掃描器之功率消耗。
作為本發明之具體實施例之一第一特徵，圖12所示之寫入掃描器4向該掃描線WS供應包括至少雙脈衝之一控制信號以由此定義一第一校正週期、一第二校正週期及介於其間之一校正中間週期。由於此特徵，在每一像素中的取樣電晶體可在該第一校正週期中實施一校正量向該保持電容器之寫入，而在該校正中間週期中加速該校正量向該保持電容器之寫入。此外，該取樣電晶體可在該第二校正週期中安定該校正量向該保持電容器之寫入。該遷移率校正量之寫入之加速可縮短該遷移率校正時間，從而允許與該面板的驅動速度之提高相容。在該校正中間週期中，該取樣電晶體依據該視訊信號之位準而自動調整該校正量向該保持電容器的寫入之加速程度，並由此可將取決於該視訊信號的位準之校正量寫入至該保持電容器。明確言之，在寫入針對黑色位準的視訊信號之情況下的加速程度與寫入針對白色位準的視訊信號之情況相比相對較高。因此，即使對於針對該黑色位準的視訊信號，亦與相關技術方法之範例不同而可在一短暫時間內完成該遷移率校正操作。
作為本發明之具體實施例之一第二特徵，該寫入掃描器4向該掃描線WS供應包括具有互不相同的峰值位準之至少雙脈衝之一控制信號。由於此特徵，根據向在每一像素中的取樣電晶體之閘極施加之雙脈衝之峰值位準(其係依據向其源極施加的視訊信號之位準)來開啟與關閉該取樣電晶體，而由此可依據該視訊信號之位準來自動調整該校正時間。明確言之，該寫入掃描器4向該掃描線WS供應包括由一第一脈衝與一第二脈衝構成的雙脈衝之控制信號WS，其峰值位準係低於該第一脈衝之峰值位準。由於此信號供應，當該視訊信號之位準較高(針對該白色位準)時，該取樣電晶體係回應於該第一脈衝而開啟並僅在其因該第一脈衝所致之開啟狀態之週期期間將該校正量寫入至該保持電容器。另一方面，當該視訊信號之位準較低(針對該黑色位準)時，該取樣電晶體係回應於該第一脈衝與回應於該第二脈衝兩者而開啟並在其因該等第一及第二脈衝所致之開啟狀態之週期期間將該校正量寫入至該保持電容器。以此方式，可依據該視訊信號之亮度位準來自動實施該遷移率校正時間之切換控制。依據該情況，該寫入掃描器4將包括於該控制信號WS中的個別脈衝之脈衝寬度設定為比該等脈衝的脈衝波形之瞬變時間更短，以由此設定該等個別脈衝之峰值位準。
從以上說明會明白，在本發明之具體實施例中該遷移率校正操作係分成複數次操作。電流還在所分割的校正時間之間的週期中流動，以便實施加速的遷移率校正。透過對應於個別操作點的校正時間之合成，來決定針對每一灰階之遷移率校正時間。該寫入掃描器不具有一用於擷取一電源供應脈衝之組態，但循序傳輸一原來包括雙脈衝之開始脈衝以由此將包括該等雙脈衝之一控制信號供應至該等個別掃描線並以一分割方式實施所需要的遷移率校正操作。
圖13係顯示根據本發明之一第一具體實施例之一顯示器件的一示意性時序圖。為便於理解，圖13之時序圖採用與關於參考範例的圖4之時序圖相同之表示方式。此第一具體實施例對應於本發明之第一模式。
在一時序T0(其係在該說明標的場開始之前)，所有控制信號WS、AZ1、AZ2及DS皆處於低位準。因此，該等N通道電晶體Tr1、Tr2及Tr3處於一關閉狀態而僅該P通道電晶體Tr4處於開啟狀態。因此，該驅動電晶體Trd係經由處於開啟狀態的電晶體Tr4耦合至該電源供應VDD，而因此依據該預定輸入電壓Vgs將該輸出電流Ids供應至該發光元件EL。因此，該發光元件EL在時序T0發光。此時施加至該驅動電晶體Trd之輸入電壓Vgs係表示為在該閘極電位(G)與該源極電位(S)之間的電位差。
在一時序T1(其係該說明標的場之開始)，將該控制信號DS從低位準切換為高位準。此關閉該切換電晶體Tr4，從而將該驅動電晶體Trd與該電源供應VDD隔離。因此，停止該發光而一非發光週期開始。即，在時序T1，所有電晶體Tr1至Tr4皆進入該關閉狀態。
隨後，在一時序T2，將該等控制信號AZ1及AZ2切換為高位準，從而開啟該等切換電晶體Tr2及Tr3。因此，將該驅動電晶體Trd之閘極G耦合至參考電位Vss1，而將其源極S耦合至參考電位Vss2。該等電位Vss1及Vss2滿足關係式Vss1-Vss2>Vth。因此，透過確保關係式Vss1-Vss2=Vgs>Vth，實施從一時序T3為Vth校正所作之準備。即，該週期T2至T3對應於針對該驅動電晶體Trd之重設週期。此外，設計關係式VthEL>Vss2，其中VthEL表示該發光元件EL之臨限電壓。由於此關係式，施加一負偏壓至該發光元件EL，而因此該發光元件EL處於所謂的反向偏壓狀態。需要此反向偏壓狀態來正常地實施Vth校正操作及稍後的遷移率校正操作。
在時序T3，將該控制信號AZ2切換為低位準，而還立即將該控制信號DS切換為該低位準。因此，關閉該電晶體Tr3，而同時開啟該電晶體Tr4。因此，該汲極電流Ids朝該保持電容器Cs流動，從而開始該Vth校正操作。在該電流動期間，將該驅動電晶體Trd之閘極G之電位保持於Vss1。該電流Ids流動，直至切斷該驅動電晶體Trd。在切斷該驅動電晶體Trd之時序，該驅動電晶體Trd之源極電位(S)係Vss1-Vth。在切斷該汲極電流後之一時序T4，再次將該控制信號DS返回至該高位準以由此關閉該切換電晶體Tr4。此外，將該控制信號AZ1返回該低位準以由此關閉該切換電晶體Tr2。因此，Vth係保持並固定於該保持電容器Cs中。以此方式，在週期T3至T4中偵測該驅動電晶體Trd之臨限電壓Vth。在本說明書中，該偵測週期T3至T4係稱為一Vth校正週期。
在由此實施該Vth校正後，在一時序T5將該控制信號WS切換為該高位準。因此，開啟該取樣電晶體Tr1以由此將該視訊信號Vsig寫入至該保持電容器Cs。該保持電容器Cs之電容與該發光元件EL之等效電容器Coled之電容比相當低。因此，該視訊信號Vsig之大部分係寫入至該保持電容器Cs。確切地說，該電位差Vsig-Vss1係寫入至該保持電容器Cs。因此，該驅動電晶體Trd的閘極G與源極S之間的電壓Vgs變成電壓(Vsig-Vss1+Vth)，其係由經取樣電壓Vsig-Vss1與預先偵測並保持的電壓Vth相加所得。若採用關係式Vss1=0V以便簡化以下說明，則如圖13之時序圖所示，該閘極源極電壓Vgs係Vsig+Vth。實施該視訊信號Vsig之此取樣直至一時序T7，在此時序將該控制信號WS返回至該低位準。即，週期T5至T7對應於該取樣週期(視訊信號寫入週期)。
在一時序T6(其係在作為該取樣週期的結束時序之時序T7之前)，將該控制信號DS切換為該低位準，從而開啟該切換電晶體Tr4。此將該驅動電晶體Trd之汲極耦合至該電源供應VDD，從而將電流供應至該像素。在週期T6至T7(其中該取樣電晶體Tr1仍處於該開啟狀態而該切換電晶體Tr4進入該開啟狀態)期間，實施針對該驅動電晶體Trd之第一遷移率校正。在此第一遷移率校正週期T6至T7中，該汲極電流Ids在該驅動電晶體Trd之閘極G係固定處於該視訊信號Vsig之位準的狀態中流經該驅動電晶體Trd。若預先設計該關係式Vss1-Vth<Vthel，則該發光元件EL係保持於該反向偏壓狀態而因此不呈現一二極體特性但呈現一簡單的電容特性。因此，將流經該驅動電晶體Trd的電流Ids寫入至該電容器C=Cs+Coled，此係由於該發光元件EL的保持電容器Cs與等效電容器Coled之間的耦合所致。此使得驅動電晶體Trd之源極電位(S)上升。此電位升高最終係等效於與保持於該保持電容器Cs中的閘極源極電壓Vgs相減，而因此係等效於該負回授。藉由由此實施該驅動電晶體Trd的輸出電流Ids向同一驅動電晶體Trd的輸入電壓Vgs之負回授，來允許針對遷移率μ之校正。
在時序T7，將該控制信號WS切換為該低位準，此關閉該取樣電晶體Tr1。該校正中間週期開始並一直繼續到在一時序T8再次將該控制信號WS切換為該高位準。在此校正中間週期T7至T8中，該驅動電晶體Trd之閘極G係與該信號線SL隔離。由於停止向該閘極施加該視訊信號Vsig，因此准許該驅動電晶體Trd之閘極電位(G)增加，而因此與該源極電位(S)一起上升。在該校正中間週期T7至T8中之此自舉操作允許加速的遷移率校正操作。明確言之，在此校正中間週期T7至T8中，該驅動電晶體Trd之源極電位(S)如同在該第一遷移率校正週期之情況下一樣增加，而增加之程度與在該第一遷移率校正週期之情況下相比而提高，因為在該校正中間週期T7至T8中該閘極電位之增加不受抑制。
在時序T8，施加該第二控制信號脈衝至該掃描線WS，而因此再次開啟該取樣電晶體Tr1。直至該第二脈衝停止於一時序T9之週期用作一第二遷移率校正週期T8至T9。在該第二遷移率校正週期開始後，立即再次開啟該取樣電晶體Tr1，而因此將該驅動電晶體Trd之閘極G之電位抑制為該視訊信號Vsig之位準。另一方面，電流因該遷移率校正操作而不斷流向該驅動電晶體Trd之源極S，而因此該源極電位(S)繼續增加。但是，其增加速度與該校正中間週期T7至T8中不同而並不高，因為該閘極電位(G)係受抑制為Vsig。
由於該第一遷移率校正週期T6至T7、該校正中間週期T7至T8及該第二遷移率校正週期T8至T9之消逝，因此該驅動電晶體Trd的源極電位(S)之增加量達到ΔV。此ΔV係合成遷移率校正量。
在時序T9，將該控制信號WS切換為該低位準，此關閉該取樣電晶體Tr1。因此，該驅動電晶體Trd之閘極G係與該信號線SL隔離。由於停止施加該視訊信號Vsig，因此准許該驅動電晶體Trd之閘極電位(G)增加，而因此與該源極電位(S)一起上升。在此電位升高期間，保持於該保持電容器Cs中的閘極源極電壓Vgs係保持於值(Vsig-ΔV+Vth)。該源極電位(S)之增加在適當時間消除該發光元件EL之反向偏壓狀態。因此，該發光元件EL因該輸出電流Ids向其的流動而開始實際發光。
最後，在一時序T10，將該控制信號DS切換為該高位準，而因此關閉該切換電晶體Tr4。此將該像素與該供應電位VDD隔離，從而結束該發光及該說明標的場。同時開始下一場，從而將再次重複該Vth校正操作、經分割的遷移率校正操作及該發光操作。
圖14係顯示特定言之在從時序T6至時序T9之週期內該等控制信號WS及DS的波形之一圖式。如上所述，將該控制信號WS施加至該取樣電晶體之閘極。在圖14中，顯示針對該白色位準之取樣電晶體的操作點與針對該黑色位準之取樣電晶體的操作點。每次在該控制信號WS之電位橫跨此操作點時，便在該開啟狀態與該關閉狀態之間切換該取樣電晶體之狀態。將該控制信號DS施加至該取樣電晶體Tr4之閘極。還顯示此切換電晶體Tr4之操作點。回應於橫跨此操作點之該控制信號DS的電位之交越，在該開啟狀態與該關閉狀態之間切換該切換電晶體Tr4之狀態。在此範例中，該控制信號WS具有一接近矩形的波形，而其下降邊緣與上升邊緣皆較尖銳。因此，該白色位準與該黑色位準之間的操作點之差異不會造成大的影響。
最初在該時序T6，在將該取樣電晶體Tr1保持於該開啟狀態之情況下開啟該切換電晶體Tr4，從而使得遷移率校正週期1開始。在該時序T7，暫時關閉該取樣電晶體而因此遷移率校正週期1結束。與在圖4所示之參考範例中相比，此遷移率校正週期1係設定得較短。
同樣，在時序T7(其係作為該遷移率校正週期1的結束時序)之後，該切換電晶體Tr4處於該開啟狀態。因此，同樣在該校正中間週期中，電流從該供應電位VDD流向該驅動電晶體，而因此該驅動電晶體之源極電位上升。此時，該驅動電晶體之閘極處於高阻抗狀態，而因此該閘極電位亦上升。由於從該驅動電晶體供應的輸出電流Ids係與該遷移率μ成比例，因此此等電位升高係與該遷移率成比例。換言之，在該校正中間週期中實施加速遷移率校正。
在該時序T8，再次開啟該取樣電晶體而遷移率校正週期2因此開始。此時，與在該遷移率校正週期1中一樣該信號電位處於Vsig，而因此與在遷移率校正週期1中一樣將該驅動電晶體之閘極電位設定為Vsig。另一方面，在該校正中間週期中，該閘極電位與該源極電位皆因如上所述之自舉效應而上升。在時序T8，僅該閘極電位返回至Vsig，而該源極電位不返回但繼續上升。因此，在該校正中間週期中的加速遷移率校正週期在該驅動電晶體之閘極電位於時序T8返回至VSig之時序結束。在該校正中間週期中尚未完成該遷移率校正。因此，在此校正中間週期中從該驅動電晶體供應之輸出電流Ids係大於在該校正完成後供應之電流。針對一低灰階在該校正中間週期中供應的電流與在該校正完成後供應的電流之比率與針對一高灰階之該比率相比相對較高。因此，該灰階越低，則在該校正中間週期中的遷移率校正之加速程度越高。
最後，在該時序T9，關閉該取樣電晶體以由此結束遷移率校正週期2。透過上述操作，針對每一灰階之遷移率校正量係由在該第一校正週期中的正常校正量+在該第二校正週期中的正常校正量+在該校正中間週期中的加速校正量來決定。如上所述，當該灰階較低時，在該校正中間週期中的校正之加速程度較高。因此，即使採用相同的時間設計，亦可等效地獲得對應於該灰階之最佳校正時間。明確言之，藉由自動調整依據該灰階的該遷移率校正之加速程度，而非調整依據該灰階的該遷移率校正時間，來等效地實施對應於該灰階的遷移率校正週期之適應性控制。在本發明之具體實施例中，可藉由僅使用來自該掃描器之輸出脈衝而不使用一外部脈衝電源供應來實施取決於該灰階之遷移率的適應性校正。此特徵消除涉及在擷取該電源供應脈衝時該校正時間的變化之問題，並因此可藉由低功率消耗來獲得高均勻度的影像品質。
圖15係顯示在一像素中經分割的遷移率校正操作之一示意圖。最初，在該第一遷移率校正週期(T6至T7)中，在每一像素2中的取樣電晶體Tr1與切換電晶體Tr4皆處於該開啟狀態。因此，向該驅動電晶體Trd之閘極施加Vsig，而向其汲極施加該供應電壓VDD。因此，取決於Vsig之汲極電流Ids流經該驅動電晶體Trd。但是，該發光元件處於該反向偏壓狀態，而因此電流Ids係專用於給該保持電容器Cs及該發光元件之電容器Coled充電。由於在此第一遷移率校正週期(T6至T7)中該驅動電流Ids向該驅動電晶體Trd的源極之流動，因此該源極電位上升至Va。
隨後，在該校正中間週期(T7至T8)開始後，該取樣電晶體Tr1係關閉，而因此將該驅動電晶體Trd之閘極與該信號線SL隔離以便進入浮動狀態。另一方面，將該切換電晶體Tr4一直保持於該開啟狀態而因此該汲極電流Ids流經該驅動電晶體Trd。此令該源極電位從Va升高ΔV1。該閘極電位亦因該自舉操作而從Vsig升高ΔV1。此電位升高量係表示為Ids．t/C。t表示該校正中間週期之長度，而C表示Cs與Coled之間的合成電容。如上述等式1中所示，Ids係與該遷移率μ成比例。因此，在該校正中間週期中的校正量ΔV1係與該遷移率μ成比例，而因此在該校正中間週期中實施遷移率校正。此外，在此校正中間週期中，該源極電位的增加速度係因該閘極電位不受抑制而較高，而因此實施加速遷移率校正。
在該第二遷移率校正週期(T8至T9)開始時，再次開啟該取樣電晶體Tr1，從而使得該驅動電晶體Trd之閘極電位返回至Vsig。該源極電位進一步從Va+ΔV1上升ΔV2。此校正量ΔV2係等效於在該第二遷移率校正週期(T8至T9)中的電位增加。該校正量ΔV2係由關於該遷移率校正之等式5決定。
圖16係顯示該第一具體實施例之一修改範例之一波形圖。圖16為便於理解而採用與針對第一具體實施例的圖14之波形圖相同的表示方式。在圖14所示之第一具體實施例中，以一將該遷移率校正週期分成兩個週期的方式實施經分割的遷移率校正。另一方面，在此修改範例中，以一將該遷移率校正週期分成三個週期的方式實施經分割的遷移率校正。該週期T6至T7用作遷移率校正週期1，該週期T7至T8用作校正中間週期1，該週期T8至T9用作遷移率校正週期2，該週期T9至T10用作校正中間週期2，而該週期T10至T11用作遷移率校正週期3。以此方式，在本發明之第一模式中，遷移率校正操作係在將該供應電壓VDD供應至該驅動電晶體的汲極之狀態中分成複數次操作。由於此特徵，可在該校正週期之中間實施加速遷移率校正操作，並可針對每一灰階實現最佳校正時間而無需使用一外部電源供應脈衝。因此，可針對所有該等灰階實現高均勻度，並可減小該面板模組之功率消耗。
圖17係顯示根據本發明之一第二具體實施例之一顯示器件的操作之一時序圖。此第二具體實施例對應於本發明之第二模式。為便於理解，圖17之時序圖採用與針對該第一具體實施例的圖13之時序圖相同之表示方式。同樣，在此具體實施例中，與該第一具體實施例類似，將該遷移率校正週期分成兩個週期。明確言之，該遷移率校正週期係分成一第一遷移率校正週期T6至T7與一第二遷移率校正週期T8至T9。此外，在此等遷移率校正週期之間存在一校正中間週期T7至T8。該控制信號WS包括雙脈衝，而此等脈衝分別定義該第一遷移率校正週期與該第二遷移率校正週期。但是，該第二具體實施例係不同於該第一具體實施例，因為該等雙脈衝之峰值位準係互不相同。根據向該取樣電晶體的閘極施加之雙脈衝之峰值位準(其係依據向其源極施加的視訊信號之位準)來開啟與關閉該取樣電晶體，並由此依據該視訊信號之位準來自動調整該校正時間。明確言之，該寫入掃描器向該掃描線供應包括由一第一脈衝與一第二脈衝構成的雙脈衝之控制信號WS，其峰值位準係低於該第一脈衝之峰值位準。由於此特徵，當該視訊信號之位準較高(針對該白色位準)時，該取樣電晶體係回應於該第一脈衝而開啟並僅在該第一遷移率校正週期T6至T7期間將該遷移率校正量寫入至該保持電容器。另一方面，當該視訊信號之位準較低(針對一灰色位準或該黑色位準)時，回應於該第一脈衝及回應於該第二脈衝兩者而開啟該取樣電晶體並在該第一遷移率校正週期T6至T7及該第二遷移率校正週期T8至T9期間將該遷移率校正量寫入至該保持電容器。
圖18係在該第二具體實施例中該等控制信號WS及DS之一波形圖。特定言之，圖18顯示在從時序T6至時序T9之週期中的波形。為便於理解，圖18之波形圖採用與針對該第一具體實施例的圖14之波形圖相同之表示方式。圖14與18之間的差異係，在圖18中，包括於該控制信號WS中的雙脈衝之第二脈衝之峰值位準係設定成低於該第一脈衝之峰值位準。該第二脈衝之峰值位準存在於針對該白色位準的操作點與針對該黑色位準的操作點之間。相反，該第一脈衝之峰值位準存在於針對該白色位準的操作點之上。
當該視訊信號具有針對該白色位準之電位時，在時序T6開啟該切換電晶體Tr4而因此開始遷移率校正週期1。此遷移率校正週期1一直繼續到在時序T7關閉該取樣電晶體Tr1。然後，該控制信號WS在該時序T8再次上升。但是，其峰值位準不達到針對該白色位準之操作點。因此，不開啟該取樣電晶體，但該操作序列直接移動至該發光週期。以此方式，當該視訊信號具有針對該白色位準之電位時，僅在該第一遷移率校正週期(T6至T7)中實施該遷移率校正操作。如上所述針對該白色位準之最佳遷移率校正時間係較短，而因此可藉由一次遷移率校正操作來充分校正該遷移率之變化。
另一方面，當該視訊信號具有針對一灰色位準或該黑色位準之電位時，該取樣電晶體回應於包括於該控制信號中的第一脈衝而進入該開啟狀態，從而在從該時序T6至該時序T7之遷移率校正週期1中實施該第一遷移率校正操作。隨後，回應於包括於該控制信號WS中的第二脈衝而再次開啟該取樣電晶體，從而在從該時序T8至該時序T9之遷移率校正週期2中實施該第二遷移率校正操作。該第二脈衝之峰值位準係設定成低於針對該白色位準的操作點但設定成高於針對該黑色位準的操作點。因此，當該視訊信號具有針對一灰色位準或該黑色位準之電位時，該取樣電晶體回應於該第二脈衝而進入該開啟狀態。此外，在該第一遷移率校正週期T6至T7與該第二遷移率校正週期T8至T9之間的校正中間週期T7至T8中，與該第一具體實施例類似地實施加速遷移率校正操作。但是，此具體實施例係不同於該第一具體實施例，因為該遷移率校正週期係分成兩個週期而且僅在該視訊信號具有針對一灰色位準或該黑色位準的電位時才在該校正中間週期中實施加速校正操作。
從以上說明會明白，在該第二具體實施例中，當該視訊信號具有針對該白色位準之電位時僅存在該第一遷移率校正週期作為該遷移率校正週期，而因此實施與在相關技術中相同的遷移率校正操作。在該取樣電晶體不僅回應於該第一脈衝而且還回應於該第二脈衝而開啟之一灰色位準或該黑色位準的情況下，總遷移率校正量ΔV係等於在該第一遷移率校正週期中的正常校正量+在該校正中間週期中的加速校正量+在該第二遷移率校正週期中的正常校正量。由於此組態，可藉由用於針對該白色位準的校正操作(其校正時間較短)及用於針對一灰色位準或該黑色位準的校正操作(其校正時間相比之下較長)之內部脈衝來自動實施適應性控制。
圖19A及19B係各自顯示圖18所示的第二具體實施例之修改範例的波形圖。在圖19A所示之一第一修改範例中，該控制信號WS包括三個脈衝，而以一將該遷移率校正時間分成三個週期的方式來實施校正操作。該第二脈衝與該第三脈衝之峰值位準係設定成低於該第一脈衝之峰值位準，並存在於針對該白色位準的操作點與針對該黑色位準的操作點之間。在此修改範例中，針對該白色位準僅實施一次遷移率校正操作，而針對一灰色位準及該黑色位準實施三次遷移率校正操作。
圖19B顯示一第二修改範例。該第二修改範例係不同於圖19A所示之第一修改範例，因為該第二脈衝與該第三脈衝之峰值位準互不相同。在此情況下，當該視訊信號具有針對該白色位準之電位時，僅實施一次該遷移率校正操作。針對一灰色位準，回應於該第一脈衝與該第二脈衝實施兩次該遷移率校正週期。針對該黑色位準，回應於該等第一至第三脈衝實施三次該遷移率校正操作。藉由以此方式增加脈衝數目並改變該等脈衝之位準，可更精確地實施對應於該灰階之遷移率校正操作。
圖20A及20B係顯示根據本發明之第二具體實施例之一寫入掃描器之一組態範例的示意圖。圖20A特別顯示在該寫入掃描器中之一輸出緩衝器4B。如圖20A所示，該輸出緩衝器4B係由一P通道電晶體TrP與兩個N通道電晶體TrN及TrNb構成。該對電晶體TrP與 TrN係串聯連接於一供應電位Vcc與一接地電位Vssa之間，而形成一反相器。輸入脈衝1係從一移位暫存器供應至該P通道電晶體TrP之閘極。輸入脈衝2係從該移位暫存器供應至該N通道電晶體TrN之閘極。該等電晶體TrP與 TrN之間的連接節點用作一輸出端子。該N通道電晶體TrNb係連接於該輸出端子與一接地電位Vssb之間。輸入脈衝3係從該移位暫存器供應至其閘極。
圖20B係用於說明圖20A所示之輸出緩衝器4B的操作之一時序圖。在此時序圖中，沿相同的時間軸顯示從該移位暫存器側供應的輸入脈衝1、2及3及作為該控制信號供應至該掃描線的輸出脈衝。如此時序圖中所示，當輸入脈衝1與2皆處於低位準時供應峰值位準為Vcc之輸出脈衝。隨後，當輸入脈衝2係處於低位準而輸入脈衝3係處於高位準時，輸出峰值位準為Vssb之第二脈衝。以此方式，該輸出緩衝器4B將包括該等雙脈衝之控制信號供應至對應的掃描線。在該等雙脈衝中，該第一脈衝具有一Vcc之峰值位準，而下一脈衝具有一Vssb之峰值位準。該位準Vssb係設定成低於Vcc。以此方式，根據此具體實施例之寫入掃描器可在內部產生該等雙脈衝，而且無需特別地接收來自一外部脈衝電源供應之一電源供應脈衝的供應。
圖21A及21B係顯示根據該第二具體實施例之寫入掃描器之另一範例的示意圖。圖21A及21B之圖式為便於理解而採用與針對圖20A及20B中所示之寫入掃描器的表示方式相同之表示方式。如圖21A所示，在此寫入掃描器中的輸出緩衝器4B具有一正常反相器組態且係由彼此串聯連接之一P通道電晶體TrP與一N通道電晶體TrN構成。該對電晶體TrP與TrN之閘極係彼此連接並接收來自一移位暫存器之一輸入脈衝的供應。該等電晶體TrP與TrN之間的連接節點用作一輸出端子且係連接至對應的掃描線WS。與圖20A及20B的範例之差異在於一電源供應脈衝係從一外部脈衝電源供應向該反相器之接地線供應。在一較低位準Vssa與一較高位準Vssb之間切換該電源供應脈衝之位準。
圖21B係用於說明在圖21A所示之寫入掃描器中的輸出緩衝器4B之操作之一時序圖。在此時序圖中，顯示第N-1級與第N級之輸入脈衝及輸出脈衝。此外，還以一將該電源供應脈衝的相位與該等輸入及輸出脈衝的相位對齊之方式來顯示該電源供應脈衝之波形。如圖21B所示，該電源供應脈衝包括具有1H循環與一Vssb的峰值位準之脈衝。對於(例如)第N級，當該輸入脈衝處於該低位準時，該輸出緩衝器4B之反相器使得該輸入脈衝倒轉以便輸出峰值位準為Vcc之第一輸出脈衝。然後，該輸入脈衝返回至該高位準，而因此該N通道電晶體TrN進入該開啟狀態，從而使得該N通道電晶體TrN擷取一電源供應脈衝以便將其作為峰值位準為Vssb的第二脈衝直接輸出至該輸出端子。該峰值位準Vssb係設定成低於Vcc。在此範例中，從該外部供應該電源供應脈衝以便形成具有不同峰值位準之雙控制信號脈衝，而與圖20A及20B所示之上述範例不同。
圖22係顯示根據本發明之第二具體實施例之顯示器件之一第三修改範例的一波形圖。為便於理解，圖22之波形圖採用與針對該第二具體實施例的圖18之波形圖相同之表示方式。同樣，在此修改範例中，該遷移率校正週期係分成一第一遷移率校正週期T6至T7、一第二遷移率校正週期T8至T9及介於此等遷移率校正週期之間的一校正中間週期T7至T8。定義該第一遷移率校正週期T6至T7的該控制信號WS之第一峰值與定義該第二遷移率校正週期T8至T9之第二峰值係設定為不同位準。作為此修改範例之一特徵，該第二脈衝之峰值位準係基於作為一參數的該第二脈衝之脈衝寬度(即該第二遷移率校正週期T8至T9)而設計。明確言之，該脈衝之峰值位準係藉由將該脈衝寬度設定成比該脈衝波形的瞬變時間τ更短來設計。如圖22所示，該控制信號WS的脈衝波形之上升邊緣與下降邊緣涉及瞬變，而因此在該脈衝波形中發生失真。藉由驅使該脈衝在該脈衝上升之後該脈衝的位準完全達到Vcc之前下降，可自由改變該脈衝之峰值位準。隨著該脈衝寬度延伸，該峰值位準朝上部位準偏移。若該脈衝寬度超過該瞬變時間，則該峰值位準達到Vcc。調整該第二脈衝之寬度使得可以將該第二脈衝之峰值位準設定為介於針對該白色位準的操作點與針對該黑色位準的操作點之間的一預定位準。
圖23係顯示該第二具體實施例之一第四修改範例的一波形圖。圖23為便於理解而採用與針對第三修改範例的圖22之波形圖相同的表示方式。此修改範例係不同於該第三修改範例，因為包括三個脈衝的控制信號WS係供應至該掃描線WS。藉由調整該等個別脈衝之脈衝寬度，將該第二脈衝及該第三脈衝之峰值位準設定為預定位準。在此修改範例中，該第二脈衝之脈衝寬度(T8至T9)係大於該第三脈衝之脈衝寬度(T10至T11)。由於此寬度設計，該第二脈衝之峰值位準係高於該第三脈衝之峰值位準。
圖24係顯示根據本發明之另一具體實施例之一顯示器件的一完整組態圖。如圖24中顯示，此顯示器件包括一像素陣列部分1及用於驅動像素陣列部分1的驅動部分。像素陣列部分1包括沿該等列之掃描線WS、沿該等行之信號線SL、在該兩條線之交叉點處佈置成配置成一矩陣之像素2，及對應於該等像素2的個別列來佈置之電源饋送線(電源供應線)VL。在本範例中，RGB(紅色、綠色及藍色)三原色的任何原色係分配至該等像素2之每一像素，而因此可以顯示彩色。然而，該具體實施例不受其限制，但涵蓋單色顯示之器件。該驅動部分包括一寫入掃描器4、一電源供應掃描器6及一信號選擇器(水平選擇器)3。該寫入掃描器4將一控制信號循序供應至該等個別掃描線WS以由此以一逐列方式線序掃描該等像素2。該電源供應掃描器6將一欲在第一電位與一第二電位之間切換的一供應電壓提供給個別電源饋送線VL以與該線序掃描匹配。該信號選擇器3將作為一驅動信號之一信號電位及一參考電位供應至行信號線SL以與該線序掃描匹配。
圖25係顯示包括在圖24所示之顯示器件中之像素2的特定組態及連接關係之一電路圖。如圖25所示，該像素2包括一發光元件EL(其係以一有機EL器件為代表)、一取樣電晶體Tr1、一驅動電晶體Trd及一保持電容器Cs。該取樣電晶體Tr1之控制端子(閘極)係連接至對應掃描線WS。該取樣電晶體Tr1的一對電流端子(源極及汲極)之一者係連接至對應信號線SL，而另一者係連接至該驅動電晶體Trd之控制端子(閘極G)。該驅動電晶體Trd之一對電流端子(源極S及汲極)之一者係連接至該發光元件EL，而另一者係連接至對應的電源饋送線VL。在此範例中，該驅動電晶體Trd係一N通道電晶體。其汲極係連接至該電源饋送線VL，而其源極S係作為輸出節點連接至該發光元件EL的陽極。該發光元件EL之陰極係耦合至一預定陰極電位Vcath。該保持電容器Cs係在該驅動電晶體Trd之源極S與閘極G(其分別係該等電流端子與該控制端子之一者)之間連接。
在此組態中，該取樣電晶體Tr1係回應於從掃描線WS供應之控制信號而開啟，以因此對從信號線SL供應之信號電位進行取樣並在該保持電容器Cs中保持該經取樣電位。該驅動電晶體Trd在第一電位(較高電位Vcc)處接收來自該電源饋送線VL之電流供應，並依據在保持電容器Cs中保持之信號電位而施加一驅動電流至該發光元件EL。該寫入掃描器4將具有一預定脈衝寬度之控制信號輸出至該掃描線WS，從而可在期間該信號線SL係處於該信號電位之時區內開啟該取樣電晶體Tr1。由此，將該信號電位保持於該保持電容器Cs內，且同時將與該驅動電晶體Trd的遷移率μ相關之校正係與該信號電位相加。然後，該驅動電晶體Trd將取決於寫入至保持電容器Cs的信號電位Vsig之驅動電流供應至該發光元件EL，從而開始發光操作。
此像素電路2除具有上述遷移率校正功能以外，還具有一臨限電壓校正功能。明確言之，該電源供應掃描器6在藉由該取樣電晶體Tr1對該信號電位Vsig取樣之前的一第一時序處，將該電源饋送線VL的電位從該第一電位(較高電位Vcc)切換至該第二電位(較低電位Vss2)。此外，該寫入掃描器4在藉由該取樣電晶體Tr1對該信號電位Vsig取樣之前的一第二時序處開啟該取樣電晶體Tr1，以由此從該信號線SL施加參考電位Vss1至該驅動電晶體Trd的閘極G，並將該驅動電晶體Trd之源極S設定為該第二電位(Vss2)。該電源供應掃描器6在第二時序後之一第三時序處將該電源饋送線VL的電位從該第二電位Vss2切換至該第一電位Vcc，以由此在該保持電容器Cs中保持等效於該驅動電晶體Trd之臨限電壓Vth的電壓。此臨限電壓校正功能允許該顯示器件抵消該驅動電晶體Trd之臨限電壓Vth隨不同像素之變化的影響。
像素電路2進一步具有一自舉功能。明確言之，在已將該信號電位Vsig保持於該保持電容器Cs中之時序處，該寫入掃描器4停止該控制信號向掃描線WS之施加，以由此關閉該取樣電晶體Trl，而因此將該驅動電晶體Trd之閘極G與該信號線SL電隔離。由於此操作，該閘極G之電位隨著該驅動電晶體Trd之源極S的電位改變而改變，其允許閘極G及源極S之間的電壓Vgs保持恆定。
圖26係用於說明圖25所示之像素電路2的操作之一時序圖。但是，此時序圖不顯示本發明之一具體實施例，而顯示作為該具體實施例的基礎之一相關技術方法之一範例。在此時序圖中，沿相同的時間軸顯示該掃描線WS、該電源饋送線VL及該信號線SL之電位變化。與此等電位變化平行，亦顯示該驅動電晶體的閘極G與源極S之電位變化。
用於開啟該取樣電晶體Trl之一控制信號脈衝係施加至該掃描線WS。以該一場(1f)循環將此控制信號脈衝施加至該等掃描線WS以與該像素陣列部分之線序掃描匹配。此控制信號脈衝包括在一水平掃描週期(1H)中之兩個脈衝。該第一脈衝與該後續脈衝常常係分別稱為一第一脈衝P1與一第二脈衝P2。該電源饋送線VL之電位同樣係以一場週期(1f)循環在該較高電位Vcc與該較低電位Vss2之間切換。將電位係以一水平掃描週期(1H)之一循環在該信號電位VSig與該參考電位Vss1之間切換的驅動信號供應至該信號線SL。
如圖26之時序圖中顯示，該像素之操作序列係從先前場之發光週期進行至該說明標的場之非發光週期，而接著進行至該說明標的場之發光週期。在此非發光週期中，實施準備操作、臨限電壓校正操作、信號寫入操作及遷移率校正操作。
在該先前場之發光週期中，該電源饋送線VL係處於該較高電位Vcc，而該驅動電晶體Trd向該發光元件EL供應一驅動電流Ids。該驅動電流Ids從處於較高電位Vcc的電源饋送線VL流向該驅動電晶體Trd且穿過該發光元件EL朝向陰極線。
其後，當說明標的場之非發光週期開始時，該電源饋送線VL之電位最初係在一時序T1從較高電位Vcc切換至較低電位Vss2。由於此操作，將該電源饋送線VL放電至Vss2，以致該驅動電晶體Trd之源極S的電位下降至Vss2。因此，該發光元件EL之陽極電位(即該驅動電晶體Trd之源極電位)進入該反向偏壓狀態，以致停止驅動電流之流動而因此停止發光。該閘極G之電位亦隨著驅動電晶體之源極S的電位降而下降。
隨後，在一時序T2處，將該掃描線WS之電位從低位準切換至高位準，以致開啟該取樣電晶體Tr1。此時，該信號線SL係處於該參考電位Vss1。因此，該驅動電晶體Trd之閘極G的電位係經由開啟的取樣電晶體Tr1變成該信號線SL的參考電位Vss1。此時，該驅動電晶體Trd之源極S電位係處於電位Vss2，其與Vss1比相當低。以此方式，將初始化實施成使得在該驅動電晶體Trd之閘極G與源極S之間的電壓Vgs可變得比該驅動電晶體Trd的臨限電壓Vth更高。從時序T1至一時序T3之週期T1至T3用作其中該驅動電晶體Trd的閘極G與源極S之間的電壓Vgs係預先設定成高於Vth之準備週期。
在時序T3，該電源饋送線VL之電位係從較低電位Vss2切換至較高電位Vcc，因此驅動電晶體Trd之源極S的電位開始上升。當該驅動電晶體Trd的閘極G與源極S之間的電壓Vgs在適當時間達到臨限電壓Vth時，將電流切斷。以此方式，將等效於該驅動電晶體Trd之臨限電壓Vth的電壓寫入至該保持電容器Cs。此對應於臨限電壓校正操作。為了使電流在該臨限電壓校正操作期間不流向該發光元件EL而僅朝向該保持電容器Cs流動，將該陰極電位Vcath設計成使得在臨限電壓校正操作期間切斷該發光元件EL。
在一時序T4，該掃描線WS之電位從高位準返回至低位準。換句話說，停止該第一脈衝P1向該掃描線WS之施加，因此該取樣電晶體進入該關閉狀態。從上述內容可明白，該第一脈衝P1係施加至該取樣電晶體Tr1的閘極以便實施該臨限電壓校正操作。
然後，將該信號線SL的電位從參考電位Vss1切換至信號電位Vsig。隨後，在一時序T5，該掃描線WS之電位再次從低位準上升至高位準。換言之，將該第二脈衝P2施加至該取樣電晶體Tr1之閘極。由於此施加，再次開啟該取樣電晶體Tr1，以便對來自該信號線SL的信號電位Vsig進行取樣。因此，該驅動電晶體Trd之閘極G之電位變成信號電位Vsig。因為該發光元件EL最初處於切斷狀態(高阻抗狀態)，故在該驅動電晶體Trd的汲極與源極之間運行的電流僅朝該保持電容器Cs及該發光元件EL之等效電容器流動以開始此等電容器的充電。直至一時序T6(此時該取樣電晶體Trl係關閉)為止，該驅動電晶體Trd之源極S的電位上升ΔV。以此方式，該視訊信號之信號電位Vsig係以使其與Vth相加之一方式寫入至該保持電容器Cs，而用於遷移率校正之電壓ΔV係從保持於該保持電容器Cs中的電壓中減去。因此，從時序T5至時序T6之週期T5至T6係用作信號寫入週期及遷移率校正週期。換句話說，回應於第二脈衝P2向該掃描線WS之施加，實施信號寫入操作及遷移率校正操作。該信號寫入週期及該遷移率校正週期T5至T6之長度係等於該第二脈衝P2的脈衝寬度。即，該第二脈衝P2之脈衝寬度定義該遷移率校正週期。
以此方式，該信號電位Vsig之寫入及藉由校正量ΔV之調整係同時在該信號寫入週期T5至T6中實施。Vsig越高，則由該驅動電晶體Trd供應之電流Ids越大，而因此ΔV的絕對值越大。因此，實施取決於發光亮度位準之遷移率校正。當Vsig係恆定時，該驅動電晶體Trd之較高遷移率μ提供ΔV之一較大絕對值。換句話說，較高遷移率μ提供一較大量ΔV的負回授至該保持電容器Cs。因此，可消除遷移率μ隨不同像素之變化。
在時序T6，該掃描線WS之電位係切換至如上所述的低位準，因此該取樣電晶體Trl進入該關閉狀態。此將該驅動電晶體Trd之閘極G與該信號線SL隔離。此時，該汲極電流Ids開始流經該發光元件EL。此造成該發光元件EL的陽極電位依據驅動電流Ids而上升。該發光元件EL之陽極電位的上升係等效於該驅動電晶體Trd之源極S之電位的上升。若該驅動電晶體Trd之源極S的電位上升，則基於由於該保持電容器Cs所致之自舉操作，該驅動電晶體Trd之閘極G的電位亦隨著該源極S的電位之上升而上升。該閘極電位之上升量係等於該源極電位之上升量。因此，在該發光週期中，該驅動電晶體Trd的閘極G與源極S之間的輸入電壓Vgs係保持恆定。此閘極電壓Vgs之值係因與該臨限電壓Vth及該遷移率μ相關的校正與該信號電位Vsig相加而得。該驅動電晶體Trd在其飽和區中操作。即，該驅動電晶體Trd輸出取決於該閘極G與該源極S之間的輸入電壓Vgs之驅動電流Ids。
圖27係顯示根據本發明之一第三具體實施例之一顯示器件的一時序圖。此具體實施例係因圖26所示之相關技術方法之範例之改良而產生。圖27為便於理解而採用與針對相關技術方法之範例的圖26相同之表示方式。該第三具體實施例係與該相關技術方法之範例有以下一點之差異。明確言之，在圖26所示的相關技術方法之範例中，該控制信號WS包括兩個脈衝P1與P2。另一方面，在該第三具體實施例中，該控制信號WS包括三個控制信號脈衝P1、P2及P3。該第一脈衝P1定義該臨限電壓校正週期，而該等第二及第三控制脈衝P2與P3各自定義該遷移率校正週期。明確言之，在此具體實施例中，該遷移率校正週期係基於該等雙脈衝P2與P3分成兩個週期。此外，一校正中間週期係設定於此等遷移率校正週期之間，以由此實施加速遷移率校正操作。如圖27所示，在該等雙脈衝中，該第一脈衝P2對應於一第一遷移率校正週期T5至T6，而該第二脈衝P3對應於一第二遷移率校正週期T7至T8。一校正中間週期T6至T7係插入於該兩個校正週期之間。
圖28係顯示根據本發明之一第四具體實施例之一顯示器件的一時序圖。圖28為便於理解而採用與針對第三具體實施例之圖27相同之表示方式。該第四具體實施例係不同於圖27之第三具體實施例，因為該第三脈衝P3之峰值位準係設定成低於該第二脈衝P2之峰值位準。同樣，在此具體實施例中，遷移率校正操作係在將該供應電壓Vdd供應至該驅動電晶體Trd的汲極之狀態中分成複數次操作。由於此特徵，可在該校正週期之中間時間內實施加速遷移率校正操作。特定言之，在此具體實施例中，可改變該等經分割控制脈衝P2與P3之每一脈衝之開啟電壓(峰值位準)，而由此基於該操作點來設計該最佳遷移率校正時間。因此，可基於對應於該灰階的操作點來確定該校正時間之差異。
根據本發明之具體實施例之顯示器件具有如同圖29中所顯示者之一薄膜器件結構。圖29顯示形成於一絕緣基板上之一像素之一示意性斷面結構。如圖29中所示，該像素包括：一電晶體部分，其具有複數個薄膜電晶體(圖29中僅顯示一TFT)；一電容部分(例如一保持電容器)；及一發光部分，例如一有機EL元件。該電晶體部分及該電容部分係藉由一TFT程序形成於基板上，且該發光部分(例如一有機EL元件)係在其上堆疊。一透明的反基板係附接在該發光部分上，其中間係一黏著劑，從而獲得一平板。
根據本發明之具體實施例之顯示器件涵蓋如同圖30中所示者具有一平坦模組形狀之一顯示器件。例如，獲得如下所述之顯示模組。明確言之，在一絕緣基板上提供其中將各包括一有機EL元件之像素、薄膜電晶體、一薄膜電容器等等成整體地形成於一矩陣內之一像素陣列部分。其後，一黏著劑係佈置成圍繞此像素陣列部分(像素矩陣部分)，而由玻璃或類似者構成之一反基板係接合至該基板。此透明反基板可根據需要具備(例如)一濾色片、保護膜及光遮蔽膜。該顯示模組可具備(例如)一撓性印刷電路(FPC)作為一連接器，用於從外部向該像素陣列部分輸入信號/自該像素陣列部分向外部輸出信號。
依據上述具體實施例之任一具體實施例之顯示器件具有一平板形狀，而可應用於在任何領域中的各種電子裝置(例如數位相機、膝上型個人電腦、蜂巢式電話及視訊相機)內之一基於輸入至該電子裝置或在該電子裝置內產生之一驅動信號而顯示影像或視訊的顯示器。下面將說明應用此一顯示器件之電子裝置之範例。
圖31顯示應用本發明之具體實施例之一電視。該電視包括一視訊顯示螢幕11，其係由一前面板12、一濾光玻璃13等等組成，且係藉由將根據本發明之具體實施例之顯示器件用作該視訊顯示螢幕11來製成。
圖32顯示應用本發明之具體實施例之一數位相機：上部圖式係一正視圖而下部圖式係一後視圖。此數位相機包括一成像透鏡、一用於閃光之發光器15、一顯示部分16、一控制開關、一選單開關、一快門按鈕19等等，且係藉由將根據本發明之具體實施例之顯示器件用作顯示部分16來製成。
圖33顯示應用本發明之具體實施例的一膝上型個人電腦。其一主體20包括在字元等等的輸入中操作之一鍵盤21，而其主體蓋包括一用於影像顯示之顯示部分22。此膝上型個人電腦係藉由將根據本發明之具體實施例之顯示器件用作該顯示部分22來製造。
圖34顯示應用本發明之具體實施例的可攜式終端裝置：左圖顯示開啟狀態而右圖顯示關閉狀態。此可攜式終端裝置包括一上部外殼23、一下部外殼24、一連接件(鉸鏈)25、一顯示器26、一子顯示器27、一圖像燈28、一相機29等等。此可攜式終端裝置係藉由將根據本發明之具體實施例之顯示器件用作該顯示器26及該子顯示器27來製成。
圖35顯示應用本發明之具體實施例的一攝錄影機。此攝錄影機包括：一主體30；一透鏡34，其係佈置於相機的前側上且用來捕獲一標的影像；一開始/停止開關35，其係用於成像操作；一監視器36等等。此攝錄影機係藉由將根據本發明之具體實施例的顯示器件用作該監視器36來製造。熟習此項技術者應瞭解，可依據設計要求及其他因素而進行各種修改、組合、子組合與變更，只要其在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內即可。
1．．．像素陣列部分
2．．．像素電路
3．．．信號選擇器(水平選擇器)
4．．．寫入掃描器
4B．．．輸出緩衝器
4P．．．外部脈衝模組
5．．．驅動掃描器
6．．．電源供應掃描器
11．．．視訊顯示螢幕
12．．．前面板
13．．．濾光玻璃
15．．．發光器
16．．．顯示部分
19．．．快門按鈕
20．．．主體
21．．．鍵盤
22．．．顯示部分
23．．．上部外殼
24．．．下部外殼
25．．．連接件(鉸鏈)
26．．．顯示器
27．．．子顯示器
28．．．圖像燈
29．．．相機
30．．．主體
34．．．透鏡
35．．．開始/停止開關
36．．．監視器
71．．．第一校正掃描器
72．．．第二校正掃描器
AZ1．．．第三掃描線/控制信號
AZ2．．．第四掃描線/控制信號
C．．．電容組件
Coled．．．電容組件/發光元件EL的等效電容器
Cs．．．保持電容器
DS．．．第二掃描線/控制信號
EL．．．發光元件
G．．．閘極
R．．．電阻組件
S．．．源極
SL．．．信號線
Tr1．．．取樣電晶體/N通道電晶體
Tr2．．．第一切換電晶體/N通道電晶體
Tr3．．．第二切換電晶體/N通道電晶體
Tr4．．．第三切換電晶體/P通道電晶體
Trd．．．驅動電晶體
TrN．．．N通道電晶體
TrNb．．．N通道電晶體
TrP．．．P通道電晶體
VL．．．電源饋送線
WS．．．第一掃描線/控制信號
圖1係顯示根據本發明之一具體實施例之一顯示器件的完整組態之一方塊圖；
圖2係顯示包括在圖1所示之顯示器件中之一像素的組態之一電路圖；
圖3係用於說明圖2中所示之像素的操作之一電路圖；
圖4係用於說明圖1及2所示之顯示器件的操作之一參考時序圖；
圖5係用於說明圖1及2所示之顯示器件的操作之一電路圖；
圖6係用於說明圖1及2所示之顯示器件的操作之一曲線圖；
圖7係用於說明圖1及2所示之顯示器件的操作之一曲線圖；
圖8係用於說明圖1及2所示之顯示器件的操作之一波形圖；
圖9係顯示依據一相關技術方法之範例的一寫入掃描器之一電路圖；
圖10係用於說明圖9所示之寫入掃描器的操作之一時序圖；
圖11係用於說明圖9所示之寫入掃描器的操作之一波形圖；
圖12係顯示併入於根據本發明之具體實施例的顯示器件中之一寫入掃描器的組態之一電路圖；
圖13係顯示本發明之一第一具體實施例之一時序圖；
圖14係用於說明該第一具體實施例之操作之一波形圖；
圖15係用於說明該第一具體實施例之操作的一電路圖；
圖16係顯示該第一具體實施例之一修改範例之一波形圖；
圖17係顯示根據本發明之一第二具體實施例之一顯示器件的一時序圖；
圖18係用於說明該第二具體實施例的操作之一波形圖；
圖19A及19B係顯示該第二具體實施例之一修改範例的波形圖；
圖20A及20B分別係顯示根據該第二具體實施例之一寫入掃描器的一示意圖及一時序圖；
圖21A及21B分別係顯示根據該第二具體實施例之寫入掃描器之另一範例的一示意圖及一時序圖；
圖22係顯示該第二具體實施例之另一修改範例的一波形圖；
圖23係顯示該第二具體實施例之另一修改範例的一波形圖；
圖24係顯示根據本發明之具體實施例之顯示器件的另一組態範例之一總體方塊圖；
圖25係顯示圖24所示之顯示器件的像素組態之一電路圖；
圖26係顯示一相關技術之顯示器件之一範例的一時序圖；
圖27係顯示根據本發明之一第三具體實施例之一顯示器件的一時序圖；
圖28係顯示根據本發明之一第四具體實施例之一顯示器件的一時序圖；
圖29係顯示根據本發明之具體實施例的顯示器件之器件結構的一斷面圖；
圖30係顯示根據本發明之具體實施例的顯示器件之模組結構之一平面圖；
圖31係顯示包括根據本發明之具體實施例的顯示器件之一電視機之一透視圖；
圖32係包括根據本發明之具體實施例的顯示器件之一數位靜物相機之一透視圖；
圖33係顯示包括根據本發明之具體實施例的顯示器件之一膝上型個人電腦之一透視圖；
圖34係顯示包括根據本發明之具體實施例的顯示器件之可攜式終端裝置之一示意圖；及
圖35係顯示包括根據本發明之具體實施例的顯示器件之一視訊相機之一透視圖。
1．．．像素陣列部分
2．．．像素電路
3．．．信號選擇器(水平選擇器)
4．．．寫入掃描器
5．．．驅動掃描器
71．．．第一校正掃描器
72．．．第二校正掃描器
AZ1．．．第三掃描線/控制信號
AZ2．．．第四掃描線/控制信號
Cs．．．保持電容器
DS．．．第二掃描線/控制信號
EL．．．發光元件
G．．．閘極
S．．．源極
SL．．．信號線
VSS1 ,VSS2 ．．．參考電位
VDD ．．．電源供應
Tr1．．．取樣電晶體/N通道電晶體
Tr2．．．第一切換電晶體/N通道電晶體
Tr3．．．第二切換電晶體/N通道電晶體
Tr4．．．第三切換電晶體/P通道電晶體
Trd．．．驅動電晶體
WS．．．第一掃描線/控制信號

Claims (10)

  1. 一種顯示器件，其包含；一像素陣列部分，其經組態成用以包括沿列佈置之掃描線、沿行佈置之信號線及佈置於該等掃描線與該等信號線的交叉點處且配置成一矩陣之像素；以及一驅動部分，其經組態成用以具有向該等掃描線循序供應一控制信號以由此實施線序掃描之至少一寫入掃描器以及向該等信號線供應一視訊信號以與該線序掃描匹配之一信號選擇器，其中該等像素之每一像素包括至少一取樣電晶體、一驅動電晶體、一保持電容器及一發光元件，該取樣電晶體之一控制端子係連接至該掃描線，而該取樣電晶體之一對電流端子係連接於該信號線與該驅動電晶體的一控制端子之間，該驅動電晶體之一對電流端子之一者係連接至該發光元件，而該驅動電晶體之該對電流端子之另一者係連接至一電源供應，該保持電容器係連接於該驅動電晶體之該控制端子與該驅動電晶體之該電流端子之間，該取樣電晶體係回應於向該掃描線供應之一控制信號而開啟，以由此對來自該信號線之一視訊信號進行取樣並將該視訊信號寫入至該保持電容器，而該取樣電晶體實施從該驅動電晶體流向該保持電容器之一電流的負回授，以由此在一預定校正週期中將取決於該驅動電晶體的遷移率之一校正量寫入至該保持電容器直至回應於一控制信號而關閉該取樣電晶體，該驅動電晶體向該發光元件供應取決於該視訊信號及寫入至該保持電容器的該校正量之一電流，以由此驅使該發光元件發光，該寫入掃描器將包括至少雙脈衝之一控制信號供應至該掃描線以由此設定一第一校正週期、一第二校正週期及介於該第一校正週期與該第二校正週期之間的一校正中間週期，以及該取樣電晶體在該第一校正週期中實施一校正量向該保持電容器之寫入，而在該校正中間週期中加速該校正量向該保持電容器之該寫入，而該取樣電晶體在該第二校正週期中安定該校正量向該保持電容器之該寫入。
  2. 如請求項1之顯示器件，其中在該校正中間週期中，該取樣電晶體依據一視訊信號之一位準而自動調整該校正量向該保持電容器之該寫入之一加速程度，以由此將取決於該視訊信號的該位準之該校正量寫入至該保持電容器。
  3. 一種顯示器件，其包含；一像素陣列部分，其經組態成用以包括沿列佈置之掃描線、沿行佈置之信號線及佈置於該等掃描線與該等信號線的交叉點處且配置成一矩陣之像素；以及一驅動部分，其經組態成用以具有向該等掃描線循序供應一控制信號以由此實施線序掃描之至少一寫入掃描器以及向該等信號線供應一視訊信號以與該線序掃描匹配之一信號選擇器，其中該等像素之每一像素包括至少一取樣電晶體、一驅動電晶體、一保持電容器及一發光元件，該取樣電晶體之一控制端子係連接至該掃描線，而該取樣電晶體之一對電流端子係連接於該信號線與該驅動電晶體的一控制端子之間，該驅動電晶體之一對電流端子之一者係連接至該發光元件，而該驅動電晶體之該對電流端子之該另一者係連接至一電源供應，該保持電容器係連接於該驅動電晶體之該控制端子與該驅動電晶體之該電流端子之間，該取樣電晶體係回應於向該掃描線供應之一控制信號而開啟，以由此對來自該信號線之一視訊信號進行取樣並將該視訊信號寫入至該保持電容器，而該取樣電晶體實施從該驅動電晶體流向該保持電容器之一電流的負回授，以由此在一預定校正週期中將取決於該驅動電晶體的遷移率之一校正量寫入至該保持電容器直至回應於一控制信號而關閉該取樣電晶體，該驅動電晶體向該發光元件供應取決於該視訊信號及寫入至該保持電容器的該校正量之一電流，以由此驅使該發光元件發光，該寫入掃描器向該掃描線供應包括具有互不相同的峰值位準之至少雙脈衝之一控制信號，以及根據向作為該取樣電晶體之一閘極的該取樣電晶體之該控制端子施加之該等雙脈衝之該等峰值位準而開啟與關閉該取樣電晶體，該等峰值位準係依據向作為該取樣電晶體之一源極的該取樣電晶體的該電流端子施加之一視訊信號的一位準，以由此依據該視訊信號之該位準來自動調整一校正時間。
  4. 如請求項3之顯示器件，其中該寫入掃描器向該掃描線供應包括由一第一脈衝與一第二脈衝構成的雙脈衝之一控制信號，其峰值位準係低於該第一脈衝之一峰值位準，以及該取樣電晶體係回應於該第一脈衝而開啟並僅在因一視訊信號之一位準較高時的該第一脈衝所致該取樣電晶體之一開啟狀態之一週期期間將一校正量寫入至該保持電容器，而且該取樣電晶體係回應於該第一脈衝並回應於該第二脈衝而開啟並在因一視訊信號之一位準較低時的該第一脈衝及該第二脈衝所致該取樣電晶體之一開啟狀態之週期期間將一校正量寫入至該保持電容器。
  5. 如請求項4之顯示器件，其中在介於期間該取樣電晶體係回應於該等第一及第二脈衝而處於一開啟狀態的週期之間的一期間該取樣電晶體係處於一關閉狀態之校正中間週期中，該取樣電晶體依據一視訊信號之一位準自動調整該校正量向該保持電容器的寫入之一加速程度，以由此將取決於該視訊信號的該位準之該校正量寫入至該保持電容器。
  6. 如請求項3之顯示器件，其中該寫入掃描器將包括於該控制信號中的脈衝之脈衝寬度設定成比該等脈衝之脈衝波形之瞬變時間更短，以由此設定該等脈衝之峰值位準。
  7. 一種用於驅動包括一像素陣列部分與一驅動部分之一顯示器件的方法，該像素陣列部分包括沿列佈置之掃描線、沿行佈置之信號線及佈置於該等掃描線與該等信號線的交叉點處且配置成一矩陣之像素；該等像素之每一像素包括至少一取樣電晶體、一驅動電晶體、一保持電容器及一發光元件；該取樣電晶體之一控制端子係連接至該掃描線；該取樣電晶體之一對電流端子係連接於該驅動電晶體的該信號線與一控制端子之間；該驅動電晶體之一對電流端子之一者係連接至該發光元件；該驅動電晶體之該對電流端子之該另一者係連接至一電源供應；該保持電容器係連接於該驅動電晶體之該控制端子與該驅動電晶體之該電流端子之間；該驅動部分具有向該等掃描線循序供應一控制信號以由此實施線序掃描之至少一寫入掃描器以及向該等信號線供應一視訊信號以與該線序掃描匹配之一信號選擇器；該方法包含以下步驟；回應於向該掃描線供應之一控制信號而開啟該取樣電晶體，以由此對來自該信號線之一視訊信號進行取樣並將該視訊信號寫入至該保持電容器，並實施從該驅動電晶體流向該保持電容器之一電流的負回授，以由此在一預定校正週期中將取決於該驅動電晶體的遷移率之一校正量寫入至該保持電容器直至回應於一控制信號而關閉該取樣電晶體；從該驅動電晶體向該發光元件供應取決於該視訊信號及寫入至該保持電容器的該校正量之一電流，以由此驅使該發光元件發光；將包括至少雙脈衝之一控制信號從該寫入掃描器供應至該掃描線以由此設定一第一校正週期、一第二校正週期及介於該第一校正週期與該第二校正週期之間的一校正中間週期；以及藉由該取樣電晶體，在該第一校正週期中實施一校正量向該保持電容器之寫入，在該校正中間週期中加速該校正量向該保持電容器之該寫入，而在該第二校正週期中安定該校正量向該保持電容器之該寫入。
  8. 一種用於驅動包括一像素陣列部分與一驅動部分之一顯示器件的方法，該像素陣列部分包括沿列佈置之掃描線、沿行佈置之信號線及佈置於該等掃描線與該等信號線的交叉點處且配置成一矩陣之像素；該等像素之每一像素包括至少一取樣電晶體、一驅動電晶體、一保持電容器及一發光元件；該取樣電晶體之一控制端子係連接至該掃描線；該取樣電晶體之一對電流端子係連接於該驅動電晶體的該信號線與一控制端子之間；該驅動電晶體之一對電流端子之一者係連接至該發光元件：該驅動電晶體之該對電流端子之該另一者係連接至一電源供應：該保持電容器係連接於該驅動電晶體之該控制端子與該驅動電晶體之該電流端子之間：該驅動部分具有向該等掃描線循序供應一控制信號以由此實施線序掃描之至少一寫入掃描器以及向該等信號線供應一視訊信號以與該線序掃描匹配之一信號選擇器；該方法包含以下步驟：回應於向該掃描線供應之一控制信號而開啟該取樣電晶體以由此對來自該信號線之一視訊信號進行取樣並將該視訊信.號寫入至該保持電容器，並實施從該驅動電晶體流向該保持電容器之一電流的負回授以由此在一預定校正週期中將取決於該驅動電晶體的遷移率之一校正量寫入至該保持電容器直至回應於一控制信號而關閉該取樣電晶體：從該驅動電晶體向該發光元件供應取決於該視訊信號及寫入至該保持電容器的該校正量之一電流，以由此驅使該發光元件發光：從該寫入掃描器向該掃描線供應包括具有互不相同的峰值位準之至少雙脈衝之一控制信號：以及根據向作為該取樣電晶體之一閘極的該取樣電晶體之該控制端子施加之該等雙脈衝之該等峰值位準而開啟與關閉該取樣電晶體，該等峰值位準係依據向作為該取樣電晶體之一源極的該取樣電晶體之該電流端子施加之一視訊信號的一位準，以由此依據該視訊信號之該位準來自動調整一校正時間。
  9. 一種電子裝置，其包含如請求項1之顯示器件。
  10. 一種電子裝置，其包含如請求項3之顯示器件。
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