TWI402231B - Manufacture method of glass plate and manufacturing apparatus for glass plate - Google Patents

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Tsugunobu Murakami
Masayasu Matsubayashi
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Description

玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置
本發明係關於一種玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置。
先前，液晶顯示器等平板顯示器之顯示部係使用玻璃板。玻璃板係藉由將熔融玻璃成形為片狀之片材玻璃而製作。片材玻璃係藉由如下方式而成形：於熔解槽中熔解所調配之原料而成為熔融玻璃，使熔融玻璃通過去除氣泡之澄清槽、使組成分佈均勻之攪拌槽等而流入成形裝置。
通常，使熔解槽中所熔解之熔融玻璃流動之裝置或配管係使用由鉑或鉑合金製造者。其目的在於：防止熔融玻璃因構成裝置或配管之材料熔融而受到污染，且藉由對裝置或配管本身通電而調整於內部流動之熔融玻璃之溫度。
此處，例如於平板顯示器用玻璃板之製造步驟中，由於熔融玻璃之溫度約為1000℃~1700℃之高溫，故而就搬送熔融玻璃之配管或裝置而言必需考慮熱膨脹。例如於專利文獻1(日本專利第449830號公報)中，為了抑制操作時之鉑或鉑合金製配管的由熱膨脹所導致之破損，於使熔融玻璃流動之配管之外壁及內壁上，以周部成為螺旋狀之方式形成於直徑方向凸出之凸出部。
然而，搬送熔融玻璃之配管大多情況下如專利文獻1(日本專利第4498390號公報)所揭示般分割為複數段。其原因在於：若不將配管分割為複數段，則難以吸收由將配管或 裝置提昇至操作時之溫度時產生之熱膨脹所導致的伸長。即，原因在於：由於無法吸收由熱膨脹所導致之伸長，故有配管或裝置變形、破損之虞。因此，於專利文獻1中，於使配管或裝置升溫至特定溫度之狀態下(高溫狀態下)，利用焊接等連接分割為複數段之配管或裝置，藉此減少連接後之配管或裝置的由膨脹所導致之伸長量，抑制配管或裝置之變形。
又，搬送熔融玻璃之配管、裝置、及該等之周邊構件必需於操作前升溫至操作時之溫度之附近。
其原因在於：若配管或裝置之溫度不足夠高，則有於配管或裝置中流動之熔融玻璃之溫度下降而使熔融玻璃於配管或裝置中凝固且無法流動之虞。
又，其原因在於：考慮到，若使高溫之熔融玻璃流入常溫狀態之配管或裝置中，則於該等或周邊構件中產生與溫度差對應之熱膨脹。即，考慮到，於此種情形時，在搬送熔融玻璃之配管、裝置、及該等之周邊構件中產生熱膨脹、熱應變。並且，其原因在於考慮到產生由該熱膨脹、熱應變所導致之變形或破損。
但是，對於操作者而言，於升溫至特定溫度之狀態下(即於高溫狀態下)對複數配管進行焊接等而形成操作時的狀態之操作較為困難。因此，有時存在無法高精度地進行焊接等而使熔融玻璃自焊接部位漏出之問題。又，與未焊 接之區域之強度相比較，焊接之區域之強度必然變低。
又，雖然預先使配管升溫，但是若考慮進行焊接等之操作者之操作性等，則實際上難以升溫至操作時之溫度。因此，即便為抑制由熱膨脹所導致之變形或破損而預先將配管升溫至特定溫度，亦有時於連接該配管而形成操作時之狀態後，進而升溫至操作時之溫度。因此，擔心仍會產生配管之熱膨脹而導致配管之變形或破損。
又，近年來，隨著平板顯示器之大型化，其所使用之玻璃板亦有大型化之傾向。隨著所製造之玻璃板變大而使成形裝置亦大型化，因此為保持生產性而必需使一天內流入成形裝置中之熔融玻璃之量亦增加。再者，若使一天內流入成形裝置中之熔融玻璃之量增加，則使熔融玻璃流動之配管或裝置有大型化之傾向。此處，若配管或裝置大型化，則存在升溫時之膨脹量增加而使配管之破損或變形明顯之問題。
又，近年來，對於由平板顯示器等電氣設備等所使用之玻璃板內之氣泡所導致的缺陷之要求變得嚴格，必需使用澄清劑減少玻璃板內之氣泡數。
進而，近年來由於環境負荷之問題，故作為澄清劑，要求使用氧化錫或氧化鐵等金屬氧化物而並非可獲得較高之澄清效果但毒性較高之As2 O3 。此處，為使氧化錫或氧化鐵等作為澄清劑而發揮作用，與As2 O3 相比較，必需進而提昇熔融玻璃之溫.度。更詳細而言，氧化錫作為澄清劑而開始發揮作用之溫度高於As2 O3 。即，於含有氧化錫等作 為澄清劑之玻璃板之製造中，澄清槽或其周邊之配管之溫度亦必需高於含有As2 O3 作為澄清劑之情形。因此，有澄清槽或其周邊之配管之膨脹量增加而使配管之破損或變形明顯之問題。
如上所述，近年來有由鉑或鉑合金製造之配管或裝置之膨脹量增加之傾向，故而於上述專利文獻1所記載之方法中，難以充分抑制上述配管之破損或變形。
因此，本發明之課題在於提供一種可藉由更簡便之操作而抑制使熔融玻璃流動之配管之變形或破損的玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置。
本發明之玻璃板之製造方法包括熔解步驟、搬送步驟、供給步驟、成形步驟、及切割步驟。於熔解步驟中，熔解玻璃原料而形成熔融玻璃。於搬送步驟中，使熔融玻璃流入由鉑族元素或鉑族元素合金製造之配管內而進行搬送。於供給步驟中，將熔融玻璃供給於成形裝置。於成形步驟中，將供給步驟中所供給之熔融玻璃成形為片材玻璃。於切割步驟中，切割片材玻璃而形成玻璃板。於搬送步驟中搬送熔融玻璃之配管具有：第1管及第2管、及覆蓋構件。第1管及第2管係相隔而配置，且於其間形成有容許操作時之熱膨脹之熱膨脹容許空間。覆蓋構件係覆蓋第1管及第2管之端部及熱膨脹容許空間，且相對於第1管及第2管而於軸方向自由移動。搬送步驟包括黏度提昇步驟。於黏度提昇步驟中，於自第1管經由熱膨脹容許空間向第2管搬送熔 融玻璃時，使自上述熔融玻璃向上述覆蓋構件之外部之熱轉移量大於自上述熔融玻璃向上述第1管及上述第2管之外部轉移之熱的熱轉移量，藉此提昇上述熔融玻璃之黏度。
此處，例如覆蓋構件並不限定於覆蓋第1管及第2管之全周者。
此處，可藉由簡便之操作而將使熔融玻璃流動之配管形成為操作時之狀態。
又，於黏度提昇步驟中，較佳為提昇第1管之第2管側之端部與覆蓋構件之間之熔融玻璃的一部分之黏度，提昇第2管之第1管側之端部與覆蓋構件之間之熔融玻璃的一部分之黏度。
又，於黏度提昇步驟中，較佳為於第1管之第2管側之端部與覆蓋構件之間，針對熔融玻璃之黏度η而設為logη=4~13，於第2管之第1管側之端部與覆蓋構件之間，針對熔融玻璃之黏度η而設為logη=4~13。
又，搬送步驟中之覆蓋構件較佳為具有覆蓋部、及至少1個凸緣部。覆蓋部覆蓋第1管、第2管、及熱膨脹容許空間。凸緣部係自覆蓋部延伸至外側。
又，覆蓋部係形成有至少1個開口部，凸緣部自形成有開口部之開口部形成部延伸至外側，且藉由凸緣部形成凸緣部間空間，於黏度提昇步驟中，針對凸緣部間空間中之熔融玻璃之黏度η，較佳為設為logη=6以上。
又，玻璃板較佳為於熔解步驟中熔解之玻璃原料實質上不含As2 O3 之液晶顯示器用玻璃板。
關於上述玻璃板之製造中所使用之上述熔融玻璃之黏度η，較佳為成為logη=2.5之溫度為1500℃~1750℃。
上述玻璃板之製造中所使用之玻璃之應變點較佳為655℃以上。
上述玻璃原料較佳為含有氧化錫作為澄清劑。
上述玻璃板含有SiO2 及Al2 O3 ，且上述玻璃板之上述SiO2 與上述Al2 O3 之合計含有率為70質量%以上，上述玻璃板之鹼金屬氧化物之含有率較佳為2質量%以下。
上述玻璃板較佳為實質上不含有鹼金屬氧化物之無鹼玻璃。
上述玻璃板較佳為含有50~70質量%之SiO2 、0~15質量%之B2 O3 、5~25質量%之Al2 O3 、0~10質量%之MgO、0~20質量%之CaO、0~20質量%之SrO、0~10質量%之BaO、5~20質量%之RO(其中，R係選自Mg、Ca、Sr及Ba中之上述玻璃板所含有之成分，且為至少1種)。
又，於供給步驟中，較佳為每天對上述成形裝置供給6 t以上之上述熔融玻璃。
本發明之玻璃板製造裝置包括熔解槽、成形裝置、及配管。熔解槽係熔解玻璃原料而形成熔融玻璃。成形裝置係將熔融玻璃成形為片材玻璃。配管係配置於熔解槽與成形裝置之間，且使熔融玻璃於內部流動之由鉑族元素或鉑族元素合金製造者。配管具有相隔而設置之第1管及第2管、及相對於第1管及第2管而於軸方向自由移動之覆蓋構件。於第1管與第2管之間形成有容許操作時之熱膨脹之熱膨脹 容許空間。覆蓋構件係覆蓋第1管及第2管之端部及熱膨脹容許空間，且相對於第1管及第2管而於軸方向自由移動。進而，配管係於自第1管經由熱膨脹容許空間向第2管搬送熔融玻璃時，使自熔融玻璃向覆蓋構件之外部的熱轉移量大於自熔融玻璃向第1管及第2管之外部轉移的熱轉移量，藉此提昇熔融玻璃之黏度。
再者，配管例如只要配置於熔解槽與成形裝置之間即可，亦可不與熔解槽及成形裝置直接連接。此處，可利用簡便之操作將使熔融玻璃流動之配管形成為操作時之狀態。
於本發明中，可利用更簡便之操作抑制使熔融玻璃流動之配管之變形或破損。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之一實施形態之玻璃板之製造方法進行說明。
(1)玻璃板之製造方法之概要
圖1係本實施形態之玻璃板之製造方法之局部流程圖。以下，利用圖1對玻璃板之製造方法進行說明。
如圖1所示，玻璃板係經由包括熔解步驟ST1、澄清步驟ST2、均質化步驟ST3、供給步驟ST4、及成形步驟ST5之各種步驟而製造。以下，對該等步驟進行詳細說明。
於熔解步驟ST1中，熔解玻璃原料。玻璃原料包含SiO2 、Al2 O3 等組成。對投入爐中之玻璃原料進行加熱而 使其熔解。完全熔解之玻璃原料成為熔融玻璃並流向進行作為下一步驟之澄清步驟ST2之收容部。
於澄清步驟ST2中，對熔融玻璃進行澄清。具體而言，將熔融玻璃中所含之氣體成分作為氣泡釋放至熔融玻璃外、或溶解於熔融玻璃中。經澄清之熔融玻璃流向進行作為下一步驟之均質化步驟ST3之收容部。
於均質化步驟ST3中，使熔融玻璃均質化。具體而言，藉由攪拌熔融玻璃而使其均質化。再者，於該步驟中，進行澄清結束之熔融玻璃之溫度調整。經均質化之熔融玻璃流向進行作為下一步驟之供給步驟ST4之收容部。
於供給步驟ST4中，將熔融玻璃供給於進行成形之裝置。於該步驟中，以成為適合開始進行片狀之片材玻璃之成形的溫度之方式使熔融玻璃冷卻。
於成形步驟ST5中，將熔融玻璃成形為片材玻璃。成形之片材玻璃板係利用切割裝置於切割步驟中進行切割而成為玻璃板。作為成形方法，可使用下拉法、浮式法、碾平法等。再者，於本實施形態中較佳為使用下拉法之溢流下拉法。關於溢流下拉法，如下所述。再者，經切割之玻璃板係其後進行切割、磨削、研磨等加工並進行洗淨、檢查。
(2)玻璃板製造裝置100之概要
圖2係表示本實施形態之玻璃板製造裝置100之一例者。
如圖2所示，玻璃板製造裝置100具有熔解槽101、澄清槽102、攪拌槽103、成形裝置104、第1配管105(相當於配 管)、及第2配管106。
熔解槽101係用以熔解玻璃原料之槽。熔解槽101係由磚等耐火物所構成，且於下部具有液槽。例如，熔解槽101係藉由配置於壁面上之燃燒器而適當地進行加熱。並且，藉由使用燃燒器加熱壁面而產生輻射熱，利用該輻射熱加熱玻璃原料而使其熔解。於液槽中，設置有用以藉由對玻璃原料通電而使玻璃原料本身產生焦耳熱之電加熱(electric heating)裝置。於液槽之壁面上，以與玻璃原料接觸之方式設置有電加熱裝置之電極。於熔解槽101中，進行熔解步驟ST1。再者，於上述中，列舉具有燃燒器及電極者作為例子對玻璃原料之加熱裝置進行了說明，但並不限定於此，只要具有任一者即可。又，玻璃原料之熔解方法並不特別地限定於此，亦可使用其他加熱裝置熔解玻璃原料。
澄清槽102係用以自熔解槽101所熔解之熔融玻璃中去除氣泡之槽。藉由於澄清槽102中進一步加熱自熔解槽101送入之熔融玻璃而促進熔融玻璃中之氣泡之脫泡。於澄清槽102中，進行澄清步驟ST2。更詳細而言，澄清槽102中之熔融玻璃之溫度為澄清劑釋放氣體成分(例如，若為氧化錫，則為氧氣)之溫度以上，且升溫至上述氣體成分於熔融玻璃中的原有之氣泡中擴散而使原有之氣泡之泡徑擴大的溫度。又，熔融玻璃之溫度係升溫至實現熔融玻璃中之氣泡具有充分之浮起速度的黏度(200~800 poise)之溫度以上。藉此，使熔融玻璃中之氣泡自熔融玻璃內釋放至外 部。其後，使熔融玻璃降溫，由澄清劑吸收殘存於熔融玻璃中之氣泡。藉此，可去除熔融玻璃中之氣泡而進行澄清。再者，氣泡之去除亦可於澄清槽102、第1配管105及攪拌槽103中進行。
攪拌槽103具有包括如下者之攪拌裝置：收容熔融玻璃之容器、旋轉軸、安裝於該旋轉軸上之攪拌翼。作為容器、旋轉軸、及攪拌翼，例如可使用由鉑等鉑族元素或鉑族元素之合金製造者，但並不限定於此。藉由利用馬達等驅動部(未圖示)之驅動使旋轉軸旋轉而使安裝於旋轉軸上之攪拌翼攪拌熔融玻璃。於攪拌槽103中，進行均質化步驟ST3。
再者，此處，將於熔解槽101中投入玻璃原料並進行熔解步驟ST1、澄清步驟ST2、及均質化步驟ST3之過程(即，熔融玻璃流入熔解槽101、澄清槽102、第1配管105、攪拌槽103、及第2配管106之內部之過程)稱為搬送步驟。
成形裝置104包括於上部形成有溝槽且縱方向之剖面成為楔形形狀之成形體。溝槽係沿著成形體之長度方向而形成。成形體為耐火物。另外，成形裝置104包括：使自成形體溢出並於成形體之下端合流之熔融玻璃向下方延伸之輥、使玻璃緩緩冷卻之冷卻裝置等。於成形裝置104中，進行成形步驟ST5。再者，於供給步驟ST4中，每天將6 t以上之熔融玻璃供給於成形裝置104。
第1配管105、及第2配管106係由鉑族元素(鉑、銥、 鋨、鈀、銠、釕等)或鉑族元素合金製造之配管。第1配管105係連接澄清槽102與攪拌槽103之配管。第2配管106係連接攪拌槽103與成形裝置104之配管。
再者，包含鉑族元素或鉑族元素合金之澄清槽102、第1配管105、攪拌槽103、第2配管106較佳為藉由使直接電流通過該鉑族元素或鉑族元素合金而進行加熱。藉由使直接電流通過鉑族元素或鉑族元素合金，可高效地使熔融玻璃升溫。因此，即便於使用氧化錫作為澄清劑之情形時，亦可容易地將熔融玻璃升溫至氧化錫作為澄清劑有效地發揮作用之溫度(例如1620℃以上)。
再者，澄清槽102、第1配管105、攪拌槽103、第2配管106之加熱方法並不限定於上述方法，例如，亦可於澄清槽102、第1配管105、攪拌槽103、第2配管106之周圍設置電熱器等加熱裝置，利用該加熱裝置進行加熱。
(3)第1配管105之詳細構成
圖3係第1配管105之概略分解立體圖。
如圖3中所示，第1配管105具有第1管111、第2管112、及覆蓋構件113。
第1管111係由鉑族元素或鉑族元素合金製造之中空管，且與澄清槽102連接。第1管111係自澄清槽102向熔融玻璃流入攪拌槽103中之第1方向突出。
第2管112係由鉑族元素或鉑族元素合金製造之中空管，且與攪拌槽103連接。第2管112係自攪拌槽103向與第1方向為反方向之第2方向突出。第1管111及第2管112例如係 使用直徑為10~1000 mm(較佳為70 mm~200 mm)之管。再者，第1管111及第2管112之直徑並不限定於此。
於第1管111與第2管112之間存在第1空間S1(相當於熱膨脹容許空間)。即，第1管111與第2管112係相隔而設置。此處，於本實施形態中，基於熔融玻璃之散熱量(基於玻璃之溫度之下降量、流量、比熱、及散熱條件而進行計算)而決定相隔狀態下之第1管111及第2管112之不相對向之側的端面(即，第1管111之第2方向側之端面與第2管112之第1方向側之端面)間之長度。
於第1管111及第2管112之不相對向之側的端部(即，第1管111之第2方向側之端部、及第2管112之第1方向側之端部)，配置有複數層之隔熱材料。
覆蓋構件113覆蓋第1管111之第2管112側的端部及第2管112之第1管111側的端部(即，第1管111之第1方向側之端部與第2管112之第2方向側之端部)、以及第1空間S1。即，覆蓋構件113具有連接相隔狀態下之第1管111與第2管112之作用。藉此，可使於第1管111之內部流動之熔融玻璃流入第2管112之內部。又，覆蓋構件113係相對於第1管111及第2管112而於其軸方向(第1方向及第2方向)自由移動。
覆蓋構件113具有第1構件113a、及第2構件113b。
第1構件113a係由鉑族元素或鉑族元素合金製造，且覆蓋第1管111及第2管112之上部。又，第1構件113a係自上方覆蓋第1空間S1。
第1構件113a具有覆蓋部213a、及凸緣部213b、213c。
覆蓋部213a係覆蓋第1管111、第2管112、及第1空間S1之部分。覆蓋部213a為了能夠覆蓋第1管111及第2管112,使垂直於其長度方向之面進行切割而成之剖面形狀呈現大致半圓之圓弧。凸緣部213b、213c係自覆蓋部213a之兩端部分別向直徑方向外側(具體而言，與於第1方向上水平之水平面正交之方向)於水平方向上延伸。再者，此處，凸緣部213b、213c雖然係自覆蓋部213a向水平方向延伸，但並不限於向水平方向延伸。凸緣部213b、213c之各自之寬度W1(參照圖4)例如較佳為20 mm以下(但是，為除0以外之自然數)。
再者，凸緣部213b、213c之寬度W1較佳為20 mm以下之原因在於：首先該凸緣部213b、213c具有作為冷卻片之作用。即，其原因在於：若凸緣部213b、213c之寬度W1過大(例如，若大於下述第1壓制(pressing down)構件114a之第1下表面414之寬度)，則會不必要地降低第1管111及第2管112之溫度，進而降低於第1管111及第2管112之內部流動之熔融玻璃之溫度，因此避免該狀況。繼而，其原因在於：覆蓋構件113係由與其他金屬相比相對昂貴之鉑族元素或鉑族元素合金製造，因此可謀求成本之降低。
第2構件113b係由鉑族元素或鉑族元素合金製造，且覆蓋第1管111及第2管112之下部。又，第2構件113b係自下方覆蓋第1空間S1。於本實施形態中，第2構件113b具有以第1構件113a之縱向為軸而對稱之形狀，且具有覆蓋部214a及凸緣部214b、214c。
再者，由於覆蓋部214a及凸緣部214b、214c具有與第1構件113a之覆蓋部213a及凸緣部213b、213c相同之構成，故省略說明。再者，第1構件113a及第2構件113b並不限定於以該等之縱向為軸而對稱之形狀。
第1構件113a係利用下述第1壓制構件114a予以支持。第2構件113b係經由下述之第2壓制構件114b並利用未圖示之壓制構件(例如千斤頂等)予以支持。
此處，於第1管111及第2管112、與第1構件113a及第2構件113b之間，於其圓周方向存在間隙S2、S3(參照圖5)。即，第1構件113a及第2構件113b之內徑分別大於第1管111及第2管112之外徑。此處，由於存在間隙S2及間隙S3而使覆蓋構件113容易於第1管111及第2管112之軸方向移動。
第1構件113a及第2構件113b之內徑與第1管111及第2管112之外徑之差較佳為5 mm以下(但是，為除0以外之自然數)。其原因在於可抑制熔融玻璃漏出至外部。
於第1構件113a之凸緣部213b、213c與第2構件113b之凸緣部214b、214c之間，分別形成有凸緣部間空間S4(參照圖5)。
即，第1構件113a及第2構件113b係以如下方式配置：於第1構件113a之兩端部與第2構件113b之兩端部之間，分別形成有可使於第1管111及第2管112中流動之熔融玻璃流入凸緣部間空間S4中的開口部313(參照圖5或圖6，於圖5中僅顯示紙面近前側之開口部)。因此，覆蓋部213a、214a之兩端部係作為形成開口部313之開口部形成部而發揮作 用。凸緣部間空間S4之垂直方向之高度(具體而言，凸緣部213b、213c之下表面與凸緣部214b、214c之上表面之距離)較佳為5 mm以下(但是，為除0以外之自然數)。其原因在於可抑制熔融玻璃漏出至外部。
第1構件113a及第2構件113b係以壓制構件114予以支持。以下，對壓制構件114進行說明。
(4)壓制構件114之詳細構成
圖4係覆蓋構件113及壓制構件114之概略立體圖。
如圖4所示，壓制構件114具有自上方壓制第1構件113a之第1壓制構件114a、及自下方壓制第2構件113b之第2壓制構件114b。第1構件113a及第2構件113b分別藉由第1壓制構件114a及第2壓制構件114b而朝互相接近之方向壓制。
第1壓制構件114a及第2壓制構件114b係耐火性或耐熱性優異之塊狀構件，例如磚等。第1壓制構件114a及第2壓制構件114b係使用與上述配置於第1管111及第2管112之不相對向側之端部的隔熱材料相比較導熱率更高者(較佳為1.2~20 W/m．K)。第1壓制構件114a及第2壓制構件114b分別於其厚度方向之一端部形成有沿長度方向以大致半圓狀開放的空間S5、S6。
第1壓制構件114a及第2壓制構件114b之內徑與覆蓋構件113之外徑相同。因此，於將第1壓制構件114a安裝於第1構件113a之狀態(操作時之狀態)下，第1壓制構件114a之形成空間S5之圓弧部314的內周與第1構件113a之覆蓋部213a 的外周接觸。又，於將第2壓制構件114b安裝於第2構件113b之狀態(操作時之狀態)下，第2壓制構件114b之形成空間S6之圓弧部315的內周與第2構件113b之覆蓋部214a的外周接觸。又，於將第1壓制構件114a安裝於第1構件113a之狀態(操作時之狀態)下，第1壓制構件114a之除圓弧部314以外的第1下表面414與第1構件113a之凸緣部213b、213c的上表面接觸。又，第2壓制構件114b之除圓弧部315以外的第2下表面415與第2構件113b之凸緣部214b、214c的下表面接觸。此處，第1壓制構件114a及第2壓制構件114b之第1下表面414及第2下表面415的寬度較佳為分別與第1構件113a之凸緣部213b、213c、第2構件113b之凸緣部214b、214c的寬度相同。
第1壓制構件114a係藉由未圖示之支持構件(例如螺桿等)而支持固定。第2壓制構件114b係藉由未圖示之支持構件(例如千斤頂等)而支持固定。
第1壓制構件114a及第2壓制構件114b例如係藉由磚之榫眼(Mortice)加工或者澆鑄而成形。
(5)第1配管105及壓制構件114之安裝方法
以下，對第1配管105及壓制構件114之安裝方法進行說明。
首先，如圖3所示，以覆蓋與澄清槽102連接之第1管111之第1方向側之端部、與攪拌槽103連接之第2管112之第2方向側之端部、及第1管111與第2管112之間的第1空間S1之方式，安裝第1構件113a及第2構件113b。具體而言，自 第1管111及第2管112之上方安裝第1構件113a，自第1管及第2管112之下方安裝第2構件113b。再者，於圖5中表示將第1構件113a及第2構件113b正常安裝於第1管111及第2管112之狀態。
繼而，如圖4所示，對覆蓋構件113安裝壓制構件114。此時，以第1壓制構件114a之內周與第1構件113a之外周接觸且第2壓制構件114b之內周與第2構件113b之外周接觸之方式進行安裝。
再者，其後，對於澄清槽102、攪拌槽103、成形裝置104、第1配管105、第2配管106等，利用配置於附近之溫度調節裝置以成為特定溫度(例如，作為操作時之溫度之1500℃)之方式進行升溫。其後，開始進行操作。再者，於操作時之狀態下，將玻璃原料於熔解槽101中熔解，並使熔融玻璃流入第1配管105中且流向成形裝置104(即，使熔融玻璃於第1管111及第2管112之內部流動)。
再者，於將熔融玻璃自第1管111經由第1空間S1向第2管112搬送時，使熔融玻璃之一部分之黏度局部提昇(黏度提昇步驟)。由於在較澄清槽102更下游側(自熔解槽101向成形裝置104流動之熔融玻璃之路徑的較澄清槽102更下游側)使熔融玻璃之溫度緩緩降低，故隨著流向下游而使熔融玻璃之黏度緩緩提昇。本實施形態中之所謂黏度提昇步驟，並非上述之緩緩地降低熔融玻璃溫度者，係指於間隙S2及間隙S3、進而於第1空間S1中以成為logη=4以上之方式局部且急速地提昇玻璃黏度之步驟。於該步驟中，使自 熔融玻璃向覆蓋構件113之外部轉移的熱轉移量大於熔融玻璃之利用第1管111及第2管112之搬送時向外部釋放的熱轉移量，從而急遽提昇熔融玻璃之黏度。所謂熱之轉移量，係沿熔融玻璃之流動方向每單位長度向外部轉移的熱之轉移量。
具體而言，於黏度提昇步驟中，於間隙S2及間隙S3中，在第1管111之第2管112側之端部與覆蓋構件113之間所形成的空間內，使熔融玻璃之一部分之黏度提昇。此時，關於熔融玻璃之黏度η而成為logη=4~13。
又，於黏度提昇步驟中，於間隙S2及間隙S3中，在第2管112之第1管111側之端部與覆蓋構件113之間所形成的空間內，使熔融玻璃之一部分之黏度提昇。此時，關於熔融玻璃之黏度η而成為logη=4~13。
又，於黏度提昇步驟中，凸緣部213b、213c、214b、214c之附近之熔融玻璃(具體而言，為進入凸緣部間空間S4之熔融玻璃)之黏度並非柔軟且為容易洩露至外部之程度，另一方面成為產生黏性流動之程度之黏度。
再者，作為測定熔融玻璃之黏度之方法，可使用已知之方法。例如可根據熔融玻璃之黏度而適當使用球提拉法(a Ball Pulling-Up Method)、貫入法、彎梁法(bending beam method)等。
(6)利用本發明而製造之玻璃板之例
以下，對使用本發明而製造之玻璃板之例進行說明。再者，並不限於下述形態。
玻璃板之厚度並無特別限定，亦可為0.1~1.1 mm、0.2 mm~0.7 mm、0.2 mm~0.5 mm。
又，玻璃板之大小並無特別限定，例如亦可為寬度方向之長度為500 mm~3500 mm，長度方向之長度為500 mm~3500 mm。再者，若玻璃板大型化，則為了保持生產性而必需增加熔融玻璃之量(以下，稱為MG量)。即，有玻璃板越大型化，配管(第1配管105或第2配管106)或裝置(熔解槽101、澄清槽102、攪拌槽103、及成形裝置104)之大小越大之傾向。因此，該等配管或裝置之熱膨脹量增加，配管或裝置之破損之問題明顯。
因此，於玻璃之寬度方向之長度為2000 mm以上之情形時，本發明之效果尤其顯著。又，玻璃之寬度方向之長度越成為2500 mm以上、3000 mm以上，本發明之效果越顯著。
又，玻璃板之種類並無特別限定，亦可為硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、鹼矽酸鹽玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃、鹼鋁鍺酸鹽玻璃。
又，玻璃板之用途並無特別限定，亦可用於平板顯示器(液晶顯示器或電漿顯示器等)用玻璃板、太陽電池用面板、覆蓋玻璃。再者，所謂覆蓋玻璃，例如係指為保護AV(Audiovisual，視聽)設備(移動終端等)之顯示畫面或殼體而對玻璃板進行化學或物理強化之強化玻璃。
又，作為平板顯示器(液晶顯示器或電漿顯示器等)用玻璃板，可例示玻璃板以質量%表示含有以下之成分者。下 述括弧內之表示為各成分之較佳之含有率，且越靠後越好。
SiO2 ：50~70%(55~65%、57~64%、58~62%)、Al2 O3 ：5~25%(10~20%、12~18%、15~18%)、B2 O3 ：0~15%(5~15%、6~13%、7~12%)。
此時，作為任意成分，亦可含有下述之組成。
MgO：0~10%(下限為0.01%、下限為0.5%，上限為5%、上限為4%、上限為2%)、CaO：0~20%(下限為1%、下限為3%、下限為4%，上限為9%、上限為8%、上限為7%、上限為6%)、SrO：0~20%(下限為0.5%、下限為3%，上限為9%、上限為8%、上限為7%、上限為6%)、BaO：0~10%(上限為8%、上限為3%、上限為1%、上限為0.2%)、ZrO2 ：0~10%(0~5%、0~4%、0~1%、0~0.1%)。
又，尤其是，玻璃板較佳為以下述質量%表示含有：SiO2 ：50~70%、B2 O3 ：5~18%、Al2 O3 ：10~25%、MgO：0~10%、CaO：0~20%、SrO：0~20%、BaO：0~10%、RO：5~20%(其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種)。進而，較佳為含有： R'2 O：超過0.2%且為2.0%以下(其中，R'係選自Li、Na及K中之玻璃板所含有之成分，且為至少1種)。
將此時之玻璃組成之玻璃稱為含有微量鹼之玻璃，將該玻璃組成之玻璃板稱為含有微量鹼之玻璃板。含有微量鹼之玻璃之R'2 O之含有率只要超過0%且為2.0%以下即可。於本實施形態中，可使用R'2 O之含有率超過0%且為2.0%以下之含有微量鹼之玻璃，但較佳為超過0.2%且為2.0%以下。又，R'2 O亦可實際上為0.0%。將此時之玻璃組成之玻璃稱為無鹼玻璃，將該玻璃組成之玻璃板稱為無鹼玻璃板。
又，較佳為合計含有0.05~1.5%之澄清劑，且實質上不含As2 O3 及PbO。又，玻璃中之氧化鐵之含量進而較佳為0.01~0.2%。
又，玻璃板較佳為以下述質量%表示含有：SiO2 ：50~70%、B2 O3 ：0~15%、Al2 O3 ：5~25%、MgO：0~10%、CaO：0~20%、SrO：0~20%、BaO：0~10%、RO：5~20%(其中，R係選自Mg、Ca、Sr及Ba中之上述玻璃板所含有之成分，且為至少1種)。
進而，於所製造之玻璃板為用於使用TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之平板顯示器(液晶顯示器或有機 EL(electro luminescence，電致發光)顯示器等)中的玻璃板之情形時，就抑制TFT之破壞之觀點而言，本實施形態中所製造之玻璃板較佳為無鹼玻璃板。另一方面，為了使玻璃之熔解性與無鹼玻璃相比有所提昇，本實施形態中所製造之玻璃板亦可為含有微量鹼成分之含有微量鹼之玻璃板。於鹼金屬氧化物自玻璃板中溶出之情形時，有破壞TFT之虞，因此無鹼玻璃板或含有微量鹼之玻璃板可較佳地用於使用TFT之平板顯示器用途。
於為含有微量鹼之玻璃板之情形時，較佳為以質量%表示含有超過0.05%且為2.0%以下之鹼金屬氧化物R'2 O，更佳為含有超過0.1%且為1.0%以下之R'2 O(其中，R'係選自Li、Na及K中之玻璃板所含有之成分，且為至少1種)。又，較佳為合計含有0.05%~1.5%之澄清劑(以質量%表示)，且實質上不含AS2 O3 及PbO。又，玻璃組成中之氧化鐵之含量以質量%表示進而較佳為0.01%~0.2%。
再者，由於近年來對於平板顯示器要求有輕量化，故而於為平板顯示器用玻璃板之情形時，SrO+BaO以質量%表示較佳為0~10%。又，除輕量化之觀點以外，若考慮環境負荷，則BaO以質量%表示進而較佳為0~2%。
此處，關於平板顯示器用玻璃板，如上所述般可較佳地使用：如上述般SiO2 或Al2 O3 之含量較多且鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O)之含量較少之含有微量鹼之玻璃板、或者無鹼玻璃板。但是，該含有微量鹼之玻璃板或無鹼玻璃板之熔解性較低。具體而言，關於熔融玻璃之黏度η成 為logη=2.5之溫度為1500℃~1750℃，該溫度高於含有鹼之玻璃。關於具有上述黏度之熔融玻璃，必需使槽102或其周邊之配管的溫度高於製造使用含有鹼之玻璃的玻璃板之情形。因此，存在澄清槽102或其周邊之配管之膨脹量增加而使配管之破損或變形明顯之問題。
更具體而言，於澄清步驟中，熔融玻璃中之氣泡浮起之速度受熔融玻璃之黏度之影響，熔融玻璃之黏度越低氣泡之浮起速度越提昇。因此，為進行無鹼玻璃或含有微量鹼之玻璃之澄清而將熔融玻璃之黏度設為作為適合澄清之黏度之200~800 poise。如上所述般，由於含有微量鹼之玻璃板或無鹼玻璃板之熔解性較低，故而於為無鹼玻璃或含有微量鹼之玻璃之情形時，與含有鹼之玻璃相比較必需使熔融玻璃之溫度進一步提昇。更詳細而言，於無鹼玻璃板或含有微量鹼之玻璃板之製造中，於澄清步驟中，必需使熔融玻璃之溫度與氧化錫作為澄清劑開始發揮作用之溫度相比成為更高溫(例如為1620℃以上，更佳為1650℃以上，進而較佳為1680℃以上)。即，將設置於熔解槽101之下游側之澄清槽102之溫度提昇至例如1640℃以上，藉此將熔融玻璃加熱至例如1620℃以上、更佳為1650℃、進而更佳為1680℃以上。
又，於熔解槽101中熔解玻璃原料而成之熔融玻璃必需自澄清槽102流出之後直至供給於形裝置104為止保持於較高之溫度(例如，1200~1600℃)。因此，於無鹼玻璃板或含有微量鹼之玻璃板之製造中，設想使高溫之熔融玻璃流 動之裝置(具體而言為熔解槽、澄清槽、攪拌槽、及成形裝置)或配管(具體而言為第1配管或第2配管)之膨脹量變大。因此，易於產生該等裝置或配管之破損。因此，於製造SiO2 或Al2 O3 之含量較多且鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O)之含量較少或完全不含有其之平板顯示器用玻璃板時，本發明之效果變得顯著。例如，本發明適合於SiO2 +Al2 O3 之含量為70質量%以上(例如70質量%~95質量%)並且鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O)之含量為2質量%以下(例如0~2質量%以下)之玻璃板。又，本發明更適合於SiO2 +Al2 O3 之含量為70質量%以上(例如70質量%~95質量%)並且鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O)之含量為1質量%以下(例如0~1質量%)之玻璃板。又，本發明更適合於SiO2 +Al2 O3 之含量為75質量%以上(例如75質量%~95質量%)並且鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O)之含量為0.5質量%以下(0~0.5質量%)之玻璃板。
再者，如上所述般，為了使黏度η成為logη=2.5之溫度為1500~1750℃之熔融玻璃於澄清槽102中獲得充分的氣泡之浮起速度，例如必需使熔融玻璃之溫度為例如1620℃以上。因此，與先前之含有鹼之玻璃相比，上述熔融玻璃係構成澄清槽102之鉑族元素或鉑族元素合金之膨脹量增加。即，成為logη=2.5之溫度為1500~1750℃之熔融玻璃係鉑族元素或鉑族元素合金之膨脹易於變大。因此，上述熔融玻璃適合於本實施形態之製造方法。關於玻璃之黏度，較佳為成為logη=2.5之溫度為1530℃~1750℃，更佳為 1550℃~1750℃，更佳為1570℃~1750℃。
又，作為適用於覆蓋玻璃或太陽電池用玻璃板之玻璃板，例如可例示玻璃板以質量%表示含有以下之成分者。下述括弧內之表示為各成分之較佳之含有率。
SiO2 ：50~70%(55~65%、57~64%、57~62%)、Al2 O3 ：5~20%(9~18%、12~17%)、Na2 O：6~30%(7~20%、8~18%、10~15%)。
此時，作為任意成分，亦可含有下述之組成。
Li2 O：0~8%(0~6%、0~2%、0~0.6%、0~0.4%、0~0.2%)、B2 O3 ：0~5%(0~2%、0~1%、0~0.8%)、K2 O：0~10%(下限為1%、下限為2%，上限為6%、上限為5%、上限為4%)、MgO：0~10%(下限為1%、下限為2%、下限為3%、下限為4%，上限為9%、上限為8%、上限為7%)、CaO：0~20%(下限為0.1%、下限為1%、下限為2%，上限為10%、上限為5%、上限為4%、上限為3%)、ZrO2 ：0~10%(0~5%、0~4%、0~1%、0~0.1%)。
尤其是作為經化學強化之覆蓋玻璃或太陽電池用玻璃板，較佳為以質量%表示含有：SiO2 ：50~70%、Al2 O3 ：5~20%、Na2 O：6~30%、K2 O：0~10%、 MgO：0~10%、CaO：0~20%。
於玻璃板之玻璃中，可添加澄清劑作為使玻璃中之氣泡脫泡之成分。作為澄清劑，只要為環境負荷較小且玻璃之澄清性優異者，則無特別限制，例如可列舉選自氧化錫、氧化鐵、氧化鈰、氧化鋱、氧化鉬及氧化鎢等金屬氧化物中之至少1種。
再者，As2 O3 、Sb2 O3 及PbO係具有於熔融玻璃中產生伴隨價數變動之反應而使玻璃澄清之效果之物質，但As2 O3 及PbO為環境負荷較大之物質，故而於本實施形態之玻璃板中，在玻璃中實質上不含As2 O3 及PbO。再者，於本實施形態中，所謂實質上不含As2 O3 及PbO，意指未達0.01%質量且除雜質以外不含有。
此處，例如為使氧化錫、氧化鐵等金屬氧化物作為澄清劑而發揮作用，與As2 O3 相比必需進而提昇熔融玻璃之溫度。因此，亦必需提高澄清槽102或其周邊配管之溫度，故而與使用As2 O3 作為澄清劑之情形相比較，澄清槽或其周邊配管之膨脹量增加，配管之破損或變形之問題變得顯著。因此，於不使用As2 O3 及PbO而使用氧化錫、氧化鐵、氧化鈰、氧化鋱、氧化鉬及氧化鎢等金屬氧化物作為澄清劑之情形時，本發明之效果變得更加顯著。
此處，於將玻璃板用於平板顯示器用玻璃基板之情形時，對於氣泡缺陷之要求尤其嚴格。因此，作為澄清劑，較佳為至少含有氧化錫、氧化鐵、氧化鈰、氧化鋱、氧化 鉬及氧化鎢等金屬氧化物中澄清效果尤其高之氧化錫。
於使用氧化錫進行澄清之情形時，於澄清槽102中例如必需使熔融玻璃為1600℃以上(例如1620℃以上)。其原因在於：若不使其為1600℃以上(例如1620℃以上)，則氧化錫不會劇烈地釋放氧氣。為將熔融玻璃加熱至1600℃以上(例如1620℃以上)而使直接電流通過構成設置於熔解槽101之下游側之配管或澄清槽102之鉑族元素或鉑族元素合金。藉此，將配管或澄清槽102之溫度提昇至1600℃以上(例如1620℃以上)，將配管或澄清槽102中之熔融玻璃加熱至適合澄清之溫度。即，與使用As2 O3 作為澄清劑之玻璃板之製造相比較，於使用氧化錫作為澄清劑之玻璃板之製造中，澄清槽102或其周邊之配管之溫度變高。因此，存在澄清槽102或其周邊之配管之膨脹量增加而使配管之破損或變形明顯之問題。因此，本發明之效果於使用氧化錫進行澄清之情形時變得更加顯著。
再者，如本實施形態般，尤其是於將必需提昇溫度之澄清槽102與攪拌槽103連接之第1配管105中使用本發明之情形時，上述破損抑制之效果變得顯著。
進而，近年來，為實現平板顯示器之進一步高精細化，要求有使用P-Si(低溫多晶矽)．TFT或氧化物半導體之顯示器元件而並非使用α-Si(非晶矽)．TFT之顯示器元件。此處，於P-Si(低溫多晶矽)．TFT或氧化物半導體之形成步驟中，進行與α-Si．TFT之形成步驟溫度相比更高之熱處理。因此，對於形成有P-Si(低溫多晶矽)．TFT或氧化物半 導體之玻璃板，要求熱收縮率較小。為縮小熱收縮率，較佳為提高玻璃之應變點，但應變點較高之玻璃有高溫時之黏度(高溫黏性)變高之傾向。因此，於澄清槽102中，為使熔融玻璃成為適合澄清之黏性而必需進而提昇熔融玻璃之溫度。即，就提高熔融玻璃之溫度方面而言，本發明之製造方法與先前相比更適合於使用P-Si．TFT之平板顯示器用玻璃板之製造。就相同之原因而言，本發明適合於使用氧化物半導體之平板顯示器用玻璃板之製造。
例如，本發明適合於使用應變點為655℃以上且黏度η成為logη=2之溫度為1600℃以上之熔融玻璃的玻璃板之製造。尤其是，本發明適合於對P-Si(低溫多晶矽)．TFT或氧化物半導體形成更佳之應變點為675℃以上之玻璃板之製造，更適合於應變點為680℃以上之玻璃板之製造，更適合於應變點為690℃以上之玻璃板之製造。再者，作為應變點為675℃以上之玻璃板之組成，例如可例示玻璃板以質量%表示含有以下之成分之玻璃板。
包含：SiO2 ：52~78%、Al2 O3 ：3~25%、B2 O3 ：3~15%、RO(其中，RO為MgO、CaO、SrO、及BaO中之所含有之成分之總量)：3~20%，且質量比(SiO2 +Al2 O3 )/B2 O3 為7~20的範圍之玻璃板。
進而，為進一步提昇應變點，質量比(SiO2 +Al2 O3 )/B2 O3 較佳為7.5以上。進而，為提昇應變點，較佳為將β-OH值設為0.1~0.3 mm。另一方面，為了於熔解時使電流通過熔融玻璃而不通過熔解槽102，較佳為含有0.01~0.8質量%之R2 O(其中，R2 O為Li2 O、Na2 O及K2 O中之所含有之成分之總量)，降低熔融玻璃之比電阻。或者，為降低熔融玻璃之比電阻而含有0.01~1.0質量%之Fe2 O3 。進而，為實現較高之應變點並且防止失透溫度之提昇，較佳為將CaO/RO設為0.65以上。藉由將失透溫度設為1250℃以下，可使用溢流下拉法。又，於應用於移動通訊終端之類的移動設備等之情形時，就輕量化之觀點而言，較佳為SrO及BaO之合計含量為0~未達2質量%。
(7)特徵
(7-1)
先前，於液晶顯示器等平板顯示器之顯示部，係使用玻璃板。玻璃板係藉由對片狀之片材玻璃進行加工而成形。片材玻璃係藉由如下方式而成形：於熔解槽中熔解所調配之原料而形成熔融玻璃，使熔融玻璃通過去除氣泡之澄清槽、使組成分佈均勻之攪拌槽等而流入成形裝置。
使所熔解之熔融玻璃流動之裝置或配管通常係使用由鉑或鉑合金製造者。其目的在於：防止熔融玻璃因構成裝置或配管之材料熔融而受到污染、或藉由對裝置或配管本身通電而調整於內部流動之熔融玻璃之溫度等。
此處，在操作時於配管等中流動之熔融玻璃約為1000℃~1700℃之高溫。又，關於此時之熔融玻璃之黏度 η，係logη=5以下。尤其，關於在連接澄清槽與攪拌槽之配管中流動之熔融玻璃之黏度η，成為logη=4以下。因此，於設備之設置時與操作時產生溫度差。因此，可認為搬送熔融玻璃之配管或裝置產生熱膨脹。但是，由於熔解玻璃原料之熔解槽或使片材玻璃成形之成形裝置之位置係預先決定，故難以根據由鉑或鉑合金製造之裝置或配管之熱膨脹而移動熔解槽或成形裝置。
因此，若無法順利地釋放由鉑或鉑合金製造之裝置或配管之熱膨脹，則有該等或成形裝置等變形而無法充分發揮特定之性能之虞。若考慮更糟糕之狀況，則亦擔心該等之一部分破損。
因此，由鉑或鉑合金製造之裝置或配管之熱膨脹為重要之課題。
因此，例如於專利文獻1(日本專利第4498390號公報)中，為了抑制操作時之鉑或鉑合金製配管之由熱膨脹所導致的破損，於使熔融玻璃流動之配管之外壁及內壁上以周部為螺旋狀之方式形成於直徑方向凸出之凸出部。
然而，搬送熔融玻璃之配管大多情況下係如專利文獻1(日本專利第4498390號公報)所揭示般分割為複數段。
其原因在於：若不將配管分割為複數段，則難以吸收由將配管或裝置提昇至操作時之溫度時產生之熱膨脹所導致的伸長。即，其原因在於：由於無法吸收由熱膨脹所導致之伸長，故有配管或裝置變形、破損之虞。
又，搬送熔融玻璃之配管、裝置、及該等之周邊構件必 需於操作前升溫至操作時之溫度之附近。
其原因在於：若配管或裝置之溫度不足夠高，則有於配管或裝置中流動之熔融玻璃之溫度下降而使熔融玻璃於配管或裝置中凝固且無法流動之虞。
又，其原因在於考慮到，若使高溫之熔融玻璃於常溫狀態之配管或裝置中流動，則於該等或周邊構件中產生與溫度之差對應之熱膨脹。即，其原因在於考慮到，於此情形時，於搬送熔融玻璃之配管、裝置、及該等之周邊構件中產生熱膨脹、熱應變，且考慮到由於該熱膨脹、熱應變而產生變形或破損。
可認為，於專利文獻1(日本專利第4498390號公報)所揭示之發明中，藉由焊接等將搬送熔融玻璃之各配管連接而形成操作時之狀態前，將其升溫至特定溫度。
但是，於高溫狀態下對分割為複數段之配管進行焊接等而形成操作時的狀態之操作非常困難。
具體而言，首先，通常可認為配置有該配管之空間於大多情況下較狹窄。因此，可認為對操作者而言難以於高溫並且狹窄之空間內進行複數段之配管之焊接操作。因此，有焊接操作之效率或精度降低之虞。
繼而，如上所述般，配管係於進行連接而形成操作時之狀態前，預先升溫至特定溫度。但是，雖然預先使配管升溫，但若考慮操作者之操作性等，則其上限溫度為1000℃~1200℃，難以升溫至操作時之溫度(例如1500℃)。
因此，即便為抑制由熱膨脹所導致之變形或破損而預先將配管升溫至特定溫度，亦於使配管成為操作時之狀態後，進而升溫至操作時之溫度。因此，擔心仍會產生配管之熱膨脹，進而產生配管之變形或破損。更詳細而言，可認為由於應力集中於連接複數配管之焊接區域、或溫度更高且強度更弱之部位而產生配管之變形或破損。
近年來，隨著平板顯示器之大型化，其所使用之玻璃板亦有大型化之傾向。又，隨著所製造之玻璃板變大而使成形裝置亦大型化，故為保持生產性而必需使一天內流入成形裝置中之MG量亦增加。再者，若使一天內流入成形裝置中之MG量增加，則使熔融玻璃流動之配管或裝置有大型化之傾向。此處，若配管或裝置大型化，則存在升溫時之膨脹量增加而使配管之破損或變形變得明顯之問題。
進而，近年來由於環境負荷之問題，故作為澄清劑，要求使用氧化錫或氧化鐵等金屬氧化物而並非毒性較高之As2 O3 。此處，為使氧化錫或氧化鐵等作為澄清劑發揮作用，與As2 O3 相比較，必需進而提昇熔融玻璃之溫度。即，由於亦必需提高澄清槽或其周邊之配管之溫度，故而存在澄清槽或其周邊之配管之膨脹量增加而使配管之破損或變形明顯之問題。
如此，近年來有由鉑或鉑合金製造之配管或裝置之膨脹量增加之傾向，故而於上述專利文獻1所記載之方法中，難以充分抑制上述配管之破損或變形。
因此，於本實施形態中，即便使熔融玻璃流動之配管為 經分割之狀態，即，即便如第1管111及第2管112般配管彼此於相隔之狀態下，亦可藉由以覆蓋構件113覆蓋該管111、112及兩者之管111、112之間的第1空間S1而將第1管111與第2管112連接。即，可藉由簡便之操作而將使熔融玻璃流動之配管、即第1配管105形成為操作時之狀態。
又，於本實施形態中，第1管111及第2管112之兩者均為一端固定而另一端不固定之狀態。又，於覆蓋構件113中使用與第1管111及第2管112相同之構件。因此，考慮配管之熱膨脹，亦可於預先將配管升溫至特定溫度後，不使其成為操作時之狀態。即，可於常溫下使第1配管105成為操作時之狀態，故而操作效率提高、操作精度亦提高。
又，通常認為複數之構件等之焊接部分之強度易於降低，但於本實施形態中，可藉由以覆蓋構件113覆蓋管111、112及兩者之管111、112之間的第1空間S1而間接地連接第1管111與第2管112。因此，就強度之觀點而言亦可謂較佳。
進而，於專利文獻1(日本專利第4498390號)中，配管之一端與攪拌裝置連接，另一端與其他配管連接。即，配管之兩端為固定之狀態。因此，由於若高溫之熔融玻璃於內部流動，則產生熱膨脹，故而即便於配管之外壁及內壁上以周部為螺旋狀之方式形成於直徑方向凸出之凸出部，亦仍會擔心於長度方向產生壓縮應力。
另一方面，於本實施形態中，如上所述般第1管111及第2管112之兩者均為一端固定而另一端不固定之狀態。又， 於第1管111及第2管112之間存在第1空間S1。因此，於操作狀態下，即便高溫之熔融玻璃於第1配管105之內部流動而使第1管111及第2管112於互相接近之方向產生熱膨脹，亦不易產生其長度方向之壓縮應力。即，由於第1管111及第2管112係於一端為自由之狀態下，故而即便因操作時之溫度之變更而產生收縮或膨脹，亦可減少第1管111及第2管112本身之破損之虞。換言之，第1空間S1係作為容許操作時之第1管111及第2管112之熱膨脹之熱膨脹容許空間而發揮作用。因此，可抑制使熔融玻璃流動之第1配管105之變形或破損。
再者，本發明者使用本實施形態中所記載之玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置100製造長度方向為1870 mm、寬度方向為2200 mm、厚度為0.7 mm之玻璃板。再者，此時之熔融玻璃中所含之各成分之含有率(質量%)係如下所示。
SiO2 ：60%
Al2 O3 ：19.5%
B2 O3 ：10%
CaO：5%
SrO：5%
SnO2 ：0.5%
此時，即便連續進行玻璃板之製造，亦不會於包含第1配管105之玻璃板製造裝置100中產生變形或破損。因此，證明本發明於抑制玻璃板製造裝置100之變形或破損之方 面有用。
(7-2)
於本實施形態中，覆蓋第1管111及第2管112之端部、及第1管111與第2管112之間的第1空間S1之覆蓋構件113具有複數之構件，即第1構件113a、及第2構件113b。藉此，使覆蓋構件113於第1管111及第2管112上之安裝操作變得容易。
(7-3)
於本實施形態中，第1構件113a及第2構件113b分別具有覆蓋部213a、214a、及凸緣部213b、213c、214b、214c。並且，於本實施形態中，藉由第1構件113a之凸緣部213b與第2構件113b之凸緣部213b而形成凸緣部間空間S4，並且藉由第1構件113a之凸緣部213c與第2構件113b之凸緣部214c而形成凸緣部間空間S4。
例如，即便自第1管111經由第1空間S1向第2管112流動之熔融玻璃漏出至第1管111及第2管112之外部並漏出至覆蓋構件113側，該熔融玻璃亦可藉由凸緣部間空間S4而提昇黏度。即，凸緣部213b、213c、214b、214c係以自間隙S2或間隙S3漏出之熔融玻璃之黏度易於提昇之方式設置。 又，黏度經提昇之熔融玻璃發揮抑制於第1管111及第2管112之內部流動之熔融玻璃漏出至第1管111及第2管112之外側的作用。又，黏度經提昇之熔融玻璃亦發揮使第1構件113a與第2構件113b接著之作用。藉此，易於使第1構件113a與第2構件113b接著。利用熔融玻璃之黏度提昇而使 熔融玻璃具有接著劑之功能，藉此亦可不對第1構件113a與第2構件113b進行焊接。因此，操作效率提高。
此處，凸緣部間空間S4中之熔融玻璃之黏度易於提昇之原因在於：凸緣部間空間S4係未由隔熱材料覆蓋而容易受外部氣體影響之空間。即，由於與第1管111及第2管112之內部相比，溫度不易上升。又，源自在第1管111及第2管112之內部流動之熔融玻璃的轉移熱量亦較少，故而與間隙S2或間隙S3相比，溫度不易上升。換言之，本實施形態之第1配管105係成為如下構成：該構成係可於凸緣部間空間S4中以熔融玻璃之溫度與在第1管111及第2管112之內部流動之熔融玻璃及間隙S2、S3中之熔融玻璃的溫度相比較低之方式調整熱量。因此，進入該凸緣部間空間S4之熔融玻璃係未柔軟至易於漏出至外部之程度，另一方面成為產生黏性流動之程度之黏度。
(7-4)
於本實施形態中，在熔融玻璃於第1管111及第2管112中流動之操作狀態下，於覆蓋構件113與第1管111及第2管112之間存在有間隙S2、S3。
間隙S2、S3係未由隔熱材料覆蓋而容易受外部氣體影響之空間，故而與第1管111及第2管112之內部相比，溫度不易上升。換言之，本實施形態之第1配管105係成為可於間隙S2、S3中以熔融玻璃之溫度比在第1管111及第2管112之內部流動之熔融玻璃的溫度更低之方式調整熱量之構成。即，於將熔融玻璃自第1管111經由第1空間S1向第2管112 搬送之搬送步驟中，提昇該熔融玻璃之黏度(黏度提昇步驟)。藉此，進入間隙S2、S3之熔融玻璃(即，進入第1管111之第2管112側之端部與覆蓋構件113之間的熔融玻璃、及進入第2管112之第1管111側之端部與覆蓋構件113之間的熔融玻璃)之一部分未柔軟至易於洩露至外部之程度，另一方面成為產生黏性流動之程度之黏度(具體而言，logη=4~13)。因此，例如即便於操作中變更包括第1管111及第2管112之各種構件等之溫度而使第1管111及第2管112膨脹/收縮(即，即便產生應力)，覆蓋構件113亦由於上述原因而於第1管111及第2管112之軸方向上自由移動，因此進入間隙S2、S3之熔融玻璃可吸收該應力。
再者，就可抑制熔融玻璃自第1管111及第2管112漏出至外部之方面而言，關於進入間隙S2、間隙S3之熔融玻璃之黏度η，較佳為logη=6~13、logη=8~13。再者，於本實施形態中，覆蓋構件113具有凸緣部213b、213c、214b、214c，故黏度亦比上述低。例如，關於進入間隙S2、S3之熔融玻璃之黏度η，亦可為logη=2~10、logη=3~8、logη=3~5。於該情形時，可抑制使第1管111及第2管112之內部之熔融玻璃之溫度過度降低而於熔融玻璃中析出晶體。因此，可進而維持玻璃板之品質。
(7-5)
於本實施形態中，覆蓋構件113係藉由壓制構件114而壓制。具體而言，第1構件113a及第2構件113b分別藉由第1壓制構件114a及第2壓制構件114b朝互相接近之方向壓 制。
此處，利用壓制構件114壓制覆蓋構件113，藉此可以簡便之方法固定第1構件113a及第2構件113b。因此，操作效率提高。
(7-6)
通常較佳為自澄清槽至攪拌槽為止使熔融玻璃之溫度降低。並且，大多情況下於連接澄清槽與攪拌槽之配管之附近，使用用以間接地調整熔融玻璃之溫度之溫度調整裝置。
另一方面，於本實施形態中，於壓制構件114中使用導熱率比配置於第1管111與第2管112之不相對向之側之端部的隔熱材料更高之構件。壓制構件114由於與外部氣體接觸，故而與上述隔熱材料相比易於散熱。因此，壓制構件114不僅具有壓制覆蓋構件113之作用，亦具有經由覆蓋構件113而冷卻熔融玻璃之作用。
藉此，由於亦可不使用溫度調整裝置，因此可抑制成本或能量，或者即便使用溫度調節裝置，壓制構件114亦具有溫度調整裝置之功能，因此可有助於節省溫度調整裝置之成本及節省能量。再者，該效果係MG量越多越顯著。其原因在於：MG量越多熔融玻璃之保有熱量越多，不易降低第1配管105中之熔融玻璃之溫度。
(7-7)
圖6係通過第1空間S1且於第1方向之鉛垂方向上切割如圖5所示之第1配管105之情形時的剖面圖。再者，於圖6 中，關於存在於第1配管105之內部之熔融玻璃，省略圖示。
先前，為使熔融玻璃不洩露至配管之外部，主流係將使熔融玻璃流動之配管密閉。因此，產生上述所說明之由於由熱膨脹所導致之變形而產生之應力的問題、高溫下之焊接操作之困難性等問題。
另一方面，於本實施形態中，藉由於相隔之狀態下對第1管111及第2管112覆蓋覆蓋構件113，可使其作為搬送熔融玻璃之第1配管105發揮作用，故而如上所述般，可減少上述問題。
又，於本實施形態中，利用洩露至外部之熔融玻璃之固化，如圖6中所示般抑制於第1管111及第2管112之內部流動之熔融玻璃漏出至覆蓋構件113之外側。即，形成即便熔融玻璃洩露至第1管111及第2管112之外部亦可對其進行充分利用之構成。
(7-8)
於平板顯示器用玻璃板中，就抑制TFT之破壞之方面而言，可使用含有微量鹼之玻璃或無鹼玻璃，並且就減少環境負荷之方面而言，可使用氧化錫。因此，於玻璃板之製造之至少澄清步驟中，為高效地進行熔融玻璃之澄清而調整熔融玻璃之溫度，使其與先前相比較高。並且，就為實現高精細之平板顯示器而期望縮小熱收縮率之玻璃板之方面而言，可使用應變點較高之玻璃組成。此時，於應變點較高之玻璃組成中，高溫時之黏度(高溫黏性)變高。因 此，即便於縮小熱收縮率之情形時，亦可調整澄清步驟中之熔融玻璃之溫度，使其與先前相比較高。如此，就高效地製造玻璃板之方面而言，可相對於澄清步驟中所要求之熔融玻璃之高溫化而抑制使熔融玻璃流動之澄清槽102之周圍之配管之變形或破損的本發明之製造方法較為有效。
(8)變形例
以上，基於圖式對本發明之實施形態進行了說明，但具體之構成並不限定於上述實施形態，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行變更。
(8-1)變形例1A
於上述實施形態中，雖限定於第1配管105進行了說明，但並不限定於此，亦可應用於使用鉑族元素或鉑族元素合金製配管之部位、例如第2配管106等。
即，若有如第1管111及第2管112般之相隔之複數配管(不限於2個，亦可為3個以上之配管)，則可利用具有與覆蓋構件113或壓制構件114相同之構成、功能之構件將該複數配管間接地連接。藉此，亦可形成較第1配管105長之配管。
例如，於圖7中表示將使用覆蓋構件413將各自相隔之3個管310、320、330間接地連接之情形。覆蓋構件413具有與覆蓋構件113相同之構成、功能。
(8-2)變形例1B
於上述實施形態中，雖然對第1構件113a及第2構件113b分別具有2個凸緣部213b、213c、214b、214c之情況進行 了說明，但個數並不限定於2個，只要具有至少1個凸緣部即可。
又，於上述實施形態中，雖然對凸緣部213b、213c、214b、214c分別自覆蓋部213a、214a之兩端部於水平方向向各自之外側延伸。但是，設置凸緣部213b、213c、214b、214c之位置並無特別限定，只要以相對於第1管111及第2管112向外側延伸之方式設置即可。
(8-3)變形例1C
於上述實施形態中，雖然對第1構件113a及第2構件113b分別具有凸緣部213b、213c、214b、214c之情況進行了說明，但凸緣部213b、213c、214b、214c亦可不為必需之構成。
例如，代替設置凸緣部213b、213c、214b、214c，可選擇導熱度較高且易於冷卻之材質作為壓制構件114之材質，或者亦可使第1壓制構件114a與第2壓制構件114b之接合部分冷卻。
又，於上述實施形態中，對凸緣部213b、213c之寬度W1較佳為20 mm以下之情況進行了說明。又，對第1壓制構件114a及第2壓制構件114b之第1下表面414及第2下表面415的寬度較佳為分別與第1構件113a之凸緣部213b、213c及第2構件113b之凸緣部214b、214c的寬度相同之情況進行了說明。但並不限定於此。
例如，若考慮各種狀況，則可使凸緣部213b、213c之寬度W1及凸緣部214b、214c之寬度大於上述實施形態，或 亦可使其分別大於第1下表面414、第2下表面415之寬度。
具體而言，例如於為減少第1配管105中之熔融玻璃之冷卻量而於第1壓制構件114a及第2壓制構件114b中使用隔熱性相對較高之材料之情形時，有時第1構件113a之凸緣部213b、213c及第2構件113b之凸緣部214b、214c的溫度過度上升。
總而言之，可依據欲利用凸緣部213b、213c、214b、214c釋放多少熱量而變更該等之寬度、或壓制構件114之材料及尺寸等。
(8-4)變形例1D
於上述實施形態中，雖然說對第1構件113a與第2構件113b之間存在凸緣部間空間S4之情況進行了說明，但並不限定於此，亦可使第1構件113a與第2構件113b接觸。即，亦可不形成凸緣部間空間S4。於圖8中表示該情形時之一例。於該情形時，例如若較長地形成第1構件113a之覆蓋部213a及/或第2構件113b之覆蓋部214a之圓弧部分，則可形成間隙S2及間隙S3並且不形成凸緣部間空間S4。
若採用此種構成，則第1構件113a之凸緣部213b、213c與第2構件113b之凸緣部214b、214c接觸。此處，例如於第1壓制構件114a之自身重量大於第1配管105內之壓力之情形時，亦可不使用壓制構件壓制配置於第1管111及第2管112之上方的第1構件113a或第1壓制構件114a。於該情形時，可進而有助於節省成本或提高操作效率。再者，亦可利用焊接等將第1構件113a與第2構件113b連接。例如， 藉由利用焊接等將第1構件113a之凸緣部213b、213c與第2構件113b之凸緣部214b、214c連接，可提高第1配管105之強度。此處，由於第1構件113a與第2構件113b之焊接等可於提昇第1配管105之溫度之前進行，故而亦可提高操作效率或操作精度。又，即便於該情形時，自第1管111及第2管112流至外部之熔融玻璃亦容易於凸緣部213b、213c、214b、214c之附近提昇黏度。
又，於上述實施形態中，雖然對覆蓋構件113與第1管111及第2管112之間分別存在間隙S2、S3之情況進行了說明，但並不限定於此。例如亦可僅形成間隙S3，或亦可形成間隙S2、S3中之任一者。
於前者之情形時，第1構件113a之內徑與第1管111及第2管112之外徑相同。於該情形時，第1構件113a係以覆蓋部213a之內周與第1管111及第2管112之外周接觸之方式安裝於第1管111及第2管112上，故而可進而抑制熔融玻璃向第1管111及第2管112之外側之漏出。
於後者之情形時，第1構件113a及第2構件113b之內周與第1管111及第2管112之外周接觸。雖然必需提高第1構件113a及第2構件113b之製作精度、及各構件之設置精度，但於第1管111及第2管112內流動之熔融玻璃之溫度較高，另一方面於欲將該部分中之冷卻抑制為最小限度之情形時有效。又，若覆蓋構件113之於相對於第1方向之鉛垂方向切割之剖面形狀大致接近圓，則例如與該剖面形狀為橢圓形狀之情形相比，易於對熔融玻璃均勻地導熱。
再者，亦可採用僅形成間隙S2之構成。
(8-5)變形例1E
於上述實施形態中，雖然對覆蓋構件113具有第1構件113a、及第2構件113b之情況進行了說明，但並不限定於此。
例如，覆蓋構件113亦可為中間形成有空洞之配管。於該情形時，例如可藉由首先於該配管內插入第1管111或第2管112，繼而使該配管滑動至管111、112之另一側而形成第1配管105。
又，於上述實施形態中，覆蓋構件113成為基本上覆蓋第1管111及第2管112之大致全周之構成，但並不限定於此。例如，只要為可發揮使於第1管111之內部流動之熔融玻璃流入第2管112之內部的功能之形狀即可。
(8-6)變形例1F
於上述實施形態中，雖然對將攪拌槽103與第2管112連接之情況進行了說明，但並不限定於此。例如，於第2管112在攪拌槽103側之端部具有凸緣部(未圖示)之情形時，第2管112亦可藉由利用焊接等使凸緣部與攪拌槽103之壁面接合而與攪拌槽103連接。再者，除此以外，與裝置之連接方法並無特別限定。
(8-7)變形例1G
於上述實施形態中，雖然對每天於供給步驟ST4中供給6 t以上之熔融玻璃之情況進行了說明，但並不限定於此，亦可為3 t以上。
再者，MG量越多(成為10 t以上、15 t以上、20 t以上之程度)，搬送熔融玻璃之配管(於上述實施形態中，為第1配管105或第2配管106等)或裝置(於上述實施形態中，為成形裝置104等)之大小越大。因此，該等配管或裝置之熱膨脹量增加。因此，該等配管或裝置之破損之問題變得明顯。因此，若使用本實施形態之玻璃板製造裝置100或玻璃板之製造方法，則可於如上所述之情形時期待更有用之效果。
(8-8)變形例1H
於上述實施形態中，雖然對進入凸緣部間空間S4之熔融玻璃未柔軟至易於洩露至外部之程度，另一方面成為產生黏性流動之程度的黏度之情況進行了說明，但並不限定於此。
例如，進入凸緣部間空間S4之熔融玻璃亦可降低溫度直至成為不產生黏性流動之程度之黏度。例如，若關於進入凸緣部間空間S4之熔融玻璃之黏度η為logη=6以上，則可進而抑制熔融玻璃漏出至較凸緣部間空間S4更外部，故而較佳。更詳細而言，較佳為關於凸緣部間空間S4之最外側之區域(與外部氣體接觸之區域)之熔融玻璃之黏度η，為logη=6以上。再者，即便熔融玻璃之一部分自凸緣部間空間S4漏出至壓制構件114上，亦可於凸緣部213b、213c、214b、214c之外側部分之附近進行冷卻而使熔融玻璃固化，故可更進一步抑制熔融玻璃自凸緣部間空間S4漏出。其原因在於壓制構件114之導熱率高於上述隔熱材料。
(8-9)變形例1I
於上述實施形態中，覆蓋構件113係採用如形成有2個開口部313之構成，但並不限定於此，亦可採用如至少形成有1個開口部313之構成。
[產業上之可利用性]
本發明可適用於利用使高溫之熔融玻璃流動之配管製造玻璃板之各種方法或各種裝置。
100‧‧‧玻璃板製造裝置
104‧‧‧成形裝置
105‧‧‧第1配管(配管)
111‧‧‧第1管
112‧‧‧第2管
113‧‧‧覆蓋構件
113a‧‧‧第1構件
113b‧‧‧第2構件
213a、214a‧‧‧覆蓋部
213b、213c、214b、214c‧‧‧凸緣部
S1‧‧‧第1空間(熱膨脹容許空間)
S4‧‧‧凸緣部間空間
ST1‧‧‧熔解步驟
ST4‧‧‧供給步驟
ST5‧‧‧成形步驟
圖1係用以說明本實施形態之玻璃板之製造方法之流程圖。
圖2係玻璃板製造裝置之模式圖。
圖3係第1配管之概略分解立體圖。
圖4係覆蓋構件及壓制構件之概略立體圖。
圖5係表示第1構件及第2構件正常安裝於第1管及第2管上之狀態、即第1配管之圖。
圖6係通過第1空間於第1方向之鉛垂方向上切割圖5所示之第1配管之情形時的剖面圖。
圖7係變形例1A之第1配管之概略立體圖。
圖8係變形例1C之第1配管之概略立體圖。
105‧‧‧第1配管(配管)
111‧‧‧第1管
112‧‧‧第2管
113‧‧‧覆蓋構件
113a‧‧‧第1構件
113b‧‧‧第2構件
213a‧‧‧覆蓋部
213b、213c‧‧‧凸緣部
214a‧‧‧覆蓋部
214b、214c‧‧‧凸緣部
S1‧‧‧第1空間(熱膨脹容許空間)

Claims (11)

  1. 一種玻璃板之製造方法，其包括如下步驟：熔解玻璃原料而形成熔融玻璃之熔解步驟，使上述熔融玻璃流入由鉑族元素或鉑族元素合金製造之配管內而進行搬送之搬送步驟，將上述熔融玻璃供給於成形裝置之供給步驟，將由上述供給步驟所供給之上述熔融玻璃成形為片材玻璃之成形步驟，及切割上述片材玻璃而形成玻璃板之切割步驟；且於上述搬送步驟中搬送上述熔融玻璃之上述配管具有：相隔而設置且於其間形成有容許操作時之熱膨脹之熱膨脹容許空間的第1管及第2管，及覆蓋上述第1管及上述第2管之端部及上述熱膨脹容許空間且相對於上述第1管及上述第2管而於軸方向自由移動之覆蓋構件；上述搬送步驟包含如下黏度提昇步驟：於自上述第1管經由上述熱膨脹容許空間向上述第2管搬送上述熔融玻璃時，使自上述熔融玻璃向上述覆蓋構件之外部的熱轉移量大於自上述熔融玻璃向上述第1管及上述第2管之外部轉移之熱的熱轉移量，藉此提昇上述熔融玻璃之黏度。
  2. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中於上述黏度提昇步驟中，提昇上述第1管之上述第2管側之端部與上述覆 蓋構件之間之上述熔融玻璃之一部分的黏度，提昇上述第2管之上述第1管側之端部與上述覆蓋構件之間之上述熔融玻璃之一部分的黏度。
  3. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中於上述黏度提昇步驟中，在上述第1管之上述第2管側之端部與上述覆蓋構件之間之上述熔融玻璃的黏度η係設為logη=4~13，在上述第2管之上述第1管側之端部與上述覆蓋構件之間之上述熔融玻璃之黏度η係設為logη=4~13。
  4. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中關於上述玻璃板之製造中所使用之上述熔融玻璃之黏度η，成為logη=2.5之溫度為1500℃~1750℃。
  5. 如請求項4之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板之製造中所使用之玻璃之應變點為655℃以上。
  6. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃原料含有氧化錫作為澄清劑。
  7. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板含有SiO2 及Al2 O3 ，且上述玻璃板之上述SiO2 與上述Al2 O3 之合計含有率為70質量%以上，上述玻璃板之鹼金屬氧化物之含有率為2質量%以下。
  8. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板之鹼金屬氧化物之含有率超過0.05質量%且為2.0質量%以下。
  9. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板為實質上不含有鹼之無鹼玻璃。
  10. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板含有：50~70質量%之SiO2 、0~15質量%之B2 O3 、5~25質量%之Al2 O3 、0~10質量%之MgO、0~20質量%之CaO、0~20質量%之SrO、0~10質量%之BaO、5~20質量%之RO(其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種)。
  11. 一種玻璃板之製造裝置，其包括：熔解玻璃原料而形成熔融玻璃之熔解槽，將上述熔融玻璃成形為片材玻璃之成形裝置，及配置於上述熔解槽與上述成形裝置之間且使上述熔融玻璃於內部流動之由鉑族元素或鉑族元素合金製造之配管；且上述配管具有：相隔而設置且於其間形成有容許操作時之熱膨脹之熱膨脹容許空間的第1管及第2管，及覆蓋上述第1管及上述第2管之端部及上述熱膨脹容許空間且相對於上述第1管及上述第2管而於軸方向自由移動之覆蓋構件；上述配管係於自上述第1管經由上述熱膨脹容許空間向上述第2管搬送上述熔融玻璃時，使自上述熔融玻璃向上述覆蓋構件之外部的熱轉移量大於自上述熔融玻璃向上述第1管及上述第2管之外部轉移的熱轉移量，藉此提昇上述熔融玻璃之黏度。
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