TWI398202B

TWI398202B - 電路板之製作方法

Info

Publication number: TWI398202B
Application number: TW100105176A
Authority: TW
Inventors: Qi Feng; Ying-Juan Tang
Original assignee: Zhen Ding Technology Co Ltd
Priority date: 2011-02-16
Filing date: 2011-02-16
Publication date: 2013-06-01
Also published as: TW201236524A

Description

電路板之製作方法

本發明涉及電路板技術領域，特別涉及一種電路板之製作方法。

印刷電路板因具有裝配密度高等優點而得到了廣泛應用。關於高密度互連電路板之應用請參見文獻Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, A. Akahoshi, H. Mukoh, A. Wajima, M. Res. Lab, High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880，IEEE Trans. on Components, Packaging, and Manufacturing Technology, 1992, 15(4): 418-425。

近年來，隨著電路板密度之不斷提高，雷射鑽孔之層數越來越多，雷射鑽孔之孔環越來越小。若雷射鑽孔之偏移度過大，則可能導致層間無法導通或者導通不良等情況發生。現在生產中，對雷射鑽孔之偏移度管控之越來越嚴。但，目前還沒有有效之方法來測試雷射鑽孔之偏移度。

有鑑於此，提供一種電路板之製作方法，以方便之檢測相鄰兩層導電線路之間之產品孔之偏移度實為必要。

一種電路板之製作方法，包括步驟：提供內層基板，所述內層基板具有第一銅箔層，所述內層基板包括產品區域及位於產品區域外之至少一個測試區域。將所述產品區域內之第一銅箔層製作形成第一導電線路，所述產品區域外第一銅箔層製作形成第一阻擋雷射圖形。在所述第一導電線路和第一阻擋雷射圖形一側壓合第一膠層和第二銅箔層。在所述每個產品區域對應之第二銅箔層內形成第二導電線路，在與每個測試區域對應之第二銅箔層形成多個與第一阻擋雷射圖形對應之第一孔。在所述第二導電線路一側壓合第二膠層和第三銅箔層。在每個產品區域對應之第三銅箔層和第二膠層內形成多個第一產品孔，同時在測試區域對應之第三銅箔和第二膠層內形成與多個第一測試孔，所述多個第一測試孔中部分與多個第一孔一一對應，多個第一孔之孔徑依次遞增並均大於預形成之第一產品孔之孔徑，在所述第一產品孔內形成第一導電層，在所述第一測試孔內形成第二導電層，並在每個產品區域對應之第三銅箔內形成第三導電線路，在測試區域對應之第三銅箔層內形成第一焊盤及第一測試焊盤，多個所述第一焊盤與多個與第一孔相互對應之第一測試孔相互一一對應連接，不與第一孔相互對應之第一測試孔與第一測試焊盤相對應連接，所述第一測試焊盤通過與其連接之第一測試孔內之第二導電層與第二銅箔層相互導通，所述第一產品內之第一導電層孔導通所述第二導電線路及第三導電線路。以及測試所述第一測試焊盤和不同之多個第一焊盤之間電導通情況，從而根據不同之第一焊盤對應之第一孔之孔徑大小判定第一產品孔雷射鑽孔之偏移度。

相較於先前技術，本技術方案提供之電路板製作方法，在內層之銅箔層中形成了多個大小依次變化之第一孔，在形成產品孔之同時，同時製作了可以連通第一孔和位於第一測試焊盤上之第一測試孔。在最外層導電線路之製作過程中，同時製作了第一焊盤和第一測試焊盤。通過測試第一測試焊盤不同之第一焊盤之間之導通情況，以判斷電路板產品區域形成之第一產品孔之雷射鑽孔之偏移度。

下面將結合多個附圖及實施例對本技術方案提供之電路板之製作方法作進一步詳細說明。

本技術方案實施例提供之電路板之製作方法包括如下步驟：

第一步，請一併參閱圖1和圖2，提供內層基板110。

內層基板110為具有兩側導電層及位於兩導電層之間之絕緣層組成之結構。本實施例中，內層基板110為雙面覆銅基板，其包括絕緣層111及形成於絕緣層111相對兩側之第一銅箔層112和第四銅箔層113。內層基板110包括產品區域114及非產品區域115。產品區域114與待形成之電路板單元相互對應，非產品區域115為在電路板成型之後需要被去除之區域。本實施例中，內層基板110為長方形，其僅包括有一個產品區域114。在內層基板110之非產品區域115定義一個測試區域1101。可以理解，測試區域1101設置之個數和位置可以根據實際需要進行設定，測試區域1101之個數可以為多個。

第二步，請一併參閱圖3及圖4，在產品區域114對應之第一銅箔層112內製作形成第一導電線路116，並在測試區域1101對應之第一銅箔層112製作形成至少一個第一阻擋雷射圖形117，在產品區域114對應之第四銅箔層113內製作形成第四導電線路118，在測試區域1101對應之第四銅箔層113內製作形成第二阻擋雷射圖形119。

本實施例中，採用影像轉移工藝及蝕刻工藝在第一銅箔層112內製作形成第一導電線路116和第一阻擋雷射圖形117。其中，第一導電線路116按照設定之樣式形成銅導線。而第一阻擋雷射圖形117為多個陣列排布圓形第一銅墊1171。當然，也可以不將第一阻擋雷射圖形117之周圍之銅箔蝕刻去除。本實施例中，第一阻擋雷射圖形117包括六個第一銅墊1171，六個第一銅墊1171呈三行兩列排布。

採用同樣之方法將第四銅箔層113製作形成第四導電線路118和第二阻擋雷射圖形119，第二阻擋雷射圖形119包括六個陣列排布之第二銅墊1191。

第三步，請參閱圖5，在第一導電線路116和第一阻擋雷射圖形117一側壓合第一膠層120和第二銅箔層130，同時在第四導電線路118和第二阻擋雷射圖形119一側壓合第三膠層140和第五銅箔層150。

第四步，請參閱圖6及圖7，將所述之每個產品區域114對應之第二銅箔層130內形成第二導電線路131，在與每個測試區域1101對應之第二銅箔層130處形成多個與第一銅墊1171一一對應之第一孔1322，每個第一孔1322之圓心與每個與其對應之第一銅墊1171之圓心所在直線垂直於第一銅箔層112。並在每個產品區域114對應之第五銅箔層150內形成第五導電線路151，在與每個測試區域1101對應之第五銅箔層150內形成多個與第二銅墊1191一一對應之第二孔1522。每個第二孔1522之圓心與每個與其對應之第二銅墊1191之圓心所在直線垂直於第一銅箔層112。

本實施例中，第二導電線路131、第一孔1322、第五導電線路151及第二孔1522可以採用影像轉移工藝及蝕刻工藝形成。第一孔1322之孔徑按照其排列順序逐漸增加。本實施例中，第一孔1322排列成三排兩列，以遠離產品區域114之第一排之第一孔1322為基準孔，與其同排之第一孔1322之孔徑比基準孔之孔徑大0.5mil，位於第二排之兩個第一孔1322之孔徑比基準孔孔徑分別大1mil和1.5mil。位於第三排之兩個第一孔1322之孔徑比基準孔之孔徑分別大2mil和2.5mil。可以理解，各第一孔1322孔徑之遞增數值可以根據實際電路板製作需要控制之偏差值進行設定。具體之，當銅箔層之厚度為1oz（即35微米時）時，第一孔1322之基準孔之孔徑為預形成之產品孔之孔徑基礎上加0.75mil。第一孔1322之排列也可以無具體之限定。在電路板上可以橫向、縱向或者交錯排列均可。同理，第二孔1522之孔徑按照其排列順序逐漸增加。本實施例中，第二孔1522排列成三排兩列，以遠離產品區域114之第一排之第二孔1522為第二基準孔，與其同排之第二孔1522之孔徑比第二基準孔之孔徑大0.5mil，位於第二排之兩個第二孔1522之孔徑比第二基準孔孔徑分別大1mil和1.5mil。位於第三排之兩個第二孔1522之孔徑比第二基準孔孔徑分別大2mil和2.5mil。可以理解，各第二孔1522孔徑之遞增數值可以根據實際電路板製作需要控制之偏差值進行設定。

第五步，請參閱圖8，在第二導電線路131和第一孔1322之一側壓合第二膠層160和第三銅箔層170，同時在第五導電線路151和第二孔1522一側壓合第四膠層180和第六銅箔層190。

第六步，請參閱圖9及圖10，在每個產品區域114對應之第三銅箔層170和第二膠層160內形成多個第一產品孔161。在測試區域1101對應之第三銅箔層170和第二膠層160形成與多個第一孔1322一一對應之多個第一測試孔162，在第一產品孔161內形成第一導電層163，在第一測試孔162內形成第二導電層164，並在測試區域1101對應之第三銅箔層170內形成相互間隔設置之第一焊盤166及第一測試焊盤165。在每個產品區域114對應之第三銅箔層170內形成第三導電線路171。第一產品孔161內之第一導電層163連通第二導電線路131和第三導電線路171。第一焊盤166、第一測試焊盤165與形成之第一測試孔162一一對應，與第一測試焊盤165連通之第一測試孔162內之第二導電層164連通測試區域1101之第二銅箔層130與第一測試焊盤165。第一焊盤166對應之第一測試孔162內之第二導電層164連通第一孔1322與第一焊盤166。

在每個產品區域114對應之第四膠層180和第六銅箔層190內形成多個第二產品孔181，並在測試區域1101對應之第四膠層180和第六銅箔層190內形成與多個第二孔1522一一對應之多個第二測試孔182、在測試區域1101對應之第六銅箔層190內形成相互間隔設置之第二焊盤186及第二測試焊盤（圖未示）。同時在第二產品孔181內形成第三導電層183，同時在第二測試孔182內形成第四導電層184。在每個產品區域114對應之第六銅箔層190內形成第六導電線路191。第二產品孔181內之第三導電層183連通第五導電線路151和第六導電線路191。第二焊盤186、第二測試焊盤與形成之第二測試孔182一一對應。第二焊盤186對應之第二測試孔182內之第四導電層184連通第二孔1522與第二焊盤186。

本實施例中，採用雷射成孔之方式在第三銅箔層170和第二膠層160內形成多個第一產品孔161和第一測試孔162。形成之第一產品孔161和第一測試孔162之孔徑相同。並且，第一產品孔161和第一測試孔162同時形成，第二產品孔181與第二測試孔182同時形成，因此，第一測試孔162和第一產品孔161具有相同之偏移度，第二產品孔181與第二測試孔182具有相同之偏移度。

第七步，通過測試第一測試焊盤165與不同之第一焊盤166之間之導通情況，判定第一產品孔161之偏移度；通過測試第二測試焊盤與不同之第二焊盤186之間之導通情況，判定第二產品孔181之偏移度。

具體之，當測試第一測試焊盤165與孔徑最小之第一孔1322（為第一產品孔161之孔徑加0.75mil）對應之第一焊盤之間之導通性時，如果第一焊盤與第一測試焊盤之間形成通路，則與該第一焊盤對應第一測試孔162接觸到第一孔1322周圍區域之銅箔，表明第一產品孔161產生偏移。然後當第一測試焊盤165與孔徑最小之第一孔1322之孔徑加0.5mil之第一孔1322相連接之第一焊盤166之間之導通性，所在之回路為不導通時，即第一測試孔162未接觸到第一孔1322周圍區域之銅箔，則可以判斷產品孔之雷射鑽孔之偏移量為0.75mil到1.25mil。如果此時測試之仍為導通時，則繼續量測孔徑更大之第一孔1322對應之第一焊盤166與第一測試焊盤165之間之導通性，直到量測至某個第一焊盤166與第一測試焊盤165之間不導通時，從而可以判定此時第一產品孔161之偏移度小於該第一孔1322之孔徑與第一產品孔161之孔徑之差，並且小於該第一孔之孔徑小0.5mil之第一孔1322與第一產品孔161之孔徑之差。即其中一個第一測試焊盤165與第N（N=1，2，3，4，5，6）個第一焊盤166之間之電導通時，第一測試焊盤165與第N+1（N=1，2，3，4，5）個第一焊盤166之間之電性不導通時，雷射鑽孔之偏移量即為0.75+N×0.5mil至0.75+（N+1）×0.5mil。

由於第一產品孔161和第一測試孔162孔徑相等，且第一導電層163和第二導電層164採用相同之工藝參數同時形成，則第一產品孔161和第一測試孔162雷射鑽孔時之偏移度相同。當測試其中一個第一測試焊盤和其中一個第一孔1322電性不導通而與與之孔徑相鄰之另一個第一孔1322電性不導通時。可以得出第一產品孔161之雷射鑽孔工藝之偏移度。

根據同樣之原理，可以根據第二測試焊盤和第二焊盤186之間之電導通性，從而判定第二產品孔181之偏移度。

相較於先前技術，本技術方案提供之電路板製作方法，在內層之銅箔層中形成了多個大小依次變化之第一孔，在形成產品孔之同時，同時製作了可以連通第一孔和位於測試焊盤上之第一測試孔。在最外層導電線路之製作過程中，同時製作了第一焊盤和第一測試焊盤。通過測試第一測試焊盤、第一測試孔、第一孔及第一焊盤之間之導通情況，以判斷電路板產品區域形成之第一產品孔之雷射鑽孔之偏移度。

惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

110‧‧‧內層基板

1101‧‧‧測試區域

111‧‧‧絕緣層

112‧‧‧第一銅箔層

113‧‧‧第四銅箔層

114‧‧‧產品區域

115‧‧‧非產品區域

116‧‧‧第一導電線路

117‧‧‧第一阻擋雷射圖形

1171‧‧‧第一銅墊

118‧‧‧第四導電線路

119‧‧‧第二阻擋雷射圖形

1191‧‧‧第二銅墊

120‧‧‧第一膠層

130‧‧‧第二銅箔層

131‧‧‧第二導電線路

1322‧‧‧第一孔

140‧‧‧第三膠層

150‧‧‧第五銅箔層

151‧‧‧第五導電線路

160‧‧‧第二膠層

161‧‧‧第一產品孔

162‧‧‧第一測試孔

163‧‧‧第一導電層

164‧‧‧第二導電層

165‧‧‧第一測試焊盤

166‧‧‧第一焊盤

170‧‧‧第三銅箔層

171‧‧‧第三導電線路

180‧‧‧第四膠層

181‧‧‧第二產品孔

182‧‧‧第二測試孔

183‧‧‧第三導電層

184‧‧‧第四導電層

186‧‧‧第二焊盤

190‧‧‧第六銅箔層

191‧‧‧第六導電線路

圖1係本技術方案實施例提供之內層電路板之平面示意圖。

圖2係圖1沿II-II線之剖視圖。

圖3係本技術方案實施例提供之內層基板形成第一導電線路、第一阻擋雷射圖形、第四導電線路及第二阻擋雷射圖形後之平面示意圖。

圖4係圖3沿IV-IV線之剖視圖。

圖5係圖4壓合第一膠層、第二銅箔層、第三膠層和第五銅箔層後之示意圖。

圖6係圖5中之第二銅箔層內形成第二導電線路和第一測試圖形及第五銅箔形成第五導電線路和第二測試圖形後之平面示意圖。

圖7係圖6沿VII-VII線之剖視圖。

圖8係圖6壓合第二膠層、第三銅箔層、第三膠層及第六銅箔層後之示意圖。

圖9係圖8形成第一產品孔、第一測試孔、第二產品孔及第二測試孔後之示意圖。

圖10係圖9沿X-X線之剖視圖。