TWI392883B - 測試裝置以及測試方法 - Google Patents

測試裝置以及測試方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI392883B
TWI392883B TW095116179A TW95116179A TWI392883B TW I392883 B TWI392883 B TW I392883B TW 095116179 A TW095116179 A TW 095116179A TW 95116179 A TW95116179 A TW 95116179A TW I392883 B TWI392883 B TW I392883B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
device under
under test
power source
test
current
Prior art date
Application number
TW095116179A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200643447A (en
Inventor
Yasuo Furukawa
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Publication of TW200643447A publication Critical patent/TW200643447A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI392883B publication Critical patent/TWI392883B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3004Current or voltage test
    • G01R31/3008Quiescent current [IDDQ] test or leakage current test

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Description

測試裝置以及測試方法
本發明是關於對半導體電路等被測試設備進行測試的測試裝置以及測試方法。本發明尤其關於根據被測試設備的靜止電源電流,以判定良否的測試裝置及測試方法。
先前,作為對半導體電路等被測試設備進行測試的方法,眾所周知有對供給至被測試設備的電源電流進行測定,並檢測電源電流的異常值的方法。例如,將各種測試圖案施加於被測試設備,檢測被測試設備的各種動作狀態的電源電流,並根據電源電流是否處於特定範圍中,判定被測試設備的良否。
由於相關專利文獻等目前尚並未被認識,故省略其記載。
但近年來,由於被測試設備的微細化,或包含於被測試設備中的CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,互補性金屬氧化半導體)個數增加等,被測試設備中的漏電流增加。漏電流會因各被測試設備的不均一或溫度變化等而產生變動。尤其,CMOS的所謂次臨界漏電流(sub-threshold leakage current)的溫度依賴性較大,因而難以使其穩定化。因此,於先前的電源電流測試中存在如下問題,即由於漏電流的變動,供給至被測試設備的電源電流產生變動,因而即使本應被判定為良品的被測試設備亦被判定為不良。
因此,本發明之目的在於提供一種可解決上述問題的測試裝置以及測試方法。該目的藉由申請專利範圍的獨立項中記載的特徵之組合而達成。又,附屬項規定有本發明更有利的具體例。
為解決上述問題,於本發明的第1形態中提供一種測試裝置,其根據被測試設備的靜止電源電流,判定被測試設備的良否,並且包括:電源,其將驅動被測試設備的電力供給至被測試設備;圖案產生部,其將使被測試設備的電路設定為特定狀態的設定向量供給至被測試設備;電源電流測定部,其於根據設定向量而將被測試設備設定為上述特定狀態時,測定自電源供給至被測試設備的靜止電源電流;以及,判定部,其自設置於被測試設備內部的溫度感應器取得被測試設備的溫度,並根據電源電流測定部所測定的靜止電源電流以及被測試設備的溫度,判定被測試設備的良否。
判定部可包括:期待值儲存部,其預先對賦予被測試設備各溫度的靜止電源電流的期待值進行儲存;以及,比較部,其對所測定的靜止電源電流,與對應於測定該靜止電源電流時的被測試設備的溫度之期待值進行比較,藉此判定被測試設備的良否。
判定部可包括:期待值儲存部,其預先對預定溫度的靜止電源電流的期待值進行儲存;校正部,其根據測定靜止電源電流時的被測試設備的溫度,將所測定的靜止電源電流,校正為以預定溫度進行測定時所獲得的電流值;以及,比較部,其對校正部所算出的電流值與期待值進行比較,藉此判定被測試設備的良否。
於本發明的第2形態中提供一種測試方法,其根據被測試設備的靜止電源電流,判定被測試設備的良否,並且包括:電源供給階段,其將驅動被測試設備的電力供給至被測試設備;圖案產生階段,其將使被測試設備的電路設定為特定狀態的設定向量供給至被測試設備;電源電流測定階段,其於根據設定向量而將被測試設備設定為上述特定狀態時,測定供給至被測試設備的靜止電源電流;以及,判定階段,其自設置於被測試設備內部的溫度感應器取得被測試設備的溫度,並根據於電源電流測定階段中所測定的靜止電源電流以及被測試設備的溫度,判定被測試設備的良否。
再者,上述發明概要並未列出本發明的所有必要特徵,並且該等特徵群的次組合亦可成為發明。
以下,藉由發明的實施形態對本發明加以說明,但下述實施形態並非對申請專利範圍中的發明加以限定者,並且實施形態中所說明的所有特徵的組合並非發明內容中所必須者。
圖1是表示測試裝置100的結構之一例的圖。測試裝置100是對設置有場效電晶體的被測試設備200進行測試的裝置,並且包括圖案產生部10、電源12、電源電流測定部14、第1電壓控制部16、第1漏電流檢測部18、第2漏電流檢測部20、以及第2電壓控制部22。於本例中,所謂場效電晶體是指MOS(Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化半導體)型場效電晶體。
電源12供給對被測試設備200進行驅動的電力。於本例中,電源12將定電壓的電力供給至被測試設備200。又,圖案產生部10依次產生應供給至被測試設備200的多個測試圖案並進行供給。亦即,圖案產生部10藉由依次將不同的測試圖案供給至被測試裝置200,使於被測試裝置200中產生不同的動作狀態。電源電流測定部14於每次施加各測試圖案時,對自電源12供給至被測試設備200的電源電流進行檢測。電源電流測定部14可檢測被測試設備200的靜止時的電源電流(IDDQ)。
第1漏電流檢測部18以及第2漏電流檢測部20,對包含於被測試設備200的場效電晶體的漏電流進行檢測。於本例中,第1漏電流檢測部18檢測:包括於被測試設備200中的每單位數的p型場效電晶體的次臨界漏電流;以及第2漏電流檢測部20檢測:包括於被測試設備200中的每單位數的n型場效電晶體的次臨界漏電流。所謂次臨界漏電流是指流動於場效電晶體的通道間的漏電流。
又,第1電壓控制部16以及第2電壓控制部22對施加於被測試設備200基板上的基板電壓進行控制,以使由第1漏電流檢測部18以及第2漏電流檢測部20所檢測的漏電流維持為特定的值。亦即,根據漏電流的變動,控制基板電壓。此處所謂基板,是指形成有場效電晶體等半導體元件的半導體基板。
通常而言,於被測試設備200基板的n型基板上施加第1電壓(高電壓),於p型區域(P-井)上施加低於第1電壓的第2電壓(低電壓)。於本例中,第1電壓控制部16對施加於被測試設備200基板的n型基板上的第1電壓進行控制,以使由第1漏電流檢測部18所檢測的漏電流為固定。藉由此,將被測試設備200所具有的p型場效電晶體的漏電流控制為固定。
又,第2電壓控制部22對施加於被測試設備200基板的p型區域上的第2電壓進行控制,以使由第2漏電流檢測部20所檢測的漏電流為固定。藉由此,將被測試設備200所具有的n型場效電晶體的漏電流控制為固定。
藉由此種動作,於圖案產生部10將多個測試圖案輸入至被測試設備200時,將包括於被測試設備200的場效電晶體的漏電流控制為固定。繼而,電源電流測定部14根據於各測試圖案上所測定的電源電流的值,判定被測試設備200的良否。例如,於按照各電源電流之大小順序,對相對於各個測試圖案所測定的電源電流進行排列後,算出相鄰電源電流之差,且算出的差中存有大於預定值的值時,電源電流測定部14將被測試設備200判定為不良。
根據本例的測試裝置100,可消除包含於被測試設備200的場效電晶體的次臨界漏電流的變動,並可對被測試設備200的良否進行精確判定。
圖2是表示被測試設備200的結構之一例的圖。被測試設備200包括:根據所賦予的測試圖案而進行動作的被測試電路部202、p型虛設電晶體(dummy transistor)208、n型虛設電晶體210、電源端子(220、222)、基板電壓端子(212、216)、以及漏電流檢測端子(244、218)。
電源端子220上,經由電源電流測定部14而自電源12施加有電源電壓VD D 。又,電源端子222上施加有電源電壓Vss。於本例中,電源端子222接地。
又,基板電壓端子(212、216)與電源端子(220、222)獨立設置。基板電壓端子212上施加有第1電壓控制部16所輸出的電壓(VB B P ),基板電壓端子216上施加有第2電壓控制部22所輸出的電壓(VB B N )。如此,藉由獨立設置電源端子與基板端子,可控制被測試設備200的基板電壓。
被測試電路部202設置於電源線(VD D )與電源線(VS S )之間,且被供給有電源電力。於電源線(VD D )上,經由電源端子220而施加有電源電壓VD D 。又,電源線(VS S )上施加有低於電源線(VD D )的電壓。於本例中,電源線(VS S )經由電源端子222接地。又,被測試電路部202上設置有多個p型場效電晶體204、以及多個n型場效電晶體206。各個場效電晶體(204、206)的閘極端子上,賦予有對應於賦予被測試設備200的測試圖案的信號,且根據動作狀態而消耗電源電流。
p型的虛設電晶體208形成為具有與設置於被測試設備200的p型場效電晶體204大致相同的特性,且施加有與p型場效電晶體204大致相同的電源電壓。於本例中,p型的虛設電晶體208的源極端子上施加有電源電壓VD D
n型的虛設電晶體210形成為具有與設置於被測試設備200的n型場效電晶體206大致相同的特性,且施加有與n型場效電晶體206大致相同的電源電壓。於本例中,n型的虛設電晶體210的源極端子上施加有電源電壓VS S
各個虛設電晶體(208、210)使閘極端子與源極端子短路,並將汲極電流輸出至外部。P型虛設電晶體208經由漏電流檢測端子214,將汲極電流輸出至第1漏電流檢測部18。又,n型虛設電晶體210經由漏電流檢測端子218,將汲極電流輸出至第2漏電流檢測部20。又,各虛設電晶體(208、210)設置為與輸入測試圖案的輸入插腳(未圖示)分開。
由於虛設電晶體(208、210)與場效電晶體(204、206)分別具有大致相同的特性,且施加有大致相同的電源電壓以及基板電壓,因此虛設電晶體(208、210)所輸出的汲極電流,與所對應的場效電晶體(204、206)的漏電流大致相等。即,各虛設電晶體(208、210)作為本發明的漏電流檢測電路而起作用。
藉由此種結構,測試裝置100可檢測,設置於被測試設備200的每單位數的場效電晶體的漏電流的大小。繼而,對於測試裝置100,根據該漏電流而控制被測試設備200的基板電壓,藉此可將包含於被測試設備200的場效電晶體的漏電流保持為固定。因此,測試裝置100可藉由進行上述控制且依次供給測試圖案,並測定電源電流,從而精確檢測電源電流。
又,於本例中,被測試設備200含有一對虛設電晶體(208、210),但於其他例中,被測試設備200亦可含有多數對的虛設電晶體(208、210)。例如,可以將虛設電晶體(208、210)大致均勻分佈於基板上之方式而進行設置。於此情形,第1漏電流檢測部18以及第2漏電流檢測部20,可算出多個虛設電晶體(208、210)所輸出的電流的平均值。
又,被測試設備200藉由如下的設備生產方法而生產,該生產方法包括:準備階段,其準備被測試設備200的基板;電路形成階段,其於基板上形成場效電晶體(204、206);以及,檢測電路形成階段,其於基板上,形成將與場效電晶體(204、206)的漏電流大致相同的電流輸出至外部的虛設電晶體(208、210)。設備生產方法亦可進而包括如下階段,該階段形成上述電源端子(220、222)、基板電壓端子(212、216)、以及漏電流檢測端子(214、218)。
圖3(a)~圖3(b)是表示於每個供給至被測試設備200的測試圖案上所測定的電源電流值之一例的圖。圖3(a)~圖3(b)中,橫軸表示供給至被測試設備200的測試圖案,縱軸表示測定的電源電流的值。
圖3(a)表示依次供給的各測試圖案的電源電流值。如圖3(a)所示,電源電流測定部14於各測試圖案上,測定對應於被測試設備200的動作狀態的電源電流。此時,測試圖案產生部10於各測試圖案上,生成多個測試圖案,以使包含於被測試設備200的多個場效電晶體中,處於ON狀態的場效電晶體的的數量依次產生變化。例如測試圖案產生部10生成各測試圖案,以使處於ON狀態的場效電晶體的數量以預定單位數逐漸增加。圖3(a)中,橫軸表示以例如供給至被測試設備200的順序進行排列的測試圖案。繼而,電源電流測定部14將所測定的電源電流按照從小到大的順序進行排列。
圖3(b)表示已將所測定的電源電流值按照值從小到大的順序進行排列者。於處於ON狀態的場效電晶體的數量,於每個測試圖案上各單位數不同時,所排列的電源電流的測定值近似於直線。然而,被測試設備200處於故障狀態時,所排列的電源電流的測定值,如圖3(b)所示,成為不連續的值。電源電流測定部14檢測所排列的電源電流的測定值中不連續的部位,並檢測被測試設備200的故障。例如,電源電流測定部14對所排列的電源電流的波形進行二階微分,並檢測該微分值的峰值,藉此檢測不連續的部位。
圖4是表示對已排列的電源電流的波形進行二階微分的結果之一例的圖。如圖4所示,於圖3(a)~圖3(b)中電源電流的測定值為不連續的部位上,出現二階微分值的峰值。電源電流測定部14,於該等峰值的值大於等於預定的參考值時,可判定被測試設備200正處於故障狀態。
又,由於對於多個測試圖案的電源電流的測定需要較長時間,故而為了縮短測定時間,電源電流測定部14亦可測定對於更少數個的測試圖案的電源電流,並可根據上述多個電源電流的測定值,判定被測試設備200的良否。
於此情形,電源電流測定部14藉由例如最小平方法等,使已排列的電源電流的測定值近似於直線。繼而,近似的直線與電源電流的測定值的一致度大於特定值時,可將被測試設備200判定為良品。近似的直線與電源電流的測定值的一致度小於等於特定值之情形時,電源電流測定部14,對已排列的電源電流的測定值進行分割,於所分割的各區域中,可使電源電流的測定值近似於直線。
繼而,電源電流測定部14可算出所分割的各區域中,近似的直線與電源電流的測定值的一致度。又,電源電流測定部14亦可對所分割的各區域中,近似的直線的傾斜度進行比較,並且於傾斜度的差大於等於特定值時,判定被測試設備200上存有故障。
圖5是本發明的實施形態的測試被測試設備200的測試方法之一例的流程圖。該測試方法可以與圖1至圖4中所說明的方法相同的方法,測試被測試設備200。
首先,於電源供給階段中,供給用以驅動被測試設備200的電力。繼而,於圖案產生階段S300中,產生應供給至被測試設備200的測試圖案並進行供給。
又,於漏電流測定階段S302中,對包含於被測試設備200中的場效電晶體的漏電流進行檢測。其次,於電壓控制階段S304中,對施加於設置有場效電晶體的被測試設備200的基板上的電壓進行控制,以使漏電流成為特定的值。較佳的是,於測試中一直進行S302以及S304的處理。
繼而,以將漏電流保持為特定值的狀態,於電源電流測定階段S306中,對輸入至被測試設備200的電源電流進行測定。測定電源電流後,判定對於應施加於被測試設備200的所有測試圖案的測定是否已結束,於存有未測定的測試圖案時,於S300中生成下個測試圖案,並重複S300~S306的處理。
對於全部測試圖案的測定已結束時,於排列階段S310中,以如圖3(b)中所說明的方式,對電源電流的測定值進行排列。繼而,於峰值檢測階段S312中,以如圖4中所說明的方式,對已排列的電源電流的測定結果進行二階微分,並檢測微分值的峰值。其次,於判定階段S314中,根據微分值的峰值檢測被測試設備200的故障。
圖6是表示測試裝置100的結構之其他例的圖。於本例中,測試裝置100包括圖案產生部10、電源12、電源電流測定部14、第1漏電流檢測部18、以及第2漏電流檢測部20。
本例中的圖案產生部10、電源電流測定部14、第1漏電流檢測部18、以及第2漏電流檢測部20,具有與圖1中所說明的圖案產生部10、電源電流測定部14、第1漏電流檢測部18、以及第2漏電流檢測部20相同的功能。
電源12供給用以驅動被測試設備200的電力。本例中的電源12對施加至被測試設備200上的電源電壓值進行控制,以使由第1漏電流檢測部18以及第2漏電流檢測部20所檢測的漏電流保持為特定值。藉由此種結構,可降低包含於被測試設備200的場效電晶體的漏電流之影響,並可精確測定電源電流。
圖7是表示測試裝置100的結構之其他例的圖。測試裝置100包括圖案產生部10、電源12、以及電源電流測定部14。電源12與圖1中所說明的電源12相同,供給驅動被測試設備200的電力。
圖案產生部10與圖1中所說明的圖案產生部10相同,依次產生應供給至被測試設備200的多個測試圖案並進行供給。又,圖案產生部10每次將特定數量的測試圖案供給至被測試設備200時,產生特定圖案的參考測試圖案後,將其供給至被測試設備200。此時,較佳的是,圖案產生部10對已將參考測試圖案供給至被測試設備200的指令進行通知。又,所謂參考測試圖案,可以是用以將被測試設備200各元件的狀態設為初始狀態的重設圖案。
電源電流測定部14於每次施加各測試圖案時,對輸入至被測試設備200的電源電流進行測定。又,電源電流測定部14於參考測試圖案供給至被測試設備200時,亦對輸入至被測試設備200的電源電流進行測定。
繼而,電源電流測定部14對由電源12供給至被測試設備200的電源電壓進行控制,以根據參考測試圖案,使供給至被測試設備200的電源電流成為特定的值。例如,將對應於供給至被測試設備200的最初參考測試圖案的電源電流作為參考值,於每次使參考測試圖案供給至被測試設備200時,控制電源電壓,以使電源電流與該參考值一致。電源電流測定部14可於每次自圖案產生部10接收已將參考測試圖案供給至被測試設備200的指令的通知時,根據所測定的電源電流而控制電源電壓。
藉由此種動作,每隔特定的期間,將參考測試圖案施加於被測試設備200,並對將被測試設備200的動作狀態設為特定狀態時的電源電流進行檢測,藉此可檢測由於溫度變化等外部要因而產生的漏電流的變動。繼而,以使該電源電流成為特定值之方式對電源電壓進行控制,藉此可將由於外部要因而產生的漏電流控制為固定值。
於進行此種控制的狀態下,即於電源12將對由電源電流測定部14所控制的電源電壓進行維持的狀態下,圖案產生部10將測試圖案輸入至被測試設備200,且電源電流測定部14根據該測試圖案,對供給至被測試設備200的電源電流進行測定。藉此,可對已去除由於外部要因而產生的漏電流變動之影響的電源電流進行測定。
繼而,電源電流測定部14根據對應於各測試圖案所測定的電源電流,判定被測試設備200的良否。對被測試設備200的良否進行判定的方法,與圖1中所說明的電源電流測定部14相同。藉由本例的測試裝置100,可去除由於外部要因而產生的漏電流變動的影響,並可精確判定被測試設備200的良否。
又,圖案產生部10可交替產生通常的測試圖案及參考測試圖案,並將其供給至被測試設備200。於此情形,由於每次測定對應於各測試圖案的電源電流時,去除漏電流的變動,故而可更精確的進行測定。
圖8是表示對被測試設備200進行測試的測試方法之其他例的流程圖。該測試方法可以與圖8中所說明的方法相同的方法,測試被測試設備200。
首先,於電源供給階段S400中,供給驅動被測試設備200的電力。其次,於溫度控制階段S402中,使被測試設備200的溫度上升至恆定狀態。例如,圖案產生部10將適當的測試圖案重複輸入至被測試設備200,藉此使被測試設備200的溫度上升。
其次,於參考測試圖案產生階段S404中,產生特定圖案的參考測試圖案。繼而,於參考電流測定或電源電壓控制階段S406中,對將參考測試圖案供給至被測試設備200時的電源電流進行測定。又,於S406中,對於S400中產生的電源電壓進行控制,以使所測定的電源電流成為特定值。
其次,於圖案產生或電源電流測定階段S408中,施加應供給至被測試設備200的測試圖案,並測定此時的電源電流。繼而,於未對全部應施加的測試圖案測定電源電流時,重複S404~S408的處理,而已對全部測試圖案測定電源電流時,根據所測定的電源電流,判定被測試設備200的良否(S412)。
圖9是表示本發明實施形態的測試裝置100的結構之其他例的圖。本例的測試裝置100取得:自設置於被測試設備200內部的溫度感應器224所輸出的被測試設備200內部電路的溫度。溫度感應器224可為例如二極體等隨溫度而特性產生變化的元件。
測試裝置100包括圖案產生部10、電源12、電源電流測定部14、以及判定部30。圖案產生部10、電源12、以及電源電流測定部14,可具有與圖1至圖8中所說明的圖案產生部10、電源12、以及電源電流測定部14相同或同樣的功能。
圖案產生部10產生將被測試設備200的內部電路設定為特定狀態的設定向量,並將其供給至被測試設備200。例如,圖案產生部10產生對被測試設備200所具有的電晶體的狀態進行設定的設定向量。作為一例,可產生使被測試設備200所具有的電晶體成為接通狀態的設定向量,並且亦可產生使全部電晶體成為斷開狀態的設定向量。圖案產生部10可於將該設定向量施加至被測試設備200前,將圖案連續施加至被測試設備200,並於被測試設備200的內部溫度成為恆定狀態後,施加該設定向量。
電源電流測定部14於根據設定向量而將被測試設備200設定為特定狀態時,對自電源12供給至被測試設備200的靜止電源電流進行測定。例如,圖案產生部10將已施加設定向量的指令通知至電源電流測定部14,源電流測定部14可根據該通知,測定靜止電源電流。
判定部30自設置於被測試設備200內部的溫度感應器224,取得被測試設備200的溫度,並根據由電源電流測定部14所測定的靜止電源電流、以及被測試設備200的溫度,判定被測試設備200的良否。例如,判定部30根據所取得的溫度,對由電源電流測定部14所測定的靜止電源電流進行校正,並將其與預先賦予的期待值進行比較。
藉由此種控制,判定部30可降低根據被測試設備200的溫度而產生變化的漏電流的影響,並可精確判定被測試設備200的良否。
通常而言,被測試設備200的次臨界漏電流,依賴於被測試設備200的溫度、被測試設備200所具有的電晶體的閘極電容、以及基板電容等。閘極電容以及基板電容,依賴於生成被測試設備200的製程參數。因此,判定部30可對被測試設備200的每個批量、以及每個晶圓使用不同的校正係數。該校正係數可藉由如下步驟而預先確定:對於例如藉由與被測試設備200相同的製程所生成的設備,施加設定向量,使溫度發生變化後測定靜止電源電流,並檢測相對於溫度的靜止電源電流的變動。
又,可於被測試設備200的大致中心處,設置一個溫度感應器224。又,多個溫度感應器224亦可平均配置於被測試設備200的內部。於此情形,判定部30使用由多個溫度感應器224所檢測的溫度中,由設置於應測定電路附近的溫度感應器224所檢測的溫度,並進行校正。
圖10(a)~圖10(b)是表示判定部30的結構之一例的圖。圖10(a)所示的判定部30包括比較部32以及期待值儲存部34。比較部32自電源電流測定部14取得靜止電源電流的測定值,並自溫度感應器224取得測定該靜止電源電流時的被測試設備的溫度。期待值儲存部34按照被測試設備200的每個溫度,對靜止電源電流的期待值進行儲存。
比較部32自期待值儲存部34,檢測對應於自溫度感應器224所取得的溫度的期待值,並將該期待值與靜止電源電流的測定值進行比較。於該期待值與靜止電源電流的測定值之差不處於預定的範圍內時,比較部32將被測試設備200判定為不良。藉由此種結構,可降低由於被測試設備200的溫度而引起的漏電流的變動的影響,並可對靜止電源電流進行精確測試。
圖10(b)所示的判定部30包括校正部36、比較部32、以及期待值儲存部34。期待值儲存部34預先對預定溫度下的靜止電源電流的期待值進行儲存。校正部36自電源電流測定部14取得靜止電源電流的測定值,並自溫度感應器224取得測定該靜止電源電流時的被測試設備的溫度。校正部36根據測定該靜止電源電流時的被測試設備200的溫度,對所取得的靜止電源電流進行校正。例如,校正部36可預先存儲該預定溫度、以及對應於與測定時的溫度之差的校正係數。校正部36將該預定溫度,以及與測定時的溫度之差的校正係數,乘以所取得的靜止電源電流,藉此將其校正為以該預定溫度進行測定時所得的電流值。
比較部32將由校正部36所算出的電流值,與由期待值儲存部34所儲存的期待值進行比較,藉此判定被測試設備的良否。藉由此種結構,可降低由於被測試設備200的溫度而引起的漏電流的變動的影響,並可對靜止電源電流進行精確測試。
又,由於被測試設備200為不良時,所檢測的電流亦隨被測試設備200的溫度而產生變動,因此於圖10(a)所示的結構之情形時,嚴格來說,相對於期待值,測定值所允許的範圍,應於被測試設備200的每個溫度中產生變動。對此,於圖10(b)所示的結構之情形時,為了校正至預定溫度的測定值且進行比較,相對於期待值,測定值所允許的範圍亦可使用該溫度的單一範圍。因此,可對被測試設備200的良否進行更精確的判定。
圖11是表示對被測試設備200進行測試的測試方法之其他例的流程圖。該測試方法以與圖9以及圖10(a)~圖10(b)所說明的方法相同的方法,測試被測試設備200。
首先,將預定的設定向量施加至被測試設備200(S500)。其次,於施加有設定向量之狀態下,取得被測試設備200的靜止電源電流以及溫度(S502)。繼而,根據該靜止電源電流、該溫度、以及所賦予的期待值,判定被測試設備200的良否(S504)。於將被測試設備200判定為不良時,終止測試。
將被測試設備200判定為良品時,判斷是否已對應測試的全部設定向量進行測定(S506)。於已對全部設定向量進行測定時,終止測試。於未對全部設定向量進行測定時,生成下次應施加的設定向量(S508),並重複S500至S506的處理。
藉由此種測試,相對於全部的設定向量,可降低隨被測試設備200的溫度而產生變化的漏電流的影響,並可對被測試設備200的良否進行精確判定。
以上,已使用實施形態對本發明加以說明,但本發明的技術範圍並非限定於上述實施形態中所揭示的範圍。本領域技術人員顯然瞭解,可於上述實施形態中附加多種變更或改良。根據申請專利範圍的記載顯然可瞭解,附加有上述變更或改良的形態亦可包含於本發明的技術範圍。
由以上顯然可知,根據本發明,可降低隨被測試設備溫度而產生變化的漏電流的影響,並可對被測試設備的良否進行精確判定。
10...圖案產生部
12...電源
14...電源電流測定部
16...第1電壓控制部
18...第1漏電流檢測部
20...第2漏電流檢測部
22...第2電壓控制部
30...判定部
32...比較部
34...期待值儲存部
36...校正部
100...測試裝置
200...被測試設備
202...被測試電路部
204...p型場效電晶體
206...n型場效電晶體
208...p型虛設電晶體
210...n型虛設電晶體
212...基板電壓端子
214...漏電流檢測端子
216...基板電壓端子
218...漏電流檢測端子
220、222...電源端子
224...溫度感應器
圖1是表示測試裝置100的結構之一例的圖。
圖2是表示被測試設備200的結構之一例的圖。
圖3(a)~圖3(b)是表示於每個供給至被測試設備200的測試圖案中所測定的電源電流值之一例的圖。圖3(a),表示依次供給的各測試圖案的電源電流值,圖3(b),表示已將所測定的電源電流值按照值從小到大的順序進行排列者。
圖4是表示對已排列的電源電流的波形進行二階微分的結果之一例的圖。
圖5是表示對本發明實施形態的被測試設備200進行測試的測試方法之一例的流程圖。
圖6是表示測試裝置100的結構之其他例的圖。
圖7是表示測試裝置100的結構之其他例的圖。
圖8是表示測試方法之其他例的流程圖。
圖9是表示本發明實施形態的測試裝置100的結構之一例的圖。
圖10(a)~圖10(b)是表示判定部30的結構之一例的圖。
圖11是表示對被測試設備200進行測試的測試方法之其他例的流程圖。
10...圖案產生部
12...電源
14...電源電流測定部
30...判定部
200...被測試電路部
224...溫度感應器

Claims (4)

  1. 一種測試裝置,其根據被測試設備的靜止電源電流,判定被測試設備的良否,該測試裝置包括:電源,其將驅動上述被測試設備的電力供給至上述被測試設備;圖案產生部,其將決定上述被測試設備的電路的狀態的設定向量,供給至上述被測試設備;電源電流測定部,其於根據上述設定向量而將上述被測試設備設定為上述狀態時,對自上述電源供給至上述被測試設備的上述靜止電源電流進行測定;以及判定部,其自設置於上述被測試設備內部的溫度感應器取得上述被測試設備的溫度,並根據由上述電源電流測定部所測定的上述靜止電源電流以及上述被測試設備的溫度,判定上述被測試設備的良否。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述判定部包括:期待值儲存部,其預先對賦予上述被測試設備的每個溫度的上述靜止電源電流的期待值進行儲存;以及比較部,其將所測定的上述靜止電源電流,與對應於測定該靜止電源電流時的上述被測試設備溫度的上述期待值進行比較,藉此判定上述被測試設備的良否。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置,其中上述判定部包括:期待值儲存部,其預先對預定溫度的上述靜止電源電 流的期待值進行儲存;校正部,其根據測定上述靜止電源電流時的上述被測試設備的溫度,將所測定的上述靜止電源電流校正為:以上述預定溫度進行測定時所獲得的電流值;以及比較部,其將由上述校正部所算出的電流值,與上述期待值進行比較,藉此判定上述被測試設備的良否。
  4. 一種測試方法,其根據被測試設備的靜止電源電流,判斷被測試設備的良否,該測試方法包括:電源供給階段,其將驅動上述被測試設備的電力供給至上述被測試設備;圖案產生階段,其將決定上述被測試設備的電路的狀態的設定向量,供給至上述被測試設備;電源電流測定階段,其於根據設定向量而將被測試設備設定為上述狀態時,對供給至被測試設備的靜止電源電流進行測定;以及判定階段,其自設置於上述被測試設備內部的溫度感應器取得上述被測試設備的溫度,並根據於上述電源電流測定階段所測定的上述靜止電源電流以及上述被測試設備的溫度,判定上述被測試設備的良否。
TW095116179A 2005-05-11 2006-05-08 測試裝置以及測試方法 TWI392883B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005138065A JP4630122B2 (ja) 2005-05-11 2005-05-11 試験装置、及び試験方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200643447A TW200643447A (en) 2006-12-16
TWI392883B true TWI392883B (zh) 2013-04-11

Family

ID=37418524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095116179A TWI392883B (zh) 2005-05-11 2006-05-08 測試裝置以及測試方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7301359B2 (zh)
JP (1) JP4630122B2 (zh)
TW (1) TWI392883B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4275669B2 (ja) 2003-08-18 2009-06-10 株式会社アドバンテスト 温度制御装置及び温度制御方法
JP4925630B2 (ja) * 2005-09-06 2012-05-09 株式会社アドバンテスト 試験装置および試験方法
WO2007125680A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Advantest Corporation 電力印加回路、及び試験装置
JP5446112B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体装置の動作監視方法
US20100079163A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Advantest Corporation Measurement equipment, test system, and measurement method
US7859288B2 (en) 2008-09-12 2010-12-28 Advantest Corporation Test apparatus and test method for testing a device based on quiescent current
US7948256B2 (en) * 2008-09-12 2011-05-24 Advantest Corporation Measurement apparatus, test system, and measurement method for measuring a characteristic of a device
US9043795B2 (en) * 2008-12-11 2015-05-26 Qualcomm Incorporated Apparatus and methods for adaptive thread scheduling on asymmetric multiprocessor
JP2011027453A (ja) * 2009-07-22 2011-02-10 Renesas Electronics Corp 半導体試験装置及び半導体試験方法
JP5363437B2 (ja) * 2010-09-08 2013-12-11 株式会社アドバンテスト 試験装置
CN102539990A (zh) * 2010-12-28 2012-07-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 电容短路侦测电路
US8922227B2 (en) * 2011-03-08 2014-12-30 Freescale Semiconductor Inc. Systems and methods for detecting surface charge
TWI483104B (zh) * 2011-12-20 2015-05-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 電子裝置測試系統及方法
US9772366B2 (en) * 2015-02-26 2017-09-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Circuits and methods of testing a device under test using the same
CN115792694B (zh) * 2023-02-07 2023-04-25 山东艾诺智能仪器有限公司 一种飞机地面静变电源远程故障预测方法及装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW224187B (zh) * 1991-04-25 1994-05-21 Gen Electric
TW364199B (en) * 1996-09-25 1999-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Frequency-voltage transfer circuit, delay decision circuit, power managing system, method for adjusting the input/output characters of the frequency-voltage transfer circuit and device for automatic adjustment
TW421905B (en) * 1996-12-11 2001-02-11 Hitachi Ltd Electric power converter system and elevator control system using said electric power converter system
US20020186031A1 (en) * 1996-10-21 2002-12-12 Delta Design, Inc. Method and apparatus for temperature control of a device during testing
TW530360B (en) * 1999-11-19 2003-05-01 Hitachi Ltd Testing system and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2005140759A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路及び半導体集積回路の故障検出方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4416310B2 (ja) * 2000-11-20 2010-02-17 株式会社アドバンテスト 電子デバイスの試験装置
JP2002158265A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Advantest Corp 電子デバイスの試験装置及び試験方法
US6861860B2 (en) * 2002-05-17 2005-03-01 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit burn-in test system and associated methods
ATE335206T1 (de) * 2002-09-20 2006-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und einrichtung zur ruhestrombestimmung
US7394271B2 (en) * 2004-02-27 2008-07-01 Wells-Cti, Llc Temperature sensing and prediction in IC sockets

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW224187B (zh) * 1991-04-25 1994-05-21 Gen Electric
TW364199B (en) * 1996-09-25 1999-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Frequency-voltage transfer circuit, delay decision circuit, power managing system, method for adjusting the input/output characters of the frequency-voltage transfer circuit and device for automatic adjustment
US20020186031A1 (en) * 1996-10-21 2002-12-12 Delta Design, Inc. Method and apparatus for temperature control of a device during testing
TW421905B (en) * 1996-12-11 2001-02-11 Hitachi Ltd Electric power converter system and elevator control system using said electric power converter system
TW530360B (en) * 1999-11-19 2003-05-01 Hitachi Ltd Testing system and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2005140759A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路及び半導体集積回路の故障検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7301359B2 (en) 2007-11-27
JP4630122B2 (ja) 2011-02-09
TW200643447A (en) 2006-12-16
US20060255828A1 (en) 2006-11-16
JP2006317208A (ja) 2006-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI392883B (zh) 測試裝置以及測試方法
EP2006698B1 (en) Test apparatus and test method
US5742177A (en) Method for testing a semiconductor device by measuring quiescent currents (IDDQ) at two different temperatures
TWI392880B (zh) 元件識別方法、元件製造方法以及電子元件
JP3972076B2 (ja) テスト用回路、ウェハ、測定装置、デバイス製造方法、及び表示装置
US20110095777A1 (en) Test wafer unit and test system
EP0866980B1 (en) Method for inspecting an integrated circuit
US20020180477A1 (en) Method for testing a semiconductor integrated circuit
JP2008002900A (ja) 半導体装置のスクリーニング方法と装置並びにプログラム
US7071721B2 (en) Device and method for electronic device test
TWI384241B (zh) 測量設備、測試系統以及測量方法
KR100500888B1 (ko) 평균전압산출회로를 갖는 번인장치
JP4754264B2 (ja) 半導体集積回路および半導体集積回路を搭載した製品のテスト方法
JP2008187023A (ja) 半導体ウェーハのテスト方法及びテスト装置
JP2907278B2 (ja) 半導体装置及びその試験方法
JP4043743B2 (ja) 半導体試験装置
US20090206870A1 (en) Method for analyzing ic devices and wafers
RU2511617C2 (ru) Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий
JP2003043099A (ja) 半導体試験方法および半導体装置
JP2003248029A (ja) 半導体装置の試験方法
JP2004191236A (ja) 半導体集積回路の検査方法および検査装置、ならびに半導体集積回路の検査用信号取得方法
JP2006105841A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003172763A (ja) 半導体装置の検査装置及び検査方法
JP2002148302A (ja) 半導体装置の試験方法
JP2007010440A (ja) 半導体集積回路の検査装置および検査方法