TWI389264B

TWI389264B - 圖案藍寶石基板的製造方法

Info

Publication number: TWI389264B
Application number: TW98111070A
Authority: TW
Inventors: chun yi Li
Original assignee: Crystalwise Technology Inc
Priority date: 2009-04-02
Filing date: 2009-04-02
Publication date: 2013-03-11
Also published as: TW201037792A

Description

圖案藍寶石基板的製造方法

本發明是有關於一種發光二極體的製造方法，且特別是有關於一種圖案藍寶石基板的製造方法。

發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)具有省電、壽命長、耐震及低發熱等多項優點，被大量應用在各種交通號誌、車用電子、液晶顯示器背光模組以及一般照明等。

用於製造可見光發光二極體的常用材料包括各種三五族化合物，其包括用於製造綠、黃、橙或紅光發光二極體的磷化鋁鎵銦(AlGaInP)以及用於製造藍光或紫外光發光二極體的氮化鎵(GaN)。其中，超高亮度之藍光或紫外光發光二極體，在未來將可取代現行之白熱燈泡與鹵素燈泡。由於氮化鎵晶體是成長在藍寶石(Al₂ O₃ )的基板上，而藍寶石的晶格與氮化鎵晶體的晶格不匹配，因此發光二極體內的氮化鎵晶體通常會具有高密度的線差排(threading dislocation)。這些線差排會降低藍光或紫外光發光二極體的光輸出功率。因此，超高亮度藍光或紫外光發光二極體的品質，取決於氮化鎵(GaN)的磊晶品質。而氮化鎵的磊晶品質，則與所使用的藍寶石晶圓表面加工的品質息息相關。

習知的發光二極體的製造方法是先提供藍寶石基板，然後進行微影製程及蝕刻製程，以在藍寶石基板表面形成凹凸圖案。具有凹凸圖案的藍寶石基板一般被稱為圖案藍寶石基板(patterned sapphire substrate，PSS)。然後，在圖案藍寶石基板上形成包括氮化鎵層、氮化鋁鎵(AlGaN)層及氮化銦鎵(GaInN)等數層半導體層，而形成藍光或紫外光發光二極體。這種方法能夠有效地降低氮化鎵晶體內的線差排密度，從而提升發光二極體的光輸出功率。

然而，由於藍寶石具有高化學穩定性及高硬度等特性，因此利用一般的蝕刻製程在藍寶石基板表面形成凹凸的圖案是很困難的。使用濕蝕刻法製作圖案化藍寶石基板，其優點在於在設備建構程本較低，但受限於藍寶石材料晶體特性，往往在發光二極體上的應用效果不彰。使用乾蝕刻法製作圖案化藍寶石基板，則蝕刻品質較佳，適合後續發光二極體磊晶，但設備硬體昂貴。而無論所選蝕刻方式，圖案藍寶石基板品質關鍵卻落在黃光微影製程(型態、大小、均勻性，均由黃光微影製程決定)，故如何提升黃光微影製程能力或尋找替代製程方式，將是圖案藍寶石基板能否有更佳效能的關鍵。

本發明之目的是提供一種圖案藍寶石基板的製造方法，不需使用黃光微影製程，而可以降低成本並提高圖案藍寶石基板的品質。

為達上述或是其他目的，本發明提出一種圖案藍寶石基板的製造方法。此方法是先提供藍寶石基板。然後，於藍寶石基板上塗佈高分子溶液以形成高分子層，此高分子溶液的密度小於水的密度，且不溶於水。接著，進行相分離製程，於高分子層表面通入含水的氣體，使高分子層中的高分子成分與水產生相分離。之後，進行烘烤製程，以移除高分子層中的水，並形成圖案化高分子層。然後，以圖案化高分子層為罩幕，蝕刻藍寶石基板，並移除上述圖案化高分子層。

在本發明之一實施例中，高分子溶液包括至少一種的高分子，高分子為選自聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)與氟化共聚物所組之族群。

在本發明之一實施例中，高分子溶液包括聚苯乙烯(polystyrene，PS)與聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)。

在本發明之一實施例中，聚苯乙烯(polystyrene，PS)與聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)的比例為5：5～8：2。

在本發明之一實施例中，高分子溶液中的高分子的濃度為0.5~5.0%重量百分比。

在本發明之一實施例中，於藍寶石基板上塗佈高分子溶液的方法包括刮刀式塗佈法。

在本發明之一實施例中，於藍寶石基板上塗佈高分子溶液的方法包括旋轉塗佈法。

在本發明之一實施例中，烘烤製程包括去水烘烤與高分子硬烤。

在本發明之一實施例中，移除圖案化高分子層是使用硫酸與過氧化氫的混合溶液。

在本發明之一實施例中，在移除圖案化高分子層後，更包括進行清洗製程。

在本發明之一實施例中，圖案化高分子層包括多個微孔結構、多個柱狀結構或多個球狀結構之其中之一。

本發明提出一種圖案藍寶石基板的製造方法。此方法是先提供藍寶石基板。然後，於藍寶石基板上塗佈高分子溶液以形成高分子層，高分子溶液含有第一成份與第二成份，第一成份與第二成份不同相。接著，進行相分離製程，使高分子層中的第一成份與第二成份產生相分離。然後，移除高分子層中的第二成份，並形成圖案化高分子層。進行烘烤製程，以硬化圖案化高分子層後，以圖案化高分子層為罩幕蝕刻藍寶石基板。之後，移除圖案化高分子層。

在本發明之一實施例中，高分子溶液包括至少一種的高分子，高分子為選自聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)與聚甲基丙烯酸酯((Polymethylmethacrylate，PMMA)所組之族群。

在本發明之一實施例中，高分子溶液含有聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)與氯仿(Chloroform)。

在本發明之一實施例中，高分子溶液中的高分子的濃度為0.5~3.0%重量百分比。

在本發明之一實施例中，於藍寶石基板上塗佈高分子溶液的方法包括浸沾式塗佈法。

本發明之圖案藍寶石基板的製造方法，以化學方式取代傳統黃光微影製程，製造高分子微孔洞或微球體，作為圖形遮蔽(罩幕層)，再經由乾蝕刻方式將圖形轉製在藍寶石晶片上，而做成圖案藍寶石基板，因此本發明的製造方法能夠簡化圖案藍寶石基板的製程。此外，因為避免使用昂貴的黃光微影機台，所以能夠降低製程的成本。

本發明之圖案藍寶石基板的製造方法，採用刮刀式塗佈法將高分子層塗佈於藍寶石基板時，藉由控制塗佈環境的溼度，以同時進行相分離製程，如此可以節省製程時間與成本。

本發明之圖案藍寶石基板的製造方法，採用浸沾式塗佈法形成高分子層，可大幅降低傳統旋轉塗佈方式硬體架構成本，而且也可節省許多的材料成本。

本發明之圖案藍寶石基板的製造方法，採用浸沾式塗佈法形成高分子層，可在同一製程時間完成雙面塗佈，可直接生產雙面式圖案藍寶石基板。將此雙面式圖案藍寶石基板應用於發光二極體時，能更有效在提升LED發光亮度，有助於未來LED在亮度上的發展突破。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

為了以簡化圖案藍寶石基板的製程，本發明利用相分離化學方式取代傳統黃光微影製程，製造高分子微孔洞或微球體，作為圖形遮蔽(罩幕層)，再經由乾蝕刻方式將圖形轉製在藍寶石晶片上，而做成圖案藍寶石基板。由於本發明之方法不需要使用到黃光微影設備，因此可以在節省製程設備成本的情況下，卻可產出範圍更大、選擇性更多的高分子微結構罩幕層，並由於製程的大幅簡化，相對在圖案藍寶石基板生產應用上及開發上更具其特出的優勢。

以下請參照圖示，以說明本發明有關之圖案藍寶石基板的製造方法。圖1是本發明之第一實施例之一種圖案藍寶石基板的製程流程圖。圖2A至圖2D是本發明之第一實施例之一種圖案藍寶石基板的製程剖面圖。

請參照圖1，提供藍寶石基板(步驟100)，並配製高分子溶液(步驟102)。此高分子溶液的密度例如是小於水的密度，且此高分子溶液不溶於水。高分子溶液含有至少一種高分子，此高分子例如是聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)與氟化共聚物等。

在本實施例中，使用聚苯乙烯(分子量例如是30000~50000)及聚乙烯吡咯烷酮(分子量例如是8000~20000)作為高分子，並使用四氫呋喃作為溶劑。聚苯乙烯及聚乙烯吡咯烷酮比例例如為5：5~8：2。在高分子溶液中高分子(聚苯乙烯及聚乙烯吡咯烷酮)的濃度例如是0.5~5.0%重量百分比。在高分子溶液中，聚苯乙烯及聚乙烯吡咯烷酮分子量大小及配比可決定後續形成之圖形的大小(孔徑)及圖形的分布密度(單位面積內所涵蓋的圖形數)。

請參照同時圖1與圖2A，於藍寶石基板200上塗佈高分子溶液以形成高分子層202(步驟104)。將高分子溶液塗佈於藍寶石基板200上之方法例如是刮刀式塗佈法或旋轉塗佈法。在本實施例是以刮刀式塗佈法為例做說明。如圖2A所示，利用刮刀204於藍寶石基板200上塗佈高分子溶液以形成高分子層202。刮刀204的尺寸例如是0.5~5um、塗佈速度例如是50~500mm/min。

請參照同時圖1與圖2B，進行相分離製程206，於高分子層表面通入含水的氣體，使高分子層202中的高分子成分與水208產生相分離(步驟106)。當含水的氣體通過高分子層202表面，藉由溶劑在揮發過程中，因吸熱而表面溫度降低，高分子層的表面會產生水滴凝結，並於高分子層表面形成六角型排列，由於高分子密度較低，故水滴會因此沉入高分子層中。

在本發明中，步驟104與步驟106也可以同時進行。亦即，利用刮刀式塗佈法或旋轉塗佈法將高分子層塗佈於藍寶石基板時，藉由控制塗佈環境的溼度，以同時進行相分離製程。刮刀式塗佈法或旋轉塗佈法決定高分子膜的厚度，而塗佈環境溼度撘配高分子溶液的製備參數則可有效決定圖形大小、密度(溼度過低則無圖形；溼度過高則圖形分布均勻性不佳)。塗佈環境溼度例如是40~80%。

請參照同時圖1與圖2C，進行烘烤製程，以移除高分子層中的水208，並形成圖案化高分子層202a(步驟108)。烘烤製程包括去水烘烤與高分子硬烤。經由去水烘烤，便可形成具有微孔結構、柱狀結構或球狀結構等的圖案化高分子層202a。經由高分子硬烤，則可使圖案化高分子層202a(罩幕層)硬化以抗蝕刻。在本實施例中，烘烤製程例如是利用烤箱或熱板，於120℃的溫度下進行烘烤。

請參照同時圖1與圖2D，以圖案化高分子層202a為罩幕蝕刻藍寶石基板200(步驟110)，以於藍寶石基板200中形成圖案210。蝕刻藍寶石基板200的方法例如是感應耦合電漿蝕刻法。接著，移除圖案化高分子層202a(步驟112)。在步驟112中，例如是使用硫酸與過氧化氫的混合溶液來移除圖案化高分子層202a。之後，對藍寶石基板200進行清洗製程(步驟114)。在步驟112中，例如是使用RCA製程進行清洗，如此即完成圖案藍寶石基板。

在上述實施例中，利用密度較水低且與水不互溶之高分子溶液，塗佈於藍寶石基板上。而且，在高分子層的形成過程中，外加潮濕的氣流(含水的氣體)通過高分子層表面。藉由高分子溶液中溶劑在揮發過程中，因吸熱而表面溫度降低，高分子層的表面會產生水滴凝結，並於高分子層表面形成六角型排列的微結構。由於高分子密度較低，故水滴會因此沉入高分子層中，再經由去水烘烤，便可形成圖案化高分子層。

於本發明之方法中，藉由控制環境溫度、溼度、高分子層材料、薄膜形成速度、溶劑揮發速度、以及潮濕氣流流速或水氣導入方式等，可決定產生微結構的大小深度。因此本發明之方法簡單，且可以減少製造成本。

圖3是本發明之第一實施例之一種圖案藍寶石基板的製程流程圖。圖4A至4C是本發明之第一實施例之一種圖案藍寶石基板的製程剖面圖。

請參照圖3，提供藍寶石基板(步驟300)，並配製高分子溶液(步驟302)。高分子溶液含有不相互反應的第一成份與第二成份，且第一成份與第二成份不同相。

在本發明中，藉由使高分子溶液至少含有一種高分子與兩種溶劑、兩種高分子與一種溶劑或含有兩種高分子與兩種溶劑，以使高分子溶液含有不相互反應的第一成份與第二成份。

當高分子溶液中含有一種高分子與兩種溶劑時，其中一種溶劑是可將高分子溶解的溶劑，而另一種溶劑則為非溶劑或選擇性溶劑。當高分子溶液中含有兩種高分子與一種溶劑時，此溶劑需具備只溶兩高分子的其中之一，而不溶另一高分子之特性。當高分子溶液中含有二種高分子與兩種溶劑時，一種溶劑是可將高分子溶解的溶劑，而另一溶劑則為非溶劑或選擇性溶劑(其需具備只溶兩高分子中的一相而不溶另一高分子之特性)。

高分子為選自聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone，PVP)與聚甲基丙烯酸酯((Polymethylmethacrylate，PMMA)所組之族群。

在本實施例中，使用聚苯乙烯(分子量例如是15000~30000)及聚乙烯吡咯烷酮(分子量例如是10000以下)作為高分子，並使用氯仿(Chloroform)作為溶劑。聚苯乙烯及聚乙烯吡咯烷酮比例例如為6：4~8：2。在高分子溶液中高分子(聚苯乙烯及聚乙烯吡咯烷酮)的濃度例如是0.5~3.0%重量百分比。在高分子溶液中，聚苯乙烯及聚乙烯吡咯烷酮分子量大小及配比可決定後續形成之圖形的大小(孔徑)及圖形的分布密度(單位面積內所涵蓋的圖形數)。高分子溶液的配比將決定圖形大小、密度、深度。

請參照同時圖3與圖4A，於藍寶石基板400上塗佈高分子溶液以形成高分子層402(步驟304)。將高分子溶液塗佈於藍寶石基板400上之方法例如是浸沾式塗布塗佈法或旋轉塗佈法。在本實施例是以浸沾式塗佈法為例做說明。如圖5所示，將藍寶石基板400浸入裝滿高分子溶液502的藥液槽500，然後將藍寶石基板400拉起。藍寶石基板400拉起速度控制在例如50~700mm/min，環境溫度控制在例如10~40℃，利用拉速與環境溫度的變化，可決定高分子層402的膜厚、相分離反應的時間、溶劑(Chloroform)的揮發時間，進而控制圖形的大小、深度及均勻性。

然後，進行相分離製程，使高分子層中的第一成份與第二成份產生相分離(步驟306)。由於高分子溶液含有不相互反應的第一成份與第二成份，且第一成份與第二成份不同相。當將高分子溶液均勻塗佈於藍寶石基板400上時，此兩不同相第一成份與第二成份會自然形成相分離反應。

請參照同時圖3與圖4B，移除高分子層中的第二成份，並形成圖案化高分子層402a。在此步驟中，可藉由將高分子層浸泡於選擇性溶液中，將不欲留下的高分子去除(第二成份)，形成微結構。於此方法，透過環境溫、溼度、高分子比例、溶度等之控制，可決定產生微結構的大小深度。

然後，進行烘烤製程，以硬化圖案化高分子層402a(步驟310)。在本實施例中，烘烤製程例如是利用烤箱或熱板，於120℃的溫度下進行烘烤。

請參照同時圖3與圖4C，以圖案化高分子層402a為罩幕蝕刻藍寶石基板400(步驟312)，以於藍寶石基板400中形成圖案404。蝕刻藍寶石基板400的方法例如是感應耦合電漿蝕刻法。接著，移除圖案化高分子層402a(步驟314)。在步驟314中，例如是使用硫酸與過氧化氫的混合溶液來移除圖案化高分子層402a。之後，對藍寶石基板400進行清洗製程(步驟316)。在步驟316中，例如是使用RCA製程進行清洗，如此即完成圖案藍寶石基板。

在上述實施例中，先將兩種不相互反應之高分子混合於溶劑中，再均勻塗佈於藍寶石基板表面，該兩不同相高分子會自然形成相分離反應，在將此高分子層浸泡於選擇性溶液中，將不欲留下的高分子去除，形成微結構，於此方法，透過環境溫度、溼度、高分子比例、溶度等之控制，可決定產生微結構的大小深度。舉例來說，本發明之方法亦可以形成如圖6A所示具有圖案化高分子層602a藍寶石基板600。利用此圖案化高分子層602a製造出如圖6B所示具有圖案604的藍寶石基板600。

於本發明之方法中，利用高分子相分離的原理，製作高分子微孔洞罩幕層。在製程中，藍寶石基板先以浸沾式塗佈法，製造出各種不同的高分子層，以此方式將可大幅降低傳統旋轉塗佈方式硬體架構成本，並因以此塗佈方式不像旋轉塗佈方式，需將大量多餘的材料甩掉以有效而均勻地覆蓋晶片表面，進而也節省許多的材料成本。而且，浸沾式塗佈法形成高分子層，可在同一製程時間完成雙面塗佈，可直接生產雙面式圖案藍寶石基板。

本發明之方法，藉由控制環境溫度、溼度、高分子比例、溶度等，可決定產生微結構的大小深度，而製作出圖7A所示之凹洞型圖案藍寶石基板700a、圖7B所示之圓桶凸起型圖案藍寶石基板700b與圖7C所示之圓球凸起型圖案藍寶石基板700c。

綜上所述，本發明的圖案藍寶石基板的製造方法至少具有以下優點：

1.以化學方式取代傳統黃光微影製程，製造高分子微孔洞或微球體，作為圖形遮蔽(罩幕層)，再經由乾蝕刻方式將圖形轉製在藍寶石晶片上，而做成圖案藍寶石基板，因此本發明的製造方法能夠簡化圖案藍寶石基板的製程。此外，因為避免使用昂貴的黃光微影機台，所以能夠降低製程的成本。

2.採用刮刀式塗佈法將高分子層塗佈於藍寶石基板時，藉由控制塗佈環境的溼度，以同時進行相分離製程，如此可以節省製程時間與成本。

3.採用浸沾式塗佈法形成高分子層，可大幅降低傳統旋轉塗佈方式硬體架構成本，而且也可節省許多的材料成本。

4.採用浸沾式塗佈法形成高分子層，可在同一製程時間完成雙面塗佈，可直接生產雙面式圖案藍寶石基板。將此雙面式圖案藍寶石基板應用於發光二極體時，能更有效在提升LED發光亮度，有助於未來LED在亮度上的發展突破。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、102、104、106、108、110、112、114、300、302、304、306、308、310、312、314、316．．．步驟

200、400、600．．．藍寶石基板

202、402．．．高分子層

202a、402a、602．．．圖案化高分子層

204．．．刮刀

206．．．相分離製程

208．．．水

210、404、604．．．圖案

500．．．藥液槽

502．．．高分子溶液

700a、700b、700c．．．圖案藍寶石基板

圖1是本發明一實施例的圖案藍寶石基板的製造方法流程圖。

圖2A至圖2D是本發明一實施例的圖案藍寶石基板的製造方法流程剖面圖。

圖3是本發明一實施例的圖案藍寶石基板的製造方法流程圖。

圖4A至圖4C是本發明一實施例的圖案藍寶石基板的製造方法流程剖面圖。

圖5是本發明一實施例的浸沾式塗佈法的設備示意圖。

圖6A至圖6B是本發明一實施例的圖案藍寶石基板的製造方法流程剖面圖。

圖7A至圖7C是本發明一實施例的圖案藍寶石基板剖面圖。

100、102、104、106、108、110、112、114．．．步驟

Claims

一種圖案藍寶石基板的製造方法，包括：提供藍寶石基板；於上述藍寶石基板上塗佈高分子溶液以形成高分子層，上述高分子溶液的密度小於水的密度，且不溶於水；進行相分離製程，於上述高分子層表面通入含水的氣體，使上述高分子層中的高分子成分與水產生相分離；進行烘烤製程，以移除上述高分子層中的水，並形成圖案化高分子層；以上述圖案化高分子層為罩幕，蝕刻上述藍寶石基板；以及移除上述圖案化高分子層。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述高分子溶液包括至少一種的高分子，上述高分子為選自聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮與氟化共聚物所組之族群。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述高分子溶液包括聚苯乙烯與聚乙烯吡咯烷酮。
如申請專利範圍第3項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中聚苯乙烯與聚乙烯吡咯烷酮的比例為5：5～8：2。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述高分子溶液中的高分子的濃度為0.5~5.0%重量百分比。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中於上述藍寶石基板上塗佈上述高分子溶液的方法包括刮刀式塗佈法。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中於上述藍寶石基板上塗佈上述高分子溶液的方法包括旋轉塗佈法。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述烘烤製程包括去水烘烤與高分子硬烤。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中移除上述圖案化高分子層是使用硫酸與過氧化氫的混合溶液。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中在移除上述圖案化高分子層後，更包括進行清洗製程。
如申請專利範圍第1項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述圖案化高分子層包括多個微孔結構、多個柱狀結構或多個球狀結構之其中之一。
一種圖案藍寶石基板的製造方法，包括：提供藍寶石基板；於上述藍寶石基板上塗佈高分子溶液以形成高分子層，上述高分子溶液含有第一成份與第二成份，上述第一成份與上述第二成份不同相；進行相分離製程，使上述高分子層中的上述第一成份與上述第二成份產生相分離；移除上述高分子層中的上述第二成份，並形成圖案化高分子層；進行烘烤製程，以硬化上述圖案化高分子層；以上述圖案化高分子層為罩幕，蝕刻上述藍寶石基板；以及移除上述圖案化高分子層。
如申請專利範圍第12項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述高分子溶液包括至少一種的高分子，上述高分子為選自聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮與聚甲基丙烯酸酯所組之族群。
如申請專利範圍第12項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述高分子溶液含有聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮與氯仿。
如申請專利範圍第14項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中聚苯乙烯與聚乙烯吡咯烷酮的比例為6：4～8：2。
如申請專利範圍第13項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述高分子溶液中的高分子的濃度為0.5~3.0%重量百分比。
如申請專利範圍第12項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中於上述藍寶石基板上塗佈上述高分子溶液的方法包括浸沾式塗佈法。
如申請專利範圍第12項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中移除上述圖案化高分子層是使用硫酸與過氧化氫的混合溶液。
如申請專利範圍第12項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中在移除上述圖案化高分子層後，更包括進行清洗製程。
如申請專利範圍第12項所述之圖案藍寶石基板的製造方法，其中上述圖案化高分子層包括多個微孔結構、多個柱狀結構或多個球狀結構之其中之一。