JP2010258455A - 周期構造を有するサファイア基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオード(LED)に使用し得る、ナノサイズのボールにより形成された周期構造を有するサファイア基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板21の少なくとも一つの面上に形成され、複数のマイクロキャビティ202を有する、少なくとも1つの周期構造を含む、周期構造を有するサファイア基板であって、マイクロキャビティは配列状に配置され、マイクロキャビティは、それぞれ反転した錐様の形状であり、マイクロキャビティの底辺の長さは100〜2400nmであり、かつマイクロキャビティの深さは25〜1000nmである。
【選択図】図6
【解決手段】サファイア基板21の少なくとも一つの面上に形成され、複数のマイクロキャビティ202を有する、少なくとも1つの周期構造を含む、周期構造を有するサファイア基板であって、マイクロキャビティは配列状に配置され、マイクロキャビティは、それぞれ反転した錐様の形状であり、マイクロキャビティの底辺の長さは100〜2400nmであり、かつマイクロキャビティの深さは25〜1000nmである。
【選択図】図6
Description
本発明は、周期構造を有するサファイア基板に関し、さらに詳しくは、発光ダイオード(LED)に使用し得る、ナノサイズのボールにより形成された周期構造を有するサファイア基板に関する。
図1は、一般的な発光ダイオード(LED)の透視図である。LEDは、外部電子回路(図には示さず)と連携して、電気を光に変換する。一般に、LEDは、基板10、基板10の表面上に配置した緩衝層131、緩衝層131の表面上に配置した第一の半導体層13、第一の半導体層13の表面上に配置した活性層14、活性層14の表面上に配置した第二の半導体層15、第一の半導体層13に電気的に接続した第一の電気的接触部16、および第二の半導体層15に電気的に接続した第二の電気的接触部17を含む。
例えば、青色LEDは、フリップチップ技術を用いてサファイアより作られた基板10によって製造される。光が活性層14から放射され、基板10を通過する際に、サファイア基板の平坦な消光(out-light)面により、内部全反射の現象が起こる。故に、青色LEDの量子効率は低下する。従って、粗化処理、即ちパターニングを、サファイア基板の消光面上で実施して、全反射の角度を解消し、光抽出を向上させる。
加えて、GaNは半導体材料の一種であり、青色光を効率的に産生し得る。しかし、GaNを緩衝層131としてサファイア基板10の表面に堆積した場合、サファイアとGaNとの格子定数の差が大きいことから、緩衝層131と基板10との間に多くの問題がある。これらの問題により、発光効率が低下し、漏電の確率が増加する。サファイアとGaNとの格子定数の差を縮小するため、サフィア基板にパターニング法を実施する。サフィア基板の平坦面と比較して、サフィア基板のパターニングした表面の格子定数は、GaNの格子定数と非常に類似している。従って、GaNをサファイア基板のパターニングした表面上に堆積した場合、より良い品質のエピタキシャル薄膜が得られる。このパターニングしたサファイア基板上にGaN薄膜を形成したものをLEDに適用した場合、LEDの出力は向上し得る。
現在、サファイア基板のパターニングした表面は、フォトリソグラフィーおよびその後のウェットエッチングまたはドライエッチングによって形成する。サファイア基板のパターニング方法を図2A〜2Fに示す。初めに、図2Aを参照し、基板10を供給し、図2Bに示す通り、基板10の表面101上に、フォトレジスト層11を形成する。次に、図2Cに示す通り、フォトレジスト層11上に、フォトマスク12を供給した後、露光してフォトレジスト層11をパターンニングする。フォトマスク12を現像および除去した後、図2Dに示す通り、パターニングしたフォトレジスト層11を得る。図2Eに示す通り、エッチングテンプレートとしてパターニングしたフォトレジスト層11を用いて、反応性イオンエッチング(RIE)法を実施して基板10をエッチングし、その後、基板10の表面上に複数のマイクロキャビティ102を形成する。フォトレジスト層11(エッチングテンプレート)を除去した後、図2Fに示す通り、パターニングした基板10を得る。ここで、パターンニングした基板10の表面101上に形成された複数のマイクロキャビティは、周期構造に配置される。
ドライエッチング法により、均一で規則的なマイクロキャビティを持つ周期構造を有する基板を製造し得るが、上記の方法には、なおいくつかの不都合な点がある。第一に、フォトリソグラフィーの製造コストは高く、生産速度は遅い。さらに、ナノサイズの周期構造が求められる場合、フォトリソグラフィー法において、サブマイクロサイズのフォトマスクが必要である。しかし、サブマイクロサイズのフォトマスクは非常に高価であり、500nm以下の大きさの周期構造が求められる場合、フォトマスクの製造コストはさらに高価である。加えて、RIE機は高価であり、RIE法は遅く、RIE法を使用した場合、基板は容易に損傷する。さらに、ドライエッチング法で形成されるエッチング表面、即ち、パターニングした基板の表面は、不自然な格子面であり、GaN薄膜とは理想的には適合し得ない。
ドライエッチング法によって起こる問題を解決するため、図3A〜3Fに示す通り、ウェットエッチング法が開発されて、周期構造を有する基板が形成される。周期構造を有する基板を形成するウェットエッチング法は、エッチングバッファーを使用して基板をパターニングする以外は、ドライエッチング法に類似する。初めに、図3Aに示す通り、基板10を供給する。次に、図3Bに示す通り、基板10の表面上にガラス層18を形成した後、ガラス層18上にフォトレジスト層11をコーティングする。その後、図3Cに示す通り、フォトマスク12をフォトレジスト層11の表面上に配置した後に露光し、パターニングしたフォトレジスト層11を得る。図3Dに示す通り、フォトマスク12を除去し、パターニングしたフォトレジスト層11を現像した後、エッチングバッファーを使用して、エッチングテンプレートとしてパターニングしたフォトレジスト層11を適用することにより、ガラス層18をパターニングする。その後、図3Eに示す通り、パターニングしたガラス層18は、基板10をパターニングするためのもう一つのエッチングテンプレートとなり、基板10は別のエッチングバッファーによってパターニングされる。最後に、図3Fに示す通り、パターニングしたフォトレジスト層11およびパターニングしたガラス層18を除去して、パターニングした基板10を得る。ここで、パターニングした基板10の表面101上に形成された複数のマイクロキャビティ102は、周期構造に配置される。基板10をウェットエッチング法によってパターニングする場合、反転した錐 (awl)様の形状のマイクロキャビティ102が得られる。
ウェットエッチング法は基板が損傷しないよう保護することが可能で、パターニングした基板の表面は自然な格子面であるが、ウェットエッチング法のパラメータが適切に制御されない場合、周期構造の均一性は充分ではない。加えて、フォトリソグラフィーはなおも上記の方法で実施されるので、高製造コストおよび低生産速度の問題は依然として存在する。
従って、パターニングした表面を有するサファイア基板であって、全反射の現象を低減し、LEDの明るさを向上させるため、GaNと一致する格子定数を有するサファイア基板を提供することが望まれている。加えて、フォトリソグラフィーをウェットエッチングと組み合わせた方法により、パターニングした表面を有するサファイア基板を得ることが可能であるが、高製造コストおよび低生産速度により、なおも青色LEDの製造コストを引き下げることができない。従って、迅速かつ安価に製造し得る、パターンニングしたサファイアを提供することが望ましい。
本発明の目的は、周期構造を有するサファイア基板であって、本発明のサファイア基板の格子定数がGaNのそれと一致して、LEDの明るさを向上させる、サファイア基板を提供することである。
目的を達成するため、本発明の周期構造を有するサファイア基板は:サファイア基板;およびサファイア基板の少なくとも一つの面上に形成され、複数のマイクロキャビティを有する、少なくとも1つの周期構造を含む。マイクロキャビティは配列状に配置され、マイクロキャビティは、それぞれ、反転した錐様の形状であり、マイクロキャビティの底辺(base line)の長さは100〜2400nmであり、かつマイクロキャビティの深さは25〜1000nmである。ここで、反転した錐とは、錐の底がサファイア基板の表面上に位置し、錐の先端がサファイア基板の表面から窪んでいることを意味する。加えて、本発明のサファイア基板は、その一方の表面上に形成される一つの周期構造を有するか、その両方の表面上に形成される2つの周期構造を有していてもよい。
本発明の周期構造を有するサファイア基板では、好ましくは、周期構造は、以下の工程によって形成される:(A)サファイア基板および複数のナノサイズのボールを提供する工程であって、ナノサイズのボールはサファイア基板の表面上に配置され;(B)サファイア基板の部分表面上およびナノサイズのボールの間の間隙上に、クラッド層を堆積させる工程;(C)ナノサイズのボールを除去する工程;(D)エッチングテンプレートとしてクラッド層を用いることにより、サファイア基板をエッチングする工程;および(E)エッチングテンプレートを除去して、サファイア基板の表面上に周期構造を形成する工程。
本発明の周期構造を有するサファイア基板では、ナノサイズのボールはフォトリソグラフィー法に代わって使用して、周期構造を形成する。ナノサイズのボールは、その「自己組織化」特性により、サファイア基板の表面上に自動的かつ均一に配置し得る。良好に配置されたナノサイズのボールは、エッチングテンプレートを形成するためのテンプレートとなり得る。本発明のサファイア基板は、サブマイクロサイズの高価なフォトマスクによらず、配置されたナノサイズのボールによって製造される。従って、本発明において、周期構造を有するサファイア基板を安価にかつ迅速に製造することが可能である。反転した錐様の形状のマイクロキャビティの大きさは、エッチング法の条件およびナノサイズのボールの大きさにより調節される。マイクロキャビティの底辺の長さは100nm〜2400nmであることができ、マイクロキャビティの深さは25nm〜1000nmであることができる。好ましくは、マイクロキャビティの底辺の長さは100nm〜1000nmであり、マイクロキャビティの深さは25nm〜500nmである。
本発明のサファイア基板上に周期構造を形成する方法は、工程(E)の後に、さらに、工程(F):サファイア基板の表面を再度エッチングする工程を含む。
本発明のサファイア基板では、隣接するマイクロキャビティ間に平面があってもよく、その平面は同じ高さである。従って、周期構造を有する上記のサファイア基板は、凹状のサファイア基板と見なし得る。加えて、隣接するマイクロキャビティ間に平面がなくてもよく、故にこの周期構造を有するサファイア基板は、凸状のサファイア基板と見なし得る。従って、本発明のサファイア基板は、凹形態、凸形態、両凹形態、凹凸形態、または両凸形態であってもよい。
本発明のサファイア基板は、サファイア基板の表面およびマイクロキャビティの表面上に形成される、エピタキシャル薄膜をさらに含んでもよい。好ましくは、エピタキシャル薄膜は、エピタキシャルGaN薄膜である。サファイア基板の表面上の周期構造は、GaNの格子定数と一致し、故に、良好な品質のエピタキシャルGaN薄膜を形成することが可能である。従って、本発明のサファイア基板をLEDに適用する場合、LEDの出力は向上し得る。
本発明のサファイア基板上に周期構造を形成する方法では、ナノサイズのボールをサファイア基板の表面上に配置する工程(A)は、以下の工程:(A1)サファイア基板、および容器中にコロイド溶液を提供する工程であって、コロイド溶液はナノサイズのボールおよび界面活性剤を含む;(A2)サファイア基板を容器中に置き、サファイア基板の表面をコロイド溶液が覆う工程;および(A3)揮発性溶液を容器中に加え、サファイア基板上にナノサイズのボールが形成されたものを得る工程を含む。ここで、ナノサイズのボールは、ナノサイズのボール層を形成し、好ましくは、一層のナノサイズのボール層を形成する。
本発明のサファイア基板では、マイクロキャビティの大きさはナノサイズのボールの大きさおよびエッチング条件によって決定される。好ましくは、ナノサイズのボールの直径は100nm〜2.5μmである。より好ましくは、ナノサイズのボールの直径は100nm〜1.2μmである。加えて、好ましくは、ナノサイズのボール(複数)の直径は同一である。さらに、ナノサイズのボールの材料は制限されず、酸化ケイ素、セラミックス、PMMA、酸化チタンまたはPSであってもよい。
本発明のサファイア基板では、クラッド層の材料は金属とガラス物質に分類し得る。さらに、金属またはガラス物質は、サファイア基板の部分表面上またはナノサイズのボールの間の間隙上に、一般的な薄膜堆積装置または一般的な電気化学的堆積装置を使用して、堆積させ得る。好ましくは、クラッド層は、化学蒸着(CVD)または物理蒸着(PVD)によって形成される。加えて、クラッド層に用いられる金属材料は、エッチングテンプレートに一般的に使用されるあらゆる材料であり得る。好ましくは、金属材料は、Cr、Ta、W、V、Ni、Fe、Ag、Au、PtまたはPdである。クラッド層に使用されるガラス物質の主成分は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、またはアルカリ金属、アルカリ土類金属または他の金属イオンをドープした酸化ケイ素であり得る。好ましくは、ガラス物質の主成分は、酸化ケイ素である。さらに、クラッド層の厚さは、所望のマイクロキャビティの大きさによって調節する。好ましくは、クラッド層の厚さは、ナノサイズのボールの直径より小さい。
本発明のサファイア基板上に周期構造を形成する方法では、工程(D)におけるサファイア基板のエッチングに、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を使用し得る。好ましくは、サファイア基板の損傷を防ぐために、ウェットエッチング法を使用する。さらに、硫酸、リン酸、またはそれらの組み合わせを含有する溶液を、サファイア基板をパターニングするエッチングバッファーとして使用し得る。
エッチング時間およびエッチング温度が異なるにつれて、マイクロキャビティによって配置される配列の大きさおよび間隔は異なる。エッチング工程終了後、エッチングテンプレートを除去して、複数のマイクロキャビティによって配置される配列を有するサファイア基板、即ち周期構造を有するサファイア基板が得られる。エッチングテンプレートを除去するために使用される溶液は、クラッド層の材料によって選択される。ガラス物質でできたクラッド層を除去するためには、純水およびフッ化水素酸(HF)よりなる溶液を使用し;窒化ケイ素等でできたクラッド層を除去するためには、純水およびリン酸(H3PO4)よりなる溶液を使用する。クラッド層の材料がAu、Pt、PdまたはCrである場合、クラッド層は、硝酸(H2NO4)および塩酸(HCl)よりなる溶液によって除去し得る。クラッド層の材料がTa、W、VまたはNiである場合、クラッド層はH2NO4およびHFよりなる溶液によって除去し得る。クラッド層の材料がFeである場合、クラッド層はH2NO4およびHClよりなる溶液によって除去し得る。さらに、クラッド層の材料がAgである場合、クラッド層はH2NO4よりなる溶液、またはアンモニアおよびヒドロペルオキシドよりなる混合物によって除去し得る。
本発明の周期構造を有するサファイア基板は、フォトリソグラフィーによってではなく、ナノサイズのボールおよびウェットエッチング法を使用することによって形成される。従って、サブマイクロサイズのフォトマスクは、本発明のサファイア基板を調製する際には必要ではなく、故に、製造コストおよび生産時間を大いに削減することが可能である。同時に、複数のマイクロキャビティを有する周期構造がウェットエッチング法によって形成され、故に、サファイア基板の損傷を防ぐことが可能である。従って、本発明は、容易かつ安価に形成し得る、周期構造を有するサファイア基板を提供する。さらに、サファイア基板の表面上に形成される周期構造は、エピタキシャルGaN薄膜の格子定数と一致し、故に、本発明の周期構造を有するサファイア基板をLEDに適用した場合、LEDの明るさは向上し、全反射の現象は解消され得る。
加えて、本発明は、さらに、サファイア基板;およびサファイア基板の表面上に配置されたエッチングテンプレートを含む、周期構造を有するエッチングテンプレートを持つサファイア基板を提供する。ここで、エッチングテンプレートは、エッチングテンプレートの表面上に形成され複数のマイクロキャビティを持つ周期構造を有し、マイクロキャビティは配列状に配置される。
本発明の周期構造を有するエッチングプレートを持つサファイア基板では、マイクロキャビティの形状は部分的球面であってもよい。好ましくは、マイクロキャビティは半球の形状である。加えて、マイクロキャビティの直径は100nm〜2400nmであってもよい。好ましくは、マイクロキャビティの直径は100nm〜1000nmである。さらに、エッチングテンプレートの材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、アルカリ金属をドープした酸化ケイ素、アルカリ土類金属をドープした酸化ケイ素、Cr、Ta、W、V、Ni、Fe、Ag、Au、PtまたはPdであってもよい。
従って、本発明の周期構造を有するエッチングテンプレートを持つサファイア基板を用い、エッチング法の時間、温度およびエッチングバッファーを調節することにより、種々の形状のマイクロキャビティを形成することが可能である。従って、本発明のエッチングテンプレートを持つサファイア基板より調製される、パターニングしたサファイア基板は、種々の目的のためのLEDに適用し得る。
本発明の他の目的、利点、および新規な特徴は、添付の図面と共に解釈する場合、以下の詳細な説明から、より明らかになるであろう。
図4A〜4Fは、本発明の好ましい態様において、サファイア基板の表面上に、ナノサイズのボールを配置する方法を説明する、断面図である。先ず、図4Aに示す通り、サファイア基板21が提供され、容器26中にコロイド溶液25が提供されるが、コロイド溶液25は、複数のナノサイズのボール(図中に示さず)および界面活性剤(図中に示さず)を含む。次に、図4Bに示す通り、サファイア基板21を容器26に入れ、サファイア基板21をコロイド溶液25中に完全に浸す。数分後、図4Cに示す通り、ナノサイズのボール22を基板21の表面上に規則的に配置して、「ナノサイズのボール層」を形成する。次に、図4Dに示す通り、揮発性溶液27を容器26中に加えて、コロイド溶液25を完全に蒸発させる。最後に、図4Eに示す通り、コロイド溶液25を完全に蒸発させ、その後、図4Fに示す通り、サファイア基板21を容器26から取り出し、サファイア基板21上に規則的に配置した複数のナノサイズのボール22を有するものを得る。
この態様において、ナノサイズのボール22の材料はポリスチレン(PS)である。しかし、ナノサイズのボール22の材料は、種々の適用の求めるものにより、セラミックス、TiOx等の金属酸化物、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)またはSiOx等のガラス物質であり得る。加えて、ナノサイズのボール22の直径は、100nm〜2.5μmであり、ナノサイズのボール22の大部分は同一の直径を有する。しかし、種々の適用の求めるものにおいて、ナノサイズのボール22の大きさは、上記の範囲に制限されない。
図5A〜5Fは、それぞれ、本発明の好ましい態様において、周期構造を有するサファイア基板の製造方法を説明する、断面図である。先ず、図5Aに示す通り、サファイア基板21および複数のナノサイズのボール22が提供される。上記の方法に従って、ナノサイズのボール22をサファイア基板21の表面上に順序良く配置して、ナノサイズのボール層を形成する。ナノサイズのボール22は、複数の層の形で、サファイア基板21の表面上に配置し得る。本態様において、ナノサイズのボール22はサファイア基板21の表面上に、単層の形で配置される。サファイア基板21のSEM画像は、ナノサイズのボールがサファイア基板21の表面上に単層の形で配置することを示す。
次に、図5Bに示す通り、クラッド層はCVDによってサファイア基板21の部分表面上およびナノサイズのボール22の間の間隙上に蒸着される。ここで、クラッド層23の厚さは、ナノサイズのボール22の直径未満である。さらに、クラッド層23の材料は、酸化ケイ素である。しかし、クラッド層23はCVDによってのみ形成され得るのではなく、PVDによっても形成され得る。さらに、クラッド層23の材料は、あらゆる種類のガラスまたは金属材料であり得るが、これはエッチングテンプレートにおいて通常使用される。例えば、クラッド層の材料は、Cr、Ta、W、V、Ni、Fe、Ag、Au、Pt、Pd、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、またはアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドープした酸化ケイ素であり得る。
次に、図5Cに示す通り、ナノサイズのボール22をTHF溶液を使用して除去し、残るクラッド層23はエッチングテンプレート24となる。従って、周期構造を有するエッチングテンプレートを持つサファイア基板が得られるが、これは、サファイア基板21;およびサファイア基板21の表面上に配置されるエッチングテンプレート24を含む。エッチングテンプレート24は、エッチングテンプレート24の表面上に形成された周期構造、および複数のマイクロキャビティ242を有し、マイクロキャビティ242は配列状に配置される。
種々の材料を用いたナノサイズのボールは、種々の好適な溶液によって基板から除去されることに注目すべきである。例えば、PMMAで作られたナノサイズのボールは、トルエンまたはギ酸によって除去し得、SiOxで作られたナノサイズのボールはHFまたはHF含有溶液を用いて除去し得る。
次に、図5Dに示す通り、クラッド層をエッチングテンプレート24として用いて、ウェットエッチング法によりサファイア基板21をパターニングする。本態様において、エッチングバッファーは硫酸およびリン酸を含む。しかし、ウェットエッチングに用いるエッチングバッファーは、クラッド層の材料によって選択される。加えて、エッチングバッファーの成分および濃度、およびエッチング法の温度および時間が変化するのに伴い、サファイア基板上に形成されるパターンは異なる。さらに、エッチング法の温度が上昇すると、エッチング時間は減少する。
エッチングテンプレート24を除去した後、図5Fに示す通り、複数のマイクロキャビティ202、即ち周期構造が、サファイア基板21の表面上に形成される。マイクロキャビティ202は配列状に配置され、マイクロキャビティ202は反転した錐 様の形状である。ここで、反転した錐とは、錐の底面(base)がサファイア基板21の表面上に位置し、錐の頂点がサファイア基板21の表面から窪んでいることを意味する。さらに、隣接する2つのマイクロキャビティ202の間に平面201があり、平面201は同じ高さである。従って、本態様で製造されるサファイア基板は、凹状のサファイア基板上に周期構造が形成されたものである。
パターニングされたサファイア基板のSEM画像により、本態様において、それぞれ反転した錐様の形状を有するマイクロキャビティがサファイア基板上に形成されることが示される。底辺(side of the base)から底面(base)上の頂点である突起点までの長さは、約310nmであり、底辺(side of the base)の長さは約410nmである。従って、本態様の凹状のサファイア基板上に形成される周期構造は、ナノサイズの周期構造である。
本態様の凹状のサファイア基板上に形成される周期構造を理解するために、図6を参照されたい。これは、本発明の好ましい態様の凹状の周期構造を有するサファイア基板の斜視図である。上記の方法に従って製造される周期構造を有するサファイア基板は、複数のマイクロキャビティ202を含むが、これはサファイア基板21の表面上に配列状に配置され、それぞれ反転した錐様の形状に形成される。
加えて、サファイア基板の表面の粗度を増すために、図5Fに示す通り、凹状のサファイア基板を得た後に、基板10の表面の再度のエッチングを実施する。凹状のサファイア基板を再度エッチングした後、マイクロキャビティの大きさは拡張し、隣接するマイクロキャビティの間の平面は再度のエッチングによって縮小する。従って、周期構造を有する凸状のサファイア基板が得られる。さらに、本態様のサファイア基板のSEM画像により、反転した錐様の形状のマイクロキャビティの縁上には平面がないので、サファイア基板の表面上のパターンは凸形状であることが示される。
本態様の凸状のサファイア基板上に形成される周期構造を理解するために、図7を参照されたい。これは、本発明の好ましい態様の凸状の周期構造を有するサファイア基板の斜視図である。サファイア基板の表面を再度エッチングした後、サファイア基板の表面の粗度は増加し得る。本態様において製造される凸状のサファイア基板をLEDに適用する場合、サファイア基板のパターニングされた表面は、エピタキシャルGaN薄膜に、より一致する。従って、LEDの発光効率も向上し得る。
図8は、本発明の別の好ましい態様の、周期構造を有するサファイア基板の斜視図である。本態様のサファイア基板は上記の方法で製造される。さらに、マイクロキャビティの形状は、エッチング法の条件、即ち時間および温度によって調節し得る。
図9は、本発明のさらに別の好ましい態様の、周期構造を有するサファイア基板の透視図であり、これは上記の方法に従って形成される。サファイア基板の両表面上にそれぞれ形成される、2つの周期構造がある。本態様において、周期構造の一つは、凹状の構造であり、隣接するマイクロキャビティ202の間に平面201がある。他方の周期構造は凸状の構造であり、隣接するマイクロキャビティ202の間に平面はない。しかし、両周期構造は、サファイア基板の用途によって、凸状構造または凹状構造であり得る。
図10は、本発明のさらに別の好ましい態様の、周期構造を有するサファイア基板の透視図である。本態様のLEDは、外部の電子回路(図には示さず)と協力して、電気を光に変換する。本態様のLEDは、基板30、基板30の表面上に配置されたバッファー層331、バッファー層331の表面上に配置された第一の半導体層33、第一の半導体層331の表面上に配置された活性層34、活性層34の表面上に配置された第二の半導体層35、第一の半導体層33に電気的に接続した第一の電気的接触部36、および第二の半導体層35に電気的に接続した第二の電気的接触部37を含む。
ここで、基板は、上記の方法に従って製造される周期構造を有するサファイア基板であり、バッファー層331はエピタキシャルGaN薄膜であり、第一の半導体層33の材料はN型GaNであり、第二の半導体層35の材料はP型GaNである。加えて、マイクロキャビティ32を有する周期構造は、サファイア基板30の表面上に形成されるので、サファイア(基板30)とGaN(バッファー層331)との格子定数の差は低下し得る。周期構造を持たないサファイア基板を用いたLEDと比較して、周期構造を有するサファイア基板を含む本態様のLEDの明るさは、約20〜40%向上し得る。
本発明の周期構造を有するサファイア基板は、エッチングテンプレートとしてナノサイズのボールを使用することにより、迅速で安価な方法で製造し得る。本発明のサファイア基板を青色LEDに適用する場合、その上に形成された周期構造によって、全反射の現象を解消することが可能である。同時に、本発明の周期構造を有するサファイア基板は、ウェットエッチング法によって製造されるので、周期構造の表面は自然の格子面である。故に、GaNがサファイア基板の周期構造の表面上に蒸着されてエピタキシャル薄膜を形成する場合、周期構造はGaNの格子定数と一致する。従って、本発明のサファイア基板をLEDに適用する場合、明るさおよび発光効率が向上し得る。結論として、本発明の周期構造を有するサファイア基板は、迅速かつ低コストな方法で製造し得るのみならず、全反射の現象を解消し、LEDの明るさを増すこともあり得る。
本発明をその好ましい態様に関して説明したが、以下に特許請求された通りの発明の範囲から逸脱することなく、多くの他の可能な改良および改変がなされ得ることを理解すべきである。
Claims (22)
- サファイア基板;および
サファイア基板の少なくとも一つの表面上に形成され、複数のマイクロキャビティを有する、少なくとも1つの周期構造
を含む、周期構造を有するサファイア基板であって、
マイクロキャビティは、配列状に配置され、マイクロキャビティは、それぞれ、反転した錐 (awl)様の形状であり、マイクロキャビティの底辺(base line)の長さは100〜2400nmであり、かつマイクロキャビティの深さは25〜1000nmである、サファイア基板。 - 請求項1に記載のサファイア基板であって、周期構造が、以下の工程によって形成される、サファイア基板。
(A)サファイア基板および複数のナノサイズのボールを提供する工程であって、ナノサイズのボールをサファイア基板の表面上に配置し;
(B)サファイア基板の部分表面上およびナノサイズのボールの間の間隙上に、クラッド層を堆積する工程;
(C)ナノサイズのボールを除去する工程;
(D)エッチングテンプレートとしてクラッド層を用いることにより、サファイア基板をエッチングする工程;および
(E)エッチングテンプレートを除去して、サファイア基板の表面上に周期構造を形成する工程 - 請求項2に記載のサファイア基板であって、工程(E)の後に、さらに工程(F):サファイア基板の表面を再度エッチングする工程を含む、サファイア基板。
- 請求項1に記載のサファイア基板であって、隣接するマイクロキャビティ間に平面がある、サファイア基板。
- 請求項1に記載のサファイア基板であって、隣接するマイクロキャビティ間に平面がない、サファイア基板。
- 請求項1に記載のサファイア基板であって、サファイア基板の2つの表面上にそれぞれ形成された2つの周期構造を含み、1つの周期構造における隣接するマイクロキャビティ間に平面があり、もう一つの周期構造における隣接するマイクロキャビティ間に平面がない、サファイア基板。
- 請求項1に記載のサファイア基板であって、周期構造がナノサイズの周期構造である、サファイア基板。
- 請求項1に記載のサファイア基板であって、サファイア基板の表面およびマイクロキャビティの表面上に形成される、エピタキシャル薄膜をさらに含む、サファイア基板。
- 請求項8に記載のサファイア基板であって、エピタキシャル薄膜が、エピタキシャルGaN薄膜である、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、ナノサイズのボールをサファイア基板の表面上に配置する工程(A)が、以下の工程:
(A1)サファイア基板、および容器中にコロイド溶液を提供する工程であって、コロイド溶液はナノサイズのボールおよび界面活性剤を含む;
(A2)サファイア基板を容器中に置き、サファイア基板の表面をコロイド溶液が覆う工程;および
(A3)揮発性溶液を容器中に加え、サファイア基板上にナノサイズのボールが形成されたものを得る工程
を含む、サファイア基板。 - 請求項2に記載のサファイア基板であって、クラッド層を、CVDまたはPVDによって、サファイア基板の部分表面上またはナノサイズのボールの間の間隙上に形成する、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、サファイア基板を工程(D)におけるエッチング溶液でエッチングする、サファイア基板。
- 請求項12に記載のサファイア基板であって、エッチング溶液がH2SO4およびH2PO4の組み合わせである、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、クラッド層の材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、アルカリ金属をドープした酸化ケイ素、アルカリ土類金属をドープした酸化ケイ素、Cr、Ta、W、V、Ni、Fe、Ag、Au、PtまたはPdである、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、ナノサイズのボールの材料が、酸化ケイ素、セラミックス、PMMA、酸化チタンまたはPSである、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、クラッド層の厚さが、ナノサイズのボールの直径未満である、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、ナノサイズのボールの直径が、100nm〜2.5μmである、サファイア基板。
- 請求項2に記載のサファイア基板であって、ナノサイズのボール(複数)の直径が同一である、サファイア基板。
- サファイア基板;および
サファイア基板の表面上に配置されたエッチングテンプレート
を含む、周期構造を持つエッチングテンプレートを有するサファイア基板であって、
エッチングテンプレートがエッチングテンプレートの表面上に形成され複数のマイクロキャビティを持つ周期構造を有し、マイクロキャビティが配列状に配置された、サファイア基板。 - 請求項19に記載のサファイア基板であって、マイクロキャビティが半球の形状である、サファイア基板。
- 請求項19に記載のサファイア基板であって、マイクロキャビティの直径が100nm〜2400nmである、サファイア基板。
- 請求項19に記載のサファイア基板であって、エッチングテンプレートの材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、アルカリ金属をドープした酸化ケイ素、アルカリ土類金属をドープした酸化ケイ素、Cr、Ta、W、V、Ni、Fe、Ag、Au、PtまたはPdである、サファイア基板。
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