TWI386962B

TWI386962B - 具導線之混合晶片熔斷器總成

Info

Publication number: TWI386962B
Application number: TW95111139A
Authority: TW
Inventors: Vernon Raymond Spaunhorst
Original assignee: Cooper Technologies Co
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2013-02-21

Description

具導線之混合晶片熔斷器總成

本發明一般而言係關於熔斷器，且更特定言之係關於用於保護電子裝置免受損壞性電流損壞之晶片熔斷器。

熔斷器廣泛用作過電流保護裝置以防止對電路的慘重損壞。通常，熔斷器端子或接點在電源與配置於一電路中之一電力組件或一組件組合之間形成一電連接。一或多個可熔鏈接或元件，或一熔斷器元件總成連接於熔斷器端子或接點之間，使得當通過熔斷器的電流超過一預定臨限值時，可熔元件熔化、分解、切斷，或另外打開與熔斷器相關聯之電路以防止電力組件損壞。

近期之電子裝置之增廣已導致對熔斷技術之增大的需求。舉例而言，一用於電子應用之習知熔斷器包括一線狀熔斷器元件(或者一壓印及/或成形的金屬熔斷器元件)，其裝於一玻璃圓筒或管中且在管內懸浮於空氣中。熔斷器元件在附著於管上的導電端帽之間延伸以連接至一電路。然而，當使用電子應用中之印刷電路板時，熔斷器通常必須相當小，且傾向於需要導線，導線可焊接至一具有穿孔(through－hole)以接收導線之電路板。此類型之小型電子熔斷器係已知的且可有效保護電路。

至少部分為了避免小型電子熔斷器在製造及安裝上的困難，晶片熔斷器已得以開發，其可表面安裝至電路板，藉此消除熔斷器管及導線總成，同時為某些電路提供較佳熔斷特徵(例如，較快作用熔斷器)。此等晶片熔斷器可包括(例如)一基板層、一熔斷器元件層、覆蓋該熔斷器元件層之一或多個絕緣或保護層及在該基板及該熔斷器元件層上形成的用於表面安裝至一電路板的末端端接器。儘管已知晶片熔斷器提供易於焊接至電路板之低成本熔斷器產物，但當一熔斷器打開以中斷一電路時，其難以替代，且由於電路一般由於打開之熔斷器而不可操作，因此電路板且有時候與電路板相關聯之整個電子裝置通常丟棄。然而，此在包括昂貴板及設備之某些裝備中係有問題的，對於其而言廢棄並非一實際選擇。

舉例而言，用於電腦及處理器應用之已知記憶體晶片通常在使用前必須進行測試，且測試之一稱為老化測試。老化測試評估記憶體晶片在投入使用前的連續操作，且記憶體晶片通常經受一高於預期操作電子條件之高溫。記憶體晶片之穩定性問題、缺陷及早期故障可在老化測試中揭示。

在一已知老化測試系統中，大量記憶體晶片以接收記憶體晶片之晶片插口連接至一較大電路板，且使用晶片熔斷器以在記憶體晶片出現故障的情況下保護系統的電子設備。當一或多個晶片熔斷器打開時，相關聯的晶片插口變得不可操作，且因為晶片熔斷器表面安裝至該板，因此移除或替代操作之熔斷器係不實際的。為允許晶片插口仍可用，已提議在至少一已知測試系統之板上提供穿孔及/或安裝熔斷器插口或晶片以使得小型電子熔斷器可安裝至該板，熔斷器之導線在穿孔中接收並以(例如)熔斷器插口或熔斷器晶片進行固定以建立一與操作之熔斷器平行的電連接。儘管小型電子熔斷器可為一恢復受一操作之晶片熔斷器影響的晶片插口之使用的可行解決方案，但具有導線之已知小型電子熔斷器由於其傾向於與晶片熔斷器具有不同操作特徵而處於不利地位，且因此該兩種類型之熔斷器功能不同且對電子系統提供不相同的保護。

根據一例示性實施例，一晶片熔斷器包含：一基板；至少一熔斷器元件，其在該基板上延伸；及第一及第二導線，其耦接至該熔斷器元件層。

視情況，該基板大體為矩形，且第一及第二導線中之每一者為耦接至圓柱形帽蓋之導線，該等帽蓋中之每一者環繞基板之一端。帽蓋與基板之外表面隔開，藉此在該帽蓋與該基板之間形成一空隙，且該空隙在該帽蓋內填充有導電介質以圍繞基板。導電介質可為(例如)焊料、導電黏著劑、銅焊合金，或在熔斷器元件、端帽與導線之間形成一機械及電連接之另一材料。

根據另一例示性實施例，一晶片熔斷器包含：一基板層，其具有一第一端、一第二端及在該第一端與第二端之間延伸之相對表面；第一及第二導線總成，其耦合至熔斷器元件層；及一熔斷器元件，其在該基板層上延伸且機械及電連接至該第一及第二導線總成。

在另一態樣中，提供一種製造一具有一在一基板層上延伸之熔斷器元件層之晶片熔斷器的方法。該方法包含在基板層之每一相對表面上形成接觸焊墊，至少某些焊墊與熔斷器元件電接觸，並使用接觸焊墊將導線附著至基板之個別端。

圖1係電路板系統100之側面正視示意圖，其包括一電路板102、一以表面安裝晶片熔斷器104形式存在之第一超小型電路保護器，及一以根據本發明之有導線晶片熔斷器106形式存在之第二超小型電路保護器。

電路板102由已知材料製造且包括導電焊墊、跡線等(未在圖1展示)，其使電力組件108及相關聯電路互連。在一實施例中，電路板102經組態以測試組件108(諸如記憶體晶片或其他組件)，包括(但不限於)對組件之老化測試。在此一實施例中，電路板102可包括大量表面安裝晶片熔斷器104，每一者保護與在板102上之組件108相關聯之組件插口(未在圖1展示)。因此，在板102上之大量組件可同時加以測試。

在一實施例中，表面安裝晶片熔斷器104係一已知電路保護器，其包括一或多個基板層、在該基板層上延伸之一或多個可熔元件，及覆蓋熔斷器元件之保護層，該等保護層藉由一已知方法(如在此項技術中已知之疊層處理)耦接在一起，以產生一單體結構。末端端接器105以已知方式形成於該結構之末端上，且末端端接器使用已知技術表面安裝至板102。表面安裝晶片熔斷器104可購自(例如)Cooper/Bussmann of St.Louis,Missouri，且晶片熔斷器104為與板102相關聯之電路提供過電流保護。

使用時，當一或多個表面安裝晶片熔斷器104操作以中斷通過熔斷器104之電流路徑且打開通過其中之熔斷器元件之電路時，與熔斷器104相關聯之組件插口不再操作以測試組件108，且板102測試組件108之能力降低。換言之，由於打開之熔斷器104，可在板102上測試之組件108的數目減少。由於更多熔斷器104隨時間進行操作，該板降低之能力對於組件108之有效測試可為一真實的阻礙。

由於替代整個板102以恢復系統100之完整測試能力係不實際的選擇，且因為在板102上之表面安裝熔斷器104不可快速移除及替代，所以板102包括將熔斷器106連接至與操作之熔斷器104平行之板的特徵以恢復系統100之完整測試能力。更具體言之，板102包括連接至組件108之每一插口的電路跡線，且該等電路跡線與熔斷器104末端端接器105終止之電路跡線平行連接。電路跡線界定一至板102中之穿孔110的導電路徑，穿孔110接收晶片熔斷器106之軸向導線112。晶片熔斷器106可經由導線112及穿孔110連接至板102以在熔斷器104已操作後恢復組件108之組件插口之操作，而不自該板移除操作之熔斷器104。即，有導線晶片熔斷器106可快速連接至板102以使得組件108可繼續使用板102之完整能力進行測試，而仍為整個板102提供熔斷器保護。熔斷器插口或晶片114可安裝至板102之下表面以將導線112快速連接至該板。

與具有軸向導線之小型電子熔斷器不同，有導線晶片熔斷器106可提供與表面安裝晶片熔斷器104相當的(若不完全相同)熔斷器效能。此外，且與已知晶片熔斷器不同，熔斷器106可以具有導線之112穿孔端接器而並非表面安裝技術安裝至該板。有導線晶片熔斷器106可以相對低成本進行提供，且可製造以承受用於安裝至板102之必要處理。具體言之，因為晶片熔斷器結構一般與已知導線總成不相容，所以將導線112緊固至有導線晶片熔斷器106中之晶片熔斷器結構已證明歸因於導線112傾向於在熔斷器106處理及安裝期間與晶片熔斷器結構分離而係具挑戰性的，特定言之係歸因於由於導線112為將熔斷器106安裝至板102而彎曲的施加力及應力。如下文所述，熔斷器106之例示性實施例提供一安全總成，其可可靠地連接至板102之穿孔110以恢復板102之整個測試能力，即使表面安裝晶片熔斷器104在組件測試期間進行操作。因此，熔斷器106以晶片熔斷器技術之效能為軸向導線端接器提供便利，且因此有時在本文稱為一混和晶片熔斷器，其具有習知晶片熔斷器及習知小型電子熔斷器之態樣以滿足習知晶片熔斷器及習知小型電子熔斷器不能獨自定址的要求。

儘管本發明已在用於電子組件如記憶體晶片之老化測試之內容中進行描述，但應瞭解本發明之優勢一般產生具有熔斷器之電子系統及總成，且其中需要替代晶片熔斷器以恢復及重新通電與一操作熔斷器相關聯的電路，同時為一打開或操作之表面安裝晶片熔斷器提供相當的熔斷器行為及效能。因此，老化測試應用僅為根據本發明之有導線晶片熔斷器106之例示性應用，且相同之描述僅為說明性目的而提供。本發明不希望限於任何特定最終用途或應用。

圖2係有導線晶片熔斷器106之放大剖視示意圖，其包括一晶片總成120及附著至其任一端之帽蓋及導線總成122。晶片總成120在一例示性實施例中一般為矩形，且包括接觸焊墊124，接觸焊墊124在晶片總成120之一熔斷器元件(在下文描述)與帽蓋及導線總成122之間建立電連接。

帽蓋及導線總成122在一例示性實施例中包括圓柱形端帽126，且端帽126環繞晶片總成120之末端。導線112以一已知方式耦接至端帽126且機械及電連接至晶片總成120以界定一通過導線112到達晶片總成120之熔斷器元件的導電路徑。端帽126填充有焊料128以提供至晶片總成120之安全機械及電嚙合，如下文進一步解釋。導線112自端帽126延伸且可在裝配熔斷器106以將導線安裝於電路板102之穿孔110(圖1)中之後成形或彎曲。導線112可經由插口或晶片114(圖1)快速緊固至板102，該等插口或晶片114經組態以接收且嚙合導線112。或者，導線112可如需要而焊接至板102以將熔斷器106固定地連接至板102。

圓柱形帽蓋及導線總成122係根據精度形成技術(precision formation technique)由(例如)深衝壓或模鑄金屬製造，且適用於本發明之目的之帽蓋及導線總成可購自(例如)Stewart EFI of Thomaston,Connecticut。然而，應理解，另外成形之端帽126(例如，正方形或矩形端帽)可用於本發明之替代實施例。將帽蓋及導線總成122以一可承受熔斷器106之處理及導線112之彎曲之方式安裝至晶片總成120以與板102一起使用在下文得以描述。

儘管帽蓋及導線總成122在一說明性實施例中提供，但預期其他類型之帽蓋及導線可用於替代實施例中。舉例而言，有彈性地嚙合或夾在晶片總成120末端部分之壓印及形成之接觸導線可替代導線利用於另一實施例中。

圖3係晶片總成120在一第一製造階段之俯視平面圖。晶片總成120包括一基板140及一在基板140上延伸之熔斷器元件142。在一例示性實施例中，基板140係一已知絕緣材料，其具有根據已知晶片熔斷器之一般矩形形狀及較低輪廓。基板可由(僅舉例而言)陶瓷材料製造或係一具有選定尺寸之高溫有機介電基板(例如，FR－4，基於酚系或其他聚合物之材料，基於聚合物之材料)以形成一用於熔斷器元件142之基板結構。

熔斷器元件142由導電材料製造且在該基板上延伸以形成一低電阻熔斷器構造。在不同實施例中，熔斷器元件層142係一製造的金屬化層，其包括一薄膜或厚膜金屬化層，且在一實施例中包括一薄膜金屬化層，諸如一界定一熔斷器元件之銅箔層，且金屬化熔斷器層可根據已知技術應用至該基板，諸如氣相沉積、網板印刷或電鍍方法。熔斷器元件幾何結構可藉由化學蝕刻或雷射修整形成熔斷器元件之金屬化層而改變。或者，熔斷器元件可包括印刷厚膜導電材料如導電油墨，其形成一成形熔斷器元件及導電焊墊以連接至一電路。在一實施例中，熔斷器元件142係由金製造的，儘管應瞭解，其他導電性金屬、合金及組合物可用於製造熔斷器元件142。可提供一個以上熔斷器元件以用於較高電流應用，且熔斷器元件可提供於基板之相同或不同表面。即，一或多個熔斷器元件142可提供於基板之每一外表面上(例如，四個熔斷器元件在基板末端部分之間之四個不同表面上)。

晶片總成120具有一層狀構造，其包括在基板140之末端144、146之間於基板140上電延伸之熔斷器元件142。在一實施例中，熔斷器元件142作為導電性材料之薄條或帶而形成於基板140上，其自基板末端144延伸至基板末端146。導電性材料之條或帶具有一大體恆定的寬度W₁ ，其小於基板140之寬度W₂ 。偏移直進切口(offset plunge cut)148、150形成入熔斷器元件142且橫向延伸至熔斷器元件142之縱軸152，以界定直進切口148、150之間之薄熔斷器鏈接154。藉由沿縱軸152選擇直進切口148、150之偏移間距，得以確定熔斷器鏈接154之截面積。直進切口148、150可根據已知雷射加工操作而形成，以移除熔斷器元件142之選定部分，以界定熔斷器鏈接154。熔斷器鏈接154由於其相對於熔斷器元件剩餘部分之相對較小橫截面積及熔斷器鏈接154之所產生的較高電阻，有時稱為一脆弱點。

當流過熔斷器元件142之電流到達一預定限制時，熔斷器元件142，且更特定言之為熔斷器鏈接154熔化、蒸發，或另外打開通過熔斷器元件142之電路且防止與晶片總成120相關聯之電路中之電力組件的慘重損壞。因此，過電流保護由熔斷器元件142提供。

在另一實施例中且如熟習此項技術者必然瞭解的，一Metcalf型合金技術可應用於熔斷器鏈接154，以在熔斷器鏈接154的位置形成一M點(未圖示)，以用於修正熔斷器元件層142的操作特徵。

圖4及圖5分別係晶片總成120在第二製造階段之俯視平面圖及端視圖，其中導電焊墊124應用於基板140之末端部分。在一說明性實施例中，導電焊墊124延伸至基板140之個別端144、146，且延伸基板140之橫向側邊緣162、164之間之整個寬度W₂ 。焊墊124越過基板140縱向延伸(即在軸152的方向)，其距離小於基板140之長度L₁ ，其導致接觸焊墊124之間之具有長度L₂ 的開口區域或空間。可熔鏈接154(圖3)在基板140之一面上定位於接觸焊墊124之間之開口區域或空間。

如圖5所示，導電焊墊124在基板140之相對表面或面166、168中之每一者上延伸。表面166及168之一包括在其上之熔斷器元件142(圖3)，且接觸焊墊124形成於表面166、168之一上的熔斷器元件142之末端上，且接觸焊墊124在表面166及168中之另一者上直接形成於基板140上。如此，接觸焊墊124成對地在基板140之表面166、168中之每一者上延伸，且該對124之一界定熔斷器元件142之端接器。換言之，在基板相對表面166、168上之該對導電焊墊124在一表面上提供至熔斷器元件142之電連接，且另一者當帽蓋及導線總成122如下文解釋而附著至晶片總成120時為基板142之另一表面提供機械強度及穩定性。儘管在說明性實施例中在晶片熔斷器總成120上提供四個焊墊124，但可預期在本發明之替代實施例中可利用更多或更少數目的焊墊124。

在一例示性實施例中，焊墊124由可焊接材料進行製造，如在一實施例中為銀，其如下文所述促進至帽蓋及導線總成122之安全機械接合及可靠電連接。焊墊124可由與熔斷器元件142不同之材料製造，其在一實施例中由金製造，儘管在替代實施例中焊墊124及熔斷器元件142可由相同材料製造且可彼此整體形成。多種導電性及可焊接材料在此項技術中係已知的且可用於不同組合中以形成熔斷器元件142及焊墊124。焊墊可以一已知方式應用於基板之表面166、168，諸如使用上述厚膜及薄膜材料與技術中之任一者。

儘管焊墊124在圖式中說明為自基板140之一側緣延伸至另一側緣164(圖4)，且亦延伸至基板140之兩末端144、146(圖3)，但應認可焊墊124無需延伸至側緣162、164及/或末端144、146以達成本發明之優勢。儘管認為將焊墊延伸至側緣162、164及末端144、146對於增加基板之每一表面166、168上之可焊接接觸焊墊124的表面積係有益的，但可預期可利用較小接觸焊墊124，其在替代實施例中並不延伸至邊緣162、164及/或基板末端144、146。

總成120具有厚度T，其係垂直於基板尺寸L₁ 及W₂ (圖4)而量測的，且為晶片總成120提供一一般為矩形的輪廓。維度L₁ 、W₂ 及T在本發明之不同實施例可有所改變。

圖6係晶片總成120在一第三製造階段之側面正視圖，其包括一在基板140之一表面166上之接觸焊墊124之間延伸的保護層180。保護層180在一實施例中為一非導電部件，其由(例如)絕緣玻璃材料製造，儘管在替代實施例中可使用其他絕緣材料。保護層180覆蓋在基板表面166上延伸之熔斷器元件142(圖3)及熔斷器鏈接154(亦在圖3中展示)。保護層180在一實施例中越過晶片總成120之整個寬度W₂ (圖4)而延伸，且在接觸焊墊124之間延伸至少長度L₂ (圖4)。在其他實施例中，保護層180延伸之距離小於W₂ 。保護層180可根據已知技術應用於熔斷器元件142上。

圖7係製造晶片總成120(展示於圖2－6)之製造方法之方法流程圖200。方法200包括製造202熔斷器元件、將熔斷器元件應用204至基板，形成206接觸焊墊，及在熔斷器元件上應用208保護層。

在熔斷器元件沉積或金屬化於基板上之實施例中，製造202熔斷器元件及將熔斷器元件應用204至基板上可近似同時發生。在替代實施例中，熔斷器元件可在一獨立結構內形成或製造且隨後經由(例如)一已知黏著或非黏著疊層處理而耦合至基板。熔斷器元件之製造202亦包括成形熔斷器元件以經由上述直進切口148、150(圖3)包括一可熔鏈接154(圖3)，儘管應認為具有減小橫截面積之熔斷器鏈接可根據已知技術替代性地形成其他形狀及組態。如上所述，可在基板上製造及/或形成一個以上熔斷器元件。

相對於形成206接觸焊墊，在一實施例中，在與熔斷器元件相對之基板上延伸的接觸焊墊先於覆蓋熔斷器元件之接觸焊墊而形成。覆蓋熔斷器元件層之接觸焊墊在直接接觸與熔斷器元件相對之基板之焊墊之後形成以避免在形成與熔斷器元件相對而延伸之焊墊期間對熔斷器元件的損壞。

在一例示性實施例中，晶片總成120以一分批法形成，其中多個熔斷器元件、接觸焊墊及保護層形成且配置於一較大塊的基板材料上，其經分割、切割或另外單一化210成離散晶片總成120。在單一化後，帽蓋及導線總成122以下文描述之方式附著至晶片總成120。

圖8係有導線晶片熔斷器106在一最後製造階段之橫截面圖，其中晶片總成120以其任一端裝入帽蓋及導線總成122。熔斷器元件142在基板140上延伸，且接觸焊墊124在基板140之一側覆蓋熔斷器元件142之部分，且直接應用於基板140之另一側。保護層180覆蓋基板140之一側上之接觸焊墊124之間的熔斷器元件142。

帽蓋及導線總成122裝於基板140之末端144、146(圖3)上，以使得導線112與在基板140之末端144、146上之熔斷器元件142電接觸。視情況，端帽126耦合至導線之圓錐形部分220，且端帽126成圓柱形延伸於晶片總成120每一側之接觸焊墊124之上並與其隔開。端帽之直徑大於晶片總成120之對角尺寸(即，穿過圖5展示之晶片總成120之相對角的尺寸T及W₂ 之線連接)，以使得空間或空隙222在端帽內表面與接觸焊墊124外表面之間建立。空隙222填充有焊料128(圖2)，其圍繞晶片總成120並將導線總成122機械及電連接至晶片總成120之末端。應理解，空隙222在某些實施例中可非常小，且端帽之直徑幾乎等於晶片總成120之對角維度，而仍達成本發明之優勢。舉例而言，晶片總成120之末端可浸入焊錫膏並接收於密切配合之端帽中，在端帽內表面與基板外表面之間有較小間隙，而焊料仍環繞並圍繞晶片總成的外表面。

圖9係晶片熔斷器106在一最後製造階段之側面正視圖，其中晶片總成120以其任一端裝入帽蓋及導線總成122中，其以接觸焊墊124(圖8)焊接至晶片熔斷器之末端，接觸焊墊124覆蓋熔斷器元件142並建立自帽蓋及導線總成122至並通過熔斷器元件142的電連接。保護層180覆蓋並保護端帽126之間之熔斷器元件142，且導線112固定地附著至晶片總成120之末端。

圖10係熔斷器106之橫截面圖，其說明一在圓柱形端帽126內由焊料128圍繞並環繞的晶片總成120之末端。焊料128在晶片總成120兩側與接觸焊墊之整個外表面124接觸，且歸因於接觸焊墊124之可焊性，焊料128黏附至接觸焊墊124並建立至端帽126之良好電連接，以及一穩固結構連接以將導線112(圖9)機械嚙合並維持於晶片總成120。詳言之，且歸因於焊料128環繞並圍繞晶片總成120，帽蓋及導線總成可承受形成導線112(圖1及圖2)時之施加之機械應力及張力，彎曲或另外成形一直角組態以安裝至電路板102(圖1)及/或熔斷器插口或晶片114(圖1)。端帽126在晶片總成120(圖8)末端之顯著懸垂及在端帽126內在晶片總成120之所有四側(圖10)對其圍繞之焊料128能夠抵抗晶片熔斷器106經處理以安裝至電路板102時端帽126自晶片總成120剪切或脫離的任何趨勢。

應認為在替代實施例中其他介質可替代焊料使用以形成至或位於導線112、熔斷器元件142及接觸焊墊124之間的安全電及機械接合。舉例而言，導電黏著材料、銅焊合金及其類似物可替代焊料用於替代實施例中。

因此，提供一有導線晶片熔斷器106，其以習知小型電子熔斷器(即軸向導線112)之安裝特徵提供習知晶片熔斷器之匹配效能。因此，有導線晶片熔斷器106可快速安裝至一電路板以替代一表面安裝熔斷器104(圖1)，而不需要替代該板或費時地且相對昂貴地自該板移除表面安裝熔斷器104及將其他熔斷器104表面安裝至該板102。熔斷器106可使用本文描述之方法學用一相對較低成本以高度可靠形式進行製造。

儘管本發明已根據多種特定實施例加以描述，但熟習此項技術者將認為本發明可以在申請專利範圍之精神及範疇內的修正來實施。

8．．．線

10．．．線

100．．．電路板系統

102．．．電路板

104．．．表面安裝晶片熔斷器

105．．．末端端接器

106．．．有導線晶片熔斷器

108．．．電力組件

110．．．穿孔

112．．．軸向導線

114．．．熔斷器插口或晶片

120．．．晶片總成

122．．．帽蓋及導線總成

124．．．接觸焊墊

126．．．端帽

128．．．焊料

140．．．基板

142．．．熔斷器元件

144．．．基板末端

146．．．基板末端

148．．．偏移直進切口

150．．．偏移直進切口

152．．．縱軸

154．．．熔斷器鏈接

162．．．側緣

164．．．側緣

166．．．基板表面

168．．．基板表面

180．．．保護層

220．．．圓錐形部分

222．．．空間/空隙

圖1係一包括一根據本發明之有導線晶片熔斷器之電路板系統的側面正視示意圖。

圖2係圖1展示之有導線晶片熔斷器之放大剖視示意圖。

圖3係圖2展示之晶片熔斷器在一第一製造階段之俯視平面圖。

圖4係圖3展示之熔斷器在一第二製造階段之俯視平面圖。

圖5係圖4展示之熔斷器之端視圖。

圖6係圖3及圖4展示之熔斷器在一第三製造階段之側面正視圖。

圖7係製造圖1及圖2展示之有導線晶片熔斷器之方法的方法流程圖。

圖8係圖2展示之熔斷器沿線8－8之橫截面圖。

圖9係圖8展示之熔斷器在一最後製造階段之側面正視圖。

圖10係圖9展示之熔斷器沿線10－10截取之橫截面圖。