JP3105483B2 - チップ型ヒューズ及びその製造方法 - Google Patents
チップ型ヒューズ及びその製造方法Info
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- JP3105483B2 JP3105483B2 JP09308013A JP30801397A JP3105483B2 JP 3105483 B2 JP3105483 B2 JP 3105483B2 JP 09308013 A JP09308013 A JP 09308013A JP 30801397 A JP30801397 A JP 30801397A JP 3105483 B2 JP3105483 B2 JP 3105483B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型ヒューズ
及びその製造方法に属する。
及びその製造方法に属する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器には、それのプリント基板に実
装された高価なＩＣ等の回路素子を異常電流から保護
し、プリント基板の発火を防止するためにヒューズが内
蔵されている。ヒューズには、その目的からして優れた
即断性と確実な遮断特性が望まれる。一方、電子機器の
小型化要請に伴い、それに内蔵されるヒューズもチップ
型ヒューズのように小さいものが汎用されている。ヒュ
ーズは、小さくなるほど、その可溶体の熱容量も少なく
なるから、発熱量と放熱量とのバランスを一定に保つこ
とが困難となり、特性にばらつきが生じやすい。
装された高価なＩＣ等の回路素子を異常電流から保護
し、プリント基板の発火を防止するためにヒューズが内
蔵されている。ヒューズには、その目的からして優れた
即断性と確実な遮断特性が望まれる。一方、電子機器の
小型化要請に伴い、それに内蔵されるヒューズもチップ
型ヒューズのように小さいものが汎用されている。ヒュ
ーズは、小さくなるほど、その可溶体の熱容量も少なく
なるから、発熱量と放熱量とのバランスを一定に保つこ
とが困難となり、特性にばらつきが生じやすい。
【０００３】そこで、ヒューズを超小型化しつつ、その
溶断特性を一定に維持するために、耐熱絶縁材料からな
り空間を有する積層基板で本体を構成し、その基板間に
金属薄膜からなる可溶体を挟むことにより、可溶体を本
体内部の空間に張るチップ型ヒューズが提案されている
（特開平７−１０５８２４号）。これはガラス管型ヒュ
ーズのような旧来のヒューズの基本的概念をチップ型ヒ
ューズに適用したものと思われる。
溶断特性を一定に維持するために、耐熱絶縁材料からな
り空間を有する積層基板で本体を構成し、その基板間に
金属薄膜からなる可溶体を挟むことにより、可溶体を本
体内部の空間に張るチップ型ヒューズが提案されている
（特開平７−１０５８２４号）。これはガラス管型ヒュ
ーズのような旧来のヒューズの基本的概念をチップ型ヒ
ューズに適用したものと思われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、’８２４号公
報に記載のチップ型ヒューズの場合、その可溶体が金属
薄膜からなるので、熱容量が少なく、依然として特性に
ばらつきを生じやすい。それ故、この発明の目的は、金
属薄膜からなる可溶体を有するチップ型ヒューズにおい
て、その溶断精度をできるだけ向上させることにある。
報に記載のチップ型ヒューズの場合、その可溶体が金属
薄膜からなるので、熱容量が少なく、依然として特性に
ばらつきを生じやすい。それ故、この発明の目的は、金
属薄膜からなる可溶体を有するチップ型ヒューズにおい
て、その溶断精度をできるだけ向上させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】その目的を達成するため
に、本発明のチップ型ヒューズは、両端に電極が設けら
れた絶縁基板と、この絶縁基板と相まって外部から遮断
された空間を形成する保護層と、中間部が前記空間に浮
くように両端が絶縁基板と保護層との間に固定された金
属薄膜からなる可溶体とを備えたチップ型ヒューズにお
いて、前記絶縁基板の電極側の面は平坦であって、前記
可溶体がその平坦面から離れる方向に湾曲していること
を特徴とする。
に、本発明のチップ型ヒューズは、両端に電極が設けら
れた絶縁基板と、この絶縁基板と相まって外部から遮断
された空間を形成する保護層と、中間部が前記空間に浮
くように両端が絶縁基板と保護層との間に固定された金
属薄膜からなる可溶体とを備えたチップ型ヒューズにお
いて、前記絶縁基板の電極側の面は平坦であって、前記
可溶体がその平坦面から離れる方向に湾曲していること
を特徴とする。
【０００６】空中に浮いた可溶体は、異常電流によって
溶断する前に一旦熱膨張し、湾曲する。’８２４号公報
に記載のヒューズの場合、その可溶体が空間内で直線状
に張られているため、異常時の湾曲方向は不定である。
従って、基板の上下方向に湾曲するか面方向に湾曲する
かで放熱速度が異なり、それがばらつきの原因となって
いると考えられる。これに対して、本発明のヒューズの
場合、可溶体が常時一定方向に湾曲しているため、異常
電流時にも同方向に湾曲する。従って、溶断特性が一定
に保たれ、精度が向上する。
溶断する前に一旦熱膨張し、湾曲する。’８２４号公報
に記載のヒューズの場合、その可溶体が空間内で直線状
に張られているため、異常時の湾曲方向は不定である。
従って、基板の上下方向に湾曲するか面方向に湾曲する
かで放熱速度が異なり、それがばらつきの原因となって
いると考えられる。これに対して、本発明のヒューズの
場合、可溶体が常時一定方向に湾曲しているため、異常
電流時にも同方向に湾曲する。従って、溶断特性が一定
に保たれ、精度が向上する。
【０００７】前記可溶体は、一様に単一の成分からなる
ものに限らない。異常時の湾曲方向を更に確実に一定に
保つため、可溶体が熱膨張係数の大きい第一層と熱膨張
係数の小さい第二層との複数層からなり、第一層が第二
層よりも絶縁基板の平坦面に近い側に設けられるように
すると好ましい。こうすることで、異常時には常に第一
層が第二層を押し上げる方向に湾曲部分が膨らむ。第一
層として銅Ｃｕを主成分とし、第二層としてニッケルＮ
ｉを主成分とする組み合わせが挙げられる。
ものに限らない。異常時の湾曲方向を更に確実に一定に
保つため、可溶体が熱膨張係数の大きい第一層と熱膨張
係数の小さい第二層との複数層からなり、第一層が第二
層よりも絶縁基板の平坦面に近い側に設けられるように
すると好ましい。こうすることで、異常時には常に第一
層が第二層を押し上げる方向に湾曲部分が膨らむ。第一
層として銅Ｃｕを主成分とし、第二層としてニッケルＮ
ｉを主成分とする組み合わせが挙げられる。
【０００８】又、前記可溶体の中間部は、幅が一様とは
限らず、幅の広い部分と狭い部分を有するものとするこ
ともできる。こうすることで、幅の広い部分が電源投入
時のラッシュ電流により発した熱を放散し、溶断動作を
遅延させることができるからである。
限らず、幅の広い部分と狭い部分を有するものとするこ
ともできる。こうすることで、幅の広い部分が電源投入
時のラッシュ電流により発した熱を放散し、溶断動作を
遅延させることができるからである。
【０００９】本発明のチップ型ヒューズを製造する適切
な方法は、両端に電極が設けられた平坦な面を有する絶
縁基板を用意し、それら電極間に所定の高さを有する土
台を形成し、その土台を跨いで両電極を接続する金属薄
膜からなる可溶体を形成した後、その土台を除去するこ
とを特徴とする。ここで、土台とは、フォトレジスト、
テープなどのように、可溶体形成中に所定の高さを維持
し、可溶体形成後に除去されうるものであればよい。本
発明方法によれば、絶縁基板を加工する必要はなく、可
溶体の中間部を容易に空中に浮かせることができる。
な方法は、両端に電極が設けられた平坦な面を有する絶
縁基板を用意し、それら電極間に所定の高さを有する土
台を形成し、その土台を跨いで両電極を接続する金属薄
膜からなる可溶体を形成した後、その土台を除去するこ
とを特徴とする。ここで、土台とは、フォトレジスト、
テープなどのように、可溶体形成中に所定の高さを維持
し、可溶体形成後に除去されうるものであればよい。本
発明方法によれば、絶縁基板を加工する必要はなく、可
溶体の中間部を容易に空中に浮かせることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図面と共に説
明する。図１（Ａ）は実施形態のチップ型ヒューズを示
す断面図、図２〜図１１は実施形態のチップ型ヒューズ
の製造方法を工程順に示す平面図である。
明する。図１（Ａ）は実施形態のチップ型ヒューズを示
す断面図、図２〜図１１は実施形態のチップ型ヒューズ
の製造方法を工程順に示す平面図である。
【００１１】チップ型ヒューズ１は、平坦な主面を有す
る絶縁基板２と、絶縁基板２の主面に形成された可溶体
３と、絶縁基板２上で可溶体３の両端部を除く部分を覆
う保護層４と、可溶体３の露出した両端部に接続し絶縁
基板２の側面を経由して背面にまで延びる端子５とを備
える。
る絶縁基板２と、絶縁基板２の主面に形成された可溶体
３と、絶縁基板２上で可溶体３の両端部を除く部分を覆
う保護層４と、可溶体３の露出した両端部に接続し絶縁
基板２の側面を経由して背面にまで延びる端子５とを備
える。
【００１２】絶縁基板２はアルミナを主成分とし、その
主面の平坦度はアルミナの含有量によって定まる。例え
ばアルミナ含有量９６重量％のときは表面粗さが１０〜
５μｍであり、同９９．５重量％のときは１〜２μｍで
ある。絶縁基板２の両端には銅Ｃｕの電極６が設けられ
ている。絶縁基板２は、厚さが０．３８ｍｍで、面積が
１．２５ｍｍ×２ｍｍである。
主面の平坦度はアルミナの含有量によって定まる。例え
ばアルミナ含有量９６重量％のときは表面粗さが１０〜
５μｍであり、同９９．５重量％のときは１〜２μｍで
ある。絶縁基板２の両端には銅Ｃｕの電極６が設けられ
ている。絶縁基板２は、厚さが０．３８ｍｍで、面積が
１．２５ｍｍ×２ｍｍである。
【００１３】可溶体３は図１（Ｂ）に拡大して示すよう
に銅Ｃｕで形成された第一層３１とニッケルリンＮｉＰ
で形成された第二層３２とからなり、両端がそれぞれ電
極６に接続すると共に、中間部は絶縁基板２の主面から
離れる方向に湾曲している。この中間部の高さは、１５
〜２０μｍである。この中間部と絶縁基板２の主面との
距離を確保するために、前記絶縁基板２の表面粗さは、
この中間部の高さよりも十分小さくなければならない。
に銅Ｃｕで形成された第一層３１とニッケルリンＮｉＰ
で形成された第二層３２とからなり、両端がそれぞれ電
極６に接続すると共に、中間部は絶縁基板２の主面から
離れる方向に湾曲している。この中間部の高さは、１５
〜２０μｍである。この中間部と絶縁基板２の主面との
距離を確保するために、前記絶縁基板２の表面粗さは、
この中間部の高さよりも十分小さくなければならない。
【００１４】保護層４は、内側の第一層４１がフォトレ
ジストからなり、外側の第二層４２がエポキシ樹脂等の
耐熱絶縁性有機材料からなる。第一層４１は、絶縁基板
２と相まって可溶体３が存在する空間を確保する。第二
層４２は、このヒューズ１をプリント基板などに半田付
けする際のような高温時に、非耐熱性の第一層４１が変
形するのを防止する。
ジストからなり、外側の第二層４２がエポキシ樹脂等の
耐熱絶縁性有機材料からなる。第一層４１は、絶縁基板
２と相まって可溶体３が存在する空間を確保する。第二
層４２は、このヒューズ１をプリント基板などに半田付
けする際のような高温時に、非耐熱性の第一層４１が変
形するのを防止する。
【００１５】以上の構成を備えるヒューズ１は、可溶体
３の中間部が周囲の環境と遮断された空間に浮いている
ため、可溶体３から発せられる熱が絶縁基板２に逃げな
い。しかも可溶体３は外側の第二層３２よりも内側の第
一層３１のほうが熱膨張係数が大きいから、発熱時には
溶断直前まで膨張すると共に第一層３１が第二層３２を
押し上げる。従って、可溶体３は常に絶縁基板２から離
れる方向に変形し、溶断特性が一定に保たれ、優れた精
度で溶断する。チップ型ヒューズ１は、以下の手順で製
造される。
３の中間部が周囲の環境と遮断された空間に浮いている
ため、可溶体３から発せられる熱が絶縁基板２に逃げな
い。しかも可溶体３は外側の第二層３２よりも内側の第
一層３１のほうが熱膨張係数が大きいから、発熱時には
溶断直前まで膨張すると共に第一層３１が第二層３２を
押し上げる。従って、可溶体３は常に絶縁基板２から離
れる方向に変形し、溶断特性が一定に保たれ、優れた精
度で溶断する。チップ型ヒューズ１は、以下の手順で製
造される。
【００１６】［土台の形成］アルミナからなる１枚の大
型基板からチップ型ヒューズを同時に多数個取りするも
のとする。先ず基板の主面にＮｉＣｒ合金、ＣｕＮｉ合
金及びＣｕを順にスパッタする（図２）。図２ではヒュ
ーズ１個分の平面形状のみ示されている。図３から図８
までも同様である。電極パターンが露出するようにフォ
トレジストを塗布し、露出部分にＣｕメッキをする（図
３）。電極部分以外のスパッタリング薄膜をエッチング
により除く。そして、可溶体３の土台７を液状フォトレ
ジストで形成する（図４）。液状フォトレジストに代え
てフィルムレジストを貼り付けても良いし、その他の剥
離可能な樹脂をスクリーン印刷などしても良い。
型基板からチップ型ヒューズを同時に多数個取りするも
のとする。先ず基板の主面にＮｉＣｒ合金、ＣｕＮｉ合
金及びＣｕを順にスパッタする（図２）。図２ではヒュ
ーズ１個分の平面形状のみ示されている。図３から図８
までも同様である。電極パターンが露出するようにフォ
トレジストを塗布し、露出部分にＣｕメッキをする（図
３）。電極部分以外のスパッタリング薄膜をエッチング
により除く。そして、可溶体３の土台７を液状フォトレ
ジストで形成する（図４）。液状フォトレジストに代え
てフィルムレジストを貼り付けても良いし、その他の剥
離可能な樹脂をスクリーン印刷などしても良い。
【００１７】［可溶体の形成］可溶体３の第一層の下地
となるＣｕの薄膜を全面にスパッタし、フォトリソ技術
で可溶体のパターンにする（図５）。その上に第一層３
１としてのＣｕをメッキする。このときのパターン幅や
長さ、メッキ厚は目的のヒューズ定格が得られるように
定める。続いて第二層３２としてのＮｉＰをメッキす
る。
となるＣｕの薄膜を全面にスパッタし、フォトリソ技術
で可溶体のパターンにする（図５）。その上に第一層３
１としてのＣｕをメッキする。このときのパターン幅や
長さ、メッキ厚は目的のヒューズ定格が得られるように
定める。続いて第二層３２としてのＮｉＰをメッキす
る。
【００１８】［土台の除去］その後、土台７を溶かして
剥離し（図６）、２８０℃で６０分間アニールする。こ
のアニールは、メッキ膜の歪みを除くことと、電極のＣ
ｕ成分と第一層のＣｕ成分とを結合させることのために
行われる。土台７の剥離によって可溶体の中間部が基板
表面から浮いた状態となる。
剥離し（図６）、２８０℃で６０分間アニールする。こ
のアニールは、メッキ膜の歪みを除くことと、電極のＣ
ｕ成分と第一層のＣｕ成分とを結合させることのために
行われる。土台７の剥離によって可溶体の中間部が基板
表面から浮いた状態となる。
【００１９】［保護層の形成］可溶体３の浮いている部
分を囲むように感光性のフィルムレジストで側壁４３を
形成する（図７）。側壁４３の高さは可溶体３の高さよ
り５０μｍ以上高くなるようにする。更に同じフィルム
レジストで可溶体の上方に天井を形成し、可溶体の中間
部を外気から遮断する。側壁と天井とは結合して保護層
の第一層４１となる。更にエポキシ樹脂等の耐熱性の樹
脂で側壁及び天井を被覆することにより、保護層の第二
層４２を設ける。ヒューズの定格電流値（本例では２ア
ンペア）を表示する（図８）。
分を囲むように感光性のフィルムレジストで側壁４３を
形成する（図７）。側壁４３の高さは可溶体３の高さよ
り５０μｍ以上高くなるようにする。更に同じフィルム
レジストで可溶体の上方に天井を形成し、可溶体の中間
部を外気から遮断する。側壁と天井とは結合して保護層
の第一層４１となる。更にエポキシ樹脂等の耐熱性の樹
脂で側壁及び天井を被覆することにより、保護層の第二
層４２を設ける。ヒューズの定格電流値（本例では２ア
ンペア）を表示する（図８）。
【００２０】［個々のチップへの分割］個々のチップ毎
に分割できるようにレーザーで溝切りし（図９の破
線）、所定個数のチップが一列に並んだ棒状に分割する
（図１０(A)）。端面にＮｉＣｒ及びＣｕを順にスパッ
タすることにより端子の下地を形成する（図１０
(B)）。単体のチップに切り離す。端子の下地部分にＣ
ｕ、Ｎｉ及び半田を順にメッキし、抵抗を検査すること
によってチップ型ヒューズとして完成する（図１１）。
に分割できるようにレーザーで溝切りし（図９の破
線）、所定個数のチップが一列に並んだ棒状に分割する
（図１０(A)）。端面にＮｉＣｒ及びＣｕを順にスパッ
タすることにより端子の下地を形成する（図１０
(B)）。単体のチップに切り離す。端子の下地部分にＣ
ｕ、Ｎｉ及び半田を順にメッキし、抵抗を検査すること
によってチップ型ヒューズとして完成する（図１１）。
【００２１】上記工程から明らかなように、本発明の製
造方法によれば絶縁基板を機械加工することなく、薄膜
技術だけで可溶体の中間部を空中に浮かせることができ
る。従って、製造コストが低い。
造方法によれば絶縁基板を機械加工することなく、薄膜
技術だけで可溶体の中間部を空中に浮かせることができ
る。従って、製造コストが低い。
【００２２】
【発明の効果】本発明のチップ型ヒューズは、溶断精度
に優れるので、小型電子機器の回路素子を保護するのに
有益である。
に優れるので、小型電子機器の回路素子を保護するのに
有益である。
【図１】 実施形態のチップ型ヒューズの断面図であ
り、（Ａ）はその全体、（Ｂ）は（Ａ）のＢ部拡大図で
ある。
り、（Ａ）はその全体、（Ｂ）は（Ａ）のＢ部拡大図で
ある。
【図２】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、土台形成工程の初期を示す平面図である。
いて、土台形成工程の初期を示す平面図である。
【図３】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、土台形成工程の中期を示す平面図である。
いて、土台形成工程の中期を示す平面図である。
【図４】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、土台形成工程の後期を示す平面図である。
いて、土台形成工程の後期を示す平面図である。
【図５】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、可溶体形成工程を示す平面図である。
いて、可溶体形成工程を示す平面図である。
【図６】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、土台除去工程を示す平面図である。
いて、土台除去工程を示す平面図である。
【図７】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、保護層形成工程の初期を示す平面図である。
いて、保護層形成工程の初期を示す平面図である。
【図８】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、保護層形成工程の後期を示す平面図である。
いて、保護層形成工程の後期を示す平面図である。
【図９】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法にお
いて、個々のチップへの分割工程の初期を示す平面図で
ある。
いて、個々のチップへの分割工程の初期を示す平面図で
ある。
【図１０】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法に
おいて、個々のチップへの分割工程の後期を示し、
（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は右側面図である。
おいて、個々のチップへの分割工程の後期を示し、
（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は右側面図である。
【図１１】 実施形態のチップ型ヒューズの製造方法に
おいて、完成状態を示す平面図である。
おいて、完成状態を示す平面図である。
１ チップ型ヒューズ ２ 絶縁基板 ３ 可溶体 ３１ 第一層 ３２ 第二層 ４ 保護層 ５ 端子 ６ 電極 ７ 土台
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｈ 85/147 (56)参考文献 特開 平７−105824（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−144193（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−92939（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01H 85/00 H01H 85/046 H01H 85/06 - 85/08 H01H 85/143 - 85/147 H01H 69/02
Claims (5)
- 【請求項１】両端に電極が設けられた絶縁基板と、この
絶縁基板と相まって外部から遮断された空間を形成する
保護層と、中間部が前記空間に浮くように両端が絶縁基
板と保護層との間に固定された金属薄膜からなる可溶体
とを備えたチップ型ヒューズにおいて、 前記絶縁基板の電極側の面は平坦であって、前記可溶体
がその平坦面から離れる方向に湾曲していることを特徴
とするヒューズ。 - 【請求項２】前記可溶体が熱膨張係数の大きい第一層と
熱膨張係数の小さい第二層との複数層からなり、第一層
が第二層よりも絶縁基板の平坦面に近い側に設けられる
請求項１に記載のヒューズ。 - 【請求項３】前記第一層が銅Ｃｕを主成分とし、前記第
二層がニッケルＮｉを主成分とする請求項２に記載のヒ
ューズ。 - 【請求項４】前記可溶体の中間部は、幅の広い部分と狭
い部分を有する請求項１に記載のヒューズ。 - 【請求項５】両端に電極が設けられた平坦な面を有する
絶縁基板を用意し、それら電極間に所定の高さを有する
土台を形成し、その土台を跨いで両電極を接続する金属
薄膜からなる可溶体を形成した後、その土台を除去する
ことを特徴とするチップ型ヒューズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09308013A JP3105483B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | チップ型ヒューズ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09308013A JP3105483B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | チップ型ヒューズ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126556A JPH11126556A (ja) | 1999-05-11 |
| JP3105483B2 true JP3105483B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=17975846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09308013A Expired - Fee Related JP3105483B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | チップ型ヒューズ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3105483B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022200424A1 (de) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Elektronische baugruppe mit verbessertem sicherungskonzept |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1310875B1 (it) * | 1999-07-09 | 2002-02-22 | Seima Elettronica Srl | Dispositivo resistivo con funzione di fusistore |
| JP5306139B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2013-10-02 | 北陸電気工業株式会社 | チップヒューズ |
| JP2011222344A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Conquer Electronics Co Ltd | 埋め込み式回路保護部材とその製造方法 |
| JP5627291B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2014-11-19 | 京セラ株式会社 | 電流ヒューズ装置および回路基板 |
| CN104813433B (zh) * | 2012-09-28 | 2017-10-24 | 釜屋电机株式会社 | 片式熔断器和片式熔断器的制造方法 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP09308013A patent/JP3105483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022200424A1 (de) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Elektronische baugruppe mit verbessertem sicherungskonzept |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11126556A (ja) | 1999-05-11 |
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