TWI382665B - 功率金氧半導體場效電晶體驅動器及其方法 - Google Patents

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Description

功率金氧半導體場效電晶體驅動器及其方法
本發明大體而言係關於電子設備(electronics)，且更特定言之，本發明係關於形成半導體裝置之方法及結構。
在過去，半導體工業利用各種方法及結構來產生功率金氧半導體場效電晶體(功率MOSFET)驅動器電路，其用於驅動電源系統之功率MOSFET。通常，一功率MOSFET經連接以供應充電電壓至一電感器，且一第二功率MOSFET經連接以將該電感器放電。該第二功率MOSFET經常被稱為同步整流器。功率MOSFET通常具有大的閘極電容，必須將其驅動以致能及去能電晶體。該驅動器電路具有大的輸出電晶體，以供應足夠的驅動電流以將功率MOSFET之電容充電及放電。該驅動器電路通常自脈寬調變(PWM)控制器接收PWM控制信號且驅動適當的電晶體。此功率MOSFET驅動器電路之一實例為由ON Semiconductor of Phoenix Arizona所製造的NCP5355。在一些情況下，由驅動器電路之個別驅動器所利用之電源電壓並不提供最有效的操作。
因此，需要具有一種利用提供電源系統之有效操作之電源電壓的功率MOSFET驅動器。
根據本發明之一實施例，一種功率金氧半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器，其包含：一半導體封裝，其具有不 大於八個外部連接端子以及包含一半導體晶粒，該功率MOSFET驅動器形成於該半導體晶粒上方；一具有不大於八個外部連接端子之第一輸入，其組態以接收一具有用於向該功率MOSFET驅動器供電之一第一值的供應電壓，該功率MOSFET驅動器從外部接收該供應電壓；一第一電晶體驅動器，其經耦接以從該供應電壓來操作，且形成一第一驅動信號，其可操作以驅動一第一MOS電晶體；一電路，其組態以形成一第一功率供應電壓，其具有一小於該供應電壓之該第一值的第二值，且該第二值係從該供應電壓由該功率MOSFET驅動器之內部所導出；控制邏輯，其組態以從該第一功率供應電壓來操作；及一第二電晶體驅動器，其經耦接以一具有一小於該第二值之第三值的第二功率供應電壓來操作，且形成一可操作以驅動一第二MOS電晶體之第二驅動信號。
根據本發明另一實施例，一種形成一功率MOSFET驅動器之方法，其包含：組態一第一輸入以接收一具有用於向該功率MOSFET驅動器供電之一第一電壓值的供應電壓，該功率MOSFET驅動器從外部接收該供應電壓；組態該功率MOSFET驅動器之一第一電晶體驅動器以從該供應電壓操作，以形成一具有一對應於該第一電壓值之輸出電壓值的第一驅動信號；組態該功率MOSFET驅動器以形成一第一功率供應電壓，其具有一小於該第一電壓值之第二電壓值，且該第二電壓值係從該供應電壓由該功率MOSFET驅動器之內部所導出；及組態該功率MOSFET驅動器之一第 二電晶體驅動器，以形成一具有一對應於一小於該第二電壓值之第三電壓值之輸出電壓值的第二驅動信號。
根據本發明又一實施例，一種操作一功率MOSFET驅動器之方法，其包含：以一第一操作電壓值操作該功率MOSFET驅動器之一第一電晶體驅動器，該功率MOSFET驅動器從外部接收該操作電壓值；以一第二操作電壓值操作該功率MOSFET驅動器之控制邏輯，該第二操作電壓值係由該功率MOSFET驅動器內之該第一操作電壓值所導出，其中該第二操作電壓值係小於該第一操作電壓值；及以一小於第二操作電壓值之一第三操作電壓值操作該功率MOSFET驅動器之一第二電晶體驅動器。
圖1示意性地說明提供有效操作之電源系統10之實施例的一部分。電源系統10自功率輸入端子11與功率返回端子12之間的外部電源接收功率，並在輸出端子13與端子12之間形成一調節輸出電壓。通常，端子11與12之間的接收功率為本體電壓(bulk voltage)，諸如電池電壓或來自家庭電源之整流正弦波。系統10包括一上層功率開關或功率MOSFET或電晶體18、一下層功率開關或功率MOSFET或電晶體19、一能量儲存電感器21、一濾波器電容器22、一升壓電容器20、一升壓二極體17、一低側調節器電容器24、一PWM控制器16及一功率MOSFET驅動器電路25。電晶體18與19、電感器21、電容器22、電容器20及電容器24通常在電路25之外部，然而，在一些實施例中，可將電晶 體18與19或電容器20或電容器24形成為電路25之一部分。形成電路25，以自PWM控制器16接收PWM驅動信號及致能信號，且回應地致能電晶體18以將電感器21充電，且致能電晶體19以將電感器21放電。PWM控制器16在控制器16之個別驅動及致能輸出上，產生PWM驅動信號及致能信號。電路25在輸入47上接收PWM驅動信號，且在輸入48上接收致能信號。通常，控制器自反饋網路14接收反饋信號，其代表端子13與12之間的輸出電壓之值。此等PWM控制器為熟習此項技術者所熟知。此PWM控制器之一實例為由ON Semiconductor of Phoenix Arizona所製造的NCP5318。施加於端子11與12之間的本體電壓導致二極體17導電，並將電容器20充電以提供用作輸入電壓的升壓電壓至電路25。該升壓電壓用作電路25之輸入電壓，因為其提供高於調節輸出電壓且不大於端子11上之輸入電壓的電壓。
電路25包括通常一可操作地耦接至驅動電晶體18之第一電晶體驅動器或高側電晶體驅動器27、一可操作地耦接至驅動電晶體19之第二電晶體驅動器或低側電晶體驅動器28、一低側操作電壓調節器或調節器39、用於控制來自PWM控制器16之信號且形成施加至驅動器27與28之驅動控制信號的控制邏輯，及一內部操作電壓調節器或內部調節器43。該控制邏輯包括一AND閘極32、一AND閘極33與反相器35、36、37及38。電路25接收升壓電壓作為施加於電壓輸入端子41與電壓返回端子42之間的電源電壓或輸入電 壓。內部操作電壓調節器43通常連接於端子41與端子42之間，以接收輸入電壓，且形成用於操作電路25之控制邏輯元件的內部操作電壓。低側操作電壓調節器39連接於端子41與42之間，以接收輸入電壓，且在調節器39之輸出40上形成第二電壓或低側操作電壓。輸出40連接至電路25之輸出端子51，以將低側操作電壓施加至電容器24。如將進一步在下文中可見，調節器39將電容器24充電至低側操作電壓，使得電容器24充當一用於低側操作電壓之濾波器及儲存元件。另外，調節器39具有一控制輸入，其可用於致能或去能調節器39在輸出40上形成低側操作電壓。舉例而言，調節器39可具有一經連接以在致能調節器39時供應充電電流至輸出40，且在去能調節器39時不供應該充電電流的電流源。驅動器28連接於輸出40與返回端子42之間，以將輸出40及電容器24上之低側操作電壓用作驅動器28之操作電壓。驅動器27連接於端子41與升壓返回50之間，以將輸入電壓用作驅動器28之操作電壓。該輸入電壓通常大於來自調節器43之內部操作電壓，並大於輸出40上之低側操作電壓。又，來自調節器43之內部操作電壓通常大於輸出40上之低側操作電壓。
圖2及圖3示意性地說明個別電晶體驅動器27及28之一部分的實施例。此描述與圖1、圖2及圖3有關。驅動器27及28通常為具有兩個反相級之緩衝器，其中每一級具有比先前級之電晶體更大的電晶體，以達成為驅動電晶體18及19之閘極電容所需之電流驅動。驅動器28之輸出級通常具有 一上層電晶體53及一下層電晶體54。可見，輸出52上之電壓的值大約等於輸入29上之電壓的值減電晶體53的電壓降落，因此，輸出52上之驅動信號之最大值大約等於輸入29上之電壓的值。輸出52上之驅動信號的最小值大約等於端子42上的電壓加電晶體54之電壓降落，因此，輸出52上之驅動信號之最小值大約等於端子42上之電壓的值。因此，第二驅動信號之最大電壓值對應於輸出40上之低側操作電壓。類似地，驅動器27具有一輸出級，其具有一上層電晶體55及一下層電晶體56。驅動器27接收端子41與返回50之間的升壓電壓作為驅動器27之操作電壓。因此，輸出49上之驅動信號之最大值大約等於端子41上之電壓的值減電晶體55的電壓降落或大約等於端子41上之電壓的值。輸出49上之驅動信號之最小值大約等於返回50上之電壓加電晶體56的電壓降落或大約等於返回50上之電壓的值。因此，第一驅動信號之最大電壓值對應於端子41上之輸入電壓。
在操作中，當輸入47與48均處於邏輯高時，將閘極32之輸出驅動為高以將驅動控制信號提供至驅動器27之輸入。驅動器27接收驅動控制信號且迫使輸出49為高。驅動器27將輸出49驅動至輸出49上之驅動信號之最大值或大約等於輸入電壓的值，且致能電晶體18以將電感器21充電。因此，致能驅動器27以形成第一驅動信號之較高電壓值。輸入47上之高驅動信號迫使閘極33之輸出為低，且將邏輯低驅動控制信號提供至驅動器28之輸入。驅動器28回應地迫使驅動輸出52上之驅動信號至最小電壓值或大約等於端子 42上之電壓且去能電晶體19。因此，致能驅動器28以形成第二驅動信號之較低電壓值。來自閘極33之低邏輯信號亦是藉由調節器39來接收，其去能調節器39在輸出40上形成低側操作電壓。
若輸入47轉向邏輯低而輸入48保持邏輯高，則將閘極32之輸出驅動至邏輯低。驅動器27接收邏輯低且迫使輸出49低至最小電壓值或大約等於返回50上之電壓且去能電晶體18。因此，致能驅動器27以形成第一驅動信號之較低電壓值。輸入47上之低亦將閘極33之輸出驅動至邏輯高。來自閘極33之高控制信號致能調節器39以在輸出40上形成低側操作電壓且將電容器24充電至該值。驅動器28接收邏輯高信號且迫使輸出52高至最大電壓值或大約等於低側操作電壓的值且致能電晶體19。因此，致能驅動器28以形成第二驅動信號之較高電壓值。
選擇調節器39之輸出40上之電壓的值，以將驅動電壓提供至電晶體19，該驅動電壓為電晶體19提供低導通電阻(on-resistance)。如熟習此項技術者所熟知，功率MOSFET之導通電阻是施加至該功率MOSFET之閘極之電壓的函數。若該電壓低，則該導通電阻通常高。隨著電壓增加，導通電阻減小。在某閘極電壓值處，導通電阻變得漸近於最小導通電阻值。不低於導通電阻曲線之拐點之值的電壓值，通常用於輸出40上的電壓值。該值低於用於驅動器27之操作電壓的電壓值。使用低於驅動器27之操作電壓的電壓，用於驅動器28的操作電壓會減少電路25的功率消耗。 使用減少電晶體19之導通電阻之電壓，會減少系統10的功率消耗。致能調節器39，以形成低側操作電壓，以回應地形成用以致能電晶體19之控制信號，且亦減少電路25的功率消耗，因為調節器39在電路25之整個操作週期期間不消耗功率。應注意，可將調節器39致能較短或較長的時段。舉例而言，致能調節器39的時間可僅為閘極33之輸出為邏輯高之時間的一部分。
為了提供所描述之功能性，二極體17之陰極連接至端子41，並連接至電晶體18之汲極。二極體17之陽極連接至端子11，並連接至電容器20之第一端子。電容器20之第二端子通常連接至返回50、電晶體18之源極、電感器21之第一端子及電晶體19之汲極。電感器21之第二端子通常連接至輸出端子13及電容器22之第一端子。端子41連接至調節器43之功率輸入、調節器39之功率輸入及驅動器27之功率輸入。驅動器27之輸出連接至輸出49，該輸出49連接至電晶體18之閘極。驅動器27之功率返回連接至返回50。驅動器27之輸入連接至閘極32之輸出。閘極32之第一輸入連接至反相器36之輸出，且連接至閘極33之第一輸入，其中反相器36具有一連接至反相器35之輸出的輸入。閘極32之第二輸入連接至閘極33之第二輸入，且連接至反相器38之輸出。反相器38之輸入連接至具有連接至輸入48之輸入之反相器37的輸出。反相器35之輸入連接至輸入47。閘極33之輸出連接至調節器39之控制輸入，且連接至驅動器28的輸入。驅動器28之功率輸入29通常連接至調節器39之輸出 40、輸出端子51及電容器24之第一端子。驅動器28之功率返回30通常連接至調節器39之功率返回、調節器43之功率返回，且連接至功率端子42。端子12通常連接至端子42、電容器24之第二端子、電晶體19之源極及電容器22之第二端子。
圖4示意性地說明包括功率MOSFET驅動器電路46之電源系統45之實施例的一部分。系統45為系統10之替代實施例且電路46為電路25之替代實施例，其在圖1及圖2之描述中得以解釋。電路46包括與調節器39相同之調節器58，除了調節器58經連接以自升壓返回50接收功率之外。調節器58經組態以形成低側操作電壓以回應地形成用以致能電晶體18之控制信號而非致能電晶體19之控制信號。當致能電晶體18時，返回50上之電壓大約等於升壓電壓。調節器58經致能且將電容器24充電至低側操作電壓。在取消閘極32之輸出上之控制信號之後，亦取消調節器58。然而，電容器24經充電至低側操作電壓且供應功率至驅動器28以致能電晶體19，如上文中所述。由於調節器58在電路46之整個操作週期期間不消耗功率，因而在致能電晶體18之時間的一部分期間自調節器58將電容器24充電亦減少電路46之功率消耗。
圖5示意性地說明其中可封裝電路25之八端子半導體封裝60之實施例的圖形表示。封裝60之插腳或端子對應於圖1及圖2中所說明之電路25的端子。
圖6示意性地說明形成於半導體晶粒66上之半導體裝置 65之實施例之一部分的放大平面圖。電路25形成於晶粒66上。晶粒66亦可包括其它電路，為圖式之簡單起見，圖6中未圖示該等其它電路。電路25及裝置65藉由熟習此項技術者所熟知之半導體製造技術而形成於晶粒66上。
鑒於以上全部內容，很明顯揭示了新穎裝置及方法。其中，所包括的是形成功率MOSFET驅動器之低側驅動器以自低於高側驅動器之操作電壓而操作。使用較低的操作電壓會改良驅動器及使用該驅動器之系統之效率。使用具有不少於功率電晶體之導通電阻曲線之拐點的電壓之值的低側操作電壓亦改良使用控制器之電源系統的效率。致能低側調節器以形成低側操作電壓持續致能低側驅動器之時間之一部分亦減少功率消耗且改良效率。
雖然利用特定較佳實施例描述了本發明，但是很明顯，許多替代及變化將為熟習半導體技術的技術者所顯而易見。更具體言之，儘管本發明已被描述用於特定的PNP及NPN電晶體結構，但是該方法直接地可應用於其它雙極電晶體、以及MOS、BiCMOS、金屬半導體FET(MESFET)、HFET及其它電晶體結構。另外，為描述之清晰起見，全文使用了詞"連接"(connected)，然而，其意欲具有與詞"耦接"(coupled)相同的意義。因此，應將"連接"解釋為包括直接連接或間接連接。
10‧‧‧電源系統
11‧‧‧功率輸入端子
12‧‧‧功率返回端子
13‧‧‧輸出端子
14‧‧‧反饋網路
16‧‧‧PWM控制器
17‧‧‧升壓二極體
18‧‧‧電晶體
19‧‧‧電晶體
20‧‧‧升壓電容器
21‧‧‧能量儲存電感器
22‧‧‧濾波器電容器
24‧‧‧低側調節器電容器
25‧‧‧功率MOSFET驅動器電路
27‧‧‧第一電晶體驅動器/高側電晶體驅動器
28‧‧‧第二電晶體驅動器/低側電晶體驅動器
29‧‧‧輸入
30‧‧‧功率返回
32‧‧‧及(AND)閘極
33‧‧‧AND閘極
35‧‧‧反相器
36‧‧‧反相器
37‧‧‧反相器
38‧‧‧反相器
39‧‧‧低側操作電壓調節器
40‧‧‧輸出
41‧‧‧電壓輸入端子
42‧‧‧電壓返回端子
43‧‧‧內部操作電壓調節器/內部調節器
45‧‧‧電源系統
46‧‧‧功率MOSFET驅動器電路
47‧‧‧輸入
48‧‧‧輸入
49‧‧‧輸出
50‧‧‧返回
51‧‧‧輸出端子
52‧‧‧輸出
53‧‧‧上層電晶體
54‧‧‧下層電晶體
55‧‧‧上層電晶體
56‧‧‧下層電晶體
58‧‧‧調節器
60‧‧‧八端子半導體封裝
65‧‧‧半導體裝置
66‧‧‧半導體晶粒
圖1示意性地說明根據本發明之電源系統之一部分的實施例； 圖2示意性地說明根據本發明之圖1之電源系統的一電晶體驅動器之一部分的實施例；圖3示意性地說明根據本發明之圖1之電源系統的另一電晶體驅動器之一部分的實施例；圖4示意性地說明根據本發明之為圖1之電源系統之替代物的電源系統之一部分的實施例；圖5說明根據本發明之具有半導體晶粒之半導體封裝之實施例的放大平面圖，圖1之電源系統之驅動器電路形成於該半導體晶粒上；及圖6說明根據本發明之具有形成於半導體晶粒上的驅動器電路之半導體裝置之實施例的放大平面圖。
為了說明之簡單及清晰起見，諸圖中之元件未必按比例，且不同圖中之相同參考數字表示相同元件。另外，為了描述之簡單起見，省略了熟知步驟及元件之描述及細節。如本文所使用，載流電極意指一裝置之載運流過該裝置之電流的元件，諸如MOS電晶體之源極或汲極或雙極電晶體之發射極或集極或二極體之陰極或陽極，且控制電極意指該裝置之控制流過該裝置之電流的元件，諸如MOS電晶體之閘極或雙極電晶體之基極。儘管本文將該等裝置解釋為某些N通道或P通道裝置，但是一般技術者應瞭解，根據本發明補充裝置亦是可能的。
10‧‧‧電源系統
11‧‧‧功率輸入端子
12‧‧‧功率返回端子
13‧‧‧輸出端子
14‧‧‧反饋網路
16‧‧‧PWM控制器
17‧‧‧升壓二極體
18‧‧‧電晶體
19‧‧‧電晶體
20‧‧‧升壓電容器
21‧‧‧能量儲存電感器
22‧‧‧濾波器電容器
24‧‧‧低側調節器電容器
25‧‧‧功率MOSFET驅動器電路
27‧‧‧第一電晶體驅動器/高側電晶體驅動器
28‧‧‧第二電晶體驅動器/低側電晶體驅動器
29‧‧‧輸入
30‧‧‧功率返回
32‧‧‧及(AND)閘極
33‧‧‧AND閘極
35‧‧‧反相器
36‧‧‧反相器
37‧‧‧反相器
38‧‧‧反相器
39‧‧‧低側操作電壓調節器
40‧‧‧輸出
41‧‧‧電壓輸入端子
42‧‧‧電壓返回端子
43‧‧‧內部操作電壓調節器/內部調節器
47‧‧‧輸入
48‧‧‧輸入
49‧‧‧輸出
50‧‧‧返回
51‧‧‧輸出端子
52‧‧‧輸出

Claims (19)

  1. 一種功率金氧半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器，其包含：一半導體封裝，其具有不大於八個外部連接端子以及包含一半導體晶粒，該功率MOSFET驅動器形成於該半導體晶粒上方；一具有不大於八個外部連接端子之第一輸入，其組態以接收一具有用於向該功率MOSFET驅動器供電之一第一值的供應電壓，該功率MOSFET驅動器從外部接收該供應電壓；一第一電晶體驅動器，其經耦接以從該供應電壓來操作，且形成一第一驅動信號，其可操作以驅動一第一MOS電晶體；一電路，其組態以形成一第一功率供應電壓，其具有一小於該供應電壓之該第一值的第二值，且該第二值係從該供應電壓由該功率MOSFET驅動器之內部所導出；控制邏輯，其組態以從該第一功率供應電壓來操作；及一第二電晶體驅動器，其經耦接以一具有一小於該第二值之第三值的第二功率供應電壓來操作，且形成一可操作以驅動一第二MOS電晶體之第二驅動信號。
  2. 如請求項1之功率MOSFET驅動器，其中經耦接以具有該第三值之該第二功率供應電壓來操作的該第二電晶體驅動器，其包括一經耦接以接收該供應電壓，且形成該第 二功率供應電壓之第一電壓調節器。
  3. 如請求項2之功率MOSFET驅動器，其中該第一電壓調節器經組態以形成該第二功率供應電壓，以回應地致能該第二電晶體驅動器，以形成該第二驅動信號之一高值。
  4. 如請求項1之功率MOSFET驅動器，其中該第一電晶體驅動器經組態以以該供應電壓形成該第一驅動信號之一高值。
  5. 如請求項1之功率MOSFET驅動器，其中該第二電晶體驅動器經組態以以該第二功率供應電壓形成該第二驅動信號之一高值。
  6. 如請求項1之功率MOSFET驅動器，其中該半導體封裝包括一經耦接以自該第一電晶體驅動器接收該第一驅動信號之該不大於八個外部連接端子的一第一外部端子，及一經耦接以自該第二電晶體驅動器接收該第二驅動信號之該不大於八個外部連接端子的一第二外部端子。
  7. 如請求項1之功率MOSFET驅動器，進一步包括一經耦接以接收該供應電壓，且形成該第二功率供應電壓之第一電壓調節器，其中該第一電壓調節器之一輸出耦接至該半導體封裝之該不大於八個外部連接端子的一第三外部端子。
  8. 如請求項1之該功率MOSFET驅動器，進一步包括該不大於八個外部連接端子之一驅動輸入，其中該驅動輸入係配置成可接收一驅動控制信號，該驅動控制信號設定該第一及第二驅動控制信號之操作狀態，以及該不大於八 個外部連接端子之一致能輸入，其中該致能輸入係配置成接收一啟動控制信號以及其中該致能控制信號之一去能狀態設定該第一及第二驅動控制信號兩者之一無效狀態。
  9. 一種形成一功率MOSFET驅動器之方法，其包含：組態一第一輸入以接收一具有用於向該功率MOSFET驅動器供電之一第一電壓值的供應電壓，該功率MOSFET驅動器從外部接收該供應電壓；組態該功率MOSFET驅動器之一第一電晶體驅動器以從該供應電壓操作，以形成一具有一對應於該第一電壓值之輸出電壓值的第一驅動信號；組態該功率MOSFET驅動器以形成一第一功率供應電壓，其具有一小於該第一電壓值之第二電壓值，且該第二電壓值係從該供應電壓由該功率MOSFET驅動器之內部所導出；及組態該功率MOSFET驅動器之一第二電晶體驅動器，以形成一具有一對應於一小於該第二電壓值之第三電壓值之輸出電壓值的第二驅動信號。
  10. 如請求項9之方法，其中組態該功率MOSFET驅動器之該第二電晶體驅動器，以形成具有對應於該第三電壓值之該輸出電壓值的該第二驅動信號，包括組態一電源以回應一外部控制信號而形成該第三電壓值。
  11. 如請求項10之方法，其中組態該電源以回應該外部控制信號而形成該第三電壓值包括組態該功率MOSFET驅動 器以回應致能該第二電晶體驅動器所形成的該第二驅動信號之一較低電壓值進而從產生該第三電壓值來去能一電壓調節器。
  12. 如請求項10之方法，其中組態該電源以形成該第三電壓值包括以回應致能該第二電晶體驅動器所形成的該第二驅動信號之該較高電壓值而組態一電壓調節器以供應電流將一電容器充電。
  13. 如請求項12之方法，其中組態該功率MOSFET驅動器之該第一電晶體驅動器包括組態該第一電晶體驅動器，以形成一對應於該第一電壓值之該第一驅動信號的最大值。
  14. 如請求項9之方法，其中組態該功率MOSFET驅動器之該第二電晶體驅動器以形成具有對應於該第三電壓值之該輸出電壓值包括組態該第二電晶體驅動器，以形成對應於該第三電壓值之該第二驅動信號的一最高值。
  15. 如請求項9之方法，其中組態該功率MOSFET驅動器之該第二電晶體驅動器，以形成具有對應於該第三電壓值之該輸出電壓值的該第二驅動信號，包括組態該功率MOSFET驅動器以由該第一電壓值形成該第三電壓值。
  16. 如請求項9之方法，進一步包括：在一半導體晶粒上且放置於具有不大於八個封裝端子之半導體封裝中，形成該功率MOSFET驅動器，其中該第一輸入為該不大於八個封裝端子之一；將該第一電晶體驅動器之一輸出耦接至該半導體封裝之一第一輸出端子；將該第二電晶體驅 動器之一輸出耦接至該半導體封裝之一第二輸出端子；及將該第二電晶體驅動器之一電壓返回耦接至該半導體封裝之一電壓返回端子。
  17. 如請求項9之方法，進一步包括耦接控制邏輯電路以從該第一功率供應電壓操作以及控制該功率MOSFET驅動器之一部份的操作。
  18. 如請求項10之方法，其中組態該電源以回應該外部控制信號而形成該第三電壓值，包括組態欲致能之該電源為因應該外部控制信號之一第一狀態以形成該第三電壓，以及為因應該外部控制信號之一第二狀態而以產生該第三電壓來解除。
  19. 一種操作一功率MOSFET驅動器之方法，其包含：以一第一操作電壓值操作該功率MOSFET驅動器之一第一電晶體驅動器，該功率MOSFET驅動器從外部接收該操作電壓值；以一第二操作電壓值操作該功率MOSFET驅動器之控制邏輯，該第二操作電壓值係由該功率MOSFET驅動器內之該第一操作電壓值所導出，其中該第二操作電壓值係小於該第一操作電壓值；及以一小於第二操作電壓值之一第三操作電壓值操作該功率MOSFET驅動器之一第二電晶體驅動器。
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