TWI379613B - Temperature setting method for heat treatment plate, temperature setting program, computer-readable recording medium capable of storing program, and temperature setting device for heat treatment plate - Google Patents

Description

1379613 九、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 - 本發明係關於熱處理板之溫度設定方法、程式、記錄有該程 • 式之電腦可讀取之記錄媒體、及熱處理板之溫度設定^置'^以 【先前技術】 於例如半導體設備製造的光微影製程中，依序進行光阻塗佈 處理，在例如晶圓上塗佈光阻液，形成光阻膜；曝光處理，將光 阻膜曝光成既定之圖案，·加熱處理（曝光後之烘烤處理，p〇st exp〇sure bakins)_，於曝光後使光阻膜内之化學反應得以促進； 響 及顯影處理，將曝光後的光阻膜加以顯影等。藉由此一連串的晶 圓處理，在晶圓上形成既定之光阻圖案。 例如上述曝光後之烘烤處理等加熱處理通常以加熱處理裝置 進行[加熱處理裝置具備用以載置晶圓以加熱的熱板。而於熱板 ’係内建著藉由例如電力供應而散熱之加熱器，且藉由該加熱 器所進行之散熱，將熱板調整到既定溫度。 例如上述加熱處理之熱處理溫度，對於晶圓上最後形成之光 阻圖案的線寬會產生較大的辟。因此，為嚴格控制加熱時晶圓 面内之溫度，而將上述加熱處理裝置的熱板分割成複數之區域， • 且於各該=域内建獨立的加熱器，以對該區域分別調整溫度。 ―旧又，究可知，當上述熱板之各區域係全部以相同設定溫度進 行’凰度β周整時，例如由於各區域之熱阻（thermal resistance)等 同/熱板上之晶圓面内的溫度會變動。其結果，光阻圖案之 最後^產生變化。目此，於熱板之各個區域設定溫度修正值 /皿度補侦值，temperature offset value)，而微調整熱板的面 内溫度(請參照專利文獻1)。 • 疋上述溫度修正值時’操作者通常先測定現狀之晶圓面内 体秦、’視，測定結果’以經驗或知識為基礎而設定適切之溫度 • >正值。其後’操作者再次測定晶11面内的線寬，視其線寬測定 6 1379613 ϊΐ的更值。反覆試驗此種線寬測定及溫度修正值 定 判斷係已成為適切的線寬時，則結束溫度 【專利文獻1】日本專利特開2001-143850號公報 【發明内容】 登览所欲解決之if-gi

然而，於上述溫度設定，由於無法正確得知最後所達到之線 因此於溫度設定作業進行巾，欲觸此時點之溫度修正的線 其困難，係通常以操作員之主觀而判斷出線寬 料取束溫度設定健。目此，絲有時溫度設定並非 敢佳，/呆作貝之間，溫度設定後之晶圓面内的線寬間產生變化。 束ί最佳線寬不能正確掌握時，有時會反復試驗溫 度,又疋之^更很多次，溫度設㈣業須花費一段較長時間。 本發明係有鑑於此種情況而構成，其目的為：於熱板等之熱 ，„溫度設定巾’正確地綱經溫度設定變更後之晶圓等的、 基板的處理狀態，且在短時_翻地進行熱處理板之溫度設定。 解決課顳之丰鉛 ，達成上述目的，本發明係—種熱處理板之溫歧定方法， 理板用以載置基板以施行熱處理。其中，將該熱處理板劃 义成複數之d域，可對祖域分職溫度設定，且於娜處理板 =各個區域，可設定用關整熱處理板之面㈣度的溫度修正 ，。此熱處贿之溫度設定方法之_為：針對已結朿包含該熱 -連串之基板處理的基板，測定基板的處理狀態，且從該 t至1之基板的處理狀_，減掉藉由變更熱處理板之各區域的溫 而純改善之改善分量，藉此計算於熱處理板之溫度修 又值·交更後之基板的處理狀態。而且，該改善分量係藉由以加= lxaxF(T)(Za .改善分量、α :基板面内之溫度變動量與基板 1379613 之處理狀_二者的轉換係數、F(T):熱處理板之各區域之溫度修 正值與基板面内之溫度變動量二者的函數、τ :熱處理板之各區域 之溫度修正值）表示之通式所算出。 ★依本發明，係於現狀之基板的處理狀態中，用既定通式計算 藉由變更熱處理板的溫度設定而加以改善的改善分量，且從現狀 之基板的處理狀態減掉該改善分量，藉此計算出溫度設定變更後 之基板的處理狀態。因此，不須依賴例如操作員的孰練度， 正確地推定出溫度設定變更後之基板的處理狀= 無須反復試驗溫度設定之變更，因此可於短時間内適切地進埶 處理板之溫度設定。 …、 °玄熱處理板之各區域的溫度修正值T為近似值，係可從該測 定到的基板之處理狀態計算出複數之面内彳頃向分量，再於該複數 之面内傾向分量中，以近似計算（appr〇ximatecalculati〇n)方式 求出藉由變更熱處理板之各區域的溫度修正值所可改善之面内傾 向分量為「0」時的溫度修正值。 該基板之處理狀態及該改善分量也可用任尼克多項式分解成 複數之面内傾向分量而表示。 該一連串之基板處理可為一種於光微影製程在基板上形成光 阻圖案的處理。 該基板面内之處理狀態可為光阻圖案的線寬。 該熱處理可為一種在曝光處理後而顯影處理前所進行的加熱 處理。 1 依其他觀點所形成之本發明，提供一種程式，用以使電腦執 行上述熱處理板之溫度設定方法。 又，依其他觀點所形成之本發明，提供一種電腦可讀取的記 錄媒體’該麟媒體記錄著用贿電腦執行±述熱處 設定方法練A。 依其他觀點所形成之本發明係一種熱處理板之溫度設 置，.該熱處職㈣餘基板軸行熱纽。其巾，將該熱處理 8 1379613 板劃分成複數之區域，可對該區域分 =之各個區域，可設定用以調整熱===溫^ 正值。該熱處理板之溫度設找置之 皿度修 包含該熱處理之—連串之基板處理的基板二ii其ΐ 區域的溫度修正值而加以改善之^ 於熱處理板之溫度修度值變更後之其 藉此汁异 溫度變動量與基板之處理狀H的轉“、、:)基 增編心τ 熱處理板之各區域之溫正⑹絲之通式所&者的函數τ. 度修====中 處理板之各區域的溫 ，之面内傾向分量值===== π方式求出藉由變更熱處理板之各區域 ^ 面内傾向分量為「〇」時的溫度修正值。，值所可改善之 亡述熱處理#反之溫度設定裝置中，該基板 D1以ΐίίΓ員式分繼數之面内傾向分量:、表二 j ，串之基板處理可為—種於光微影製 阻° 可)，該種基/面内之細犬態可為光:圖案的、i寬。 處理:'、、、處理了為-種在曝光處理後而顯影處理前所進行的加熱 發明之效杲 之溫 ，本，明，由於可正確地推定於熱處理板之溫 ίί定的处理狀態，因此能於短時間内適切地進行Ϊ處理板 9 1379613 【實施方式】 之最佳形熊 施形明本發明之較佳實施形態。圖1係顯示包含依本實 熱處理板之溫度設定裝置的塗佈顯影處理系統1之概略 二旦視圖’ ® 2係'塗佈顯影處理系統1的前視圖；圖3係塗 佈顯影處理祕1的後視w Μ 站2 理錢1具有以下之—體連接的結構：晶随盒 外部與塗盒為單位’將例如25片之晶圓界從 盒c間itd'1，送入送出，或者將晶㈣與日_ 耸掛罢廷出，處站3，多段配置有複數之各種處理裝置，該

节乂理站t微影製程以單片式施加既定處理；介面站4，盘相鄰於 3亥處設置而未圖示的曝光裝置之間，傳遞晶圓W 一列載置。曰nJlCrX方向（圖中的上下方向）以自由方式呈 晶圓運送體71内的晶圓w而選擇性地靠近。 站3側的第3處理裝了置 G1〜G5，係多段配置有複數之 署、備例如5個之處理裝置群 反向側（圖i中的下方°於處理站3之X方向的 f中置二G1、第2處理裝置群 ^處ίΐΪ:二5，=㉟又，第』=3 ”可朝第1處理裝置群G卜第 ^置10。該第1運送裳置 G4内的各處理裝置而選擇性地靠近，;=U裝置群 %运日日® w。而第4處理 1379613 裝置群G4與第5處理裝置群G5間， 2運送裝置η可姆2触裝置群G2 mum， 處理裝置群G5内的各處縣置 ζ里裝^群以、第5 如圖2所示，於第！處理近，以運送晶圓W。 用以供應既定液體到晶圓W而公扞虛：：上依序5段重疊著 驻罟？η、21、2?，泠说丄而進仃處理的液處理裝置：光阻塗佈 r 2" 盒:14群T物重:著液二裝的置反 il'm 1^:1 ^ 1 ；

^置4: ’用以供應各種處理液到各處理裝置群二 如圖3所示，第3處理裂置群G3由下而 溫裝置60;傳送裝置61，用以傳琥曰圓w .古扯二权f宜.5周 64，於高精度之溫度管理下62〜 處理裝置65〜68，以高溫將晶圓/二熱處=又—，南溫度熱 -上4〇處下而上依序10段重疊:例如高精度調 ίϊ :=3Λ〇將光阻塗佈雜後之晶圓W加熱 處里’後}t、烤裝置75〜79，將顯影處理後之晶圓w加熱處理。

，5處理裝置群G5由下而上依序1Q段重疊著將晶圓w熱處 理之複數之祕理n例如高精度調溫裝置8G〜83 曝 ====裝置」)_，於曝光後而 PEB裝置84〜89具備如圖4所示的熱板9〇以作為熱處理板, 用以載置例如晶圓W而加熱。熱板9〇具厚度且略呈圓盤形狀。 又.，該熱板90劃分成複數例如5個熱板區域氏、&、&、山、 Rs。而且，例如從平面觀之，熱板9〇係劃分成熱板區域&，位於 中央部而呈®形；與熱板區域r2〜r5，將熱板區域&之周圍呈圓 弧狀而分4等份。 1379613 純板9〇之各熱板區域Rl〜R5各別内建有藉供電而發熱之 R ，且可各個熱板區域Rl〜R5地加熱。各熱板區域Rl〜 ίΐίί91的發熱量’絲由例如溫絲織置92而調整。 :ιΓ二:置92調整各加熱器91的發熱量，可將各熱板區域Rl #拉5 士 Γ Γ控制到％定之設定溫度。溫度控制裝£ 92❸溫度設定 係藉由如後述之温度設定.裝置150而進行。 之卢所7^，於第1運送裝置10之X方向正向側配置有複數 置、ΐίι°又如圖3所示，係由下而上依序2段重疊著附著裝 ^ ^ G1，用以將晶圓1疏水化處理。如圖1所示，在第2運 之Λ方，正向側則配置有邊緣曝光健102，用以僅將 仿Η曰曰圓W之邊緣部加以選擇性地曝光。 延伸ΐ面站4設有晶圓運送體111，移動於朝χ方向 可卜中ΐϊϊ線 ；與緩衝晶随盒112。晶圓運送體m 相鄰介面站方向旋轉。又，該晶圓運送體111能朝著 事置群未圖不之曝光裝置、緩衝晶_盒112、第5處理 褒置群G5罪近，以運送晶圓w。 微之塗佈顯影處理系統1中，進行例如以下之光 ®盒‘台5上。3，由晶圓運送體7，從晶圓 運钱创122曰曰因片片地取出未處理的晶圓W，依序 曰鬥W 处王裝置群G3之調溫裝置60。運送至調溫裝置60的 溫度，其後藉岭1運送裝置，再運= 則藉由第]"運反射防止膜。已形成反射防止膜之晶圓W， 調^裝置7〇壤ίΐ?溫度熱處理褒置65、高精度 光阻含你驶、各裝置施加既疋處理。接著，將晶圓W運送到 置置ί，待晶圓w上形成絲膜以後，藉由第1運送裝 L第到預烘烤裝置71，施加預烘烤處理。再來

产置11 ’將晶圓#依序運送到邊緣曝光裂置.1〇2、 j度齡裝置83，且於各裝置施域域理H J 之曰曰圓運送體111 ’將晶圓送到未圖示的曝光裝^，加以 12 1379613 • 曝光。再藉由晶圓運送體111，將已結束曝光處理之晶圓w運、、 例如PEB裝置84。 迗’ . PEB裝置84中，載置晶圓W在一片事先將熱板區域心〜汉 ' 各別設定於既定溫度的熱板90上，以進行曝光後的烘烤處理。5 晶圓W結束曝光後的烘烤處理以後，係藉由第2運送震置^ =運送到高精度調溫裝置81以調節溫度。接著，運送晶圓'^到 影處理裝置30，將晶圓W上之光阻膜顯影。再來，藉由第2運^ 裝置11 ’運送晶圓W到後烘烤裝置75，施加後烘烤處理。其後，' 運送aa圓W到南精度調溫裝置63以調節溫度。然後，藉由第1運 Φ ，裝置10，運送晶圓W到傳送裝置61，且藉由晶圓運^體7，^ 晶圓W回到晶圓匣盒C，而結束一連串之晶圓處理的光微影製程。 再3兒’於上述塗佈顯影處理糸統1中，如圖1所示地設有線 寬測定裝置120，用以測定作為基板的處理狀態之光阻圖案的線 寬。该線寬測定裝置120設於例如晶圓匣盒站2，且如圖5所示地 包含載置台121，用以將晶圓W水平載置；與光學式表面形狀測定 儀122。載置台121呈例如X—Y平台，可沿水平方向之2次元方 ，移動。光學式表面形狀測定儀122包含光照射部123，對著例如 晶圓W而由斜向照射出光；光檢測部124，檢測從光照射部123 所照射而晶圓W反射出的光；與計算部125，依據該光檢測部124 ® 的受光資訊，計算出晶圓W上之光阻圖案的線寬。依本實施形態 的線寬測定裝置120，係採用例如散射測量（Scatter〇me1：ry)法^ • 測定光阻圖案的線寬；計算部125中，將光檢測部124檢測出之 晶圓面内的光強度分布，及事先儲存之假想光強度分布二者加以 對照，再計算出對應到該所對照之假想光強度分布的光阻圖案的 線寬，藉此可測定光阻圖案的線寬。 又’線寬測定裝置120藉由使晶圓w對著光照射部123與光 . 檢測部124相對性地水平移動，可測定晶圓面内之複數位置的線 寬。線寬測定裝置120的測定結果可從例如計算部125輸出到後 ' 述之溫度設定裝置150。 13 1379613 其次，對於上述PEB裝置84〜89之熱板90 ，說明用以進行熱 板90之溫度設定的溫度設定裝置15〇的結構。溫度設定装置15〇 2 3 包 3 例如 47 央處理器（cpu，centrai processing unit)及記憶 體專之通用電腦而構成，且如圖4及圖5 溫度控制裝置92與線寬測定裝置12〇。 按』，、·、槪 如圖6所不，溫度設定裝置15〇包含以下等部分:計算部⑽， ί各種程^ ’輸人部16卜將供作例如熱板90之溫度設定的各 加以輸入；資料收納部162，將供作熱板9()之溫度設定的 以收納；程式收納部163，將供作熱板9G之溫度設定 、>1—梦53以=納；與通訊部164’於溫度控制裝置92與線寬 =疋裝置120之間，將供作熱板9〇之溫度設定的各種資訊加 訊0 其部⑹收納有程式ρι ’該程式ρι如圖7所示，從 :处爿心之晶圓面内之測定線寬的面内傾向Z，減掉藉由後 =算出而作為改善分量之改善面内傾向Za，以 面内Ί1二5ί溫ί修正值變更設定後(改善後），面内之線寬的 、、田产善面内傾向Za，係藉由各熱板區域R1〜R5之 飢度修正值變更設定而加以改善的線寬之面内傾向。 传如圓7二狀、線寬的面内傾向Z或改善面内傾向Za， Γ尼克(Μ)多項式所分解成之複數之面 m貝向刀里Ζι(ι =1〜n、讀、}以上的整數）表 在此，進一步說明任尼克多項式。任尼 ，常用的複變函數(Complex Functi〇n)，其半徑為=== 應〇用面上^當作實函錄al Functi〇n)使用）』 (Polar C〇〇nhnate)之自變數(a_ent)( r 。= 項式在光學領域中，主要使用於解析透镑 此任尼克夕 量可得到依據各個獨立之波*，例如山型、=等 14 1379613 於本實施形態中’將例如晶圓面内之線寬的面内傾向z、za 沿晶圓面上的高度方向顯示，而掌握為上下起伏於晶圓面内的^ 面。七述面内傾向z、Za係採用藉任尼克(Zernike)多項式所八解 成之複數之面内傾向分量Zi而表示，例如上下方向之z 1 方_斜分量、γ方向傾斜分量、凸狀或凹㈣ 刀里ί。^ ’各面内傾向分量Zi的大小可用任尼克係數表示。 ，不各面_向分量Zi的任尼克係數可具 變數（r，Θ) ’崎由以下之通式表示。 雜心之自 Z1⑴

Z2(r · cos (9) Z3(r · sin0) Z4(2r2-1) 25(r2 · cos2 Θ ) Z6(r2 · sin2 0) Z7((3r3—2r) · cos 6^) Z8((3r3—2r) · sin 61) Z9(6r4 —6r2+l) 本貫方&形態中，例如任尼. 值(Z方向偏移分量），任尼數:頁了晶圓面内之線寬平均 克係數Z3顯禾y方向傾 曰、2 ;不X方向傾斜分量，任尼 量。 ” 1 ’任錢倾24、Z9顯示彎曲分 又’程式收納部‘ 7a , 面内傾向Za 乙 a--ΙχαχΜΤ 式⑴計算出上述改善面該程式P2採用如下的通 ⑴ 通式（1)之α係 sα你晶圓而 換J數的光阻之熱敏感度；M 動量及日日日圓線寬二者之轉 之咖度修正值及晶作為各熱祕域防〜防 里一者的函數F(T)。了係各 15 1379613 熱板區域Ri〜R&之溫度修正值β 通式（1)之計算模式ft{為一種相關 溫度變動量及溫度修正值τ二者的相式1面内之 面内，〜因為如上述採用藉任尼改善 之複數之面内傾向分量Zi而表示，=夕項式所分解成

使用特定條件之任尼克係數所表示之、(面 =圖、仏 m(熱板區域數）列的矩陣式。 向刀里數）行X 計算模A M依序使例如熱板區域Rl〜R之各 C，測定於各該情況時之晶上升1 該許多點的溫度變動量，叶的/瓜度，交動夏，且從 係數)之晶圓面内的溫里度變;任尼克 單位溫度變動的溫度變動量表示為矩陣之每 ，於本實施形態中，熱板區域數之i5) i、j( 、 ⑵所而算各出熱無❹〜Rs的溫度修正值τ係採關如以下之通式 Τ 1 χ 1/α χ Μ'1' .⑵ (pseulo^ Wse 向；T係各熱板収線寬的面内傾 算而出。 之μ度修正值的近似值，由通式⑵計 媒體安朗溫度設定裝置15G取GD 4猶舰，也可從該記錄 度設ίϊ理對=^^溫_裝置⑽，說明其所為溫 之晶圓處_^‘#^=「^^如上述已結束一連串 運达到晶盒站2的線寬測定裝置120， 1379613 測定於晶圓面内之光阻圖案的線寬(圖1〇之 .

η所示’測定晶圓面内之複數之測^點Q的、H 應於熱板90之各熱板區域Rl〜R5的各晶^測^出對 w4、寶5的線寬。 圓匕埤Wi、w2、w3、 將晶圓面内之線寬測定結果輸出到溫度定 定裝置⑽中，從例如晶圓區域W1〜W5溫度設 =1定值計算以圓面内之測定線寬的面内 向Z’如圖8所示地使雜尼克多項式計算出 Ζι(ι=1〜n)(圖1〇之步驟S2)。 之面内傾向为堇 声修ΐί;採用通式(2)計算出熱板90之各熱板區域R!〜R的、，田 之二。此時’如圖12所示’將上述晶圓面内之測定i官1 面内傾向z的各面内傾向分量zi(卜代 =疋線寬之 測定線寬之複數之面内傾向分量Zi、 二二項。 =可改善的面_向分量，如Z1、Z2、Z3 卜之無法改善的面内傾向分量。而 ^^ ^ 陣的計算模式Μ—”而作近赠I虛擬反矩 計算出令可改善的面内傾向分量丨 之溫度修正值τ丨、丁2、τ、τ 」于之各熱板區域Ri〜& ί算各面式2的τ項。藉由該通式⑴， S4)。又，士 H 异出改善面内傾向z_ 10之步驟 修正值!？ τ5之設定所以二中傾=的分量則為藉由溫度 面内^ Ζ減掉改善 而變更各熱祕域Ri〜R5之溫度修的面曝Zb， 用通内==圓:内，寬測定結果， 、向a再從現狀之日日圓面内的測定線 17 1379613 ==f 減掉其改善面内傾向Za，而推定溫度設定變更後 或經驗，、而匕’由於不必如以往憑靠操作員的知識 Zb，因此4如變更後之線寬的面内傾向 時間内適正值的設定變更’而可在短 14所t者= 定曰溫 定變更後之線寬的面内傾向办時，係如圖 向i。’而刀曰f論上可改善的面内傾向^與無法改善的面内傾 改盖的倾該晶圓面，測定線寬的面_向2減掉可 Zb :此前接二u直接計算出溫度設定變更後的面内傾向 向Zc理「ί溫3正值之設定變更所可改善的面内傾 =向Hi 實際上，並無法計算出令可改善的面 改呈—4 G」時的溫度修正值而設定之。例如，用以令該可 上向&為「〇」的各熱板區域之溫度修正值τ，伟如 計算而得的近似值。亦即…般說來，由^寬 二域之心 ^ ’因為溫度修正值近似值，故 / 产^ 二理論上仍無法令可改善的面_向以正直 又疋支更後的面内傾向Zb時，其精度會降低。 又 計算出目=⑴== 圓而咖式)實際加以改善的改善面内傾向Za。並且葬由從曰 寬的面内傾向z減掉其改善面内傾向△ 曰 向办。也^是計算出溫度設定變更後的面内傾 就疋5兄&於係依據貫際加以改善之改善面内傾向办 18 印9613 计算出溫度設定變更後的面内傾向Zb，因此可更正確地推定溫度 設定變更後的面内傾向狀態。 又 再加上，實際往熱板90之溫度控制襞置92所輸入的溫度修 正，T，係配合熱板90之溫度控制裝置樣式的特定位數的數值， ，係將由通式(；2)所算出之計算值進一步化整處理而得。因此，理 4上令可改善的面内傾向為「〇」之溫度修正值，以及實際所輸入 度^正值二者的差異更大。從而，就此點而言，如本實施形 匕、又，藉由從實際所輸入之溫度修正值而用通式G)計算出改善面 =員向Za ’再從s亥改善面内傾向Za計算出溫度設定變更後的面 内傾向Zb，則可正確地推定溫度設定變更後的面内傾向及。 紅L’ =之實施形態十’於通式⑴係採用計算模⑽，以作 溫度變動量二者的函 值DΪ面1，ΐ圓面内之複數之_占Q的線寬測定 16所示，投射到含x轴之垂^則疋=的、線寬測定值〇係如圖

Fx。又，複數之測定點Q的線寬的傾斜/刀置 法計算出-__向分*的分布，_最小二乘 由從線寬測定值D之整刀體^量2加亡，藉 與Y方向的傾斜分量Fy，則如=3掉气方向的傾斜分量作 分量之凸狀的彎曲分量F ' 异出-個面内傾向 向z與改善面內傾向z m 了將Ba圓面内之線寬的面内傾 度叹疋係可僅於例如改善面内傾向△之 1379613 大小(變動情形)大於事先設定的臨界值時，才進行 此時，例如於塗佈顯影處理系統丨中 ，數且定期地測定線寬。此外，從藉 内傾向Za，再判斷用以顯示該改善面内傾向ϋ十异出改善面 σ值是否大於事先設定之臨界值。 、’、’例如3 另外’如圖19⑻所示，於改善面内傾向ζ ，不變更熱板區献广心的溫度修正值τ 】=界值 於改善面内傾向Za的3 σ大於臨界值L時，則變更3 =)所τ久， 熱板區域R〗〜R5的溫度修正值T。 …、 各 於晶圓面内之測定線寬的面内傾向z中，判斷出 j面内傾向Za的3.σ衫大於事先設定的臨界值Le =出 ，界值L時，由於將熱板9〇之各熱板區域Ri〜R5心^ 更’因此不會受到例如操作者之經驗或知識所H =使溫度修正值T之設定變更的時機安定化。又，因為僅於 。面内傾向Za變大時，進行溫度修正值τ 合& ==舰修正值τ，嫩溫^值^定以 再來’於此例中，係以改善面内傾向^的以是否大於 Ϊ的^丨機技進行溫纽定之變更；但亦可將改善面内傾向 與其私界值味關斷是錢行溫度蚊之變更。 差值 伯夫:2，一邊參照附加圖式’ 一邊說明本發明之最佳實施形能； ^本，明並不限定於此例。很顯然地，只要是熟悉本項技術二 =在記載对請專利範_思想範關可思及各種之變形例或 例，该等變形例或修正例，當然也屬於本發明之技術性範圍。 域;搔將溫度設定後之熱板9〇分割成5個區 可任Ϊ :思選擇。而且，熱板90之分割區域的形狀也 任思k擇。上述貫施形態係依據晶圓面内之線寬，而對ρΕΒ裝 1379613 ill之熱板9G進行溫度奴_子；μ麵烤裝置或後供烤 裝予專進打其他熱處理之熱板的溫度設定時，或者進行用以冷卻 晶圓w之冷卻處理裝置之冷卻板的溫度設定時，也可適用本發 明。又’於以上之實施形態中，係依據晶圓面内之線寬而進行熱 板的溫度設定；但也可依據晶κ_之線寬以外的其他處理狀’、’、 態，，例如光阻圖案之凹槽侧壁的角度(侧壁傾角，sidewallangie) 或光阻圖案之膜厚而進行腦裝置、預烘烤裝置、後烘烤裝置等 之熱處理板的溫度設定。甚且，以上之實施形態中，係 ^程後’依脑職婦之光_㈣線寬而進行熱板的溫度^ 疋；但也可依雜刻製程後之圖案線寬或側壁傾角(side wall肪㈣ 而進仃熱處理板的溫度設定。進而，對於將晶圓以外之例如FpD(平 =面板顯示H)、光罩用的初縮遮科其他基板加以熱處理的熱處 理板，本發明也可適用於其等溫度設定。 產業上利用柹 t發鴨進行用以載置基板以施行熱處理之熱處理板的溫 没疋時，係具有其效益。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示塗佈顯影處理系統之概略結構的俯視圖。 圖2係圖1之塗佈顯影處理系統的前視圖。 圖3係圖1之塗佈顯影處理系統的後視圖。 圖4係顯示PEB裝置之熱板之結構的俯視圖。 圖5係顯示線寬測定裝置之概略結構的說明圖。 圖6係顯示溫度設定裝置之結構的區塊圖。 盖而^係顯示從現狀之晶圓軸之败的面内傾向減掉改 善面^向’計算出溫度設定變更後之面_向_容的說明圖。 Θ八二、、巧不藉^任尼克多項式而將晶81面内之線寬的面内傾 向刀解成複數之面内傾度分量之狀態的說明圖。 21 1379613 圖9係顯示計算模式之一例的矩陣式。 圖1〇係顯示溫度設定處理的流程圖。 ^ 晶圓面内之線寬H點的說明圖。 溫度=值蝴科式⑵’代,魏寬之面_向分量計算出 之的說 明圖圖㈣顯示線寬測定值之變動傾向沿x方向之傾斜分量的說 明圖irn係顯示線寬測定值之變動傾向沿y方向之傾斜分量的說 圖18係顯示線寬測定值之變動傾 值二係顯示改善面内傾向的3σ大二 界 【主要元件符號說明】 1〜塗佈顯影處理系統 2〜晶圓匣盒站 3〜處理站 4〜介面站 5〜晶圓匣盒載置台 6〜運送路線 7〜晶圓運送體 10〜第1運送裝置 11〜第2運送裝置 20、21、22〜光阻塗佈裝置(c〇T) 23、24〜底部塗佈裝置(BARC) 22 1379613 30-34〜顯影處理裝置(DEV) 40、41〜化學品室(CHM) 60〜調溫裝置(TCP) 61〜傳送裝置(TRS) 62、63、64〜高精度調溫裝置(CPL) 65-68〜高溫度熱處理裝置(BAKE) 70〜高精度調溫裝置(CPL) 71-74〜預烘烤裝置(MB) 75-79〜後烘烤裝置(POST) 80-83〜高精度調溫裝置(CPL) 84-89〜曝光後的烘烤處理裝置(PEB) 9〇〜熱板 91〜加熱器 92〜溫度控制裝置 100、101〜附著裝置(AD) 102〜邊緣曝光裝置(WEE) 110〜運送路線 111〜晶圓運送體 112〜緩衝晶圓匣盒. 120〜線寬測定裝置 121〜載置台 122〜光學式表面形狀測定儀 123〜光照射部 124〜光檢測部 125〜計算部 150〜溫度設定裝置 160〜計算部 161〜輸入部 162〜資料收納部 23 1379613 163〜程式收納部 164〜通訊部 C〜晶圓匣盒 D〜線寬測定值

Fx〜一個面内傾向分量之；X方向的傾斜分量 Fy〜一個面内傾向分量之γ方向的傾斜分量 Fz〜一個面内傾向分量之凸狀的彎曲分量 G1-G5〜處理裝置群 L〜臨界值

Μ〜計昇模式，顯示晶圓面内之溫度變動量及溫度修正值二 者的相關 _ j * Μ〜計算模式Μ之近似性逆函數的虛擬反矩陣 Ρ1-Ρ3〜程式 Q〜測定點

RrR5〜熱板區域 T〜各熱板區域之溫度修正值 W〜晶圓

WpWs〜晶圓區域

Z〜晶圓面内之測定線寬的面内傾向 Zi〜面内傾向分量 Za〜改善面内傾向

Zb〜溫度設定變更後之面内傾向 Zc〜可改善之面内傾向 Zd〜無法改善之面内傾向 α〜基板面内之溫度變動量及基板之處理狀態二者的轉換係 數 &熱板區域之溫度修正值與基板面内之溫度變動量二 24

Claims (1)

1379613 *' 101年8月G曰修正替換頁 I 96138975(無劃線)__ 十、申請專利範圍： • h 一種熱處理板之溫度設定方法，該熱處理板係用以載置基 板以施行熱處理； 將該熱處理板劃分成複數之區域，可對該區域分別作溫度設 定，而且於該熱處理板之各個區域，可設定用以調整熱處理板之 面内溫度的溫度修正值； 其特徵為：

針對已結束包含該熱處理之一連串之基板處理的基板，測定 基板的處理狀態，且從該測定到之基板的處理狀態，減掉藉由變 更熱處理板之各區域的溫度修正值而加以改善之改善分量，藉此 計算於熱處理板之溫度修正值變更後之基板的處理^態；曰 而且，該改善分量係藉由以Za=—lxaxF(T)表示1通式所算 出（此通式中，Za :改善分量、α :基板面内之溫度變動量與基板 之處理狀態二者的轉換係數、F(T):熱處理板之各區域之溫度修 正值與基板軸之溫度鶴量二者的函數、τ :熱處理板 之溫度修正值）， 並且、，該基板之處理狀態或該改善分量，係制任尼克多項 式分解成複數之面内傾向分量而表示。 2.如申請專利範圍第1項的熱處理板之溫度設定方法，其中， ，處，板之各區域的溫度修正值τ為近健，係從該測定到的 基板之處理狀態計算出複數之面_向分量，再於該複數之面内 二 =計算方式求出藉由變更熱處理板之各區域的 /皿度多正”善之面内傾向分量成為「G」時的溫 並中1或2項的熱處理板之溫度設定方法’ =圖基板處理’係為於光微影製程中在基板上形成 4.如申請專利範圍第3 _熱處理板之溫度設定方法， 5亥基板之處理狀態係光阻圖案的線寬。 5·如申請專利範圍第3項的熱處if板之溫度設定方法，其中， 瀘 25 1379613 該熱，理料树歧理後且於齡彡翁騎進^ • -種程式產品，用以使電腦執行申請專利範圍第1至 中任一項的熱處理板之溫度設定方法。 項 電腦可讀取的記錄媒體’記錄著用以使電腦執行申請 專利，圍弟1至5項中任—項的熱處理板之溫度設定方法的程式。 .種熱處理板之溫度設定裝置，該熱處理板係用 板以施行熱處理； 執置巷

—將絲處理板劃分成複數之區域，可對該區域分別作溫度設 疋，而且於邊熱處理板之各個區域，可設定用以調整熱處理 面内溫度的溫度修正僚； ______ 其特徵為： /、有種功月b，係針對已結束包含該熱處理之一連串之基板 S的基板，測定基板的處理狀態，且從制定到之基板的^理 狀L ’減^藉由變更熱處理板之各區域的溫度修正值而加以改善 改善^量，藉此計算於熱處理板之溫度修正值變更後之基板二 處理狀態； 而且，6亥改善分量係藉由以Za=—lxaxF(T)表示之通式所算 ，（Za ?文善分i、α .基板面内之温度變動量與基板之處理狀態 二者的轉換係數、F(T):熱處理板之各區域之溫度修正值與基g 面内之度變動量二者的函數、T :熱處理板之各區域之溫度修正 信1， 並且，5亥基板之處理狀態及該改善分量，係採用任尼克多項 式分解成複數之面内傾向分量而表示。 、 ^ 9.如申請專利範圍第8項的熱處理板之溫度設定裝置，其中， 該熱處理板之各區域的溫度修正值τ為近似值，係從該測定到的 基板之處理狀態計算出複數之面内傾向分量，再於該複數之面内 =向分量中，以近似計算方式求出藉由變更熱處理板之各區域的 /jm'度修正值所可改善之面内傾向分量成為「0」時的溫度修正值。 10.如申請專利範圍第8或9項的熱處理板之溫度設定裝置， 26 1379613 96138975(^ 、 其中，該一連_的基板處理係為於光微影製程在基--- 圖案的處理。 11.如申請專利範圍第1〇項的熱處理板之溫度設定裝置，其 中，該基板之處理狀態係光阻圖案的線寬❶ 一 ^2·如申請專利範圍第10項的熱處理板之溫度設定巢置，其 :亥熱處_為在曝光處理後且於齡彡處理前所献的加熱處 27 1379613 十一、圖式= 101年8月G日修正替換頁 96138975(無劃線）

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