1379317 • 卜f年4月日條正替換莨 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種導電板及其製作方法，特別是一種導電板所 -· 載導電薄膜之拉伸處理方法。 【先前技術】 隨著半導體製程的不斷演進與設備的開發，液晶面板的尺 寸也隨之逐漸增大。由於透明導電基板是製作液晶面板所必須的 元件，且透明導電基板的尺寸必須大於或等於液晶面板的尺寸， 因此對於透明導電基板的尺寸也要求隨之增大。常見的透明導電 基板是在基板上形成透明導電膜。 一般的透明導電膜（Transparent Conducting Film，TCF)由於 同時具有透明與導電兩種特性，因此廣泛使用於各式平面顯示器 (Flat Panel Display ’ FPD)、觸控面板（TouchPanel)、電磁波防 護與太陽能電池（Solarcells)等。 目前最常使用的透明導電膜的主要材質以銦錫氧化物（Indium
Tin Oxide，ITO )、氧化錫（Tin Oxide，Sn02 )、氧化辞（Zinc 0xide，
ZnO)等為主。其中ITO因具有高透光性與良好的導電性，因此 液晶面板所使用之透明導電基板大多是在基板上形成IT〇透明導 ' 電膜。其中因ιτο透明導電薄膜具有導電性，因此具有ΙΤ〇透明 導電膜的基板又可稱為導電板。 ΙΤΟ透明導電膜是利用真空濺鍍的製程方法，在基材上濺鍍 ΙΤΟ所形成’這些基材例如是玻璃、聚對苯二曱酸乙二酯 (Polyethyleneterephthalate，PET)等。但隨著基板的尺寸增大’ 3 1379317 I ~〖年^月1丨曰修正替換頁' 所品要的真空滅鑛設備也愈發cp貴’同時在基板上所形成的ITO 透明導電膜之均勻性也愈發難以控制。因此尺寸越大的導電板， 其價格總是居高不下，使得成本控制不易。因此尋求替代IT0的 材料成了最主要的課題。 【發明内容】 本發明提供一種導電板及其製作方法’用以避免在製作大尺 寸的導電_，因作ΙΊΌ咖導f關設倾格昂貴且作ΙΤ0 透明電膜的均勻性控制不易，而無法降低成本。 為了達到上述的目的’本發明揭露—種導電板的製作方法， ;以 -步驟.首先提供基板與經過拉伸處理之導電薄膜 及利用基板承載導電薄臈上。 / ' 植成膜的製作方法包含：首先形成由複數奈米單元所 結構。集“構；以及雜集合結構具—定排顺向之薄膜 上述之忒等奈米單元可為非等向性^ ΐ=:結構之步驟可利用拉伸處理轉換二二4 排列配向。—_==^特w可係垂直於 薄膜先行縣電板及其製作方法，藉由將導電 面可提高先學料，，提升導輯_有效面積，另-方 -一步可將拉伸處理過的導電薄膜承裁於 4 fg (年月r 1日條正替檢有 基板上’以得到大面積、高透明度的導電板。 ^ ㈣本發明的4寺徵與實作，兹配合圖示作最佳實施例詳細 g兒明如下。 【實施方式】 本發明導電板的製作方法中各步驟的一具體實施例將參职 第1A圖」至「第1B圖」進行說明。 睛先參照「第1A圖」，於—具體實施例中，導電板的製作方 法中的第一步驟係提供一基板1⑻。於此實施例中，基板聊可為 透明材質基板。透明材質基板可包含玻璃基板、高分子透明材 質基板。其巾高分子透明㈣基板可為包含有聚曱基丙烯酸甲酷 (P〇lymethylmethaerylate，pMMA )、聚對苯二甲酸乙二酉匕 :terephthalate，pET )或聚碳酸醋樹』 P〇—ate ’ P C)之基板。然’在本發明之基板為高分子透 明材貝，板之情況下’高分子透明㈣並不以上侧為限，亦可 為其他南分子透明材質。 再參照「第m圖」’導電板的製作方法中的第二步驟係提供 經過拉伸處理之導電薄膜勘，並將導電薄膜·承載於基板觸 二，導電薄臈200可於提供前，事先經過—次或―次以上的 拉伸處理触。朽之，驗魅少―:域倾理 設置於基板100的-側上。 守电職湖 請合併參照「第2A圖」至「第2C圖」，分別說明本發明之 導電賴製作綠各步驟的-第—具體實施例。 方去St照牛「第Μ圖」，於—具體實施例中，導電薄膜的製作 方法中的第-步驟係形成由複數奈米單元2〇1所組成之一集合結 ^/9317 構210。其中複數奈米單元2〇1所組成之-集 弧，電法（arc discharge)、雷射蒸發法（Ι· vap〇rizati〇n)或有 機氣相讥積法（chemical vapor deposition)等而形成於基材3〇〇上。 上述之基材300可以為晶圓、石墨或石英等。上述之奈米單元加 可以為非等向性形狀之奈米單元，所謂非等向性形狀之奈米單元 係形狀上長度與紐相異之奈米單元，例如是奈米碳管、奈米粒 子等。 再參照「第2B圖」與「第2C圖」，導電薄膜的製作方法中的 第二步驟係轉換集合結構21〇成為具一定排列配向之薄膜結構。 其中轉換集合結構21〇成為具-定排列方向來配置之薄膜結構的 步驟可以透過拉伸處理的方式來達成。 詳言之，當上述之複數個奈米單元2〇1中之一奈米單元2〇1 文到外部拉力而離開基材3〇〇時，與該奈米單元2〇1鄰近的另一 奈米單几201會因為與該奈米單元2〇1之間的凡得瓦力的作用而 一併被帶離基材300。於此，當基材3〇〇上的多個奈米單元2⑴ 中，到外雜力而離職材時，其中每—受形卜部拉力的奈 米單7G 201後會串接起複數個奈米單元2〇1以形成一奈米單元束 220’因此可將基材3〇〇上的複數個奈米單元2〇1以第一拉伸處理 的方式形成複數個奈米單元束220,且這些奈米單元束22〇之=係 以一特定程度之排列配向的方向X來配置，例如「第2C圖」中局 部放大圖示中之呈大致平行排列配向。 11 於此’導電薄膜200具有一定排列配向設置之複數個組成單 元，且該複數個組成單元的排列配向設置方向實質平行於導電薄 膜200的第-尺寸方向a。換言之，上述之複數個奈米單元束咖 可形成具-定排列配向之導電薄膜勘，其中導電薄膜2〇〇具有第 6 1379317 一尺寸方向A鮮二尺寸柏β，且第一 η卜㈣修正_· 尺寸方向Β，如「第2E R % 《一尺寸方向Α垂直於第二 向的方向X射/工 。導電薄膜200所具有的排列配 向X係大致平行於該第一尺 元201拉伸成導雷㈣_ “ Α將基材上之奈未早 相斜央、、&程需經過第一拉伸處理的方式， 過程。'專膜2〇0在第—尺寸方向八上亦經過第-拉伸處理 =具二定排列配向之導電薄膜綱中局部放大圖示中可看 22〇’二1列配向之導電薄膜200包含有複數個奈米單元束 成。並中母每一束東22202是由複數個奈米單元加所串接而形 ㈣不未束上會有複數個觸鬚延伸連接其他奈 二早7C束220。就具一定排列配向之導電薄膜而言，在沿著特 疋程度排列配向的方向X來配置之奈米單元束22〇的方向上的電 $較小，在沿著相異於特絲度排顺向的方向χ來配置之奈 =早=束220的方向上的電阻抗較大，故所形成之具一定排列配 =之導電薄膜勘具電異向性。在此，所謂的電異向性又稱導電 異向性或㈣阻抗異向性，係不财向上具有不_導電 電阻抗性質之謂。 * 上述之奈米單元2〇1可以為非等向性形狀之奈米單元所1 非等向性形狀之絲單元係形狀上長度蚊度相異之奈米單元°， 例如是奈米碳管、奈米粒子等。所有的奈米單元2〇1可形成特定 程度之排列配向，例如圖示之呈大致平行排列配向。 由於上述之導電薄膜2〇〇包含有複數個奈米單元束22〇，當需 要使導電賊·的厚度變薄時，可在進行如「第m圖」項所= 之步驟刖’先猶上述之導電薄膜2〇〇經過熱處理或雷射處理^ 以使上述之導電薄膜200的厚度變薄。 往人也办月日條正替換頁. 雷、第2八圖」至「第2F圖」，分別說明本發明之導 缚犋衣作方法各步驟的一第二具體實施例。 於上述之「第2A圖」至「第2C圖」的步驟後，亦可接著如 莫番^圖」至「第2F圖」所示’將上述之導電薄膜200沿著與 f膜200所具有的排列配向的方向X相異之-特定方向γ來 =展缚膜結構。上述之特定方向γ可係與方向χ角度差可大於〇 度’小於或等於90度，亦即特定方向丫可以是垂直於方向 頻實施例中’可先行設置相互平行之兩彈性材料·， 、’將母-雜元件㈣贿持張力，以保持每—彈性元件· 2垂降。其中彈性材料係可受外力而變形並於外力移除後恢復 2 ’例如：、橡皮等。接著將上述具有—定排列配向之導 ^專膜200放置於兩彈性材料上，且導電薄膜勘係部 王部固定於彈性材料4〇〇上。 一 士將具有-定排列配向之導電薄臈2〇〇固定於彈性材料彻上 ϋ述之兩彈性材料彻設置的特定方向γ係與導電薄膜· 斤”有的排列配向的方向χ相異，且特定方向γ可係與方向乂角 又差大於〇度’小於或等於90度。當兩彈性材料働設置的特定 方向γ士係與導電薄膜200所具有的排列配向的方向χ差異大致為 9〇度時，此時兩彈性材料働設置的特定方向γ大致平行於雷 薄膜200的第二尺寸方向β。 其憎具有-定排列配向之導電薄膜2〇〇固定於彈性材料 上的方村透過在雜材料上塗佈凡姆朗精等，靜 加彈性材料與具有—定排列配向之導電薄膜觸 ^ 附性。 』叫町貼 於上述之導電薄臈朋固定於兩彈性材料400之後，分別將 兩彈性材料400兩端正替換 處理。此特以向 N* 口疋於兩彈性材料4⑻的導 料400的拉伸，而〜叫以膜200會隨著彈性材 到第-電缚膜在第二尺寸方向B上也合受 到第^拉伸處理而延展以增大導電薄膜200的面積。θ # t—人拉伸處理的方式，除了上述透顯械等直接施力來拉 伸’亦可將導電薄膜2〇〇設置於可延 來拉 延展性姑皙，估私认 才質上’透過延展該可 伸。導+〜 可延展性材f上的導電薄膜2GG也隨之被拉 吹動導㈣雜ί) 、Λ 式’純錢的方式來 _/、 ①米單兀束22G來拉伸導電薄膜200。 致介於二㈣處顿_㈣速度可係大 _ em之間，較雜伸速度騎秒〇 5cm。 的2述將導電薄膜細經過第一次拉伸處理與第二次拉伸處理 透^。可有效的提升導電薄膜200的面積，同時可提高其光穿 =树_露之—種導電板及其製作方法，藉由將導電 穑、^ _人或—次拉伸處理，—方面可提升導電薄膜的有效面 薄膜承載;高絲穿透度，進—步可絲轉理過的導電 賴承載於基板上，以得到大面積、高透贿的導電板。 雖然本發_前述之較佳實_揭露如上，财並義以限定 /明’任何熟習相像技藝者’在不脫離本發明之精神和範圍内， 虽可作些許之更動與潤飾，因此本發明之翻賴細須視本說 明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1A圖〜第1B _為本發明導電板的M作方法各步驟的一 1379317 年gf月日條正替換頁- 具體實施例； 第2A圖〜第2C圖係為本發明之導電薄獏製作方法各步驟的 第一具體實施例；以及 第2A圖〜第2F圖係為本發明之導電薄膜製作方法各步驟 -具體貫施例。 、 100 符號說明】 200 基板 201 導電薄膜 210 奈米單元 220 集合i吉構 300 奈米單元束 400 基材 X 彈性材料 Y 排列配向的方向 A 特定方向 B 第一尺寸方向 第二尺寸方向