TWI378419B - Passive-matrix chiplet drivers for displays - Google Patents

Description

1378419 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 構造 本發明涉及被動矩陣顯示器，其具有易於改善操作的特別晶片載置器 【先前技術】 平板顯示器結合電腦裝置，在便攜裝置中，以及在娛樂裝置如電視中 破廣泛應用。所述顯示器典型地採用分佈在基板上的複數個像素以顯矛影 像。每個像素包括通常被稱為子像素的幾種不同色彩的發光耕，典型二 發紅光、綠光和藍光，以呈現每個影像元素。此處所用的，像素指單一發 光，件或-組不同色彩的發光元件。已知多種平板顯示技術，例如電聚顯 不器、液晶顯示器和發光二極體（LED)顯示器。 ’、 _發光二極體（LEDS)，包含形成發光元件的發光材料薄獏，在平板顯 示器方面具有許多優勢且在光學祕非mTang f人在美國專利第 6,384,529號中顯示了包括有機LED發光元件陣列的有機咖（〇l則色 ，顯示器。或是，採用有機材料且在多晶半導體矩陣中包括發碟光液晶或 ϊ子點。也可_其他有機或無機材料薄魅制電荷注人 光薄膜材料，且在現有技術中為已知的。在基板上之間放置發 具有封裝蓋層錢。當錢通過發狀料時，光雜素發射。發光頻率依 賴所使用材料的本質。在這麵示器中’光通過基板（底部發射器 過封裝蓋（頂部發射器）或兩者均可被發射。 LED裝置包括圖案化的發光層，其中當電流通過材料時，圖案内採用 不同材料以發出不同色彩的光。或是，可以_單_發光層，例如，白色 光發射器’連同彩色濾、光片形成全色顯示，如cok在美國專利第6取355 號中所教示。也可採用不包括彩色濾光片的白色子像素，例如，Cok等人 在美國專利第6,919,681號中所教示。該發明和其他發明教示一種設計，盆 採用無圖案的白色發射H連同四色像素包括紅色、綠色和藍色彩色滤光片、 和子像素以及未過遽的白色子像素，以提高裝置的效率（見例如^^等 人在美國專利第7,230,594號）。 已知用於控制平板顯示器内像素的兩種不同方法：主動矩陣控制和被 1373419 2陣控制。在主動矩陣裝置内，基板不包括任何主動電子元件（例如電 明體Μ板上形成單獨層_龍_列和行電極垂直陣列；列和行電 極的乂疊處械發光二極體的電極。然後外部驅動晶片依次為每列（或行） 供應電w ’同時垂直的行（或列）供應合適的電壓以照亮列（或行）内每 個發光二極體。因此，被動矩陣設計採用h連接以生產η2獨立可控的發光 2 ，因為列（或行）列驅動產生頻爍的順序本質，被動矩陣驅動 gt k裝置内的列（或行）數上受限。如果包括太多列，閃爍成為可 ^的。此外’驅動顯示器内整列（或行）所需的電流是有問題的，且 像預士電所需的功率和PM驅動的放電步驟成為pM顯示增長區域地 位。這兩個問題限制了被動矩陣顯示器的物理大小。 非曰矩陣裝M，主動㈣元件制半導體材料_膜形成，例如 佈在平板基板上。—般地，每個子像素係由一個控制 工，並且母個控制碰包括至少一個電晶體。例如，在簡單主動矩 :=曰(=)顯示器内’每個控制元件包括兩個電晶體(選擇電晶 ^ = 電容器’用於儲存電荷，詳細說明子像素的亮度。 I固發光7C件-般採用獨立的控制電極和公共電極。發光元件 由賢料信號線、選擇信號線、電源連接和接地連接提供。主動矩陣 夠被分佈在基板上且在需要空間分佈控制的其他 和;== 動矩陣裝置内也可採用，而，在主動矩陣裝置== 讀具有來自控制電路之單獨的驅動連接，且其為主 沉積，以便消除閃爍。 丨使木k擇貧科 形成主動矩陣控制元件的方法為典型地在玻璃基板上 ’然後通過光刻技術過程，將半導體材料形成 電日曰體和電⑼。細柯為非晶f或多晶。與由結㈣晶 電晶體相比’由非晶質或多晶碎製成的雜電晶體（Τ 且 。這種薄膜裝置典型地顯示玻璃基板内局部二二二 γ勾性，其導職子性能轉均勻性及採用麵㈣的顯示器的視覺外 採用可選擇控制技術，Matsumura等人在美國申請公開第雇卿觸 號 性:裝顯置示:^^ Α拓Μ㉟^控制裝置的方法，該像素控織置由在第二平面顯示 =排和㈣:半導體基板製成。顯示了像素控制裝置内的線路連接以及匯 桃排和控制電極和像餘織置之間的連接。 匯 並且利用軸不器設計在發光元件的大小和數量上有所限制， 題的，有必__些問 【發明内容】 根據本發明，提供—種被動轉顯示器，包括·· 該第二3第—層、该第一層内每行的祿數個獨立行電極、 ΐ，該等r雷;^個列電極以及位於該第一層和第二層之間的發光材料 1;^« τ °該等列電極在該等行電極和該等列電極交疊處形成像 個、數個as片載置g ’每個晶片載置11與位於該顯示區域内—個或-“ 載置轉連接並驅動獨立行電極的單獨 二其中子/ ’以_像素内發光材料發光’· =^ 另-個對應每個獨立行電極、以及行驅動器，用於 驅動與其連接的每個獨立行電極具有對應像素亮度值；且 每個^載m步包括列购11，祕軸與其連接的每 個對應列電極、以及用於控制列驅動器的列控制移位暫存器。。 ^ S發Γί有町優勢，晶#載置器像素驅動示11内提供增進的 均=性和冗度。藉由提供具有晶片載置器驅動器的顯示器，該晶片載置器 ，動\有列和行電極與列和行電極的連接形成像素，減少了連接塾的數 =以=片載置ϋ的大小和數量。複數個像素組提供減少的_及功率需 =”__並且’當安置與像素組的列和行有關的晶二置器 部/刀時’降低了線路困難且增加了孔捏比。此外，改善了晶片載置器熱分 佈且減少了不同晶片載置器的數 量 【實施方式】 其包括區=發=示^的實施例’基板10具有顯示區域η， 過控制信號7_顯示器響^像G；^t。控㈣4G係、連接且可透 個獨立行電極12在第一Hi 第2圖和第3圖所示，複數 以不同於行方内以仃方向延伸，複數個列電極16在第二層内 30之二維陣列^的像°延=。發光材料層位於第一和第二層之間；像素 如此處所用，、二在4丁電極12和列電極16重疊處形成。 在每行必須具有$ 向延伸的複數個獨立的行電極12意味著，顯示器 極12朝像素3G的^個^車電極12以行方向延伸，以便沒有行電 像素陣列内每-行偯音由$小向以订的方向延伸。因此，據本發明， 的顯示4個獨立的行電極12麟，以及根據本發明 少兩個獨立二電^固獨立的行電極12 °第8圖說明在每行中至 為那歧與獨立行延伸。觸立行電極共有的公共列電極係 -興獨立仃電極電連接（通過發光層14)的列電極。 位於個或·'個以墙載置112G，每刪載置， 電連接。^ I:域11 ’經連接塾24與—個或—個以上獨立的行電極12 ，订電極係意味著每個行電極12係僅與-個晶絲置器20 从/且其驅動。每個晶片載置器20係電連接並驅動獨立的行電極12 的^獨子集’且電連接並驅動列電極16的子集（如第5A圖和第5b圖顯 j八’_用以導致每個像素3〇内發光材料14發光。在第2圖中，顯示區域的 部分示_，騎楚表示，晶片載置器2G係顯示在列和行電極i6、12之 上（如第5A圖和第5B圖顯示）；實際上，如圖所示，晶片載置器2〇可在 電極12、_16的下面，且與電極12、16直接連接（如第5八圖和第5b圖顯 不）’或經由電連接器56和穿孔50連接。在第2圖中，為了清晰省略一些 列電極16和行電極12 〇在第2圖中，所示的晶片載置器具有相等於電極 12、16 gg距之連接墊24節距。此種排列有利於將電連接器56減到最少， 該排列可導致晶片載置器20大於所需。在另一實施例中，如第3圖，電連 接器必須自連接墊途經較長的相對距離至電極。在第3圖中，為了清晰省 1378419 n塾和，。本發㈣用在頂部物發綱 r 發綠構可料録提高孔f 素，轉置:共用的像素為列電極與第一晶片載置器電連接的像 連接。像素的獨立行電極係與不同於第—晶片载置器的第二晶片載置器電 移位每_載置器2G包她_移位暫賴42，用於 電極 發光值從單獨暫存器44驅動至電連接’電=像素 =:==位暫存器=== 存器可驅動來自晶片載置器的輸出信ί在最後暫 成大型㈣亮度暫存器存器的輸入連接，以形 片載置器列内被鄰近安置。 的曰曰片載置15在顯示區域的共用晶 4Β 比的’蝴蜀暫存器44可儲存類比值，如電荷。參看第 犯圖，母個Β曰片载置器2〇包括列控制移位暫存器* 了參看第 控制信號49經辟獨的㈣移位暫存⑽。在本伽地移位列 #號49為數位的，單獨移位暫存器為正反器 1。，列控制 ，有輸入和輸出;每個晶片載置器内串聯二:=每個 輸入，且每個晶片載置器内㈣的最後暫存器可==可具有外部 出信號。列控制信號仍能使單一列驅動器54每次經自^片載f器的輸 f：極。列控制信號49可為旋轉信號，轉 連接器％驅動列 位暫存器_紐暫存器，錢被轉移至顺制移位控制移 器。列控制移位暫存器可能被完全包括在單 =中的第-暫存 複數個晶片載置器。在以下情況中， ^片载置15内或串聯可包括 聯内的最後晶片載置器轉移至串聯内:第二晶線^ 可能重置列控=號49，並且列控制移位 置二二者，外部信號 第5A圖為第2圖沿5A路線的剖面圖 =^疋轉。 的剖面圖。參看第5A圖和第5B Y第2圖沿5B路線 在實施例中，本發明包括顯示器， 1378419 =二==接’並且在，咖”共用 ί本發明—實施例中，參看第6圖，每個晶片載置器2G可具有至少第 -晶片«ϋ部分鳳、2阳，兩個部分在晶片載置器如上的公丘 躲處沿不同方向延伸。第-和第二部分可為臂狀，例如“+”符，ς =常用來代表鮮符_加法）。（“χ，，符號也可認為是“+”符號的 第一晶片載置器部分20Α可具有在第—方向延伸的第—軸—，及第二晶 片載置器部分2GB具有在與第-方向不同的第二方向延伸的第二轴加3。曰 =同的方向相互垂直，如同顯示區域㈣和行電極的方向也相互垂直。第 或第一軸其中之一能在與列方向或行方向平行的方向延伸。 如第2圖至第6圖所示，晶片載置器部分胤包括與行電極電連接的 接墊24,以及晶片載置器部分2〇B包括與列電極電連接的連接塾24。此 類晶域置器形狀和連接墊·易於顯示區域内電連接的有效佈局，並增 加顯不區勒祕發光的區域，提高顯示壽命和影像品質。第2圖至第6 圖的連接墊24以單-列說明，本發明可選擇實施例的連接塾沿著晶片載置 器的長度以複數個列排列，例如兩列（第7圖）。 本發明提供-種方法’獨立地鋪在單躺赫贿像素财之複數 組像素。由於雜像素能侧雜制，藉域少像素_醜和減小電極 大小，可減少習知技術中被動矩陣控制顯示器存在的問題（例如，頻閃、 大電極電阻和尚電流）。本發明的列和行電極16、12以不同構造與本發明 各種實施例的不同晶片載置器連接，以提供被動矩陣控制像素組的不同陣 列。 參看第7圖，根據本發明實施例，一個晶片載置器2〇可驅動具有第一 組公共列電極16A的一個或一個以上第一獨立行電極12A，且相同的晶片 載置器20可驅動具有不同於第一組公共列電極16A的第二組公共列電極 16B的一個或一個以上第二獨立行電極12B，其不同於第一組獨立行電極 12A。此類陣列可更有效地利用晶片載置器和顯示區域。 在第3圖的實施例中，晶片載置器23A驅動像素32的獨立的行電極 12A，且不同的晶片載置器23B驅動相同像素32的別電極16A。控制晶片 載置器23A和23B，以便利用公共列控制信號（第3圖未顯示），每次僅啟 1378419

動與晶片載置器23A和23B連接的列電極16之其中之一，而同時啟動所有 :電極12，藉以增加被動矩陣像素組的大小並減少所需晶片載置器的數 里。在第3圖中，兩個晶片載置器中的每一個控制其最接近的8個行電極 和8個列電極，以形成16乘16被動矩陣控制像素組。在此排列令，晶片 載置斋23A和23B共同控制一些像素，例如晶片載置器23八控制像素32 的行電極以及晶片載置器23B控制像素32的列電極。 在第8圖顯示的另一實施例中，兩個晶片載置器23A、23B驅動鄰近 獨立的行電極12且共同驅動列電極16。又，兩個晶片載置器23(：、加驅 動鄰近獨立的行電極12且制驅酬電極16。在此組態中，因每個被動矩 陣控制組_數減少（從16減至8)並且以行方向使㈣組獨立的行電極 12，而降低了頻閃。上8列從下8列分別獨立地驅動。因此，資料信號能 在晶片載置II 23A、加和晶片載置器2冗、2犯關時並獨立地傳^且 獨立且同時地驅動兩組行電極m、122。此外，由於兩個晶片載置器说 和23B或23C和23D與每個列電極16平行連接，可減小用每個晶 器23A、23B、23C和23D驅動的列電流。 晶片載置器可位於晶片載置器列和晶片載置器行的晶 内。在第3圖中，控制公共像素的晶片載置器23A、23B係在不同的列$ 同的仃’且並不是；載置器陣舶每點具有位於該處的晶片載置器。因 本發^中’驅動公共像素32的晶片載置器20位於有_電極W和 蜀立的行電極12的對角線處，以及在由列和行電極16、12所界定的 像^陣列。在第8圖中，晶片載置器23A、加、23C、加位於 置 器陣列内每一點。 戟置 俨妒sum片載置器2〇可與串聯亮度移位暫存信號46和列控制 ^ I中之-或兩者連接。串聯亮度移位暫存器移位資料值（例 谷中所儲存的電荷）’此資料值說明對像素的列所需亮度且域立的行電極 驅動器驅動。制信號49控制哪—顺啟動。該信號可在單一被 t如控果從—個晶片載置器通過另一個晶片載置器（例如在第3 ϊ有的列’則不需要將列控制信號49從-個晶片載置 讀播至另-個，且制錢49娜留在油關馳公 1378419 單一晶片載置器内（如第川岡、 &亡曰ΰ恭罢„ 圖）。第10圖中，公共被動矩陣控制像素組內 所有β曰片載置盗20係連續地與串. 不在公共晶片載置器列内。列㈣⑽二:仔仏藏46連接，即使它們 載置器能連續地與串聯;^移位奸二二△，、Μ片載置器列内的晶片 資料以符a日片㈣^又移暫耗#u 46連接（在該情況下，必須識別 =二:從^控制的獨立时極的順序）。在第9圖的實施例申， =======編綱，丨1 _ 0m#w||2〇 A. 、接在基板10上形成的基板導線47傳播至 二_7使基板1G上改善眺_局可行。 有仲==晶域置器陣列，顯示區域内連接晶片載置_ ,加斗、γ Α者在第3圖、第9圖和第10圖的實施例 在t乍中於第一方向的第二方向的第二晶片載置器。 产號將像素ί收影像信號，且利用控制信號驅動顯示器，控制 Ι ΪΪίΪί母個晶片载置器並提供時序信號以控制列電極。控 重置餓，例如，也包括諸錢（例如以電荷的形 二一㈣ίΓ像素所需讀值。f料信號經過晶片載置器連續地被移位， $固以上獨立、連續地連接的晶片載 器具有資料值對廡於盥曰Η 且幻所有阳片載置 值。-旦資斜稍，二、:曰片載置盗連接的母個獨立的行電極所需的亮度 雷極^心丨？載人Ha片載置11 ’晶片載置11行驅動11利用該值驅動行 電：二時列驅動器啟動列電極對應發光的像素。 :!的= 車像素組内的每列像素被驅動。列控制信號依次啟動每列J —所有像素被啟動，則重複該過程。 其接中共Γ·ί讓、待審之美國專利_請第12/372,9()6號納入本文作為參考， 方法的更多㈣。共同受讓、待審之 的更多6 : 12/424，_義人本文作鱗考，其提出晶4載置器陣列 ϊίίυ同受讓、待審之美國專利中請第12/371，666號納入本文作 _更多㈣，採贱電路移位㈣值和控撤動矩陣 控娜素組内列和行電極。共同受讓、待審之翻專利”第12 12 號納入本文作為泉去 多細節。 &出對曰曰片载置器顯示器信號之佈局和佈線的更 本發明減少習知括输卜 底板驅動第3圖的256 #的成本。例如’如果_習知技術，主動矩陣 板。本發明改騎此」、32 ’則需要相對低性能且昂貴的薄膜半導體底 如果採用具有和^ 性能、便宜的^載置絲驅動像素30。此外， 結構，則需要32個量連接墊的晶片載置器的習知主動矩陣控制 〇(& . , aa載置器，而不是所述的2個晶片載置器。 5儿匕括時序（如時鐘）芦妒、資料俨轳.受接彳丄 地連接。這此作骑·"貧科仏號、、擇k唬、電源連接或接

料值可供作;的或數位的，例如數位位址或資料值》類比資 如包括的=)元件可為數位的（例如包括正反器）或類比的（例 的。然而發1 «11可以是相同 被安置在基！0片載置_。在晶錢置器 置⑽減後分配①，·0·10可以反映出基板上晶片載 «日’置’即ID可為-個位址。例如’在列或行中經由計數作號從 一個曰日片載置器傳至下一個來分配ωο使用獨立的列或行①值。” ，制器可作為晶片載置器實施且附在基板上。控制器位於基板的外 或在基板外部，JL包括習知積體電路。 、

據本發明各種不同的實施例，晶片載置器以各種方式構成，例如， 沿著晶>!載置器的尺寸有—列或兩列連接塾。信號線和電連接可由各種材 料形成，並利用各種方法沉積在裝置基板上。例如，信號線和電連接為金 屬，蒸鍍或濺鍍，如鋁或鋁合金。或者，信號線和電連接由固化導電油墨 或金屬氧化物製成。在成本優勢的實施例中，信號線和電連接，或兩者皆 在單一層内形成。 本發明對於採用大裝置基板的多像素裝置實施例尤其有用，如玻璃、 塑膠或箔紙，複數個晶片載置器以規則陣列排列在裝置基板上。根據晶片 載置器内電路，每個晶片載置器控制在裝置基板上形成的複數個像素Μ且 回應控制信號。單獨的像素組或複數個像素組位於平鋪式元件(tiled elements)上，其可組裝形成整個顯示器。 根據本發明’晶片載置|§在基板上Φζ供分佈的像素控制元件。與裝置 13 1378419 基板相比，晶片载置器為相對較小的積體電路，並且包括電路含導線 接塾，被動元件如暫存器或電容，或主動元件如雷二胃 形成。具有獨立基板的晶片載置器係與顯示基板單獨 製作Ά應用至顯示基板。製作半導體裝置已知過程，使用碎或絕 緣襯底上_ (S⑻晶圓優選地製作晶片載置器。黏附至裝置基板前，分 置器。因此’認為每個晶片載置器的結晶基底是與裝置基板 早獨的獨立基板’並且在其上處理晶片載置器的電路。因此，複數個晶片 載置器具有對應複數侧立基板，與裝置基板相互分離。尤其，獨立的基 板與像素形成於其上的基板分離，以及獨立的區域、晶片載置器基板共^ 區耻裝置基板小。晶片載置器具有結晶基板以提供比現有更高性能主動 疋件’例如’薄膜非晶態或多晶石夕裝置。晶片載置器優選厚度為刚哗或 更薄，以及更佳地20μιη或更薄。其促使晶片載置器上黏合劑和平面化材料 的形成，’後_習知旋塗技術以制之，據本發明_實施例，結晶石夕 土板上开y成的日日片載置器以幾何陣列排列，且钻附至具有枯附劑或平面化 材料，裝置基板。採用晶片載置器表面上的連接墊將每個晶片載置器連接 至信號線、電源匯流排及列或行電極以驅動像素。晶片載置器可控制至少 四個像素。 。。由於晶片載置器在半導體基板内形成，利用現代光刻工具形成晶片載 置器的電路。利用此類工具，可獲得〇 5微米或更小的特徵尺寸。例如現代 _ =導體製作線可實現9〇肺或45nm線寬，且可採用製作本發明的晶片載置 ，。明片載置器，然而，一旦組裝至顯示基板，亦需要連接墊用於製作與 晶片載置器上線路層電連接。連接墊大小基於用在顯示基板的光刻工具的 特徵尺寸（例如5μιη)以及晶片載置器至線路層的定向（例如+/_5μιη)。因 此，連接墊可為’例如，連接墊之間15μηι寬，5μιη空隙。這意味著這些墊 一般將比晶片載置器内形成的電晶體電路顯著大些。 這些墊一般在晶片載置器電晶體上的金屬化層内形成。需要製作具有 盡可能小的表面面積的晶片載置器以實現低製作成本。因此，連接墊，而 不是電晶體’其大小和數目將限制晶片載置器的尺寸。 藉由採用具有獨立基板的晶片載置器（如包括結晶石夕），其具有比直接 在基板上形成的電路（例如非結晶或多晶矽）更好性能的電路，提供了更 1378419 好性能的裝置。由於結晶矽不僅具有高性能還具有更小主動元件（如電晶 體），大大減小電路尺寸’以便晶片載置器尺寸由控制和驅動裝置所需的連 接墊的數目和空間決定。有用的晶片載置器也可利用微機電系統 口構形成’例如 Yoon、Lee、Yang 和 Jang 在 Digest of Technical Papers of the

Society for Information Display，2008, 3·4, ρ·13 發表的“A novel use of MEMS switches in driving AMOLED” 中所描述。 裝置基板可包括玻璃和由蒸鑛或錢鑛金屬組成的線路層，如紹或銀， 利用習知光刻技術，在平面化層上（例如樹脂）形成有圖案的。可利用積 體電路工業建立的良好傳統技術，形成晶片載置器。 具有多像素基礎結構的裝置可採用本發明。尤其，利用LED裝置實現 本發明，有機或無機，並且在資訊顯示器尤其有用。在優選實施例中，本 發明被公開係採用由小分子或聚合〇LED組成的平板〇LED裝置但是不 限於Tang等人公開的美國專利第4,769,292號，VanSlyke等人公開的美國 專，第5,061，569號。可採用無機裝置，例如，採用多晶半導體矩陣内形成 的量子點（例如Kahen之美國專利申請公開第2〇〇7/〇〇57263號）以及採用 =或無機電荷控制層，或雜交有機/無機裝置。許多有機或無機發光顯示 盗他合及變制於製造所述裝置，魏置包括具有頂部或底部發射 之一的主動矩陣顯示器。 上所述者僅為用以糖本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明 ，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之 任饤修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。 【圖式簡單說明】 第1圖為根據本發明實施例的顯示系統的示意圖； 置器=1為麟本發明實關，觸朗行電卸職_接的晶片載 第3圖為根據本發明實施例，與獨立的行電極和 片載置器形成—錄動矩陣控制像素的示意圖； 、兩固晶 第4A圖為根據本發明實施例，晶片載置器内行驅 第4B圖為根據本發明實施例，晶片載置器内列驅動電路的=圖: 15 1378419 第5A圖為根據本發明實施例，晶片載置器内行驅動電路的剖面圖； 第5B圖為根據本發明實施例，晶片載置器内列驅動電路的二面圖；’ 第6圖為本發明實施例晶片載置器的示意圖； 苐7圖為根據本發明實施例’具有兩列與獨立的行電極連接的 和與列電極連接的一列連接墊的晶片載置器的示意圖； 第8圖為根據本發明又—實施例’具有複數個晶片載置器驅動公 電極的顯示器的禾意圖； 第9圖為根據本發明又一實施例’具有用信號連接之複數個晶 器的顯示器的示意圖； 第10圖為根據本發明又一實施例，具有用信號連接的複數個晶片載置 器的顯示器的示意圖；以及 第11圖為根據本發明另一實施例，具有直接在基板上形成的電連接在 基板上之晶片載置器的剖面圖。 因為附圖中各層和元件具有不同的大小，未縮放附圖。 【主要元件符號說明i 5 A 剖面線 5B 剖面線 10 基板 11 顯示區域 12、12A、12B 行電極 14 發光材料 15 發光二極體 16、16A、16B 列電極 18 平面層 20 晶片載置器 20A 晶片載置器部分 20B 晶片載置器部分 21 晶片載置器公共，點 21A 第一軸

Claims (1)

1378419 七、申請專利範園： 1· 一種被動矩陣顯示器，包括： 的料基Ϊ陆具有—顯示區域’其包括以列和行排取位於鋪示區域内 兮第-T内的一層、第二層、該第一層内每行的複數個獨立行電極、 Ϊ ;=f= 電極以及位於該第一層和該第二層之間的發繼 層極和列電極在該等㈣極和列電極交疊處形成像素；以及 f數個晶域置器，每個晶片載置器與位於該顯示區域内—個或一個 集，並載置器f連接迦_立行電極的單獨子 、〜接麵績列電極子集，以5丨起每個像素内發光材料發光； I值從包括—串聯亮度移位暫存器，用於移位像素亮度 Βθ片载置态至另一個對應於每個獨立行電極、以及一行驅動3!， 驅動與其連接的每個獨立行電極具有對應像素亮度值；2 ° 個對===步包括一列驅動器’用於驅動與其連接的每 *、 及用於控制該等列驅動器的列控制移位暫存器。 晋據申請專利範圍第1項所述的被動矩陣顯示器，其令每個晶片載 ^第====該晶片載置器上該公共點處以不同方向延伸的第 置器專H圍第笛2項所述的被動矩陣顯示器，其中該等晶片載 分，及二以延3第一轴的該第一晶片載置器部 置器部分。 、方向的第一方向延伸的第二抽的該第二晶片載 平行的被動矩陣顯示器，其中該第一軸以 進-步包括在每 與列電極連接，且該第二晶另裁置器部分上接塾 18 置器矩陣顯示器’其中-個晶片載 其中該電極連接的—個或—個以上第-獨立行電極，且 獨林i日極，同於該第一獨立㈣極的-個或—個以上第二 電極的第二組公共列電極連第二獨立行電極與不同於該第—組公共列 的該列電極。 不_第-晶片載置器驅動該相同的像素 栽 素的述的被動矩陣齡11，其中驅動公共像 月戟置讀、位於不同晶片載置器列和不同晶片載置器行。 據,4專利範圍第8項所述的被動矩陣顯示11，其中每個串聯古 二存器具有輸入和輪出，且晶片載置器列内之第一晶片載置器的ΐ 的輸出與相同晶片載置11湖之第二晶域置器^ 串聯度移位暫存器的輸入連接。 π-亥 11·依據申明專利範圍第！項所述的被動矩陣顯示器，其中該 置器係位於該等列電極和該等獨立的行電極的對角線處。 片栽 12_依據巾請專聰㈣u項所述的被動矩_示器，其中 聯的該等魏極和行電_由_ ^載置_鶴。 、 13_依據申請專利範圍第i項所述的被動矩陣顯示器，其中至少 電極與兩個或兩個以上晶片载置器平行電連接。 19 1378419 14. ρΞΞΞΞΞ 5·依據申請專利範@第丨.項所述的被動矩_示器，進―步包括 固以上信號線’其t—個或―個以上信號線係與第—方向的第—晶片 ^置盗連接，通過該第—晶片載置器，且以與不同於 方 向的第二晶片載置器連接。 乐一方 ▲ I6·依據申請專利範圍第1項所述的被動矩陣顯示器，其中每個像素的 該列電極和該獨立行電極由該相同的晶片載置器驅動。

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