TWI374470B - Pump - Google Patents

Description

1374470 五、發明說明（1) 一、 【發明 本發明 空泵，及其 二、 【先前 一般， 統及線上型 室，及移送 等真空處理 即真空狀態 刻等各種處 設有處理室 隨晶圓、玻 有大到通常 最近， 的電漿處理 真空處理系 體、氣體等 強之媒體腐 於此種 泵、低溫泵 空泵含納入 軸體、齒輪 通常， 或不鏽鋼等 所屬之技術領域】 係關於泵，特別是關於用在真空處 製造方法。 糸..先之真 技術】 用在半導體裝置等的真空處理系統有 系統，該等系統之任一皆具備有多數的；理’、 被處理構件（晶圓、破璃基板）之移 系統中，各處理室中在低於大氣壓之狀皞μ )下，於被處理構件施行種種被膜之形成"·、、: 理。因此，構成真空處理系統之各處^ 内之排氣用的多數真空泵。又’真空處理紐 璃基板等被處理構件之大型化而變大，重晉、 的搬運設備無法搬動之傾向。 也 有於特定處理室内作電漿氧化或氧自由基& 系統之提議，於該電漿處理系統係採用& 化 統。如此之電漿處理系統中，因被排氣的々塞型 反應性非常強，真空泵本身必須以不' 蝕的材料構成。 反應性 處理系統’排氣用真空泵係使用渦輪式分子 、助力泵、乾式泵及渦旋泵等種種泵。該等直 於具備吸入口及出口之殼體内的轉子、笨 〃 等真空泵構件。 ”片、 構成真空泵之真空泵構件係由杜拉鋁等銘合金 形成’而基於真空泵之輕量化，以鋁合金為幹

第6頁 丄J/4470 五、發明說明（2)一 佳。 真空’以銘合金形成之真空泵在用作電槳處理系統之 離子為、’因真空果内壁被以各種氣體經電漿解離之際的 成之的活丨生種、腐钱性氣體等媒體腐餘，以紹合金形 形成之Ϊ Ϊ無法用於電漿處理系統。另一方面，以不鏽鋼 此等問異空果’對活性種等媒體依然不得充分之耐钱性。 出腐I ^不限於電漿處理系統之真空泵，一般而言用以排 出腐蝕性媒體之泵亦有該等問題。 議，^戶日本專利特開平7_21 6589號公報（專利文獻1 )提 成之椹2不之陽極氧化處理用於真空泵，於鋁或鋁合金形 奋表面’形成具耐蝕性之氧化鋁膜（A 12 03 )。 具備备特開2003-2 1 062號公報（專利文獻2)記載， 備厶％極氧化之低溫板的低溫泵。 質腹了 =經陽極氧化處理形成之八丨2 〇3被膜基本上係多孔 氣體、Hr 1面T f凹凸狀。因而’對於例如C1系氣體、F系 氧化處理/ 4、HF等反應性強之氣體或藥液，經陽極 軋化處理之Α ΙΑ被膜，耐蝕性非常低。 ，經陽極氧化之ai2o3被膜，有高溫水蒸氣 ::行水分吸入膜分子使之膨服，有填埋空隙等 然而，即使施以如上之後處理，一般於高 :處理；電聚裝置用的氣體排氣真空系構件，若使；：： 合…達到特定減壓度則“二 此乃由於經陽極氧化處理之紹合金表面的氧化物被膜

第7頁 1374470 五、發明說明（3) 本質上係多孔質，有產生氣體之問題，形成於用 來的空隙，其存在導致須耗費必要以上之時間戈 空至特定減壓度。 ^ 又，於鋁合金施以無電解鍍鎳時，鎳成為觸 例如SiH4、B2H6、PH3、AsH3、C1F3 氣體之分解， 性氣體及產物。 三、【發明内容】 因而本發明之目的在提供，對於真空處理系 蝕性氣體可以使用之真空栗。 本發明之另一目的在提供，小型且輕量之真 本發明之又一目的在提供，對於反應性強之 液具有南财银性之果。 本發明之泵，其特徵為：暴露於排出之媒體 由鋁或鋁合金構成，並具有經電漿處理氧化之氧 膜。 上述之經電漿處理氧化之氧化物被膜之一例 7所產生之氧自由基氧化之氧化物被膜。 根據本發明人等之研究確認，由電漿處理所 2由基成膜於鋁或鋁合金表面之氧化物被膜，極 ^面具有平坦性，而膜内幾無空隙存在。又知， 物被膜堅硬，耐蝕性高。 日，此判定，以具有如此的被膜之構件使用於 =乍為接觸反應性強的媒體之泵構件，抽真空至 X之時間即可比以往縮短，耐蝕性亦提升。氧自 笔内殘留下 r得以抽真 丨媒’促進 產生腐蝕 統中之腐 空泵。 氣體或藥 的部份係 化物被 有，以電 產生之氧 為緻密且 上述氧化 泵’尤其 特定減壓 由基之氧 1374470 五、發明說明（4) 化如後敘，係例如將含氣痛骑φ批 表面之電漿處理而成。” Μ化’作該等紹或铭合金 又’本發明之泵的構株糸 空果構件表面，亦可具有含合金構成’上述真 金的氧化物被膜。 有氣體成分之鋁或鋁合 因含稀有氣體，膜應力受抑制，密 m;、，)氣、气ue)為：佳。 少其一的銘合‘構含有鎮，鋇之至 物及鎂，鋇之各氧化 更為提ί 處理裝置用之構件，耐钱性 上述鋁合金可係至少含锆，亦可係至 專時，機械強度提升。 3有該 ^再’上述！呂合金_、Mn、Cr、Ζη含有率以任 劣化。1 4量％以下為佳。因為若含此等金屬，則财腐姓性 上述係就真空泵構件之基材使用鋁或鋁合金之情況 材表面ίΐΐϊ絕不限於此’亦可於以含紐之鐵形成的基 理形成之鋁ΪΓ處理’或於表面形成經氧自由基氧化處 性氧被膜。此時宜使用，以電聚處理選擇 之含鋁於表面形成銘氧化膜之技術。如此 3鋁基材，有不鏽鋼等。 泵構件之必要部份的表面，以電漿處理等形成鋁之氧

第9頁 1374470 五、發明說明（5) — 化物被膜的方法，可採用特願2〇〇3_〇28476號說明書所記 載之電漿處理方法。 根據本發明’能比習知陽極氧化處理時形成更緻密且 表面平坦之被膜，耐蝕性亦提升。 四、【實施方式】 以下說明本發明之實施形態。參考第1圖，採用本發 明有關之真空栗的真空處理系統，係示以叢集型真空處理 系統，該真空處理系統具有多數之反應室（真空容器）J 〇、 11、12 ’二加載互鎖真空室13、14及傳送室15。 又，為將反應室（真空容器）1〇、11、12内部減壓或使 其成真空狀態，於各反應室（真空.容器）1 〇、11、1 2設有， 各配置以一或多數台高真空泵1、2、3，配置於上述真空 系後段之助力泵4a、5a、6a，以及後泵（乾式泵）4b、5b、 6b。而圖示之例中’加載互鎖真空室13、14及傳送室15各 連接有，助力泵7a、8a、9a，後栗7b、8b、9b。又，高真 空泵1、2、3.與助力泵4a、5a、6a之間設有閥22、23、 24 〇 有渦輪式分子泵（螺紋泵）、低溫泵、機械式助力泵、 後泵（乾式泵）以及渦旋泵。以下舉後泵（第2圖）為例作說 明。 在此，首先說明第1圖的真空處理系統之動作。將晶 圓等被處理物送入加載互鎖真空室13，該送入加載互鎖真 空室13之被處理物，經具備搬移被處理物之機械手臂（搬 移裝置）之傳送室15，送入反應室10、11、12。於反應室

第10頁 1374470 五、發明說明（6) 10、11、12作處理後，被處理物自反應室1〇、n、12，經 傳送室15 ’送入加載互鎖真空室14。 圖雖未示’反應室（真空容器）1〇、Π、12更設有氣體 導入口及加熱器等加熱裝置，加熱下導入特定氣體，一面 進行成膜等特定處理。此等反應室10、11、12之中，至少 其一之反應室係構成可進行電漿氧化處理，利用氧自由基 之氧化處理。進行如此之氧化處理時，氣體於反應室分解 產生腐蝕性氣體’該腐蝕性氣體由圖示之多段真空泵依序 排氣。 ^ 而第1圖中A1示高真空泵1、2、3，與助力泵4a、5a、 6a之間的配管，A2示反應室（真空容器）l〇、11、12，與上 述高真空果1、2、3之間的配管。又，圖中之r示潔淨室。 圖示之真空處理系統’首先係設在待機狀態。該待機 狀態下’傳送室1 5、反應室（真空容器）1 〇、11、丨2係保持 在減壓或真空狀態。 該狀態下’從真空處理系統外部之大氣中，將裝入晶 圓等被處理物之卡匣送入加載互鎖真空室13，將上述加載 互鎖真空室13抽真空。 其次’打開加載互鎖真空室1 3與傳送室1 5之間的閘閥 (圖未示）’被處理物搬移用機械手臂以搬移手臂取出卡匣 内之被處理物一片，移往傳送室15。 然後’打開反應室（真空容器）1 0與傳送室1 5之間的閘 閥’以搬移手臂將被處理物載置於反應室（真空容器）1〇内 之平台上。成膜處理等特定處理後，經處理之被處理物以

第11頁 1374470 五、發明說明（7) 搬移手臂送至其它反應室11、12或加載互鎖真空室14。處 理後，最終自加載互鎖真空室14送至外部。 上述之反應室10、11及12之中，至少從以電襞氧化或 氧自由基形成氧化物層於被處理物上之反應室，有強反廣 ί"生之氣體經面真空栗及助力泵排出至後泵。本發明亦適於 只用在進行反應性氣體之排氣的真空泵，在此則係設於所 有反應室10、11、12之高真空泵1、2、3，助力泵43至 9a ’以及後泵（乾式泵）4b至9b全部以本發明之真空聚構 成。 兹參考第2圖（a)及（b)，舉後泵4b至9b為例說明本發 明之真空泵。圖示之真空泵具備螺旋泵本體A ’本體a有多 數的螺旋狀之陸部及溝部，有互相咬合一面繞著實質上平 行之二軸旋轉的一對螺旋轉子2 5、2 6。 又’螺旋轉子2 5、2 6係納入殼體2 7内’支承螺旋轉子 25、26的軸28之一端由軸承35支承而可以旋轉。轴28之一 端部安裝有計時齒輪30，另一端與馬達（圖未示）連結。馬 達將軸28轉動時’經計時齒輪3〇，一對之螺旋轉子25、26 同步轉動。 納入有螺旋轉子25、26之殼體27於一端部側形成有吸 入口 31 ’並於殼體27之另一端部側形成有出口 32(第2圖 (b)) °該例中吸入口 3 1連接於反應室側，出口 3 2連接於大 氣側。以馬連使螺旋轉子25、26同步轉動，來自反應室側 之氣體即由吸入口 31吸入’由出口 32排出’結果，反應室 内之氣體被排出。

1374470 五、發明說明（8) 、於圖不之殼體27的出口 32側形成空洞部，形成可使冷 ::循Ϊ ί夾套33 ’特地構成為在出口 32側，氣體因壓縮 作用之發熱可予冷卻。 ，上述納入有二螺旋轉子25、26的殼體27之一端部安 裝有蓋34，支承其一螺旋轉子26之轴28則自上述蓋34突 出，直結於後敘之旋轉軸。更於上述軸承35 25、26之間設有密封構件29。 、螺旋轉子 第2圖之後泵（乾式泵）構件全係以鋁或鋁 材，該等構件中，轉子25、26，殼體27、密封構上'吸 入口31、出口32等（有時軸28亦然）在腐蝕性氣體、藥液的 排出當中，暴露於該等腐蝕性氣體、藥液。此時，反應性 強之氣體或藥液有例如C1系氣體、F系氣體、Hci、仏叫、 HF 〇 對於構成後泵之所有構件施以本發明有關之處理，即 可使後泵整體具耐蝕性，在此係暴露於腐蝕性氣體之構 件，亦即，轉子25、26，殼體27、密封構件29、吸入口 31、出口32之至少其暴露於氣體之面，作本發明有關之電 漿氧化處理或氧自由基氧化處理，結果如第2圖。）及化） 之粗線所示’形成鋁之氧化物被膜於各構件之表面。如 此，以電衆氧化處理或氧自由基之氧化處理形成的紹之氧 化膜具有，無空隙、極為緻密，且表面平坦之特徵。因 此’對於反應性強之氣體等可維持高耐蝕性。 兹參考第3圖，說明利用電聚處理裝置i於真空泉構件 形成上述紹之氧化物被膜的方法。圖示之電漿處理裝置 ^/4470

U用以進行呈矩形之真空泵構件40之處理。電漿處理 ^ @例如，合金製成之上部有開口，底部圓筒狀之 谷裔，該理谷器2接地。該處理容器2底部設有载 :真空泉構件40之承受器3。該承受器3係以例如銘合金製 成，由設在處理容器2外部之交流電源4供電，承受器3之 =熱115發#’將承受器3上之真空聚構件4Q至 3 0 0 t。 户處理容器2之底部經排氣管42連接於渦輪式分子泵等 排氣裝置41，以該排氣裝置41作處理容器2内之排氣。 又1於處理容器2之側壁設有自處理氣體供給源43供給處 理氣體之供給管4 4。本實施形態中處理氣體供給源4 3連接 有氧氣（02 )及惰氣氬（A r )氣之各供給源4 5、4 6。 處理容器2之上部開口’介以用來確保氣密性之〇環等 密封件21，設有例如石英玻璃製成之介電體窗22。以該介 電體窗22於處理容器2内形成處理空間s。 介電體窗22之上方設有天線構件5 1。該例中天線構件 5 1係以例如位在最下面的徑向槽孔天線5 2，位在其上部之 慢波板53，覆蓋而保護慢波板53並將之冷卻的天線蓋54構 成。 徑向槽孔天線5 2 ’係由具導電性之材質’例如銅之薄 圓板製成，於該圓板排列成同心圓形成有具交角近乎直角 的銳角之一對槽孔。 慢波板5 3中心配置有例如以金屬構成之構成圓錐形的 一部份之隆起55。該隆起55與由内側導體56a及外管56b構

1374470 五、發明說明（ίο) 成之同軸波導管56之該内側導體56a電導通。同軸波導管 56係構成為可使微波供給裝置5?所產生之例如2 μ十 ::二,波，、經負荷匹配器58通過同軸波導管56傳播至天 其次說明以圖示之直空處搜备, 口 心具工處理糸統1進行的電漿處理方 為器f或鋁合金形成之真空泵構件40係載置於承 :!丄 自供給源45供給含氣之氧氣，使電漿 f生於處理容器2内。此時，真空系構件 以下（以15〇。(：至250。〇;為佳）之溫度。而，即使保持在= 構件40於室溫（例如23。(：）之狀離，亦-Γ认♦ 栗 電漿。 亦可於處理容器2產生 電漿一產生則於處理容器2内產生氧自由基，真空泵 構件40表面由氧自由基氧化，形成氧化物被膜。 確^此二，自由基之氧化處理產生之氧化物被膜 ::係’ #空隙’極為緻密且表面平垣之叭〇3被膜。此乃 由於’鋁或鋁合金表面經氧自由基改質。 此時反應式如下。 2A1 + 30* - Al2〇3 又，以含鎂（Mg)之鋁合金形成真空泵構件初時，可於 $ 口金表面利用氧自由基形成多含Mg〇之氧化物被膜 Wl2〇3)。如此含Mg〇之氧化物被膜，耐蝕性、強产可提 時鎂之含有率宜係〇. 5重量％至固溶最Q 。而使含氪之氧氣電漿化產生氧自由基時，即使鎂 之3有率係如0. 5重量％至1. 0重量％之極低，亦可得含、 第15頁 1374470 五、發明說明（11) " — ---

Mg〇之氧化物被膜。 鋁合金可以使用，除上述之鎂以外含有錕、鋇、 之銘合金。以多含&〇、BaO之氧化物被膜形成於铭 σ金表面a，即可提升真空泵構件40之耐蝕性、強度。 又確遢，使用含有〇，1至〇· 15重量％左右之锆的鋁合 抑制合金粒成長，冑成耐蝕性、機械強度高之真 二Ιβ^40。又再，使用含有〇. 1至0. 15重量％之姶的鋁 口者扣、亦可抑制合金粒成長，得耐蝕性、機械強度高之 真空泵構件。 4 ^ Γ方面，鋁合金之中，大多含有Fe、Mn、Cr、Ζη， 以4通常會使鋁合金之耐蝕性下降，該等之含有.率宜係 ^白在〇· 01重量％以下。而鋁合金中之Fe、Mn、Cr、 η、在進行氧化處理前，可使真空泵構件40於450 °C以下 之溫度，以氫還原而去除。 =說明，以電漿產生氧自由基時，含氧氣體混入氣 旦：吁生ί漿之情況’ &乃以氪氣混入，以使激發為高能 里狀L之氪與氧分子衝撞，而可簡便產生二個氧自由基。 5又，為產生氧自由基，亦可使用混入氬（Ar)氣之含氧 谂# ^產生氧自由基。使用氬氣時，因氬氣易於取用且價 _廉，可實際上輕易廉價地處理真空泵構件4 〇。 =上述，使用氪、氬等稀有氣體產生氧自由基，進行 電漿乳化處理，例如，利用氧自由基之氧化處理時，生成 中即含微量之稀有氣體成分。該稀有氣體成 刀八有抑制氧化物被膜之膜應力，提升密合度、可靠度之 1374470

作用。 生成氧自由基之電漿源，於上述之 =頻率2. 45十億赫之微波電漿。、’'、 較低之平穩電聚，…、…； ^，作真空泵構件40表面之自由基氧化，可形 又’上述例 之情況作說明， 成之真空粟構件 果。 申，係就以鋁或鋁合金形成真空泵構件4〇 但本發明絕不限於此，以含鋁之不鏽鋼構 ，於其表面形成氧化物被膜時可得相同結 又 在-般暴露於腐‘：：之？不限於第2圖所示者，亦適用 上述氣體或藥：之體或藥液的泵，特別是於接觸 果。 施以含鋁氧化物之被膜尤具效 產業用性 本發明有關 真空處理系統中 之泵可利用作，在半導體裝置等之製造的 ，用於各處理室内之排氣的真空泵。

1374470 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 第1圖係呈示本發明之實施形態中的排氣系統之方塊 圖。 第2圖呈示第1圖之排氣系統的後泵，（a )係一剖視 圖，（b)係另一剖視圖。 第3圖係呈示使用於本發明的電漿處理裝置之概略剖 視圖。 元件符號說明：

第1 、2圖 A (螺旋泵）本體 Al、A2 配管 R潔淨室 1、2、3高真空泵 4a 、 5a 、 6a 、 7a 、 8a 、 9a 助力果 4b、5b、6b、7b、8b、9b 後泵（乾式泵） 10、11、12反應室（真空容器） 13、14加載互鎖真空室

1 5傳送室 22 、 23 、 24 閥 2 5、2 6螺旋轉子 27 殼體 2 8轴 2 9密封構件

第18頁 1374470 圖式簡單說明 3 0計時齒輪 31 吸入口 32出σ 33夾套 34蓋 3 5轴承 第3圖

1電漿處理裝置、真空處理系統 2 處理容器 3承受器 4 父流電源 5加熱器

5 處理空間 21密封件 22介電體窗 40真空泵構件 4 1排氣裝置 42排氣管 4 3處理氣體供給源 44 供給管 4 5 (氧氣）供給源 4 6 (氬氣）供給源 51天線構件

第19頁 1374470 圖式簡單說明 5 2徑向槽孔天線 5 3慢波板 5 4 天線蓋 55 隆起 56a 内側導體 5 6b 外管 5 6同軸波導管 5 7微波供給裝置 58負荷匹配器

第20頁

Claims (1)

1374470 案號 93106041 曰 修正 1st科 六、申請專利範圍 ______ 1. 一種排氣泵，具有用以排氣之氣體的吸入口及該 氣體之排出口 ，其特徵為： 該排氣泵具有由鋁合金構成之暴露於該氣體的構件； 該構件具有作為表面層的氧化物被膜；該氧化物被 膜，係在排氣之處理容器内，將該構件保持在4 5 0°C以 下，並同時供給含有稀有氣體成分之氧氣氣體，而利用由 微波電漿處理產生之氧自由基進行氧化而得；該表面層， 包含含有稀有氣體成分之鋁合金的氧化物被膜； 藉由在進行氧化處理前以4 5 0°C以下之溫度進行氫還 原，使該構件中Fe、Mn、Cr、Zn任一者之含有率皆在0. 01 重量％以下。 2.如申請專利範圍第1項所述之排氣泵，其中該稀有 氣體成分係氪或氙。 3 .如申請專利範圍第1或2項所述之排氣泵，其中，該 鋁合金含有選自鎂、锶、鋇、鍅及铪所構成的群組之至少 4. 如申請專利範圍第3項所述之排氣泵，其中該氧化 物被膜，更包含鎂、锶、鋇、錯及铪之各氧化物中的至少 其一之氧化物。 5. —種真空泵，使用於真空處理系統，其特徵為： 該真空泵具有暴露於要從該真空系統排氣之媒體的構 件 該構件係由鋁合金構成； 該構件具有作為表面層之氧化物被膜；該氧化物被

第21頁 1374470 案號 93106041 年月曰 车A m 修正 附件: 六、申請專利範圍 膜，係在排氣 的同時，供給 該媒體之部分 氧化而得；該 氧化物被膜； 藉由在進 原，使該構件 重量％以下。 6. 如申請 氣體成分係氪 7. 如申請 鋁合金含有選 其一0 之處理容器 含有稀有氣 ，利用由微 表面層，包 行氧化處理 中 F e、Μη、 專利範圍第 或氙。 專利範圍第 自鎂、鋰、 内，將該構件保持在4 5 0°C以下 體成分之氧氣氣體，而在暴露於 波電漿處理產生之氧自由基進行 含含有稀有氣體成分之鋁合金的 前以4 5 0°C以下之溫度進行氫還 C r、Ζ η任一者之含有率皆在0 , 0 1 5項所述之真空泵，其中該稀有 5或6項所述之真空泵，其中，該 鋇、鉛及給所構成的群組之至少 8 .如申請專利範圍第7項所述之直空泵，其中，該表 面層，更包含鎂、锶、鋇、锆及鉛之各氧化物中的至少其 一之氧化物。 9 .如申請專利範圍第5或6項所述之真空泵，其中，該 真空處理系統係進行電漿處理之電漿處理裝置。 1 0 .如申請專利範圍第5或6項所述之真空泵，其中， 該媒體為：C1系氣體或藥液、F系氣體或藥液、HC1氣體或 藥液、H2SO泉體或藥液、或是HF氣體或藥液。 11. 一種真空泵構件之製造方法，用以製造暴露於自 真空系統排氣之媒體的真空泵構件，其特徵為包含以下步 驟：

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♦ 1374470 案號 93106041 . 條正 年月士 m年$俏兄 修正 六、申請專利範圍 藉由鋁合金形成該真空泵構件之步驟； 藉由以4 5 0°C以下之溫度進行氫還原，使該真空泵構 件中Fe、Mn、Cr、Ζη任一者之含有率皆在0.01重量％以下 之步驟；以及 ' 在排氣之處理容器内，將該真空泵構件保持在4 5 0°C 以下，並同時供給含有稀有氣體成分之氧氣氣體*而利用 由微波電漿處理產生之氧自由基進行氧化，以形成作為表 面層之銘合金的氧化物被膜之步驟。

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