TWI363373B - Writing method of mask substrate and charged particle beam writing apparatus - Google Patents

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1363373 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種描繪方法及荷電粒子束描繪裝置，尤 有關於用以描繪使用於雙重圖案化（雙重圖案化：D〇uble

Patterning)或雙重曝光（雙重曝光：D〇ubie Exposure)之互 補圖案之裝置及方法。 本申請案主張2007年5月28曰向日本專利局申請的曰本 專利申請案第2007-140404號的優先權，該優先權申請案 之全文以引用之方式併入本文中。 【先前技術】 擔負半導體元件（device)之微細化之進展之微影 (lithography)技術在半導體製造過程之中亦為唯一生成圖 案之極為重要之過程。近年來，隨著LSI之高積體化，半 導體元件所要求之電路線寬度已逐年微細化。為了對於此 等半導體元件形成所希望之電路圖案，係需高精度之原像 圖案（亦稱遮罩（reticle;縮小後成像）或遮罩（mask;以i : ι 成像））。 在此，隨著電路線寬度之微細化，雖要求波長更短之曝 光光源淮作為曝光光源之例如ArF雷射之延長壽命方 法’近年來，雙重曝光技術與雙重圖案化技術已受到褐 目。雙重曝光係為-面安裝2片遮罩在塗佈有抗银劑 (resist)之晶圓-面在同—區域持續曝光之方法。再者其 後，經由顯影、及钱刻程序等而在晶圓上形成所希望之圖 案另方面，雙重圖案化係在經由以第〗遮罩在塗佈有 130782-10I0222.doc 1363373 抗蝕劑之晶圓曝光、顯影、及蝕刻程序等後再度塗佈抗蝕 劑而以第2遮罩在晶圓之同一區域曝光之方法。此等技 術，係以可在目前之技術之延長進行之點具有優點。再 者，在此等技術中，為了在晶圓上獲得所希望之圖案，需 2片遮罩。 圖9係為用以說明習知之雙重圖案化用遮罩之概念圖。 如圖9所示’為了將所希望之圖案3 〇2對晶圓進行曝光， 在遮罩（photo mask)30〇中，由於無法獲得解像度，因此需 區分為2個遮罩。亦即，在遮罩31〇形成作為圖案3〇2之一 部分之圖案312，且在遮罩320形成作為圖案302之剩餘之 部分之圖案314。再者，在步進器（stepper)或掃描器等之 曝光裝置依序設定此等2個遮罩310、320，而分別進行曝 光。 此外’此等遮罩係藉由電子線（電子束）描繪裝置而製 造°電子線（電子束）描繪技術在本質上具有優異之解像 性’而使用於此等高精度之原像圖案之生產。 圖1 〇係為用以說明可變成形型電子線描繪裝置之動作之 概念圖。 可變成形型電子線（EB: Electron beam)描繪裝置係以下 列方式動作。首先，在第1光圈（aperture)410係形成有用以 將電子線330成形之矩形，例如長方形之開口 411。此外， 在第2光圈420係形成有用以將通過開口 411之電子線330成 形為所希望之矩形形狀之可變成形開口 421。從荷電粒子 源430照射，且通過開口 411之電子線330係藉由偏向器而 130782-1010222.doc -6 - 1363373 偏向。再者，通過可變成形開口 421之一部分而照射於 搭載在平台（stage)上之試料。平台係於描繪中，在特定之 一方向（卹如設為X方向）連續地移動。如此，可通過開口 與"T變成形開口 421之兩方之矩形形狀即描繪於試料 340之描繪區域。茲將通過開口411與可變成形開口 421之 兩方’作成任意形狀之方式稱為可變成形方式。 如上所述藉由電子束描繪裝置，製造雙重曝光用之複數 個遮罩或雙重圖案化曝光用之複數個遮罩。在此，在以電 子束描繪裝置描繪之情形下，以經時變化而言會產生電子 束之射束偏移（beam drift)。因此，會有在處於互補關係之 遮罩圖案之描繪位置產生誤差之問題。 此外’如上所述’在雙重曝光或雙重圖案化曝光中，係 需於曝光之際更換2片遮罩。因此，在設定於曝光裝置之 際之對位即變得重要。若位置偏離，則會產生圖案之重叠 誤差（疊合（overlay)之錯誤）。會有此誤差對於圖案之線寬 度尺寸（CD)直接造成影響之問題。 在此’係於文獻中揭示有一種在與雙重曝光技術或雙重 圖案化相異而不重疊圖案之多曝光用，將X方向之圖案與y 方向之圖案形成於1個遮罩上之技術（例如參照日本特開 2007-72423號公報）。 如上所述，由於電子束之射束偏移，因此在遮罩製造階 段中’會有在處於互補關係之遮罩圖案之描繪位置產生誤 差之問題。因此，會有在使用該遮罩之曝光之際產生叠合 之錯誤’且產生CD誤差之問題。此外，會有亦因為更換2 130782-1010222.doc 1363373 片遮罩之際之對位誤差而產生疊合之錯誤，而產生CD誤 差之問題。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種使疊合錯誤減低之描繪方法 及描繪裝置。 本發明之一態樣之描繪方法之特徵為： 以相鄰之第1與第2區域對應之各位置進入同一小區域内 之方式，將包含前述第丨與第2區域之區域虛擬分割為長方 形之複數個前述小區域； 且依每一前述小區域，對前述第1區域描繪第1圖案、及 對前述第2區域描繪與前述第1圖案互補之第2圖案。 本發明之另一態樣之描繪方法之特徵為： 將相鄰之第1與第2區域分別虛擬分割為複數個小區域； 且以使前述第丨與第2區域之對應之2個小區域連續之方 式，對别述第1區域描繪第丨圖案、及對前述第2區域描繪 與前述第1圖案互補之第2圖案。 本發月之-態樣之荷電粒？束描繪裝置之特徵為包括： 平台，其係將第1與第2遮罩基板並列承載；及 描繪部，其係使用荷電粒子束，對前述第1遮罩基板描 繪第1圖案，及對前述第2遮罩基板描繪與前述圖案互 補之第2圖案。 ^ 本發明之另_態樣之荷電粒+束描⑨裝置之特徵 括： 。 平台’其係承載遮罩基板；及 130782-1010222.doc 1363373 描繪部，其係使用荷電粒子束，對前述遮罩基板之第1 區域描繪第1圖案，及對與前述遮罩基板之第丨區域相鄰之 第2區域描繪與前述第！圖案互補之第2圖案。 【實施方式】 以下，在實施形態中，係說明使用電子束作為荷電粒子 束一例之構成《惟荷電粒子束並不限於電子束，即使是使 用離子束等其他荷電粒子之射束亦無妨。 實施形態1 圖1係表示實施形態1之描繪裝置構成之概念圖。 在圖1中，描繪裝置1〇〇具備電子鏡筒102、描繪室1〇3及 控制部160。描繪裝置100成為荷電粒子束描繪裝置之一 例°再者’描繪裝置100係於2片遮罩基板10、2〇或1片遮 罩基板12描繪所希望之複數個互補圖案。控制部ι6〇具備 控制電路110、資料處理電路12〇及磁碟裝置124、126。電 子鏡筒102成為描繪部之一例。在電子鏡筒1〇2内配置有電 子搶201、照明透鏡2〇2、第1光圈2〇3、投影透鏡2〇4、偏 向器205、第2光圈206、接物透鏡207及偏向器208。此 外’在描繪室103内配置有可移動地配置之χγ平台丨〇5。 此外’在XY平台1〇5上配置有2片遮罩基板1〇、20或1片遮 罩基板12»包含雙重曝光或雙重圖案化曝光用之遮罩基板 作為2片遮罩基板^、汕或}片遮罩基板12。此等遮罩基板 例如包含尚未形成任何圖案之遮罩胚板（mask blanks)。在 此’在圖1中係記載在說明實施形態i上所需之構成部分。 對描繪裝置100而言，通常包含必要之其他構成亦無妨， 130782-1 〇i〇222.d〇( 1363373 此自不待言。 在磁碟裝置124中儲存有描繪資料。再者，資料處理電 路120係從磁碟裝置124讀取描繪資料，且進行轉換處理為 裝置内部格式（format)之擊發資料（shot data)。再者，擊發 資料係儲存於磁碟裝置126。再者，根據此擊發資料，由 控制電路110控制電子鏡筒102内或描繪室1〇3内之各機 器。以下說明電子鏡筒102内或描繪室103内之動作。 從作為照射部之一例之電子搶201射出之電子束2〇〇係藉 由照明透鏡202將具有矩形例如長方形之穴之第1光圈203 整體進行照明。在此，將電子束200首先成形為矩形，例 如長方形。再者’通過第i光圈2〇3之第1光圈像之電子束 2〇〇係藉由投影透鏡204而投影於第2光圈2〇6上。此種在第 2光圈206上之第1光圈像之位置係可藉由偏向器2〇5偏向控 制，而使射束形狀與尺寸變化。其結果，電子束2〇〇即成 形。再者，通過第2光圈206之第2光圈像之電子束200係藉 由接物透鏡207而對準焦點，且藉由偏向器2〇8而偏向。其 結果，即照射於χγ平台105上之2片遮罩基板1〇、2〇之所 希望之位置或1片遮罩基板12之所希望之位置。χγ平台 5之動作係連續移動、或進行步進重複（step and repeat) 移動。亦即，描繪裝置100·χγ平台1〇5一面連續移動一 面進行描繪°或者，描繪裝置100係ΧΥ平台105—面進行 步進重複移動一面在停止中進行描繪。 在此’在晶圓等之基板，係以使用雙重曝光或雙重圖案 化曝光用之遮罩之曝光裝置來將互補圖案進行曝光（轉 130782-1010222.doc 13633.73 印）。此外’以曝光裝置而t，亦可為掃描裝置，且 為步進裝置。再者’在掃描裝置中係規定有例如 πππΧ3〇 mm見方以上作為曝光裝置之曝光區域。然而在 實際之元件中’極少…個晶片佔據該曝光區域整體之情 形。因此，可在1個遮罩形成複數個同一晶片。 月 圖2係為用以說明實施形態！之雙重曝光（de)用遮罩之一 例之概念圖。 若設為形成複數個同一晶片，則如圖2所示在遮罩基 板50即形成晶片A所示之所希望之例如4個圖案52。然而， 在使用曝光裝置中所使用之ArF雷射等之光之情形下，若 維持該狀態不變則解像度就會超過極限。因此，即區分為 作為遮罩B之遮罩基板1〇及作為遮罩c之遮罩基板再 者，在遮罩基板10中係形成晶片B所示之所希望之4個圖案 22。再者，在遮罩基板2〇中係形成用以將4個圖案22分別 互補之晶片C所示之所希望之4個圖案μ。以此方式使夏片 遮罩具有複數個晶片，即可藉此提升生產性。至於雙重曝 光用遮罩亦同樣。 圖3係為表示實施形態1之雙重曝光（DE)用遮罩之描緣方 法之主要部分程序之流程圖。 在S(步驟）1 〇2中，係將作為描繪對象之複數個遮罩基板 1〇、20配置於χγ平台1〇5上作為遮罩設定程序。 圓4係為表.示從配置在實施形態1之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 在圖4中，係表示2個遮罩基板1〇、20並列承载在又¥平 I30782-I010222.doc 1363373 台105上之狀態。在描繪裝置100之描繪方向為父方向之情 形下，係以配合各圖案之互補之部分之向之座標來並 列承載於X方向為較佳。 在S104中，資料處理電路120係以相鄰之遮罩基板1〇、 20之對應之各位置進入同一長條（stripe)3〇(小區域）内之方 式，將包含遮罩基板10、20之描繪區域之區域虛擬分割為 長方形之複數個長條30作為長條分割程序。在圖4中，係 表示其中之1個長條30。長條30係以偏向器208之可偏向之 寬度分割。 在S106中’係電子鏡筒1〇2内之各機器，依每一長條 30，使用電子束200，對遮罩基板1〇描繪圖案22，及對遮 罩基板20描繪將圖案22互補之圖案24作為描繪程序。一面 使XY平台105在一X方向連續移動一面以偏向器208將電子 束200偏向於長條30内之所希望之位置，藉此而描繪圖 案。藉由XY平台105在一X方向連續移動，即可相對地描 繪於X方向。因此’在描繪遮罩基板1〇之長條3〇内之圖案 之後’即繼續描繪遮罩基板20之長條30内之圖案。因此， 直到遮罩基板1 0、2 0之對應之兩位置被描繪為止之時間之 間隔即變短。亦即，相較於在將遮罩基板1 〇全部描繪之後 再描緣遮罩基板20之情形，互補之圖案彼此之描繪時刻即 變近。因此，可在射束偏移之經時變化較少之狀態下描繪 雙方。因此，即可製造位置精度較高之互補之2個遮罩。 其結果，在使用該互補之2個遮罩進行曝光之晶圓等，即 可減低疊合錯誤。換言之，藉由將遮罩基板10、20並列承 I30782-1010222.doc 12 1363373 載於XY平台105上’即可適用上述之描繪方法。 如以上所述’在實施形態1中，係以相鄰之第1與第2區 域之對應之各位置進入同一小區域内之方式，將包含第^ 與第2區域之區域虛擬分割為長方形之複數個小區域◊藉 此’相鄰之第1與第2區域之對應之各位置即進入同一小區 域内。再者，係設為依每一小區域，對第丨區域描繪第】圖 案、及對第2區域描繪將第丨圖案互補之第2圖案。藉此， 由於依每一小區域描繪，因此直到第i與第2區域之對應之 兩位置被描繪為止之時間之間隔即變短。亦即，相較於將 第1區域全部描繪後再描繪第2區域之情形，描繪時刻即變 近。因此，可在射束偏移之經時變化亦較少之狀態下描繪 雙方。因此，即可減低疊合錯誤。 實施形態2 在實施形態1中，雖係說明圖4中將2個遮罩基板1〇、2〇 並列於XY平台105上之構成，惟在實施形態2中進一步 說明可將疊合錯誤減低之遮罩之描繪方法。如上所述，若 將互補圖案分開描繪於2個遮罩基板10、20，則在曝光裝 置需更換遮罩。因此’即使提高描繪位置精度，亦難以避 免更換兩遮罩之際之位置偏離，此點並無改變。因此，會 殘留重疊誤差。於是，乃以下列方式製造雙重曝光(de)用 遮罩。另外，關於裝置構成，係與圖1同樣。再者，關於 描繪方法之各主要部分程序，係與圖3同樣。 在S102中，將作為描繪對象之丨個遮罩基板12配置在 平台105上作為遮罩設定程序。 .130782-10l0222.doc •13· 上允3373 圖5係為表示從配置在實施形態2之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 如圖5所示，在丨片遮罩基板12上，形成晶片B、c所示 之互補之2個圖案22、24之兩方。藉由在1個遮罩基板12形 成互補之2個圖案22、24之兩方，即可避免在曝光裝置之 遮罩更換所導致之位置偏離。在描繪裝置1〇〇之描繪方向 為X方向之情形下’係以由2個圖案22、24配合各圖案之互 補之部分之y方向之座標而並列承載於χ方向為較佳。 在此’如上所述’極少有1個晶片佔據該曝光區域整體 之情形》因此，如圖5所示’可將互補之2個遮罩圖案22、 24並列配置，並且例如可各配置複數個。在圖5中，係表 示將遮罩圖案22、24各配置2個之例。如此，藉由使1片遮 罩具有複數個晶片’即可一面避免習知之位置偏離一面更 提升生產性。 在S104中，資料處理電路12〇係以相鄰之晶片β、c之圖 案22、24之對應之各位置進入同一長條32(小區域）内之方 式，將包含描繪圖案22、24之區域之區域虛擬分割為長方 形之複數個長條32作為長條分割程序。在圖5中，係表示 其中之1個長條32。長條32係以偏向器208之可偏向之寬度 分割。 在S106中，電子鏡筒1〇2内之各機器係依每一長條32， 使用電子束200，對遮罩基板12在晶片Β之區域描繪圖案 22，及對晶片C之區域描繪將圖案22互補之圖案24作為描 繪程序。藉由使ΧΥ平台105—面在一χ方向連續移動一面 130782-1010222.doc • 14 - 13633.73 以偏向器208將電子束200偏向於長條30内之所希望之位置 來描緣圖案^ XY平台1〇5係藉由在一X方向連續移動而相 對地描繪於X方向。因此，在描繪晶片B區域之長條32内之 圖案之後，即繼續描繪晶片C之區域之長條3〇内之圖案。 因此’直到晶片B、C之對應之兩位置被描繪為止之時間 之間隔即變短。亦即，相較於在將晶片3之區域全部描繪 之後再描繪晶片C之區域之情形，互補之圖案彼此之描繪 時刻即變近。因此，可在射束偏移之經時變化較少之狀態 下描繪雙方。因此，即可製造位置精度較高之互補之2個 晶片B、C。其結果，即可在使用形成有該互補之2個晶片 B、C之1個遮罩進行曝光之晶圓等中減低疊合錯誤。 如以上所述，在實施形態2中，亦與實施形態丨同樣，係 以相鄰之第1與第2區域之對應之各位置進入同一小區域内 之方式’將包含第1與第2區域之區域虛擬分割為長方形之 複數個小區域。藉此，相冑之第i與第2區域之對應之各位 置即進入同-小區域内。再者，係設為依每一小區域，對 W㈣㈣第1®案' 及對第2區域描繪將第！圖案互補之 第2圖案。藉此，由於依每一小區域描緣，因此直到第磧 第2區域之對應之兩位置被騎為止之時間之間隔即變 心㈣’相較於將第i區域全部描緣後再描緣第2區域之 情形，描繪時刻即變近。因士 四此可在射束偏移之經時變化 亦較少之狀態下描繪雙 個[艾万。因此，即可減低疊合錯誤。 實施形態3 在實施形態1中，雖俏如丄 保如在圖4中所說明，說明了 χγ平 I30782-J〇i〇222.d〇c -15· 1363373 台連續移動之連續描繪之情形，惟在實施形態3中，係說 月以步進重複移動描繪之雙重曝光（DE)用遮罩之描繪方 法。另外，關於裴置構成，係與圖丨同樣β再者，關於描 繪方法之各主要部分程序，除將長條另讀成場域（field)之 點以外均與圖3同樣。 在S(步驟）1 〇2中，將作為描繪對象之複數個遮罩基板 1〇 ' 2〇配置在χγ平台1〇5上作為遮罩設定程序。 圖6係為表示從配置在實施形態3之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 在圖6中，係與實施形態1同樣，表示在χγ平台1〇5上並 列承载有2個遮罩基板10、2〇之狀態。在描繪裝置1〇〇之描 繪方向為X方向之情形下.，係以配合各圖案之互補之部分 之y方向之座標而並列承載於χ方向為較佳。 在S104中，資料處理電路120係將相鄰之遮罩基板1〇、 20之描繪區域分別虛擬分割為複數個場域34(小區域）作為 %域分割程序。各場域34係以偏向器208之可偏向之縱橫 寬度分割為正方形或長方形。在圖6中，係表示不在其中 之y方向移動即可完成之一連串之複數個場域34。 在S106中，電子鏡筒1〇2内之各機器係使用電子束2〇〇， 以遮罩基板1 〇、20之描繪區域之對應之2個場域34連續之 方式對遮罩基板10描繪圖案22 ’及對遮罩基板2〇描繪將圖 案22互補之圖案24，以作為描繪程序。藉由使χγ平台1〇5 一面在±x方向步進移動一面在停止之位置藉由偏向器2〇8 將電子束200偏向於場域34内之所希望之位置而描繪圖 130782-1010222.doc • 16- 1363373 案。在此，首先，若描繪遮罩基板10内之"1"所示之場域 34，接著則描繪遮罩基板2〇内之”2”所示之互補之場域 34。再者，不返回遮罩基板1〇，而描繪相鄰之遮罩基板μ 内之"3”所示之場域34。接著，返回遮罩基板1〇，描繪遮 罩基板10内之"4"所示之互補之場域34。再者，描繪相鄰 之遮罩基板10内之"5"所示之互補之場域34。接著，描繪 遮罩基板20内之"6"所示之互補之場域34。如此，以成為 互補關係之對應之2個場域34繼續被描繪之方式設定步進 位置。亦即，相較於在將遮罩基板1〇内之場域全部描繪之 後再描繪遮罩基板20内之場域之情形，對應之2個場域之 描繪時刻即變近。因此，可在射束偏移之經時變化亦較少 之狀態下描繪雙方。因此，即可製造位置精度較高之互補 之2個遮罩。其結果，即可在使用該互補之2個遮罩進行曝 光之晶圓等中減低疊合錯誤。換言之，藉由將遮罩基板 10、20並列承載於ΧΥ平台1〇5上，即可適用上述之描繪方 法0 如以上所述，在實施形態3中，係將相鄰之第丨與第2區 域分別虛擬分割為複數個小區域。再者，以第1與第2區域 之對應之2個小區域連續之方式對於第丨區域描繪第i圖 案、及對於第2區域描繪將第1圖案互補之第2圖案。藉 此，即以第1與第2區域之對應之2個小區域連續之方式描 繪 '亦即，相較於在將第1區域全部描繪之後再描繪第2區 域之情形’對應之2個小區域之描繪時刻即變近。因此， 可在射束偏移之經時變化亦較少之狀態下描繪雙方。因 130782-1010222.d〇c 1363373 此’即可減低疊合錯誤。 實施形態4 在實施形態2中，雖係如在圖5中所說明，說明了 χγ平 台連續移動之連續描繪之情形，惟在實施形態4中，係與 實施形態3同樣，說明以步進重複移動描繪之雙重曝光 (DE)用遮罩之描繪方法。另外，關於裝置構成係與圖1 同樣。再者，關於描繪方法之各主要部分程序，除將長條 另讀成場域（field)之點以外均與圖3同樣。 在S(步驟）1〇2中，將作為描繪對象之！個遮罩基板12配 置在XY平台1〇5上作為遮罩設定程序。 圖7係為表示從配置在實施形態4之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 在圖7中，係與實施形態2同樣，在χγ平台1〇5上承載i 個遮罩基板12。再者，在此1片遮罩基板12上，形成晶片 B、C所示之互補之2個圖案22、24之兩方。藉由在！個遮 罩基板12形成互補之2個圖案22、24之兩方，即可避免在 曝光裝置中因為遮罩更換所導致之位置偏離。在描繪裝置 1〇〇之描繪方向為x方向之情形下，係以2個圖案22、24配 合各圖案之互補之部分之y方向之座標而並列承載於χ方向 為較佳之點’係與實施形態2同樣。 在S104中，資料處理電路12〇係將相鄰之晶片β、◦之描 繪區域分別虛擬分割為複數個場域34(小區域）作為場域分 割程序。各場域34係以偏向器208之可偏向之縱橫寬度分 割為正方形或長方形。在圖7中，係表示不在其中之y方向 130782-1010222.doc 13633.73 移動即可完成之一連串之複數個場域34。 在S106中，電子鏡筒！ 02内之各機器係使用電子束2〇〇, 以晶片B、C之描繪區域之對應之2個場域34連續之方式對 晶片B之區域描繪圖案22，及對晶片C之區域描繪將圖案 22互補之圖案24，以作為描繪程序。使乂丫平台1〇5一面在 ±x方向步進移動一面在停止之位置藉由偏向器2〇8將電子 束200偏向於場域34内之所希望之位置而描繪圖案。在 此，首先，若描繪晶片B之區域内之"1"所示之場域34，接 著則描纷晶片C之區域内之"2"所示之互補之場域34。再 者，不返回晶片B之區域，而描繪相鄰之晶片c之區域内 之”3"所示之場域34。接著，返回晶片B之區域，描繪晶片 B之區域内之”4”所示之互補之場域34。再者，描繪相鄰之 晶片B之區域内之"5”所示之互補之場域34。接著，描繪晶 片C之區域内之"6"所示之互補之場域34。如此以成為互 補關係之對應之2個場域34繼續被描繪之方式設定步進位 置。亦即，相較於在將晶片B之區域内之場域全部描繪之 後再描繪晶片c之區域内之場域之情形，對應之2個場域之 描繪時刻即變近《因此，可在射束偏移之經時變化亦較少 之狀態下描繪冑方。目Λ ’即可製造位置 之2個遮罩。其結果，即可在使用該互補之2個料進= 光之晶圓等中減低疊合錯誤。 如以上所述，在實施形態4中，亦與實施形態3同樣，係 將相鄰之帛1與第2區域分別虛擬分料複數個小區域。再 者，以第1與第2區域之對應之2個小區域連續之方式對於 130782-1010222.doc •19· 1363373 第1區域描繪第1圖案、及對於第2區域描繪將第1圖案互補 之第2圖案。藉此’即以第1與第2區域之對應之2個小區域 連續之方式描繪。亦即，相較於在將第1區域全部描繪之 後再描繪第2區域之情形，對應之2個小區域之描繪時刻即 變近。因此’可在射束偏移之經時變化亦較少之狀態下描 繪雙方。因此，即可減低疊合錯誤。 關於上述之實施形態2、4，描繪裝置1〇〇係在X方向描 繪’相對於此’掃描裝置在y方向掃描之情形下，係以下 列方式描繪較佳。 圖8A與圖8B係為用以說明使遮罩基板旋轉而改變方向 後再描繪之方法之概念圖。 在以掃描裝置曝光（轉印）之情形下，係以互補之2個圖 案22、24沿著掃描裝置之掃描方向§並列形成為較佳。例 如，如圖8A所不，在朝向y方向掃描之情形下，係將圖案 22、24並列形成於y方向。再者，先配合與掃描方向正交 之X方向之位置。藉由如此配置，即可避免在掃描中X方向 之移動。然而，以此狀態下之位置關係進行描繪，無法在 描繪裝置100内將圖案22、24分割為丨個長條或一連串之場 域。因此，如圖8B所示，藉由使遮罩基板12旋轉9〇度，即 可將用以描繪互補之2個圖案22、24之晶片B、〇之區域並 列於屬於描繪方向之x方向。旋轉方向係可為±9〇度任一方 向均無妨。 表 τ、上所述，已一面參照具體例一面說明了實施形態。然 而，本發明並不限定於此等具體例。上述之各方法針對將 130782-1010222.doc •20- 1363373 複數個互補圖案重疊進行曝光 成立。 之雙重曝光用遮罩亦同樣可 無直 要之 此外，針對裝置構成及控制方法等與本發明之說明 接必要之部77等均予以省略記載，惟可適當選擇所需 裝置構成及控制方法來加以使用。 其他凡具備本發明之要素，且由該行業業柯適當設叶 變更之所有描綠方法及荷電粒子束描緣裝置均包含於本發 明之範圍。 上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，而 非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違 背本發明之精神及料下，對上述實施㈣行修飾與變 化》因此’本發明之_保護範圍，應如後述之_請專利 範圍所列。 【圖式簡單說明】 圖1係為表示實施形態〗之描繪裝置之構成之概念圖。 圖2係為用以說明實施形態丨之雙重曝光（DE)用遮罩之一 例之概念圖。 圖3係為表示實施形態丨之雙重曝光（DE)用遮罩之描繪方 法之主要部分程序之流程圖。 圖4係為表示從配置在實施形態丨之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 圖5係為表示從配置在實施形態2之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 圖6係為表示從配置在實施形態3之平台上之遮罩基板之 130782.1010222.doc •21- 1363373 上方所觀看之狀態之概念圖。 圖7係為表示從配置在實施形態4之平台上之遮罩基板之 上方所觀看之狀態之概念圖。 圖8A與圖8B係為用以說明使遮罩基板旋轉而改變方向 後再描繪之方法之概念圖。 圖9係為用以說明習知之雙重圖案化用遮罩之概念圖。 圖1 〇係為用以說明習知之可變成形型電子線描繪裝置之 動作之概念圖β 【主要元件符號說明】 10、 ' 20 X 50 遮罩基板 22 ' 24、52、302、312、314 圖案 30、 32 長條 34 場域 100 描繪裝置 102 電子鏡筒 103 描繪室 105 ΧΥ平台 110 控制電路 120 資料處理電路 124 ' 126 磁碟裝置 160 控制部 200 電子束 201 電子搶 202 照明透鏡 130782-1010222.doc •22· 1363373 203 、 410 第1光圈 206 、 420 第2光圈 204 投影透鏡 205 、 208 偏向器 207 接物透鏡 300 ' 310 ' 320 遮罩 330 電子線 340 試料 411 開口 421 可變成形開口 430 荷電粒子源 130782-1010222.doc -23-

Claims (1)

1363373 十、申請專利範圍： 1. 一種遮罩基板之描繪方法，其特徵為： 以使相鄰之第1與第2區域之對應之各位置進入同一小 區域内之方式’將包含前述第1與第2區域之區域虛擬分 割為長方形之複數個前述小區域； 於每一前述小區域，對前述第1區域描繪第1圖案，及 對前述第2區域描繪與前述第丨圖案互補之第2圖案； 則述第1區域係設於第1遮罩基板上，而前述第2區域 係設於第2遮罩基板上。 2_ —種遮罩基板之描繪方法，其特徵為： 以使相鄰之第1與第2區域之對應之各位置進入同一小 區域内之方式，將包含前述第！與第2區域之區域虛擬分 割為長方形之複數個前述小區域； 於每一前述小區域，對前述第丨區域描繪第丨圖案，及 對前述第2區域描繪與前述第丨圖案互補之第2圖案； 前述第1與第2區域係設於丨個遮罩基板上。 3. —種遮罩基板之描繪方法，其特徵為： 將相鄰之第i與第2區域分別虛擬分割為複數個小區 域； 以使前述第丨與第2區域之對應之2個小區域連續之方 式，對前述第i區域描繪第旧帛，及對前述第2區域描 繪與前述第1圖案互補之第2圖案； 前述第i區域係設於第！遮罩基板±，而前述第2區域 係設於第2遮罩基板上。 130782-1010222.doc 1363373 4· 一種遮罩基板之描繪方法’其特徵為： 將相鄰之第1與第2區域分別虛擬分割為複數個小區 域； 以使前述第1與第2區域之對應之2個小區域連續之方 式’對前述第1區域描繪第1圖案’及對前述第2區域描 繪與前述第1圖案互補之第2圖案； 前述第1與第2區域係設於1個遮罩基板上。 5_ 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵為包括： 平台，其係將第1與第2遮罩基板並列承載；及 描繪部，其係使用荷電粒子束，對前述第丨遮罩基板 描繪第1圖案，及對前述第2遮罩基板描繪與前述第丄圖 案互補之第2圖案。 6_如請求項5之荷電粒子束描繪裝置，其中 以使並列承載之第1與第2遮罩基板之對應之各位置進 入同一小區域内之方式，將包含前述第丨與第2遮罩基板 之區域虛擬分割為長方形之複數個前述小區域； 前述描繪部係於每一前述小區域，對前述第1遮罩基 板描繪第1圖案，及對前述第2遮罩基板描繪與前述第1 圖案互補之第2圖案。 7.如請求項5之荷電粒子束描繪裝置，其中 並列承載之第1與第2遮罩基板内之各區域被分別虛擬 分割為複數個小區域； 前述描繪部係以使前述第1與第2遮罩基板内之對應之 2個小區域連續之方式，對前述第丨遮罩基板描繪第1圖 130782-1010222.doc 1363373 案’及對前述第2遮罩基板描緣與前述第】圖案互補之第 2圖索。 8_ -種荷電粒子束描繪裝置’其特徵為包括： 平台’其係承載遮罩基板；及 描搶部，其係使用荷電粒子束，對前述遮罩基板之第 1區域騎^圖案，及對與前述遮罩基板之^區域相 鄰之第2區域描繪與前述第i圖案互補之第2圖案。 130782-1010222.doc