JP2005183692A - マスク作成装置 - Google Patents
マスク作成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005183692A JP2005183692A JP2003422894A JP2003422894A JP2005183692A JP 2005183692 A JP2005183692 A JP 2005183692A JP 2003422894 A JP2003422894 A JP 2003422894A JP 2003422894 A JP2003422894 A JP 2003422894A JP 2005183692 A JP2005183692 A JP 2005183692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- mother
- exposure
- magnification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】マスクリピータに等倍X線露光装置を用いたものである。これによると、回折によるボケが小さいため、強力なOPCは不要になる。しかも、等倍X線露光装置で作成されるパターンは、マスクのパターンになるため、半導体チップのパターンよりも4倍大きいことから、マザーマスクの製作が困難になることもない。
【効果】特にマスク上に同じパターンが多数個描画されたマスク、すなわち、多数の小さい半導体チップを一度に露光できるようなマスクを作成する場合、マザーマスクのパターンを何度もステップ&リピートでパターン露光できるため、短時間に製作できる。
【選択図】 図1
Description
102 マスクリピータ
103 マザーマスク
104 XYステージ
105 パターン描画装置
106 マスク
107 縦型ステージ
108 X線
109a、109b パターン部
110 ミラーデバイス
111 ミラー
112a、112b レンズ
113 投影光学系
114 マイクロレンズアレイ
115 ピンホール板
116 縮小投影光学系
117 ピンホール板115の投影領域
118 露光された領域
121 シリコンウエハ
122 SiCメンブレン
123 X線吸収体
124 フレーム
L1、L2、L3、L4 紫外光
Claims (13)
- 半導体デバイス用露光装置で用いられるマスクのパターン描画を、等倍露光によって行うことを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1において、前記マスクのパターン描画の等倍露光をリピートすることによって、前記マスク上に複数のパターンを形成することを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1において、マスク描画用として用いられる等倍X線露光装置または等倍電子ビーム露光装置用のマザーマスクを、ミラーデバイスを用いたパターン描画装置によって描画することを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記半導体デバイス用露光装置で用いられるマスクが、SOC用のマスクであることを特徴とするマスク作成方法。
- 半導体ウエハ作成用マスクを作成する方法において、前記マスクの作成に使用されるマザーマスクを描画する工程と、前記マザーマスクのパターンを等倍露光することによって前記マスク上にパターンを形成する工程とを含むことを特徴するマスク作成方法。
- 請求項5において、前記等倍露光は等倍X線露光装置及び等倍電子ビーム露光装置のいずれかを使用して行われることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項5又は6において、前記マザーマスクの描画には、ミラーデバイスを備えたパターン描画装置が使用されることを特徴とするマスク作成方法。
- 半導体ウエハ作成用マスクを作成するマスク作成装置において、前記マスク上に描画すべきパターンを有するマザーマスクを描画するマザーマスク描画装置と、前記マザーマスクのパターンを等倍露光により前記マスク上にパターンを形成するマスク描画装置とを含むことを特徴とするマスク作成装置。
- 請求項8において、前記マザーマスク描画装置は、単一のパターン部を備えたマザーマスクを作成し、前記マスク描画装置は、前記マザーマスクの単一のパターン部を前記マスク上に等倍露光によって繰り返し描画するマスクレピータによって構成されていることを特徴とするマスク作成装置。
- 請求項9において、前記マスクレピータは等倍X線露光装置及び等倍電子ビーム露光装置のいずれかによって構成されていることを特徴とするマスク作成装置。
- 請求項8乃至10のいずれかにおいて、前記マザーマスク描画装置はミラーデバイスを含むパターン描画装置によって構成されていることを特徴とするマスク作成装置。
- 請求項8乃至11のいずれかに記載された前記等倍露光によって作成された半導体ウエハ作成用マスク。
- 請求項12において、同一のパターンの複数個含むことを特徴とする半導体ウエハ作成用マスク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003422894A JP2005183692A (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | マスク作成装置 |
PCT/JP2004/002548 WO2004079799A1 (ja) | 2003-03-05 | 2004-03-02 | マスクレピータ及びマスク製造方法 |
US10/548,287 US20060104413A1 (en) | 2003-03-05 | 2004-03-02 | Mask repeater and mask manufacturing method |
EP04716345A EP1608003A1 (en) | 2003-03-05 | 2004-03-02 | Mask repeater and mask manufacturing method |
TW093105688A TW200502675A (en) | 2003-03-05 | 2004-03-04 | Mask repeater and method of producing a mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003422894A JP2005183692A (ja) | 2003-12-19 | 2003-12-19 | マスク作成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005183692A true JP2005183692A (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=34783618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003422894A Pending JP2005183692A (ja) | 2003-03-05 | 2003-12-19 | マスク作成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005183692A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019064511A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53104173A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Master reticle for photo mask production |
JP2002353108A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法 |
-
2003
- 2003-12-19 JP JP2003422894A patent/JP2005183692A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53104173A (en) * | 1977-02-23 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Master reticle for photo mask production |
JP2002353108A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019064511A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4199975B2 (ja) | 多重可干渉性最適化露出および高透過率減衰psmを利用する、改良したリソグラフィパターニングのための方法 | |
US20050073671A1 (en) | Composite optical lithography method for patterning lines of substantially equal width | |
KR20060096052A (ko) | 폭이 매우 상이한 라인을 패터닝하기 위한 복합 광학리소그래피 방법, 장치 및 시스템 | |
US5926257A (en) | Illumination optical system and exposure apparatus having the same | |
JP2006128194A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4171647B2 (ja) | プロセス・ラチチュードを改善するために利用した補助形態を除去する方法 | |
TWI246111B (en) | Composite patterning with trenches | |
JP4034286B2 (ja) | デバイス製造方法、その方法で使用するためのマスク・セット、プログラム可能なパターン形成装置を制御するためのデータ・セット、マスク・パターンを作成する方法、およびコンピュータ・プログラム | |
JPH09219358A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
KR100614292B1 (ko) | 일루미네이터 제어식 톤 반전 프린팅 | |
EP1045288A2 (en) | Mask structure and method of manufacturing the same | |
JP2007242775A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
TW202013089A (zh) | 光學無光罩 | |
JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
JP2000133561A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
JPH08153661A (ja) | 投影露光方法 | |
JP4804802B2 (ja) | フォトマスク及びこれを用いたパターン製造方法 | |
JPH06163365A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7139064B2 (en) | Optical system for providing a hexapole illumination and method of forming a photoresist pattern on a substrate using the same | |
JP2006119601A (ja) | 光変調素子及びそれを利用した光学装置 | |
JP2005183692A (ja) | マスク作成装置 | |
JP2000021714A (ja) | 露光方法および装置、ならびにデバイス製造方法 | |
JP3618944B2 (ja) | 照明光学系及びそれを用いた露光装置 | |
JPH1092729A (ja) | 照明装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
WO2004079799A1 (ja) | マスクレピータ及びマスク製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060810 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061016 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100324 |