TWI359855B - - Google Patents
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1359855 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關使用於平面顯示面板等之背光用的有機 發光元件(OLED )。更詳細而言,係有關可使用於有機 發光元件之發光層的含硼高分子化合物,及使用該高分子 化合物之有機發光元件。 【先前技術】 有機發光元件從1987年柯達公司之譚(C. W. Tang) 們所展示的高亮度發光以來,急速開發材料及改良元件構 造,最近開始實用化於汽車音響及行動電話用之顯示板等 。又,爲了擴大該有機 EL( electro luminescence)元件 之用途,目前有關提升發光效率及耐久性用之材料及全色 彩顯示等開發非常活躍。特別是爲了推展史型面板、大型 面板及照明用途而需提升發光效率下,更要求高亮度化。 但目前所使用之發光性材料係由激發一重項狀態而發光, 即螢光,故電性激發中會大激發一重項狀態與激發三重項 狀態之激發子的生成比爲1 : 3,而使有機EL之光的內部 量子效率上限爲25% (外部敢出效率爲20%時相當於外部 量子效率5 % )。 相對地,使用巴洛得(M.A. Baldo )們所揭示的室溫 下來自激發三重項狀態而磷光發光之銥錯合物等,可得外 部量子效率7.5% (假定外部取出效率爲20%時相當於內部 量子效率3 7.5 % ),而提升先前外部量子效率上限値5 %之 -5- (2) 1359855 値。又’改善磷材料及元件構造下,可得近 率(應用物理文件,90卷,5048頁,200] 受人注目之超高效率化方法。 但,該磷光發光性之銥錯合物爲低分子 以真空蒸鍍法成膜。該真空蒸鍍法爲目前廣 子系發光性材料的成膜方法,但需有真空設 面積使有機薄膜均勻成膜,及難形成高精細 而無法適用爲大面積面板之量產化方法》 因此開發出適合大面積化、量產化之元 例如利用旋轉塗布法、噴墨法、印刷法等使 性材料成膜之方法。該方法爲螢光發光性高 使用之方法,又,曾出現對磷光發光性高分 發,即使用支鏈具有磷光發光部位及專職輸 發光性高分子材料,而得超過5 %之外部量 (Pro ceedings of The 11th International Inorganic and Organic Electro luminescece p.283-286 ' 2002) » 但該磷光發光性高分子材料之外部量子 光發光限界5 %爲6 %,而無法得到原本對磷 之高外部量子效率。 又,曾出現許多機關進行光機能材料及 應用π電子系有機化合物之硏究,且內容多 預設分子內含有硼原子之硼化合物,而利用 子之空Ρ軌道發現特異光學、電子物性。 乎 20%之高效 年),而成爲 化合物,故需 泛使用之低分 備,故有難大 圖型等問題, 件製作方法, 高分子系發光 分子材料廣泛 子材料進行開 送部位之磷光 子效率的報告 Workshop on (EL2002), 效率僅超越螢 光發光所期待 電子機能材料 樣化。其中曾 所存在的硼原 -6 - (3) (3)1359855 但一般硼化合物含有空氣或水中不安定之缺點,故傾 向不作爲材料用。關於該問題,最近曾出現硼化合物具有 商容積構造時,空氣中或水中具安定性之報告(例如美國 化學協會雜誌’ 120卷,10776頁,1998年),而擴大應 用於非線形光學材料及有機E L材料等之可能性。但該報 告之內容僅限於溶液狀態之螢光物性,而現狀下對具有高 容積構造之硼化合物的實質用途之硏究尙不足。特別是寄 望應用於有機EL材料而盛行各種硏究下,仍無法發現充 分之性能。 基本上有機EL元件係由,2個電極中挾持電荷輸送 層或/及形成發光性材料用之有機化合物的構造所構成, 故有希望成爲低消耗電力之高效率有機EL,因此需求高 發光效率之材料用的有機化合物。 又,曾出現於電荷送劑用之含雜環硼化合物的論文( 美國化學協會雜誌,120卷,9714頁,1998年)中之物的 硼化合物之發光特性及該硼化合物之發光性材料適性尙不 足。 該報告中僅表示,同亮度下使用硼化合物之元件比未 使用硼化合物之元件的電流密度低,故可提升發光效率。 但因該砸化合物爲低分子,如上述般需利用真空蒸鍍等製 膜法,故不適合爲大面積面板量產之方法。又’ W0 0 0/405 86號報告中曾有有機EL利用硼化合物之例子。但 ,所使用之硼化合物同爲低分子,故效率低而有上述論文 之問題。 (4) (4)1359855 【發明內容】 發明之揭示 目前爲止雖有適用於大面積化、量產化之高效率發光 性的高分子材料開發案’但仍無法得到充分之高發光效率 下能低電壓驅動之發光性材料,及使用其之有機發光元件 〇 因此本發明之課題爲,提供低電壓下可得高發光效率 ’而適用於大面積化及量產化之高分子材料,及使用其之 有機發光元件。 本發明者們針對目前爲止高分子材料用之電子輸送部 位爲噁二唑構造,因此驅動電壓較高而電力效率較低之事 實提升各種檢討後發現’電子輸送部位使用具有特定^芳 基硼構造之高分子材料時,可降低驅動電壓及提升外部量 子效率,而完成本發明。 即’本發明係有關下列有機發光元件。 1 · 一種高分子化合物,其特徵爲,含有式(】) R16
X\A 〔式中’ A爲苯基可被取代之三苯基硼基,R,6爲氣原子 或碳數1至12之烷基,X爲單鍵'-0-、-S-、_S0.、. SQ”或可含有雜原子之碳數1至2〇的2價烴基〕 所示簞體單位。 (5) (5)1359855 2.如前項1 .所記載之高分子化合物,其特徵爲,含 有式(2 ) R16
I C-CH2 R2
〔式中,R16及X同上述,R1至R15各自獨立爲氫原子、 鹵原子、氰基、胺基、碳數1至12之烴烷基或碳數1至 12之烷氧基、芳氧基、芳香族基、雜環基,且R1至R1; 中同一苯基上接鄰之物可鍵結形成縮合環〕 所示單體單位。 3. 如前項2.所記載之高分子化合物,其中式(2 )所 示單體單位中,R1、R4、R5、R9、R1Q、R13中至少4個爲 C1至C6之烷基或烷氧基(但R1及R4對硼之取代位置爲 鄰位)。 4. 如前項2.所記載之高分子化合物,其含有式(3 ) -9- (6)1359855 r16 I c—ch2 R2
(3) 〔式中,R2、R3、]^6至 R8 及 R11、R12、 ] 所示單體單位。 5 .如前項2 .或3 .所記載之高分子化 (4) R16
I I ---C——ch2-- R15、Rh同上述 合物,其含有式 、, R2
〔式中,R1至R6、R8至R13及R16同上i 自獨立爲氫原子、鹵原子、氰基、胺基、 烴烷基或碳數1至12之烷氧基、芳氧基 -10- £,R17 至 R26 各 碳數】至12之 、芳香族基、雜 (7) (7)1359855 環基,且R17至R20中同一苯基上接鄰之物可鍵結形成縮 合環〕 所示單體單位。 6. 如前項2.至5.所記載之高分子化合物’其爲含有 前項2.所記載之式(2)所示單體單位,及發光性單體單 位之發光性高分子化合物。 7. 如前項6.所記載之發光性高分子化合物’其中發 光性單體單位之發光爲磷光發光。 8. 如前項7 .所記載之發光性高分子化合物,其中發 光性單體單位含有過渡金屬錯合物。 9. 如前項8.所記載之發光性高分子化合物,其中發 光性單體單位含有原子編號3 9至4 8 ' 72至8 0中所選出 之金屬。 1 〇 .如前項2 .至9 .中任何一項所記載之發光性高分子 化合物,其中發光性高分子化合物含有電洞輸送性單體單 位。 11. 一種發光性組成物,其特徵爲,含有含前項2.所 記載之式(2 )所示單體單位的高分子化合物及發光性化 合物。 12. 如前項1 1 .所記載之發光性組成物,其中發光性 化合物爲低分子化合物及/或高分子化合物。 13. —種有機發光元件,其爲,含有陽極及陰極挾持 一個或複數之高分子層的有機發光元件中,高分子層中至 少一層含有前項6.至9.中任何一項所記載之發光性高分子 -11 - (8)1359855 化合物。 14. 一種有機發光元件,其爲,含有陽極及陰極挾持 —個或複數之高分子層的有機發光元件中,高分子層中至 少一層含有前項Π .或12.所記載之發光性組成物。 15. —種面發光光源、顯示裝置用背光、顯示裝置、 照明裝置、室內及屋外裝置,其爲使用前項13.或14.所記 載之有機發光元件。
發明之詳細說明 下面將具體說明本發明之實施型態。 本發明之高分子化合物至少有式(1)所示之含硼單 體單位。 r16
I --C-CH〇一 一· Τι 丁 (” Χ\ 、Α
式中’ Α爲苯基可被取代之三苯基硼基,爲氫原 子或碳數1至12之烷基’X爲單鍵、、-S〇2·或可含有雜原子之碳數1至20的2價烴基。 具體而言’式(1)所示之含硼單體單位如下列式(2 )所示。 -12 - 1359855 Ο) R16
(2) 式中’ R16及X同上述,R1至R15各自獨立爲氫子、 鹵原子、氰基、胺基、碳數1至12之烴烷基或碳數1至 12之烷氧基、芳氧基、芳香族基' 雜環基。又,Ri至Ris 中同一苯基上接鄰之物可鍵結形成縮合體。 式(2)所示之單體單位係由三芳基硼構造之部分、 形成來自碳-碳雙鍵之聚合鍵的部分及其鍵結用之連結基 所構成。因三芳基硼構造具有高電子移動度,而能低電壓 驅動’故可得較高之外部量子效率。即,式(2 )所示之 單體單位具有電子輸送性部位之作用。 式(2 )中R1至R15爲氫原子、鹵原子、氰基、胺基 、碳數】至12之烴烷基或碳數1至12之烷氧基、芳氧基 、芳香族基、雜環基。W至R15所使用之鹵原子如,氟、 氯、溴及碘。R1至R15所使用之碳數1至12的烴烷基如 ,甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、t-丁基' 戊基、己基 '辛基、癸基、十二烷基等。R1至R15所使用 之碳數]至12的烷氧基如,甲氧基、乙氧基、丙氧基、 異丙氧基、異丁氧基、t-丁氧基、己氧基、辛氧基、癸氧 -13- (10)1359855
基、十二烷氧基等。R1至R15所使用之芳氧基如,苯氧基 、4-甲基苯氧基、萘氧基、胺茴氧基等。R1至R15所使用 之芳香族如,苯基、聯苯基、三聯苯基、甲苯基、二甲苯 基、茱基、蒽基、菲基等。…至所使用之雜環基如, 吡啶基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、吡唑基、咪唑基、三 唑基、四唑基、噁唑基、噁二唑基、噻唑基、噻二唑基、 吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并咪唑基 、苯并三唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并二噻唑基 、呋喃基等。又,R1至R15中同一苯基上接鄰之物可鍵結 形成縮合環。 爲了使空氣或水中硼化合物安定,較佳爲芳香環之鄰 位具有取代基,又以4位具有取代基爲佳。
式(2)中R16可爲氫原子或碳數丨至12之烷基。Ri6 所使用之碳數1至12的烷基如,甲基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、異丁基、t-丁基、戊基、己基、辛基 '癸基 、十二烷基等。 式(2)之三芳基硼構造的具體例較佳如,下列式( A-1 )至(A-15)所示構造》
-14 - (11)1359855
式(2)中連結基 X爲單鍵、-Ο-、-S-、-SO-或可具 有雜原子之碳數1至20的2價有機基。連結基X所使用 之碳數1至20的2價有機基如,下列式(S-1)至(S-15 )所示構造之物。 -15- (12)1359855
-16 - (13) (13)1359855 式中,R2 7、R2 8及R29各自獨立爲伸甲基、取代或未 取代之伸苯基。k、m及η各自獨立爲0、1或2。但式( S-3)、式(S-7)及式(S-8)之m及η不可同時爲0。 式(2 )所示三芳基硼構造之具體例較佳如,下列式 (Β-1)至(Β-23)所示構造。其中特佳爲式(Β-4)、( Β-6 ) 、 (Β-19) 、( Β-21 ) 、 ( Β-22 ) 、 (Β-23)所示 之物。
17- (14) 1359855
本發明之高分子化合物中,以式(2 )所示單體單位 之重覆數爲t,及以其他單體單位之重覆數爲u時,對全 體單體單位之重覆數的本發明式(2)所示單體單位之重 覆比率,即t/ ( t + u )較佳爲0.01以上且1 .00以下,更佳 爲0.1以上且0.9以下。 本發明之高分子化合物可含有發光性單體單位。此時 發光單體單位係由發光部位、形成來自碳-碳雙鍵之聚合 -18 - (15) (15)1359855 鏈的部分及其鍵結用之連結基所構成。該發光可爲螢光或 磷光,較佳爲磷光。 發光性單體單位之螢光發光性部位可使用,室溫下產 生螢光之化合物。例如發光性部位可使用應用物理,第7 0 卷,第12號,1419頁,2001年所記載之化合物。 發光性單體單位之磷光發光性部位可使用,室溫下產 生磷光之化合物,較佳爲過渡金屬錯合物。該過渡金屬錯 合物所使用之過渡金屬係包含周期表之第一過渡元素系列 ’即原子編號21之Sc至30之Zn,及第二過渡元素系列 ’即原子編號39之Y至48之Cd,及第三過渡元素系列 ’即原子編號72之Hf至80之Hg。該過渡金屬中較佳爲 Pd、Ds、Ir、Pt 及 Au,更佳爲 Ir + Pt,特佳爲 Ir。 上述過渡金屬錯合物之配位基可使用,威吉遜(G. Wilkinson )編 > Comprehensive Coordination Chemistry (plenum Press,1 98 7 );山本明夫「有機金屬化學-基礎 與應用-」(裳華房,1 9 82 )所記載之配位基等。其中較 佳爲鹵配位基、含氮雜環配位基(苯基吡啶系配位基、苯 并噻嗯基吡啶系配位基、苯并喹啉系配位基、喑啉酚系配 位基、聯二吡啶系配位基、聯三吡啶系配位基、菲繞啉系 配位基等)、二酮配位基(乙醯丙酮配位基、二三甲基乙 醯甲烷配位基等)'羧酸配位基(乙酸配位基等)、磷配 位基(三苯基磷系配位基等、亞磷酸酯系配位基等)、一 氧化碳配位基、異腈配位基及氰基配位基。 該過渡金屬錯合物之配位基的具體例特佳如,下列式 -19- (16)1359855 (L-l )至(L-13 )所示構造之物。
(L-5) (L-6) ( L - 7 ) ( L- 8 ) ( L - 9)
又,一個過渡金屬錯合物可含有複數種配位基。又, 該過渡金屬錯合物可爲二核錯合物或多核錯合物。 發光性單體單位之連結基爲,鍵結上述過渡金屬錯合 物及來自碳-碳雙鍵之聚合鏈的部分。該連結基爲單鍵、· 〇·、-S-、-SO-' -S〇2-或具有雜原子之碳數1至20的2價 烴基。連結基所使用之碳數.1至20的2價烴基如,同上 述式(2)之連結基X爲式(S-1)至式(S-15)所示構造 之物。 -20- (17)1359855 本發明之發光性單體單位的具體例如’式(D -])至 式(D-11)所示構造。
% c=o
-21 (18) 1359855
本發明之高分子化合物中’以發光性單體 數爲r,及以其他單體單位之重覆數(包含式 合物)爲s時(r's爲1以上之整數)’對全 之重覆數的發光性單體單位之重覆比率’即 値較佳爲0.0001以上且0.3以下’更佳爲0 0.2以下。 共聚物中單體之配列方式可爲無規共聚物 物或交互共聚物。 又,本發明之高分子化合物除了式(2) 位外,可含有電洞輸送性單體單位。 電洞輸送性單體單位之電洞輸送性部位如 基-Ν,Ν1- ( 3-甲基苯基)-1,1_-聯苯基- 4,4’二胺 1^,>^>},>^-四(3-甲基苯基)-1,〗,-(3,3|-二甲編 4,4’二胺(^11^丁?0)、4,4'-雙〔:^-(1-萘基)-〕聯苯(α-NPD〕 、4:4·:4”-三(3 -甲基苯基 三苯基胺(m-MTDATA)等之三苯基胺衍生物 物等。具體例如(T-1 )至(T-8 )所示構造等 單位之重覆 (2 )所示化 體單體單位 r/ ( r + s )之 .0 0 1以上且 、嵌段共聚 所示單體單 ,N,N,-二苯 (TPD )、 S)聯苯基-N -苯基胺基 苯基胺基) 、咔唑衍生 -22- (19)1359855
-23 - (20) (20)1359855 電洞輸送性單體單位係由電洞輸送性部位、形成自 碳-碳雙鍵之聚合鏈的部分及其鍵結用之連結基所構成。 電洞輸送性單體單位之連結基爲,鍵結電洞輸送部位 及來自碳-碳雙鍵之聚合鏈的部分。該連結基爲單鍵、-〇-、-S-、-SO-或可具有雜原子之碳數1至2〇的2價有機基 。連結基所用之碳數1至20的有機基如,同上述式(2) 之連結基X的(S -〗)至(S _ 1 5 )所示構造。 本發明之高分子化合物中,以電洞輸送性單體單位之 重覆數爲V’及以其他單體(包含式(2)所示單體單位 )之重覆數爲W時(v、W爲1以上之整數),對全體單 體單位之重覆數的第三單體單位之重覆比率,即V/ ( V + W )之値較佳爲0.001以上且0.99以下,更佳爲〇.〇1以上 且〇 . 9以下。 本發明之高分子化合物中可另含其他單體單位。該其 他單體單位如’式(2 )所示化合物以外之電子輸送性單 體單位 '兩極性單體單位等。 導入電子輸送性單體單位之方法如,將三鋁喑啉酚( A 1 q 3 )等d奎啉酚衍生物金屬錯合物' 噁二唑衍生物、三唑 衍生物、咪唑衍生物、三嗪衍生物 '三芳基硼衍生物等導 入聚合性官能基得之化合物聚合。 本發明所使用之高分子的聚合度較佳爲5至10, 〇〇〇, 更佳爲1 0至5,000。 高分子之分子量係由其構成單體之分子量及聚合度決 定’故很難限定本發明所使用之高分子的較佳分子量。舉 -24- (21) (21)1359855 例而言,本發明所使用之高分子的分子量較佳爲,上述聚 合度獨立下重量平均分子量爲1,〇〇〇至2,〇〇〇,〇〇〇,更佳爲 5,000 至 1,000,000 〇 該分子量之測定方法如,高分子學會編「高分子化學 之基礎J (東京化學同人,1 978年)所記載之方法,即凝 膠滲透色譜法(GPC)法,利用浸透壓之方法、光散射法 、超離心法等。 圖1爲本發明之有機發光元件構成之一例的剖面圖, 即依序於透明基板(1)上設置之陽極(2)及陰極(6) 間’設置電洞輸送層(3)、發光層(4)及電子輸送層( 5)。本發明之有機發光元件構成非限於圖1之例,可爲 依序於陽極及陰極之間設置1)電洞輸送層/發光層' 2) 發光層/電子輸送層中任何一種,或僅設置3)含有電洞輸 送材料 '發光性材料及電子輸送材料之層、4)含有電洞 輸送材料及發光性材料之層、5)含有發光性材料及電子 輸送材料之層' 6 )發光性材料之單獨層中任何一層。又 ’圖1所示發光層爲單層,但可層合2層以上。 該陽極與陰極間之層適用各種一般用成膜方法,又, 以濕式塗布法製作時’可利用旋轉塗布法、噴墨法、打搜 法、蘸塑法等成膜。 本發明有機發光元件所使用之發光層用發光性材料可 爲’含有上述式(2)所示含硼單體單位及發光性單體單 位之發光性高分子化合物,或混合由對式(2 )所示含硼 單體單位之高分子化合物爲發光性化合物(低分子化合物 •25- (22) 1359855 或高分子化合物)所形成的發光性材料’ &電洞輸送材料 、電子輸送材料之物。 本發明之高分子化合物中混合發光性材料時可使用 上述具有發光性部位之化合物。此時對本發明之高分子化 合物的發光性材料比率較佳爲0.001 %至30% (wt.),更 佳爲0 _ 1 %至2 0 %。
發光性材料之具體例較佳如,(D-12 )至(D-21 )所 示構造。
-26 (23) 1359855 6υΟ
又,補助本發明高分子化合物之電洞輸送性時 合電洞輸送性化合物,補助電子輸送性時可混合電 性化合物。混入本發明之高分子化合物中的專職輸 合物可爲低分子化合物或高分子化合物。 該混入高分子化合物之低分子的電洞輸送性化 ’ Ν,Ν·-二苯基-Ν,Ν’-(3-甲基苯基)-I,〗,-聯苯基-4 (TPD) 、4,4'-雙〔N-(l-萘基)-Ν-苯基胺基〕 α-NPD) 、4,4’,4"·三(3-甲基苯基苯基胺基)三 (m-MTDATA )等之三苯基胺衍生物等。又,混入 化合物之高分子的電洞輸送性化合物如,聚乙烯基 三苯基胺系之低分子化合物中導入聚合性官能基而 化’例如特開平8 - 1 5 7 5 7 5號公報所揭示之三苯基 的高分子化合物等。 另外混入上述高分子化合物之低分子的電子輸 合物如,三鋁鸣啉酚(A1 q 3 )等鸣啉酚衍生物金屬 、嚼二D坐衍生物、三哩衍生物、咪卩坐衍生物、三嗪 、三芳基硼衍生物等。混入上述高分子化合物之高 電子輸送性化合物如’該低分子之電子輸送性化合 聚合性官能基而高分子化,例如特開平】〇_丨665號 ,可混 子輸送 送性化 合物如 ,4’二胺 聯苯( 苯基胺 高分子 昨唑、 高分子 胺骨架 送性化 錯合物 衍生物 分子的 物導入 公報所 -27- (24) (24)1359855 揭示之聚PBD等。 又’爲了改良上述高分子化合物成膜後而得之膜物性 等’可以混合與高分子化合物之發光特性無直接關係的高 分子化合物而得之組成物作爲發光性材料。例如可混合賦 予膜柔軟性用之聚甲基甲基丙烯酸酯(PMMA )等。 本發明之有機發光元件可使用之形成電洞輸送層用的 電洞輸送材料如,N,N'-二甲基-N,N,-(3-甲基苯基)-1,1,-聯苯基·4,4’二胺(TPD) 、4,4_ -雙〔N-(卜萘基)-N -苯基 胺基〕聯苯(cc-NPD) 、4,4·,4" -三(3 -甲基苯基苯基胺 基)三苯基胺(m-MTDATA )等之三苯基胺衍生物、聚乙 稀昨B坐等。又’可使用三苯基胺系低分子化合物導入聚合 性官能基而高分子化’例如特開平8 · 1 5 7 5 7 5號公報所揭 示的二苯基胺骨架之高分子化合物等,或聚對苯亞乙烯酯 、聚—院基勿等商分子材料。該電洞輸送材料可單獨使用 ’或混用或層合不同之電洞輸送材料。電洞輸送層之厚度 並無特別限制,較佳爲]nm至5μιη,更佳爲5nm至 ,特佳爲1 0 n m至5 0 0 n m。 本發明之有機發光元件所使用之形成電子輸送層用的 電子輸送材料如,三鋁D奎啉酚(Alq3 )等喹啉酚衍生物金 屬錯合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、三 嗪衍生物、三芳基硼衍生物等。又,可使用上述低分子之 電子輸送性化合物導入聚合性官能基而高分子化,例如特 開平665號公報所揭示之聚pBD等。該電子輸送材料 可單獨使用,或混用或層合不同之電子輸送材料。電子輸 -28- (25) (25)1359855 送層之厚度並無特別限制,較佳爲lnm至5μηι,更佳爲 5nm 至 Ιμηι,特佳爲 l〇nm 至 500nm。 除了各自以上述發光層用之發光性高分子化合物、電 洞輸送層用之電洞輸送材料及電子輸送層用之電子輸送材 料單獨形成各層外’可以闻分子材料作爲黏合劑形成各層 。所使用之高分子材料如’聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸 酯、聚酯、聚硕、聚苯醚等。 上述發光層 '電洞輸送層及電子輸送層可利用電阻加 熱蒸鑛法、電子來蒸鍍法、濺射法、噴墨法、旋轉塗布法 、印刷法、噴霧法、分配法等形成,又,低分子化合物時 主要使用電阻加熱蒸鍍法及電子束蒸鍵法,高分子化合物 時主要使用噴墨法、切刷法及旋轉塗布法。 又,爲了抑制緊鄰於發光層之陰極側的孔通過發光層 ’而於發光層內更有效率再鍵結電子,可設置孔.嵌段層 。其所使用之材如’三唑衍生物、噁二唑衍生物、菲繞啉 衍生物等。 本發明之有機發光元件的陽極材料可爲,氧化銦錫( ITO)、氧化錫、氧化鋅、聚噻吩、聚吡咯 '聚苯胺等之 導電性高分子等已知的透明導電材料。該透明導電材料之 電極的表面電阻較佳爲1至50Ω/〇 (歐姆/矩形)。該陽 極材料之或膜方法可爲,電子束蒸鍍法 '濺射法、化學反 應法 '塗覆法等。陽極之厚度較佳爲50至300nm。 又,陽極與電洞輸送層或緊鄰於陽極層合之有機層間 ’爲了緩和孔注入時注入屏障’可插入陽極緩衝層。該層 -29- (26) (26)1359855 可使用銅酞菁、聚伸乙基二氧噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯 擴酸(PPS)之混合物等。另外陽極材料上可設適當之中 間層。此時之中間層可利用氣體狀有機化合物之高周波( RF)等離子處理法形成有機薄膜。 本發明之有機發光.元件的陰極材料就電子注入效率較 佳爲,功率函數較低之Li、K爲鹼金屬或Mg、Ca、Ba等 鹼土類金屬。又,可使用化學安定性優於該金屬之Al、 Mg· Ag合金、Al. Li或Al. Ca等A1與鹼金屬之合金等 。爲了使電子注入效率及化學安定性兩立,可如特開平2 -1 5 5 95號公報、特開平5-121172號公報所記載,於A1層 底部(陰極側爲上側,陽極側爲下側)挾持C s、C a、S r 、Ba等驗金屬或驗土類金屬之薄層(〇·〇ΐ至ιΟμιη)。該 陰極材料之成膜方法可爲電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法 、濺射法' 離子電鍍法等。陰極之厚度較佳爲1 Onm至 Ιμηι,更佳爲 50 至 500nm。 本發明之有機發光元件所使用的基板可爲,對發光性 材料之發光波長爲透明性之絕緣性基板,即除了玻璃外, 可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET )、聚碳酸酯、聚甲 基甲基丙烯酸酯(PM Μ A)爲首之透明塑料。 本發明之發光元件可使用於顯示裝置、照明、顯示裝 置用背光、室內及屋外裝飾、面發光光源。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 -30- (27) (27)1359855 下面將以代表例更具體說明本發明。該例爲單純說明 例,本發明非限於該例。 〈測定裝置等〉
1 ) 1 H-NMR ' 13C-NMR 日本電子(JEDL)製JNMEX270 2 70MZ溶劑:重氯仿 2 ) GPC測定(分子量測定) 柱:Shodex KF-G + KF 8 04L + KF802 + KF801 溶離液:四氫呋喃(THF )
溫度:4 0 °C 檢驗器:RI ( Shodex RI-71 ) 3 ) ICP元素分析 島津製作所製ICPS 8 000 實施例]:合成聚合性化合物(硼單體化合物1 )
(1 )調製G r i g n a r d試劑
氮氣下將鎂(1 .〇〇g )、脫水四氫呋喃(THF ) ( 5ml -31 - (28) 1359855 )及碘2mg放入100ml之4 口燒瓶中,室溫下攪拌至碘無 色。其次於乾冰/甲醇浴上,以1 5至2 0°C之反應溫度滴入 溴苯乙烯(7.30g)溶解於脫水四氫呋喃(THF)而得之 溶液。結束滴液後,該溫度下攪拌6 0分鐘,得格利雅試 劑(StyMgBr)。 (2)合成三芳基硼
化合物1 f /=4_b_f ^ivMgBr
\ V_//2 Tol/THF 氮氣下將二茱基硼氟化合物(4.16g)及甲苯(To 1) l〇ml)放入200ml之4 口燒瓶中,以反應溫度15至20 °C 加入上述所得之格利雅試劑(StyMgBr ),同溫下再攪拌 6小時。 其次加入0.5N鹽酸(80ml)及乙酸乙酯(100ml)萃 取該溶液’以水及飽和食鹽水洗淨有機層後,再於硫酸鈉 酐上乾燥。過除乾燥劑後餾去溶媒,再以乙醇使所得粗結 晶再結晶,得化合物1 3 · 6 4 g (收穫率7 0 % )。 丨 H-NMR ( 2 70 MHz ’ CDC13 )、p p m : 2 · 0 1 ( s,1 2 Η,A r-CH3 ) ’ 2 · 3 0 ( s ’ 6H,Ar-CH3 ) - 5.3 0- 5.3 3 ( d > 1H > - CH = CH2 ) ’ 5.8 2 - 5.8 7 ( d,1H,-CH = CH2 ) > 6.60-6.82 ( m’ 5H,芳香族,-CH = CH2) ,7.36-7.49 (m,4H,芳香 族) 實施例2 :合成聚合性化合物(砸單體化合物2 ) -32- 1359855
化合物2 (1)合成卜溴-2,6-二甲基-4-41^-丁基二甲基矽氧烷 基苯(化合物3)
化合物3 氮氣下將4_溴3,5-二甲基苯酚(5.00g)及tert-丁基 二甲基氯矽烷(3_87g)、脫水二氯甲烷(DCM) (10ml )及脫水二甲基甲醯胺(DMF ) (3ml)放入100ml之3 口燒瓶中,攪拌下再滴入咪唑(l_75g)溶解於脫水DCM (10m】)而得之溶液。滴液後室溫下攪拌3小時,再過濾 所析出之不溶物,減壓下濃縮濾液後,加入乙酸乙酯及碳 酸氫鈉水溶液(5 % )。分離有機層後以水及飽和食鹽水洗 淨,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶劑,再以 矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物7.45g (收穫率95% ) 〇 (2)調製Grignard試劑
氮氣下將鎂(0.60g)、脫水四氫呋喃(THF) (5ml -33- (30)1359855 )及碘2mg放入100ml之4 口燒瓶中,室溫下攪拌至碘無 色。以反應溫度67至70°C滴入1-溴-2,6-二甲基-4-1。卜丁 基二甲基矽氧烷苯(7.25g)溶解於脫水THF ( 30ml )而 得之溶液。滴液後該溫度下攪拌60分鐘,得格利雅試劑 (OTBSXyMgBr ) » (3)合成二來基(4-tert-丁基二甲基矽氧烷基2,6-二 甲基苯基)甲硼烷(化合物4)
OTBSXyMgBr Tol/THF* 化合物4 氮氣下將二来基硼氟化物(3.32g)及脫水甲苯(Tol )(l〇ml)放入200ml之4 口燒瓶中,再加入上述所得之 格利雅試劑(OTBSXyMgBr),油溫13 0°C下攪拌6小時 放冷後將鹽酸(0.5N,80ml)及乙酸乙酯(12〇ml) 加入所得溶液中’分離有機層後以水及飽和食鹽水洗淨有 機層’再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再 以矽膠柱色譜法精製所得粗結晶,得化合物4 4.7 5 g (收 穫率8 8 % ) 'H-NMR ( 2 70MHz > CDCI3 ) ’ ppm : 0.18-0.19 ( d > 6H > S1CH3 ) ,0.97-0.9 8 ( t,9H,C ( CH3 ) 3 ),! _94_] .97 ( m ' 1 2 Η > ArCH3 ) > 2.25-2.26 ( d > 6H,ArCH3) ,6.42- 6.73 ( m,6H,芳香族) (4)合成二笨基(4 -羥基-2,6 -二甲基苯基)甲硼烷 -34- (31)1359855 (化合物5)
氮氣下將化合物4(4_50g)及脫水四氫咲喃(thF) (15ml)放入200ml之4 口燒瓶中,攪拌下再加入四正丁 基銨氟化物3水和物(TBA-F ) ( 8_8g ) ,30分鐘後加入 5 %檸檬酸水溶液(2 0 m 1 ),攪拌1 0分鐘後濾取所析出之 固體。將乙酸乙酯加入濾液中,萃取後以水及飽和食鹽水 洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶 媒,再以乙醇使殘渣及固體再結晶,得化合物5 2.93 g。 以矽膠柱色譜法精製濾液,得化合物5 0 · 3 2 g,合計3.2 5 g (收穫率94% ) » 'H-NMR ( 270MHz > CDC13) ,ppm : 1.95- 1.98 ( m,12H • ArCH3 ) ,2.26 ( s,6H,ArCH3) ,5.4 ( s,1H,Ar- OH ) ,6.41(5,21^,芳香族),6.73 (s,4H,芳香族) (5 )合成化合物6
化合物6 將化合物5 ( 2.8 1 g )及脫水吡啶(P y ) ( 1 〇 m 1 )放入 ]00ml之燒瓶中,水冷下再加入三氟甲院擴酸酐(14ml) 。冰溫下攪拌1 〇分鐘後’室溫下再攪拌一晚’其後移入 -35- (32) 1359855 加冰之2 00ml錐形燒杯。加入乙酸乙酯萃取後’以水及飽 和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑 後餾去溶劑,再以矽膠柱色譜法精製所得殘渣’得目的物 3.37g (收穫率 99% )。 (6)合成二釆基(4 -乙烯基-2,6-二甲基苯基)甲硼 烷(化合物2 )
) CH2=CHSn(Bu)3 TFM 二噁烷’\ X-J^2 化合物2 將化合物6 ( 2.95g)、脫水二噁烷(15ml)、三丁基 乙烯基錫(2.2 0g)、氯化鋰醑(0.85g)、四(三苯基膦 )is ( 0 . 1 5 g ) 、2,6-二 tert-丁基-4-甲基-苯酣(0.05g )放 入l〇〇ml之燒瓶中,水溫10(TC下攪拌3小時後放冷,再 加入吡啶(3 · 5 m 1 )及吡啶鑰氟化物四氫呋喃(THF )溶液 (1.4M - 7ml )。室溫下攪拌一晚後加入乙酸乙酯(i〇ml ),再過濾不溶物。依序以水、鹽酸(4N )、水、NaOH (4N )、水及飽和食鹽水洗淨濾液後,再於硫酸鈉酐上乾 燥。濾除乾燥劑後餾法溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘遼 ,得目的物1 · 3 0 g (收穫率5 1 % )。
1H-NMR ( 2 70MHz,CDC13 ) ,ppm : 1 .98-2.0 1 ( m , j 8H
’ ArCH3 ) ,2.26 ( s,6H,ArCH3 ) ,5.19-5.23 ( dd > 1H ,-CH = CH2 ) ,5.7 3 - 5.8 0 ( dd,1 H,-CH = CH2 ) ,6.58- 6.69 ( dd > 1H,-CH = CH2 ) ,6.7 3 ( s,4 H,芳香族), 6.96 ( s,2H ’ 芳香族) -36- (33)1359855 實施例3 :合成聚合性化合物(硼單體化合物7)
(1)合成二茉基(4-苯乙烯基-2,6-二甲基苯基)甲 硼烷(化合物7 )
將化合物6 ( 2.22g )、脫水二噁烷(12ml )、三丁基 乙燒基錫(1.66g)、氯化鋰酐(〇.64g)、四(三苯基鱗 )銷(〇.]]g) 、2,6-二 tert-丁基-4-甲基-苯酚(O.〇3g)放 入I00ml之茄型燒瓶中,水溫lOOt下攪拌3小時後放冷 ’再加入哏陡(2.7ml )及吡啶鎗氟化物THF溶液(1 ·4Μ ’ 3.2ml )。室溫下攪拌_晚後,加入乙酸乙酯(10ml ) 再過濃不溶物。依序以水、鹽酸(4N )、水、NaOH ( 4N ) '水及飽和食鹽水洗淨濾液,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾 除乾燥劑後館去溶劑,再以矽膠柱色譜法精製所得殘渣, 得目的物]_ 1 4 g (收穫率5 〇 % )。 'H-NMR ( 2 70MHz . CDC13) > ppm : 1.98-2.01 ( m - 18H 5 ArCH3) > 2.26 ( s , 6H . ArCH3) - 5.21-5.27 ( dd > 1H ’ -CH = CH2 ) ,5.75-5.8 1 ( dd,1H,-CH = CH2 ) » 6.72- -37- (34) (34)1359855 6.88 ( m > 5H > -CH = CH2 1 ArH ) ,7 · 2 0 ( s,2 H,芳香族 ),7.41-7.66 (m,4H,芳香族) 貫施例4 .合成聚合性化合物(砸單體化合物8 )
化合物8 (1)合成4 -漠-3,5-_甲基茴香酸(化合物9)
化合物9 室溫下將4-溴-3,5-二甲基苯酚(〗〇.(^)'脫水二甲 基亞碾(l〇ml)及tert· 丁氧基鉀(11.2g)放入200ml之 4 口燒瓶中攪拌,室溫下再加入碘化甲酯(8 . 5 g )攪拌2 小時。將乙酸乙酯(200ml )及水(50ml )加入反應液中 ,萃取有機層後依序以水、5%氫氧化鈉水溶液、水及飽和 食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。據除乾燥劑後 餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物10.46g (收穫率97% )。 (2 )調製Grignard試劑
化合物9 -38- (35) (35)1359855 氮氣下將鎂(l_2g)、脫水四氫呋喃(THF) (5ml) 及蛾2mg放入100ml之4 口燒瓶中,室溫下攪拌至碘無色 。以反應溫度67至70 t滴入4 -溴-3;5 -二甲基-茴香醚( 1 Q 3g )溶解於脫水THF ( 30ml )而得之溶液後,於該溫 度下攪拌60分鐘,得格利雅試劑。 (3 )合成化合物1 〇
氮氣下將硼三氟化物醚組合物(3 · 4 g )及脫水T H F ( 1 〇ml )放入2 00ml之4 口燒瓶中,再加入上述所得之格利 雅試劑(OTBSXyMgBr),油溫7(TC下攪拌3小時。其次 將由化合物9而得之格利雅試劑加入反應液中,油溫1 3 0 °C下攪拌6小時後放冷,再少量加入(計1 〇〇mi )水。加 入1 0%鹽酸20ml後加入乙酸乙酯200ml,萃取有機層後 ’依序以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾 燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣 而再結晶,得目的物7.4 g (收穫率5 0 % )。 (4 )合成化合物1
氮氣下將化合物1 0 ( 6.8g )及脫水THF ( 30ml )放入 -39- (36)1359855 2 00ml之4 口燒瓶中,攪拌下再加入四正丁基銨氟化物3 水和物(TBAF ) ( 1 8g ) 。30分鐘後加入5%檸檬酸水溶 液(80ml ),再攪拌】〇分鐘後濾取所椅出之固體。將乙 酸乙酯加入濾液中,萃取後以水及飽和食鹽水洗淨有機層 ,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以乙 醇使殘渣及固體再結晶,得化合物1 1 4.3 g (收穫率9 9 % )° (5 )合成化合物12
3 (CF3so2)2o \ Pyridine 化合物1 1
化合物1 2 將化合物1 1 ( 4.2g )及脫水吡啶(Py ) ( 20ml )放入 ]〇〇ml之茄型燒瓶中,冰冷下再加入三氟甲烷磺酸(4ml )。冰溫下攪拌1 〇分鐘後,室溫下再攪拌一晚,其後移 入加冰之200ml錐形燒杯中。加入乙酸乙酯萃取後,以水 及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾 燥劑後餾去溶劑,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物 6.6g (收穫率 93%) » (6 )合成化合物1 3
氮氣下將化合物12 ( 3.2g )、二甲氧基乙烷(DME ) -40- (37)1359855 (10m】)、本基硼酸(1.3g) '碳酸鉀(2.0g)及水( 2.0ml)放入200ml之4 口燒瓶中,加熱回流下再攪梓1 小時。將四(二苯基膦)鈀(220mg)加入溶液中,加熱 回流下攪拌3小時後放冷,再加入乙酸乙酯2〇m丨。充分 攪拌後以氟鎂石過濾’再將濾液移入分液漏斗中。萃取有 機層後以水及飽和食鹽水洗淨’再於硫酸鈉酌:上乾燥。濾 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得化 合物1 3 2.0 g (收穫率8 3 % )。 (7 )合成化合物I 4
將化合物13(2_0g)及脫水二氯甲烷(DCM) ( 20ml )放入200ml之茄型燒瓶中,-78°C下再加入1M之三溴化 硼二氯甲烷溶液(5 m 1 )。同溫下攪拌1 〇分鐘後,室溫下 再攪拌一晚。將水加入反應液中,萃取有機層後以水及飽 和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑 後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物1.8g (收穫率9 3 °/〇 ) (8 )合成化合物15
OH (CF3SQ2)2〇, Pyridine \
〇 so2cf3 -41 - (38) (38)1359855 將化合物14(1.7g)及脫水吡啶(py) (l〇ml)放入 100ml之茄型燒瓶中,冰冷下再加入三氟甲烷磺酸酐( 0.7 m 1 )。冰溫下攪拌1 〇分鐘後,室溫下再攪拌—晚,其 後移入加冰之2 0 0 m 1錐形燒杯中。加入乙酸乙酯萃取後, 以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目 的物2.1 g (收穫率9 9 % )。 (9 )合成化合物8
氮氣下將化合物15(2_0g)、二甲氧基乙烷(DME) (10 ml) 、4 -乙烯基苯基硼酸(0.52g)、碳酸鉀(1.3g) ' 2,6- _ - tert -丁基-4-甲基苯酌(2mg)、三苯基滕(75mg )及水(2.0ml )放入1 〇〇ml之4 口燒瓶中,加熱回流下 攪拌30分鐘後,加入四(三苯基膦)鈀(75mg ),加熱 回流下再攪拌1小時。放冷後加入乙酸乙酯2 0 m 1,充分 攪拌後以氟鎂石過濾,再移入分液漏斗中。萃取有機層後 以水及飽和食鹽水洗淨,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥 劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得化合物 8. 1 g (收穫率(66% )。 'H-NMR ( 270MHz > CDC13 ) ,ppm : 2.15 ( s,1 8H >
ArCH3 ) ,5.21-5.27 ( dd,1H,-CH = CH2) ,5.75-5.8 1 ( dd ’ 1 H > -CH = CH2 ) ,6.68- 6.8 5 ( q,i h,-CH = CH2 ), -42- (39)1359855 7.20- 7.6 8 ( m,20H,芳香族) 實施例5 :合成聚合性化合物(化合物1 6 )
化合物1 6
B (1 )合成化合物1 7
氮氣下將化合物12(3.4g)、二甲氧基乙烷(DME) (15ml)及聯苯硼酸(2.2g)、碳酸鉀(2.1g)、三苯基 膦(】50mg)及水(2.0mg)放入200ml之4 口燒瓶中, 加熱回流下攪拌1小時後,加入四(三苯基膦)鈀( 1 80mg ),加熱回流下再攪拌3小時。放冷後加入乙酸乙 酯20ml,充分攪拌後以氟鎂石過濾,再將濾液移入分液 漏斗中。萃取有機層後,以水及飽和食鹽水洗淨,再於硫 酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜 法精製殘渣,得化合物1 7 2.6g (收穫率76% )。 (2 )合成化合物1 8
-43- (40) (40)1359855 將化合物1 7 ( 2.5g )及脫水二氯甲烷(DCM ) ( 10ml )放入200ml之茄型燒瓶中,-78 °C下再將IM三溴化硼二 氯由烷溶液(4m〇加入溶液中。同溫下攪拌1〇分鐘後, 室溫下再攪拌一晚,其後將水加入反應液中。萃取有機層 後’以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥 。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣, 得目的物2 · 4 g (收穫率9 8 % )。 (3 )合成化合物1 9
將化合物18(2.3g)及脫水卩比D定(Py) (〗〇nil)放入 100ml之茄型燒瓶中,冰冷下再加入三氟甲烷磺酸酌;( 0.7ml)。冰溫下攪拌10分鐘後,室溫下再攪拌—晚,其 後移入加冰之2 0 0ml錐形燒杯中。加入乙酸乙酯萃取後, 以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。滤 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,彳尋目 的物2.6g (收穫率93% )。 (4 )合成化合物1 6 -44 - (41)1359855
氮氣下將化合物19(1.2g)、二甲氧基乙院(Dme) (8ml ) 、4-乙烯基苯基硼酸(0.24g )、碳酸绅(〇 6丨g ) 、2,6·二- tert-丁基-I 甲基苯酚(2mg)、=茏; —本基膦(5〇mg
)及水(1.0ml)放入]00mI之4 口燒瓶中,加熱回丨荒γ 攪拌30分鐘後,加入四(三苯基膦)鈀(5〇m1、 . 、301111 ),加熱 回流下再攪拌1小時。放冷後加入乙酸乙醋2〇ml,充# 攪拌後以氟鎂石過濾,再將濾液移入分液漏斗中。萃取_ 機層後以水及飽和食鹽水洗淨,再於硫酸鈉酐上乾燥。^ 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得化 合物1 6 0 · 7 9g (收穫率7 3 % )。
】H-NMR ( 270MHz,CDC13 ) ’ ppm : 2.19 ( s - 18H, ArCH3 ) ,5.2 6 - 5 · 2 9 ( d d,1 Η,- C Η = C Η 2 ) ,5.7 7- 5.8 2 ( dd,1H,-CH = CH2 ) ,6·68·6·85 ( q,1H,-CH = CH2 ), 7.20-7.81 ( m,28H,芳香族) 實施例6 :合成聚合性化合物(ViHMTPD )(化合物20 ) -45- (42)1359855
(1 )原聯甲苯胺之四甲苯基化 氮氣下將原聯甲苯胺(5.00g) 、3-碘甲苯(22.60g) 放入2 0 0ml之3 口燒瓶中,力□入脫水二甲苯(100ml )後 ,約50°C下攪拌。依序加入tert-丁氧基鉀(13.64g)、乙 酸鈀(〇.46g)及三-tert-丁基膦(0.46g)後,120°C下攪 拌4小時,再冷卻至室溫。將水(1 00ml )加入反應液後 ,以乙酸乙酯萃取2次,再以硫酸鎂乾燥有機層。減壓下 濃縮後,以矽膠柱色譜法(展開液:乙酸乙酯-己烷之混 合溶媒)精製,餾去溶媒後以甲醇再結晶,得3,3_-二甲 基4,>1,1^,1^'-四-111-甲苯基聯苯胺(化合物21)11.46§( 收穫率8 5 % )。 (2 )合成化合物22
氮氣下將冰冷之氧氯化磷(]m 1 )加入脫水二甲基甲 醯胺(DMF ) ( 4ml )中,室溫下攪拌30分鐘後,調整爲 -46 - (43) (43)1359855 病毒邁耶試劑。 氮氣下將化合物21(5.25g)及脫水DMF(25ml)放 入100ml之4 口燒瓶中,80 °C下攪拌後滴入上述所病毒邁 耶試劑80t下再攪拌1小時。放冷後將反應溶液移入添加 碳酸氫鈉(8g)及水(50ml)之500m]燒杯中,再加入乙 酸乙酯(15 Gml)。取出有機層後依序以水及飽和食鹽水 洗淨’再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再 以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物2.55g (收穫率46% (2 )合成化合物(2 0 )
氮氣下將甲基三苯基辚溴化物(1.93g )及脫水四氫 口夫喃(THF) (l〇ml)放入]00ml之4 口燒瓶中,冰冷下 搜拌後以】〇分鐘加入正丁基鋰己烷溶液(1.58m,3.2ml )’冰冷下攪拌1 0分鐘後,室溫下再攪拌60分鐘。將脫 水本(1 0 m 1 )及化合物2 2加入溶液中,2 0 °c以下攪拌1 小時後’將水(5 0m丨)加入反應液中,再少量加入乙酸乙 醋(1 0 0 m 1 )及氫醌。取出有機層後依序以水及飽和食鹽 水洗淨’再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒, 再以矽膠柱色譜法精製殘渣’得目的物2_39g (收穫率 -47- (44) 1359855 9 6%)。 1H-NMR ( 2 70MHz,CDC13 ) ,ppm : 7.5-6.7 ( m >
ArH ) ,6.65 ( dd - 1 H - J = 17.4,1 0.9 H z - C H = C H 2 ) (d,1 H > J=1 7.6Hz - -CH = CH2 ( cis) ) ,5.12 ( d J= 1 1 . 1 Hz,-CH = CH2 ( trans ) ) ,2.25 ( s,9H, ,2.08 ( s > 6H,-CH3 ) 實施例7 :合成硼均聚物1 將硼單體化合物1 ( 3 5 2mg )放入密閉容器中 脫水甲苯(5ml )後,加入 V-601 (和光純藥工業 甲苯溶液(0.1M,ΙΟΟμΙ ),再進行5次凍結脫氣 真空密閉中,6 0 °C下攪拌反應6 0小時後,將反應 丙酮(250ml)中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆 沈澱精製後,5 (TC下真空乾燥一晚,得白色固體狀 物l( 3 00mg)。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯 FPC測得的重量平均分子量(Mw)爲42,000。 實施例8 :合成硼均聚物2 使用硼單體化合物2同實施例7進行。所得共 分子以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子』 )爲 78,000 。 實施例9 :合成硼均聚物3 使用硼單體化合物7同實施例7進行。所得共 22H, > 5.61 ,1 Η, -CH3 ) ,加入 製)之 步驟。 液滴入 2次再 硼均聚 換算之 聚物之 1 ( M w 聚物之 -48 - (45) (45)1359855 分子里以聚本乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量( Mw)爲 67,〇〇〇。 實施例1 0 :合成硼均聚物4 使用硼單體化合物8同實施例7進行。所得共聚物之 分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量( Mw )爲 8 8,000。 實施例11:合成硼均聚物5 使用硼單體化合物1 6同實施例7進行。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 (Mw)爲 88,000 〇 實施例]2 :合成硼共聚物i 將硼單體化合物1( 0.2m mol)及化合物20 (0.2 mmol )放入密閉容器中,加入脫水甲苯(2 m 1 )後,再加入v · 60】(和光純藥工業製)之甲苯溶液(〇_ΙΜ,40μ1),重 覆5次凍結脫氣步驟。真空閉密中60 °C下攪拌60小時, 反應後將反應液滴入丙酮(100ml )中,產生沈澱物。以 甲苯-丙酮重覆2次再沈澱精製後,5(TC下真空乾燥一晚 ’得淡黃色固體狀之硼共聚物1 ( 158mg )。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 (Mw )爲70,000。又,以NMR測得之共聚物的共聚比估 計爲硼單體化合物1 :化合物2 0 = 5 0 : 5 0 ( ηι ο 1比)。 • 49 - (46)1359855 實施例1 3 :合成硼共聚物2 使用硼單體化合物2及化合物2 0,同實施例Π 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測辑 量平均分子量(Mw)爲8 2,000。又,以NMR測得二 物的共聚比估計爲硼單體化合物2 :化合物20 = 5 0 : m ο 1 比)。 實施例〗4:合成硼共聚物3 使用硼單體化合物7及化合物20,同實施例1 2 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測擇 量平均分子量(Mw)爲69,000。又,以NMR測得i 物的共聚比估計爲硼單體化合物7 :化合物20 : 5 1 = m ο 1 比)。 實施例]5 :合成硼共聚物4 使用硼單體化合物8及化合物2 0,同實施例1 2 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測ί| 量平均分子量(Mw)爲88,000。又,以NMR測得5 物的共聚比估計爲硼單體化合物 8 :化合物20 = 52 = m ο 1 比)。 實施例】6 :合成硼共聚物5 使用硼單體化合物]6及化合物2 0,同實施例1 進行 的重 共聚 50 ( 進行 的重 共聚 49 ( 進行 的重 共聚 48 ( 進行 -50- (47)1359855 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重 量平均分子量(Mw)爲81,000。又,以NMR測得之共聚 物的共聚比估計爲硼單體化合物]6 :化合物2 0 = 52 : 4 8 ( m ο 1 比)。 實施例1 7 :合成硼共聚物6
將硼單體l(〇.4mmol)、式(5)所示IrST (以特開 2 003 - 1 1 3 24 6所記載之方法合成)(0.04mmol)放入密閉 容器中,加入脫水甲苯(2ml )後,再加入 V-601 (和光 純藥工業製)之甲苯溶液(〇 . 1 Μ,4 0 μ 1 ),重覆5次凍結 脫氣步驟。真空密閉中60 °C下攪拌60小時,反應後將反 應液滴入丙酮(1 〇〇ml )中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重 覆2次再沈澱物製後,50°C下真空乾燥一晚,得淡黃色固 體狀之硼共聚物(1 3 5mg )。所得共聚物之分子量以聚苯 乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw)爲50,000 。共聚物中以ICP元素分析而得之銥元素含量爲3.7 wt% 。由此估計共聚物之共聚比爲硼單體化合物]:IrST = 92 : 8 ( m ο 1 比)。
-51 - (48) (48)1359855 實施例〗8 :合成硼共聚物7 使用硼單體2及IrST,同實施例]7進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯算之 G PC測得的重量平均分子量 (Mw)爲50,700。以1CP元素分析求取共聚物中之銥元 素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體2 : IrST = 92 : 8 (mol 比)。 實施例1 9 :合成硼共聚物8 使用硼單體7及IrS T,同實施例1 7進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子 量(Mw) 59,900。以ICP元素分析求取共聚物中之銥元素 含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體7 : IrST = 91 : 9 ( mol 比)。 實施例20 :合成硼共聚物9 使用硼單體8及IrST,同實施例1 7進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯換算之 GPC測得的重量平均分子 量(Mw)爲61,700。以ICP元素分析求取共聚物中之銥 元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體8: IrST = 91 : 9 ( m ο 1 比)。 實施例2 1 :合成硼共聚物1 0 使用硼單體16及IrST,同實施例17進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子 -52- (49) (49)1359855 量(Mw)爲5 8,700。以ICP元素分析求取共聚物中之銥 元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體1 6 : IrST = 91 :9 ( mol 比)。 實施例2 2 :合成硼共聚物1 將硼單體](0.4mmol) '式(6)所示Ir錯合物( 0.04m mol)放入密閉容器中,加入脫水甲苯(2ml)後, 再加入 V-601 (和光純藥工業製)之甲苯溶液(0.1M, 40μ1 ),重覆5次凍結脫氣步驟。真空密閉中60°C下攪拌 60小時,反應後將反應液滴入丙酮(100ml )中,產生沈 澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再沈澱物製後,5 0 °C下真空 乾燥一晚,得淡黃色固體狀之硼共聚物(1 35mg )。所得 共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之 G PC測得的重量平均 分子量(Mw)爲49,000。共聚物中以ICP元素分析而得 之銥元素含量爲3.7wt%。由此估計共聚物之共聚比爲硼 單體化合物1 :式(6 )所示化合物=9 2 : 8 ( m ο 1比)。
式6之化合物的合成方法如下所示。 (50) (50)1359855
存在鈀化合物下使4-乙醯苯基硼酸與2·溴吡啶反應, 得4-乙醯苯基吡啶後以鈉硼氫化物還原,得醇物。使該醇 物與特開2003 - 1 1 3 246所記載之方法所合成的Ir雙核化合 物反應,得式(6 )所示化合物。 實施例2 3 :合成共聚物1 2 使用硼單體2及式(6 )所示化合物,同實施例22進 行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的 重量平均分子量(Mw )爲5 2,200。以ICP元素分析求取 共聚物中之銥元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體 2:式(6)所示化合物=92: 8 (mol比)。 實施例2 4 :合成硼共聚物1 3 使用硼單體7及式(6 )所示化合物,同實施例22進 行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的 重量平均分子量(Mw)爲60,100。以ICP元素分析求取 -54- (51) (51)1359855 共聚物中之銥元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體 7 :式(6 )所示化合物=9〗:9 ( m 〇丨比)。 實施例2 5 :合成硼共聚物】4 使用硼單體8及式(6)所示化合物,同實施例22進 行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的 重墓平均分子量(Mw)爲62,1〇〇。以ICP元素分析求取 共聚物中之銥元素含量後’估計共聚物之共聚比爲硼單體 8 :式(6 )所示化合物=9】:9 ( m 0丨比)。 實施例26 :合成硼共聚物15 使用硼單體16及式(6)所示化合物,同實施例22 進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得 的重量平均分子量(Mw )爲5 8,700。以ICP元素分析求 取共聚物中之銥元素含量後’估計共聚物之共聚比爲硼單 體1 6 :式(6 )所示化合物=9丨:9 ( m w比)。 實施例2 7 :合成硼共聚物1 6 將硼單體化合物1 ( 〇 _ 2 ni m 〇丨)、化合物2 0 ( 0.2 m m 〇 .】 )、IrST ( 0_03mmol )放入密閉容器中,加入脫水甲苯( 2ml )後’再加入V-60](和光純藥工業製)之甲苯溶液 (0_1Μ,40μ1 ) ’重覆5次凍結脫氣步驟。真空密閉中60 °C下攪拌60小時,反應後將反應液滴入丙酮(500ml )中 ,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再沈澱物製後,5 0 -55- (52) (52)1359855 。〇下真空乾燥一晚,得淡黃色固體狀之硼共聚物(i8〇nig )。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之Gpc測得的 重量平均分子量(Mw)爲52,5〇〇。共聚物中以ΐ(:ρ元素 分析而得之銥元素含量爲1 . 9 w t %。由該値及13 c _ N M r測 定而估計,共聚物之共聚比爲硼單體化合物丨:化合物2〇 :IrST = 4 7 : 6 : 48.0 : 4.4 ( mol 比)。 實施例28:合成硼共聚物I? 使用硼單體化合物2、化合物20及irST,同實施例 27進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測 得的重量平均分子量(Mw)爲5 5,2 00。由icp元素分析 及I3n-nmr測定而估計,共聚物比爲硼單體化合物2 :化 合物 20 : IrST = 47_5 : 48.1 : 4.4 ( mol 比)。 實施例2 9 :合成硼共聚物1 8 使用硼單體化合物7、化合物20及irST,同實施例 2 7進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙嫌換算之〇 p c測 得的重量平均分子量(Mw)爲58;40〇。由丨CP元素分析 及^N-N MR測定而估計,共聚物比爲硼單體化合物7 :化 合物 20 : IrST = 4 7.6 : 48.0 : 4.4 ( mol 比)。 實施例3 0 :合成硼共聚物1 9 使用硼單體化合物8、化合物20及irST,同實施例 2 7進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之〇 p C測 -56- (53) (53)1359855 得的重量平均分子量(Mw)爲58,200。由ICP元素分析 及13N -NM R測定而估計’共聚物比爲硼單體化合物8 :化 合物 20 : IrST = 47.4 : 48.0 : 4.6 ( mol 比)。 實施例3 1 :合成硼共聚物2 0 使用硼單體化合物16、化合物20及IrST,同實施例 27進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測 得的重量平均分子量(Mw)爲58,200。由ICP元素分析 及13N-NMR測定而估計,共聚物比爲硼單體化合物16 : 化合物 20 : IrST = 47.7 : 4 7.6 : 4.7 ( mol 比)。 實施例3 2 :合成硼共聚物2 1 將硼單體化合物l(〇_2mmol)、化合物20(0.2mmol ) '式(6)所示化合物(〇.〇3m mol)放入密閉容器中, 加入脫水甲苯(2ml )後,再加入V-60】(和光純藥工業 製)之甲苯溶液(0.1M,40μΙ),重覆5次凍結脫氣步驟 。真空密閉中60t下攪拌60小時,反應後將反應液滴入 丙酮(5〇〇ml )中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再 沈澱物製後,50。(:下真空乾燥一晚,得淡黃色固體狀之硼 共聚物(1 80mg )。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算 之GPC測得的重量平均分子量(mw)爲70,000。共聚物 中以IC P元素分析而得之銥元素含量爲1 . 9 w t %。由該値 及I3c-nmr測定而估計,共聚物之共聚比爲硼單體化合 物I :化合物20 :式(6 )所示化合物=47 : 6 : 48.0 : 4.4 -57- (54)1359855 (mol 比)。 實施例33:合成硼共聚物22 使用硼單體化合物2、化合物2 0及式 物’同實施例3 2進行。所得共聚物之分子 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw) ICP元素分析及測定而估計,共聚 化合物2 :化合物2 0 :式(6 )所示化合物 4 · 4 ( m ο 1 比)。 實施例34:合成硼共聚物23 使用硼單體化合物7、化合物2 0及式 物’同實施例3 2進行。所得共聚物之分子 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw ) 1CP元素分析及"ν-nmr測定而估計,共聚 化合物7 :化合物2 0 :式(6 )所示化合物 4 · 4 ( m ο 1 比)。 實施例35:合成硼共聚物24 使用硼單體化合物8、化合物20及式 物’同實施例3 2進行。所得共聚物之分子 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw) 1CP元素分析及hn_NMr測定而估計,硼單 化合物2 0 :式(6 )所示化合物=4 7.4 : 4 8.0 (6 )所示化合 量以聚苯乙烯 爲 50,200 。由 物比爲硼單體 = 4 7.5 : 4 8.1: (6 )所示化合 量以聚苯乙烯 爲 48,400。由 物比爲硼單體 = 47.6 : 48.0 : (6 )所示化合 量以聚苯乙烯 爲 5 8,9 0 0。由 [體化合物8 : :4.6 ( m ο 1 比 -58- (55) (55)1359855 實施例3 6 :合成硼共聚物2 5 使用硼單體化合物1 6、化合物20及式(6 )所示化合 物,同實施例3 2進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw)爲70,5 00。由 ICP元素分析及13N-NMR測定而估計,共聚物比爲硼單體 化合物1 6 :化合物20 :式(6 )所示化合物= 47.7 : 4 7.6 : 4 · 7 ( m ο 1 比)。
比較例1 :合成poly-viPBD 將 viPBD ( 0_4mmol )放入密閉容器中,加入脫水甲 苯(5ml )後,再加入 V-601 (和光純藥工業製)之甲苯 溶液(0. ] Μ,1 00μ1 ),重覆5次凍結脫氣步驟。真空密 閉中 6CTC下攪拌 60小時,反應後將反應液滴入丙酮( 2 5 0m])中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再沈澱精 製後,50°C下真空乾燥一晚,得白色固體狀之p〇ly-viPBD C 1 30mg )。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之 GPC 測得的重量平均分子量(Mw )爲67,000。 比較例 2:合成共聚物(poly-(viPBD-co-viHMTPD)) 使用viPBD及化合物20,同實施例12。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 -59- (56) (56)1359855 (Mw)爲68,400。共聚物之共聚比估計爲viPBD:化合 物 20:50:50(mol 比)。 比較 3 :合成共聚物(poly- ( viPBD-c〇-lrST ) 使用viPBD及IrST,同實施例17進行。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 (1^认)爲56,000。共聚物之共聚比估計爲“?80: IrS T = 91 : 9 ( mol 比)〇 比較例 4 :合成共聚物(poly- ( viPBD-co-viHMTPD-co-IrST ) 使用viPBD、化合物20及IrST,同實施例22進行。 所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量 平均分子量(Mw)爲49,200。共聚物中以ICP元素分析 而得之銥元素含量爲1.9wt%。由該値及13C-NMR測定而 估計,共聚物之共聚比爲 viPBD :化合物20 : IrST = 49.0 :46.5: 4.5 (mol 比)。 實施例3 7 :製作有機發光元件及評估EL發光特性 使用角25mm之玻璃基板單面上,形成陽極用幅寬 之2根條狀ITO電極的附ITO (氧化銦錫).基板(曰 本電機’ Nippo Electric Co·, LTD ),製作有機發光元件 。首先於該附ITO基板之ITO (陽極)上,利用旋轉塗布 法以回轉數3乃OOrpni、塗布時間40秒之條件塗布聚( •60- (57) 1359855 3,4-伸乙烧二氧化噻吩).聚苯乙烯磺酸(拜耶路公 ’商品名「拜特隆P」後’於真空乾燥器中減壓下, C乾燥2小時,形成陽極緩衝層。所得陽極緩衝層之 約 5 0 n m。 其次調製形成含發光性材料及電子輸送材料之層 塗布溶液。例如將硼共聚物7 ( 4 5 m g )、特開平1 〇 . 號公報所記載之方法合成的HMTPD(45mg)溶解於 (和光純藥工業製特級)(2 · 9 1 〇 m g )後,以孔徑C 之濾器過濾所得溶液,得塗布溶液。其後利用旋轉塗 以回轉數3,G 0 0 r p m、塗布時間3 0秒之條件將所得塗 液塗布於陽極緩衝層,室溫(25<t)下乾燥30分鐘 形成發光層。所得發層之膜厚約爲lOOnm。將形成發 之基板放置於蒸鍍裝置內,以蒸鑛速度〇.〇lnm/s蒸 2nm (鉋源爲賽肯達公司製鹼金屬藥劑)後,以蒸鍍 1 nm/s蒸鍍厚25 0nm之陰極用鋁,得元件1。又,對 之延伸方向形成直交之2條寬3 mm的條狀鉋及鋁層 於每1枚玻璃基板上製作4個長4 m m X寬3 m m之有 光元件。 利用阿得班(股)公司製可設定直流電壓/電 TR6143對上述有機EL元件施加電壓而發光,又,利 普康(股)公司製亮度計BM- 8,測定發光亮度。結 得發光開始電壓、最高亮度及l〇〇cd/m2點燈時之外 子效率如表2所示(各値爲形成於一枚基板上4個元 平均値)。 司製 以60 膜厚 用的 -1665 甲苯 丨· 2 μηι 布法 布溶 後, 光層 鍍厚 速度 陽極 ,而 機發 流源 用特 果所 部量 件之 -61 - (58)1359855 除了依表1所示變更元件1之發光性材料及其他材 外,其他同元件1製作元件2至7。同元件1評估E L 光特性,結果如表2所示。 由表〗、2得知,比較比較例之電子輸送部位係使 具噁二唑之發光性高分子的發光元件下,本發明之電子 送部位係使用具三芳基硼構造之發光性高分子的發光元 ,故可降低發光開始電壓、提高最高亮度及外部量子效 料 發 用 輸. 件 率 -62- (59)1359855 表1 元件No. 發光材料 其他材料 1 硼均聚物-1(實施例7)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 2 硼均聚物-2(實施例8)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 3 硼均聚物-3(實施例9)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 4 硼均聚物·4(實施例10)(45nig) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 5 硼均聚物-5(實施例ll)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 6 硼共聚物-1(實施例12)(90mg) D-15(10mg) 7 硼共聚物-2(實施例13)(90mg) D-15 (lOmg) 8 硼共聚物-3(實施例l4)(90mg) D-15(10mg) 9 硼共聚物-4(實施例15)(90mg) D-15 (lOmg) 10 硼共聚物-5(實施例16)(90mg) D-15 (lOmg) 11 硼共聚物·6(實施例17)(50mg) HMTPD (45mg) 12 硼共聚物-7(實施例18)(50mg) HMTPD (45mg) 13 硼共聚物-8(實施例19)(50mg) HMTPD (45mg) 14 硼共聚物-9(實施例20)(50mg) HMTPD (45mg) 15 硼共聚物-l〇(實施例2l)(5〇mg) HMTPD (45mg) 16 硼共聚物-11(實施例22)(50mg) HMTPD (45mg) 17 硼共聚物-12(實施例23)(50mg) HMTPD (45mg) 18 硼共聚物-13(實施例24)(50mg) HMTPD (45mg) 19 硼共聚物-]4(實施例25)(5〇mg) HMTPD (45mg) 20 硼共聚物-15(實施例26)(50mg) HMTPD (45mg) 21 硼共聚物-16(實施例27)(90mg) 姐 22 硼共聚物-17(實施例28)(9〇mg) / i w 23 硼共聚物-18(實施例29)(90mg) M / » 24 硼共聚物·19(實施例30)(90mg) 姐 / « N N 25 硼共聚物-20(實施例31)(90mg) 並 / t \S 26 硼共聚物-21(實施例32)(90mg) M /»、、 27 硼共聚物-22(實施例33)(90mg) M /i\\ 28 硼共聚物-23(實施例34)(90mg) 姐 y \ \\ 29 硼共聚物-24(實施例35)(90mg) M /\\\ 30 硼共聚物-25(實施例36)(90mg) y 1 N > 31 (比較例])(45mg) HMTPD(45mg) D-15(1 Omg) 32 (比較例2) (90mg) D-15 (lOmg) 33 (比較例3) (50mg) HMTPD (45mg) 34 (比較例4) (90mg) M /1、' -63- (60;1359855 表2 元件No. 發光開始電壓(V) 最高亮度(cd/ni) 外部量子效率(%) 1 2. 5 3 2 0 0 0 4. 9 2 2. 6 6 8 0 0 0 6. 9 3 2. 6. 6 4 0 0 0 6. 8 4 2. 5 100000 6. 7 5 2. 5 8 8 0 0 0 6. 8 6 2. 5 3 3 0 0 0 4. 0 7 2. 6 7 8 0 0 0 6. 6 8 2. 6 8 10 0 0 7. 〇 S 2. 5 160000 9. 2 10 2. 5 100000 8. 9 11 2. 5 3 8 0 0 0 5. 0 12 2. 5 7 0 2 0 0 7. 9 13 2. 5 7 0 0 0 0 7. 5 14 2. 5 7 2 0 0 0 7. 4 15 2. 5 7 3 0 0 0 7. 4 16 2. 5 3 4 0 0 0 4. 9 17 2. 5 8 0 0 0 0 8. 0 18 2. 5 8 0 0 0 0 7. 9 19 2. 5 100000 8* 8 2 0 2. 5 8 3 0 0 0 8. 1 2 1 2. 6 3 5 0 0 0 5. 2 2 2 2. 5 8 0 0 0 0 8. 3 2 3 2. 5 8 0 5 0 0 8. 4 2 4 2. 5 134000 9. 1 2 5 2. 5 9 8 0 0 0 9. 1 2 6 2. 5 3 5 0 0 0 5. 2 2 7 2. 5 8 0 0 0 0 8. 3 2 8 2. 5 8 0 5 0 0 8. 4 2 9 2. 4 155000 9. 8 3 0 2. 4 108000 9. 0 3 1 2. 7 2 8 0 0 0 3. 3 3 2 2. 6 4 0 0 0 0 5* 1 3 3 2. 8 2 9 0 0 0 4. 0 3 4 2. 8 3 3 0 0 0 3. 9 -64 - (61) (61)1359855 產業上利用可能性 使用本發明之高分子化合物可提供,低電壓下可得高 發光效率,而適用於大面積化及量產化之發光性高分子材 料,及使用其之有機發光元件、 【圖式簡單說明】 圖1爲,本發明之有機發光元件例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :透明基板 2 :陽極 3 :電洞輸送層 4 :發光層 5 :電子輸送層 6 :陰極 -65-
Claims (1)
- 日修正替換頁 第093138156號專利申請案中文申請專利賴修正本 民國100年11月29曰修正 N申請專利範圍 1· 一種高分子化合物,其特徵爲,含有式(2) R16式中,R1至R13及R15各自獨立爲氫原子、鹵原子、氰 遂 '胺基、碳數1至12之烴烷基,或碳數1至12之烷氧 、芳氧基、芳香族基、雜環基,且R1至R13及R15中鄰 $_同一苯基上之基可鍵結形成縮合環;R16爲氫原子或 喚數1至12之烷基;X爲單鍵、-0-、-S-、-SO-、-S02- 具有雜原子之碳數1至20的2價烴基〕 所希單體單位。 2 .如申請專利範圍第1項之高分子化合物,其中式 (2)所示單體單位中,Ri、R4、R5、R9、R1Q、R13中至 少4個爲ci至C6烷基或烷氧基(但R1、R4對硼之取代 位置爲鄰位)。 3.如申請專利範圍第1項之高分子化合物,其中含 有式(3 ) 1359855 月叫日修正替換I; C——ch2. R2(3)〔式中,R2、R3、R6 至 R8、Rll、R12 及 原子、鹵原子、氰基、胺基、碳數1至 碳數1至12之烷氧基、芳氧基、芳香族 ,R2、R3、R6 至 R8、Rll、尺12及 R15 中: 之基可鍵結形成縮合環:R16爲氫原子或 基;X 爲單鍵、-0-、-S-、-SO-、-so2-驾 碳數1至20的2價烴基〕 所示單體單位。 4.如申請專利範圍第1項之高分子 有式(4) R15各自獨立爲氫 1 2之烴烷基,或 基、雜環基,又 郎接於同一苯基上 碳數1至12之烷 ^可具有雜原子之化合物,其中含 -2- 1359855R16(4) 〔式中,R1至R6及R8至R13各自獨立爲氫原子、鹵原子 '氰基、胺基、碳數1至12之烴烷基,或碳數1至12之 烷氧基、芳氧基、芳香族基、雜環基,又,R16爲氫原子 或碳數1至12之烷基;X爲單鍵、-Ο-、-S-、-SO-、-S02-或可具有雜原子之碳數1至20的2價烴基;R17至 R26各自獨立爲氫原子、鹵原子、氰基、胺基、碳數1至 12之烴烷基、碳數1至12之烷氧基、芳氧基、芳香族基 、雜環基,又,R1至R6、R8至R13及R17至R26中鄰接於 同一苯基上之基可鍵結形成縮合環〕 所示單體單位。 5·如申請專利範圍第1至4項中任一項之高分子化 合物,其尙含有含Ir錯合物之發光性單體單位。 6.如申請專利範圍第1至4項中任一項之高分子化 合物,其尙含有具有三苯基胺衍生物或咔唑衍生物作爲電 洞輸送性單體單位。 -3- 1359855 月祠日修正替換扣 7.如申請專利範圍第6項之高分子化合物,其中, 前述電洞輸送性單體單位爲下述式(Τ-1)至(Τ-8)所示 單體單位中之任一者,-4- 13598558 .如申請專利範圍第5項之高分子化合物,其尙含 有具有三苯基胺衍生物或咔唑衍生物作爲電洞輸送性部位 之電洞輸送性單體單位。9.如申請專利範圍第8項之高分子化合物,其中, 前述電洞輸送性單體單位爲下述式(T-1)至(T-8)所示 單體單位中之任一者, -5- 13598551 〇. —種發光性組成物,其特徵係含有含申請專利範 •6- 1359855 |凊1'月1日修正替換頁 Η第1項之式(2).所示單體單位的高分子化合物及含有 ΙΓ錯合物之發光性化合物。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之發光性組成物,其中 ’前述發光性化合物爲低分子化合物及/或高分子化合物 〇 12. —種有機發光元件,其爲被陽極及陰極所挾持之 含有一個或複數個高分子層的有機發光元件,其中,高分 子層中至少一層爲含有申請專利範圍第5項之高分子化合 物。 13. —種有機發光元件,其爲被陽極及陰極所挾持之 含有一個或複數個1%分子層的有機發光元件,其中,高分 子層中至少一層爲含有申請專利範圍第10項之發光性組 成物。 14. 一種面發光光源、顯示裝置用背光、顯示裝置、 照明裝置、室內裝置及屋外裝置,其爲使用申請專利範圍 第12或13項之有機發光元件。
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