TWI359855B - - Google Patents

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TWI359855B
TWI359855B TW093138156A TW93138156A TWI359855B TW I359855 B TWI359855 B TW I359855B TW 093138156 A TW093138156 A TW 093138156A TW 93138156 A TW93138156 A TW 93138156A TW I359855 B TWI359855 B TW I359855B
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Tsuyoshi Kato
Kunio Kondo
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Showa Denko Kk
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Description

1359855 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關使用於平面顯示面板等之背光用的有機 發光元件(OLED )。更詳細而言,係有關可使用於有機 發光元件之發光層的含硼高分子化合物,及使用該高分子 化合物之有機發光元件。 【先前技術】 有機發光元件從1987年柯達公司之譚(C. W. Tang) 們所展示的高亮度發光以來,急速開發材料及改良元件構 造,最近開始實用化於汽車音響及行動電話用之顯示板等 。又,爲了擴大該有機 EL( electro luminescence)元件 之用途,目前有關提升發光效率及耐久性用之材料及全色 彩顯示等開發非常活躍。特別是爲了推展史型面板、大型 面板及照明用途而需提升發光效率下,更要求高亮度化。 但目前所使用之發光性材料係由激發一重項狀態而發光, 即螢光,故電性激發中會大激發一重項狀態與激發三重項 狀態之激發子的生成比爲1 : 3,而使有機EL之光的內部 量子效率上限爲25% (外部敢出效率爲20%時相當於外部 量子效率5 % )。 相對地,使用巴洛得(M.A. Baldo )們所揭示的室溫 下來自激發三重項狀態而磷光發光之銥錯合物等,可得外 部量子效率7.5% (假定外部取出效率爲20%時相當於內部 量子效率3 7.5 % ),而提升先前外部量子效率上限値5 %之 -5- (2) 1359855 値。又’改善磷材料及元件構造下,可得近 率(應用物理文件,90卷,5048頁,200] 受人注目之超高效率化方法。 但,該磷光發光性之銥錯合物爲低分子 以真空蒸鍍法成膜。該真空蒸鍍法爲目前廣 子系發光性材料的成膜方法,但需有真空設 面積使有機薄膜均勻成膜,及難形成高精細 而無法適用爲大面積面板之量產化方法》 因此開發出適合大面積化、量產化之元 例如利用旋轉塗布法、噴墨法、印刷法等使 性材料成膜之方法。該方法爲螢光發光性高 使用之方法,又,曾出現對磷光發光性高分 發,即使用支鏈具有磷光發光部位及專職輸 發光性高分子材料,而得超過5 %之外部量 (Pro ceedings of The 11th International Inorganic and Organic Electro luminescece p.283-286 ' 2002) » 但該磷光發光性高分子材料之外部量子 光發光限界5 %爲6 %,而無法得到原本對磷 之高外部量子效率。 又,曾出現許多機關進行光機能材料及 應用π電子系有機化合物之硏究,且內容多 預設分子內含有硼原子之硼化合物,而利用 子之空Ρ軌道發現特異光學、電子物性。 乎 20%之高效 年),而成爲 化合物,故需 泛使用之低分 備,故有難大 圖型等問題, 件製作方法, 高分子系發光 分子材料廣泛 子材料進行開 送部位之磷光 子效率的報告 Workshop on (EL2002), 效率僅超越螢 光發光所期待 電子機能材料 樣化。其中曾 所存在的硼原 -6 - (3) (3)1359855 但一般硼化合物含有空氣或水中不安定之缺點,故傾 向不作爲材料用。關於該問題,最近曾出現硼化合物具有 商容積構造時,空氣中或水中具安定性之報告(例如美國 化學協會雜誌’ 120卷,10776頁,1998年),而擴大應 用於非線形光學材料及有機E L材料等之可能性。但該報 告之內容僅限於溶液狀態之螢光物性,而現狀下對具有高 容積構造之硼化合物的實質用途之硏究尙不足。特別是寄 望應用於有機EL材料而盛行各種硏究下,仍無法發現充 分之性能。 基本上有機EL元件係由,2個電極中挾持電荷輸送 層或/及形成發光性材料用之有機化合物的構造所構成, 故有希望成爲低消耗電力之高效率有機EL,因此需求高 發光效率之材料用的有機化合物。 又,曾出現於電荷送劑用之含雜環硼化合物的論文( 美國化學協會雜誌,120卷,9714頁,1998年)中之物的 硼化合物之發光特性及該硼化合物之發光性材料適性尙不 足。 該報告中僅表示,同亮度下使用硼化合物之元件比未 使用硼化合物之元件的電流密度低,故可提升發光效率。 但因該砸化合物爲低分子,如上述般需利用真空蒸鍍等製 膜法,故不適合爲大面積面板量產之方法。又’ W0 0 0/405 86號報告中曾有有機EL利用硼化合物之例子。但 ,所使用之硼化合物同爲低分子,故效率低而有上述論文 之問題。 (4) (4)1359855 【發明內容】 發明之揭示 目前爲止雖有適用於大面積化、量產化之高效率發光 性的高分子材料開發案’但仍無法得到充分之高發光效率 下能低電壓驅動之發光性材料,及使用其之有機發光元件 〇 因此本發明之課題爲,提供低電壓下可得高發光效率 ’而適用於大面積化及量產化之高分子材料,及使用其之 有機發光元件。 本發明者們針對目前爲止高分子材料用之電子輸送部 位爲噁二唑構造,因此驅動電壓較高而電力效率較低之事 實提升各種檢討後發現’電子輸送部位使用具有特定^芳 基硼構造之高分子材料時,可降低驅動電壓及提升外部量 子效率,而完成本發明。 即’本發明係有關下列有機發光元件。 1 · 一種高分子化合物,其特徵爲,含有式(】) R16
X\A 〔式中’ A爲苯基可被取代之三苯基硼基,R,6爲氣原子 或碳數1至12之烷基,X爲單鍵'-0-、-S-、_S0.、. SQ”或可含有雜原子之碳數1至2〇的2價烴基〕 所示簞體單位。 (5) (5)1359855 2.如前項1 .所記載之高分子化合物,其特徵爲,含 有式(2 ) R16
I C-CH2 R2
〔式中,R16及X同上述,R1至R15各自獨立爲氫原子、 鹵原子、氰基、胺基、碳數1至12之烴烷基或碳數1至 12之烷氧基、芳氧基、芳香族基、雜環基,且R1至R1; 中同一苯基上接鄰之物可鍵結形成縮合環〕 所示單體單位。 3. 如前項2.所記載之高分子化合物,其中式(2 )所 示單體單位中,R1、R4、R5、R9、R1Q、R13中至少4個爲 C1至C6之烷基或烷氧基(但R1及R4對硼之取代位置爲 鄰位)。 4. 如前項2.所記載之高分子化合物,其含有式(3 ) -9- (6)1359855 r16 I c—ch2 R2
(3) 〔式中,R2、R3、]^6至 R8 及 R11、R12、 ] 所示單體單位。 5 .如前項2 .或3 .所記載之高分子化 (4) R16
I I ---C——ch2-- R15、Rh同上述 合物,其含有式 、, R2
〔式中,R1至R6、R8至R13及R16同上i 自獨立爲氫原子、鹵原子、氰基、胺基、 烴烷基或碳數1至12之烷氧基、芳氧基 -10- £,R17 至 R26 各 碳數】至12之 、芳香族基、雜 (7) (7)1359855 環基,且R17至R20中同一苯基上接鄰之物可鍵結形成縮 合環〕 所示單體單位。 6. 如前項2.至5.所記載之高分子化合物’其爲含有 前項2.所記載之式(2)所示單體單位,及發光性單體單 位之發光性高分子化合物。 7. 如前項6.所記載之發光性高分子化合物’其中發 光性單體單位之發光爲磷光發光。 8. 如前項7 .所記載之發光性高分子化合物,其中發 光性單體單位含有過渡金屬錯合物。 9. 如前項8.所記載之發光性高分子化合物,其中發 光性單體單位含有原子編號3 9至4 8 ' 72至8 0中所選出 之金屬。 1 〇 .如前項2 .至9 .中任何一項所記載之發光性高分子 化合物,其中發光性高分子化合物含有電洞輸送性單體單 位。 11. 一種發光性組成物,其特徵爲,含有含前項2.所 記載之式(2 )所示單體單位的高分子化合物及發光性化 合物。 12. 如前項1 1 .所記載之發光性組成物,其中發光性 化合物爲低分子化合物及/或高分子化合物。 13. —種有機發光元件,其爲,含有陽極及陰極挾持 一個或複數之高分子層的有機發光元件中,高分子層中至 少一層含有前項6.至9.中任何一項所記載之發光性高分子 -11 - (8)1359855 化合物。 14. 一種有機發光元件,其爲,含有陽極及陰極挾持 —個或複數之高分子層的有機發光元件中,高分子層中至 少一層含有前項Π .或12.所記載之發光性組成物。 15. —種面發光光源、顯示裝置用背光、顯示裝置、 照明裝置、室內及屋外裝置,其爲使用前項13.或14.所記 載之有機發光元件。
發明之詳細說明 下面將具體說明本發明之實施型態。 本發明之高分子化合物至少有式(1)所示之含硼單 體單位。 r16
I --C-CH〇一 一· Τι 丁 (” Χ\ 、Α
式中’ Α爲苯基可被取代之三苯基硼基,爲氫原 子或碳數1至12之烷基’X爲單鍵、、-S〇2·或可含有雜原子之碳數1至20的2價烴基。 具體而言’式(1)所示之含硼單體單位如下列式(2 )所示。 -12 - 1359855 Ο) R16
(2) 式中’ R16及X同上述,R1至R15各自獨立爲氫子、 鹵原子、氰基、胺基、碳數1至12之烴烷基或碳數1至 12之烷氧基、芳氧基、芳香族基' 雜環基。又,Ri至Ris 中同一苯基上接鄰之物可鍵結形成縮合體。 式(2)所示之單體單位係由三芳基硼構造之部分、 形成來自碳-碳雙鍵之聚合鍵的部分及其鍵結用之連結基 所構成。因三芳基硼構造具有高電子移動度,而能低電壓 驅動’故可得較高之外部量子效率。即,式(2 )所示之 單體單位具有電子輸送性部位之作用。 式(2 )中R1至R15爲氫原子、鹵原子、氰基、胺基 、碳數】至12之烴烷基或碳數1至12之烷氧基、芳氧基 、芳香族基、雜環基。W至R15所使用之鹵原子如,氟、 氯、溴及碘。R1至R15所使用之碳數1至12的烴烷基如 ,甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、t-丁基' 戊基、己基 '辛基、癸基、十二烷基等。R1至R15所使用 之碳數]至12的烷氧基如,甲氧基、乙氧基、丙氧基、 異丙氧基、異丁氧基、t-丁氧基、己氧基、辛氧基、癸氧 -13- (10)1359855
基、十二烷氧基等。R1至R15所使用之芳氧基如,苯氧基 、4-甲基苯氧基、萘氧基、胺茴氧基等。R1至R15所使用 之芳香族如,苯基、聯苯基、三聯苯基、甲苯基、二甲苯 基、茱基、蒽基、菲基等。…至所使用之雜環基如, 吡啶基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、吡唑基、咪唑基、三 唑基、四唑基、噁唑基、噁二唑基、噻唑基、噻二唑基、 吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并咪唑基 、苯并三唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并二噻唑基 、呋喃基等。又,R1至R15中同一苯基上接鄰之物可鍵結 形成縮合環。 爲了使空氣或水中硼化合物安定,較佳爲芳香環之鄰 位具有取代基,又以4位具有取代基爲佳。
式(2)中R16可爲氫原子或碳數丨至12之烷基。Ri6 所使用之碳數1至12的烷基如,甲基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、異丁基、t-丁基、戊基、己基、辛基 '癸基 、十二烷基等。 式(2)之三芳基硼構造的具體例較佳如,下列式( A-1 )至(A-15)所示構造》
-14 - (11)1359855
式(2)中連結基 X爲單鍵、-Ο-、-S-、-SO-或可具 有雜原子之碳數1至20的2價有機基。連結基X所使用 之碳數1至20的2價有機基如,下列式(S-1)至(S-15 )所示構造之物。 -15- (12)1359855
-16 - (13) (13)1359855 式中,R2 7、R2 8及R29各自獨立爲伸甲基、取代或未 取代之伸苯基。k、m及η各自獨立爲0、1或2。但式( S-3)、式(S-7)及式(S-8)之m及η不可同時爲0。 式(2 )所示三芳基硼構造之具體例較佳如,下列式 (Β-1)至(Β-23)所示構造。其中特佳爲式(Β-4)、( Β-6 ) 、 (Β-19) 、( Β-21 ) 、 ( Β-22 ) 、 (Β-23)所示 之物。
17- (14) 1359855
本發明之高分子化合物中,以式(2 )所示單體單位 之重覆數爲t,及以其他單體單位之重覆數爲u時,對全 體單體單位之重覆數的本發明式(2)所示單體單位之重 覆比率,即t/ ( t + u )較佳爲0.01以上且1 .00以下,更佳 爲0.1以上且0.9以下。 本發明之高分子化合物可含有發光性單體單位。此時 發光單體單位係由發光部位、形成來自碳-碳雙鍵之聚合 -18 - (15) (15)1359855 鏈的部分及其鍵結用之連結基所構成。該發光可爲螢光或 磷光,較佳爲磷光。 發光性單體單位之螢光發光性部位可使用,室溫下產 生螢光之化合物。例如發光性部位可使用應用物理,第7 0 卷,第12號,1419頁,2001年所記載之化合物。 發光性單體單位之磷光發光性部位可使用,室溫下產 生磷光之化合物,較佳爲過渡金屬錯合物。該過渡金屬錯 合物所使用之過渡金屬係包含周期表之第一過渡元素系列 ’即原子編號21之Sc至30之Zn,及第二過渡元素系列 ’即原子編號39之Y至48之Cd,及第三過渡元素系列 ’即原子編號72之Hf至80之Hg。該過渡金屬中較佳爲 Pd、Ds、Ir、Pt 及 Au,更佳爲 Ir + Pt,特佳爲 Ir。 上述過渡金屬錯合物之配位基可使用,威吉遜(G. Wilkinson )編 > Comprehensive Coordination Chemistry (plenum Press,1 98 7 );山本明夫「有機金屬化學-基礎 與應用-」(裳華房,1 9 82 )所記載之配位基等。其中較 佳爲鹵配位基、含氮雜環配位基(苯基吡啶系配位基、苯 并噻嗯基吡啶系配位基、苯并喹啉系配位基、喑啉酚系配 位基、聯二吡啶系配位基、聯三吡啶系配位基、菲繞啉系 配位基等)、二酮配位基(乙醯丙酮配位基、二三甲基乙 醯甲烷配位基等)'羧酸配位基(乙酸配位基等)、磷配 位基(三苯基磷系配位基等、亞磷酸酯系配位基等)、一 氧化碳配位基、異腈配位基及氰基配位基。 該過渡金屬錯合物之配位基的具體例特佳如,下列式 -19- (16)1359855 (L-l )至(L-13 )所示構造之物。
(L-5) (L-6) ( L - 7 ) ( L- 8 ) ( L - 9)
又,一個過渡金屬錯合物可含有複數種配位基。又, 該過渡金屬錯合物可爲二核錯合物或多核錯合物。 發光性單體單位之連結基爲,鍵結上述過渡金屬錯合 物及來自碳-碳雙鍵之聚合鏈的部分。該連結基爲單鍵、· 〇·、-S-、-SO-' -S〇2-或具有雜原子之碳數1至20的2價 烴基。連結基所使用之碳數.1至20的2價烴基如,同上 述式(2)之連結基X爲式(S-1)至式(S-15)所示構造 之物。 -20- (17)1359855 本發明之發光性單體單位的具體例如’式(D -])至 式(D-11)所示構造。
% c=o
-21 (18) 1359855
本發明之高分子化合物中’以發光性單體 數爲r,及以其他單體單位之重覆數(包含式 合物)爲s時(r's爲1以上之整數)’對全 之重覆數的發光性單體單位之重覆比率’即 値較佳爲0.0001以上且0.3以下’更佳爲0 0.2以下。 共聚物中單體之配列方式可爲無規共聚物 物或交互共聚物。 又,本發明之高分子化合物除了式(2) 位外,可含有電洞輸送性單體單位。 電洞輸送性單體單位之電洞輸送性部位如 基-Ν,Ν1- ( 3-甲基苯基)-1,1_-聯苯基- 4,4’二胺 1^,>^>},>^-四(3-甲基苯基)-1,〗,-(3,3|-二甲編 4,4’二胺(^11^丁?0)、4,4'-雙〔:^-(1-萘基)-〕聯苯(α-NPD〕 、4:4·:4”-三(3 -甲基苯基 三苯基胺(m-MTDATA)等之三苯基胺衍生物 物等。具體例如(T-1 )至(T-8 )所示構造等 單位之重覆 (2 )所示化 體單體單位 r/ ( r + s )之 .0 0 1以上且 、嵌段共聚 所示單體單 ,N,N,-二苯 (TPD )、 S)聯苯基-N -苯基胺基 苯基胺基) 、咔唑衍生 -22- (19)1359855
-23 - (20) (20)1359855 電洞輸送性單體單位係由電洞輸送性部位、形成自 碳-碳雙鍵之聚合鏈的部分及其鍵結用之連結基所構成。 電洞輸送性單體單位之連結基爲,鍵結電洞輸送部位 及來自碳-碳雙鍵之聚合鏈的部分。該連結基爲單鍵、-〇-、-S-、-SO-或可具有雜原子之碳數1至2〇的2價有機基 。連結基所用之碳數1至20的有機基如,同上述式(2) 之連結基X的(S -〗)至(S _ 1 5 )所示構造。 本發明之高分子化合物中,以電洞輸送性單體單位之 重覆數爲V’及以其他單體(包含式(2)所示單體單位 )之重覆數爲W時(v、W爲1以上之整數),對全體單 體單位之重覆數的第三單體單位之重覆比率,即V/ ( V + W )之値較佳爲0.001以上且0.99以下,更佳爲〇.〇1以上 且〇 . 9以下。 本發明之高分子化合物中可另含其他單體單位。該其 他單體單位如’式(2 )所示化合物以外之電子輸送性單 體單位 '兩極性單體單位等。 導入電子輸送性單體單位之方法如,將三鋁喑啉酚( A 1 q 3 )等d奎啉酚衍生物金屬錯合物' 噁二唑衍生物、三唑 衍生物、咪唑衍生物、三嗪衍生物 '三芳基硼衍生物等導 入聚合性官能基得之化合物聚合。 本發明所使用之高分子的聚合度較佳爲5至10, 〇〇〇, 更佳爲1 0至5,000。 高分子之分子量係由其構成單體之分子量及聚合度決 定’故很難限定本發明所使用之高分子的較佳分子量。舉 -24- (21) (21)1359855 例而言,本發明所使用之高分子的分子量較佳爲,上述聚 合度獨立下重量平均分子量爲1,〇〇〇至2,〇〇〇,〇〇〇,更佳爲 5,000 至 1,000,000 〇 該分子量之測定方法如,高分子學會編「高分子化學 之基礎J (東京化學同人,1 978年)所記載之方法,即凝 膠滲透色譜法(GPC)法,利用浸透壓之方法、光散射法 、超離心法等。 圖1爲本發明之有機發光元件構成之一例的剖面圖, 即依序於透明基板(1)上設置之陽極(2)及陰極(6) 間’設置電洞輸送層(3)、發光層(4)及電子輸送層( 5)。本發明之有機發光元件構成非限於圖1之例,可爲 依序於陽極及陰極之間設置1)電洞輸送層/發光層' 2) 發光層/電子輸送層中任何一種,或僅設置3)含有電洞輸 送材料 '發光性材料及電子輸送材料之層、4)含有電洞 輸送材料及發光性材料之層、5)含有發光性材料及電子 輸送材料之層' 6 )發光性材料之單獨層中任何一層。又 ’圖1所示發光層爲單層,但可層合2層以上。 該陽極與陰極間之層適用各種一般用成膜方法,又, 以濕式塗布法製作時’可利用旋轉塗布法、噴墨法、打搜 法、蘸塑法等成膜。 本發明有機發光元件所使用之發光層用發光性材料可 爲’含有上述式(2)所示含硼單體單位及發光性單體單 位之發光性高分子化合物,或混合由對式(2 )所示含硼 單體單位之高分子化合物爲發光性化合物(低分子化合物 •25- (22) 1359855 或高分子化合物)所形成的發光性材料’ &電洞輸送材料 、電子輸送材料之物。 本發明之高分子化合物中混合發光性材料時可使用 上述具有發光性部位之化合物。此時對本發明之高分子化 合物的發光性材料比率較佳爲0.001 %至30% (wt.),更 佳爲0 _ 1 %至2 0 %。
發光性材料之具體例較佳如,(D-12 )至(D-21 )所 示構造。
-26 (23) 1359855 6υΟ
又,補助本發明高分子化合物之電洞輸送性時 合電洞輸送性化合物,補助電子輸送性時可混合電 性化合物。混入本發明之高分子化合物中的專職輸 合物可爲低分子化合物或高分子化合物。 該混入高分子化合物之低分子的電洞輸送性化 ’ Ν,Ν·-二苯基-Ν,Ν’-(3-甲基苯基)-I,〗,-聯苯基-4 (TPD) 、4,4'-雙〔N-(l-萘基)-Ν-苯基胺基〕 α-NPD) 、4,4’,4"·三(3-甲基苯基苯基胺基)三 (m-MTDATA )等之三苯基胺衍生物等。又,混入 化合物之高分子的電洞輸送性化合物如,聚乙烯基 三苯基胺系之低分子化合物中導入聚合性官能基而 化’例如特開平8 - 1 5 7 5 7 5號公報所揭示之三苯基 的高分子化合物等。 另外混入上述高分子化合物之低分子的電子輸 合物如,三鋁鸣啉酚(A1 q 3 )等鸣啉酚衍生物金屬 、嚼二D坐衍生物、三哩衍生物、咪卩坐衍生物、三嗪 、三芳基硼衍生物等。混入上述高分子化合物之高 電子輸送性化合物如’該低分子之電子輸送性化合 聚合性官能基而高分子化,例如特開平】〇_丨665號 ,可混 子輸送 送性化 合物如 ,4’二胺 聯苯( 苯基胺 高分子 昨唑、 高分子 胺骨架 送性化 錯合物 衍生物 分子的 物導入 公報所 -27- (24) (24)1359855 揭示之聚PBD等。 又’爲了改良上述高分子化合物成膜後而得之膜物性 等’可以混合與高分子化合物之發光特性無直接關係的高 分子化合物而得之組成物作爲發光性材料。例如可混合賦 予膜柔軟性用之聚甲基甲基丙烯酸酯(PMMA )等。 本發明之有機發光元件可使用之形成電洞輸送層用的 電洞輸送材料如,N,N'-二甲基-N,N,-(3-甲基苯基)-1,1,-聯苯基·4,4’二胺(TPD) 、4,4_ -雙〔N-(卜萘基)-N -苯基 胺基〕聯苯(cc-NPD) 、4,4·,4" -三(3 -甲基苯基苯基胺 基)三苯基胺(m-MTDATA )等之三苯基胺衍生物、聚乙 稀昨B坐等。又’可使用三苯基胺系低分子化合物導入聚合 性官能基而高分子化’例如特開平8 · 1 5 7 5 7 5號公報所揭 示的二苯基胺骨架之高分子化合物等,或聚對苯亞乙烯酯 、聚—院基勿等商分子材料。該電洞輸送材料可單獨使用 ’或混用或層合不同之電洞輸送材料。電洞輸送層之厚度 並無特別限制,較佳爲]nm至5μιη,更佳爲5nm至 ,特佳爲1 0 n m至5 0 0 n m。 本發明之有機發光元件所使用之形成電子輸送層用的 電子輸送材料如,三鋁D奎啉酚(Alq3 )等喹啉酚衍生物金 屬錯合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、三 嗪衍生物、三芳基硼衍生物等。又,可使用上述低分子之 電子輸送性化合物導入聚合性官能基而高分子化,例如特 開平665號公報所揭示之聚pBD等。該電子輸送材料 可單獨使用,或混用或層合不同之電子輸送材料。電子輸 -28- (25) (25)1359855 送層之厚度並無特別限制,較佳爲lnm至5μηι,更佳爲 5nm 至 Ιμηι,特佳爲 l〇nm 至 500nm。 除了各自以上述發光層用之發光性高分子化合物、電 洞輸送層用之電洞輸送材料及電子輸送層用之電子輸送材 料單獨形成各層外’可以闻分子材料作爲黏合劑形成各層 。所使用之高分子材料如’聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸 酯、聚酯、聚硕、聚苯醚等。 上述發光層 '電洞輸送層及電子輸送層可利用電阻加 熱蒸鑛法、電子來蒸鍍法、濺射法、噴墨法、旋轉塗布法 、印刷法、噴霧法、分配法等形成,又,低分子化合物時 主要使用電阻加熱蒸鍍法及電子束蒸鍵法,高分子化合物 時主要使用噴墨法、切刷法及旋轉塗布法。 又,爲了抑制緊鄰於發光層之陰極側的孔通過發光層 ’而於發光層內更有效率再鍵結電子,可設置孔.嵌段層 。其所使用之材如’三唑衍生物、噁二唑衍生物、菲繞啉 衍生物等。 本發明之有機發光元件的陽極材料可爲,氧化銦錫( ITO)、氧化錫、氧化鋅、聚噻吩、聚吡咯 '聚苯胺等之 導電性高分子等已知的透明導電材料。該透明導電材料之 電極的表面電阻較佳爲1至50Ω/〇 (歐姆/矩形)。該陽 極材料之或膜方法可爲,電子束蒸鍍法 '濺射法、化學反 應法 '塗覆法等。陽極之厚度較佳爲50至300nm。 又,陽極與電洞輸送層或緊鄰於陽極層合之有機層間 ’爲了緩和孔注入時注入屏障’可插入陽極緩衝層。該層 -29- (26) (26)1359855 可使用銅酞菁、聚伸乙基二氧噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯 擴酸(PPS)之混合物等。另外陽極材料上可設適當之中 間層。此時之中間層可利用氣體狀有機化合物之高周波( RF)等離子處理法形成有機薄膜。 本發明之有機發光.元件的陰極材料就電子注入效率較 佳爲,功率函數較低之Li、K爲鹼金屬或Mg、Ca、Ba等 鹼土類金屬。又,可使用化學安定性優於該金屬之Al、 Mg· Ag合金、Al. Li或Al. Ca等A1與鹼金屬之合金等 。爲了使電子注入效率及化學安定性兩立,可如特開平2 -1 5 5 95號公報、特開平5-121172號公報所記載,於A1層 底部(陰極側爲上側,陽極側爲下側)挾持C s、C a、S r 、Ba等驗金屬或驗土類金屬之薄層(〇·〇ΐ至ιΟμιη)。該 陰極材料之成膜方法可爲電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法 、濺射法' 離子電鍍法等。陰極之厚度較佳爲1 Onm至 Ιμηι,更佳爲 50 至 500nm。 本發明之有機發光元件所使用的基板可爲,對發光性 材料之發光波長爲透明性之絕緣性基板,即除了玻璃外, 可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET )、聚碳酸酯、聚甲 基甲基丙烯酸酯(PM Μ A)爲首之透明塑料。 本發明之發光元件可使用於顯示裝置、照明、顯示裝 置用背光、室內及屋外裝飾、面發光光源。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 -30- (27) (27)1359855 下面將以代表例更具體說明本發明。該例爲單純說明 例,本發明非限於該例。 〈測定裝置等〉
1 ) 1 H-NMR ' 13C-NMR 日本電子(JEDL)製JNMEX270 2 70MZ溶劑:重氯仿 2 ) GPC測定(分子量測定) 柱:Shodex KF-G + KF 8 04L + KF802 + KF801 溶離液:四氫呋喃(THF )
溫度:4 0 °C 檢驗器:RI ( Shodex RI-71 ) 3 ) ICP元素分析 島津製作所製ICPS 8 000 實施例]:合成聚合性化合物(硼單體化合物1 )
(1 )調製G r i g n a r d試劑
氮氣下將鎂(1 .〇〇g )、脫水四氫呋喃(THF ) ( 5ml -31 - (28) 1359855 )及碘2mg放入100ml之4 口燒瓶中,室溫下攪拌至碘無 色。其次於乾冰/甲醇浴上,以1 5至2 0°C之反應溫度滴入 溴苯乙烯(7.30g)溶解於脫水四氫呋喃(THF)而得之 溶液。結束滴液後,該溫度下攪拌6 0分鐘,得格利雅試 劑(StyMgBr)。 (2)合成三芳基硼
化合物1 f /=4_b_f ^ivMgBr
\ V_//2 Tol/THF 氮氣下將二茱基硼氟化合物(4.16g)及甲苯(To 1) l〇ml)放入200ml之4 口燒瓶中,以反應溫度15至20 °C 加入上述所得之格利雅試劑(StyMgBr ),同溫下再攪拌 6小時。 其次加入0.5N鹽酸(80ml)及乙酸乙酯(100ml)萃 取該溶液’以水及飽和食鹽水洗淨有機層後,再於硫酸鈉 酐上乾燥。過除乾燥劑後餾去溶媒,再以乙醇使所得粗結 晶再結晶,得化合物1 3 · 6 4 g (收穫率7 0 % )。 丨 H-NMR ( 2 70 MHz ’ CDC13 )、p p m : 2 · 0 1 ( s,1 2 Η,A r-CH3 ) ’ 2 · 3 0 ( s ’ 6H,Ar-CH3 ) - 5.3 0- 5.3 3 ( d > 1H > - CH = CH2 ) ’ 5.8 2 - 5.8 7 ( d,1H,-CH = CH2 ) > 6.60-6.82 ( m’ 5H,芳香族,-CH = CH2) ,7.36-7.49 (m,4H,芳香 族) 實施例2 :合成聚合性化合物(砸單體化合物2 ) -32- 1359855
化合物2 (1)合成卜溴-2,6-二甲基-4-41^-丁基二甲基矽氧烷 基苯(化合物3)
化合物3 氮氣下將4_溴3,5-二甲基苯酚(5.00g)及tert-丁基 二甲基氯矽烷(3_87g)、脫水二氯甲烷(DCM) (10ml )及脫水二甲基甲醯胺(DMF ) (3ml)放入100ml之3 口燒瓶中,攪拌下再滴入咪唑(l_75g)溶解於脫水DCM (10m】)而得之溶液。滴液後室溫下攪拌3小時,再過濾 所析出之不溶物,減壓下濃縮濾液後,加入乙酸乙酯及碳 酸氫鈉水溶液(5 % )。分離有機層後以水及飽和食鹽水洗 淨,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶劑,再以 矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物7.45g (收穫率95% ) 〇 (2)調製Grignard試劑
氮氣下將鎂(0.60g)、脫水四氫呋喃(THF) (5ml -33- (30)1359855 )及碘2mg放入100ml之4 口燒瓶中,室溫下攪拌至碘無 色。以反應溫度67至70°C滴入1-溴-2,6-二甲基-4-1。卜丁 基二甲基矽氧烷苯(7.25g)溶解於脫水THF ( 30ml )而 得之溶液。滴液後該溫度下攪拌60分鐘,得格利雅試劑 (OTBSXyMgBr ) » (3)合成二來基(4-tert-丁基二甲基矽氧烷基2,6-二 甲基苯基)甲硼烷(化合物4)
OTBSXyMgBr Tol/THF* 化合物4 氮氣下將二来基硼氟化物(3.32g)及脫水甲苯(Tol )(l〇ml)放入200ml之4 口燒瓶中,再加入上述所得之 格利雅試劑(OTBSXyMgBr),油溫13 0°C下攪拌6小時 放冷後將鹽酸(0.5N,80ml)及乙酸乙酯(12〇ml) 加入所得溶液中’分離有機層後以水及飽和食鹽水洗淨有 機層’再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再 以矽膠柱色譜法精製所得粗結晶,得化合物4 4.7 5 g (收 穫率8 8 % ) 'H-NMR ( 2 70MHz > CDCI3 ) ’ ppm : 0.18-0.19 ( d > 6H > S1CH3 ) ,0.97-0.9 8 ( t,9H,C ( CH3 ) 3 ),! _94_] .97 ( m ' 1 2 Η > ArCH3 ) > 2.25-2.26 ( d > 6H,ArCH3) ,6.42- 6.73 ( m,6H,芳香族) (4)合成二笨基(4 -羥基-2,6 -二甲基苯基)甲硼烷 -34- (31)1359855 (化合物5)
氮氣下將化合物4(4_50g)及脫水四氫咲喃(thF) (15ml)放入200ml之4 口燒瓶中,攪拌下再加入四正丁 基銨氟化物3水和物(TBA-F ) ( 8_8g ) ,30分鐘後加入 5 %檸檬酸水溶液(2 0 m 1 ),攪拌1 0分鐘後濾取所析出之 固體。將乙酸乙酯加入濾液中,萃取後以水及飽和食鹽水 洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶 媒,再以乙醇使殘渣及固體再結晶,得化合物5 2.93 g。 以矽膠柱色譜法精製濾液,得化合物5 0 · 3 2 g,合計3.2 5 g (收穫率94% ) » 'H-NMR ( 270MHz > CDC13) ,ppm : 1.95- 1.98 ( m,12H • ArCH3 ) ,2.26 ( s,6H,ArCH3) ,5.4 ( s,1H,Ar- OH ) ,6.41(5,21^,芳香族),6.73 (s,4H,芳香族) (5 )合成化合物6
化合物6 將化合物5 ( 2.8 1 g )及脫水吡啶(P y ) ( 1 〇 m 1 )放入 ]00ml之燒瓶中,水冷下再加入三氟甲院擴酸酐(14ml) 。冰溫下攪拌1 〇分鐘後’室溫下再攪拌一晚’其後移入 -35- (32) 1359855 加冰之2 00ml錐形燒杯。加入乙酸乙酯萃取後’以水及飽 和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑 後餾去溶劑,再以矽膠柱色譜法精製所得殘渣’得目的物 3.37g (收穫率 99% )。 (6)合成二釆基(4 -乙烯基-2,6-二甲基苯基)甲硼 烷(化合物2 )
) CH2=CHSn(Bu)3 TFM 二噁烷’\ X-J^2 化合物2 將化合物6 ( 2.95g)、脫水二噁烷(15ml)、三丁基 乙烯基錫(2.2 0g)、氯化鋰醑(0.85g)、四(三苯基膦 )is ( 0 . 1 5 g ) 、2,6-二 tert-丁基-4-甲基-苯酣(0.05g )放 入l〇〇ml之燒瓶中,水溫10(TC下攪拌3小時後放冷,再 加入吡啶(3 · 5 m 1 )及吡啶鑰氟化物四氫呋喃(THF )溶液 (1.4M - 7ml )。室溫下攪拌一晚後加入乙酸乙酯(i〇ml ),再過濾不溶物。依序以水、鹽酸(4N )、水、NaOH (4N )、水及飽和食鹽水洗淨濾液後,再於硫酸鈉酐上乾 燥。濾除乾燥劑後餾法溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘遼 ,得目的物1 · 3 0 g (收穫率5 1 % )。
1H-NMR ( 2 70MHz,CDC13 ) ,ppm : 1 .98-2.0 1 ( m , j 8H
’ ArCH3 ) ,2.26 ( s,6H,ArCH3 ) ,5.19-5.23 ( dd > 1H ,-CH = CH2 ) ,5.7 3 - 5.8 0 ( dd,1 H,-CH = CH2 ) ,6.58- 6.69 ( dd > 1H,-CH = CH2 ) ,6.7 3 ( s,4 H,芳香族), 6.96 ( s,2H ’ 芳香族) -36- (33)1359855 實施例3 :合成聚合性化合物(硼單體化合物7)
(1)合成二茉基(4-苯乙烯基-2,6-二甲基苯基)甲 硼烷(化合物7 )
將化合物6 ( 2.22g )、脫水二噁烷(12ml )、三丁基 乙燒基錫(1.66g)、氯化鋰酐(〇.64g)、四(三苯基鱗 )銷(〇.]]g) 、2,6-二 tert-丁基-4-甲基-苯酚(O.〇3g)放 入I00ml之茄型燒瓶中,水溫lOOt下攪拌3小時後放冷 ’再加入哏陡(2.7ml )及吡啶鎗氟化物THF溶液(1 ·4Μ ’ 3.2ml )。室溫下攪拌_晚後,加入乙酸乙酯(10ml ) 再過濃不溶物。依序以水、鹽酸(4N )、水、NaOH ( 4N ) '水及飽和食鹽水洗淨濾液,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾 除乾燥劑後館去溶劑,再以矽膠柱色譜法精製所得殘渣, 得目的物]_ 1 4 g (收穫率5 〇 % )。 'H-NMR ( 2 70MHz . CDC13) > ppm : 1.98-2.01 ( m - 18H 5 ArCH3) > 2.26 ( s , 6H . ArCH3) - 5.21-5.27 ( dd > 1H ’ -CH = CH2 ) ,5.75-5.8 1 ( dd,1H,-CH = CH2 ) » 6.72- -37- (34) (34)1359855 6.88 ( m > 5H > -CH = CH2 1 ArH ) ,7 · 2 0 ( s,2 H,芳香族 ),7.41-7.66 (m,4H,芳香族) 貫施例4 .合成聚合性化合物(砸單體化合物8 )
化合物8 (1)合成4 -漠-3,5-_甲基茴香酸(化合物9)
化合物9 室溫下將4-溴-3,5-二甲基苯酚(〗〇.(^)'脫水二甲 基亞碾(l〇ml)及tert· 丁氧基鉀(11.2g)放入200ml之 4 口燒瓶中攪拌,室溫下再加入碘化甲酯(8 . 5 g )攪拌2 小時。將乙酸乙酯(200ml )及水(50ml )加入反應液中 ,萃取有機層後依序以水、5%氫氧化鈉水溶液、水及飽和 食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。據除乾燥劑後 餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物10.46g (收穫率97% )。 (2 )調製Grignard試劑
化合物9 -38- (35) (35)1359855 氮氣下將鎂(l_2g)、脫水四氫呋喃(THF) (5ml) 及蛾2mg放入100ml之4 口燒瓶中,室溫下攪拌至碘無色 。以反應溫度67至70 t滴入4 -溴-3;5 -二甲基-茴香醚( 1 Q 3g )溶解於脫水THF ( 30ml )而得之溶液後,於該溫 度下攪拌60分鐘,得格利雅試劑。 (3 )合成化合物1 〇
氮氣下將硼三氟化物醚組合物(3 · 4 g )及脫水T H F ( 1 〇ml )放入2 00ml之4 口燒瓶中,再加入上述所得之格利 雅試劑(OTBSXyMgBr),油溫7(TC下攪拌3小時。其次 將由化合物9而得之格利雅試劑加入反應液中,油溫1 3 0 °C下攪拌6小時後放冷,再少量加入(計1 〇〇mi )水。加 入1 0%鹽酸20ml後加入乙酸乙酯200ml,萃取有機層後 ’依序以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾 燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣 而再結晶,得目的物7.4 g (收穫率5 0 % )。 (4 )合成化合物1
氮氣下將化合物1 0 ( 6.8g )及脫水THF ( 30ml )放入 -39- (36)1359855 2 00ml之4 口燒瓶中,攪拌下再加入四正丁基銨氟化物3 水和物(TBAF ) ( 1 8g ) 。30分鐘後加入5%檸檬酸水溶 液(80ml ),再攪拌】〇分鐘後濾取所椅出之固體。將乙 酸乙酯加入濾液中,萃取後以水及飽和食鹽水洗淨有機層 ,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以乙 醇使殘渣及固體再結晶,得化合物1 1 4.3 g (收穫率9 9 % )° (5 )合成化合物12
3 (CF3so2)2o \ Pyridine 化合物1 1
化合物1 2 將化合物1 1 ( 4.2g )及脫水吡啶(Py ) ( 20ml )放入 ]〇〇ml之茄型燒瓶中,冰冷下再加入三氟甲烷磺酸(4ml )。冰溫下攪拌1 〇分鐘後,室溫下再攪拌一晚,其後移 入加冰之200ml錐形燒杯中。加入乙酸乙酯萃取後,以水 及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾 燥劑後餾去溶劑,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物 6.6g (收穫率 93%) » (6 )合成化合物1 3
氮氣下將化合物12 ( 3.2g )、二甲氧基乙烷(DME ) -40- (37)1359855 (10m】)、本基硼酸(1.3g) '碳酸鉀(2.0g)及水( 2.0ml)放入200ml之4 口燒瓶中,加熱回流下再攪梓1 小時。將四(二苯基膦)鈀(220mg)加入溶液中,加熱 回流下攪拌3小時後放冷,再加入乙酸乙酯2〇m丨。充分 攪拌後以氟鎂石過濾’再將濾液移入分液漏斗中。萃取有 機層後以水及飽和食鹽水洗淨’再於硫酸鈉酌:上乾燥。濾 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得化 合物1 3 2.0 g (收穫率8 3 % )。 (7 )合成化合物I 4
將化合物13(2_0g)及脫水二氯甲烷(DCM) ( 20ml )放入200ml之茄型燒瓶中,-78°C下再加入1M之三溴化 硼二氯甲烷溶液(5 m 1 )。同溫下攪拌1 〇分鐘後,室溫下 再攪拌一晚。將水加入反應液中,萃取有機層後以水及飽 和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑 後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物1.8g (收穫率9 3 °/〇 ) (8 )合成化合物15
OH (CF3SQ2)2〇, Pyridine \
〇 so2cf3 -41 - (38) (38)1359855 將化合物14(1.7g)及脫水吡啶(py) (l〇ml)放入 100ml之茄型燒瓶中,冰冷下再加入三氟甲烷磺酸酐( 0.7 m 1 )。冰溫下攪拌1 〇分鐘後,室溫下再攪拌—晚,其 後移入加冰之2 0 0 m 1錐形燒杯中。加入乙酸乙酯萃取後, 以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目 的物2.1 g (收穫率9 9 % )。 (9 )合成化合物8
氮氣下將化合物15(2_0g)、二甲氧基乙烷(DME) (10 ml) 、4 -乙烯基苯基硼酸(0.52g)、碳酸鉀(1.3g) ' 2,6- _ - tert -丁基-4-甲基苯酌(2mg)、三苯基滕(75mg )及水(2.0ml )放入1 〇〇ml之4 口燒瓶中,加熱回流下 攪拌30分鐘後,加入四(三苯基膦)鈀(75mg ),加熱 回流下再攪拌1小時。放冷後加入乙酸乙酯2 0 m 1,充分 攪拌後以氟鎂石過濾,再移入分液漏斗中。萃取有機層後 以水及飽和食鹽水洗淨,再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥 劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得化合物 8. 1 g (收穫率(66% )。 'H-NMR ( 270MHz > CDC13 ) ,ppm : 2.15 ( s,1 8H >
ArCH3 ) ,5.21-5.27 ( dd,1H,-CH = CH2) ,5.75-5.8 1 ( dd ’ 1 H > -CH = CH2 ) ,6.68- 6.8 5 ( q,i h,-CH = CH2 ), -42- (39)1359855 7.20- 7.6 8 ( m,20H,芳香族) 實施例5 :合成聚合性化合物(化合物1 6 )
化合物1 6
B (1 )合成化合物1 7
氮氣下將化合物12(3.4g)、二甲氧基乙烷(DME) (15ml)及聯苯硼酸(2.2g)、碳酸鉀(2.1g)、三苯基 膦(】50mg)及水(2.0mg)放入200ml之4 口燒瓶中, 加熱回流下攪拌1小時後,加入四(三苯基膦)鈀( 1 80mg ),加熱回流下再攪拌3小時。放冷後加入乙酸乙 酯20ml,充分攪拌後以氟鎂石過濾,再將濾液移入分液 漏斗中。萃取有機層後,以水及飽和食鹽水洗淨,再於硫 酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜 法精製殘渣,得化合物1 7 2.6g (收穫率76% )。 (2 )合成化合物1 8
-43- (40) (40)1359855 將化合物1 7 ( 2.5g )及脫水二氯甲烷(DCM ) ( 10ml )放入200ml之茄型燒瓶中,-78 °C下再將IM三溴化硼二 氯由烷溶液(4m〇加入溶液中。同溫下攪拌1〇分鐘後, 室溫下再攪拌一晚,其後將水加入反應液中。萃取有機層 後’以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥 。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣, 得目的物2 · 4 g (收穫率9 8 % )。 (3 )合成化合物1 9
將化合物18(2.3g)及脫水卩比D定(Py) (〗〇nil)放入 100ml之茄型燒瓶中,冰冷下再加入三氟甲烷磺酸酌;( 0.7ml)。冰溫下攪拌10分鐘後,室溫下再攪拌—晚,其 後移入加冰之2 0 0ml錐形燒杯中。加入乙酸乙酯萃取後, 以水及飽和食鹽水洗淨有機層,再於硫酸鈉酐上乾燥。滤 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,彳尋目 的物2.6g (收穫率93% )。 (4 )合成化合物1 6 -44 - (41)1359855
氮氣下將化合物19(1.2g)、二甲氧基乙院(Dme) (8ml ) 、4-乙烯基苯基硼酸(0.24g )、碳酸绅(〇 6丨g ) 、2,6·二- tert-丁基-I 甲基苯酚(2mg)、=茏; —本基膦(5〇mg
)及水(1.0ml)放入]00mI之4 口燒瓶中,加熱回丨荒γ 攪拌30分鐘後,加入四(三苯基膦)鈀(5〇m1、 . 、301111 ),加熱 回流下再攪拌1小時。放冷後加入乙酸乙醋2〇ml,充# 攪拌後以氟鎂石過濾,再將濾液移入分液漏斗中。萃取_ 機層後以水及飽和食鹽水洗淨,再於硫酸鈉酐上乾燥。^ 除乾燥劑後餾去溶媒,再以矽膠柱色譜法精製殘渣,得化 合物1 6 0 · 7 9g (收穫率7 3 % )。
】H-NMR ( 270MHz,CDC13 ) ’ ppm : 2.19 ( s - 18H, ArCH3 ) ,5.2 6 - 5 · 2 9 ( d d,1 Η,- C Η = C Η 2 ) ,5.7 7- 5.8 2 ( dd,1H,-CH = CH2 ) ,6·68·6·85 ( q,1H,-CH = CH2 ), 7.20-7.81 ( m,28H,芳香族) 實施例6 :合成聚合性化合物(ViHMTPD )(化合物20 ) -45- (42)1359855
(1 )原聯甲苯胺之四甲苯基化 氮氣下將原聯甲苯胺(5.00g) 、3-碘甲苯(22.60g) 放入2 0 0ml之3 口燒瓶中,力□入脫水二甲苯(100ml )後 ,約50°C下攪拌。依序加入tert-丁氧基鉀(13.64g)、乙 酸鈀(〇.46g)及三-tert-丁基膦(0.46g)後,120°C下攪 拌4小時,再冷卻至室溫。將水(1 00ml )加入反應液後 ,以乙酸乙酯萃取2次,再以硫酸鎂乾燥有機層。減壓下 濃縮後,以矽膠柱色譜法(展開液:乙酸乙酯-己烷之混 合溶媒)精製,餾去溶媒後以甲醇再結晶,得3,3_-二甲 基4,>1,1^,1^'-四-111-甲苯基聯苯胺(化合物21)11.46§( 收穫率8 5 % )。 (2 )合成化合物22
氮氣下將冰冷之氧氯化磷(]m 1 )加入脫水二甲基甲 醯胺(DMF ) ( 4ml )中,室溫下攪拌30分鐘後,調整爲 -46 - (43) (43)1359855 病毒邁耶試劑。 氮氣下將化合物21(5.25g)及脫水DMF(25ml)放 入100ml之4 口燒瓶中,80 °C下攪拌後滴入上述所病毒邁 耶試劑80t下再攪拌1小時。放冷後將反應溶液移入添加 碳酸氫鈉(8g)及水(50ml)之500m]燒杯中,再加入乙 酸乙酯(15 Gml)。取出有機層後依序以水及飽和食鹽水 洗淨’再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒,再 以矽膠柱色譜法精製殘渣,得目的物2.55g (收穫率46% (2 )合成化合物(2 0 )
氮氣下將甲基三苯基辚溴化物(1.93g )及脫水四氫 口夫喃(THF) (l〇ml)放入]00ml之4 口燒瓶中,冰冷下 搜拌後以】〇分鐘加入正丁基鋰己烷溶液(1.58m,3.2ml )’冰冷下攪拌1 0分鐘後,室溫下再攪拌60分鐘。將脫 水本(1 0 m 1 )及化合物2 2加入溶液中,2 0 °c以下攪拌1 小時後’將水(5 0m丨)加入反應液中,再少量加入乙酸乙 醋(1 0 0 m 1 )及氫醌。取出有機層後依序以水及飽和食鹽 水洗淨’再於硫酸鈉酐上乾燥。濾除乾燥劑後餾去溶媒, 再以矽膠柱色譜法精製殘渣’得目的物2_39g (收穫率 -47- (44) 1359855 9 6%)。 1H-NMR ( 2 70MHz,CDC13 ) ,ppm : 7.5-6.7 ( m >
ArH ) ,6.65 ( dd - 1 H - J = 17.4,1 0.9 H z - C H = C H 2 ) (d,1 H > J=1 7.6Hz - -CH = CH2 ( cis) ) ,5.12 ( d J= 1 1 . 1 Hz,-CH = CH2 ( trans ) ) ,2.25 ( s,9H, ,2.08 ( s > 6H,-CH3 ) 實施例7 :合成硼均聚物1 將硼單體化合物1 ( 3 5 2mg )放入密閉容器中 脫水甲苯(5ml )後,加入 V-601 (和光純藥工業 甲苯溶液(0.1M,ΙΟΟμΙ ),再進行5次凍結脫氣 真空密閉中,6 0 °C下攪拌反應6 0小時後,將反應 丙酮(250ml)中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆 沈澱精製後,5 (TC下真空乾燥一晚,得白色固體狀 物l( 3 00mg)。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯 FPC測得的重量平均分子量(Mw)爲42,000。 實施例8 :合成硼均聚物2 使用硼單體化合物2同實施例7進行。所得共 分子以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子』 )爲 78,000 。 實施例9 :合成硼均聚物3 使用硼單體化合物7同實施例7進行。所得共 22H, > 5.61 ,1 Η, -CH3 ) ,加入 製)之 步驟。 液滴入 2次再 硼均聚 換算之 聚物之 1 ( M w 聚物之 -48 - (45) (45)1359855 分子里以聚本乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量( Mw)爲 67,〇〇〇。 實施例1 0 :合成硼均聚物4 使用硼單體化合物8同實施例7進行。所得共聚物之 分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量( Mw )爲 8 8,000。 實施例11:合成硼均聚物5 使用硼單體化合物1 6同實施例7進行。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 (Mw)爲 88,000 〇 實施例]2 :合成硼共聚物i 將硼單體化合物1( 0.2m mol)及化合物20 (0.2 mmol )放入密閉容器中,加入脫水甲苯(2 m 1 )後,再加入v · 60】(和光純藥工業製)之甲苯溶液(〇_ΙΜ,40μ1),重 覆5次凍結脫氣步驟。真空閉密中60 °C下攪拌60小時, 反應後將反應液滴入丙酮(100ml )中,產生沈澱物。以 甲苯-丙酮重覆2次再沈澱精製後,5(TC下真空乾燥一晚 ’得淡黃色固體狀之硼共聚物1 ( 158mg )。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 (Mw )爲70,000。又,以NMR測得之共聚物的共聚比估 計爲硼單體化合物1 :化合物2 0 = 5 0 : 5 0 ( ηι ο 1比)。 • 49 - (46)1359855 實施例1 3 :合成硼共聚物2 使用硼單體化合物2及化合物2 0,同實施例Π 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測辑 量平均分子量(Mw)爲8 2,000。又,以NMR測得二 物的共聚比估計爲硼單體化合物2 :化合物20 = 5 0 : m ο 1 比)。 實施例〗4:合成硼共聚物3 使用硼單體化合物7及化合物20,同實施例1 2 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測擇 量平均分子量(Mw)爲69,000。又,以NMR測得i 物的共聚比估計爲硼單體化合物7 :化合物20 : 5 1 = m ο 1 比)。 實施例]5 :合成硼共聚物4 使用硼單體化合物8及化合物2 0,同實施例1 2 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測ί| 量平均分子量(Mw)爲88,000。又,以NMR測得5 物的共聚比估計爲硼單體化合物 8 :化合物20 = 52 = m ο 1 比)。 實施例】6 :合成硼共聚物5 使用硼單體化合物]6及化合物2 0,同實施例1 進行 的重 共聚 50 ( 進行 的重 共聚 49 ( 進行 的重 共聚 48 ( 進行 -50- (47)1359855 。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重 量平均分子量(Mw)爲81,000。又,以NMR測得之共聚 物的共聚比估計爲硼單體化合物]6 :化合物2 0 = 52 : 4 8 ( m ο 1 比)。 實施例1 7 :合成硼共聚物6
將硼單體l(〇.4mmol)、式(5)所示IrST (以特開 2 003 - 1 1 3 24 6所記載之方法合成)(0.04mmol)放入密閉 容器中,加入脫水甲苯(2ml )後,再加入 V-601 (和光 純藥工業製)之甲苯溶液(〇 . 1 Μ,4 0 μ 1 ),重覆5次凍結 脫氣步驟。真空密閉中60 °C下攪拌60小時,反應後將反 應液滴入丙酮(1 〇〇ml )中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重 覆2次再沈澱物製後,50°C下真空乾燥一晚,得淡黃色固 體狀之硼共聚物(1 3 5mg )。所得共聚物之分子量以聚苯 乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw)爲50,000 。共聚物中以ICP元素分析而得之銥元素含量爲3.7 wt% 。由此估計共聚物之共聚比爲硼單體化合物]:IrST = 92 : 8 ( m ο 1 比)。
-51 - (48) (48)1359855 實施例〗8 :合成硼共聚物7 使用硼單體2及IrST,同實施例]7進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯算之 G PC測得的重量平均分子量 (Mw)爲50,700。以1CP元素分析求取共聚物中之銥元 素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體2 : IrST = 92 : 8 (mol 比)。 實施例1 9 :合成硼共聚物8 使用硼單體7及IrS T,同實施例1 7進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子 量(Mw) 59,900。以ICP元素分析求取共聚物中之銥元素 含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體7 : IrST = 91 : 9 ( mol 比)。 實施例20 :合成硼共聚物9 使用硼單體8及IrST,同實施例1 7進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯換算之 GPC測得的重量平均分子 量(Mw)爲61,700。以ICP元素分析求取共聚物中之銥 元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體8: IrST = 91 : 9 ( m ο 1 比)。 實施例2 1 :合成硼共聚物1 0 使用硼單體16及IrST,同實施例17進行。所得共聚 物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子 -52- (49) (49)1359855 量(Mw)爲5 8,700。以ICP元素分析求取共聚物中之銥 元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體1 6 : IrST = 91 :9 ( mol 比)。 實施例2 2 :合成硼共聚物1 將硼單體](0.4mmol) '式(6)所示Ir錯合物( 0.04m mol)放入密閉容器中,加入脫水甲苯(2ml)後, 再加入 V-601 (和光純藥工業製)之甲苯溶液(0.1M, 40μ1 ),重覆5次凍結脫氣步驟。真空密閉中60°C下攪拌 60小時,反應後將反應液滴入丙酮(100ml )中,產生沈 澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再沈澱物製後,5 0 °C下真空 乾燥一晚,得淡黃色固體狀之硼共聚物(1 35mg )。所得 共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之 G PC測得的重量平均 分子量(Mw)爲49,000。共聚物中以ICP元素分析而得 之銥元素含量爲3.7wt%。由此估計共聚物之共聚比爲硼 單體化合物1 :式(6 )所示化合物=9 2 : 8 ( m ο 1比)。
式6之化合物的合成方法如下所示。 (50) (50)1359855
存在鈀化合物下使4-乙醯苯基硼酸與2·溴吡啶反應, 得4-乙醯苯基吡啶後以鈉硼氫化物還原,得醇物。使該醇 物與特開2003 - 1 1 3 246所記載之方法所合成的Ir雙核化合 物反應,得式(6 )所示化合物。 實施例2 3 :合成共聚物1 2 使用硼單體2及式(6 )所示化合物,同實施例22進 行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的 重量平均分子量(Mw )爲5 2,200。以ICP元素分析求取 共聚物中之銥元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體 2:式(6)所示化合物=92: 8 (mol比)。 實施例2 4 :合成硼共聚物1 3 使用硼單體7及式(6 )所示化合物,同實施例22進 行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的 重量平均分子量(Mw)爲60,100。以ICP元素分析求取 -54- (51) (51)1359855 共聚物中之銥元素含量後,估計共聚物之共聚比爲硼單體 7 :式(6 )所示化合物=9〗:9 ( m 〇丨比)。 實施例2 5 :合成硼共聚物】4 使用硼單體8及式(6)所示化合物,同實施例22進 行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的 重墓平均分子量(Mw)爲62,1〇〇。以ICP元素分析求取 共聚物中之銥元素含量後’估計共聚物之共聚比爲硼單體 8 :式(6 )所示化合物=9】:9 ( m 0丨比)。 實施例26 :合成硼共聚物15 使用硼單體16及式(6)所示化合物,同實施例22 進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得 的重量平均分子量(Mw )爲5 8,700。以ICP元素分析求 取共聚物中之銥元素含量後’估計共聚物之共聚比爲硼單 體1 6 :式(6 )所示化合物=9丨:9 ( m w比)。 實施例2 7 :合成硼共聚物1 6 將硼單體化合物1 ( 〇 _ 2 ni m 〇丨)、化合物2 0 ( 0.2 m m 〇 .】 )、IrST ( 0_03mmol )放入密閉容器中,加入脫水甲苯( 2ml )後’再加入V-60](和光純藥工業製)之甲苯溶液 (0_1Μ,40μ1 ) ’重覆5次凍結脫氣步驟。真空密閉中60 °C下攪拌60小時,反應後將反應液滴入丙酮(500ml )中 ,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再沈澱物製後,5 0 -55- (52) (52)1359855 。〇下真空乾燥一晚,得淡黃色固體狀之硼共聚物(i8〇nig )。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之Gpc測得的 重量平均分子量(Mw)爲52,5〇〇。共聚物中以ΐ(:ρ元素 分析而得之銥元素含量爲1 . 9 w t %。由該値及13 c _ N M r測 定而估計,共聚物之共聚比爲硼單體化合物丨:化合物2〇 :IrST = 4 7 : 6 : 48.0 : 4.4 ( mol 比)。 實施例28:合成硼共聚物I? 使用硼單體化合物2、化合物20及irST,同實施例 27進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測 得的重量平均分子量(Mw)爲5 5,2 00。由icp元素分析 及I3n-nmr測定而估計,共聚物比爲硼單體化合物2 :化 合物 20 : IrST = 47_5 : 48.1 : 4.4 ( mol 比)。 實施例2 9 :合成硼共聚物1 8 使用硼單體化合物7、化合物20及irST,同實施例 2 7進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙嫌換算之〇 p c測 得的重量平均分子量(Mw)爲58;40〇。由丨CP元素分析 及^N-N MR測定而估計,共聚物比爲硼單體化合物7 :化 合物 20 : IrST = 4 7.6 : 48.0 : 4.4 ( mol 比)。 實施例3 0 :合成硼共聚物1 9 使用硼單體化合物8、化合物20及irST,同實施例 2 7進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之〇 p C測 -56- (53) (53)1359855 得的重量平均分子量(Mw)爲58,200。由ICP元素分析 及13N -NM R測定而估計’共聚物比爲硼單體化合物8 :化 合物 20 : IrST = 47.4 : 48.0 : 4.6 ( mol 比)。 實施例3 1 :合成硼共聚物2 0 使用硼單體化合物16、化合物20及IrST,同實施例 27進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測 得的重量平均分子量(Mw)爲58,200。由ICP元素分析 及13N-NMR測定而估計,共聚物比爲硼單體化合物16 : 化合物 20 : IrST = 47.7 : 4 7.6 : 4.7 ( mol 比)。 實施例3 2 :合成硼共聚物2 1 將硼單體化合物l(〇_2mmol)、化合物20(0.2mmol ) '式(6)所示化合物(〇.〇3m mol)放入密閉容器中, 加入脫水甲苯(2ml )後,再加入V-60】(和光純藥工業 製)之甲苯溶液(0.1M,40μΙ),重覆5次凍結脫氣步驟 。真空密閉中60t下攪拌60小時,反應後將反應液滴入 丙酮(5〇〇ml )中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再 沈澱物製後,50。(:下真空乾燥一晚,得淡黃色固體狀之硼 共聚物(1 80mg )。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算 之GPC測得的重量平均分子量(mw)爲70,000。共聚物 中以IC P元素分析而得之銥元素含量爲1 . 9 w t %。由該値 及I3c-nmr測定而估計,共聚物之共聚比爲硼單體化合 物I :化合物20 :式(6 )所示化合物=47 : 6 : 48.0 : 4.4 -57- (54)1359855 (mol 比)。 實施例33:合成硼共聚物22 使用硼單體化合物2、化合物2 0及式 物’同實施例3 2進行。所得共聚物之分子 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw) ICP元素分析及測定而估計,共聚 化合物2 :化合物2 0 :式(6 )所示化合物 4 · 4 ( m ο 1 比)。 實施例34:合成硼共聚物23 使用硼單體化合物7、化合物2 0及式 物’同實施例3 2進行。所得共聚物之分子 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw ) 1CP元素分析及"ν-nmr測定而估計,共聚 化合物7 :化合物2 0 :式(6 )所示化合物 4 · 4 ( m ο 1 比)。 實施例35:合成硼共聚物24 使用硼單體化合物8、化合物20及式 物’同實施例3 2進行。所得共聚物之分子 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw) 1CP元素分析及hn_NMr測定而估計,硼單 化合物2 0 :式(6 )所示化合物=4 7.4 : 4 8.0 (6 )所示化合 量以聚苯乙烯 爲 50,200 。由 物比爲硼單體 = 4 7.5 : 4 8.1: (6 )所示化合 量以聚苯乙烯 爲 48,400。由 物比爲硼單體 = 47.6 : 48.0 : (6 )所示化合 量以聚苯乙烯 爲 5 8,9 0 0。由 [體化合物8 : :4.6 ( m ο 1 比 -58- (55) (55)1359855 實施例3 6 :合成硼共聚物2 5 使用硼單體化合物1 6、化合物20及式(6 )所示化合 物,同實施例3 2進行。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯 換算之GPC測得的重量平均分子量(Mw)爲70,5 00。由 ICP元素分析及13N-NMR測定而估計,共聚物比爲硼單體 化合物1 6 :化合物20 :式(6 )所示化合物= 47.7 : 4 7.6 : 4 · 7 ( m ο 1 比)。
比較例1 :合成poly-viPBD 將 viPBD ( 0_4mmol )放入密閉容器中,加入脫水甲 苯(5ml )後,再加入 V-601 (和光純藥工業製)之甲苯 溶液(0. ] Μ,1 00μ1 ),重覆5次凍結脫氣步驟。真空密 閉中 6CTC下攪拌 60小時,反應後將反應液滴入丙酮( 2 5 0m])中,產生沈澱物。以甲苯-丙酮重覆2次再沈澱精 製後,50°C下真空乾燥一晚,得白色固體狀之p〇ly-viPBD C 1 30mg )。所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之 GPC 測得的重量平均分子量(Mw )爲67,000。 比較例 2:合成共聚物(poly-(viPBD-co-viHMTPD)) 使用viPBD及化合物20,同實施例12。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 -59- (56) (56)1359855 (Mw)爲68,400。共聚物之共聚比估計爲viPBD:化合 物 20:50:50(mol 比)。 比較 3 :合成共聚物(poly- ( viPBD-c〇-lrST ) 使用viPBD及IrST,同實施例17進行。所得共聚物 之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量平均分子量 (1^认)爲56,000。共聚物之共聚比估計爲“?80: IrS T = 91 : 9 ( mol 比)〇 比較例 4 :合成共聚物(poly- ( viPBD-co-viHMTPD-co-IrST ) 使用viPBD、化合物20及IrST,同實施例22進行。 所得共聚物之分子量以聚苯乙烯換算之GPC測得的重量 平均分子量(Mw)爲49,200。共聚物中以ICP元素分析 而得之銥元素含量爲1.9wt%。由該値及13C-NMR測定而 估計,共聚物之共聚比爲 viPBD :化合物20 : IrST = 49.0 :46.5: 4.5 (mol 比)。 實施例3 7 :製作有機發光元件及評估EL發光特性 使用角25mm之玻璃基板單面上,形成陽極用幅寬 之2根條狀ITO電極的附ITO (氧化銦錫).基板(曰 本電機’ Nippo Electric Co·, LTD ),製作有機發光元件 。首先於該附ITO基板之ITO (陽極)上,利用旋轉塗布 法以回轉數3乃OOrpni、塗布時間40秒之條件塗布聚( •60- (57) 1359855 3,4-伸乙烧二氧化噻吩).聚苯乙烯磺酸(拜耶路公 ’商品名「拜特隆P」後’於真空乾燥器中減壓下, C乾燥2小時,形成陽極緩衝層。所得陽極緩衝層之 約 5 0 n m。 其次調製形成含發光性材料及電子輸送材料之層 塗布溶液。例如將硼共聚物7 ( 4 5 m g )、特開平1 〇 . 號公報所記載之方法合成的HMTPD(45mg)溶解於 (和光純藥工業製特級)(2 · 9 1 〇 m g )後,以孔徑C 之濾器過濾所得溶液,得塗布溶液。其後利用旋轉塗 以回轉數3,G 0 0 r p m、塗布時間3 0秒之條件將所得塗 液塗布於陽極緩衝層,室溫(25<t)下乾燥30分鐘 形成發光層。所得發層之膜厚約爲lOOnm。將形成發 之基板放置於蒸鍍裝置內,以蒸鑛速度〇.〇lnm/s蒸 2nm (鉋源爲賽肯達公司製鹼金屬藥劑)後,以蒸鍍 1 nm/s蒸鍍厚25 0nm之陰極用鋁,得元件1。又,對 之延伸方向形成直交之2條寬3 mm的條狀鉋及鋁層 於每1枚玻璃基板上製作4個長4 m m X寬3 m m之有 光元件。 利用阿得班(股)公司製可設定直流電壓/電 TR6143對上述有機EL元件施加電壓而發光,又,利 普康(股)公司製亮度計BM- 8,測定發光亮度。結 得發光開始電壓、最高亮度及l〇〇cd/m2點燈時之外 子效率如表2所示(各値爲形成於一枚基板上4個元 平均値)。 司製 以60 膜厚 用的 -1665 甲苯 丨· 2 μηι 布法 布溶 後, 光層 鍍厚 速度 陽極 ,而 機發 流源 用特 果所 部量 件之 -61 - (58)1359855 除了依表1所示變更元件1之發光性材料及其他材 外,其他同元件1製作元件2至7。同元件1評估E L 光特性,結果如表2所示。 由表〗、2得知,比較比較例之電子輸送部位係使 具噁二唑之發光性高分子的發光元件下,本發明之電子 送部位係使用具三芳基硼構造之發光性高分子的發光元 ,故可降低發光開始電壓、提高最高亮度及外部量子效 料 發 用 輸. 件 率 -62- (59)1359855 表1 元件No. 發光材料 其他材料 1 硼均聚物-1(實施例7)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 2 硼均聚物-2(實施例8)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 3 硼均聚物-3(實施例9)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 4 硼均聚物·4(實施例10)(45nig) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 5 硼均聚物-5(實施例ll)(45mg) HMTPD(45mg) D-15(10mg) 6 硼共聚物-1(實施例12)(90mg) D-15(10mg) 7 硼共聚物-2(實施例13)(90mg) D-15 (lOmg) 8 硼共聚物-3(實施例l4)(90mg) D-15(10mg) 9 硼共聚物-4(實施例15)(90mg) D-15 (lOmg) 10 硼共聚物-5(實施例16)(90mg) D-15 (lOmg) 11 硼共聚物·6(實施例17)(50mg) HMTPD (45mg) 12 硼共聚物-7(實施例18)(50mg) HMTPD (45mg) 13 硼共聚物-8(實施例19)(50mg) HMTPD (45mg) 14 硼共聚物-9(實施例20)(50mg) HMTPD (45mg) 15 硼共聚物-l〇(實施例2l)(5〇mg) HMTPD (45mg) 16 硼共聚物-11(實施例22)(50mg) HMTPD (45mg) 17 硼共聚物-12(實施例23)(50mg) HMTPD (45mg) 18 硼共聚物-13(實施例24)(50mg) HMTPD (45mg) 19 硼共聚物-]4(實施例25)(5〇mg) HMTPD (45mg) 20 硼共聚物-15(實施例26)(50mg) HMTPD (45mg) 21 硼共聚物-16(實施例27)(90mg) 姐 22 硼共聚物-17(實施例28)(9〇mg) / i w 23 硼共聚物-18(實施例29)(90mg) M / » 24 硼共聚物·19(實施例30)(90mg) 姐 / « N N 25 硼共聚物-20(實施例31)(90mg) 並 / t \S 26 硼共聚物-21(實施例32)(90mg) M /»、、 27 硼共聚物-22(實施例33)(90mg) M /i\\ 28 硼共聚物-23(實施例34)(90mg) 姐 y \ \\ 29 硼共聚物-24(實施例35)(90mg) M /\\\ 30 硼共聚物-25(實施例36)(90mg) y 1 N > 31 (比較例])(45mg) HMTPD(45mg) D-15(1 Omg) 32 (比較例2) (90mg) D-15 (lOmg) 33 (比較例3) (50mg) HMTPD (45mg) 34 (比較例4) (90mg) M /1、' -63- (60;1359855 表2 元件No. 發光開始電壓(V) 最高亮度(cd/ni) 外部量子效率(%) 1 2. 5 3 2 0 0 0 4. 9 2 2. 6 6 8 0 0 0 6. 9 3 2. 6. 6 4 0 0 0 6. 8 4 2. 5 100000 6. 7 5 2. 5 8 8 0 0 0 6. 8 6 2. 5 3 3 0 0 0 4. 0 7 2. 6 7 8 0 0 0 6. 6 8 2. 6 8 10 0 0 7. 〇 S 2. 5 160000 9. 2 10 2. 5 100000 8. 9 11 2. 5 3 8 0 0 0 5. 0 12 2. 5 7 0 2 0 0 7. 9 13 2. 5 7 0 0 0 0 7. 5 14 2. 5 7 2 0 0 0 7. 4 15 2. 5 7 3 0 0 0 7. 4 16 2. 5 3 4 0 0 0 4. 9 17 2. 5 8 0 0 0 0 8. 0 18 2. 5 8 0 0 0 0 7. 9 19 2. 5 100000 8* 8 2 0 2. 5 8 3 0 0 0 8. 1 2 1 2. 6 3 5 0 0 0 5. 2 2 2 2. 5 8 0 0 0 0 8. 3 2 3 2. 5 8 0 5 0 0 8. 4 2 4 2. 5 134000 9. 1 2 5 2. 5 9 8 0 0 0 9. 1 2 6 2. 5 3 5 0 0 0 5. 2 2 7 2. 5 8 0 0 0 0 8. 3 2 8 2. 5 8 0 5 0 0 8. 4 2 9 2. 4 155000 9. 8 3 0 2. 4 108000 9. 0 3 1 2. 7 2 8 0 0 0 3. 3 3 2 2. 6 4 0 0 0 0 5* 1 3 3 2. 8 2 9 0 0 0 4. 0 3 4 2. 8 3 3 0 0 0 3. 9 -64 - (61) (61)1359855 產業上利用可能性 使用本發明之高分子化合物可提供,低電壓下可得高 發光效率,而適用於大面積化及量產化之發光性高分子材 料,及使用其之有機發光元件、 【圖式簡單說明】 圖1爲,本發明之有機發光元件例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :透明基板 2 :陽極 3 :電洞輸送層 4 :發光層 5 :電子輸送層 6 :陰極 -65-

Claims (1)

  1. 日修正替換頁 第093138156號專利申請案中文申請專利賴修正本 民國100年11月29曰修正 N申請專利範圍 1· 一種高分子化合物,其特徵爲,含有式(2) R16
    式中,R1至R13及R15各自獨立爲氫原子、鹵原子、氰 遂 '胺基、碳數1至12之烴烷基,或碳數1至12之烷氧 、芳氧基、芳香族基、雜環基,且R1至R13及R15中鄰 $_同一苯基上之基可鍵結形成縮合環;R16爲氫原子或 喚數1至12之烷基;X爲單鍵、-0-、-S-、-SO-、-S02- 具有雜原子之碳數1至20的2價烴基〕 所希單體單位。 2 .如申請專利範圍第1項之高分子化合物,其中式 (2)所示單體單位中,Ri、R4、R5、R9、R1Q、R13中至 少4個爲ci至C6烷基或烷氧基(但R1、R4對硼之取代 位置爲鄰位)。 3.如申請專利範圍第1項之高分子化合物,其中含 有式(3 ) 1359855 月叫日修正替換I; C——ch2. R2
    (3)
    〔式中,R2、R3、R6 至 R8、Rll、R12 及 原子、鹵原子、氰基、胺基、碳數1至 碳數1至12之烷氧基、芳氧基、芳香族 ,R2、R3、R6 至 R8、Rll、尺12及 R15 中: 之基可鍵結形成縮合環:R16爲氫原子或 基;X 爲單鍵、-0-、-S-、-SO-、-so2-驾 碳數1至20的2價烴基〕 所示單體單位。 4.如申請專利範圍第1項之高分子 有式(4) R15各自獨立爲氫 1 2之烴烷基,或 基、雜環基,又 郎接於同一苯基上 碳數1至12之烷 ^可具有雜原子之
    化合物,其中含 -2- 1359855
    R16
    (4) 〔式中,R1至R6及R8至R13各自獨立爲氫原子、鹵原子 '氰基、胺基、碳數1至12之烴烷基,或碳數1至12之 烷氧基、芳氧基、芳香族基、雜環基,又,R16爲氫原子 或碳數1至12之烷基;X爲單鍵、-Ο-、-S-、-SO-、-S02-或可具有雜原子之碳數1至20的2價烴基;R17至 R26各自獨立爲氫原子、鹵原子、氰基、胺基、碳數1至 12之烴烷基、碳數1至12之烷氧基、芳氧基、芳香族基 、雜環基,又,R1至R6、R8至R13及R17至R26中鄰接於 同一苯基上之基可鍵結形成縮合環〕 所示單體單位。 5·如申請專利範圍第1至4項中任一項之高分子化 合物,其尙含有含Ir錯合物之發光性單體單位。 6.如申請專利範圍第1至4項中任一項之高分子化 合物,其尙含有具有三苯基胺衍生物或咔唑衍生物作爲電 洞輸送性單體單位。 -3- 1359855 月祠日修正替換扣 7.如申請專利範圍第6項之高分子化合物,其中, 前述電洞輸送性單體單位爲下述式(Τ-1)至(Τ-8)所示 單體單位中之任一者,
    -4- 1359855
    8 .如申請專利範圍第5項之高分子化合物,其尙含 有具有三苯基胺衍生物或咔唑衍生物作爲電洞輸送性部位 之電洞輸送性單體單位。
    9.如申請專利範圍第8項之高分子化合物,其中, 前述電洞輸送性單體單位爲下述式(T-1)至(T-8)所示 單體單位中之任一者, -5- 1359855
    1 〇. —種發光性組成物,其特徵係含有含申請專利範 •6- 1359855 |凊1'月1日修正替換頁 Η第1項之式(2).所示單體單位的高分子化合物及含有 ΙΓ錯合物之發光性化合物。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之發光性組成物,其中 ’前述發光性化合物爲低分子化合物及/或高分子化合物 〇 12. —種有機發光元件,其爲被陽極及陰極所挾持之 含有一個或複數個高分子層的有機發光元件,其中,高分 子層中至少一層爲含有申請專利範圍第5項之高分子化合 物。 13. —種有機發光元件,其爲被陽極及陰極所挾持之 含有一個或複數個1%分子層的有機發光元件,其中,高分 子層中至少一層爲含有申請專利範圍第10項之發光性組 成物。 14. 一種面發光光源、顯示裝置用背光、顯示裝置、 照明裝置、室內裝置及屋外裝置,其爲使用申請專利範圍 第12或13項之有機發光元件。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004023219B4 (de) * 2004-05-11 2006-03-09 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauelement
EP1915789B1 (en) 2005-08-17 2012-07-18 Showa Denko K.K. Organic electroluminescence device using a copolymer and a phosphorescent iridium compound
DE102006023685A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
JP4994688B2 (ja) * 2006-03-27 2012-08-08 昭和電工株式会社 キャリア輸送性および燐光発光性を有する化合物を用いた有機発光素子
KR101089477B1 (ko) 2006-09-05 2011-12-07 쇼와 덴코 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 그의 용도
JP5495783B2 (ja) * 2007-09-14 2014-05-21 昭和電工株式会社 燐光発光性高分子化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101960636B (zh) * 2008-02-25 2012-07-18 昭和电工株式会社 有机电致发光元件、其制造方法和其用途
KR101224758B1 (ko) * 2008-04-24 2013-01-21 쇼와 덴코 가부시키가이샤 전하 수송성 고분자 화합물 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자
WO2011052625A1 (ja) 2009-10-27 2011-05-05 昭和電工株式会社 陽極バッファ層用組成物、陽極バッファ層用高分子化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途
JP5655666B2 (ja) * 2011-03-31 2015-01-21 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および電子注入輸送層用塗工液
GB201317028D0 (en) * 2013-09-25 2013-11-06 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and organic light emitting device
JP7461154B2 (ja) 2020-02-05 2024-04-03 日本放送協会 ホウ素含有重合体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
CN112225837B (zh) * 2020-10-12 2022-02-18 中国科学院长春应用化学研究所 含有硼/硫(硒、碲)杂化稠环单元的发光高分子及其电致发光器件

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3247926A1 (de) * 1982-12-24 1984-06-28 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung von 2-alkylthiomethyl-4-hydroxypyrimidinen
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JP3236332B2 (ja) 1991-01-29 2001-12-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3482719B2 (ja) 1994-12-07 2004-01-06 凸版印刷株式会社 キャリア輸送性重合体
JP3643433B2 (ja) * 1996-03-25 2005-04-27 ケミプロ化成株式会社 トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン、その製法およびそれを用いた有機el素子
JPH101665A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
DE69932263T2 (de) * 1999-01-08 2007-06-06 Chisso Corp. Borderivate und organische elektrolumineszierende verbindungen
JP2000297118A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Hokko Chem Ind Co Ltd トリアリールボラン−ヘテロ環状アミン化合物、トリアリールボラン−ヘテロ環状アミン系(共)重合体とその製造方法、およびこれらの用途
EP1217668A1 (de) * 2000-12-22 2002-06-26 Covion Organic Semiconductors GmbH Verwendung von Bor- und Aluminium-Verbindungen in Elektronik-Bauteilen
JP4023204B2 (ja) * 2001-05-02 2007-12-19 淳二 城戸 有機電界発光素子
JP4035976B2 (ja) 2001-10-02 2008-01-23 昭和電工株式会社 重合性化合物およびその製造方法
JP4225043B2 (ja) * 2002-12-03 2009-02-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置、照明装置及び光源

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