TWI351526B - Signal measuring apparatus and semiconductor testi - Google Patents

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1351526 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 號等類比信 量裝置之半 本發明係關於對於從被試驗元件輸出的作 號進行測量之信號測量裝置、及具備該信號^ 導體試驗裝置。 ϋ/' 【先前技術】 以往，為了測試出被試驗元件的初期不良，係 ^ 憶體測試器或邏輯賴器等之半導體試驗裝置。於= 體試驗裝置巾，設置有具備將從被試驗元件輸㈣類比= 號轉換為數位信號之類比/數位轉換器（以下稱為Μ轉換 ^署之二號測量裝置，半導體試驗裝置係將藉由此信號測量 =所轉換之數位信號進行預定的處理，，量來自於被 成驗元件之類比信號。 於以下的專利文獻1 +，揭示有一種半導 =將將混合存在有直流信號、類比信號、數丄 乜唬之混合信號予以輸出輸入之被試驗元件，並列 進行涵蓋有複數個項目之試驗。 [專利文獻1]曰本特開平4-36672號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 旦’^於上述半導體試驗裝置中，關於類比信號的測 於性此上限’乃幾乎由A/D轉換器的性能所決定，因此， 味用^進行高精確度測量之半導體試驗裝置中所設置之信 ^頁裝f中’必須具備高性能的A/D轉換器。 319718 5 1351526 在此，對於高性能的A/D轉換器 地進行轉換類比信號= 雜訊性能較高)、低失真(失真性能較高)、及二訊 低（寄生性能較高）等，但能夠滿足全部 ：刀乂 ,換器極為稀少，並且成本極高。 “U A/D轉 例如，代表性的A/D轉換器，可列舉有△ ς⑽& _a)型的A/D轉換器及逐步求近型&咖咖％ type)A/D^^^ ^ A/d##|| , 車六大）W、甘能極佳，但失真程度較大（譜波的位準 車乂大），存在其失真性能較逐步求近型A/j)轉換器差之傾 向。相對於此，逐步求近型A/D轉換器的失真性能雖佳、， =訊程度較大，而存在其雜訊性能較ΔΣ型的a/d轉換 益差之傾向。 因此則±係選擇使用者認為特別重要的性能比較優 異之A/D轉換器來載裝於信號測量裝置，或者是選擇上述 籲所有各種性能均具有某種程度的優異性且均衡性佳之A" 轉換器來载裝於信號測量裝置。此外，以往亦有人提出一 種在A/D轉換器的前段（輸入段）設置帶阻濾波器〇抓d ‘ Elimination Filter)，以追求可同時兼顧低雜訊及低失真 •之技術，並將使用該先前技術之A/D轉換器載裝於信號測 量裝置。

在此上述使用f阻遽波器之先前技術，係著眼於若 輸入較大電壓於A/D轉換器則失真會增大之性質，而藉由 用朮阻濾焱器將信號位準較大的基本波成分從輸入至A/D 6 319718

C 轉換器之信號t予以去除，以降低輪入 減少失真之技術。此外，可藉 二位準，而藉此 :測：，並根據此測量結果將從A/D轉: 予以修正，藉此將因帶阻濾波^ 原。 』衣碼唬位準予以復 ，技術，雖然可實現低雜訊及低失真，但仍1有 的2之信號的頻率會受到帶阻m的頻率特性之限制 點。此外，雖然亦可考量使用複數個頻率特性互為不 同的帶阻遽波器俾能夠測量寬廣的頻率範圍，但會依3 ::個帶阻滤！器之程度，而產生電路規模增大之問題。 ，上述先别技術中，雖㈣以帶阻遽波器不會產 2實現低失真之前提條件，但實際上，财難以設計出 -有低失真特性之帶阻濾波器的問題。 本發明係馨於上述情形而研創之發明，其目的在於提 供一種能夠於高水準下同時滿足DC性能、雜訊性能、失真 I·生月b、及寄生性能等多種性能之植號測量裝置，及呈備該 信號測量裝置之半導體試驗裝置。 、" (用以解決課題之手段） 為了解決上述課題，本發明第丨觀點的信號測量裝 置，係將類比信號轉換為數位錢並進行測量之信號測量 裝置（10)，其特徵為具備：將類比信號（S10)轉換為數位信 號（sila至SllrO之轉換特性互為不同的複數個轉換器° (11a至lln);及對應於上述各個轉換器而設置，且執行因 應相對應的上述轉換器的轉換特性之預定處理之複數個處 319718 7 1351526 理部G2a至12b)。 禮明，類比信號係輸入至轉換特性互為不同的 複數個轉換益並轉換為數位信號， 號，係在對應於轉換哭而1之卢麦的各個數位信 杜 叹置之處理部，施以因應相對瘅 的轉換器的轉換特性之預定處理。 似 %、 卜本^月之第1觀點的信號測量裝置中，上述轉 H評Μ述轉㈣性相制㈣數祕能中^ 種’係較其他轉換器為高。 此外，本發明之第J觀點的信號測量 二轉換::時所使用的複數種性能，係包纽性能雜 訊性靶、失真性能、及寄生性能的至少丨種。 再者，本發明之第i觀點的信號測量農置中，上述處 理部係將從所對應的上述轉換哭| 吳态翰出之數位信號進行頻率 析’且進行關於較其他轉換器為高之性能之測量結果的 求取處理。 ，為了解決上述課題，本發明之第2觀點的信號測量裝 置’係將類比信號轉換為數位信號並進行測量之信號測量 裝置（30)，其特徵為具備：將類比信號⑻轉換為數位信 號（S31a、S31b)之轉換特性係互為不同的複數個轉換器 (31a、31b);及將從上述各個轉換器輸出之數位信號予以 ，成^進行關於評估上述轉換特性時所使用的複數種性 月b之測I結果的求取處理之信號處理部（32)。 根據本發明，類比信號係輸入至轉換特性互為不同的 複數個轉換器並轉換為數位信號，而轉換後的各個數位信

319718 S 1351526 號係於信號處理部予以合成 ^ σ ^ 五逛仃關於坪估轉換器的轉 換特性時所使用的複數種性能之測量結果的求取處理。 此外本發明之第2觀點的信號測量裝置中，上戒 號處理部係具備：對從上述各個轉換器輸出之數位信= 打頻率解析之頻率解析部⑷a、4ib);從上述頻率解析、 的解析結果，將因應上述轉換器的轉換特性之預定的頻率 成：予以抽出之抽出部(42a、㈣)；及將於上述抽出部所 抽出之頻率成分予以合成之合成部（43)。 此外，本發明之第2觀點的信號測量褒置中，上述韓 換器於評估上述轉換特性時所使用的複數種性能中之任一 種’係較其他轉換器為高。 再者，本發明之第2觀點的信號測量裝置中，於 =轉換特性時所使用的複數種性能，係能 訊性能、失真性能、及寄生性能的至少}種。 雜 本發明之半導體試驗裝置丰 的試驗之半導體試舒晉L糸用以進灯被錢元件⑽ +導體4裝置，其特徵為：具備上述任一項 呂己載之信號測量裝置， 貝7 被mu认 仏號測量裝置，對從上述 被4驗70件輸出的類比信號進行測量。 (發明之效果） 將類2本發明，’係以轉換特性互為不同的複數個轉換器 處理部：==數位信號’且以對應於轉換器而設置之 換特性之預定處理。或者，以=姓執行因應轉換器的轉 “將類比信號轉換為數位信號，且以信號處理部將轉 319718 9 丄351526 換後的各個數位信號予以合成，且求取關於在評估轉換器 的轉換特性時所使用的複數種性能之測量結果。因此，具 有能夠於高水準下同時滿足DC性能、雜訊性能、失真性、 能、及寄生性能等多種性能之效果。 【實施方式】 以下參照圖式詳細說明本發明實施形態之信號測量裝 置及半導體試驗裝置。 、 [第1實施形態] 第1圖係顯示本發明第i實施形態之信號測量裝置的 要點=分構成之方塊圖。如第i圖所示，本實施形態之信 號測罝裝置10係具備：並聯設置之複數個A/D轉換器lla 至lln(轉換器）；及對應A/D轉換器11a至ΐιη而設置之 複數個數位電路12a至12n(處理部），且將從被試驗元件 (以下稱為D_evice Under Test))20輸出之類比俨妒 S10進行測量。 " • A/D轉換|§ na至lln的輸入端互為連接，從抑丁別 輸出之類比信號si〇係分別輸入至A/D轉換器118至Un。 =A/D轉換器Ua至lln係對所輸入之類比信號sl〇進行 標本化及量子化’而將類比信號S1G轉換為數位信號SUa 至Slln。在此，A/D轉換器11a至11η係使用類比信號sl〇 ，換為數位信號SI la至si In之轉換特性互為不同的轉換 器。 、 ^體而言，A/D轉換器lla至lln係使用於評估a/d 轉換器的轉換特性時所使用的複數種性能中之任—種係較 319718 10

丄J /、他轉換态為南的轉換器。在此，於口 ^ 換特性時所使用的複數種 ^ A/D轉換盗的轉 性能、失真性能、及寄生性等=如DC性能、雜訊 任一種較其他轉換哭= 糸使用這些性能中之 ’〆、轉換™為r?j的轉換器。 更具體而言’例如A/D韓拖哭彳1 ΑΑ η A/D轉換器llb幻ln為古可:二' C性能較其他的 _流）成分予地將類比信號的 其賴物奐器nw =二5的广性能係較 沐Λ /n ^ ^ Un為问，屬於低雜訊。此 ，轉換器lie的失真性能係較其他的a/d轉換器 :llb、⑴至lln為高，屬於低失真，A/D轉換器lld ^生^能係較其他的A/D轉換器❿至uc、…至山 ;间-於低寄生成分的情形。這些a/d轉換$…至❿ 2㈣比信號训予以轉換並分別輸出數位信號si Α/= 奐盗lla至lln的輸出端係分別連接於數位電 丨A/n 輸入端。此數位電路12…21)，係對從 轉換益11a至ΐιη輸出之數位信號sna至⑴ 因應相對應的A/D轉換哭n Q $彳， 轨 ▲ Un的轉換特性之預定處 :。具體而y係對從相對應的A/D轉換器輸出之數位信 Ί灯頻率解析’且進行關於較其他轉換器為高之性能之 測量結果的求取處理。 更具體而言’例如數位電路12a係對從d 的w轉換器m至lln為高之A/D轉換器Ua輸出的2 位信號仙進行頻率解析，且進行關於DC性能之測量結

C S 319718 11 1351526 #沾^取處理此外，數位電路12b係對從雜訊性能較呈 二的二㈣器lla、llc至lln為高之a/d轉換器m 二…士位^唬S1 lb進行頻率解析，且進行關於雜訊性跪 2、、，。果的求取處理。同樣的，數位電路…係進行關 '/、丨生此之測里結果的求取處理，數位電路12d係進行 • e於寄生性能之測量結果的求取處理。 至心的輸出係連接於未圖示的主電腦。 電路12a 於上述構成中，類比信號Sio -從DUT20輸出，即分 別破輸入至A/D轉換器lla至lln，於各個A/D轉換器山 至lln同時進行類比信號sl〇的標本化及量子化，並分別 輸出數位信號Slla至Slln。這些數位信號sua至 係分別輸入至數位電路12a^12n，並執行因應相對應的 A/D轉換器lla至Un的轉換特性之預定處理。具體而言， 於數位電路12a係進行關於DC性能之測量結果的求取處 理，於數位電路12b係進行關於雜訊性能之測量結果的求 取處理，於數位電路12c進行關於失真性能之測量結果的 求取處理，於數位電路12d進行關於寄生性能之測量結果 的求取處理。 由以上處理所求取之測量結果，係傳送至未圖示的主 電月㈢’並顯示於主電腦所具備之顯示器。亦即，於數位電 路12a所求取之測量結果，係作為從DUT2〇輸出之類比信 號S10的DC特性來顯示；於數位電路i2b所求取之測量結 果’係作為從DUT20輸出之類比信號S10的雜訊特性來顯 示；於數位電路12c所求取之測量結果，係作為從DUT2〇 319718 12 上乃1526 類比信號S1G的失真特性來顯示；於數位電路12d 的寄生特性來顯示。 _輸出之類比信號⑽ .以上所說明之第1實施形態的信號測量裝置，係呈 備.轉換特性互為不同的複數個A/D轉換n 113至lln · =于因應相對應的A/D轉換器lla至Un的轉換特性之 ，：處理之數位電路12a至12n。因此，可使用例如且有 =雜訊性能的A/D轉換器Ub所轉換之數位信號⑽， 以’、取關於類比信號S1G的雜訊性能之測量結果；使用具 有良好失真性能的A/D轉換器nc所轉換之數位信號

Sllc ’以求取關於類比信號sl〇的失真性能之測量紝果。 ，此，於本實施形態中，能夠於高水準下同時滿足沉性 洮、雜訊性能、失真性能、及寄生性能等多種性能。 [第2實施形態] 第2圖係顯示本發明第2實施形態之信號測量裝置的 鲁要點部分構成之方塊圖。如第2圖所示，本實施形態之信 號測里裝置30係具備：並聯設置之兩個A/D轉換器μ &、 31b(轉換益），及數位電路32(信號處理部），且對從dut2〇 輸出之類比信號S10進行測量。 A/D轉換器31a、31b的輸入端互為連接，從dut2〇輸 出之類比信號S10係分別輸入至a/D轉換器31 a、31 b。此 A/D轉換器31a、31b係對所輸入之類比信號sl〇進行標本 化及量子化，而將類比信號Sl〇轉換為數位信號S31a、 S31 b。在此，與第1實施形態相同地，a/d轉換器31 a、31 b 319718 13 .係使用將類比信號S10轉換為數位信號灿、_之 特性互為不同的轉換器。 、 〃體而s ’ A/D轉換n 31a、31b係使用評估轉換 •器的轉換特性時所使用複數多種性能令之任—種較其、 •.換器為高的轉換器。於本實施形態中，a/d轉換哭仏為 U㈤ta-s卿)型的A/D轉換器，A/D _仙為逐 二:近型的A/D轉換器。亦即，A/D轉換器…係設為雜 :生能請轉換器3lb佳之低雜訊轉換器，A/D_ b則设為失真性能較A / D賴器3丨a 二=換器31a、31b係將類比信號sl〇予以^分 別輸出數位信號S31a、S31b。 A/D轉換器31a、仙的輸出端係連接於數位電路犯 出:二：電路32係將從A/D轉換器3一輸 ^咖予以合成，且進行關於在評估 的東取广的轉換特性時所使用的複數種性能之測量結果 1雜訊性=幸^具Γ而言’如上述’由於A/D轉換器…的 從轉換器训的失真性能較高，因此將 行出之?位信號S31a、S31”以合成，且進 求取處I:卜生：之測置結果及關於失真性能之測量結果的 電腦。.此夕’數位電路32的輸出係連接於未圖示的主 3圖：亍3圖：顯示數位電路32的内部構成之方塊圖。如第 二電路32係M:FFT部仙、41嶋解 頻率成分抽出部42a、42b(抽出部）；合成部43;

(S 319718 14 1351526 • SNK部44;及THD部45eFFT部41a係以從Α/])轉換器3ia 輸出之數位信號S31a作為輸入，對此數位信號幻^進行 FFT(Fast Fourier Transform :高速傅利葉轉換），以進行 .數位信號S31a的頻率解析。同樣的，FFT部41b係以從 ..轉換器31b輸出之數位信號53113作為輸入，對此數位信號 .S31b進行FFT，以進行數位信號幻化的頻率解析。心 頻率成分抽出部42a係從由FFT部41a所輸出之信號 中，將對應A/D轉換器31a的轉換預性之預定的頻率成分 予以抽出。同樣的，頻率成分抽出部42b係從由FFT部 所輸出之信號中，將對應A/D轉換器31b的轉換特性之預 定的頻率成分予以抽出。在此，如上所述，A/D轉換器31a 的雜訊性能較高，A/D轉換器31b的失真性能較高。因此， 頻率成分抽出部42a係從由FFT部41a所輸出之信號中， 將求取雜訊性能之所需的頻率成分予以抽出，頻率成分抽 出部42b係從由FFT部41b所輸出之信號中，將求取失真 _性能之所需的頻率成分予以抽出。 八 合成部43係將於頻率成分抽出部42a、42b所抽出之 頻率成分予以合成。 SNR部44係使用於合成部43所合成後的信號求取關 於雜訊性此之測量結果（Signal T〇 NQise 。：信號雜 讯比）°THD部45係使用於合成部43所合成後的信號求取 關於失真性能之測量結果（T〇tal Harm〇nic _〇出 總諧波失真）。 於上述構成中，類比信號S10 —從DUT20中輸出，即 319718 15 1351526 31b同Μ轉換器3U、31b，於各個A/D轉換器 门~進行類比信號SI 〇的桿本仆刀旦 、， 出數位信號 ς… 子亚分別輸 入至激 b。延些數位信號S31a、S31b係輸 於在=路32並予以合成’且從該合成後的信號求取關 :St:: 器的轉換特性時所使用的複數種性能之 ㈣而言，輸人至數位電路32讀録號S31a、S31b 係被/刀別輸入至FFT部仏、仙，且施行高速傅利荦轉換 转解析。從該解析所獲得之信號，係分別輸入至 頻率成》抽出部42a、傷’且將對應a/d轉換器仏、训 的轉換特性之預定頻率成分予以抽出。之後，由頻率成分 抽出部42a、42b所抽出之頻率成分，係輸出至合成部“ 予以合成。 第4圖係顯示用以說明於頻率成分抽出部仏、伽 及合成部43所進行之處理的圖式。在此，第4(&)圖係顯 不於FFT部41a進行頻率解析所獲得之頻率分布例之圖 式，第4(b)圖係顯示於FFT部41b進行頻率解析所獲彳^之 頻率分布例之圖式。此外，第4(c)圖係顯示於合成部“ 所合成之信號的頻率分布之圖式。於第4圖中，係將類比 k號S10之基本波的頻率設定為f。此外’圖式中的頻率 2 f為對於基本波之二次的諧波，頻率3 f為對於基本波之 三次的諧波。再者，第4(a)圖中的N1及第4(b)圖中的 為雜訊成分。 若比較第4(a)圖的頻率分布與第4(b)圖的頻率分 319718 16 —:則可得知基本波的振幅雖幾乎相同，但二次的譜波及 2的譜波之振幅，第4(a)圖所示者係較第4⑻圖所示者 1大。此係由於A / D轉換器31 a的失真性能較A / D轉料 為低’而使失真變得較大之故。此外，第4⑻圖所示 /員率分布所含的雜訊成分心係較第4⑷圖所示之頻率 刀布所含的雜訊成分N1為大。此係由於A/D轉換器3比 的雜訊性能較A/D轉換器31a為低，而使雜訊變得較大之 故0 、=第4(a)圖所示，由於A/D轉換器31a為低雜訊但失 真較阿，因此頻率成分抽出部42a係將會導致失真的諧波 成:去除後之頻率成分予以抽出。亦即，進行從第4(U圖 ^不的頻率分布將二次的諧波及三次的諧波予以去除之處 里另一方面，如第4(b)圖所示，由於a/D轉換器31b為 低失真但雜訊較高，因此頻率成分抽出部42b乃將包含基 本波的雜訊成分去除後之諧波成分予以抽出。亦即，進行 從第4(b)圖所示的頻率分布將二次的諧波及三次的諧波 以外的頻率成分予以去除之處理。此外，從DUT2〇輸出之 類比信號S10的基本波頻率f為已知，因此，表示出此頻 率f之資訊，係從未圖示的控制部被輸入至頻率成分抽出 部42a、42b。頻率成分抽出部42a、42b係根據此資訊， 進行以上所說明之處理。 於頻率成分抽出部42a、42b所抽出之頻率成分，係於 合成部43予以合成。若參照顯示合成後之信號的頻率成分 之第4(c)圖，則可知基本波及雜訊成分N1與第4(a)圖所 319718 17 1351526 •不者幾乎相同。此外，亦可知二次㈣波及三次的譜波之 振，係與第4⑻圖所示者幾乎相同。#由以上的處理，可 獲得宛如經由同時兼具A/D轉換器3U的高雜訊性能及 ' A/D轉換器31b的高失真性能之Α/{)轉換器所轉換後之信 .號的頻率分布。

. 於合成部43所合成的信號係輸入至SNR部44及THD P 45於SNR名M4，係求取關於雜訊性能之測量結果（传 號雜訊比）；於THD部45,則求取關於失真性能之測量^ 杲（總譜波失真）。經由以上處理所求取之測量結果，係傳 送至未圖示的主電腦，並顯示於主電腦所具備之顯示器。 亦即’於SNR部44所求取之測量結果係作為從_〇輸出 之^員比信號sio的雜訊特性來顯示，於珊部45所求取之 測置結果係作為從DUT2〇輸出之類比信號si〇的失真特性 來顯示。 以上所說明之第2實施形態的信號測量裝置3〇，係具 鲁備.轉換特性互為不同的複數個A/D轉換器Ha、3lb，·及 將從A/D轉換益31a、31b輸出之數位信號予以合成，且進 二關於在評估A/D轉換器的轉換特性時所使用的複數種性 、之測量結果的求取處理之數位祕32。因政匕，可將經由 .具有良好雜訊性能的A/D轉換器31a所轉換後之數位信號 S3la、及經由具有良好失真性能的a/d轉換器仙所轉換 後’數位信號S3lb予以合成，以求取關於雜訊性能之良好 測里結果以及關於失真性能之良好測量結果。 因此，於本實施形態中，能夠於高水準下同時滿足雜 319718 18 1351526 訊性能及失真性能。 以上係說明本發明之實施形態的信號測量裝置，作 發月並不限疋於上述實施形態，於本發明的範圍内，可 由地進行變更。例如，於上述實施形態中，係以具備較 的雜訊性能之A/D轉換器313及具備較佳失真性能之^ 轉換器31b而測量雜訊性能及失真性能之情況為例進行說 明。然而’亦可與第i實施形態相㈣’將具備較佳 訊性能之A/D轉換器及具備較佳的寄生性能之a/d = 等’與A/D轉換器31a、仙並聯設置，以。 雜訊性能、失真性能、及寄生性能等。 此:，以上所說明之第i、帛2實施形態的信號測量 二，亦可作為測量類比信號之單體裝置來使用，但亦可 叹置於！己憶體測試器或邏輯測試器等半導體試驗 對從被試驗元件輸出的類比信號進行測量。、 蠢耠.藉由叹置於半導體試驗裝置’可同時對從被試驗元个 件的試驗。及類比^進仃試驗，而能_應各種； 【圖式簡單說明】 苐1圖係顯示本發明的笛；杳 的I…… 弟貫施形悲之信號測量裝 的要點部分構成之方塊圖。 第2圖係顯示本發明的坌 的要點部分構叙方塊圖。、n。相量裝 =圖係顯t數位電路32的内部構成之方塊圖。 弟a圖至第4(c)圖係顯示用以說明於頻率成分相 319718 19 XJ51526 4 出部42a、42b及合成部43中所進行之處理的圖式 . 【主要元件符號說明】 1〇 #號測量裝置11 a至11 η A/D轉換器 i2a至12η數位電路 α .· DUT(被試竣 .30 信號測量裴 32 數位電路 42a、42b頻率成分抽 ® 43 合成部

Slla至Slln數位信鏡 元件）

置 31a、31b A/D轉換器 41a、41b FFT 出部 S10 類比信號 S31 a及S31 b數位信號

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Claims (1)

1. !351526 \ 第96141805號專利申請荦 100年6月23曰修正JJ 十、申請專利範圍： -種信號測量裝置’係將類比信號轉換為數位信號從而 測量類比信號者’其特徵為具備： 將類比信號轉換為數位信號之轉換特性係互為不 同的複數個轉換器；及 ’ 對應於上述各個轉換器而設置，且分別執行因應所 對應的上述轉換器的轉換特性之預定處理之複數個 理部，其中 各個轉換器具有-個性能較其他轉換器為高且該 一個性能包含於用於評估上述轉換特性之複數性能中， 以及 用於評估上述轉換特性之複數性能包括直流（DC) 性能、雜訊性能、失真性能、及寄生性能的至少i種。 .如申請專利範圍第1項之信號測量裝置，其_，上述各 處理部係將從所對應的上述轉換器輸出之數位信號進 行頻率解析’從而求取||於較其他轉換器為高之性能之 測量結果。 3·如申請專利範圍第1項之信號測量裝置，更包括： 、將從上述各個轉換器輸出之數位信號予以合成，且 進行關於在評估上述轉換特性時所使用的複數種性能 之蜊量結果的求取處理之信號處理部。 4·如申請專利範圍帛3項之信號測量裳置，其中，上述信 號處理部係具備： 士從上述各個轉換器輸出之數位信號進行頻率解 319718修正版 21

   析之頻率解析部； 從上述頻率解析部的解 的轉換特性之預定的頻、：’將因應上述轉換器 將於上述抽出部所広丨，及 成部。 茨羊成分予以合成之合 如申請專利範圍第3項之信號 =器=估上述轉換特性時所使;的複數 之任一種係較其他轉換器為高。 月匕中 如申明專利範圍第5項之信號 上述轉換特性時所使用的複數種’於評估 雜訊，…能、及寄生 :I::利乾圍第1項之信號測量裝置，其中，上述複 數轉換器同時進行轉換操作。 如申請專利範圍第7項之信號測量裝置，其中 上述複數轉換器係包括第一轉換器和第二轉換器 對轉換器，第—轉換II具有之雜訊性能係較第二 轉換器為高’和第二轉換器具有之失真性能係一 轉換器為高。 如申請專利範圍第8項之信號測量裝置，其中 第一轉換器係△-z(delta-sigma)型的A/D韓換 器，和 第二轉換器係逐步求近型A/D轉換器》 10.如申請專利範圍第8項之信號測量裝置，其中 藉由使用第一轉換器之轉換結果而忽略第二轉換 22 319718修正版 1351526 * 第96141805號專利申請案 100年6月23日修正替換頁 • 器之轉換結果取得雜訊特性，和 '* 藉由使用第二轉換器之轉換結果而忽略第一轉換 器之轉換結果取得失真特性。 .U.如申請專利範圍第8項之信號測量裝置，更包括： 第二轉換器’其具有之DC性能係較第一和第二轉 換器為高。 12·—種半導體試驗裝置，係用以進行被試驗元件的試驗 者，其特徵為： 具備申請專利範圍第1項之信號測量裝置，並使用 該信號測#裝置，對從上述被試驗元件輪出的類比信號 進行測量。 319718修正版 23