TWI342628B - Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module - Google Patents

Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module Download PDF

Info

Publication number
TWI342628B
TWI342628B TW096128414A TW96128414A TWI342628B TW I342628 B TWI342628 B TW I342628B TW 096128414 A TW096128414 A TW 096128414A TW 96128414 A TW96128414 A TW 96128414A TW I342628 B TWI342628 B TW I342628B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
backlight module
emitting diode
carbonate
diode package
Prior art date
Application number
TW096128414A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200908365A (en
Inventor
Hsin Hua Ho
Wen Jeng Hwang
Original Assignee
Lextar Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lextar Electronics Corp filed Critical Lextar Electronics Corp
Priority to TW096128414A priority Critical patent/TWI342628B/zh
Priority to US11/935,412 priority patent/US20090034288A1/en
Priority to JP2007316339A priority patent/JP4846700B2/ja
Publication of TW200908365A publication Critical patent/TW200908365A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI342628B publication Critical patent/TWI342628B/zh
Priority to JP2011197324A priority patent/JP5460665B2/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0051—Diffusing sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

21139twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種發光二極體與背光模組，且特別 是有關於一種具有混光均勻發光二極體與背光模組。 【先前技術】 隨著光學技術不斷地演進，並且隨著現代人生活水準 的提升’現代人對於照明設備以及影像顯示設備之照明品 質及成像品質的要求亦不斷提升。在這些照明設備愈影像 顯示設備中，通常會利用具有光散射體的材料來提升影像 顯示設備的光源以及照明設備所發出之光線的均勻度。 舉例而言，發光二極體晶片自從發展以來，由於其低 耗電量、低污染、使用壽命長、反應速度快等特性，已被 廣泛應用在各領域當中，諸如父通號諸、戶外看板、以及 跑馬燈等。為了避免發光二極體晶片受到外界環境的破 壞，並且為了增加發光二極體的出光效率（light extraction efficiency) ’製造者通常會將經由封裝技術將發光二極體 晶片製作成發光二極體封裝。 值得注意的是’為了使發光二極體所發出的光線更加 地均勻’製造者通常會將具有光散射體的散射材料配置於 發光二體晶片上，以增加發光二極體封裝所發出之光線的 均勻度。 此外’就液晶顯示器的背光模組而言，製造者通常亦 會使用具有光散射體的擴散片，以增加背光模組所產生之 21139twf.doc/n 面光源的均勻度。 ，得注意的是’f知之光散射體的材料大多是氧化 •呂太乳化⑪、氧化鋅與氧化鈦等奈米氧化物 。然而上述這 化物之散射粒子卻容易造成發光二極體封裝之出 光效率的下降以及背光模組所發出不均勻之面光源。 【發明内容】 本發明之目的是提供—種具有高出光效率的發光二 極體封裝。 本發明之目的是提供—種直下式背光模組以及側邊 入光式背光模組，其能夠發出均㈣面光源。 為達上述或是其他目的’本發明提出一種發光二極體 封裝’其包括-承載器、H極體；以及一光散射 材料。發光二極體晶片配置於承載器上並且與承載器電性 連接，其中發光二極體晶片適於發出—波長為\之光線。 光散射材料配置於承載Hh光散㈣料包括多個光散射 體，以將入射至其表面之光線散射，其中光散射體的材質 疋雙折射率材料（如碳酸鋇、碳酸銷、碳酸鐘、碳酸納、 碳酸鉀、碳酸鎂等），或是氮化物（如氮化硼等）。 在本發明之一實施例中，上述之光散射材料更包括多 個波長轉換活化體’適於麵波長為λι之光線的激發，而 發出-波長為λ2之光線。波長轉換活化體之材料例如是選 自於螢光制、鱗光材料、純触成之組群巾的其中一 種0 21139twf.doc/n 在本發明之一實施例中’上述之發光二極體晶片包括 紅光、綠光、藍光發光二極體晶片，且紅光、綠光、藍光 發光二極體晶片可分別由不同線路提供電源，以調整所需 之發光顏色’進而利用光散射材料進行混光增加均勻性及 亮度。 本發明提出一種直下式背光模組，其包括一燈箱、多 個光源以及一擴散片。這些光源位於燈箱内。擴散片位於 燈箱内且位於這些光源上方。擴散片具有多個光散射體， 以將入射至其表面之光線散射，其中光散射體的材質是雙 折射率材料（如礙酸鋇、碳酸錯、碳酸鐘、碳酸納、碳酸 鉀、碳酸鎮等），或是氣化物（如氮化蝴等）。 在本發明之一實施例中，上述之光源是發光二極體或 冷陰極螢光燈管。 本發明提出一種侧邊入光式背光模組，其包括一框 架‘光板、一光源以及一擴散片。導光板位於框架内， 其中導光板具有一入光面以及一出光面。光源位於框架 内，且鄰近於入光面。擴散片位於框架内，且位於出光面 之上方。擴散片具有多個光散射體，以將入射至其表面之 光線散射，其中這些光散射體的材質是雙折射率材料（如 碳酸鋇、碳酸锶、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鎂等）， 或是氮化物（如氮化硼等）。 在本發明之一實施例中，上述之光源包括多個發光二 極體或一冷陰極螢光燈管。 * 一 本發明採用雙折射率材料（如碳酸鋇、碳酸鳃、碳酸 1342628 21139twf.d〇c/n 链、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鎂等），或是氮化物（如氮化 蝴等）作為光散射體，當光散射體應用於多晶片封農時， 可以達到良好的混光效果，當光散射體應用於單—晶片封 裝或與螢光材料搭配時，可以提升發光二極體封裝的亮 度。因此’相較於習知技術而言’本發明之發光二極體封 裝具有較佳的光學特性。此外，本發明之直下式背光模組 與側邊入光式背光模組能夠發出較均勻的面光源。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 圖1是本發明一實施例之發光二極體封裝的示意圖。 請參照圖1 ’發光二極體封裝100包括一承載器11〇、一發 光一極體晶片120以及一光散射材料13〇。在本實施例中 承載器110是一線路板，但是在本發明之其他實施例中承 載器110更可以是一導線架。發光二極體晶片120適於發 出一波長為λ〗之光線，並且發光二極體晶片12〇配置於承 載器110上並且與承載器110電性連接。在本實施例中， 發光一極體晶片120例如是經由多條導線丨4〇來電性連接 於承載器110。光散射材料13〇配置於發光二極體晶片12〇 上。光散射材料130包括多個光散射體132，其適於將入 射至其表面之光線散射。值得注意的是，光散射體132的 材質疋雙折射率材料（如碳酸鋇、碳酸錄、碳酸链、碳酸 21139twf.doc/n 納、碳酸鉀、碳酸鎂等）’或是氮化物（如氮化硼等）。 基於上述之結構’發光二極體晶片120經由承载器110 而受到一電壓差的激發後’發光二極體晶片12〇會放射出 波長為λ!之光線。部分的光線在穿過光散射材料13〇的過 程中，會入射至光散射體132的表面而被散射。如此一來， 經由光散射體132，便能夠提高發光二極體封裝1〇〇的出 光效率。 值知注意的是，若加入一般的光散射體’雖可增加整 體的混光的均勻度，但通常會面臨出光效率下降的箸境。 一般而言’傳統的光散射體將導致出光效率下降約1〇。/〇以 上。本發明所採用之雙折射率材料的光散射材料13〇，不 僅可維持或提昇光效率以及兼顧混光的均勻度。 另外，本實施例之光散射材料130除了可以包括多個 光散射體132外，還可以包括多個波長轉換活化體134 , 波長轉換活化體134的材料其中選自於螢光材料、鱗光材 料、染料所組成之組群中的其中一種。。波長轉換活化體 134適於受到波長為λι之光線的激發，而發出一波長為^ 之光線。當發光·一極體晶片120發出波長λ!之光線後，部 分波長為λ】的光線會直接入射至波長轉換活化體134。另 外部分波長為λ!的光線會入射至光散射體132。接著經由 光散射體132的散射後，再入射至波長轉換活化體134。 然後波長轉換活化體134受到波長為λ!的光線的激發而發 出一波長為λ2之光線。如此一來，經由將兩種波長的光線 混合後，發光二極體晶片120便能夠發出特定顏色的色 21139twf.doc/n ^。舉例而言，當λ!是落在藍光的波長範圍，而心是落在 黃光的波長範圍時，經由適當的混合後，發光二極體 1〇〇便能夠發出白光。 、 再者，上述實施例並非用以限定本發明之發光二極體 晶片的個數。在本發明的其他實施例中，發光二極體封裝 更可以具有兩個以上的發光二極體晶片，其中每個發光二 極體晶適於被激發出不同波長的光線。如此一來，在本發 明之其他實施例中，發光二極體封裝便能夠發出特定顏色 之光線。 值得一提的是’除了圖1所繪示之發光二極體封裝1〇〇 之外，本發明之光散射體132亦可應用於其他不同類型之 發光二極體封裝中，如圖4Α至圖4J所示。 圖2是本發明一實施例之直下式背光模組的示意圖。 請參照圖2,直下式背光模組200包括一燈箱210、多個光 源220以及一擴散片230。這些光源220位於燈箱210内。 在本實施例中，光源220是發光二極體，但是在本發明的 其他實施例中光源220亦可以是冷陰極螢光燈管（Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)。擴散片 230 位於燈箱 210内且位於這些光源220上方。擴散片230具有多個光 散射體232，以將入射至其表面之光線散射。光散射體232 的材質是雙折射率材料（如碳酸鋇、碳酸锶、碳酸鋰、碳 酸鈉、碳酸鉀、碳酸鎂等），或是氮化物（如氮化硼等）。 如此一來，當光源220所發出的光線穿過擴散片230 時，部分的光線會直接穿過擴散片230,部分的光線會入 1342628 21139twf.doc/n 射至光散射體232的表面並且被光散射體232的表面散 射。因此，直下式背光模組200可以提供均勻的面光源。 圖3是本發明一實施例之側邊入光式背光模組的示意 圖。請參照圖3’側邊入光式背光模組300包括一框架31〇、 一導光板320、一光源330以及一擴散片340。導光板320 位於框架310内，其中導光板320具有一入光面322以及 一出光面324。光源330位於框架310内，且鄰近於入光 面322。在本實施例中，光源330包括多個發光二極體， 在本發明的其他實施例中光源330亦可以是冷陰極螢光燈 管。擴散片340位於框架310内，且位於出光面324上。 擴散片340具有多個光散射體342，以將入射至其表面之 光線散射，其中這些光散射體的材質是雙折射率材料（如 碳酸鋇、碳酸鰓、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鎂等）， 或是氮化物（如氮化蝴等）。 如此一來’當光源330所發出的光線經由入光面322 進入導光板320 ’之後光線自出光面324出射後，部分的 光線會直接穿過擴散片230，部分的光線會入射至光散射 體232的表面並且被光散射體232的表面散射。因此，侧 邊入光式背光模組300可以提供均勻的面光源。 由於本發明之光散射體的材料是採用雙折射率材料 (如喊酸鋇、碳酸錄、碳酸链、碳酸鈉、碳酸钟、碳酸鎂 等）或氮化物（如氮化硼等），因此可以達到良好的混光 效果並且縮短混光距離。是以相較於習知技術而言，本發 明之發光二極體封裝具有較佳的出光效率，並且本發明之 11 i S > 1342628 21139twf.doc/n 直下式背光模組與側邊入光式背光模組能夠發出較均勻的 面光源。 〜雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限，本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是本發明—實施例之發光二極體封裝的示意圖。 圖2是本發明—實施例之直下式背光模組的示意圖。 圖3是本發明一實施例之側邊入光式背光模組的 圖。 、 圖4A至圖4J為本發明其他實施例之示意圖。 【主要元件符號說明】 1〇〇 :發光二極體封裝 110 :承載器 120 :發光二極體晶片 130 :光散射材料 Π2 :光散射體 134 :波長轉換活化體 140 :導線 200 :直下式背光模組 210 :燈箱 12 1342628 21139twf.doc/n
220 :光源 230 :擴散片 232 :光散射體 300 :側邊入光式背光模組 310 :框架 320 :導光板 322 :入光面 324 :出光面 3 3 0 :光源 340 :擴散片 342 :光散射體 13

Claims (1)

  1. 72628 第96128414號 修正曰期 :100.1.17 年月曰 申請專利範圍： 1.一種發光二極體封裝，包括： 一承載器； 補充 本 一發光二極體晶片，配置於該承載器上並且與該承 載器電性連接，其中該發光二極體晶片適於發出一波長 為λι之光線；以及 一光散射材料，配置於該承載器上，該光散射材料 Φ 包括多個光散射體，以將入射至其表面之光線散射，其 中該些光散射體的材質是雙折射率材料。 2·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝， 其中該雙折射率材料包括碳酸鋇、碳酸锶、碳酸鋰、碳 酸鈉、峻酸奸、或碳酸鎂。 3. 如申晴專利範圍第1項所述之發光二極體封裝， 其中該光散射材料更包括多個波長轉換活化體，適於受 到波長為之光線的激發，而發出一波長為、之光線。 4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝， 其中該些波長轉換活化體之材料是選自於螢光材料、磷 光材料、染料所組成之組群中的其中一種。 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝， 其中該雙折射率材料包括氮化物。 6.如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝， 其中該氮化物包括氮化硼。 入一種直下式背光模組，包括： 14 L342628 修正曰势
    々 一 第96128414號 .· 一燈箱； 多個光源，位於該燈箱内；以及 一擴散片，位於該燈箱内且位於該些光源上方，該 擴散片係由一光散射材料構成，該光散射材料具有多個 光散射體，以將入射至其表面之光線散射，其中該些光 散射體的材質是雙折射率材料。 — 8. 如申請專利範圍第7項所述之直下式背光模組， _ 其巾該雙折射率材料包括碳酸锅 、碳酸錯、碳酸组、磁 酸納、碳酸鉀、或碳酸鎂。 " 9. 如申請翻範圍第7項所述之直下式背光模組， 其中該些光源是發光二極體或冷陰極螢光燈管。 10. 如申請專利範圍第7項所述之直下式背光模 組，其中該雙折射率材料包括氮化物。 η·如申請專利範㈣U)項所述之直下式背光模 組，其中該氮化物包括氮化硼。 12.種側邊入光式背光模组，包括： —框架； V光板，位於該框架内，該導光板具有 山小π _ 以及一出光面 二光源，位於該框架内’且鄰近於該入光面；以及 二擴散片，位於該框架内，且位於該出光面之上 二2散片係由-光散射材料構成，該光散射材料亘 有夕個光散射體’以將入射至其表面之光線散射，其 15 042628 第96丨28414號 修正曰期 ]00.].17 年月 EJ 梦屋^:本補充 该些光散射體的材質是雙折射率材料。 “ 13.如申請專利範圍第12項所述之側邊 核組’其令該雙折射率材料包括嫂酸鎖、㈣i二酸 鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、或碳酸鎂。 〜反· 14.如申請專利範圍第12項所述之側邊入光式背光 模組，其t該光源包括多個發光二極體或一冷陰極螢光 燈管。 右° 15·如申請專利範圍第12項所述之側邊入光式背光 模組’其中該雙折射率材料包括氮化物。 16.如申請專利範圍第15項所述之側邊入光式背光 模組’其中該氮化硼包括氮化硼。
    16
TW096128414A 2007-08-02 2007-08-02 Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module TWI342628B (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096128414A TWI342628B (en) 2007-08-02 2007-08-02 Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US11/935,412 US20090034288A1 (en) 2007-08-02 2007-11-06 Light emitting diode package, direct type backlight module and edge type backlight module
JP2007316339A JP4846700B2 (ja) 2007-08-02 2007-12-06 ダイレクト型バックライトモジュールおよびエッジ型バックライトモジュール
JP2011197324A JP5460665B2 (ja) 2007-08-02 2011-09-09 発光ダイオードパッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096128414A TWI342628B (en) 2007-08-02 2007-08-02 Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200908365A TW200908365A (en) 2009-02-16
TWI342628B true TWI342628B (en) 2011-05-21

Family

ID=40337937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096128414A TWI342628B (en) 2007-08-02 2007-08-02 Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090034288A1 (zh)
JP (2) JP4846700B2 (zh)
TW (1) TWI342628B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI427757B (zh) * 2009-04-24 2014-02-21 Innolux Corp 發光二極體封裝結構、發光組件、直下式發光模組及顯示裝置
TWI456804B (zh) * 2010-05-20 2014-10-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體之封裝結構
CN101949526B (zh) * 2010-07-12 2012-11-14 深圳市华星光电技术有限公司 侧入式背光模块及其背板散热构造
US8702292B2 (en) 2010-09-22 2014-04-22 Terralux, Inc. Linear illumination devices having light guides and LED-based illumination modules
US20120120679A1 (en) * 2010-11-16 2012-05-17 Chi Lin Technology Co., Ltd. Backlight module, light guide plate thereof and ink thereof
TWI462068B (zh) 2011-06-20 2014-11-21 Au Optronics Corp 有機發光顯示模組及其製作方法
WO2014133367A1 (ko) * 2013-02-28 2014-09-04 서울반도체 주식회사 발광 모듈
KR20140108172A (ko) 2013-02-28 2014-09-05 서울반도체 주식회사 발광 모듈
KR102204953B1 (ko) * 2014-06-25 2021-01-19 삼성디스플레이 주식회사 형광 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
KR102370682B1 (ko) * 2015-08-06 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2509047C3 (de) * 1975-03-01 1980-07-10 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Kunststoffgehäuse für eine Lumineszenzdiode
US5077161A (en) * 1990-05-31 1991-12-31 Xerox Corporation Imaging members with bichromophoric bisazo perylene photoconductive materials
IL107927A0 (en) * 1992-12-17 1994-04-12 Exxon Chemical Patents Inc Oil soluble ethylene/1-butene copolymers and lubricating oils containing the same
DE69431333T2 (de) * 1993-10-08 2003-07-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd GaN-Einkristall
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
US5660961A (en) * 1996-01-11 1997-08-26 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member having enhanced layer adhesion and freedom from reflection interference
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW386609U (en) * 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2001148514A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP2001256811A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Taisei Kako Co Ltd 紫外線遮断機能を有する樹脂製グローブ、並びに、その製造方法
US6156468A (en) * 2000-05-22 2000-12-05 Xerox Corporation Blocking layer with light scattering particles having rough surface
US6255027B1 (en) * 2000-05-22 2001-07-03 Xerox Corporation Blocking layer with light scattering particles having coated core
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2002222994A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ装置
TW516247B (en) * 2001-02-26 2003-01-01 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
JP2002258039A (ja) * 2001-02-27 2002-09-11 Yasuhiro Koike 散乱偏光部材、光制御方法並びに面光源装置
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2003008073A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
JP2003163376A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換材料及び発光素子
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
CN1784572A (zh) * 2003-05-09 2006-06-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 涂有发光材料的纳米粒子的uv光源
KR20060056338A (ko) * 2003-07-22 2006-05-24 고꾸리쯔 다이가꾸호우징 도쿄노우코우다이가쿠 반사형 편광판, 적층광학부재 및 액정표시장치
JP2006257385A (ja) * 2004-09-09 2006-09-28 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
US7559664B1 (en) * 2004-12-27 2009-07-14 John V. Walleman Low profile backlighting using LEDs
JP4961799B2 (ja) * 2005-04-08 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置
US7322731B2 (en) * 2005-06-24 2008-01-29 3M Innovative Properties Company Color mixing illumination light unit and system using same
US20060291203A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Munisamy Anandan Fiber mixed R-G-B white emitting LED package
WO2007037662A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lcd backlight using the same
TWI274900B (en) * 2006-01-12 2007-03-01 Entire Technology Co Ltd A light diffusion board for improving light diffusion and enhancing brightness

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009038334A (ja) 2009-02-19
US20090034288A1 (en) 2009-02-05
TW200908365A (en) 2009-02-16
JP2011249855A (ja) 2011-12-08
JP4846700B2 (ja) 2011-12-28
JP5460665B2 (ja) 2014-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI342628B (en) Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
TWI254821B (en) Backlight module
JP5399252B2 (ja) 照明システムおよびディスプレイ装置
KR101460155B1 (ko) 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정 디스플레이 장치
US10203547B2 (en) Quantum dot light emitting device, backlight module, and liquid crystal display device
WO2018201610A1 (zh) 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备
TWI402571B (zh) 具有光線補色區域之背光模組
KR20170074947A (ko) 퀀텀 닷 백라이트 모듈 및 디스플레이 장치
KR20120021731A (ko) 양자점을 사용한 백라이트 유닛용 부재 및 그 제조 방법
WO2015051557A1 (zh) 背光模组及液晶显示器
TW201031026A (en) Light emitting diode unit, display apparatus having the same and manufacturing method of the same
TW201036202A (en) Light emitting diode package
WO2002093535A1 (fr) Dispositif electroluminescent et dispositif d'affichage de vehicule
WO2017156902A1 (zh) 量子点背光模组及液晶电视
JP2009295501A (ja) 光源モジュール及びそれを備えた電子機器
CN209858903U (zh) 一种复合光学膜、背光装置和显示装置
WO2018201611A1 (zh) 一种光学膜组件、背光模组及显示设备
TWI247439B (en) Light-emitting diode device
JP2012146680A (ja) 光源モジュール
TW594256B (en) Light structure for panel display
US20080273141A1 (en) Light-Emitting Diode Package
TW202232208A (zh) 發光二極體裝置、背光模組和液晶顯示裝置
JP2009245780A (ja) パネルモジュール
TWI240827B (en) Liquid crystal display device module
TWI738566B (zh) 含有螢光粉及量子點的背光模組