TWI342465B - - Google Patents

Description

1342465, 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為有關於-種翻於高科技的半導體 以^使用光罩產業的製程，特別綠針對廢棄光罩 理製成之，生利用發明領域，均可適用本發明之光 回收之金屬鉻膜處理方法。 〇Mask) 【先前技術】 的圖Μ)是一種利用電子束曝光系統將鉻膜上 3無英上，位在玻璃或石英上含祕膜价)處 半導體工廠的製造過程為例’半導體或晶圓製 上千道的製程所構成，重複著微影、餘刻 λ子f人科過程，光罩就是❹在微影製程 晶®錢场賴纟（Steppem _nei〇 進仃曝先則，需先由光阻塗佈機(PRcoater)塗上一層固定厚度^ ，阻(phot。resist·，PR)，再送到曝光機台進行曝光= 上的圖案（Pattern)重現在晶圓上面，曝光後經過顯影、定 職刻製程並从掉光阻，就會得 然而使用後遭淘汰的光罩（ph0t0 Mask)以目前處理方 接銷燦，而無進一步的利用價值。 ’、 【發明内容】 本發明之主要目的，即在於藉由將回收後之光罩再利用， 對玻璃或石英材質之光罩上的金屬鉻膜予以去除還原成未加工前 之成品。❿’本發明可應用之_領域涵蓋半導體及面板製造領 域，光罩(Photo Mask)的使用就如同使用一張底片一樣，直接將 電路佈局圖轉印在半導體的晶圓上，藉由優異技術，透過光罩來 1342465 投射單一影像至晶圓上。以及在隨著半導體細線化_勢，奈米 及Γ下的光罩已成為全球光I廠研發努力的目標 ，因此在未來光 罩需求量將會與日俱增持續成長，光罩(ph〇t〇齡)的應用範圍 亦將Ik著產業發展轉增。町就針對本㈣鮮⑽。㈣地） 回收處理方法說明如下： 本發明處理實施步驟為： 、_ ’去除回收表面之金廣絡膜； 二=、!^淨、烘乾：將經過_後的光罩洗淨供乾； 步驟二、製程檢驗：檢測光罩之表面狀態； 步驟四、研磨：以研財式藉以去除时之光罩表面可能殘 留之化學成份及異物，確實完成清潔； 步驟五、洗淨'烘乾：將經過研磨後的光罩洗淨烘乾； 步驟六、製程檢驗：若檢測未符合規定則再次經過步驟四 驟五之流程。 檢驗合格則為成品。 【實施方式】 本發明人有鑑於現階段光罩(Photo Mask)之應用仍有待改 善，特乃潛心研究並輔以配合學理及實際狀況操作，提出一種設 計合理且可使光罩回收再利用之新製程發明a 關於本發明之光罩回收之金屬鉻膜處理方法其製程技術請參 閱本發明第一圖之流程圖。 步驟一、餘刻： 、將回收的光罩進行去除金屬鉻膜，將光罩置於蝕刻槽中 浸泡處理’蝕刻槽内含蝕刻液(硝酸銨鈽硝酸溶液 1342465. (Ce(’2(N〇3)/_3或過氣酸此仙，濃度1〇%〜25%)'，並令該 姓刻槽中之_液加熱到攝氏2G〜6(rc後，將含金屬鉻膜之光罩 (Photo Mask)完全絲概卿巾1G〜2()分鐘，供靖含金屬絡 膜等成份之大型鮮’作分子轉化之化學處理，藉以將金屬絡 膜帶出使其與光罩底層表面（石英玻璃）可達到舰分離狀態。 卜2、經上-步驟處理後，再絲罩浸泡於另—為純水伽c : 10Ω以上）侧槽卜進行約丨分鐘純水浸泡清洗，藉以將光罩 • (Photo Mask)表面所附著之餘刻液及殘留物質完全清洗乾淨。 ， 卜3、待上述步驟之初频麻浸泡帶出金屬賴與純水浸泡 、清洗完成後，再將光罩浸泡於另-中和侧槽，該中和㈣槽中 的中和液内含氫氧化納Na〇H、氫氧化钟丽，漠度為5%〜45%，並 令5亥餘刻槽中之中和液（氫氧化鈉Na〇H、氫氧化钟丽，濃度 5%〜45% )加熱到攝氏秦耽後，將光罩浸泡於中和侧槽中約3 分鐘，使其中和光罩底層表面(石英玻璃）狀態。 • 卜4、完成浸泡於中和液後之各項步驟後，光罩再浸泡於另一 純水侧槽(Spec ]0Ω以上）中，進行約！分鐘純水浸泡清洗， ，藉以將光罩(Photo Mask)表面所附著之侧液及殘留物質完全清 ， 洗乾淨。 步驟二、洗淨、烘乾： 將經過蝕刻過程的光罩經刷具(Brush)、海綿體(sp〇nge)及風 刀’洗淨並烘乾。 U42465. 步驟三、製程檢驗： 使用目視檢查法，確認檢測光罩之表面狀態，其檢測項目包 括：凹陷、到傷'氣泡和微粒、表面髒污等等項目，其中凹陷、 到傷、氣泡和微粒均不可存在，表面髒污許可值為不可大於5⑽。 步驟四、研磨： 使用氧化鈽(Ce02)粉末以水調和，其濃度為5〜3〇%(如1〇%， 以1KG氧化鈽粉末調配1〇L的水），以研磨方式，對光罩表面研磨 30刀！里，藉以將回收之光罩（ph〇t〇Mask) ’表面可能殘留之化 ，予成伤及異物去除，使其光罩底層表面（石英玻璃)確實完成清潔 步驟。 ·*» 步驟五、洗淨、烘乾： 將經過研磨触的妹_m(Bnish)、海纟帛體(sp嘛)及風 刀，洗淨並烘乾。 步驟六、製程檢驗： 乎標準規格之光罩，為H 其檢驗項目及標準如下： 1 1 ♦ 檢驗項目 檢驗事項 規格 目視檢查法 凹陷Pit 不可有 刮傷 scratch 不可有 ► H驗未符合規定則再次經過步驟四、纟驟五之流程。均合 1342465 氣泡和微粒 Bubble & Particle 不可有 表面髒污 contaminant >5um none 透過率 230~260nm 95%以上 UV抗紫外光 200nm 85%以上 總厚度變異數 ^50um 厚度 ±0. 2mm 平坦度 表面 ^25um 背面 ------ ^25um 當經過上述_、洗淨/烘乾、製織測、研磨、洗淨/供乾 等製程後’最後步驟之製程檢測即對光罩表面狀態進行嚴格檢

驗，同時光罩之透光率、抗線及其表面粗糙度是否合於規 定。 而，本發明料賴尋及朗_外已公餘核准的專 利案中亦未見有與本發明申請專利範圍之内容實質相同或類似 者’顯見本發.騎馳、_倾實用性。 【圖式簡單說明】 ===罩回收處理方法之流程圖。 無。

Claims (1)

1. 丄j 十、申請專利範圍： 理方^步i J光罩(phGt。Mask)回收之金祕财理方法，其處 步驟一、蝕刻： 躺1y^1 !!含金屬賴之鮮置於蝴射舰處理，糊槽内含 2〇.6〇〇c„ , 卜2再將光罩浸泡於另一為純水(Spec: 1〇Q以上）餘刻槽 中，進行約1分鐘純水浸泡清洗； 3 1 3將光罩浸泡於另—中和_槽，並令該中和液加敎到 抓机後，將光罩浸泡於中和_槽中約3分鐘；… 卜4最後將光罩浸泡於另一純水(Spec: 10Ω以上_槽中， 進行約1分鐘純水浸泡清洗； 步驟四、研磨.去除光罩表面可能殘留之化學成份及異物； 步驟五、洗淨、烘乾：龜過研磨後的光罩洗淨烘乾； 驟五。裝錄驗錢測未符合規定則再次經過步驟四、步 檢驗合格則為成品。 rri^(Ph0t0 Mask)^^^ Ce»)2_/HN〇3，滚度T〇%二%，。餘刻液為硝酸敍_酸溶液 r；^^^(Photo MaSk)0^^^ 度10%〜25%。 驟M中，蝕刻液為過氣酸HCl〇4，濃 1342465. 4、如申請專利範圍第1項所述之光罩（Photo Mask)回收之金 屬鉻膜處理方法，其中步驟卜3中，中和液内含氫氧化鈉NaOH、 氫氧化鉀K0H，濃度為5%〜45%。