TWI338037B - Polishing slurry for low dielectric constant material - Google Patents

Description

1338037 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種拋光液，並且特別地，本發明係關於一種 用於拋光低介電材料的拋光液。 【先前技術】 在積體電路製造中’互連技術的標準不斷提高，一層上面又 沉積一層，使得在襯底表面形成了不規則的形貌。現有技術中使 用的一種平坦化方法係化學機械拋光(CMP)，CMP技術就是使用 一種含磨料的混合物和拋光墊去拋光一積體電路表面。在典型的參 化學機械拋光方法中，將襯底直接與旋轉拋光墊接觸，用二載重 物在襯底背面施加壓力。在拋光期間，拋光墊和操作臺旋轉，同 時在襯底背面保持向下的力，將磨料和化學活性溶液(通常稱為拋 光液或拋光漿料)塗於墊片上，該拋光液與正在拋光的薄膜發生化 學反應開始進行抛光過程。 CMP拋光液主要包含磨料、化學試劑和溶劑等。磨料主要為 各種無機或有機顆粒，如二氧化矽、氧化鋁、二氧化鍅、氧化 鈽、氧化鐵、聚合物顆粒及/或它們的混合物等。CMp拋光液的 / 谷劑主要為水或醇類。而化學試劑是用來控制拋光速率和拋光選鲁 擇比、改善拋光表面性能以及提高拋光液的穩定性，包含氧化 劑、絡合劑、緩蝕劑及/或表面活性劑等。 在一些公開專利中，敍鹽和季錢類物質被用來調節一些非金 屬物質的拋光速率，如在CN 1498931A中，在二氧化矽為^料的 拋光液中，水溶性季銨鹽被用來提高多晶矽的拋光速率和改善拋 光液的穩定性，其多晶矽膜拋光速率與氮化物膜拋光速率的&率 達到50。如USP 6,046，112，該拋光液包含Zr02磨料、表面活性 劑、TMAH或TBAH、和水’其對s〇G具有較高的抛光速率和 1338037 ，南的拋，獅性，抛麵_率在相4_ A/mh，触選擇性高 達8 ’但疋其使用Zr02磨料，價格昂貴。在usp 7〇1856〇中， ^有2〜is個碳鏈長度的有機麵翻於增加teqs的抛光速 ^ ’同時=低SiC、SiCN、Si3N4和SiCO等材料的拋光速率。 利中’銨鹽和麵類物f並沒有用於提高低介電材料 CD0的拋光速率。 .隨著積體電路複雜程度的増加和器件尺寸的減小，一些含有 、0的低介電㈣逐漸被翻於顏電路，讀高未來積 ㈣。低介電材料包含摻碳二氧化矽(CD〇)、碳氧 (1 )和有機石夕玻璃(〇SG)等’而掺碳二氧化石夕⑽是目前 應用較廣的-種低介電材料。這些低介電材料在未來將取代二氧 化石夕(如TE0S、FSG、SQG等）’構成積體電路巾的絕緣層。 【發明内容】 r 範脅在於提供—種用於抛光低介電材料的抛光 液’趟歧㈤祕提㊉低介電材料的拋光 =摻銘:氧靖料和水，並且進-步包含丄離= 質。由於這類小分子活性物質能用於本發明 成銨根離子或季銨離子’從而可以提高低介電 ====但壯、朗減料細軸料，從而可 的八術語“小分子活性物質”是指分子* MW<500 的έ鉍根離子的活性物質或季錢類的活性物質。 臨該活性㈣可以為氨水、各種難、各種季録 ς ’較佳地為氨水、氨基酸、五贿錢、酒石酸 =:甲^氧化錢(ΤΜΑΗ)、四丁基氫氧化錢(τβαη)及/或四丁 地為四丁基氫氧倾和四丁基四__。钱類和㈣較佳 7 1338037 °·001^5% s o-oow 路襯底_統中給㈣各種濃度，錄地為卜聽先u 為2〜15% ’水為餘量。以上濃度均指占整個拋光液的重量百分 比0 該摻鋁二氧化矽磨料為溶膠型摻鋁二氧化矽分散液， $磨料分散液可以大大降低襯絲面_痕、舰、點餘等概 底表面缺陷問題。 §玄溶膠型摻鋁二氧化矽分散液的pH值較佳地為2〜7。

在本發明中，該換紹一氧化石夕磨料的粒徑_較佳地是 500nm，更佳地是5〜100nm，最佳地為2〇〜8〇nm。 此外，本發明的拋光液的pH值較佳地為2〜7。 本，明的拋光液還可以包含現有技術中的各種添加劑，如阻 触劑、氧化劑、速率增助劑、表面活性劑及/或其他助劑。 * =阻蝕劑可以是拋光劑領域中使用的各種阻蝕劑，較佳地為 苯並·^唑(BTA);該氧化劑可以是拋光劑領域中使用的各種氧化 劑，較佳地為過氧化氫；該表面活性劑可以是拋光劑領域中使用籲 的各種表面活性劑，較佳地為聚乙烯乙二醇(PEG)及/或聚丙烯酸 類(PAA)。 本發明的拋光液較佳地能拋光下列材料：摻碳二氧化石夕 (CDO);本發明的拋光液也可以用於拋光二氧化碎(ΤΕ〇§)、 SiON、Ta或Cu等材料。 在本發明中’術έ吾低介電材料(Low dielectric constant material)是指介電常數(Dieiectric constant)低於3.0的材料。 8 1338037 本發明的積極進步效果在於：本發明的拋光液對CD0、 TEOS、SiON等材料的拋光具有促進作用，但對鈕、銅的拋光速 率無明顯的衫響’因此可以大大提供概底的抛光選擇性。並且本 發明的拋光液可以大大降低襯底表面的刮痕、腐蝕、點蝕等襯底 表面缺陷問題。 ' 關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述得到進一 步的瞭解。 【實施方式】 為達到上述有關本發明之範疇，所採用之技術手段及 其餘功效，茲舉數個較佳實施例加以說明如下： 實施例1 對比抛光液1’一推紹二氧化石夕磨料(45nm) 7%、酒石 醆 0,1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、水餘 量、pH=3 ; ' 拋光液1 一摻鋁二氧化矽磨料（45nm) 7%、酒石峻 0.1〇/。、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、氨水 (NH40H) 0.1%、水餘量、pH=3 ; 拋光液2 —摻铭二氧化石夕磨料（45nm) 7%、酒石酸 〇‘10/。、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、五硼酸錢 〇·1°/。、水餘量、pH=3 ; 拋光液3 —摻鋁二氧化矽磨料（45nm) 7%、酒石酸 0.1〇/。、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、酒石酸錢 0.1%、水餘量、pH=3 ; 拋光液4 —摻鋁二氧化矽磨料（45nm) 7%、酒石酸

S 9 1338037 0.1%、PEG200 0.2%、ΒΤΑ 0.2%、H202 0.5%、四 丁基四 氟硼酸銨0.02%、水餘量、pH二3 ; 拋光液5 —摻鋁二氧化矽磨料（45nm) 7%、酒石酸 〇‘l%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、四曱基氫 氧化銨(TMAH) 0.025%、水餘量、PH=3 ; 拋光液6—摻鋁二氧化矽磨料（45nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、四 丁基氫 氧化銨(TBAH) 0.01%、水餘量、ph=3。 拋光材料：BD材料；拋光條件：ipsi，拋光盤轉速 70rpm，拋光墊 Politex ’ 拋光液流速 i〇0ml/min，Logitech PM5 Polisher。 結果如圖1所示：本發明的含有活性物質的拋光液可 以顯著地提南低介電材料BE)的拋光速率，尤其是四丁基 氫氧化銨和四丁基四氟硼酸銨，其拋光速率達 600人/min以上。 實施例2 對比拋光液7’一摻鋁 量、pH=3 ; 氧化石夕磨料(45nm) 6%、水餘 抛光液7-捧紹二氧化石夕磨 〇·1%、水餘量、pH=3 ; ) 欠知 對比拋光液8’一摻鋁二备儿 ^ 酸0.2〇/〇、水餘量、PH=3 ; 夕磨料(45nm) 6%、酒石 拋光液 摻鋁二 °.2%、五_ °.1%、ΚΙ 磨抓、酒石酸 1338037 對比拋光液9’一摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 6%、酒石 酸 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、水餘量、PH=3 ; 拋光液9 一摻紹二氧化砍磨料（45nm) 6%、酒石酸 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、五硼酸銨 0.1%、水餘 量、pH=3 ; 對比拋光液10’一摻紹二氧化石夕磨料(45nm) 6%、酒石 酸 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、PEG200 0.2%、水餘 量、pH=3 ; 拋光液1 〇 —摻紹二氧化石夕磨料（45nm) 6%、酒石酸 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、PEG200 0.2%、五硼酸銨 0.1%、水餘量、pH=3。 拋光材料：BD材料；拋光條件：lpsi，拋光盤轉速 70rpm，抛光塾 Politex，抛光液流速 l〇〇ml/min，Logitech PM5 Polisher ° 結果如圖2所示：本發明的含有活性物質的拋光液可 以顯著地提高低介電材料BD的拋光速率，在含有各種添 加劑下可以更好地提高拋光速率。 實施例3 對比拋光液1Γ —摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石 酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、水餘 量、pH二3 ; 拋光液11(1)一摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、四曱基氫 氧化錢0.0125%、水餘量、pH=3 ; 11 1338037 拋光液11(2)—捧結二氧化石夕磨料(45nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2〇/〇、BTA 0.2%、H2〇2 〇_50/〇、四甲基氫 氧化錢0.025%、水餘量、pH=3 ; 抛光液11(3)—摻銘二氧化石夕磨料(45nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、四甲基氫 氧化銨0.05%、水餘量、PH=3 ; 拋光液11(4)一摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、四曱基氫 氧化銨0.125%、水餘量、pH=3 ; 拋光液11(5)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、112〇2 0.5%、四曱基氫 氧化錢0.2%、水餘量、pH=3。 拋光材料：BD材料和TEOS材料；拋光條件：lpsi， 抛光盤轉速70rpm ’拋光墊p〇ntex，拋光液流速 iOOml/min，Logitech PM5 Polisher。 ^ 結果如圖3所示：本發明的拋光液中添加活性物質 後，不僅能夠提高對低介電材料BD的拋光速率，而且同 時對TEOS的拋光有加速作用。隨著活性物質用量的增 加，本發明的拋光液對低介電材料BD和TE〇s材料拋光 的促進作用先逐漸增強，達到特定值後逐漸減弱。說明只 有當活性物質的用量為一特定值時，才能對低介電材料 BD的拋光速率有促進作用。否則，過量的活性物質反而 會抑制BD和TEOS的拋光。 實施例4 對比拋光液12’（1)一摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 〇 5%、 1338037 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液12’(2)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 2〇/〇、 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液12’(3)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 5〇/〇、 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液12’(4)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 1〇%、 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液U’(5)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 15%、 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液12’(6)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 2〇%、 水餘量、pH=3。 拋光液12(1)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 〇 5%、四丁 基氫氧化銨0.007%、水餘量、ph=3 ;

^拋光液12(2)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 2%、四丁基 氫氧化銨0.007%、水餘量、pH=3 ; ^拋光液12(3)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 5¼、四丁基 氣氣化錢0.007%、水餘量、♦ 拋光液12(4)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 1〇%、四丁 基氧氧化銨0.007%、水餘量、ρίί=3 ; 拋光液12(5)-摻鋁二氧化 15%、四丁 基氧氧化銨0.0〇7%、水餘量、 ^光液12(6)-摻叙二氧化 2〇%、 基11氧化錄0.G07%、水餘量、 13 H38037 拋光材料：BD材料；拋光條件：丨psi，拋光盤轉迷 70rpm，拋光墊 Politex ’ 拋光液流速 i〇〇ml/min，Logitech PM5 Polisher。 結果如圖4所示：當摻鋁二氧化矽的濃度為0.5%〜 20%之間時，相對於不含有活性物質的拋光液，本發明的 含有活性物質的拋光液可以顯著增加低介電材料BD的抛 光速率。 實施例5 對比拋光液13’一摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石 酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、水餘 量、pH=3 ; ' 拋光液13 —摻鋁二氧化矽磨料（45nm) 7%、酒石酸 0·1ο/〇、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、四甲基氫 氧化錢0.025%、水餘量、pH=3。 拋光材料：BD材料、TE0S材料、si〇N材料、Ta材 料和Cu材料；拋光條件：ipsi，拋光盤轉速70rpm，拋 光墊 Politex ’ 拋光液流速 l〇〇ml/min，Logitech PM5 Polisher。 結果如圖5所示：相對於不含有活性物質的拋光液， 本發明的含有活性物質的拋光液可以改善各種非金屬材料 的拋光速率’如BD材料、TEOS材料以及SiON材料， 但是對金屬如Ta和Cu的拋光速率沒有太大的影響，因此 本發明的拋光液可以提高襯底的拋光選擇性。 實施例6 對比拋光液14’（1)—摻銘二氧化石夕磨料(45nm) 7%、 1338037 酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、ΒΤΑ 〇·20/。、H2〇2 0.5%、水 餘量、pH=2 ; 對比抛光液14 (2)—換紹二氧化梦磨料(45nm) 7%、 酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2°/〇、H2〇2 0.5〇/〇、水 餘量、pH=3 ; 對比拋光液14’(3)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、 酒石酸 0.1%、PEG200 0·2ο/〇、BTA 0.2%、H202 0.5%、水 餘量、pH=5 ; 對比拋光液14’(4)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、 酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、水 餘量、pH=7 ; 拋光液14(1)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 0.1〇/〇、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、四曱基氫 乳化0.025%、水餘量、pH=2 ; 拋光液14(2)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 ^.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、四甲基氫 氧化銨0.025%、水餘量、pH=3 ; 拋光液14(3)~摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 ^•1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5%、四甲基氫 氣化铵0.025%、水餘量、pH=5 ; 抛光液14(4)—摻鋁二氧化矽磨料(45nm) 7%、酒石酸 ^.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、四曱基氫 氧化敍0.025%、水餘量、卩只=7。 .拋光條件：lpsi，拋光盤轉速70rpm，拋光墊 Politex，拋光液;爪速 ，L〇gitech PM5 Polisher。 15 1338037 結果如圖6所示：當拋光液的pH值為2〜7時，相對 於不含有活性物質的拋光液，本發明的含有活性物質的拋 光液可以顯著增加低介電材料BD的抛光速率。 實施例7 對比拋光液15’（1’）一二氧化矽磨料(7〇nm，pL_3, Fus〇

Company) 7%、酒石酸 0·ΐ〇/ο、pEG2〇〇 〇 2%、bTA 0.2%、H202 0.5%、水餘量、PH=3 ; 對比拋光液15’（1)—二氧化矽磨料（7〇nm，pL_3, Fus〇

Company) 7%、酒石酸 0.1%、pEG2〇〇 〇 2%、bta 0.2%、H202 0.5%、四甲基氫氧化銨〇 〇25〇/〇、水餘量、 pH=3 ； 對比拋光液15’(2’）一A12〇3包覆的二氧化矽磨料 (A1203_coated silica)(35nm) 7%、酒石酸 〇 1%、PEG2〇〇 0.2%、BTA0.2%、H2O2 0.5%、水餘量、pH=3 ; 對比拋光液15’(2) - A1203包覆的二氧化矽磨料 (A1203-coated silica)(35nm) 7%、酒石酸 〇.l〇/0、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.5°/〇、四曱基氫氧化銨 〇 〇25%、 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液15’(3’）一 Zr02包覆的二氧化矽磨料 (Zr02-coated silica)(20nm) 7%、酒石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、水餘量、pIi=3 ; 對比拋光液15’(3) —Zr02包覆的二氧化石夕磨料(Zr〇2- coated silica)(20nm) 7%、酒石酸 〇·ι〇/0、peg200 0.2%、 BTA 0.2%、Η2〇2 0.5%、四曱基氣氧化銨〇 〇25〇/〇、水餘 量、ρΗ=3 ; 1338037 對比拋光液15’(4’）一氣相氧化鋁磨料（Fumed silica)(初始粒徑 i5nm) 7%、酒石酸 0.1%、pEG2〇〇 0.2〇/〇、BTA0.2%、H202 0.5%、水餘量、pH=3 ; 對比拋光液15，(4)-氣相氧化鋁磨料(Fumed siHca)(初 始粒徑 15nm) 7%、酒石酸 〇,i〇/0、pEG2〇〇 〇 2〇/〇、 0.2%、H202 0.5%、四甲基氫氧化銨〇 〇25%、水餘 ρΗ=3 ； 對比拋光液15(5’）一摻鋁氧化鋁磨料(45nm) 7%、酒 石酸 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.50/。、水餘 量、pH=3 ; ' 拋光液15(5)—摻紹二氡化石夕磨料(45nm) ?%、酒石 0.1%、PEG200 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.5%、四曱基氫 氧化鍵0.025%、水餘量、pH=3。 土 拋光材料：BD材料；拋光條件：lpsi，拋光盤轉速 70i*Pm ’ 拋光墊 P〇litex，拋光液流速 1〇〇mi/min，L h PM5 Polisher。 結果如圖7所示：在以摻鋁二氧化矽為磨料的拋光液 中加士活性物質後，低介電材料BD的拋光速率得到明顯 的提兩。而在其他一些磨料的拋光液中加入活性物質後， 低介電材料BD的拋光速率反而會有所下降。 實施例8 對比拋光液16’一摻铭二氧化石夕磨料(2〇nm) 1〇%、蕈 酸 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.3%、水餘量、pH=3 ; 拋光液16-摻鋁二氧化矽磨料（2〇nm) 1〇%、草酸 0.2。/。、BTA 0,2%、Η2〇2 〇·3%、四 丁基氫氡化銨 〇 〇1%、 1338037 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液17’一摻鋁二氧化矽磨料（5〇nm) 1〇%、草 酸 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.3%、水餘量、pH=3 ; 拋光液1 7 —摻铭二氧化石夕磨料（5〇nm) 1 〇%、草酸 0.2%、BTA 0.2%、H202 0.3%、四 丁基氫氧化銨 〇 〇1%、 水餘量、pH=3 ; 對比拋光液18’一摻鋁二氧化矽磨料（8〇nm) 1〇%、草 酸 0.2%、BTA 0.2%、H2O2 0.3%、水餘量、pH=3 ; 拋光液18-摻鋁二氧化矽磨料（8〇nm) 1〇%、草酸 0.2%、BTA 0.2%、H2〇2 0.3%、四 丁基氫氧化銨 〇 〇1〇/〇、 水餘量、pH=3。 拋光材料：BD材料；拋光條件：lpsi，拋光盤旋轉 速率為70rpm，拋光墊p〇ntex，拋光液流速100mi/min， Logitech PM5 Polisher。 結果如圖8所示：20〜80nm的摻鋁二氧化矽磨料都 適合於本發明，而且隨著磨料粒徑的增大，拋光速率上 升，因此大於80nm的摻鋁二氧化矽磨料也適合於本發 明。 ^本發明所使用的原料和試劑均為市售產品，而且摻鋁 一氧化碎磨料均指溶膠型摻鋁二氧化石夕磨料分散液。 、藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清 指，本㈣之特徵與精神，*並非以上述所揭露的較佳具 例來對本發明之料加以關。相反地，其範妓希望能涵蓋 ，改變及具相等性的安排於本發賴欲巾請之專利範圍的範 内。因此，本發騎申請之專概_範錢雜據上述的說 1338037 作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的 安排。

19 【圖式簡單說明】 率圖圖1為含有不同活性物質的拋光液拋光低介電材料的拋光速 響圖圖2為含有各種添加劑的拋光液對低介電材料拋光速率的影 圖3為活性物質的濃度對低介電材料拋光速率的影響圖。 圖4為不同的磨料濃度對低介電材料拋光速率的影響圖。 圖5為本發明的拋光液對不同低介電材料的拋光速率影樂 圖0 、〆曰 圖6為本發明的拋光液的pH對低介電材料的抛光速率景〈趣 圖0 、曰 圖7為不同磨料對低介電材料的拋光速率影響圖 圖8為磨料的粒徑對低介電材料的拋光速率影響圖。 【主要元件符號說明】

Claims (1)

1338037 十、申請專利範圍： • L 1、 一種拋光液’其係用於拋光低介電材料，該拋光液包含： 摻鋁二氧化矽磨料； 水；以及 分子量MW<500的小分子活性物質，該活性物質包含：氨水五 棚酸錢、酒石酸錄' 四甲基氩氧化敍、四丁基氫氧化錢及/或四丁 基四氟硼酸敍’該活性物質用量為重量百分比〇〇〇1〜〇5%。 2、 如申請專利細第1項所述之拋級，其巾該雜二氧切磨料的 濃度為重量百分比1〜2〇%。 3、 如申請專利範圍第丨或2項所述之拋光液，其中該摻鋁二氧化矽 料為溶膠型摻鋁二氧化矽分散液。 4、 如申凊專利範圍第3項所述之拋光液’其中該溶膠型摻鋁二氧化 分散液的pH值為2〜7。 5、 如申明專利範圍第3項所述之抛光液，其中該摻紹三氧化石夕磨料的 粒控是5〜500nm。 6、 如申請專利範圍第5項所述之拋光液，其巾該軸二氧切磨料的 粒徑是5〜10〇nm。 7、 如申請專利範圍第1或2項所述之拋光液，其中該拋光液的pH值為 2〜7 〇 8、 如申請專利朗第1或2項所述之拋統，進-步包含随劑、氣 化劑、速率増助劑及/或表面活性劑。 9、 如/請專職圍&或2項所述之拋紐，其巾該低介電材料係摻 %二氧化石夕。 21