TWI334381B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI334381B TWI334381B TW096139653A TW96139653A TWI334381B TW I334381 B TWI334381 B TW I334381B TW 096139653 A TW096139653 A TW 096139653A TW 96139653 A TW96139653 A TW 96139653A TW I334381 B TWI334381 B TW I334381B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- workpieces
- workpiece
- length
- wafers
- Prior art date
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 235000021384 green leafy vegetables Nutrition 0.000 claims 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000005068 cooling lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000010972 statistical evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035899 viability Effects 0.000 description 1
- 239000003232 water-soluble binding agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/042—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with blades or wires mounted in a reciprocating frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
1334381 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於利用多線鑛同時將至少兩個圓柱形工件切分成多 個晶圓的方法。 【先前技術】 多線鑛係例示性地用於在―加卫步驟中,同時將半導體材則例 如石夕)的圓柱形單晶或多晶卫件切分成多個晶圓。採用圓柱形半 導體材料(例如單晶棒)製造何體晶圓,對㈣切之方法有很 高的要求。㈣方法的之目的通f在於使得每—㈣出的半導體 晶圓具有兩個盡可能平整且彼此平行的表面。多線鑛的生產率對 於鑛切方法的經濟可行性亦非常重要。 ,為了提高生產率’已經提出將多個工件同時夾持在多線鑛中, 並在同-加工步驟中進行切割eUS6U9673描述同時切割彼此前 後同軸佈置之多個圓柱形工件的方法。其係使用傳統的多線鑛, 將夕個工件各自則έ接方式結合在㈣上,且該些丄件係以同轴 佈置的方式並以-特定間距固定在制的安裝板上將巧與安 裝板-同夾持在多線錯中並同時進行切割。因而產生多個晶圓 堆’且該些晶圓堆㈣固定於安裝板上,該些晶圓堆之數量係與 牛之數畺相對應。在切割之後,將隔板鬆散地放在晶圓堆之間 的間隙中’以防止各晶圓堆混淆。這―點非f重要,因為由不同 工件製成的晶圓通常會以;5;同的方式進行後續處理及/或工件具 有由曰a圓所要父付之客戶所指定的不同特性。因此,需要確保由 針對特定客戶或特定訂單之卫件所製㈣全部晶圓係—起經由後 6 1334381 續之加工,但係與其他工件所製成之晶圓分開地進行。 在各晶圓堆已經藉由隔板區分開之後’將安裝板浸入熱水池 中,使得經由鋸架而與安裝板連接之晶圓係懸掛在安裝板下方。 熱水溶解晶圓與鑛架之間的黏接劑,從而使晶圓分離並落入置於 池底的晶圓載具中。隨後,藉由先前放人之隔板將在晶圓載具中 的各晶圓堆彼此分隔開。 S 6119673中所公開之將各晶圓堆分隔開的方法具有如下缺 陷,即其無法避免晶圓堆侧傾(從us 6U9673之第8 (c)圖中 可以看出)’且切割後之非常銳利的邊緣會隨後斷裂。此外,該申 請中所述之隔板放置方法係非常困難,因為隔板必須插入不穩定 分隔開的晶圓堆之間,且晶圓堆在從上方“晶圓載具中時必須 保持其位置。如果在該過程中隔板與晶圓堆發生接觸,則晶圓可 能會從鋸架上脫落’從相對較高的位置落入晶圓载具中,因而造 成損壞或損毀。 US 6802928 B2描述另-種方法,即將具有相同橫截面的處設工 件以黏接方式結合到待切割卫件的端面上,隨卫件—起進行切 割’然後拋棄。這旨在防止所得晶圓於切割結束階段時,在工件 的兩端處散開’並因而改進晶圓的幾何形狀。該方法具有如下之 重大缺陷,即受到多線鑛尺寸限制的線排長度(卿㈣⑴的一 部分被用於切割「未利用的」虛設工件,因此無法用於實際製造 所欲晶圓。此外’虛設工件的供應 '搬運及黏接也非常複雜。此 兩因素導致該方法的經濟可行性大大降低。 此外,在US 6119673所述之方法中,在多線鑛中同時㈣多個 7
本發明係關於一第一方法’其利用一線排長度為Lg之多線鑛, 133*4381 工件,待切割工件由於其製造方式而在長度上具有很大的差異, 因此多線鋸的線排長度經常不能得到最佳地利用。尤其是當工件 係由單晶半導體材料構成時會產生此一問題,因為習知的拉晶製 程只允許使用晶體的某些可用長度,或者必需切割晶體並在晶體 的各個位置製造試樣,以控制拉晶製程。此外,通常在同一工廠 係為多個客戶製造具有不同特性(大部分已經由製造晶圓的晶體 所限定)的各種半導體晶圓,在該情況下需要滿足不同的交付期 限。 ’ 因此,本發明之一目的係提高多線鑛之可用線排長度的利用 率。本發明之另—目的係避免在插人隔板的過程中損壞晶圓,或 在晶圓與安裝板分離並單獨化㈣財損壞晶圓邊緣。 【發明内容】 同時將至少兩個圓柱形卫件切分成多個晶圓,包括如下步驟: ⑷從具有刊長度的工件庫存中選擇數量為n的工件,立 中n>2,以滿足不等式(1 ):
Lc>(n~\).Anin^Li ,.=丨 11); 同時使不等式(1)的右側之值盡 , _ ”甲Li表不所選工件 又1—1...Π) ’ Amin表示一預定之最小間距; ⑴將該η個騎沿,縱向依次蚊在板上, 工件間分別保持一間距Α,苴中 谷3亥 不等式⑺·· = 且所叙Α係滿足 8 ♦ (2); 1334381 (C)將其上固定有該些工件之該安裝板夾緊在該多線鋸 中:以及 (d) 利用該多線鋸,將該n個工件以垂直於其縱向軸線之 方式切分。 本發明亦關於-第二方法,其利用一多線鑛同時將至少兩個圓 柱形工件切分成多個晶圓,包括如下步騾: (a) 從具有不同長度的工件庫存中選擇數量為n的工件, 其中η22 ; (b) 將該η個工件沿縱向依次固定在一安裝板丨1上,且各 6玄工件間保持一間距; U)將其上固定有該些工件的該安裝板u夾緊於該多線錯 中; ⑷利用該多線鋸,將該n個工件以垂直於其縱向軸線之 方式切分,從而形成固定在該安裝板u上的η個晶圓堆(⑵、 122、123); (e) 將該些固定在安裝板11上的晶圓12放人-晶圓載具 13中’該晶圓載具13在遠離該安裝板n之晶圓周邊上的至少 兩個點處支撐各該晶圓12 ; (f) 將至少一分隔片15放入兩相鄰晶圓堆(12卜US、1^) 之間的各間隙中,且將該分隔片15固定在該晶圓載具^上; (g) 解除該晶圓12與該安裝板u間的結合;以及 (丨)自該晶圓載具13中依次移走該各個晶圓12。 【實施方式】 9 1334381 据摟本發明方法之較佳营施_样的柙彳 在該方法中,從具有不同長度的工件庫存中選擇工件,使得多 線鑛的線排長度1^得到最佳利用。由於這樣能夠更好地發揮多線 錯的能力,因此大大地提高了生產率。 在根據本發明方法中,係利用一傳統多線鑛。該些多線鑛的主 要部件包括-機H向供給裝置以及—㈣工具,該鑛切工 具係由一包括平行金屬線段的組合所構成。而工件通常係固定在 一女裝板上,並隨安裝板夾持在多線鑛中。 一般而言,多線鋸的金屬線排係由多個平行的金屬線段所形 成,該些金屬線段係夾持在至少兩個(亦可選擇三個、四個或更 多個)金屬線引導捲(guid請„s)之間,金屬線引導捲係以可以 旋轉之方式安裝,且至少—個金屬線引導捲係受到驅動。金屬線 段通常屬於單根之長度有㈣金屬線,且以螺旋形之方式引導該 金屬線圍繞該捲系統(1Ollsystem)並且從貯存捲將該金屬線展開 至接收捲上。「線排長度」係指在與金屬線引導捲的軸平行並且與 金屬線段垂直的方向上從第—個金屬線段到最後_個金屬線段所 測得的金屬線排長度。 在鑛切過程中,該前向供給裝置使得金屬線段及工件之間產生 方向相反的㈣運動。由於該前向供給運動,經施加鑛切懸浮液 之金屬線形成穿過工件的平行切槽^切懸浮液也稱為「敷料」, 其包含懸浮在液體中的例如碳化⑪等硬材料顆粒。也可以使用牢 固地黏結有硬㈣齡㈣^在這種㈣巾,不必使用鑛切懸 洋液,僅需要添加液態冷卻潤滑劑,其係用以保魏線及工件不 1334381 會過熱並同時將工件切屑帶離開切槽 圓柱形工件可由能藉由多線鋸進行加工的任何材料所構成例 如矽等多晶或單晶半導體材料。在材料為單晶矽的情況下,通常 藉由將基本圓柱形的單晶矽鋸切成長度從幾公分至幾十公分的晶 體片以製造工件。晶體片的最小長度約為5公分。工件(例如由 石夕構成的晶體片)之長度通常彼此差異很大,但具有相同的橫截 面。「圓柱形」並非表示工件必須具有圓形的橫截面,實際上,儘 管本發明較佳係應用於具有圓形橫截面的工件,但工件可以具有 任何類圓柱體的形狀。類圓柱體係指由具有封閉準曲線⑺〇如 出⑽curve)的圓柱面及兩個平行平面(即,圓柱體的端面) 包圍而成的形體。 步驟(a) 在根據本發明之第-方法的步驟(a) t,從較佳具有相同橫截 面之可用工件庫存中,選擇數量為n的工件,其中以。工件庫存 包含具有不同長度的多個工#,/ 件仁不排除存在具有相同長度的多 個工件。選擇適當工件以滿 /兩疋不4式(1)。即,所選工件i的長度 W每對制定之最小間距Amin (當將工件狀在安裝 板上時保持該間距)的總和不超過線排長。最小間距之值可 以自由地確A ’甚至可以為零’且較佳為接近零之值這是因為 再大的最小間距必定會導致多線鑛之線排長度的利用率較差。基 於此,從庫射觸工件叹得不料⑴的右狀值盡可能大, 進而在切割工件時能盡可能良好地利用線排長度。 較佳選擇適當工件以滿足如下不等式: 丄 W4381 1〇~(η^·Α + Σ^^^η (3) ι·=Ι J: tb T 一 &、 ’ Lmin表示一小於線排長度LG的預定最小長度。根據該實 知例,當選擇工件時上述長度不應該小於該最小長度。較佳以相 ;線排長度Lg之關係以確定最小長度Lmin,即使得Lmin$〇 7χ L〇,較佳使得Lm“0 75xLG,尤佳使得[‘ο紙、別 xLg、Lming 0.9xLG 或 Lming 〇.95xLG。
“由於通常可取得非常大量的X件庫存,較方便且較佳係利用電 ^進行工件選擇’電腦可獲取庫存中所有卫件的長度。例如,電 知可以與EDP支援的庫存#理系統㈣,在該庫存管理系統中記 錄著所有庫存的輸入輸出過程,以及工件的特性(長度及類型), 因此該系統在任何時候都可獲知當前庫存狀態。選擇讀的所有 規則係藉由-在電腦上運作之程式來執行。 步驟(b) 在步驟(b)中,將所選之η個工件沿縱向依次固定在安裝板上, 同時分別保持工件之間的間距八,其中^Amin,且所選之八係滿 足不等式(2)。因此,—古;gg 〇r. 方面,間距A必須至少與兩個工件之間 的就最小間相對應,另—方面,所選之間距A不應該大 至使得=件之長度Li#L間距A的總和超出線排長度心 中所述縱向依-人」並非一定意指將工件同軸佈置,此僅為 較佳者。實際上,卫件可以佈置成使其縱向軸線並不位於相同的 直線上。所述「依次」僅在表示如下事實,即,兩個相鄰圓柱形 工件的底面係(而非側面)彼此面對。 較佳地,工件不直接固定在安裝板上,而是先固定在所述之鑛 12 z S、鑛座上。通㊉工件係藉由點接結合之方式以固定在据架上。 較=之方式係將每個工件單獨地以黏接方式結合至本身相對應之 架上。然後,將其上固定有工件之鋸架以例如黏接結合方式或 螺紋方式,固定在安裝板上。 步驟(Ο和(d) 接著,在步驟⑴中將其上固Μ工件的安裝板,夾緊在多線 鋸中’在步驟(d)中沿著與工件縱向軸線實質上相垂直的方向, 將=件同時切分成晶®。由於在步驟(a)中料件所做出的選擇, 使^•夕線I®的線排長度得到最佳的利用因而增大了產量並提高 在根據本發明之第一方法的較佳實施例中,當在步驟⑷中選 擇工件時’係將為不同客戶所安排之交付期限亦列入考慮。在步 驟⑴中優先選擇該些交付期限安排得較早之可以用於製造晶圓 另外亦可設計成,當離交付期限的時間小於預定最短時間時, 無需絕對滿足步驟(a)中的不等式⑴。在該情況之下,滿足交 付期限之重要性係優先於線排長度的最佳化利用。 另-較佳的選擇包括,首先選擇履行交付期限最早之仍未處理 的訂单所需的工件。然後選擇其他適當工件,以盡可能以最佳的 方式利用線排長度。 …工件庫存係藉由例如以垂直於晶體的縱向軸線將晶 體切分成至少兩個長度為Li的工件(添加至庫存中)之方式而製 造。工件的長度不應超出步驟⑷中所用之多線鑛的線排長度 lg。在根據本發明之第一方 ㈣較佳實施财,當以圓柱形 曲量所P 已經考慮到各個訂單中為晶圓的輕 中。—如疋=值參數「勉曲量」係定義於SEMI標準MM105 量最 。纟戶的母個訂單都指定了晶圓所不應超出的魅曲 各個客戶以及各個訂單來說,其各自之最大值並 旦於〜因t勢必存在㈣量指定值較容易滿足的訂單及魅曲 =值k嚴可的訂早^具體而言,為了在履行尤其較嚴苛訂單 夺亦滿足訂單之指定值,根據該較佳實施例,將分配給-具有 -輕曲里最大值之訂單的晶體切分成盡可能長駐件。在該情況 下’工件的長度一及步驟⑷中所用之多線鑛的線排長度Lg較 佳滿足如下關係:1^/2<1^<1^。 。參照直徑為_毫米之石夕晶圓的例子,第1圖表示出輕曲量的 平均值及其分佈與所切成之晶體片長度的關聯方式。圖中的左側 表不由長度為25G毫米或更小之晶體片所製造的第—批共 個曰曰圓的統計結果。翹曲量的平均值為25·5微米,標準差為微 米。圖中的右側表示由長度為345毫米或更大之晶體片所製造的 第二批共33,128個晶圓的統計結果。在該情況中,翹曲量的平均 值僅為23.3微米,標準差為7 3微米。採用更長的工件所製成的 晶圓,其特徵在於平均而言具有更小的翹曲量,而不必將虛設工 件以黏接方式結合在工件的端面上9因此,在藉由切割晶體以製 造工件時,確保最大的工件長度係有利的,尤其是對於翹曲量指 定值較苛刻的訂單。 如果對全部訂單都應用該規則,最終結果是在步驟(a)中進行 1334381 選=後,將有太多長度較大的工件添加到庫存中,而可以在㈣ 一 定在共用安裝板上並在步驟⑷中以單 -=步驟切分成晶圓的1件太少。儘管此種措施可以改 但是同時亦無法再最佳地利用多賴的能。祀 據該貫施例,分配給-具有高趣曲量最大值 Γ的晶體Γ分成相對較短的工件。這些工件的長度Li及步 中所使用之多線崎排長度Lg較佳滿足如下關係
對於魅曲量指定值並麵苛刻的訂單,沒有必要製造盡可能長的 工件、。同時,該措施能確保總是具有足夠數量的短巧,這些工 件可以在步驟(a)中與用於勉曲量指定值較苛狀訂單的長 相組合,並可在後續步驟中與這些長工件—起處理,以便最佳地 利用多線鋸的線排長度。 因此’該實施例能為輕曲量指定值較苛刻的訂單製造出盆幾何 參數「_量」之窄分佈處於相龍㈣水準的多個㈣。同時, 刻意避免改進其他訂單的翹曲量,以便最佳地利用多_的線排 長度。 發明之圭實施熊檨的描诚 下面將、’.α ό第2圖至第12圖以詳細地說明根據本發明之第二方 法。 與US 6119673中所述的方法相比,本發明係利用可以牢固地固 定於晶圓載具丨3上的分w ι5以確保能避免混淆,分隔片料 步驟(。中較佳以側向之方式插入晶圓堆(121、122、123)之 間,然後固定在晶圓載具13上^可視需要對如此穩定的晶圓堆 15 1334381 (121 ' 122、123)進行清潔。隨後解除晶圓12與安裝板n之間 的結合,同時分隔片15支撑晶圓堆(12卜122、123)以避免側 傾。 該方法避免由不同工件所製成及針對不同訂單的晶圓i 2出現混 雜或混淆之㈣。此外,在步驟(g)及⑴_可以可靠地保護晶 ® 12的aa圓堆(;12卜122、123) ’以避免側傾及因而對敏感之晶 圓邊緣所造成的損壞。 步驟(a)至(d) 在v驟(a ) t從工件庫存中選擇至少兩個工件。較佳按照本 七月之第彳:巾所述的方式進行選擇m兄下,選擇步驟 U)中的間隔Amin’以使得該間隔至少與分隔片15的厚度對應, ^可視需要的加上隔板17的厚度(如果使用了此種隔板),以使 V刀隔片15可以插入该間隙中。步驟⑻至(d)亦較佳按照本 發明之第一方法中所述的方式進行。 步驟(e) 在/驟⑴巾,將固定在安裝板^上的晶圓放入晶圓載具 。Λ曰日圓載>、13在遠離安裝板之晶圓周邊上的至少兩個點處 支撐各。玄曰曰圓12(第2圖晶圓載具13例如設計成如下之構造, I7攸下方支撐明圓12周邊的多根圓柱棒131 (第2圖中示出四 根棒的構造,且只能丢& # 有至丨其中兩根)。棒131的端部由兩個板狀端 件132保持在一起。#圓 曰曰固載具13例如可設計成使得安裝板π可 以放在端件132的上媿。 細棒131較佳包括根據DE 10210021 Α1所 形槽以特定間隔,圍繞側面延伸。第3圖示出 1334381 經切分的晶圓12已放入安裝板u中,並位於晶圓堆(⑵、i22、 123)之間的狀態。在圖示實施例中,晶圓12並非直接與安裝板 11相連,而是與對應於晶圓堆(121、122、123)的鑛架(⑷、 142、143)相連。 步驟(f) 在步驟(f)(參見第3圖)中,將分隔片15分別放入晶圓堆 (121、122、123)中每兩晶圓堆之間的每一間隙中。分隔片μ (參見第12圖)係設計為能以如下方式固定在晶圓載具上, 即1 曰曰圓堆(m、122、123)受側向支撐。舉例來說,分隔片15 設計成當使用圖示載具13_,分隔片15的_端可藉由至少一個 連接裝置151與晶圓載具13的棒131相連。舉例來說,如圖所示, 連接裝置⑸之結構亦可設計為可夾緊在棒131上_狀彈性夹 持連接件H亦可設計出完全不同的連接裝置,例如利用螺 紋式炎持件料㈣定。無論為何種情況,分隔片15的形狀應適 應曰曰圓載具13的形狀’分隔片15的形狀不受任何特定之限制。 然而,為能有效地側向支撐晶圓堆〇21、122、123),分隔片U 在豎直方向上較佳係相對較大(「豎直」係指分隔片15與晶圓載 〃 13相連的狀態)。分隔片15較佳由幾何形狀敎且可經受溫声 變化(例如’在步驟(g)中)以及化學接觸(例如,在 中)之材料構成。 § 步驟(g) 在步驟(g)中解除晶圓12與安裝板U之間的結 4音A V 口仕園不較 a列中,將晶圓載具13置於裝有液體的池16中 τ 具中晶圓 1334381 12係經由锅架(14ι、142、143)固定在安裝板11上,如第4圖 所示。該液體使得晶圓12與鋸架(14卜142、143)之間的黏接 劑溶解。在黏接劑為水溶性黏接劑的情況下,液體係為水,較佳 為熱水。接著移走帶有鋸架(141、142、143)的安裝板U (第5 圖)’並從池16中移走晶圓載具13。晶圓堆(12卜丨22、123)中 的晶圓12至此由棒131從下面支撐,並由分隔片15側向固定。 • 此能避免晶圓12側傾以及晶圓邊緣斷裂。同時,分隔片15界定 • 從不同工件所產生的晶圓堆(121、122、123)之間的邊界。因此 可以避免在該方法的後續步驟中混雜或混淆從不同工件所產生的 -晶圓12。 - 非必要的步驟(h) 在步驟(g )及(1 )之間,較佳執行一非必要的步驟(h),在該 步驟中,除了固定的分隔片15之外,將至少—個隔板17放入晶 圓12之晶圓堆(121、122、123)中的任兩相鄰晶圓堆之間的間 审中隔板17與曰曰圓12不同,其係自由地豐立在晶圓載具13的 棒131上,而沒有固定於棒131上。隔板17結構較佳設計成:可 以稽由感測器183自動地與晶圓12區分開(第^圖)。除了圓形 β刀171之外’帛6圖所示之隔板17的實施例還包括另一部分 17 2 ’該部们7 2 #出圓形面之外且可被感測$ i 8 3所識別。但是 亦可设計為藉由隔板17的材料特性來識別隔板。 隔板17較佳由幾何形狀穩定並且可經受溫度變化和化學接觸的 材料構成。 步驟(〇 18 在步驟(i)中,利用例如真 一移走晶《M2。為包括敌置⑻從晶圓載具13中逐 的至少-個端件", 曰曰圓所需的側向入口,晶圓載具13 直〜取:包括一合適的開口(例如,登直槽口 ), …工及取裝置181可以益山分β日 選 3由該開口,側向移動到晶圓12上。另- 、擇為’至〉、—個端件13 上部係可以取走,第6、7a及第^成㈣分,在該態樣中,其 年弟6 7®及第1G_圖示纽種情況。可以 乎動或者杈佳如第7圖中 时所不藉由自動機械182以執行逐-取走 :、呆作(第7圖)。在從晶圓载具13中取走晶圓12之後, 2可直接送往後續處理,例如清潔,或者先置於盒子中。在 取走晶圓12的過程中,利用分隔片15(或者利用在非必要的步驟 中所安裝_板17)可容易地識別晶圓堆(⑵、122、123) ^的邊界’且利用將由不同工件所製成的晶圓η,分開進行後 續處理或存儲而保存。 藉由自動機械182自動地逐一取走晶圓12的情況下(第7、8、 9、U圖),利用伸出圓形面171之外的部分m (第,圖 中所示出的隔板17可以藉由感測器182幸交容易地識別。較佳之情 況為,隔板π同樣由自動機械182利用真空吸取裝置i8i取走,. 並且將a曰圓12勿開保存。與第—晶圓堆⑵的晶目η相類似, 取走下日日圓堆(122、123)的晶圓12 (第8、9圖),並例如分 別放入其他的盒子中。第1G圖示出完全空的晶圓載具Η,其中分 隔片15係固定在棒ι31上。 【圖式簡單說明】 第1圖係圖示出由不同長度之工件所製成之晶圓的幾何參數「赵 19 ^54381 曲量」的統計評價結果。 第2圖係圖示出—帶有多個晶圓堆的安裝板,該安裝板係在根 據本發明之第二方法的步鄉(e)中,將其從上方放人晶圓載具中 (係關於晶圓之側視圖)。 第3圓係圖示出已放入晶圓載具中之帶有多個晶圓堆的安裝板 及分隔片在根據本發明之第二方法之步驟⑴中的應用。 第4圖係圖示出第3圖之設置’其係在根據本發明的第二種方 法的步驟(g)中’將第3圖之設置浸人裝有液體的池中,以便解 除晶圓與安裝板之間的結合。 第5圖係從晶圓載具所支#的晶圓堆上移走安裝板之示意圖。 第6圆係圖示出隔板。 從晶圓載具 第7圖係在根據本發明之第二方法的步驟⑴中 中逐一移走晶圓之示意圖。 第8及9圖係從晶圓载具中移走隔板之示意圖。 第1〇圖係圖示出其上固定有隔板的空晶圓載具。 "圖係攸B曰圓載具中移走隔板之示意圖,該圖係與第7圖相 對應,但係以晶圓的正視圖示出。 Α ϋ係圖不出根據本發明之分隔片的實施例以及晶圓載具的 兩根棒子,分隔片係安裝於棒上。 【主要元件符號說明】 11 安裝板 12 ^1,122,123 晶圓堆 13 131 棒 132 晶圓 晶圓载具 端件 20 1334381 141,142,143 鋸架 15 分隔片 151 連接裝置 16 池 17 隔板 171 圓形部分 172 另一部分 181 真空吸取裝置 182 自動機械 183 感測器 21
Claims (1)
- 、申請專利範圍: -種利用線排長度(ganglength)為Lc的多線鑛同時將至少 兩個圓柱形卫件切分成多個晶圓的方法,包括如下步驟: (〇從具有不同長度的工件庫存中選擇數量為η的工 件,其中ng 2,以滿足不等式(1广 ( 1 ); 同時使不等式(1)的右側之值盡可能大,其巾U 〇 = Ln)表示所選卫件的長度,表示—預定之最小間距; (b)將6亥n個工件沿縱向依次固定在一安裝板上,且各 該工件間分別保持-間距Α ’其中々A-,且所選之Α係 滿足不等式(2): LG>(n-\).A ^Li (2); ⑴將其上固定有軸卫件之該安裝板线在該多線鑛 中;以及 將該η個工件以垂直於其縱向軸線 (d)利用該多線鋸 之方式切分。 如請求項1之方法,其中進行步驟(a)以滿足不等式⑴: 1ΰ-{η~λ)·Α + Ρ^^π (3); 其中,Lmin表示一小於該線排長度一的預定最小長度。 如1求項2之方法,其中Lmi以為。 :长項1至3中任-項之方法’其巾在步驟⑴中較佳選 =付期限安排得較早之可用於製造晶圓的工件。 2未項4之方法,其中當距交付期限的時間小於預定最短 時3時’則無需絕對滿足步驟(a)中的不等式⑴。 6.如μ求項4之方法,其巾在任何航下,首先選擇為履行交 付期限最早之未處理訂單所需的工件,然後選擇使不等式⑴ 右側之值盡可能大的其他工件。 月长項1至3中任—項之方法,其中利用電腦進行步驟(a) 之工件選擇’該電腦可獲取該庫存中所有工件的長度。 々《月求項1至3巾任—項之方法,其巾該卫件庫耗自圓柱 形晶體庫存加以製造,以垂直於晶體之縱向軸線的方式,將 每一該晶㈣分成至少兩個長度為Lj的玉件,且該些工件之 長度Li係不大於步驟⑷中所用之多線㈣線排長度^, 其中各該晶體係分配給—個或多個訂單,且指定每一訂翠中 之晶圓的翹曲量所不能超出的最大值,其中: —在一情況(1)中,將分配給一具有低翹曲量最大值 之訂單的晶體,切分成盡可能長的工件;以及 在一情況(2)中,將分配給一具有高翹曲量最大值 之汀單的晶體,切分成相對較短的工件。 9.如請求項8之方法,其中關係Lg/2<i^Lg適用於該情況⑴ 中的工件長度L,。 ίο.如请求項8之方法,其中關係Li<W2適用於該情況⑺中 的工件長度Lj。 U.—種利用多線鑛同時將至少兩個圓柱形工件切分成多個晶圓 的方法,包括如下步驟·· (a)從具有不同長度的工件庫存中選擇數量為n的工 件’其中n$2 ; 23 1334381的位置以識別該晶圓堆(121、!22、 該晶圓堆(121、122、123)的晶圓 堆(121 ' 122、123)的晶 fSW η、 、123)間的邊界,且每一圓堆(12卜122、 (b) 將該η個工件沿縱向依次固定在一安裝板(u)上, 且各該工件間保持一間距; (c) 將其上固定有該些工件的該安裝板(丨丨)夾緊於該 多線鋸中; (d )利用該多線鋸,將該n個工件以垂直於其縱向軸線 之方式切分,從而形成固定在該安裝板(11)上的η個晶圓 堆(121、122、123); (0將該些固定在該安裝板(η )上的晶圓(丨2)放入 一晶圓載具(13)中,該晶圓載具(13)在遠離該安裝板(11) 之晶圓周邊上的至少兩個點處支撐各該晶圓(12); (f) 將至少一分隔片(15)放入兩相鄰晶圓堆(121、 122、123)之間的各間隙中,且將該分隔片(15)固定在該 晶圓載具(13)上; (g) 解除該晶圓(12)與該安裝板(間的結合;以 0自该晶圓載具(13 )中依次移走該各個晶圓(丨2 )。 如叫求項11之方法,其中在步驟〇)尹係利用該分隔片(15) 在該步驟(h)中,除了該固定於兩相鄰晶 123 )間之間隙中的分隔片(15 )以外,在 24 1334381 各該間隙中,放入至少一分隔板〇7),其尹該分隔板(π) 不同於該些晶圓(12)且並未固定於該晶圓載具(13)上。 Μ·如請求項丨3之方法,其中在步驟(i)中,係藉由該分隔板(17) 的位置以識別該些晶圓堆(121、122、123)間的邊界,且每 一該晶圓堆(121、122、123)的晶圓(12)係與其他該些晶 圓堆(12卜122、123)的晶圓(12)分開進行後續加工。25
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006050330A DE102006050330B4 (de) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | Verfahren zum gleichzeitigen Auftrennen von wenigstens zwei zylindrischen Werkstücken in eine Vielzahl von Scheiben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200819271A TW200819271A (en) | 2008-05-01 |
TWI334381B true TWI334381B (zh) | 2010-12-11 |
Family
ID=39264591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096139653A TW200819271A (en) | 2006-10-25 | 2007-10-23 | Method for simultaneously slicing at least two cylindrical workpieces into a multiplicity of wafers |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7766724B2 (zh) |
JP (2) | JP5041961B2 (zh) |
KR (1) | KR100885006B1 (zh) |
CN (1) | CN101168270B (zh) |
DE (1) | DE102006050330B4 (zh) |
SG (1) | SG142212A1 (zh) |
TW (1) | TW200819271A (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101524875B (zh) * | 2008-06-27 | 2011-09-14 | 河南鸿昌电子有限公司 | 切割机多线切割碲化铋的工艺 |
DE102008051673B4 (de) | 2008-10-15 | 2014-04-03 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen Auftrennen eines Verbundstabs aus Silicium in eine Vielzahl von Scheiben |
CN101474832B (zh) * | 2009-01-24 | 2015-03-18 | 无锡市奥曼特科技有限公司 | 一种硅棒夹具的放置结构 |
DE102010007459B4 (de) | 2010-02-10 | 2012-01-19 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial |
DE102011005949B4 (de) * | 2011-03-23 | 2012-10-31 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück |
DE102011078614B4 (de) | 2011-07-04 | 2019-06-27 | Siltronic Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Zwischenspeichern einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
DE102012209974B4 (de) | 2012-06-14 | 2018-02-15 | Siltronic Ag | Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück |
US10252357B2 (en) * | 2012-12-04 | 2019-04-09 | Meyer Burger Ag | Wire management system |
CN105216127B (zh) * | 2015-08-28 | 2017-07-07 | 厦门钨业股份有限公司 | 多线切割方法及多线切割机 |
CN112297253B (zh) * | 2020-10-16 | 2022-05-06 | 胜牌石材(泉州)有限公司 | 一种石材表面加工流水线及加工方法 |
JP7441779B2 (ja) * | 2020-12-14 | 2024-03-01 | クアーズテック徳山株式会社 | 被加工物の切断方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6151375U (zh) * | 1984-09-07 | 1986-04-07 | ||
JPS6361145U (zh) * | 1986-10-13 | 1988-04-22 | ||
JPH067245U (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-28 | 信越ポリマー株式会社 | キャリアテープを巻き取ったリールのベーキング処理用ラック |
US5715806A (en) * | 1994-12-15 | 1998-02-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multi-wire saw device for slicing a semi-conductor ingot into wafers with a cassette for housing wafers sliced therefrom, and slicing method using the same |
EP1287958A1 (en) * | 1996-03-26 | 2003-03-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Wire saw and method of slicing a cylindrical workpiece |
US5937844A (en) * | 1996-03-26 | 1999-08-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for slicing cylindrical workpieces by varying slurry conditions and wire feed rate during slicing |
JP3173564B2 (ja) * | 1996-06-04 | 2001-06-04 | 株式会社東京精密 | ワイヤソー |
JP3839102B2 (ja) | 1996-08-20 | 2006-11-01 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP3810170B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2006-08-16 | 信越半導体株式会社 | ワイヤーソーによるワークの切断方法およびワイヤーソー |
JPH10249701A (ja) | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | インゴットのワイヤソー切断方法及び装置 |
JP3716556B2 (ja) | 1997-06-10 | 2005-11-16 | 株式会社東京精密 | マルチ切断ワイヤソーのウェーハ回収方法 |
JP3716555B2 (ja) | 1997-06-10 | 2005-11-16 | 株式会社東京精密 | マルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法 |
JPH1142636A (ja) * | 1997-07-29 | 1999-02-16 | Olympus Optical Co Ltd | ウエハー解除方法 |
JP4022672B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2007-12-19 | 株式会社東京精密 | スライスベース剥離装置 |
US6119673A (en) * | 1998-12-02 | 2000-09-19 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer retrieval method in multiple slicing wire saw |
AU2000251024A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Memc Electronic Materials S.P.A. | Wire saw and process for slicing multiple semiconductor ingots |
DE10210021A1 (de) * | 2002-03-07 | 2002-08-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben durch Abtrennen der Halbleiterscheiben von mindestens einem Kristallstück |
US6802928B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-10-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method for cutting hard and brittle material |
US6889684B2 (en) * | 2002-11-06 | 2005-05-10 | Seh America, Inc. | Apparatus, system and method for cutting a crystal ingot |
CH696807A5 (fr) * | 2003-01-13 | 2007-12-14 | Hct Shaping Systems S A | Dispositif de sciage par fil. |
CN2678862Y (zh) * | 2004-03-15 | 2005-02-16 | 占志斌 | 一种用于切割硬脆材料的金刚石线锯 |
WO2005095076A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Solaicx, Inc. | Method and apparatus for cutting ultra thin silicon wafers |
JP2005297156A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | ワイヤソー |
JP4083152B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2008-04-30 | 日本碍子株式会社 | ワイヤーソー装置 |
-
2006
- 2006-10-25 DE DE102006050330A patent/DE102006050330B4/de active Active
-
2007
- 2007-08-15 SG SG200705968-6A patent/SG142212A1/en unknown
- 2007-09-29 CN CN2007101532710A patent/CN101168270B/zh active Active
- 2007-10-23 TW TW096139653A patent/TW200819271A/zh unknown
- 2007-10-25 KR KR1020070107687A patent/KR100885006B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-25 US US11/923,722 patent/US7766724B2/en active Active
- 2007-10-25 JP JP2007277509A patent/JP5041961B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2012048088A patent/JP5458128B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101168270A (zh) | 2008-04-30 |
KR100885006B1 (ko) | 2009-02-20 |
TW200819271A (en) | 2008-05-01 |
CN101168270B (zh) | 2011-09-14 |
DE102006050330A1 (de) | 2008-05-08 |
SG142212A1 (en) | 2008-05-28 |
DE102006050330B4 (de) | 2009-10-22 |
JP2012109622A (ja) | 2012-06-07 |
US7766724B2 (en) | 2010-08-03 |
JP5041961B2 (ja) | 2012-10-03 |
KR20080037570A (ko) | 2008-04-30 |
JP5458128B2 (ja) | 2014-04-02 |
US20080099006A1 (en) | 2008-05-01 |
JP2008135730A (ja) | 2008-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI334381B (zh) | ||
US8261730B2 (en) | In-situ wafer processing system and method | |
Barkov et al. | Direct observation of hydrides formation in cavity-grade niobium | |
TWI429523B (zh) | 將半導體材料複合棒同時切割為多個晶圓之方法 | |
CN103909584B8 (zh) | 用于分割硅块的系统和方法 | |
CN109414774A (zh) | 在意外中断后恢复工件的线锯切过程的方法和设备 | |
CN104364884A (zh) | 切割装置以及切割方法 | |
TW201240003A (en) | Process condition measuring device (PCMD) and method for measuring process conditions in a workpiece processing tool configured to process production workpieces | |
JP2012229997A (ja) | 薄切片試料作製装置 | |
US6832606B2 (en) | Wire saw and cutting method thereof | |
TWI529047B (zh) | 從圓柱體工件同時切割多個晶圓的方法 | |
TWI598201B (zh) | 無樑式晶錠切割 | |
KR20190051064A (ko) | 지립 및 그의 평가 방법 그리고 웨이퍼의 제조 방법 | |
CN114179237B (zh) | 一种断线处理方法 | |
JP5769681B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
JP2013086233A (ja) | ワイヤーソー装置および該装置に用いられるワークプレート | |
JP5054044B2 (ja) | 薄膜超電導線材の製造方法 | |
TW201707905A (zh) | 切出產品的製造方法及切出產品的製造計畫系統 | |
CN100587937C (zh) | 太阳能电池用的硅片处理方法 | |
KR101428585B1 (ko) | 와이어 소를 이용한 반도체 웨이퍼 절단 방법 및 장치 | |
JP2001259991A (ja) | ワイヤソー用ワイヤ | |
Park et al. | Correlation of wafer surface defects with wire sawing parameters | |
CN105849872A (zh) | 切片方法 | |
KR20120014514A (ko) | 와이어 공구 | |
JP2012109346A (ja) | 半導体基板の製造方法 |