TWI332076B - - Google Patents
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1332076
九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 的端部檢 本發明係關於一種以光學式檢查基板之端 查裝置之校正方法。 之日 本申請案係根據於2006年6月27曰在曰本申含主 本特願2006-176298苹Φ. , 口月 «旎主張優先榷,在此沿用1 【先前技術】 〃 * 於夕曰曰圓荨基板中,形成在外周邊緣部的狹長 縫(⑽k)、缺損或研磨損傷之類的缺陷係因強度降 對基板的品f造成影m,於基板之製程中,係進Γ 檢查是否在基㈣成有如上所料缺陷。以進行如上所: =查的端部檢查裝置而言,係已提出—種例如在 的鏡面配置光吸收構件’使作為正反射光之低次元繞 光吸收構件,並且利用設在第2焦點位置的光檢測 ㈣進行檢測因端部缺陷錢反射的高次元繞射光的裝置 (例如參照專利文獻D。在如上所述之端部檢查裝置中,當 在基板端料成有㈣時,照射在基板端料檢查光會乳 反射’而由f檢測部予以檢測。因此,可利用光檢測部藉 礼反射之问久元繞射光的強度來檢測出基板端部有無缺 此外#已提出-種端部檢查裝置係具有用以拍攝基 板端部的攝影手段’而且根據所取得的畫像#料辨識在端 部所形成的缺陷,以評估所辨識之缺陷的大小及位置。 (專利文獻1)日本專利特開2003·287412號公報 319333 5 〜厶υ/ο 【發明内容】 •(發明所欲解決之課題) 然而’根據專利立虐 ‘在端部的缺陷的查裝置,藉由因形成 .的位置、形狀、尺::產生之繞射光的強度不僅依缺陷 Λ. % ^ ^ 寸而異,亦依由發光部所照射之檢查光 的強度、絲方向及焦點位置而異。 ^地,若檢測部的設置位置偏移,則所檢測之反射 又亦會不同。因此,為了獲得穩定的檢測結果,必 成旦為對於在發光部或檢測部等中所檢測之強度造 成衫曰的純值者進行校正,而經常將檢查條件設為一定。 卜應辨識之缺陷的形狀及尺寸係、依基板的種類等 抑’因此當基板的種類改變時’為了正確辨識所對應的 須對由發光部所照射之檢查光的強度或檢測部的 k敏度等特性值進行校正,㈣成最適檢查條件。 料’於具有攝影手段且根據晝像資料評估形成在端 _傷的端部檢查裝置中亦相同地必須對成為對照明強 二生攝衫手段之光軸方向、設置位置及焦點位置等晝像資 枓绝成影響之特性值者進行校正。 。本發明係鑑於上述情形所研創者,其課題在於提供一 種可以最適而且一定的檢查條件檢查以光學式檢查基 部之端部檢查裝置的端部檢查裝置之校正方法。 (用以解決課題之手段) 為了解決上述課題’本發明係採用以下手段。 亦即,本發明之端部檢查裝置之校正方法係具備:對 3J9333 6 〜乙u/t) -基板之女而部照射檢查光的發光部;以及用以檢測在 =被檢查基板之前述端部反射之反射光之光學特性的檢 而且根據由前述檢測部所檢測出之前述反射光的前 =光干4性,進行檢測在前述被檢查基板之前述端部所產 生之缺陷的端部檢查裝置之校正方法,其特徵為具備:擬 似缺陷形成步驟,在成為基準之校正用基板的端部,以周 方向形成以使厚度方向之位置、形狀、尺寸之中之至少】 個分別彼此相異的方式設定的複數個擬似缺陷;檢測步 驟,對前述各擬似缺陷之各個照射前述檢查光,且藉由前 述檢測部檢測前述反射光之前述光學特性;以及調整步 騾丄根據由前述各擬似缺陷之各個所檢測出的前述反射光 之剛述光學特性,進行前述端部檢查裝置的校正。 根據上述端部檢查裝置之校正方法,於檢測步驟中, 由發光部對複數個擬似缺陷之各個照射檢查光’且以檢測 部檢測其反射光之光學特性。結果可得與擬似缺陷之厚度 方,的位置 '形狀、尺寸的變化相對應的複數個檢測結果。 接著,在調整步驟中,係掌握該等擬似缺陷與作為相對應 之檢測結果的反射光之光學特性的關係,而且將前述檢測 結果及預定值相比較,藉此進行端部檢查裝置的校正。此 時,各擬似缺陷係於擬似缺陷形成步驟中,以成為預定之 厚度方向的位置、形狀、尺寸的方式形成,藉此可經常以 一定條件進行端部檢查裝置的校正。而且,使用使厚度方 ,的位置、形狀、尺寸等各條件改變的擬似缺陷進行校:, 藉此可貧際上對在被檢查基板之端部所產生之前述各條件 3]9333 7 !332〇76 '為不同的各種缺陷設定最適檢查條件。处 •測結果。 ,、Ό果可侍穩定的檢 . 在前述擬似缺陷形成步驟中,亦 •之前诚艰处R义4 將則逃各擬似缺陷 之厚产^向的^尺寸設為一定’而且以前述校正用基板 .辻严:古。、中心為基準而在其兩側以-定的位移量使前 予5向的位置位移’藉此形成前述各擬似缺陷。 ^日Τ ’於擬似缺陷形成步驟中, 八# 形成位詈相I Μ > 稭由&者厚度方向 > 4::! 缺陷,於調整步驟中,即使為 化者厗度方向而改變各擬 卩使為 等檢測結果與預定值相比較,以進亦可藉由將該 部檢杳梦晉〇痒士aA 订权正。結果可調整端 I子双一忒置之厚度方向的特性值 或檢測部等之π w π ρ ώ u ;度方向之發光部 Η等之5又置位置的偏移、或光轴方向 年,各擬似缺陷係以厚度方向、 -定位移量位移。藉由如上所示二m其兩側以 淮;—Θ 配置可以其中心Λ其 ^置評估端部檢㈣置之厚度方向的特性值。〜 在剛述擬似缺陷形成步驟中, 之前述厚度方向的位置及前述形狀設==似缺陷 的變化量或變化率使前述尺寸 ^一疋 缺陷。 文猎此形成則述各擬似 此時,於擬似缺陷形成步驟 異之複數個擬㈣陷,於曰^成尺寸彼此相 尺寸改變時的檢測处果^?驟令,將使各擬似缺陷之 正。因此,可對於預定尺寸的 错口進订杈 結果的方式對端部檢查裝置、^獲得一定之檢測 進仃杈正。此時,各擬似缺陷 319333 8 1332076 以一定的變化量或變化率使尺寸改變的方式進行設定, 错此可定量評估端部檢查裝置之特性值及各擬似缺陷之尺 .‘寸的關係。 ' 4述端部檢查裝置之前述檢測部係用以檢測前述反射 •光之強度作為前述光學特性的光感測器,在前述調整步驟 中係將在前述檢測步驟中所檢測到之前述各擬似缺陷中 的箚述反射光的強度與預定值相比較,藉此調整對前述反 射光之強度造成影響之前述發光部及前述檢測部的特性 •值。 此¥,於檢測步驟中,對各擬似缺陷照射檢查光,且 利用作為檢測部之光感測器檢測出其反射光的強度。接 著,在前述調整步驟中,藉由將來自厚度方向之位置、形 狀、尺寸之中至少i個彼此不同的各擬似缺陷之反射光的 強度與預定值相比較,來調整對所檢測之反射光的強度造 成影響的發光部及檢測部的特性值(例如發光部之設置位 拳置、光軸方向、所照射之檢查光的強度或者焦點位置)、檢 ’貝J。卩之n又置位置或靈敏度等,以進行端部檢查裝置的校 正。結果,當存在預定條件之擬似缺陷時,可檢測出與其 相對應之一定的反射光強度。㈣,根據所檢測之反射光 的強度,可正確地檢測出在被檢查基板之端部所產生的缺 陷。 前述端部檢查裝i之前述檢測部係將由前述發光部所 照射的前述檢查光作為照明光而對前述基板之前述端部進 行攝影的攝影機,在前述調整步驟中,係分別彼此比較在 319333 9 W松測步驟中由前述檢測 形成有前述各擬似缺陷之部分之前述晝像資料中 之前述晝像資料造成影 旦素數,以調整對所取得 性值。 β之則4發光部及前述檢測部的特 此時,在檢測步驟中,係f 且藉由作為檢測部之攝影機對开^似缺陷照明檢查光, 板的端部進行攝影而取得書像資;有^似缺陷之校正用基 係將包含厚度方向之位置:形二接:,在調整步驟中, 相里的夂松/ 狀、尺寸之中至少1個彼此 的晝素數相=ί之晝:象資料之中辨識為擬似缺陷之部分 之發光部及檢利=^之晝像㈣造成影響 以相對應之-定的書預定條件之擬似缺陷中, 辨識為缺陷之部分:查辛:出擬似缺陷。亦即,可根據 之端部所產生的:::素數’正確地檢測出⑽ f !前述調整步驟中’係根據在前述檢測步驟中所檢測 ,—:述各擬似缺陷中之前述反射光的前述光學特性,來 决疋别遠被檢查基板之前述端部合格與否的基準值。 /此時’在檢測步驟中,可檢測出來自厚度方向之位置、 瓜狀尺寸之中至少!個彼此相異之擬似缺陷的反射光之 光學特性’在調整步驟中,則可將各擬似缺陷之反射光之 光學特性與預定值相比較,而定量評估各擬似缺陷之厚度 方向之位置、形狀、尺寸及反射光之光學特性的關係。結 319333 1332076 ^ ·果,右根據該等關係及所要求的檢測精度,來決定成為合 •格與否《基準的反射光之光學特性的基準值,料根據該 ··基準值而正確地檢測出厚度方向之位置 '形狀、尺寸超過 、.一定基準的缺陷。 (發明之效果) 根據本發明,在擬似缺陷形成步驟中形成複數個各種 條件的擬似缺陷,在檢測步驟中檢測出該等擬似缺陷,此 外根據其檢測結果,在調整步驟中進行端部檢查裝置之校 正,藉此可將端部檢查裝置以經常以最適且一定之檢查條 件進行檢查的方式予以校正。 —” 【實施方式】 第1圖至第9圖係顯示本發明之端部檢查裴置之 方法之第1實施形態。
I先’根據第i圖及第2圖,說明本實施形態之端部 ::裝置卜如第i圖及第2圖所示,端部檢查裝置W 丰^查在破檢查基板w(例如大致呈圓板狀的矽晶圓或 圓等)之端部W1有無產生缺陷的裝置,係具有: 兄發光部3及作為檢測部之光感測器4。 产杳Λ Γ兄2係在内側2&具有鏡面孔,且形成有可將被 =^ W插入頂點部2C的缺口 2d。被檢查基板W係藉 田禾圖示的支捭a
的周方^ Q 以了碇轉的方式固定在被檢查基板W 焦點位置並且配置成使端部W1位於糖圓鏡2之第1 發光部3係具備 發出作為檢查光之同調光(coherent 319333 1332076 .對所照射 .的焦光手段6。光源5例如為雷射光,更 口光學作用 •雷射或半導體雷射等。隹#/尺砰而吕之,為fie-Ne .照射範圍的透鏡。本6係用以集中同調光C之 第1隹點仿罟Λ 只e Ί、之發光部3係以照射配置在 光軸CI與橢圓鏡2之E ^尤其以使其 亦丰Μ在隹^相—致的方式予以調整。隹 先手奴係集中由光源5所照射的同調井Γ,处里 、、 被檢查基板w的端部W1賦予沿著厚度方向τ隼:中::: 而:向S集中為較短之照射範圍的方式予=長 先感測器4係用以檢測由發光部3所照射之同調光c 二 =在被檢查基板w的端部wi反射的反射 光學特性者,由例如井-搞興,u 尤一極體(ph〇t〇di〇de)所構 形態的光感測器4係以可檢測出反射❹之中在橢圓鏡; 反射而在擴圓鏡2之第2焦點位置B聚光的反射光D的方 式予以調整。此外,在橢圓鏡2之内側2 a之平行於包含長 轴L之被檢查基板w之厚度方向τ的面與橢圓鏡2㈣ 的交線上,係設有作為具有預定寬度而予以黏附之遮蔽帶 (masking tape)的遮光手段7。在被檢查基板w之端部wi 反射的反射光D之中之到達遮光手段7的反射光D並不會 反射而到達光感測器4,而會被遮光手段7吸收。 亦即’於第1圖及第2圖所示之端部檢查裝置1中, 若被檢查基板W的端部W1未存在缺陷而呈正常狀態,由 發光部3照射的同調光C會在配置在第1焦點位置a的端 部W1正反射。因此,該反射光D係成為低次元的繞射光 319333 12 1332076 =、而大部分被遮光手段7吸收,因此並未由光感測器4 ^測出。另一方面,當被檢查基板w的端部W1存在缺陷 呀同凋光C會因缺陷而亂反射。亦即,該反射光D係作 2高次元的繞射光D2而在橢圓鏡2的鏡面2b反射而到達 第2焦點位置b,而由光感測器4檢測。目此,根據本實 施形態之端部檢查裝置i,藉由由光感測器4所檢測出之 反射光D的強度’可進行檢測有無缺陷、甚至缺陷的特性 值’亦即被檢查基板W中之厚度方向的位置、形狀、尺寸 但疋,由光感測器4所檢測之反射光D的強度不僅取 決於缺陷之特性值,亦取決於構成端部檢查裝置ι之發光 部3及光感測器4的特性值。亦即,於發光部3中,由於 光源5之„又置位置、光軸C1的方向及所照射之同調光^ 的強度、由焦光手段6所得之焦點位置不㈤,而使由光感 測益4所檢測之反射光〇的強度不同。 哭
4所檢測之反射光d的強谇女a丄 J ^ )強度,亦會由於偏移光感測器4相 :於第2焦點位置B的設置位置的偏移而不同。再 夺双測出之反射光D之強唐的卜ρρ枯κ她由 器4的靈敏度而不同,而|法精度’亦會依光感測 於端部檢杳裝置!中,為;、二行強度測定。因此, 為了正確檢測出被檢查基板w 有無㈣及其特性值,必須以使作為構成要素^ ==感測器4的特性值恒為最適且為-定條件的方 =权正。以下詳細說明端部檢查裝置I之發光部3及 先感測器4之校正方法。 丨J及 319333 13 叫2076 : 第3圖係顯示校正端部檢查裝置1之各步驟的流程 :°如该第3圖所示,首先,於擬似缺陷形成步驟以中, 預先備妥之杈正用基板M形成預定的擬似缺陷卩。 •校正用基板Μ最好為具有與成為對象之被檢查基板 =同厚度之大致呈圓板狀的構件,且以與被檢查基板w :二枯質為更佳。此外’最好施行與被檢查基板w之端部 1相同的端部處理。亦即,如第4圖所示,已施行端部 W之权正用基板Μ的端部M1 t ’其剖面形狀具有:盘 =面奶及下面M3呈大致正交的端面M4;以及由端面 上下朝向上面M2及下面M3之各面形成為大致圓弧 狀的上斜面(beVeI)M5及下斜面M6,而且 而形成為大致對稱。 又刀门1 擬似缺陷F係以前視時具有大致.圓形的凹部,藉由照 YAG雷射或二氧化碳雷射的雷射加m用基板Μ ,端部M1而形成。如第5圖所示,在本實施形態中,係 猎由調整雷射加工的輸出,而形成具有使直徑如直徑3“ m、50Am、70/zm、知㈣般每次改變心历而成之不同 尺寸的擬似缺陷^2、仏?4。此外,於校正用基錢 ,部M1中,按每個由與厚度方向τ之中心相一致的位 Μ7以及由位置Μ7以上下分別位移位移量ν的位置 M8、、M9,__w^f1、F2、f3、f4^_〇2』 擬似缺P: F。此外’該等擬似缺陷F係以形成在端部Ml =未圖示的凹口(notch)為基準,而以沿著周方向s彼此呈 令角度間隔的方式排列。其中,形成擬似缺陷F的方法並 319333 14 1332076 ,非侷限於上述之雷射加工 (drin)進行鑽孔。此外, 蚵如藉由超音波鑽機 .·選擇。 上述尺寸僅為一例,可適時進行 . 接著進㈣3騎以檢測㈣S7 1 .所不,將校正用基板M固定在 1*先,如弟!圖 部⑷配置在第^焦點位置a。=不之支持台,藉此使端 之任何擬似缺陷F位在第i焦:::使形成在端部M1 基板Μ朝月# θ e > '、、 置A的方式,使校正用 =朝周方向S旋轉。接著,將同調 朝向第1焦點位置A照射(步 知尤" m = 度(步驟S22)。按各位W、 厚度方心七、?4進行該步驟,按每一 光'位置及尺寸為不同的擬似缺陷1",取得反射 0強度作為相對應的檢測結果。 此時,如第6圖所示,私# q 鏡2…η ㈣丁纟先的光軸Cl係與橢圓 :2的長軸L’亦即校正用基板m的中心㈣相一致,此 ,可對端部Ml辈月厚度方向τ整體照射同調光c。於如 上所不的條件(以下稱為基準條件)中,若擬似缺陷F的尺 寸及形狀相等,則即使擬似缺陷?的形成位置不同而分別 為Μ7 Μ8 ' Μ9 ’同調光C亦於各擬似缺陷F中以大致一 定的強度亂反射。因此’如第9圖所示,無關於厚度方向 Τ的位置,而擬似缺陷F的形狀及尺寸均為相等時,係顯 不由光感測器4所檢測之反射光D的強度為大致相等的 值。另一方面,當發光部3之光軸C1的方向沿著厚度方 向T偏移,或者發光部3的設置位置沿著厚度方向τ偏移 319333 35 1332076 ;τ " 端部Μ1的照射位置會沿著厚度方向 丁偏私,而使所檢測出的強度不同。 向 於以下之說明中,所上田且.住从/ •所得之反射光的強度。::=係指於前述預定條件令 的方向偏移,而由厚度方圖所示’當光轴C1 •以形成在中心⑽更為上方的上方照射同調光〇時,係 _ 、、上方之位置的擬似缺陷F與農 準值進行比較,而檢測出古 ^ 件符號另一方面,::=?光D(於第9圖中元 在形成在中心M10更為下方之位 置_的擬似缺陷F中,係與基準值進行比較,而檢挪出 低強度的反射光D(於第9圖中元件符號Fu)。此外,如第 8圖所示,當由厚度方向丁的下方照射同調光C時亦同樣 ,宜以形成在中心M10更為上方之位置M8的擬似缺陷F ,、基準值進行比較,而檢測出低強度的反射光D,另一方 面’以形成在中心M1G更為下方之位置M9的擬似缺陷ρ 與基準值進行比較,而檢測出高強度的反射光d。此外, 备由發光部3之焦光手段6所得之焦點位置發生偏移,且 在端部Mi之中,僅照射厚度方向τ之一部分時,亦獲得 不同的檢測結果。此外,當光感測器4由第2焦點位置β 偏移時,檢測結果亦依設置位置是由第2焦點位置Β朝厚 度方向Τ的上方、下方的哪一方偏移而不同。 亦即,如第3圖所示,以調整步驟S3而言,首先, 如上所述,進行比較以各擬似缺陷F所檢測出之反射光D 的強度。接著,如第9圖所示,假設例如於各位置M7、 M8、M9中,以形狀及尺寸大致相等的擬似缺陷以所檢測 319333 16 1332076 i=2D:r?預定值不同’而且所檢測出的結果 〜 。此時,係進行比較該等檢測結杲 =(步驟S31)’假設未獲得大致相等的結果,即調整發 .部;:==之厚度方…特性值,亦即於發: 為h原5之厚度方向了之設置位置及光 =焦光手段㈣焦點位置,此外,於光感測器4中的: :設置位置等。接著,再次反覆檢測步驟S2 口口正v驟S3。亦即,同樣地,將厚度方向τ的位 :且形狀及尺寸大致相等之擬似缺陷F的檢測結果盘預二 相比較而進行調整。反覆該等步驟 向:位置而呈大致相等形狀及尺寸之各擬似 獲付:、預定值大致相等之檢測結杲時,即結束校正 始進行檢查被檢查基板w(步驟S4)。 汗 〃如上所示,可藉由將厚度方向T的位置不同之擬 陷F的檢測結果與預定值相比較,以調整 之 =5其之光轴C1的方向及設置位置、焦光手段 至光感測器4的設置位置等端部檢 度方向T的特性之值的偏移,以獲得一定 = =正。此時,擬似缺陷〜設定成以厚度=的 〇為基準而在兩側以一定的位移量此 可將端部檢查裝置1之厚度方向了的特性值, 麗為基準進枝量評估來進行調整。其巾,於上 係形成為舆t心M1M目-致的位置M7、 置 刚、_的3個形態(pattern)’但可藉由沿著厚二= 319333 17 1332076 將挺似缺陷Μ形成位置更加 '測結果而進行調整。 可更加正確評估檢 此外’於上述申,係說明將位 ,擬似缺陷F的檢測結果,度方向Τ不同之 裝置1之厚戶# θ τ 、 相比較,以調整端部檢查 •例如,如第值的情形处^ 驟SM 將厚度方 不,亦可於調整步驟幻的步 擬似缺陷FI、F:、F3 、:置及形狀相同、尺寸不同的 3 F4的檢測結杲盘 當為如上所述之情步瞎,在—果/、預疋值相比較。
的& γ± ,、°進行比較其與使擬似缺陷F 測結果的預定值的差異,而以利用預定 尺寸的擬似缺陷F獲得一定之 、疋 袷杏#罢1 + 、j、、、σ果的方式來校正端部 仏—裝置i。此時,該等擬似缺陷F係設定成尺寸 的變化量(例如20 # m)改變,萨此可—θ F晉! 丄/ 疋量評估對端部檢查 二置k反射光D之強度造成影響之特性值及擬似缺陷f ^寸的關係。此外’如上所示’藉由獲得擬似缺陷F之 =及所檢測出之反射光D之強度的相關關係,在實際上 仏查被檢查基板W時,可根據所檢測出之反射光d的強 度來確認在被檢查基板w之端部W1所產生之缺陷大小。 此外’當預先決定作為檢查目的之缺陷的大小時,係以可 適當測定相對應之反射光D的強度的方式難光感測哭4 的靈敏度,而且,亦可調整由發光部3所照射之同調光c 的強度。其中,於本實施形態中,雖以直經作為進行改變 的尺寸為例,但亦可使深度改變。 此外,於上述中,擬似缺陷F係形成為當為前視時呈 319333 18 大致圓形之大致相等的形狀 例如_或細長裂缝狀之形二::二而:可設定成 =文!::+進行比較其與反射先D之強度的關係,藉此 端部檢查裝置1進行校正。亦即’使用使厚 . 形狀尺寸等各條件改變之各種條件的 擬似缺陷F來進行校正,社 w ^ ^ 頌此可對於實際上在被檢查基板 W之端部W1所產生的前 汉 合1木件為不同的各種缺陷設定 取適檢查條件。蚌罢崔 ° 又f穩疋的檢測結果。此外,例如 虽以複數個端部檢杳裝置1 π 士 —哀置1冋牯檢查大量基板時,係可將 咸置間之檢查精度統―,而有效率地進行檢查。 此外,由於可定量評估擬似缺陷F之厚度方向τ之位 則亦可根據該基準值而正確 形狀或尺寸超過一定基準的
Li:t、尺寸及反射光D之強度的關係’因此若根據該 相係及所要求的檢測精度,來衫成為合格與否之基準 的反射光D之強度的基準值-.‘ 地檢測出厚度方向T之位置 缺陷。 (第2實施形態) 第10圖至帛13目係顯示本發明之端部檢查裝置之校 正方法之第2實施形態。於該實施形態中,對於與在前述 第二實施形態中所使用的構件共通的構件係標註相同的元 件符號,且省略其說明。 如第10圖所示,本實施形態之端部檢查裝置2〇係星 備··作為用以檢測被檢查基板冒之端部W1之缺陷的檢測 部而對端部W1進行攝影的2台攝影機21、22 ;以及對於 319333 19 丄 以攝影機2卜2 2進行攝影的端部w ι照射照明光(檢查光、 而作為發光部的複數個照明光源叫…、咖、23c、咖:
Li2二攝:機2卜22係使該等之光軸21a、22a相對於 .查基板W之厚度方向丁之中心軸”以側視分別以大 -夂相寺的傾斜角Θ朝卜下顧i ^ •护 季月下傾斜而設置。傾斜角度Θ雖可適 ’但疋於本實施形態中係設定為例如35度。接著, 對於端部W1以可放大顴疚、VL芏 大咸祭/°者其厚度方向丁的整體,而 且放大硯祭沿著周方向S之缺陷箄 影範圚。if 心寺之主脰像的程度設定攝 =複數個照明光源23更詳而言之係以咖所形成 令面發光源。在本實施形態中, 與摭μ w …、d尤源23係由.於各攝 ^ 的前方使照射方向與各光轴2la、22e_致 而》又的第1照明光源23a、23 W之中心軸23相一致而對端二=與破檢查基板 照明光源23c;由被檢杳其 订❿射的第2 明的第3照明光/端部w 1的上下進行照 此可以均句的明么命 。…、明先源所構成,藉 體。冗度照明被檢查基板w之㈣W1的 光方式,而且介π β 士 乃Μ非限於LED的面發 置。而且亦可適時選擇照明光源23的設置台數及位 攝如機21、22係分別與控制部2 制部24輸入所拍 相連接,可對於控 第仙圖為其—作為畫像資料°第以圖、 , J係利用位在上方的攝影機21對k 用基板Μ的端部M 7攝❼機21對奴正 像資料P。$ η Δ 〜,輸入至控制部24的書 弟UA圖係對第5圖所示之位置刚的擬似缺 319333 20 !332076 Κ二 )達订攝影者,第11β®係對第5圖所示 之位置Μ7的擬似缺陷^打亩僻Qn 、Α ^ Μ(直徑90#叫進行攝影者。攝影 斜傾斜角〜5度)而進行攝影,因此位於 fM8,亦即位於校正用基板Μ之厚度方向丁上方的擬 似缺陷F係確認在晝像的大 Α/Γ7 士》 Τ 力万面,位於位置 :;,=於校正用基极Μ之厚度方向…心的擬似
::::係確認在晝像的下側。此外,位於位置Μ9,亦即 並未被拍攝。 -方向Τ而位於下方的擬似缺陷F 機22第進:第Γ為其一例,物 圖^+ 至控制部24的晝像資料?。第以 Π弟5圖所示之位置Μ7的擬似缺㈣(直徑 第咖圖係對第5圖所示之位置刚的擬似 傾L 9〇㈣進行攝影者。攝影機22係朝下方傾斜 於’,角以35度)而進行攝影,因此位於位置M7,亦即位 在=用基板Μ之厚度方向τ之中心的擬似缺陷F係確認 =象的上側。另-方面’位於位置_’亦即位於校正 土反Μ之厚度方向τ下方的擬似缺陷f係確認在晝像的 =中心。此外’位於位置_,亦即沿著校正用基板Μ 之厗度方向Τ而位於上方的擬似缺❹並未被拍攝。 在該端部檢查裝置2G中,係使用2台攝影機2】、22 ^下對权正用基板M的端部Μι進行攝影,因此可跨及 =度方向T之整體而抑制歪斜,取得具有良好對比的書像 正確拳握缺陷的形狀。在本實施形態中,由於具備複數 3J9333 21 1332076 個照明光源23 ’尤其具備照射方向與攝影機2ι、22之光 .二2U、瓜相一致的第1照明光源23a、23b,因此可獲 :更為良好的對比。此外,攝影機2卜由於分別以傾斜 .β大致相等地傾斜,因此若缺陷的形狀、尺寸相等’則 .位置Μ7的擬似缺陷F分職射在晝像的位置雖然並不相 同’但疋辨識為形狀及尺寸為相同。此外,以攝影機h :拍攝到之位置Μ8的擬似缺陷F、及以攝影機η所拍攝 1之位置M9的擬似缺陷F係辨識出於形狀及 心位置為相同。接著,如第11A圖至f 12二所;像 控制部24係辨識具有與根據所取得之 到的被檢查基❹之端部W1不同對比的部 ,且檢測出範圍尺的晝素數,藉此可檢測 甚至可檢測出缺陷之厚度方向T的位置、形狀、尺寸 在如上所述之端部檢查裝置2〇中,當攝影機ΜU =各Μ位置或各光軸21a、22a的方向偏移時 由攝,2二 狀。此外,變得無法藉 /機22的靈敏度或照明光源23之照明光 將缺陷作為與其周圍的對比而進行檢測。然而 ' 形態中亦同樣地’以擬似缺陷形成步驟、:: =圖所示之校正用基板M,而以檢測步㈣::作 縣按母-擬似缺陷F進行攝影,且根據所 ^ 料P進行檢測與擬似缺陷”目對應 二象貧 如第U圖及第Π圖所示,以調整步驟’例如 比較由中—下⑽—定―二似^ 319333 22 :進行_藉“於上方的攝影 狀m μ姐 〜機22而在位置Μ7所拍攝到的同形 .Γ二:缺陷·ί2Α·或者,進行比較, •由位於上方的攝影機21而在 敔猎 F(m Π Δ 牡徂置M8所拍攝到的擬似缺陷 =nA圖)、以及藉由位於下方的攝影機22而在 所拍攝到的同形狀、阁p斗 i M9 著,以…t 擬似缺陷F(第12B圖)。接 者 以使該專之書辛:i^· j日望ΑΑ 士 j 之;相寺的方式進行端部檢查裝置20 :,D <特性值的調整’藉此以可拍攝正確的書像 而才双測出缺陷的方式對端部檢查裝置2 ;象 此可級m 士度整照明光的強度,藉 _ 最適對比的晝像。此外,由於可定量呼 估擬似缺陷F之厚户方& T AA , f 之查去叙认 方向T的位置、形狀、尺寸及所檢測 係,而且若根據該等關係與所要求的檢測精 二4t疋成為合格與否之基準的晝素數之基準值,則亦 ^該基準值而正確地檢測出厚度方向丁之位置、形狀 或尺寸超過一定基準的缺陷。 =上係參照圖示詳述本發明之各實施形態,但具體構 匕、1侷限於該等實施形態’而亦包含未脫離本發明之要 曰之範圍的設計改變等。 每α於調整步驟中進行調整的對象而言,於第1 4开〜中—係'以端部檢查裝置1之發光部3及光感測器 :例於第2貫施形態中,則係以攝影機21、^及照明 、源23為例,但並非侷限於該等例子。於第1實施形態中, 319333 23
疋的檢查條件檢查以光學 置的端部檢查裝置之校正 1332076 2反射光D之強度造成影響的特性值,則除此以外亦 二:由相同的校正方法進行校正。於第2實施形態中亦相 地’若為對所檢測之晝素數造成影響的特性值,即可進 :=。此外,以端部檢查裝置而言,於第!實施形態中 0用以檢測反射光0的強度者為例,於第
==攝影,得晝像者為例,但並非-I 對讀查隸W之端部W1照射檢 &測在端部W1反射之反射光的光學特性,且據 此可檢測出端部W1有無缺陷等者,即可 整對所檢測之反射光的光學特性造成影料特性值,= 行校正。 (產業利用可能性) 可提供一種可利用最適且一 式檢查基板之端部的端部檢查裝 方法。 【圖式簡單說明】 —第1圖係適用本發明之端部檢查I置之校正方法之 貫施形態之端部損傷檢查裝置之側剖視圖。 第2圖係該端部損傷檢查裝置之平剖視圖。 第3圖係顯示第1實施形態中之校正方法的流程圖。 、第4圖係第1實施形態中之校正用基板之端部的放大
圖係將該校正用基板之一 部分予以放大的正視 319333 24 1332076 弟6圖係對該校正用基板照射同調光時之說明圖 f 7圖係對該校正用基板照射㈣料之說明圖 第8圖係對該校正用基板照射同調光時之說明圖 蜊到 第9圖係顯示第1實施形態中之擬似缺陷及所檢 之反射光的強度之關係的曲線圖。
第10圖係適周本發明之端部檢查裝置之校正方法 第2實施形態之端部損傷檢查裝置之側剖視目。J
第11A圖係顯示於第2實施形態中所拍攝到之晝像的 第11B圖係、顯示於第2實施形態中所拍攝到之 說明圖。 旦Ί豕的 第12A圖係顯示於第2實施形態中所拍攝到之查 坑明圖。 、 ^第12B圖係顯示於第2實施形態中所拍攝到之書像的 說明圖。 —
【主要元件符號說明】 1、20 端部檢查裝晉 2 2a 橢圓鏡2的内側 2b 2c 橢圓鏡2的頂點部 2d 橢圓鏡2的缺口 3 4 光感測器(檢測部) 5 光源 6 7 遮光手段 21、22 23 、 23a 、23b、23c、23d、 23e 橢圓鏡 橢圓鏡2的鏡面 發光部 焦光手段 攝影機(檢測部) 照明光源(檢測部) 319333 25
• 24 • B Cl -D1 .E F、FI M 控制部 A 第2焦點位置β C 光軸 D 低次元的繞射光 D2 晝像資料 F2 、 F3 、 F4 擬似缺陷 校正用基板 第1焦點位置 同調光(檢查光) 反射光 高次元的繞射光 才义正用基板M的端部
Ml M2 M4 M6 M10 S51 52 T W1 端面 M5 下斜面 中心
M7、M8 P 被檢查基板W的周方向 擬似缺陷形成步驟 下面 上斜面 、Μ9 位置 晝像資料 檢測步驟 S3 厚度方向 τ W 端部 調整步驟 被檢查基板 319333 26
Claims (1)
1332076 第96121106號專利申請案 七、申請專利範圍: (Μ6"曰) •:種端部檢查裝置之校正方法’該端部檢查裝置係具 備:發光部’對被檢查基板之端部照射檢查光;以及檢 測部’用以檢測在前述被檢查基板之前述端部反射之反 射光之光學特性,而且根據由前述檢測部所檢測出之前 述反射光的前述光學雜,對前述被檢查基板之前述端 部所產生之缺陷進行檢測|,其特徵為該校正方法且 備: … 擬似缺陷形成步驟,在成為基準之校正用基板的端 部’以周方向形成以使厚度方向之位置、形狀、尺寸之 中之至J 1個分別彼此相異的方式設定的複數個擬似 陷; "制㈣’對前述各擬似缺陷之各個照射前述檢查 光,且藉由前述檢測部檢測前述反射光之前述光 性;以及 調整步驟’根據由前述各擬似缺陷之各個所檢測出 的前述反射光之前述光學特性,進行前述料檢 的校正; 一AS 在前述調整步驟中,係根據在前述檢測步驟中所檢 測出之前述各擬似缺陷中之前述反射光的前述 性’來決定前述被檢查基板之前述端部之合格與否的基 準值。 土 2.如申請專利範圍第!項之端部檢查裝置之校正方法,其 中,在前述擬似缺陷形成步驟中,係將前述各擬似缺陷 319333修正版 27 丄川〇76 第96121106號專利申請案 (99年6月28曰) 】述升/狀及如述尺寸設為一定,而且以前述校正用基 板=厚度方向的中心為基準而在其兩側以一定的位移量 使月J述厚度方向的位置位移,藉此形成前述各 3. 如申請專利範圍第i項之端部檢錢置之校正方法,其 中二在前職似缺陷形成步射,係將前述各擬似缺陷 ^前述厚度方向的位置及前述形狀設為一定,而且以一 疋的文化1或變化率使前述尺寸改變,藉此形成前述各 擬似缺陷。 4. 如申f、專利範圍¥ 1項之端部檢查裝置之校正方法,其 中月)述端。Η双查裝置之前述檢測部係用以檢測前述反 射光之強度作為前述光學特性的光感測器, 在前述調整步驟中,係將在前述檢測步驟中所檢測 出之前述各擬似缺陷中的前述反射光之強度與預定值 相比較’藉此調_前述反射光之強度造成影響之前述 發光部及前述檢測部的特性值。 • 如申請專利範圍帛(項之端部檢查裳置之校正方法,盆 中別述端部檢查裝置之前述檢測部係將由前述 =射的前述檢查光作為照明光而對前述基板之“ 缟部進行攝影的攝影機, 在前述調好財,❹職此比較在前述檢列牛 驟中由前述檢測部所拍攝到之前述晝像資料中之开 =前述各擬似缺陷之部分的畫素數,以調整對所取得 =值畫像資料造成影響之前述發光部及前述檢測部的 319333修正版 28
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JP5060808B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-10-31 | オリンパス株式会社 | 外観検査装置 |
JP2011519735A (ja) | 2008-04-21 | 2011-07-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 研磨中に基板縁部の厚さを測定する方法および装置 |
JP4358889B1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-11-04 | 日本エレクトロセンサリデバイス株式会社 | ウエーハ欠陥検査装置 |
JP5210823B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2013-06-12 | Hoya株式会社 | 光走査型内視鏡、光走査型内視鏡プロセッサ、および光走査型内視鏡装置 |
US20110317003A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-29 | Porat Roy | Method and system for edge inspection using a tilted illumination |
CN102435616B (zh) * | 2011-09-08 | 2014-02-05 | 上海华力微电子有限公司 | 一种新型晶边检测仪稳定性的监控方法 |
CN102519985A (zh) * | 2011-11-15 | 2012-06-27 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种基于结构光的服务器主板物料上件快速检验方法 |
DE102012101301B4 (de) | 2012-02-17 | 2014-11-06 | Kocos Automation Gmbh | Vorrichtung zur berührungslosen Kantenprofilbestimmung an einem dünnen scheibenförmigen Objekt |
KR20160040044A (ko) * | 2014-10-02 | 2016-04-12 | 삼성전자주식회사 | 패널 검사장치 및 검사방법 |
JP6788089B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2020-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN110726733A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-01-24 | 湖南讯目科技有限公司 | 一种板材边缘缺陷检测装置、系统和方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3052219B2 (ja) * | 1991-12-06 | 2000-06-12 | 三井精機工業株式会社 | 配線用スパイラルチューブの巻き付け方法と装置 |
JP2999712B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2000-01-17 | 住友金属工業株式会社 | 端部欠陥検査方法とその装置 |
US5898491A (en) * | 1997-03-28 | 1999-04-27 | Hitachi Electronics Engineering Co. Ltd. | Surface defect test method and surface defect tester |
JPH10325713A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-12-08 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 表面欠陥検査方法および検査装置 |
JP3425590B2 (ja) * | 1998-06-04 | 2003-07-14 | 三菱住友シリコン株式会社 | 端部傷検査方法およびその装置 |
JP2000046537A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-18 | Kobe Steel Ltd | 欠陥検査装置 |
DE69800756T2 (de) * | 1998-10-15 | 2001-08-09 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fuer Halbleitermaterialien Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren, Überwachung und Charakterisierung von Kantendefekten in Halbleiterscheiben |
US6411378B1 (en) * | 2000-01-24 | 2002-06-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mask, structures, and method for calibration of patterned defect inspections |
US6704102B2 (en) * | 2001-02-06 | 2004-03-09 | Metronics, Inc. | Calibration artifact and method of using the same |
JP3936220B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-06-27 | 株式会社レイテックス | 端部傷検査装置 |
US7280200B2 (en) * | 2003-07-18 | 2007-10-09 | Ade Corporation | Detection of a wafer edge using collimated light |
JP4341549B2 (ja) | 2004-12-24 | 2009-10-07 | 沖電気工業株式会社 | 媒体処理装置及び媒体の補充に用いる収納箱 |
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