TWI322137B

TWI322137B -

Info

Publication number: TWI322137B
Application number: TW094118018A
Authority: TW
Inventors: Taishin Shimooka; Naoya Hayakawa
Original assignee: Central Glass Co Ltd
Priority date: 2004-06-02
Filing date: 2005-06-01
Publication date: 2010-03-21
Also published as: WO2005118500A1; KR20070009992A; TW200602281A

Description

1322137 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係有關，作爲電漿顯示裝置、液晶顯示面板、電激發光面板、螢光顯示面板、電激彩色發光面板、發光二極體顯示面板、氣體放電式顯示面板等所代表的電子材料基板用的絕緣性被膜材料及密封材料所使用的低熔點玻璃0

【先前技術】隨著近年電子零件的發達，開發電漿顯示裝置、液晶顯示面板、電激發光面板、螢光顯示面板、電激彩色發光面板、發光二極體顯示面板、氣體放電式顯示面板等多種類的顯示面板》其中亦注目於電漿顯示面板（以下稱爲 PDP)爲薄型且大型的平皮型彩色顯示裝置。於PDP，顯示

面板所使用的前面基板與背面基板之間有多數的晶胞，該晶胞中由電漿放電形成畫像。該晶胞以隔間壁形成區畫，爲控制形成畫像之各畫素的顯示狀態，於各畫素單元形成電極。該電漿顯示面板的前面玻璃板，形成電漿放電的電極，電極多數使用細線狀的銀。該電極的周圍配置高透明絕緣材料。此絕緣材料係電漿耐久性優，且透明者爲理想。因此，絕緣材料以使用介電質玻璃爲多。又該介電質玻璃’由於在步驟上當然要求使用比作爲基體的玻璃板的熔點低的低熔點玻璃。但是，向來的低熔點介電質玻璃係以450〜600°C之低 -4- (2) 1322137 溫燒結，介電質玻璃與匯流電極的銀反應介電質玻璃產生黃著色（變黃）現象，不能得到高穿透率的大問題。

有關該變黃，由調整玻璃成分解決的種種公知技術存在。已有揭示以Si〇2、Al2〇3等爲必要成分，例如，限制 PbO與CuO的含量，由Cu防止銀的擴散之電漿顯示用材料（例如參閱專利文獻1 )，C u 0以外更添加S r 0得到同樣結果，限制BaO + SrO + MgO的含量的電漿顯示用材料（例如參閱專利文獻2) ’限制BaO + CaO + BiO含量的電漿顯示用材料（例如參閱專利文獻3)，限制Si02、B203 ' ZnO、BaO、 Ah〇3含量的的電漿顯示用材料（例如參閱專利文獻4)。專利文獻1:日本特開2001-52621號公報專利文獻2:日本特開2001-80934號公報專利文獻3:日本特開號2001-48577公報專利文獻4:日本特開號2003-226549公報【發明內容】〔發明之揭示〕向來的介電質玻璃（絕緣材料），由該玻璃與銀電極反應介電質層產生黃色的著色現象（變黃），可視光穿透率有下降的問題。對該變黃難於對應，又，不能對應市場希望的水準。又’向來低熔點玻璃，例如被覆基板用低熔點玻璃採用鉛系的玻璃。鉛成分爲玻璃低熔點的重要成分，對環境的弊害大，近年有避免採用其之趨勢，以PDP爲始之電子 -5- (3) 材料檢討無鉛化。即，日本特開2001-52621號公報、日本特開2001-80934號公報、日本特開號2001-48577公報，確認對變黃有不錯的改良，含鉛爲其基本問題。又，日本特開200 3-2265 49號公報，不含鉛對變黃有不錯的改良，含有與給同樣對環境立場避免採用趨勢的鉍。因此，本發明的目的爲提供抑制因銀反應的變黃，且可視光穿透率高的無鉛低熔點玻璃。依本發明的第1特徵，係提供具有透明性，含有以含重量％表示，Si02 爲 7~20、B2〇3 爲 32~50、ZnO 爲 25 〜42、 R2〇(Li2〇 + Na20 + K2O)爲 7~20、RO(Mg Ο + C a Ο + S rO + B a Ο ) 爲 0~10、CuO 爲 0·1~2之 Si02-B2〇3-ZnO-R20-CuO系無鉛低熔點玻璃。依本發明的第2特徵，係提供具有透明絕緣性，含有以重量％表示，5丨02爲11〜20、B2〇3爲45〜65、ZnO爲10~20 、R2〇(Li20 + Na20 + K20)爲 1〇~18、CuO 爲 0.1~2 之 Si02-B203-Zn0-R2O-CuO系無鉛低熔點玻璃。 [用以實施發明之最佳型態] 由本發明’可得到以電漿顯示面板爲代表之電子基板材料’可抑制因銀反應的變黃，且可視光穿透率高的無鉛低熔點玻璃組成物。又’由於實質上不含PbO，對人體或環境皆無影響。此處，實質上不含PbO係意味PbO以玻璃原料之雜質混入 •6- (8) 1322137 此等係使用上述低熔點玻璃之電子材料用基板亦可。由使用上述低熔點玻璃可作爲抑制變黃之PDP用面板。以本發明的第1及第2玻璃作爲對應因與銀的反應的變黃現象之低熔點玻璃爲理想，其使用對象不限定於銀電極周圍的絕緣材料。

又，本發明的無鉛低熔點玻璃（第1及第2玻璃）例如亦可使用於PDP用玻璃的前面板或背面板。使用作爲背面板時，作爲密封材料、被覆材料使用，以粉末化後使用爲多。該粉末化之玻璃，依必要一般將模來石或氧化鋁爲代表的低膨脹陶瓷塡充劑、耐熱顏料等以0.6 {玻璃/(玻璃+塡充劑）重量比}以上混合，其次與有機油料混練爲膏狀化。玻璃基板爲透明之玻璃基板、特別是多數使用鈉鈣矽系玻璃、或類似其之玻璃（高變形點玻璃）、或鹼分少的（或幾乎無）之鋁鈣硼矽酸系玻璃。

以下以非限定的實施例1~6例證本發明的第1玻璃。相對於此，以下的比較例1〜6爲此等之對照物。 (實施例1〜6及比較例1〜6 ) (低熔點玻璃合膏製作）準備作爲si〇2來源之微粉矽砂，b2o3來源之硼酸， ZnO來源之鋅白，Li20來源之碳酸鋰，Na20來源之碳酸鈉，K2〇來源碳酸紳，CuO來源氧化銅，Mn〇2來源二氧化猛 -11- (9) (9)1322137

，MgO來源之碳酸鎂，Ca〇來源之碳酸鈣，SrO來源之碳酸緦，Ba02來源之碳酸鋇。將此依指定調合低熔點玻璃組成，投入鉑鉗鍋，於電加熱爐內以1〇〇〇〜1300°C，加熱1〜2 小時熔融得到表1之實施例1〜6，表2的比較例1~6所示組成的玻璃。 -12- 1322137

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所得之試料，以目視及顯微鏡觀察，判斷抑制變黃現象格外的比向來者優爲〇，此外爲X。穿透率的變動，燒結溫度變動30°C時的穿透率（550 nm)的變動爲4%以下者爲〇，此外爲X。又，軟化點係使用（Littleton Point)黏度計，當黏度係數達到77 =1〇7·6時的溫度。又，熱膨脹係數使用熱膨脹計，以5°C /分昇溫時求30~300°C之伸表量。 (結果）低熔點玻璃組成及各種試驗結果如表1及表2所示。 -15- (13) 1322137 於表1所示實施例1 ~ 6所示，於本發明的第1玻璃的組成範圍內，發現變黃抑制格外的比向來者優。別外，本發明的組成範圍以外者如表2之比較例1〜6，與向來同樣發現變黃顯著’或不能顯示理想的物性値，不能適用於PDP等被覆基板用低熔點玻璃。以下以非限定的實施例1 ~7例證本發明的第2玻璃。相對於此，以下的比較例1~2爲此等之對照物。

(實施例1~7及比較例1〜2) (低熔點玻璃的製作）重複上述本發明的第1玻璃相關的實施例之低熔點玻璃混合膏狀物的製作。由此得到表3實施例^7、表4比較例1~2組成的玻璃。

-16- 1322137

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比較例坡璃組成 Si02 12.1 11.1 B 2 0 3 32.3 28.2 ZnO 21.9 40.2 R2〇(Li2〇 + Na2〇 + K2〇) 3.0 17.5 CuO 0.5 1.5 Mn〇2 1.0 1.5 RO(MgO+CaO+SrO+BaO) 29.2 Wt % B203/ZnO 1.5 0.7 軟化點（°C ) 655 -483 熱膨脹係數（xl(T7/°C ) 63 98 變黃的抑制註1) 註1) 註1)物性値不合格，未實施有關上述之本發明的第1玻璃之實施例1~6重複相關之整粒，膏料的調製、塗佈層的形成。接著，乾燥後，以 630°C以下燒結10~60分鐘，形成透明的介電質層。所得之試料以目視及顯微鏡觀察，判斷抑制變黃現象格外的比向來者優爲〇，此外爲X。又，軟化點係使用Little town黏度計’當達到黏度係數7/ =107.6時的溫度。又，熱膨脹係數使用熱膨脹計’以5 °C /分昇溫時求30~300°C之伸表量。 -18- (16) (16)1322137

(結果）低熔點玻璃組成及各種試驗結果如表3及表4所示。於表3所示實施例1~7所示，於本發明的第2玻璃的組成範圍內，發現變黃抑制格外的比向來者優。別外，本發明的組成範圍以外者如表4之比較例1 ~ 2，與向來同樣發現變黃顯著’或不能顯示理想的物性値，不能適用於PDP等被覆基板用低熔點玻璃。 -19-

Claims

1322137 公告本 (1) 十、申請專利範圍第94 1 1 80 1 8號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國98年11月30日修正

1. 一種Si02-B203-Zn0-R20-Cu0系無鉛低熔點玻璃，其特徵爲具有透明絕緣性，以重量％表示，含有Si02爲7 〜20、B2〇3 爲 32 〜50、ZnO 爲 25 〜42、R20(Li20 + Na20 + K20) 爲 7~20、CuO 爲 0.1 〜2、RO(MgO + CaO + SrO + BaO)爲 0〜10。 2. 如申請專利範圍第1項之無鉛低熔點玻璃，其中 Β203/Ζη0的重量比爲0.85以上，2以下。 3. 如申請專利範圍第2項之無鉛低熔點玻璃，其中 Β203/Ζη0的重量比爲1以上，2以下。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之無鉛低熔點玻璃，其中（B20 3 + R20)/Si20的重量比爲2以上，7以下。 5 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項之無鉛低熔點玻璃，其中含Co或Μη的氧化物0〜2重量％者。 6 ·如申請專利範圍第1〜3項中任一項之無鉛低熔點玻璃，其中30°C〜300°C之熱膨脹係數爲65)(10^-95)(10^^: ，軟化點爲500°C以上600°C以下者。 7. —種電子材料用基板，其特徵爲使用申請專利範圍第1~6項中任一項之無鉛低熔點玻璃。 8. —種PDP用面板，其特徵爲使用申請專利範圍第1〜6 項中任一項之無鉛低熔點玻璃。 9. 一種Si02-B203-Zn0-R20-Cu0系無鉛低熔點玻璃， 1322137 (2) ' , , ，./々· w·..... 其特徵爲具有透明絕緣性，以重量％表示’含有Si〇2爲1 1 ~20、B2〇3 爲 45 〜65、ZnO 爲 10 〜20、R20(Li20 + Na20 + K20) 爲 10〜18、CuO爲 0.1-2 者。 10.如申請專利範圍第9項之無鉛低熔點玻璃，其中 B2〇3/ZnO的重量比爲2以上，6以下。 1 1 ·如申請專利範圍第9或1 〇項之無鉛低熔點玻璃，其中Μη02爲〇~2重量％者。 12.如申請專利範圍第9或10項之無鉛低熔點玻璃，其中含 RO(MgO + CaO + SrO + BaO)爲 0~20重量％者。 w 1 3 如申請專利範圍第9或1 0項之無鉛低熔點玻璃，其中30°C〜3〇0°C之熱膨脹係數爲65)(1(^/1-95)(10^¾，軟化點爲5 00 °C以上63 0 °C以下者。 14. 一種電子材料用基板，其特徵爲使用申請專利範圍第9~ 1 3項中任一項之無鉛低熔點玻璃。 15. —種PDP用面板，其特徵爲使用申請專利範圍第 9〜1 3項中任一項之無鉛低熔點玻璃。 -2-