TWI321513B - Mold for resin molding, resin molding apparatus, and semiconductor device manufacture method - Google Patents

Mold for resin molding, resin molding apparatus, and semiconductor device manufacture method Download PDF

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TWI321513B
TWI321513B TW096101897A TW96101897A TWI321513B TW I321513 B TWI321513 B TW I321513B TW 096101897 A TW096101897 A TW 096101897A TW 96101897 A TW96101897 A TW 96101897A TW I321513 B TWI321513 B TW I321513B
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resin molding
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Futoshi Fukaya
Yoshitsugu Katoh
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Fujitsu Microelectronics Ltd
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Description

九、發明說明： C發明所屬之技術領域J 相關申請案之交互參照 本申請案係以2006年3月30曰申請之曰本專利申請 案第2006-094703號為基礎及主張優先權，該申請案的全 部内容係併入本案說明書中以供參考。 發明領域 本發明關於用於樹脂模造之模件、樹脂模造裝置，以 及半導體元件製造方法，以及尤其是關於用於樹脂模造一 半導體構件之模件及樹脂模造裝置，以及半導體元件製造 方法。 C先前技術3 發明背景 目前已有許多半導體封裝形式’例如使用金屬引線框 之四側面脫端表面安裝型封裝(QFP)形式、小尺寸封裝（s〇p) 形式、使用印刷電路板之球狀柵極陣列封裝(BGA)形式，及 電氣連接半導體構件（半導體晶片）之系統級封裝(Sip)形 式0 此等半導體封裝一般是在連接引線後，利用熱固性樹 脂模造’以致能改良抗衝擊性、抗污染性及類似特性。 作為模造樹脂，使用例如環氧樹脂之主要樹脂劑，考 慮封裝體形狀、耐熱性、模造特性及類似特性，該樹脂劑 以適當之混合物比例，含有固化劑，例如熔融氧化石夕、催 化劑、染色劑及阻燃劑等填充劑。 若模造樹脂中含有金屬外來物質，此等金屬外來物質 可能接觸連接半導體晶片及引線框之烊接線，以致使焊接 線短路。 JP-B-HEI-6-53369揭露在用於樹脂模造之模件中包埋 磁鐵，以及使磁鐵吸引混合於金屬中之金屬外來物質以去 除該等物質。JP-A-2002-313824揭露在基板上提供液態樹 脂以及在基板上方放置磁鐵以吸引混於液態樹脂中的外來 物質之技術。 ^明内 發明概要 由環保的觀點，近幾年來廣泛地使用不含鉛的接合材 料，例如以Sn-Ag-Cu為主的糊料，以取代傳統的含鉛焊 料。許多不含鉛的接合材料的熔點高於含鉛接合材料的熔 點。因此’半導體封裝之高耐熱性是所欲的。 一種解決方法是提高熱固性樹脂之耐熱溫度的方法。 尤其’增加樹脂中所含填料的量，以致能製造具有低吸水 率、高彈性模量及低熱膨脹係數之模造樹脂。然而，因為 填料量增加’在粉碎樹脂的製程期間，例如金屬粉碎機刀 片的碎片的金屬外來物質極可混於樹脂中。雖然樹脂中的 外來物質，在樹脂製造過程期間，可藉由使用磁鐵而去除， 其難以去除所有的金屬外來物質。 對於高功能性及高集積性之半導體構件（半導體晶片） 的最近需求已逐漸增加，進一步地，以及電極塾之間的節 距（整節距）變得更窄。在具有例如50//m或更窄之塾節 1 巨的半導體晶片的操作下， 因為墊節距變得更窄， 尺寸相對應地變得更小。 現在已大量生產。 焊接線之直徑或焊料凸起物的 因為塾節距變得更窄’包含於模造樹脂内的金屬外來 只極可此與例如焊接線及焊料凸起物之導電性組件接 觸’造成電路短路。尤其是要求高功能性的SIP型半導體 70件’具有數目高於-般半導體元件之電氣連接點，會導 致極大可能性之電路短路。 I知已提出之去除混合於模造樹脂内的金屬外來物質 之方法，不足以去除金屬金屬外來物質。一直需要抑止因 金屬外來物f所造狀電路短路讀賴造技術。 本發明之一目的為提供能夠抑止混合於模造樹脂内的 金屬外來物質所造成之電路短路的樹脂模造技術。 根據本發明之一方面，提供一種用於樹脂模造之模 件，包含： 模件，包含用於容納樹脂之釜，用於容納待樹脂模造 之半導體aa片的換腔’以及作為樹脂通道之流槽，以供將 容納於該釜中的樹脂輸送至該模腔； 外來物質滯留穴，其係由藉由進一步挖深該流槽的部 分内表面所形成的凹六所組成；以及 流槽磁性體’其係用於將經由該流槽輸送之流體中所 包含的金屬外來物質，吸引或吸附至該外來物質滯留穴之 内表面。 根據本發明之另一方面，提供一種樹脂模造置，包含： 壓板，其上方放置有-模件以及加熱該模件，該模件 包含用於容納樹脂之爸，用於容納待樹脂模造之半導體晶 片的模腔，以及作為樹脂通道之流槽，讀將容納於該: 中的樹脂輸送至該模腔； 柱塞，用於在該模件放置在該壓板上的狀態下，對容 納於該蒼中的樹脂施與壓力’以供將該樹脂注人該模腔； 以及 柱塞磁性體，放置於該桎塞中，以供吸引及吸附容納 於該爸中之液態樹脂中的該金屬外來物質。 當模造樹脂在該釜中熔融時，混合於該樹脂中的金屬 外來物質被吸引至該柱塞磁性體且吸附在該柱塞的表面。 因此，金屬外來物質難以被輸送至該模腔。柱塞係普遍使 用於各種不同模造的模，以致於磁性體不需要因應個別模 件而改變。 再者，當熔融之模造樹脂流入該流槽，混合於該樹脂 中的金屬外來物質被吸引至該流槽磁性體且吸附至該外來 物質滯留穴的表面而被捕捉。藉由該外來物質滞留穴捕捉 之金屬外來物質’難以被該流槽内之樹脂流所沖離。因此 可有效率地捕捉樹脂中的金屬外來物質，以及可觀地抑止 金屬外來物質輸送至該模腔。 再者，當模造樹脂注入該模件之該模腔中時，混合於 樹脂中的金屬外來物質被吸引至該射出器銷之磁性體且收 集在接近射出器銷之樹脂表面。因此可有效率地捕捉金屬 外來物質，且大幅地抑止金屬外來物質存在於接近半導體 構件及焊接線處。 圖式簡單說明 第1圖為根據第一具體例之樹脂模造裝置的截面圖。 第2A圖為根據第一具體例之樹脂模造裝置之上模件 5 的平面圖，以及第2B圖為根據第一具體例之樹脂模造裝置 之下模件的底視圖。 第3A圖為設置於第一具體例之樹脂模造裝置之下模 件中的流槽及流槽磁性體的截面圖，此視圖係與流槽之縱 向垂直，第3B圖為顧示另一結構之例子的截面圖，以及第 10 3C圖為沿著縱向觀察之流槽及流槽磁性體的截面圖。 第4A圖為第一具體例之樹脂模造裝置之柱塞的橫截 面圖，以及第4B圖為顯示另一結構之例子的橫截面圖。 第5圖至第8圖為第一具體例之樹脂模造裝置的截面 圖，例示說明樹脂模造步驟。 15 第9圖為顯示根據第二具體例之樹脂模造裝置之特徵 部分的截面圖。 第10圖為根據第三具體例之樹脂模造裝置之截面圖。 第11A圖及第11B圖為顯示根據第四具體例之樹脂模 造裝置之特徵部分的截面圖。 20 第12A圖及第12B圖為顯示根據第四具體例之樹脂模 造裝置之特徵部分的另一結構之例子的截面圖。 第13A圖為根據第五具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖，以及第13B圖為根據第五具體例之樹脂模造裝 置之下模件的底視圖。 9 …第14A圖為根據第六具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖’以及第14β圖為根據第六具體例之樹脂模造裝 置之下模件的底視圖。 第15圖為根據第七具體例之樹脂模造裝置的截面圖。 第16A圖為根據第七具體例之樹脂模造裝置之上模件 ’以及第16B圖為根據第七具體例之樹脂模造裝 置之下模件的底視圖。 第ΠΑ圖為根據第八具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖’以及第17B圖為根據第八具體例之樹脂模造裝 置之下模件的底視圖。 第18A圖為根據第九具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖’以及第18B圖為根據第九具體例之樹脂模造裝 置之下模件的底視圖。 【貧施方式；j 較佳具體例之說明 本發明將利用較佳具體例來詳細說明。 (第一具體例） 第1圖為根據本發明之第一具體例之樹脂模造裝置及 模件的部分截面圖。 如第1圖中所示，下模件1〇係由下壓板70所固持， 以及上模件30係由上壓板71所固持。 下模件10及上模件3〇彼此面對的表面係稱為 “相向 表面”，以及在相對側之表面（接觸壓板的平面）稱為“背 側表面”。下壓板70及上壓板71分別加熱下模件1〇及上 模件30。 爸11係經由下模件10自背側表面至相向表面而形 成。柱塞14係、設置於下壓板7G中，且可上下移動與下模 件10相通。柱塞14可藉由驅動機構72上下移動，以及冬 柱塞向上移動時，其係插入下模件1〇之爸u中。凹穴（: 膠部）31係形成於上模件3()之面向蚤u之區域中。 凹穴（腔）19及39係分別形成於下模件1〇及上模件 3〇之相向表面上的彼此面向的區域中。在第ι圖中雖然 ㈣及39係顯示設置於㈣之右方，類似結構的腔村 設置於釜11之左方。在引線框5〇塞擠在下模件1〇及上模 件30之間的狀態下，裝設在引線框％上之半導體晶片$ j 係谷納於腔19及3 9所界定之空間中。 使杈腔19與釜11相通之溝槽（流槽）12係形成在下 杈件10之相向表面上。模造樹脂係容納於釜丨丨中且熔融， 以及柱塞14向上移動。在釜u中的樹脂流經流槽12且注 入腔19及39所界定之空洞的空間中。在此具體例中，外 來物質滯留穴13係較深入地形成在流槽12之底部，在接 近爸11之位置。 脫模銷15係插入每一自模腔19之背側表面至底部穿 過下模件ίο之貫通孔。多數脫模銷15係相對於—模腔19 而設置。脫模銷15之一頂端係暴露於模腔19中。藉由使 脫模銷15突伸入模腔19中，固化且黏著至下模件1〇之樹 脂可容易地自下模件10脫離（脫模）。類似結構之脫模銷 35亦設置於上模件3〇中。 在此具體例中，磁性體（在下文中稱為柱塞磁性體） 係設置在面向釜11之柱塞14的表面上。柱塞磁性體22係 由電磁性體組成’且激磁電流係由電源27供應。電磁性體 可暴露於釜11中或可包埋在比柱塞14之表面稍深的位置 5 處。 磁性體（在下文中稱為流槽磁性體）20係設置在流槽 12之外來物質滯留穴：13之壁表面上。流槽磁性體20包括 例如沿著外來物質滯留穴13之縱向設置的三電磁性體，以 及激磁電流係由電源25供應至每一電磁性體。每一電磁性 10 體可暴露於外來物質滯留穴13之表面上，或可包埋在比表 面稍深處。 磁性體（在下文中稱為脫模銷磁性體）21及41係載荷 於下模件10之脫模銷15及上模件30之脫模銷35中。每 一脫模銷磁性體21及41係由電磁性體所組成，以及激磁 15 電流係分別由電源26及46供應至脫模銷磁性體21及41。 第2A圖顯示下模件10之平面形狀。自顯示沿著顯示 於第2A圖的假想線A1-A1取得之截面對應於第1圖之截 面圖。 如第2A圖所示，六個蚤11係沿著垂直方向，以相等 20 的節距設置。每一爸11之平面形狀為圓形。 柱塞14係設置在每一釜11内。腔19係設置在每一釜 11之二側面上。每一模腔19具有藉由歪斜地或以圓弧形切 割正方形之四個角所獲得的平面形狀，以及脫模銷15係設 置在接近四個角的位置處。 12 1321513 在第2A圖中，流槽12在爸11之二側，沿著虛直線橫 向延伸，以及通過每一釜11之中心。流槽12中途改變其 方向且到達接近對應之模腔19之角落的位置處。流槽12 朝向模腔19變得更窄且更淺。外來物質滯留穴13係設置 5 在接近釜11之流槽12的部分區域中。 第2B圖顯示上模件30之底部形狀。自顯示沿著顯示 於第2B圖的假想線A1-A1取得之截面圖對應第1圖所示 之截面圖。 如第2B圖所示，殘膠部31係形成在對應下模件10之 10 釜11的位置處。殘膠部31具有與釜11相同的平面形狀。 模腔39係設置在對應下模件10之模腔19的位置處。 模腔39具有與形成在下模件10上之模腔19相同的形狀。 脫模銷35係設置在接近模腔39之四個角落的位置處。 第3A圖顯示與第1圖中所示之外來物質滯留穴13之 15 縱向垂直的截面。 流槽12係形成在下模件10的相向表面上，以及底部 係挖得較深以形成外來物質滯留穴13。流槽磁性體20係包 埋在比外來物質滯留穴13之底部更深的位置處。流槽磁性 體20係包埋在流槽12之二側上。如第3B圖所示，流槽磁 20 性體20可具有沿著流槽12及外來物質滯留穴13之表面延 伸的U字型截面形狀。 第3C圖顯示流槽磁性體20之結構的另一實施例。 在第1圖所示之結構中，流槽磁性體20包括沿著外 來物質滯留穴13之縱向設置的三電磁性體。如第3C圖所 13 示，流槽磁性體可為沿著外來物質滯留穴13之縱向延伸的 一長電磁性體。 第4A圖顯示柱塞14之橫截面圖。 柱塞磁性體22係設置於具有圓形平面形狀之柱塞14 5 中。柱塞磁性體22具有圓形平面形狀，其外部圓周線位在 柱塞14之外部圓周線稍内側之位置。 第4B圖顯示柱塞磁性體22之另一結構的實施例。顯 示於第4B圖中的柱塞磁性體22具有一形狀，其中具有與 柱塞14共享中心柱之圓柱形係由多數個通過該中心轴之虛 10 平面所切割。該圓柱形組件係相對於該中心軸分割成八重 旋轉對稱。 接下來，參考第5圖至第8圖，將對使用第一具體例 之樹脂模造裝置的樹脂模造方法進行說明。 如第5圖中所示，在此狀態下中，下模件10及上模件 15 30之間的距離延長，安裝在半導體晶片51上作為模造標的 之引線框50係放置在下模件10之相向表面上。半導體晶 片51之電極係藉由焊接線52連接至對應的引線部分。 模造樹脂之固體塊60係裝填於釜11中。在此階段， 流槽磁性體20之電源25，脫膜器磁性體21及41之電源 20 26及46,以及柱塞磁性體22之電源27全部皆在關閉狀態。 接下來，如第6圖所示，上模件30係向下移動以使引 線框50塞擠在下模件10及上模件30之間。 之後，加熱下模件10及上模件30以熔化裝填於釜11 中的樹脂60。於裝填樹脂60之後，例如在開始加熱之同 ί e r , · 14 時，開啟柱塞磁性體22之電源27，激磁柱塞磁性體22。 在柱塞磁性體22之激磁時，金屬外來物質已混合於熔 融之樹脂60中，尤其是能夠被磁化之鐵（Fe)及其合金的 金屬粉末及微細顆粒，被吸引至柱塞磁性體22且收集於接 5 近柱塞14之上表面處的熔融樹脂60的區域。因此產生金 屬外來物質之高密度區域61。 因此降低熔融樹脂60之其它區域的外來物質之密度。 如第7圖所示，於樹脂60熔化之後，柱塞14係向上 移動，將裝填於釜11中之樹脂60，經由流槽12，注入腔 10 19及39中。在此階段’開啟流槽磁性體20之電源25以及 脫模銷磁性體21及41之電源26及46。 在激磁流槽磁性體20,同時使樹脂60流經流槽12時， 混合於樹脂60中之金屬外來物質被吸引至流槽磁性體20 且被帶入外來物質滞留穴13中。因此，在外來物質滯留穴 15 13中產生金屬外來物質的高密度區域62。如上文中所述， 外來物質滞留穴13係挖得比流槽丨2之側壁更深。因此， 被帶入外來物質滯留穴13之金屬外來物質停留在外來物質 滞留穴13中，而未被流槽12中之樹脂沖離。 流經流槽12且注入腔19及39之樹脂6〇充填腔19及 20 39，以樹脂模造半導體晶片51、焊接線52及部分引線框 50 ° 在此階段’混合於樹脂6〇中之金屬外來物質被吸引至 脫模銷15及35之頂端，以產生接近頂端之金屬外來物質 的高密度區域63。金屬外來物質之高密度區域63係位在接 15 近樹脂之表面處，以及遠離半導體晶片5卜焊接線52及類 似兀件’以致於與此等導電性組件接觸的可能性非常低。 於樹脂60完全填滿腔19及39後，對樹脂6〇加熱預 定之時間，以固化樹脂60。 5 於固化樹脂60後，關閉電源25至27及46,以終止激 磁流槽磁性體20、脫模銷磁性體21及41，以及柱塞磁性 體22。 如第8圖所示，於樹脂固化之後，上模件3〇自下模件 1〇脫離，以及脫模銷15及35突出’藉此使包括藉由固化 10樹脂60A所模造之包括半導體元件的引線框50脫模。 留在釜11、殘膠部31及流槽12中之樹脂60B離開下 模件10及上模件30。 以此方式，在第6圖所示之方法中，濃縮集中混合於 樹脂60中之金屬外來物質的高密度區域6〇係產生於接近 15柱塞14之上表面處，以及在第7圖所示之方法中，濃縮集 中金屬外來物質的高密度區域62係產生於流槽12之外來 物質滞留穴13。 因此，有可能可觀地降低到達腔19及39之金屬外來 物質的量。 20 濃縮集中輸送至脫模銷15及35之頂端部分的金屬外 來物質的高密度區域63亦產生於腔19及39中。 因此，亦可能降低接近引線框50、半導體晶片51及使 引線框50及半導體晶片51互連之焊接線52的樹脂中的金 屬外來物質密度。因此，可預防及抑止焊接線52中電路短 £ 16 1321513 路的產生。 為了有效率地捕捉金屬外來物質，較佳係將每一流槽 磁性體20、脫模銷磁性體21及41，以及柱塞磁性體22的 磁力設定在10000高斯或更高。 5 當樹脂60於釜11中熔化時，僅激磁柱塞磁性體22。 當樹脂60流入流槽12時，僅激磁流槽磁性體2〇〇當腔19 及39中的樹脂60熔化時，僅激磁脫模銷磁性體21及41。 藉由以此方式選擇激磁時段可抑制電力消耗。 在上述第一具體例中，可預期到即使設置流槽磁性體 10 20、脫模磁性體21及41，以及柱塞磁性體22中之一者， 仍可具有一定程度的優點。 因為柱塞14係設置在下壓板7〇中，在未放置磁性體 於每一杈件中之下，可預期到磁性體對於各種不同形式模 件之優點。 ' 5 在未機製下模件1G及上模件3G之下，脫模銷磁性體 21及41可藉由置換成另一具磁性體之脫模銷來安裝。因 此磁性體可容易地在傳統模件上安裝。若標準化脫模銷 之尺寸，相同的脫模銷可用於各種不同的模件。 (第二具體例） 第9圖為根據本發明之第二具體例的樹脂模造装f之 特徵部分的截面圖。 -說明係藉由將注意力放在與第一具體例之不同點來進 于X及省略具有相同結構之組件的描述。 在此具體例卜由磁性材料製成㈣合組件23係舆樹 17 1321513 脂之流動方向垂直地設置流槽12中。 在流槽12中的樹脂流流經嚙合組件23的開口組件。 嚙合組件23係磁性地耦合至流槽磁性體2〇。激磁流槽磁性 體20，激磁喃合組件23。 5 當激磁嚙合組件23時，混合於樹脂中的金屬外來物質 可有效率地被吸引及吸附至嚙合組件23。尤其其可有效 - 率地吸附金屬外來物質流入遠離流槽12之表面的區域。 • (第三具體例） 第10圖為根據本發明之第三具體例的樹脂模造裝置之 10 截面圖。 說明係藉由將注意力放在與第一具體例之不同點來進 行’以及省略具有相同結構之組件的描述。 在上述第一具體例中，脫模銷磁性體21及41係分別 設置在脫模銷15及35中。 15 在第三具體例中，脫模銷15及35係由磁性材料製成。 φ 在背側之二脫模銷15的端部係藉由脫模銷磁性體80彼此 耦合。脫模銷磁性體80係由電磁性體組成，以及激磁電流 - 係由電源8 2供應至脫模銷磁性體8 Q。 同樣地’對上模件30之脫模銷35設置脫模銷磁性體 20 81及電源83。 當激磁脫模銷磁性體80及81時，使脫模銷15及35 磁化。因此，金屬外來物質可被吸引及吸附至暴露於腔19 及39中之脫模銷15及35的頂端。 在第10圖所示之結構中，雖然—脫模銷磁性體係磁性 18 1321513 地耦合至多數脫模銷，也可在每一脫模銷中設置獨立的脫 模銷磁性體。 (第四具體例） 第11A圖及第11B圖為根據本發明之第四具體例的樹 5 脂模造裝置之特徵部分的截面圖。 説明係藉由將注意力放在與第一具體例之不同點來進 行，以及省略具有相同結構之組件的描述。 第11A圖為沿著根據第四具體例之流槽12之縱向的樹 脂模造裝置之截面圖，以及第11B圖為沿著與流槽12之縱 10 向垂直的方向之樹脂模造裝置的截面圖。 在第一具體例中，雖然流槽12僅設置於下模件1〇中， 在第四具體例中，流槽32亦形成於上模件30中。形成於 上模件30中的流槽32係設置在面向形成於下模件1〇中之 流槽12的位置。 15 流槽32朝向模腔39變淺。流槽磁性體40係包埋在較 流槽32之二側表面及底部表面稱深的位置。流槽磁性體4〇 具有沿著流槽32之縱向伸長的形狀。類似於包埋在下模件 10中之流槽磁性體20，每一流槽磁性體40係由電磁性體 組成。 20 利用此設置，藉由流槽磁性體40，流入形成於上模件 30中之流槽32的混合於樹脂中的金屬外來物質，可被吸弓丨 及吸附至流槽32之側壁。因此，可增進防止及抑止金屬外 來物質進入腔19及39的優點。 如第12A圖所示，多數流槽磁性體40,例如三磁性體， 19 係分隔地沿著流槽32之縱向設置。或者，如第丨1B圖所示， 流槽磁性體40之截面形狀可為沿著流槽32之表面延伸之 U字形。（第五具體例） 接下來，參考第13A圖及帛13B a，將對根據本發明 5之第五具體例的樹脂模造裝置進行說明。說明係藉由將注 意力放在與第一具體例之不同點來進行，以及省略具有相 同結構之組件的描述。 第13A圖顯示第五具體例之樹脂模造裝置的下模件1〇 之平面形狀。 1〇 在第一具體例中’對多數流槽12中之每一者皆設置流 槽磁性體。 在第五具體例中，流槽磁性體9〇係與多數流槽12重 疊設置。 15 20 不第五具體例之樹脂模造裝 面向下模件的相向表面之形狀 流槽磁性體91係設置於對應設置於下 槽磁性體90的區域中。 來物第—具體例，利用第五具體例的設置，金屬外 來物質亦可被吸引及吸附於流槽12 中。 卜來物質滯留穴13 之 (第六具體例） 將對根據本發明 接下來，參考第14A圖及第14B圖， 之第六具體例的樹脂模造裝置進行說明。
如第14A圖所示，由第13A 圖所示之流槽磁性體90 20 1321513 所佔有的面積擴大至使所設置之流槽磁性體9〇亦與模腔 - 19重疊。如第14B圖所示，由第13B圖所示之流槽磁性體 91所佔有的面積擴大至使所設置之流槽磁性體91亦與模 腔39重疊。 5 在第六具體例中，金屬外來物質亦可被吸引及吸附至 腔19及39的内表面。 — (第七具體例） φ 接下來，參考第15圖至第16B圖，將對根據本發明之 第七具體例的樹脂模造裝置進行說明。說明係藉由將注意 10力放在與第一具體例之不同點來進行，以及省略具有相同 結構之組件的描述。 第15圖為第七具體例之樹脂模造裝置的截面圖。 在第一具體例中，安裝在引線框上的半導體晶片係模 造成二侧覆蓋有樹脂。 15 在第七具體例中，樹脂模造標的為BGA型封裝且安裝 • 在支撐基板100之主要表面上的半導體晶片係在支撐基板 100上利用樹脂模造。 - 如第15圖所示，多數半導體晶片101係安裝在支撐基 板100之主要表面上，以及半導體晶片101之電極係藉由 2〇焊接線連接至形成在支撐基板100上的電極。 基板殼凹穴39A係形成於上模件30十，具有形狀及深 度之凹穴39A —般等於支撐基板1〇〇之形狀及厚度。 形成於下模件10中的模腔19具有一起覆蓋半導體晶 片的面積。 21 支撐基板100係以裝設有半導體晶片101之支揮基板 100的表面係面向下模件10之方式，固持在下模件1〇之相 向表面上。所有半導體晶片101係容納於一模腔19中。形 成於上模件30中之基板殼凹穴39A之内表面，變成與裝設 5有半導體晶片101之表面相對的支撐基板100之表面接觸。 第16A圖及第16B圖分別顯示第七具體例之樹脂模造 裝置的下模件10之平面形狀’以及面向下模件之上模件3〇 的相向表面的形狀。沿著第16A圖及第16B圖之假想線所 得的截面圖對應第15圖。 10 如第16A圖所示，五釜11係以相等的節距沿著垂直方 向設置。每一爸11之平面形狀為圖形。 柱塞14係設置在每一爸11中。矩形模腔19係設置在 每一釜11的右側上。流槽12自每一釜11朝向右側延伸且 在中途分又入到達模腔19之流槽。 15 外來物質滯留穴13係形成於流槽12之接近爸u的部 分區域中。流槽磁性體20係與每一外來物質滯留穴13對 應地設置。 如第16B圖所示，殘膠部31係設置於上模件3〇中， 在對應爸11之位置處。具有大於模腔19之平面形狀的基 20板殼凹穴39A係設置在對應模腔19之區域内。基板殼四穴 39A之平面形狀大致等於支撐基板100之平面形狀。 在如第七具體例之BGA型封裝的樹脂模造中，流槽磁 性體20係設置在形成於流槽丨2中之外來物質滯留六13 下’以致於能抑止金屬外來物質入侵模腔19。 1321513 藉由將柱塞磁性體22設置於柱塞14中，能進—步抑 止金屬外來物質之入侵。 (第八具體例） 第ΠΛ圖及第17B圖分別顯示第八具體例之樹脂模造 5裝置之下模件10之平面形狀，以及相對於下模件之上模件 - 30之相向表面的形狀。 - 說明係藉由將注意力放在與第七具體例之不同點來進 ^ 行’以及省略具有相同結構之組件的描述。 如第ΠΑ圖所示，在第八具體例中，設置取代第七具 1〇體例之流槽磁性體20的磁性體110。磁性體11〇係與自^ 數釜11延伸之所有流槽12重疊設置，亦即一起覆蓋所有 流槽。 如第17B圖所*，上模件30之磁性體UH系設置在對 應下模件之磁性體110的區域中。 15 纟第人具體射，類似第七具體例，金屬外來物質可 Φ 被吸引至流槽12之外來物質滯留穴13。 (第九具體例） • 帛18A圖及第圖分別顯示根據本發明之第九1體 • 例的樹脂模造裝置之下模件10及上模件30面向下模件之 20 相向表面的平面圖。 在第九具體例中’由第八具體例之磁性體11〇所佔有 所佔有的面積擴大至使所設置之流槽磁性體9〇亦與模腔 19重疊。如帛MB圖所示’由第別目所示之流槽磁性體 Μ所佔有的面積擴大至使磁性豸11〇亦覆蓋龍19。上模 % 23 1321513 件30之磁性體110具有等於第17B圖所示之第八具體例之 磁性體的尺寸。 在第九具體例中，進入模腔19之金屬外來物質被吸引 及吸附至模腔19的内表面。因此，可防止連接至半導體晶 5 片101之焊接線中的電路短路。 在第14A圖、第14B圖、第18A圖及第18B圖所示之 具體例中，金屬外來物質係藉由設置與腔之整個内表面重 疊的磁性體來捕捉。磁性體可設置於不影響半導體晶片之 操作的特定區域中，即使金屬外來物質係濃縮集中於此區 10 域上。換言之，可設置磁性體以致於將金屬外來物質濃縮 集中在遠離半導體晶片及焊接線之區域中。 本發明已藉由較佳具體例來說明。本發明非限制於僅 限上述具體例。熟習此項技術者將明白，可進行其它各種 不同的改變、改良及類以變化。 15 【圖式簡單說明】 第1圖為根據第一具體例之樹脂模造裝置的截面圖； 第2A圖為根據第一具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖， 第2B圖為根據第一具體例之樹脂模造裝置之下模件 20 的底視圖； 第3A圖為設置於第一具體例之樹脂模造裝置之下模 件中的流槽及流槽磁性體的截面圖，此視圖係與流槽之縱 向垂直； 第3B圖為顯示另一結構之例子的截面圖； -；ft \ 24 1321513 第3C圖為沿著縱向觀察之流槽及流槽磁性體的截面 圖， 第4A圖為第一具體例之樹脂模造裝置之柱塞的橫截 面圖； 5 第4B圖為顯示另一結構之例子的橫截面圖； 第5圖至第8圖為第一具體例之樹脂模造裝置的截面 圖，例示說明樹脂模造步驟； 第9圖為顯示根據第二具體例之樹脂模造裝置之特徵 部分的截面圖； 10 第10圖為根據第三具體例之樹脂模造裝置之截面圖； 第11A圖及第11B圖為顯示根據第四具體例之樹脂模 造裝置之特徵部分的截面圖； 第12A圖及第12B圖為顯示根據第四具體例之樹脂模 造裝置之特徵部分的另一結構之例子的截面圖； 15 第13A圖為根據第五具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖； 第13B圖為根據第五具體例之樹脂模造裝置之下模件 的底視圖； 第14A圖為根據第六具體例之樹脂模造裝置之上模件 20 的平面圖； 第14B圖為根據第六具體例之樹脂模造裝置之下模件 的底視圖， 第15圖為根據第七具體例之樹脂模造裝置的截面圖； 第16A圖為根據第七具體例之樹脂模造裝置之上模件 25 1321513 的平面圖； 第16B圖為根據第七具體例之樹脂模造裝置之下模件 的底視圖， 第17A圖為根據第八具體例之樹脂模造裝置之上模件 5 的平面圖； 第17B圖為根據第八具體例之樹脂模造裝置之下模件 的底視圖； 第18A圖為根據第九具體例之樹脂模造裝置之上模件 的平面圖；以及 10 第18B圖為根據第九具體例之樹脂模造裝置之下模件 的底視圖。 【主要元件符號說明】 10 模件 25 電源 11 爸 26 電源 12 流槽 27 電源 13 外來物質滯留穴 30 上模件 14 柱塞 31 凹穴(殘膠部) 15 脫模銷 32 流槽 19 凹穴（腔） 35 脫模銷 20 流槽磁性體 39 凹穴（腔） 21 麟銷磁性體 39A基板殼凹穴 22 柱塞磁性體 40 流槽磁性體 23嚙合組件 41賴銷磁性體 26 1321513 46電源 72驅動麵 50引線框 80脫模銷磁性體 51半導體晶片 81脫模銷磁性體 52焊接線 83電源 60樹脂 85電源 60A樹脂 90流槽磁性體 60B樹脂 91流槽磁性體 61高密度區域 100支撐紐 62而密度區域 101半導體晶片 63高密度區域 110磁性體 70下壓板 71上壓板 111磁性體
27

Claims (1)

1321513 第9610撕號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期：卵年川月26日 十、申請專利範圍： 1. 一種用於樹脂模造之模件，包含： 一釜，用於容納樹脂； 一模腔，用於容納—樹脂模造標的； 5 一流槽，用於輪送容納於該釜中之該樹脂至該模 腔： ' 一外來物質滯留穴，其係設置於接近該爸之該流槽 中；以及 一第一磁性體，其係設置在該外來物質滯留穴。 10 2.如申請專利範圍第1項之用於樹脂模造之模件，其中一 喃合組件係設置在該流槽且藉由該第一磁性體磁化。 3. —種樹脂模造裝置，包含： 一釜，用於容納樹脂； 一模件，其形成有用於容納一樹脂模造標的之一模 15 ㈣及用於輸送容納於該爸中之該樹脂至該模腔之- 流槽； 一壓板，用於固持該模件； —柱塞’用於對容納於該模件之該爸中之該樹脂施 與一壓力，以將該樹脂注入該模腔；以及 20 一磁性體’其係設置於該柱塞中，在對應該樹脂的 位置處。 4. 如申請專利範圍第3項之樹脂模造裝置，其中一脫模銷 係設置於該模腔中’其中該脫模銷伸入該模腔中之至少 一突伸部分被磁化。 28 1321513 5. —種製造半導體元件之方法，包含下述步驟： (a) 將安裝一半導體構件之一組件設置於一模件所 界定之一模腔中； (b) 將容納於一釜中之樹脂經由形成有一外來物質 5 滯留穴之一流槽注入該模腔中，且利用設置於該外來物 質滯留穴之一磁性體捕捉混合於該樹脂中之一金屬外 來物質；以及 (C)固化注入該模腔之該樹脂。 6. 如申請專利範圍第5項之製造半導體元件之方法，進一 10 步包含下述步驟： 在一柱塞上熔化容納於該釜中之該樹脂，以及吸引 及吸附混合於該樹脂中的該金屬外來物質至該柱塞之 表面。 7. 如申請專利範圍第5項之製造半導體元件之方法，其中 15 在該步驟(b)中，藉由設置在該流槽中且被磁化的一嚙合 組件捕捉該金屬外來物質。 8. 如申請專利範圍第5項之製造半導體元件之方法，其中 在該步驟(b)中，混合於注入該模腔之該樹脂中的該金屬 外來物質係藉由對應該模腔設置之一脫模銷捕捉。 20 9.如申請專利範圍第1項之用於樹脂模造之模件，進一步 包含： 一柱塞，用於對容納於該釜中之該樹脂施與一壓 力，以將該樹脂注入該模腔；以及 一第二磁性體，其係設置於該柱塞中，在對應該樹 29 1321513
脂的位置處。 10.如申請專利範圍第1項之用於樹脂模造之模件，進一步 包含一脫模銷係設置於該模腔中，其中該脫模銷伸入該 模腔中之至少一突伸部分被磁化。 30
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