TWI321270B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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TWI321270B
TWI321270B TW094143745A TW94143745A TWI321270B TW I321270 B TWI321270 B TW I321270B TW 094143745 A TW094143745 A TW 094143745A TW 94143745 A TW94143745 A TW 94143745A TW I321270 B TWI321270 B TW I321270B
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Cheng-Qun Gui
Jager Pieter Willem Herman De
Schmidt Robert-Han Munnig
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Asml Netherlands Bv
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Description

丄321270 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置，及一種器件製造方法 【先前技術】
微影裝置係一種將所要圖案施加至基板之一目標區上的 機器。例如，可在製造積體電路（IC)、平板顯示器及其他涉 及精細結構之器件中使用微影裝置。在習知微影裝置中了 圖案化構件，其或者被稱為光罩或一主光罩，可用來產生 對應於ic(或其他器件）之一個別層的電路圖案，且可將此 圖案成像至具有一輻射敏感材料層（例如，抗蝕劑）之美板 (例如，矽晶圓或玻璃板）的一目標區（例如，包括一或^干 個晶粒之部分）上。圖案化構件可包含該產生電路圖=個 別可控元件陣列以替代光罩。 大體而纟…單個基板將包含連續經曝光之相鄰目標區 :網路。已知微影裝置包括：步進機，其中藉由一次性將 :整個圖案曝光至目標區上而照射每_目標1 ;及掃描 "幸I""由在—給定方向（”掃描"方向）上經由-輻射束掃 =案的同時在平行或反平行於此方向上同步掃描基板而 …、射母一目標區。 ^或發射（相)之序列形成印刷圖案。當考慮無光罩微 1時’母-發射係、由投影至感光表面（諸如晶圓基板上之 ::阻層)之空間燈光調變器(SLM)陣列的 導致在此基板上之某一曝光區中沈積 劑景弋 ^ θ 貝水目先源之照射的_ 片1里或一疋1。當藉由來自光源之 <閃先而照明基板表 105988.doc 1321270 面時，產生曝光區β 在使用微透鏡陣列（MLA)之像素柵格成像微影系統 *中’ MLA係該系統中之最關鍵的光學組件之-。MLA聚焦 藉由才又〜透鏡所投影之圖案化射束，以便在影像平面中形 成一大的影像光點陣列，該影像平面與基板表面上之光阻 層致為了所投影之影像的最佳解析度，應非常準禮地 定位影像光點，例如在相對於灯平面中之理想柵格的㈣ nm以内且在聚焦方向上之若干微米内（例如，+/-3微幻。此 微小之公差可導致誤差。此等誤差可無規分佈且可為在X 方向上或在Y方向上或在又與丫方向兩方向上之放大誤差， 或可為大約為約0.1至1微米的定位誤差。 然而m夠纟生具有小於約20 nm之位s誤差之影像 光點的MLA係極其困難的，且目前不存在可用於允許校正 在XY平面中之位置誤差達到所要之準確水準的技術。 因此，所需要之係一種在用於聚焦一投影至一基板之一 目標區上的圖案化射束時，至少部分地補償在Mla中之製 造誤差的效應之系統及方法。 【發明内容】 根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，其包含— 照明系統、一圖案化配置、一投影系統、一誤差補償器及 一灰階調變器。該照明系統供應一輻射束。該圖案化配置 圖案化該射束。該投影系統將該射東投影至一基板之一目 標區上。該誤差補償器供應誤差校正值以用於補償該投影 系統中之誤差效應。該灰階調變器基於該等誤差校正值而 105988.doc 1321270 供應驅動訊號至該圖案化配置，以便藉由改變該圖案之某 些部分的強度而補償該投影系統中之該誤差效應。 根據本發明之一實施例，提供一種器件製造方法，其包 含下列步驟。使用一可調整圖案化配置而賦予一射束一圖 案。將該圖案化輻射束投影至一基板之一目標區上。提供 誤差杈正值以用於補償投影系統中之誤差效應。基於該等 誤差校正值而供應驅動訊號至該圖案化配置，以便藉由改 變圖案之某些部分的強度而補償該投影系統中之誤差效 應。 在一實例中，該圖案化配置可包含一個別可控元件陣 列。可配置該灰階調變器以改變由該陣列之該等可控元件 中之至少某些元件所透射之輻射強度，以便補償投影系統 中之誤差效應。 在一實例中’該等個別可控元件中之每一元件具有一在 強度上為例如256級之灰階。 在一實例中’該投影系統包括一用於在基板之目標區上 產生影像光點的微透鏡陣列。 在下文中參看附圖詳細描述本發明之另外實施例、特徵 及優點’以及本發明之各種實施例的結構及運作。 【實施方式】 概述及術語 儘管本文中可特定參考微影裝置在製造積體電路（IC)中 之使用’但是應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有其 他應用’諸如製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之圖案 105988.doc 導引及偵測、平板顯示器、薄膜磁頭、微量及巨量射流器 件（miCr〇 and macr〇 nuidic device)等等❶熟習此項技術者將 瞭解，在該等替代性應用内容中，可認為本文中術語”晶圓'， 或曰曰粒之任何使用係分別與更概括之術語"基板"或"目標 區同義。本文中所指之基板可在曝光之前或之後，利用（例 如）執跡（例如，一種通常將一抗蝕劑層塗覆於基板上且使 里曝光之抗蝕劑顯影的工具）或度量工具或檢測工具加以 處理。右適合，則可將本文之揭示内容應用於該等及其他 土板處理工具。此外，可不止一次地處理基板（例如）以便產 生夕層1C，使得本文所使用之術語,,基板”亦可指已含有多 個經處理的層的基板。 本文所使用之術語"個別可控元件陣列”應廣泛解釋為指 任何可用來賦予入射輻射束一圖案化橫截面從而可在基板 之目標區中產生所要圖案的器件。在本文中亦可使用術語 光閱"及”空間燈光調變器，'（Spatial Light Modulator) (SLM)。下文討論該等圖案化器件之實例。 一可程式規劃鏡面陣列可包含一具有一黏彈性控制層及 射表面之矩陣可疋址表面。如此之一裝置之基本原理 為.例如，反射表面之經定址區域將入射光反射為繞射光， 而未經疋址區域將入射光反射為非繞射光。在使用一適當 的空間渡光片的狀沉下，可自經反射射束中過滤出非繞射 光僅留下繞射光抵達基板。以此方式，射束根據矩陣可 定址表面之定址圖案而變成圖案化。 應瞭解，作為一替代，該濾光片可過濾出繞射光，留下 105988.doc -9- 1321270 非繞射光抵達基板。亦可以相對應方式使用一繞射光學微 電力機械系統（MEMS)器件陣列。各繞射光學MEMS器件可 包括複數個相對於彼此變形以形成一將入射光反射為繞射 光之光柵的反射帶。 另一替代性實施例可包括一使用一微型鏡面矩陣配置的 可程式規劃鏡面陣列，可藉由施加一合適之區域化電場或 藉由採用壓電致動器件而使該等鏡面中之每一鏡面圍繞一 軸而個別傾斜。再次重複，該等鏡面係矩陣可定址型，以 使經定址之鏡面將在與未經定址鏡面不同之方向上反射入 射輻射束；以此方式，根據矩陣可定址鏡面之可定址圖案 而圖案化該經反射之射束。可使用合適之電子構件進行所 需要之矩陣定址。 在上文描述之兩種情形下，該個別可控元件陣列可包含 二^多個可程式規劃鏡面陣列。可自例如美國專利
哗列。該構造之一實例於美國 該專利之全文以引用的方式併入本 亦可使用可程式規劃LCD陣列 專利5,229,872中給出，該專利之 文中。 、光學接近校正特徵、相位
不同於最终轉印至基板之一 應瞭解，在使用特徵預偏離、 改變技術及多次曝光技術之處 可控元件陣列上之圖案可大體不 105988.doc 1321270 層或基板上的圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案可 不對應於在任何時刻形成於個別可控元件陣列上之圖案。 此可為以下配置中之狀況：形成於基板之每一部分上之最 終圖案經給定時間段或給定曝光數量而積累，在該時間段 或曝光數量期間，該個別可控元件陣列上之圖案及/或基板 相對位置發生改變。 儘管在此文中可特定參考微影裝置在製造積體電路（IC) 中之使用’但是應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有 其他應用，例如製造DNA晶片、MEMS、MOEMS、積體光 學系統、用於磁域記憶體之圖案導引及偵測、平板顯示器、 薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代性應 用之内容中，可認為在本文中術語”晶圓”或"晶粒”之任何使 用係分別與更概括之術語"基板"或"目標區"同義。本文中所 指之基板可在曝光之前或之後，利用（例如）一軌跡（例如， 一種通常將一抗蝕劑層塗覆於基板上且使經曝光之抗蝕劑 顯影的工具）或度量工具或檢測工具加以處理。若適合，則 可將本文之揭示内容應用於該等及其他基板處理工具。此 外’可不止一次地處理基板（例如）以便產生多層1C，使得本 文所使用之術語"基板"亦可指已含有多個經處理的層的基 板。 本文中所使用的術語"輻射"及”射束"包含所有類型之電 磁輻射’包括紫外線（UV)輻射（例如，具有365、355、248、 193、157或126nm波長之輻射），及遠紫外線（EUV)輻射（例 如’具有在5-20 nm之範圍内的波長），以及諸如離子束或電 105988.doc -11- 13212/ϋ 子束之粒子束。 本文中所使用之術語，，投影系統”應廣泛地解釋為包含適 用於（例如）所使用之曝光輻射、或諸如使用浸沒流體或使用 真二之其他因素的各種類型的投影系統，包括折射式光學 系’先反射式光學系統及折反射式光學系統。術語”透鏡” 在本文中之任何使用可認為與更概括之術語"投影系統"同 義。
照明系統亦可包含各種類型之光學組件，包括用於導引、 成形或控制輻射束之折射式、反射式及折反射式光學組件， 且該等組件亦可在下文中全體地或單個地稱為"透鏡”。 微衫裝置可為具有兩個（例如，雙平臺）或兩個以上基板台 (及/或兩個或兩個以上光罩台）之類型。在該等，，多平臺,,機 器中可並行使用額外台，或在使用一或多個台用於曝光 時可於一或多個其他臺上進行預備步驟。
微影裝置亦可為一種其中基板浸沒在具有相對高的折射 率的液體（例如水）中以填充投影线之最終it件與基板之 間的空間的類型。亦可將浸沒液體應用至微影裝置中之其 他工門作J如基板與投影系統之第一元件之間。浸沒技術 項技術中疋熟知的用以增加投影系統的數值孔徑的技 術。 另外，該裝置可具有一流體處理單元以允許流體與基相 之㈣射部分之間的相互作用（例如，以選擇性地將化學形 質附著至基板或選擇性地修改該基板之表面結構）。
微影投影裝置 Q 105988.doc •12· 1321270 圖1示思性地描繪根據本發明之一實施例之微影投影裝 置100。裝置1〇〇包括至少一輻射系統1〇2、一個別可控元件 陣列104、一載物台1〇6(例如，一基板台）及一投影系統 ("透鏡”）108。 輻射系統102可用於供應一輻射束11〇(例如，uv輻射）， 該輕射束no在此特定狀況中亦包含一輻射源112。 個別可控元件陣列1 〇4(例如，一可程式規劃鏡面陣列） 可用於供應一圖案至射束11 〇。通常，該個別可控元件陣列 104之位置可相對於投影系統1〇8固定。然而，在一替代性 配置中，一個別可控元件陣列1〇4可連接至用於將其相對於 投影系統108精確定位之定位器件（未圖示）。如此處所描 繪，個別可控元件1〇4為反射類型（例如，具有一個別可控 元件反射陣列）》 載物台106可具有一用於固持一基板114(例如，經抗蝕劑 塗佈之矽晶圓或玻璃基板）之基板固持器（未詳細圖示），且 载物台1〇6可連接至用於相對於投影系統1〇8而精確定位基 板Π 4之定位器件116。 投影系統108(例如，石英及/或CaF2透鏡系統或包含由石 央及/或CaF2材料製成之透鏡元件的折反射式系統，或鏡面 系統）可用於將自射束分束器118所接收之圖案化射束投影 至基板114之一目標區12〇(例如，一或多個晶粒）上。投影系 統1 〇 8可將該個別可控元件陣列丨〇 4之一影像投影至基板 114上。或者，投影系統1〇8可投影二次光源之影像，該個 別可控元件陣列之元件對該等二次光源充當快門。投影系 105988.doc 13 1321270 統108亦可包含一微透鏡陣歹彳（MLA)以形成二次光源且以 將微光點投影至基板114上。 源112(例如，準分子雷射器）可產生一輻射束12h射束122 直接或在橫穿調節器件126(例如一射束放大器）之後饋入照 明系統（照明器）124中。照明器124可包含一調整器件128以 用於ό又疋射束122中之強度分佈的外部及/或内部徑向範圍 (通常分別稱為σ_外部及σ_内部）。另外，照明器i24將通常 包括諸如一積光器13〇及一聚光器132之各種其他組件。以 此方式，照射於個別可控元件陣列1〇4上之射束i 1〇在其橫 截面上具有一所要均一性及強度分佈。 關於圖1請注意，源112可在微影投影裝置ι〇〇之罩殼内 (例如，當源112係一汞燈時通常為該種狀況）。在替代實施 例中，源112亦可遠離微影投影裝置1〇〇。在該種狀況下， 可將乾射束122導引至裝置1〇〇中（例如，在合適之導向鏡之 幫助下）。此後一種狀況通常為當源112為準分子雷射器之 狀況。應瞭解’此等狀況中之兩者皆涵蓋於本發明之範_ 内。 在使用射束分束器118導引射束Π0後，射束11〇截擊隨後 個別可控元件陣列104。在經個別可控元件陣列1〇4反射 後，射束110穿過投影系統10 8 ’該投影系統1 〇 8將射束π 〇 聚焦至基板114之一目標區120上。 在疋位1§件116(及視情’况為接收經由射束分束器1^0之 干涉射束138之底板136上的干涉量測器件134)之幫助下， 可準確地移動基板台6，從而在射束11〇之路徑中定位不同 105988.doc •14· 1321270 :標區120。在使用時’例如在掃摇期間，用於個別可控元 件陣列1G4之定位11件可^相對於射束m之路徑而準確 地校正個別可控元件陣列104的位置。通常，在長衝程模組 (粗定位）及短衝程模組（精定位）之幫助下實現載物台1〇6之 移動，其在圖1中未明確描，卜亦可使用-類似系統來定位 該個別可控元件陣㈣4°應瞭解，射束u〇可另外/其他為 可移動型’同時載物台106及/或個別可控元件陣列刚可具 有一固定位置以提供所需要之相對移動。 八
在本實施例之-替代性組態中，可固定基板台而，其中 基板114在基板台1()6上為可移動的。在完成此舉之狀況 下，基板台106在一最高平坦表面上具有眾多開口，經由該 等開口饋入氣體以提供能夠支撐基板114之氣墊。此習知地 稱為空氣承載配置。使用一或多個致動器(未圖示)在基板台 106上移動基板114,該或該等致動器能夠相對於射束11〇之 路徑而準確地定位基板114。或者，可藉由選擇性地啟動及 停止穿過開口之氣體的通道而在基板台1〇6上移動基板 114。 儘官在本文中所描述之根據本發明之微影裝置1〇〇為用 於曝光在基板上之抗蝕劑，但是應瞭解，本發明並非僅限 於此使用’且裝置1〇〇可用於投影一圖案化射束11〇以供無 抗姓劑微影之使用。 所描繪之裝置100可在五種模式中使用·· 1.步進模式：將個別可控元件陣列104上之整個圖案在一 次運作（意即，單一個"閃光"）中投影至目標區12〇上。然後 105988.doc •15· 1321270 在X及/或y方向上移動基板台1〇6至一不同位置，以便由圖 案化射束1 ίο照射一不同目標區12〇。 2.掃描模式.除了不在單一個"閃光，，中曝光給定目標區 以外，其基本上與步進模式相同。取而代之者，個別可控元 件陣列104可以速度v在一給定方向（所謂之"掃描方向"，例 如’y方向）上移動’從而引起圖案化射束u〇在個別可控元 件陣列104上方掃描。同時，基板台1〇6以速度v = Mv在相 同或相反方向上同時移動，其中Μ為投影系統1〇8之放大 率。以此方式，可曝光相對大的目標區12〇而無需在解析度 上進行折衷。 3·脈衝模式：將個別可控元件陣列1〇4保持基本上靜止且 使用脈衝轄射系統102將整個圖案投影至基板114之一目標 區120上。以一基本上恆定之速度移動基板台1〇6，以引起 圖案化射束110橫跨基板106掃描一條線。在輻射系統1〇2之 脈衝之間按需更新個別可控元件陣列1 〇4上之圖案，且該等 脈衝經定時以使連續目標區120在基板114上之所需位置處 曝光。因此，圖案化射束110可橫跨基板U4掃描，來為基 板114之一條帶曝光全部圖案。重複該製程直至逐線曝光全 部基板114。 4. 連續掃描模式：除了使用大體恆定之輻射系統1〇2且在 圖案化射束110橫跨基板114進行掃描且曝光該基板U4時 更新個別可控元件陣列104上之圖案以外，其基本上與脈衝 核式相同。 5. 像素柵格成像模式：藉由隨後之對光點產生器13 〇所形 105988.doc -16- 成且導向陣列104上之光點的曝光而實現形成在基板114上 之圖案。經曝光之光點具有大體上相同之形狀。在基板114 上’光點係以大體上柵格方式印刷。在一實例中，光點尺 寸大於所印刷之像素柵格之間距，但是遠遠小於曝光光點 拇格。藉由改變所印刷之光點的強度而實現圖案。在曝光 閃光之間，改變了光點上之強度分佈。 亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或改變，或完 全不同之使用模式。 圖2表示根據本發明之一實施例之一微影裝置1〇〇的一部 分°詳言之’其展示：個別可控元件陣列16形態之對比器 件；一微透鏡陣列（MLA)10形態之聚焦元件陣列，其用以 將輻射導引至基板13 ;投影系統丨丨之投影元件，其用以藉 由場透鏡17而將輻射導引至MLA 10 ;及一由傾斜輻射 (oblique radiati〇n)i4而照明之射束分束器12。在本實例 中，將射束分束器配置在投影元件之組合内，以使該射束 分束器將投影輻射束轉向至個別可控元件反射陣列上。來 自個別可控元件之反射輻射隨後直接穿過射束分束器12進 入投影系統的剩餘部分中。 在一替代性配置中，該個別可控元件陣列係以一透射組 態直接被照明。 在圖6及圖7所展示之實施例中，MLA 10包含一具有一平 坦上表面及一經定形以界定複數個透鏡之下表面的透明材 料主體，但可在本發明之替代性實施例中提供mla之其他 形狀。實務上，MLA可包含多達一百萬個或一百萬以上個 105988.doc 17 微透鏡。 返回參看圖2 ’在本實例中之可控元件陣列16係傾斜角可 由應用來自一控制系統之合適之控制訊號而設定的鏡面。 然而應瞭解，在替代性實施例中可使用可控元件之其他形 式。例如，在某些實施例中，可控元件可為可移動繞射柵 格。可將該等可控元件中之某些元件設定為一標稱"白，，位 置，而可將其他可控元件設定為標稱"黑"位置，使得元件 陣列16可將一圖案賦予投影射束。然後藉由投影系統η而 將自可控元件陣列16反射之圖案化射束投影至一目標平面 上，該投影系統11包含一射束放大器，該射束放大器係經 配置以接收來自該可控陣列之大體上平行之圖案化射束且 聚焦該射束以使該射束穿過孔18。然後場透鏡17將圖案化 射束放大為一大體上平行之射束，該射束被傳遞至mla 10。MLA 10之微透鏡中之每一微透鏡接收且聚焦圖案化射 束之一個別部分，使得在目標平面上形成一相對應之輻射 光點15。在一實施例中，入射至每一微透鏡上之圖案化射 束之部分應對應於陣列16之該等可控元件十之一或多個元 件〇 MLA 10之透鏡中之每一透鏡將導引至其之輻射聚焦至 基板上之一相關聯的區域。在每一區域中之輻射強度係視 來自與該透鏡相關聯之個別可控元件中之每一元件的圖案 化射束之部分的強度總和而定。因此，在與微透鏡相關聯 之基板上之區域上的輻射係視自該等個別可控元件十之每 一兀件傳播之輻射的強度而定。可將該等個別可控元件中 105988.doc •18· 1321270 之每一元件設定為複數個狀態。在 —實例中，該等元件可
零強度。 例如，在存在三個與每一 狀況下，可在來自微透鏡之 一透鏡相關聯之個別可控元件之
可將該等元件中之 所有元件設定為零輻射、可將該等元件中之所有元件設定 為全強度、可僅將該等個別可控元件中之一元件設定為全 強度或可將該等個別可控元件中之兩個元件設定為全強 度。MLA10之微透鏡中之每一透鏡將導向其之輻射聚焦至 且視該專相關聯之 基板13上之一相關聯的成像光點丨5上 控制元件之狀態而定，可將每一成像光點設定為複數個狀 態。 在一貫例中，除了對應於高及低強度透射級之全開及全 關狀態以外，可將可控元件設定為兩個或兩個以上中間狀 態’在該等狀態中透射處於高強度級與低強度級之間的輻 射。例如每一個別可控元件可能夠產生多達256個不同強度 級。 在此實例中，該等與MLA 10之每一透鏡相關聯之個別可 控元件可經組態以將入射至其上之輻射的一不同比例透射 在處於其相對應狀態中之每一狀態上的透鏡。 在一實例中’該裝置可經組態以使入射至在一透鏡相關 聯之該等個別可控元件中之每一元件上的輻射具有一不同 105988.doc 強度級。 參看圖3 ’藉由當基板由成像光點陣列2〇而照明時，基板 台以一恆定速度在一掃描方向2丨上移動使得導致每一成像 光點橫跨基板掃描一條線而實現基板13之曝光。可視需要 在輻射系統之脈衝之間更新應用至MLA之圖案，且該等脈 衝經定時為使基板上之連續的目標區在所需位置上曝光。 因此，導致投影射束橫跨基板掃描以為基板之一條帶曝光 全部圖案。 成像光點陣列20包含以與掃描方向21成角α而傾斜之 列。此具有導致由成像光點所掃描之線以如此之導致整個 基板由成像光點掃描的方式相對於彼此偏移之作用。在圖3 中展不在曝光製程期間，在一特定時間成像光點所掃描之 基板之一區域》在本實例中，成像光點展示為在以間距匕⑺“ 間隔之MLA之個別透鏡24上疊置。 圖4展示根據本發明之一實施例之其中微透鏡中之一微 透鏡具有定位誤差此導致其位置如25處所示而相 對於理想拇格發生位移。 圖5係根據本發明之一實施例之穿過mLa 1〇的一斷面， 其展示微透鏡2 5之位置誤差所導致之在相對應成像光點2 6 上的位置誤差。或者，成像光點位置誤差可由於在X方向或 Y方向或X及Y方向兩方向上之放大誤差造成。 圖ό展示根據本發明之一實施例之在mLa 1〇中定位具有 放大誤差之成像光點27的效果。 圖7展示根據本發明之一實施例之具有說明與成像光點 105988.doc -20- 1321270 26相關聯的向量誤差之箭頭28的河[八10。在一實例中，幾 乎每一 MLA成像光點將具有位置誤差。 在此等圖案化位置誤差條件下，可藉由圖案化器件校準 程序而補償所導致之成像光點的定位誤差。例如，在程序 中藉由一感應器陣列（例如，光電二極體陣列）而量測成像光 點之定位誤差，且校準每一光點之標稱強度。在本實例十， 在一電腦程式中使用MLA誤差矩陣Emla(i，j)而判定相對於 理想柵格位置之位置誤差，其中丨與』表示在χ&γ方向上具 有間距Lmlax及Lmlay之柵格中之每一微透鏡的位置。在此 實例中，一強度校正矩陣Imla(m，n)可判定為此等值之函數 以及基板固持器相對於MLA之移動速度v、圖案化器件之再 新率f(HZ)及MLA之列與掃描方向之間的傾斜角α的函數。
Imla (1，j)=F {Emla (i，j)，Lmlax，Lmlay, ν，f，α}。 此函數亦視待成像之實際圖案而定。 在實例中，一成像光點之定位誤差可藉由調整相鄰光 點之灰階而校正。例如，此可使用光點補償程序而達成， 在該程序中計算每-光點之標稱位a，且基於光點誤差查 詢表判定待應用於每一光點之所需灰階。換而言之，對定 位誤差之補償係藉由相對於在無該誤差補償之狀況下光點 將具有之值而改變相關影像光點的強度值而達成。 圖8、圖9及圖1〇展示根據本發明之各種實施例之對照在 陣列中之每-成像光點的位置而繪製之十一個成像光點陣 列的強度。 105988.doc 1321270 圖8係其中無成像光點具有位置誤差之陣列的圖表。如與 光點相關聯之強度峰值40所表示，該等光點中之每一者具 有相同強度《亦在此圖表中展示曲線41，其展示陣列之總 體強度，且應注意，此曲線41具有一平坦頂部。 圖9係其中中間成像光點具有大約向右〇1 之位置誤 差，使得該等光點中之每一光點具有與以前相同的強度， 但是與中間成像光點相關聯之強度峰值42具有大約向右 0·1 μιη的位置誤差之陣列的圖表。此導致展示陣列之總體 強度的曲線43具有一不平坦之頂部。 圖10係其中中間成像光點之光點位置誤差已經藉由對相 鄰成像光點應用合適之誤差校正值而得以補償之陣列的圖 表例如，增加了該等相鄰光點申之兩個光點的強度以提 供具有經增加之強度的峰值44及46，且降低相鄰光點中之 光點的強度以提供具有經降低之強度的峰值45。此等應 用至該等相鄰成像光點之誤差校正值導致展示陣列之總體 強度的曲線47具有大體上平坦之頂部，因此防止影像受 損隨後在正常運作期間使用校正值以為誤差提供補償。 結論 雖然在上文中描述了本發明之各種實施例，但是應理解 其僅以實例形式呈現’而並非限制。熟習相關技術者將顯 而易見.可在不偏離本發明之精神與範疇的狀況下對本發 明在形式與細節上作出各種改變。因&，本發明之廣度及 範疇不應受限於上述例示性實施例中之任何實施例，而應 僅根據下文中之申請專利範圍及其等效物而界定。 105988.doc •22- 應瞭解’吾人意欲使用[詳細說明]部分解釋申請專利範 圍’而非[發明内容]與[發明摘要]部分。[發明内容]與[發明 摘要]部分可闡明發明者所預期之本發明的一或多個但並 非所有例示性實施例，且因此，並非意欲以任何方式來限 制本發明及所附之申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 圖2展示根據本發明之一實施例的無光罩成像系統。 圖3展示用於圖2之系統的曝光原理且展示根據本發明之 一實施例之如何隨時間流逝而積累成像光點陣列。 圖4、圖5、圖6及圖7展示根據本發明之各實施例的一成 像光點位置誤差效應。 圖8係一展示根據本發明之一實施例之不具有位置誤差 之一成像光點陣列之強度的圖表。 圖9係一展示根據本發明之—實施例之具有一有位置誤 差之光點的一成像光點陣列之強度的圖表。 圖1 〇係一展示根據本發明之一實施例之其中已補償一光 點位置誤差之一成像光點陣列之強度的圖表。 現將參看附圖描述本發明。在圖式中，類似參考數字可 指示相同或功能類似之元件。 【主要元件符號說明】 10 微透鏡陣列（MLA) 11 投影系統 12 射束分束器 105988.doc -23 · 1321270
13 基板 14 輻射 15 成像光點 16 可控元件陣列 17 場透鏡 18 孔 20 成像光點陣列 21 掃描方向 24 個別透鏡 25 發生位移之微透鏡 26 成像光點 27 成像光點 28 箭頭 40 強度峰值 41 曲線 42 強度峰值 43 曲線 44 強度峰值 45 強度峰值 46 強度峰值 47 曲線 100 微影裝置 102 輕射系統 104 個別可控元件陣列 I05988.doc -24· 1061321270
108 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130 132 134 136 138 140 基板 投影系統 圖案化射束 源 基板 定位器件 射束分束器 目標區 輻射束 照明器 調節器件 調整器件 光點產生器 聚光器 干涉量測器件 底板 干涉光 射束分束器 105988.doc -25-

Claims (1)

  1. -53m45號專利申請案 •文申明專利範圍替換本(98年
    月 > 日 修正本丨 十、申請專利範圍： L -種微影裳置，其包含·· 一圖案化配置； 才又'V系統，其將一射束 板之-目標區上； ^亥圖案化配置投影至-基 -誤差補償器，其供應誤差 中之-誤差效應，·及 &正值以補償該投影系統 一灰階調變器，豆基於哕辇 號至該圖宰化配置、以#二1 2 3、差校正值而供應驅動訊 便藉由改變該圖案化射束之某些 '刀的-強度而補償該投影系統中之該誤差效應。-.如凊求項1之裝置，其中： 該圖案化配置包含-個別可控元件陣列；及 :人I2白調變器係經配置以改變由該陣列之該等個別可 控兀件中之至少某些S件所透射之輻射強度，以補償該 投影系統申之該誤差效應。 3·如請求項1之裴置，其中該投影系統包含： 微透鏡陣列，其在該基板之該目標區上產生影像光 105988-980930.DOC 1 如請求項3之裝置，其中該灰階調變器校正該微透鏡率列 之位置誤差。 2 如請求項3之裝置’其中該灰階調變器校正該微透鏡串列 之放大誤差。 3 如請求項3之裝置，其中該誤差補償器包含： 一感應器陣列，其監控該微透鏡陣列之該等影像先點 之一定位上的誤差。 7· ^求項6之裝置，其令該感應器陣列 陣列。 肢 求項3之裝置，其中該誤差補償器將一強度校正矩陣 判疋為該微透鏡陣列之該#影像光點之位置及該等影像 光點之定位上的誤差的一函數。 ▲长貝1之裝置’其中該圓案化配置係在該照明系統與 °亥基板之間安置在該輻射束的一光徑中。 10.如請求項1之裝置，其進一步包含： 知描系統，其在將該圖案化射束投影至該基板之該 目標區上期間移動一支撐該基板的基板台。 11 ·如請求項1 〇之裝置，其中： 5亥圖案化配置包含一以平行列配置之可控元件陣列丨及 該掃描系統在一朝向該等列傾斜之掃描方向上移動該 基板台。 12_ —種器件製造方法，其包含： 使用一可調整圖案化配置而圖案化一輻射束； 使用一投影系統將該圖案化轄射束投影至基板之一目 標區上； 偵測在該投影系統中之誤差； k供用以補償在該投影糸統中之一誤差效應的誤差校 正值；及 基於該等誤差校正值而供應驅動訊號至該圖案化配 置’以便藉由改變該圖案化射束之某些部分的一強度而 105988-980930.DOC 1321270 補償在該投影系統中之該誤差效應。 13.如請求項12之方法，其中： 使用一個別可控元件陣列而圖案化該射束；及 改變由該個別可控元件陣列之該等可控元件中之至少 部分元件所透射的輻射強度，以便補償該投影系統中之 該誤差效應。 14. 如請求項丨2之方法，其進一步包含： 使用該投影系統中之一微透鏡陣列而在該基板之該目 標區上產生影像光點。 15. 如請求項14之方法，其進一步包含： 校正s亥微透鏡陣列之多個部分中的位置誤差。 16. 如請求項14之方法，其進一步包含： 校正該微透鏡陣列之多個部分中的放大誤差。 17·如請求項12之方法，其進一步包含： 移動—支撐該基板之基板台，以使該射束之該投影係 在該基板之該目標區上。 1 8.如請求項1 7之方法，其中： β玄圖案化配置包含一以平行列配置之可控元件陣列；及 在忒射束投影至該基板之該目標區上期間，在一朝向 該等列傾斜之掃描方向上移動該基板台。 105988-980930.DOC
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