TWI316646B

TWI316646B - A method for etching and for forming a contact hole using thereof

Info

Publication number: TWI316646B
Application number: TW094146992A
Authority: TW
Inventors: Shusaku Kido
Original assignee: Nec Lcd Technologies Ltd
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2009-11-01
Also published as: US20060141789A1; KR20060076745A; US20080283496A1; CN1797216A; US7338911B2; KR100753173B1; JP2006190704A; TW200625028A; JP4314190B2

Description

1316646 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種藉由蝕刻所形成之結構的形成方法，該結構之典型為半導體（如薄膜電晶體）中之接觸孔，更具體而言本發明係關於一種用以藉由蝕刻而形成結構之方法，該結構之典型為使用溶融狀態中之熔流技術所形成之接觸孔，及關於使用該結構之，於顯示裝置的薄膜電晶體之製造方法。此處「一種蝕刻結構」係定義為「藉由蝕刻處理所形成之結構」，並且藉由蝕刻處理所形成之結構的典型為經定義為「蝕刻結構」之接觸孔。

【先前技術】立，於充分說明本申請案相關之技術層次之目的，吾人應2 件中之所有解釋’如本申請案中所引用或詳述之專5、 1 ^明案、專利公報及科學論文均包含於此作為參考。置與3=?小®咖之郷技航侧技術，已使半導« 整合。然而，#半導·置之高效能以此方式進步時由於處理變得困難而增加了製造成本。經由望大幅地減少半導體裝置之製造成本，主數目：\ 1) 4造接觸孔®咖之處伽馳整個處理封 S形項挑戰’⑵域生具㈣理中形式使光阻圖型光並對其施行處理程序的方可藉由使用此變形光阻加熱處理而達成。接著，寸接觸孔。 /々成具有超越曝光極限之微小尺吾人將參照附圖而解釋第—先前技術。 6 1316646 圖1A至ID為與第一先前技術相關之部分縱剖面圖，顯示使用由有機膜所構成之光阻膜的熱熔流而形成微小接觸孔用之一連串處理。 _如圖1A中所示，將閘電極102選擇性地形成在基板1〇1上。接著，將第一中間層絕緣膜1〇3形成在基板1〇1及閘電極1〇2上。再者，經由將由有機膜所組成之光阻膜塗佈在第一中間層絕緣膜 103上、將該光阻膜曝光接著對其施行處理程序，而將光阻遮罩 106形成在第一中間層絕緣膜1〇3上。在此案例中，在光阻之開口部分中的尺寸D1決定於曝光極限。如圖1B中所示，為將在光阻遮罩之開口部分中的尺寸 ^降低至大幅小於曝光極限，可經由在150至200 °c範圍中之一，度下對整健板1〇1作熱處舰造成光阻遮罩⑽中之熱溶 =，因此在光阻遮罩106之開口部分中的尺寸D1縮小為尺寸‘& , 二寸D2小於尺寸D1。因此形成經由熱熔流而變形、並具有超光極限的微小尺寸D2的開口部分的光阻遮罩1〇7。呈* 中所示，延伸至閘電極102之接觸孔108係經由使用 m分的光阻遮罩1Q7祕刻第一中間層絕緣膜之^ +寸2係藉由熱熔流所變形成。由於接觸孔1〇8 寸決疋於熱熔流光阻遮罩107之開口部分中的尺寸D2，因士光阻遮罩之鱗祕朗鋪孔，可形狀寸更微 107 藉纟㈣f知綠絲熱财之光阻遮罩義之接’I基板具有以超越曝光極限之微小尺寸D2所定目錢料之製紗法將縣娜成科ΐ 的先ίίί將轉關於具嫌錐形化之接觸孔作為第二項挑戰 7 1316646 吾人將參照附圖而解釋該第二先前技術。顯示未改變之第二先前技術的部分縱剖面圖，用知光微影處理所形成之光阻遮罩，而形成接觸孔接著;地形成在基板201上。再者，將：一 :=在基板2〇1及閘電讎上。之後，形成在第一中間層絕緣臈上。 204上機膜所組成之光阻膜塗佈在第二中間層絕賴之光科旦膜之曝光程序接著對其施行處理程序（即習知上，阻而阻遮罩2〇6形成在第二中間層絕緣膜204 t ί之開口部分為略微順向錐形化。即：當深度^時，開口部分在水付向上之尺梢微減少。使用光阻遮罩206蝕刻第二中間層、_$ ίί側壁退縮，光阻縣咖隨著表面受到，成光阻遮罩2〇7。在圖2β中之虛線顯示光阻 2狀縱剖面圖。此時，在第二中間層絕緣膜204中水付向上。即：#深度增加時，開口部分在贿戶Γ，f伸至問電極202之接觸孔係藉著使用表面成：iiifi 207來侧第一中間層絕緣膜2〇3所形 ^在此案例中，經由更移除些許光阻遮罩光阻遮罩m之開口部分的側壁退縮，絲遮罩 ΐ:芯Hi成光阻遮軍2°8。在圖2C中之虛線顯示光阻避皁π?又到蝕刻刖之形狀縱剖面圖。％應了解：圖2C中顯示之光阻遮罩208表面顯示了在圖阻及圖2,示之其側㈣更受到退縮的 -時接觸孔209形成於第一中間層絕緣膜203中，且笛 -中間層絕緣膜204為略微順向錐形化。義略微順向錐形^弟 1316646 接觸孔209在底部之尺寸較在接著，藉由使用習知方法移除減。順向錐形化接觸孔的美 #亡阻‘罩施*形成具有略微基板形成為半者，使用習知之製造方法將該數個綱迦中形成複吾人將參照附圖而解釋該第三先前技術。上。接如著圖斤第一閘電極302選擇性地形成在基板3〇1 上絕緣膜303形成在基板3〇1及間電極搬 3〇3上。此處f5麵性地形成在第一中間層絕緣膜第-間雷搞训/+斤不’在水平方向上第二閘電極3G5之位置與成在第-中=之位置不同。再者’將第二中間層絕緣膜綱形成在第/絕緣膜303及第二閘電極305上。緣膜m?將由有機膜所組成之光阻膜塗佈在第二中間層絕習知之光㈣η該光賴之曝絲序接著對其施行處理程序（即 304 处理）’而將光阻遮罩306形成在第二中間層絕緣膜八·二其Ιί阻遮罩306具有第一開口部分鳩―1及第二開口部 :後。弟一開口部分3〇6-1係位於第一閘電極302之上侧C2， ^一開口 $分係位於第二閘電極305之上側C1。如圖中 =，在—水平方向上第一開口部分篇4中之尺寸Di大於在水平方向上弟一開口部分3〇6_2中之尺寸此。如圖3B中所示’第一接觸孔3〇7及第二接觸孔3〇8係藉由使膜刻㈣瞻賴30⑽—中間層絕緣 —如^圖=所不’形成第一接觸孔307使其與光阻遮罩306之第 —開口部分306-1 —致，並使其穿過第二中間層絕緣膜3〇4及第 1316646 一中間^絕緣膜3G3而延伸至第一電極观之表面。辈.ίί—ί妾觸孔3〇7之深度dl婦由以下計算所獲得之值相 L '緣膜別3及第二中間絕緣膜3G4之厚度她Ϊ中光阻遮罩猶中之第一開口部分在水平方開口CL'，形ί第二接觸孔_使其與光阻遮㈣6之第二至第二電極305 3支面並巧穿接過觸電極305之厚度。即，第二接觸孔3〇8之深度ϋ去弟一 ί ΪΓ用 1门義丄別所述，第一接觸孔307及第二接觸孔308 3 猎者使用相同光阻遮罩裏以相同，孔308係當在位置C1钱刻深度達d2時，第 “面=案例中形成第二接觸錢8且㈣+讀_^=^=此另方面，同一時間下在位置C2中並未將第_ + 心 3〇4完全移除，並且尚未侧第一中間層絕=絕緣膜 =之飯刻操作會繼續直到第—電極规表、^ ’在C2 302之表面路出，因而形成第一接觸孔307。電極在此案例中有一問題··在第二電極 -電極3。2露出期間，露出之第二電極3〇〇55 路”直到第而受到損害。由於第一_ 3 經由於苐一中間層絕緣膜303及第一中間層由相較質上較小之材料（如金屬）所纽. 二、304而吕蝕刻率實會貫穿第二電極305。然而如所述，直到二f觸$ 308不為止，所露出之第二電極3〇5持續地受到_處理。:面g 1316646 ΐ T1至第—電極302露出之時_經由受到損害間間隔對所露出之第二電極305過度姻而使其易 -接著在圖面並沿著I-接309使其在露出之第一電極302表㈣接觸07之側壁上展開。另一方面，放置第二雷 305 308 5 深孔，盥形赤笛_ 4&她足/、，、有冰度為dl亚達弟一電極3〇2之而暴露^第二電 ==，具;深度為也並_=二參照;1a f，f之圖15中作為接觸孔似而：該變形光阻膜。然部分之形狀決彳中，由於在熔流开> 程度會變得不均勻。又在<、、、知後光阻圖型之錐版圖:尺*涉及在水平方向上光圖型受到熱處理時涉及千f向ί之尺寸增加，但有機型之體積因熱而收縮，引起有機圖之外因流體化可增加水平方向尺寸有其極限，除此之前：流，嶋此一由熱熔流之蝕刻用遮 1316646 線路之横剖面具有垂i形不當之錐形形狀，即：並且參照圖以至2。1 以向，。以習知光微影處理在不改一先喊術揭露··藉由使用 =，產生僅具有微順向叙光阻遮罩而施行包含下列缺點。即：由於第 j觸孔。然而，第二先前技術孔中僅有相當小之錐形肖戶别絲具有軸轉化之接觸形成必然具有大或顯著順施行第二先前技術以參照圖34至邪，上述之第孔。處理中形成複數個具有不同深術揭露：在-次光微影包含下列缺點。衣度之接觸孔。然而，第三先前技術下兩所述，由於淺接觸孔係經由過賴刻而暴露，故產生以 w⑴第一問題為：淺接觸孔所達之第-雷朽矣m 刻而受到損害，且之後此會在第:二，表面易由過度姓壁上展開之第二電路中引起及ΐ著淺接觸孔之側極之表面間的接觸電阻增加。 "起弟一線路及第二電由於：難以形成。此係刻;接著接觸孔之下區域中之侧壁以水;到過度蝕具有斜度)逐漸地變為垂直。接者接觸孔侧壁（其一開始例如對關於上述之第三先前技術㈣_ 吾人可推測：可藉由使用半曝光之方法，俾使之=始時間較侧形成深接觸孔之開始時間晚，而^ = 孔中之過度蝕刻。該半曝光技術係揭露 == 2_-=584中。吾人將以此半曝光技術作為下列第四加以解釋。具體而言’使用該半曝光技術形成具有第—開口部分及薄膜 12 1316646 f部分的光阻遮罩。接著，使第—開中之位置對準，同時佶戸许祛 1刀/、木按觸孔形成於其部分之光阻遮罩施行^/„使=有”部分及薄厚度觸孔。 —開口部分之侧操作，僅形成深接當，，深度延伸至特定雜以形成深接觸孔時中士，用2制，車乂，身又其中光阻遮罩由相同膜厚所構成的荦例而要更多之處理以移除光阻增並且’吾人需部分，魏⑵f Τ»、. ?罩4膜而接著形成第二開口部分，其導致製造處理之數目及成本增加點及具林含在上触紐術中之缺【發明内容】 &解決之問擷問題目ί為提供—料料先能射所包含之缺點及該方法即.本發明之目的為提供一種餘刻結構之形成方法， 13 j316646 本i;;超越曝光極限之微小尺寸，本發明之另一目的為提供一種可於一次數個具有㈣深度之侧結構科過度_二^ $形成複造處理及製造成本之增加。 /、方法，同4抑制製本舍月之更另一目的為提供一種具有曰孩 :狀之蝴轉的軸紐，_抑造歧不具有控㈣造條件形成綠，該方法同時抑制製造處理及製造成本之增加域曝先極限之微小尺寸，數個形成複處理及製造成本之增加。相方法，同a寸抑制製造本發明之更另一目的為提供一籀臟爾制 ===心少”下2處理：中，該有機膜包者之第二姓刻結構形成於其該有，膜係位於;機溶劑之膜的其中一者’及形有機遮罩。經=罩並使其溶流而形成變成本之增加。4度餘刻’同時抑制製造處理及製造法，歹第二實施態樣’本發明係提供一種餘刻用之方 14 !316646 之有機藉：型者：且該有機膜係位於待I虫刻之構成部八^機/谷劑之膜的其中藉由使用有機遮罩而選擇性地钱刻牲^二 =虫刻結構及形成上_結構，構成部分以形成第最終目標位準且位於第—開口部分之=批構具有深度為第-相等或相似於該深度為第一最炊 ^，而該上蝕刻結構具有、-(> 藉由使與有機溶劑相接觸之有機瑭遮罩，且部公夕松、、* 士加a :、' /谷1^及炼流而形成變: .至乂填滿第一蝕刻結構之底j 及 _ 部分之下方； ς化位4的深度錢於第二開口々日田丨义兴啕機溶劑相接觸之有傷 ^遮罩，且部分之炼流有機遮罩至並使上蝕刻結構維持未填塞狀態；及 … 使用變形有機遮罩藉由形成構，及選擇性地將構正下方之該構之底部造成任何損害之方式下不對第-_ 第i刻結構，及形成具有一最終目度為弟二最終目標位準的第二綱结構構及下钱刻結構與在下列案例中：同時使用—般形成較淺之第-_結構及較有f轉並精著下列手段 •: 態之熔流而形成變形有機遮罩用之iS刻ΐ構:使用經由溶，籌的底部藉由過瓣防止較淺之第 > f滿第一餘刻結構之底部並使上“ 狀態之嫁 1 ff本㈣，ΓϋϊΓΐ填塞狀態 . 去，包含下列處理：赞月知供—種蝕刻用之 - 藉由圖型化有機膜而形成且 i有機遮罩，該第二開口部尺寸717产及第二開吟該有機膜係位於待===機溶劑之膜的其中-者^ 藉由使用有機遮罩而選擇性地_待银刻構成部分而形成角 1316646 刻結構’該第^刻結構具有深度為第一部分於該深度為第—最終目標位準的深度且位於第二開口 /觸之變糊_ ^诚財機溶劑相接 $ , ^：； >最終有選擇性地將待_之構成部分餘刻至第二二最終目標位準與在階梯_中具有順向錐ϊ化的i - 構結構及位於==盆，構更小i?方構ί有較上-終目標位準的深度更深。取、、目軚位準之凍度較第一最此，之後，將變形有機遮罩移除。在第二蝕刻結構中之下蝕 =;而=:=遮罩在溶到損害外，在溶融狀部由過賴刻而受圖型及順向錐形化形狀之較深第二餘亥^二斤處理便形成具有階梯根據柄明之第四實施態樣，本發明提供一種侧用之方 16 D16646 去’包含下列處理：之有成科第—如部分及第二開口部分 4機2有===，劑之膜的其中第= 刻結構’及形成呈古命势κί 刀下方的弟名虫且位於第二開忿準深度相等或相似之深度有機丨相接觸之側壁垂>ί，會沿著第—細結構之底部同時使上侧結構維持在，細大態:f構之側壁及至少其藉由使用變形有機遮罩選擇性㈣弟二最終目標位準之深度而不對第一韻成。咖虫刻至刻損害，以形成具有深度為第-最終目任何钱刻結構及位於第二_結射之^ ^構具有上韻構。 j、、O構正下方的下蝕刻結此外之後，將變形有機遮罩移除。在下列案例中：同時使用一般之有機吉構及較深之第二蝕刻結構，藉淺之第— 狀悲之熔流而在上蝕刻結構内形成未填塞之缴^德經由溶融理，同時填滿第-酬結構之側壁及至少有機遮罩用之處之第-侧結構的底部藉㈣度餘刻而受到'^。’必可防止較淺根據本發明之第五實施態樣，本接^。法，包含下列處理：月如供—種蝕刻用之方藉由_化有顧_祕有帛1 之有機遮罩，且該有機遮罩在第二開口部弟一開口部分部分更薄，該有機膜包含有機膜或者添加有機溶 17 1316646 者’且該有顧餘於待侧之構成藉由使用有機遮罩而選擇性地蝕以具核度為第-最終目標位準且位於第成部分二形成刻結構，及形成具有與第一最終目椤汗、邛为下方的第一蝕度之上蝕刻結構；、π準之深度相等或相似之深以下列方式形成變形有機遮罩：有機遮罩溶融及溶流，有機遮罩= 劑相接觸之側壁垂流，故熔流之有機遮罩填滿第—二曰=弟—_結構之底部同時使上侧結構維持在未填紐構之_及至少其至第，刻餘刻損害’形成具有深度為第-最終目桿;底:任何 :=r*構及在第二娜構中=“以此外之後，將變形有機遮罩移除。在下列案例中.同時使用一般之有機触刻結構及較深之第二韻刻結構，藉著下〜第-狀恶之熔流而在上_結構_絲 =洛融之第一 __底部藉可防止較淺為械-有機遮罩使其較第二開法，包含下列處理··、樣，本發明提供一雜刻用之方藉由圖型化有機膜而形成具有第一開口部分及第二開口部分 18 1316646 之有機遮罩，該有機膜包含有 :者’且該有機膜係位於制刻之機膜的其中弟-開口部分附近中之厚度較其他部分】.l亥有機遮罩在具有成部分，形成 =二'2具有與第-最終目標之附近中具有較薄膜厚之部分移除；有機遮罩隸ϋί 由使财_船目接觸之同時使上侧結構維持在未填|狀_ ^構之_及至少其底部至第將待侧之構成物刻終目標位準之深度較第—最終目標二忿構，j第:最之下餘刻結構，·在弟一姓刻結構中位於上姓刻結構正下方此外之後，將變形有機遮罩移除。 ,.At _丄棘刻結構，精者下列手段：使用經由、交4 之第门構之側壁及至少其底部，必可防止較淺之弟一侧結構的底部藉由過度姓刻而受到損害。久為形成-有機遮罩使其較第二開口部分附 ii二使用習知之技術方法。特包含半曝光技術及印為典型例雜而雜糖者。如前所述，在使科曝光方法^ 19 1316646 例中其涉及處理數目之增加。亦包含有機遮罩之灰化作：刷方法為避免其之較佳者。將第二開口部分附近申之谅= 生但非限制性之處理，以僅去發明遮罩區域的薄膜厚部分移除。根據上述之本發明之第一冲同時使用-般之有機遮罩，开;H、實，態樣’在下列案例中：二蝕刻結構，藉著下列手段：I戈之第一蝕刻結構及較深之第刻結構内形成未填塞之變，由翻狀態之雜而在上赖刻結構之侧壁及至少其底部，罩用十處理，同時填滿第一蝕部藉由過度蝕刻而受到損害。，防止較淺之第一蝕刻結構的底並且除了防止較淺之第—蝕損害外，溶融狀態中之熔漭 ^、、、°構的底邛由過度蝕刻而受到及順向錐形化形狀之較深^1蝕^、=新處理便形成具有階梯圖型此外’本發明相關之有施 '士光阻遮罩，故以下將以使料轉阻為:般之光阻膜及及有機遮罩之通常範例而加 ' 2、罩之木例作為有機膜 m加Μ轉。但本發明並非限制於此。【實施方式】如前所述，根據本發明之第一光微影處理而形成具有不同钱| 樣，在使用一次法中，藉由形成有機遮罩之丰於二弟一及弟一餘刻結構的方刻結構的底部由第二餘刻處理二念具有較淺深度之第一钮右播m目女…[丄题理而交到抽害。艮17 :該光阻遮罩包含有機Μ或，、有額外有機溶劑之膜其中一者，第一银刻處理後藉由、、交％灿能士在光阻;4罩施订變开〈之射之雜而變形光阻遮罩，及使用又开/之先阻膜作為遮罩而施行第二蝴處理。中，彡之光阻膜作為遮罩而施行之第二㈣處理成笛:圖化而產生之光阻遮罩施行第—餘刻處理而完，苐蝕』心構之形成。且之後經由在溶融狀態中之熔流，者減變形之光阻遮罩熔流而至少覆蓋或填滿第一姓刻結構之底 20 1316646 部。Γ方構之底部未受到過賴觸未受到損宝。另一方面考慮到第二蝕刻結構，不t Η貝。名虫刻結構的底部並未使用變形光阻遮罩加以=成之上明之上列第二實施態樣，光阻沿2 °例如’根據本發 •钮刻結構之底部中央區域為暴露之賴炫流’但上熔流所變形之光阻遮罩炫流了 = 士=八有藉由溶融狀態之 *施態樣，光阻未職發=列第，第五實狀態中上㈣結構之底部，該，阻沿著在暴露之態之溶流所變形的光阻遮罩溶流爛、、、省之底部不具有由溶融狀藉由使用此由溶融狀態中之行第二侧處理，上細m構麟炫流而施上御m叙正下敍與其_婦之^構因此形成位於弟一蝕刻結構具有最終目择办淮+ π /[、、口構之上蝕刻結構具有與第一最線;俨位準^第二蝕刻結構中度。因此，即使在第一同或相似之深電極及電路），在第一_處理中置執仃構成部分(如受到實質上之損害。丁構成4刀並不會受到蝕刻或已變遮罩炫流，且部分溶流之第二蝕刻處理中第一蝕刻_ 1、、、°構之底部，俾使在接續之吾人僅需以刻及受到損害。構間之底部。故，部分炫n 、、、f復盍或填滿第一蝕刻結水平方向上具有大尺寸;復11，在第i 〜體積之案例中，光阻之體積需大帛-|虫刻結構具由溶融狀態中之熔流使井、—;—蝕刻結構之體積以藉飯刻結構填滿。在難構中流動而完全將第一例中’或導致缺點或不便的案 21 1316646 覆nn ’以避免將第—_結構祕填滿。例中，在第平方向上具有不太大之尺寸的案的案例中可之體積或不具有太大之深寬比，-侧結構之深寬^tA 水平方向上之尺寸極小且第 '接延伸至弟-_結構之底部，但t y，難以直在接二⑶分之底部阻之☆光前所施行之溶融狀態光構之底部在接續之第f刻結構之底部，故第-細結另-in 刻處理中不受银刻或不受損害。結構中之上Ιά辭；^溶雜®巾光阻雜後第二钱刻二實施例，藉如根據本發明之第刻結構兩者垂流。 }光P化者上蝕刻結構及第一蝕第一結•水平純上之尺寸大於上蝕刻結構之底部處於聂 t丄則無法將上蝕刻結構填滿且阻炫流將第一餘刻結構i全填^中^即便使用由溶融狀態之光光阻熔流仍停留在該處。、〜π /σ著上餘刻結構中之侧壁的二餘刻處理，以流所形成之變形光阻遮罩而施行第成下綱結構。因此，下二中之底部暴露部分而形刻結構在水平方向上j、、、。構在水平方向上之尺寸小於上蝕上之光阻熔流膜厚的、，兩者差值約相當於在上蝕刻結構壁因此，形成具有_圖型及順向錐形化之第二餘刻結構，該 22 1316646 順向錐形化為上蝕刻結構之組成，且上小於上侧結構之尺寸的尺寸。下飿刻結構具有在水平方向根據本發明上述之第四至六實施態流㈣阻沿著_麵流。但誠細未在f 熔之前施態樣，在光阻=t流的方式形ϊίίίί開I部分之附近中具有薄光阻流時，使在周園區二=溶融狀態使光阻部分熔結構係位於第二開口部分之^方心'、、0構之側壁垂流，該上钱刻刻結六ί施態樣’為避免溶流進入上蝕結構及上飿刻結構後第一韻刻處理形成第一银刻部分之附近中的以⑼^^ 刻忽使在溶融狀態之光_流1上2 之側壁垂流，抑制光阻沿著上烟結構在該案例二開口部分之下方。距離與溶融狀態中二:皁使光阻遮罩之薄膜厚部分的狀態中之料未延伸至上㈣^，圍£域部分停止。-旦溶融 23 1316646 至上嶋㈣流延伸構之底部填滿，因此，安排溶3虫==悲中之炫流將第-飯刻結與溶融狀態中之溶流延伸至上^停止時點，使其施行第二敍刻處形成之變形光阻遮罩幾乎與上爛結構在水平方向上平方向上之尺寸變得上不具錐形之第二蝕刻結構：=二】此賴Μ實質結構在撕向上^乎與前變形光阻遮罩α« ί* * ί * ~mi m =行第，刻處理。之=光阻遮罩構中之一者的水平方向尺寸將弟或第一蝕刻結「在溶融狀態巾之奸Λ & U越曝光極限。，外有機溶劑之可溶融膜G用溶曰液虫有，或具有之溶融纖流」或藉由藥用將其全體稱為「溶融狀態中之熔流」。机」’、，)而在本發明中液包虫有機膜或可溶融具有額外有機溶劑之膜的藥用溶將膜暴露於蒸氣化之有機之稀釋溶液中，以使有機溶將膜浸於有機溶劑曝光極限之微小尺寸之圖型:變开之膜變形為具有超越阻遮罩時將位於光阻遮罩下方遮罩，以便在使用變形光可舉出與構成部分相似2t待蝕刻膜移除。丨刀相似之料她之膜，尤狀 24 1316646 =f層或夕層結構之中間層二fi。然而待_之構成部為待^之構成部分的通料且可使祕何可⑽之材=‘之材料’其並不限於特定材、本發明中之蝕刻結構意即如，通常範㈣。但餘刻結構並不限疋義。可舉出接觸孔作為其 ^溝結構，或其有藉由所通孔、貫穿孔、達之構成部分的通常範例。孩電ϋ及電極)作為接觸孔底部所部所達之_部分的通常範例作為通孔或貫穿孔底分之以該::止可在該時停由光阻遮罩之溶光f圖型的情況下，經尺寸。因此，即便因曝光極上的水平方向丄物可使開口部分在影技^^^^^^2(：所轉之第二先前技術，由光微及順向錐即ΐ其=將，成為具有傾斜錐形化_的程度或量非常微小，即便“此刻’其縱勤雜亦健有微顿斜及順峰形化。’、、&灯然而根據本發明上述第四至六實施例，可或類梯級、及順峰形化形狀之職聽構。，、有f白梯狐根據本發日壯述第四至六實侧之上述方法巾炫流相關之熱脑及溶雜態下之脑。但而、；：狀灯之關韻雜紐亦對絲_ (有機而吕’在使用熱炫流形之順向錐形化形狀時會引起下列三問題。 25 1316646 ⑴第-問題為：由於在熱炼流後之溶流部分形狀係由光阻之光阻ί ΐί錐ί形狀度為非均勻則在熱溶流後巫七12)第二問題為：藉由熱熔流之錐形形狀涉及光阻圖型在水二附ϋ尺寸減少。當有機圖型受職處理時，舰流引發有 =型體積收縮同時引發水平方向上之尺寸增加。即：由於^ =由熱引發械_之體縫伴_由_麵使水付 ;方=:=二1旦:較於溶融狀態下之熔流之尺寸增加，此水不°減的，由於溶雜態下之«在低溫水平下加熱）’轉由在低溫度τ之液體化使在擴張，並不會引細堇造成有機圖型之體積吾人應施縮減斷 -在溶融狀態下之熔流後施行加敎的L宰例7 ::扩里:f ίί溶度並不』造成及鱗紅組成所前面.變#度之麟，熔流之反向錐形。另-方面，由於有垂直形狀或部分之前面形狀變得騎:下之嫁*具有低黏度，溶流刻及可使狀，其可避免胸虫有機膜ίίΓΐί f恤成：雜默單層結構、而另-方面，呈有有^材料及有機溶劑所組成， /、有頜外有機浴劑之膜主要為無機系材料及有機溶 26 1316646 劑所組成。關於一般之有機系材料可舉例如：光阻用壓克力、聚醯亞胺、聚丙醯胺、聚合物有機材料材枓樹脂、關於-般之無機系材料可舉例如：石夕氧貌烷、聚矽酸舞、碳魏、石夕、無機玻璃。夕軋烷、來石夕 -可使Γ於—般之麵溶劑，所#町麻之麵溶_用溶液皆溶?(R代表烧基群或替代减群，* Am其射除本基群之芳香環）：醇類们、、P爱其妒+ 本基群或 Αγ-Ο-R ^ Α.0-ΛΟ ^ s|^(^H) ' 醇醚類。衫貝玟基乙二醇類、二有機膜亦可由水溶性材料所組成。在之-般例可如下列之-種、或包含下列一種以/二谷性材料包含該鹽類作為主要組成之材材料、或料:聚丙烯酸、聚乙烯醇縮醛、聚乙烯二與述材錢、聚丙烯銨、包含水溶性樹1 =:酉:酐共聚物、聚乙稀三聚氛胺樹脂、水雜騎族、水溶性在有機膜主要由有機材料（可溶曰挪胺。之案例中，可藉由使用有機溶&之液體或無機溶劑)所組相似之處理效果，在有機膜主，（如樂用溶液）而獲得或有劑溶劑及無機材料所組成的案例f 3幾=容劑及有機材料、包含水）來獲得相似之處理效果了错由使用水溶液（至少的案例:例於特定有機溶劑)所組成 =之有機繼液’即:將解釋;露在:=== 但亦可使用如有機膜用之材料機洛劑所組之有顧、主要由水 ^要由錢諸料及有之材枓及水溶性材料與無機材 27 1316646 料之復合物所組成之有機膜；熔流方法，即：浸泡在藥用溶液中之方法’亦可使用第各種光阻之通常範例可舉例如：

射線敏感之X射線光阻及對電崎之子，^光阻、對X 不限於此。關於綠之㈣，下組。但光阻並機材料所组成之光阻；及在由高分子 =丄例如.僅由有感删及其他額外化學劑所組成之影用之材料之復合物所組成之光阻。由有機材料及無機列者僅由有機倾触狀光_—城财包含但不限制為下舉出聚之範例。且可作為膠系光阻之範“ ^ ^ 1¾ ^ I, -5-,. @lt §| (napht〇quin〇ne azide_5^ ^列H ΐίΓ推狀復合物作為顏清漆翻旨系光阻之聚物樹脂^_ t 丙=胺酸作為具有丙烯酸之共溴板光粗夕、，人ΛίΓ面’可舉出含金屬之光阻作為由有機材料及血機材 Γϊί的光阻之範例。而可舉出_·包含石夕光阻^含 S 4氧燒光阻、含砂酸_光阻或含碳魏Μ =ίίίί=ί^此外，可舉含錄光阻作為包含石夕以，外，可形成具有正型光阻或負型光阻其甲任一者之光阻 at 么甲，f清漆樹脂及蔡醒疊氮+續酸酯(―e ι«八π、主、*SU f〇niC aCld es1：er)之混合物所組成之復合物，例如漆樹脂系可作為適當之正型光阻。而由環形聚異戊二烯或 28 1316646 觸方法。之=㈡^為通常之接有之機表光㈣液中。 ^ 5戈將先阻如包在藥用溶液之稀釋溶種下列有機条用〆奋液中之—般有機溶劑，其至少包含其中一除苯基心代表苯基群或所達在第一或第二餘刻結構中-者 I至少-者，可保護構成電J經及第二蝕刻結構各種孔(如作為導電用途之接刀觸 =電3率。在此案例中，可舉出·· 作為第-及第二钱刻結構之—^孔或貫穿孔），或各種渠溝或各種電路，作為位於該_二二。且，可舉出：各種電極板 f列。可舉出··控制電極（“、===導電構成部分的一般或汲電極為典型 >，作為久 ^極為典型）及訊號電極（以源電極鋪於基板上，或在多声般範例。可配置電路使其平之位準。夕層電路結構中配置電路使其具有較基板更高刻結構正下方具有較淺深麵及半導體，尤其位於第一餘 =待钱刻之導電構成“ 成部分’最好由具有敍刻率屬氮化物、具有高炫點之=材ίί所組成，如：金屬、合金、金刻之導電構成部分的_率，可 29 1316646 蝕刻處理中受到過度蝕刻。構，由於導處理中形成第二餘刻結構中之下餘刻結態之溶流使第一餘刻構之底部（即：藉由溶融& 之底部(即：_冓成ΐν正二填it雜)’故第—餘刻結構如上所计、π刀）在弟一蝕刻處理中不受暴露。構，另-方二在目標位準之深度的第一餘刻結相等於第二:終目標:使，上蝕刻結構構成部分在捫声由此，位於第一蝕刻結構下方之導電 I舉出下列金屬麟構，作為位於上述第—侧 ii2=i r，例:™膜(氧化銦錫膜);銦錫合金，·由 ’二、& 1斤形成之單一層結構；兩層結構，但其中一層由 ’而另—層由鉻或絡合金所形成；兩層結構，但其声妹金所形成’而另一層由鈦或鈦合金所形成；兩人層她或is合金所形成，而另—層由氮化鈦或 &孟/成，兩層結構，但其中一層由I呂或铭合金所形成， ίί:層Ϊ鉬或鉬合金所形成；兩層結構，但其中-層由鉻或鉻 =所形成，而另-層由翻或钥合金所形成；三層結構，第一及第三層由鉻或鉻合金卿成，而第二層祕或齡麵形成；三層結構’第—及第三層由鉬或齡金所形成，而第二層由銘或紹合金所=成，二層結構，具有鋁或鋁合金、鉬或鉬合金及鉻或鉻 t金，二層結構，具有鋁或鋁合金、鉬或鉬合金及鈦或鈦合金；二層結構，具有鋁或鋁合金、氮化鈦或氮化鈦合金及鈦或鈦合金。再者，當經由使用光阻遮罩而施行第一蝕刻處理以形成第一 30 1316646 餘刻結構及上银刻結構時，光阻遮罩之表面可因餘刻而受到損害或改變。即使此作法並非必需，但吾人較期望將形成於遮^ 表面上之變化層移除。通常可藉由電漿處理或uv臭氧處理來進行位於光阻遮罩表面上之變化層的移除處理。几t早衣可使用其中-者來進行電漿處理：包含〇2氣體之賴處體、包含氟系氣體之絲處理氣體，及包含⑶氣體及I系氣混合氣體的電漿處喊體。在賴處魏體為I魏體中，電漿處理氣體包含SFe、CF4及CHF3其中一者。 '、在電漿處理氣體為〇2氣體及㈣氣體之混合氣體的電浆處理氣體包含SF6/〇2、CF4/〇2及CHFs/U其中一者。在本發明之第五及第六實施態樣中，可^行習知之方曝光方法及印财法）錢在腳區域衫二開口部分之 J較薄之光阻遮罩。可舉出下列範例作為控制光阻遮罩之部分膜厚用之方法： ' (1)種开》成光阻遮罩之方法：經由在曝光處理用之井|的，圖型上形成庇光部分及半庇光部分，_=====

C至細膜上；其巾庇光部分及半庇光部分藉由至少兩ί 更多梯級之方式來控制光之穿透量。 A 姉成光阻鮮之方法：經域著將曝光強度至少改 ili梯級、藉著在曝光處理中使用兩種或更多種光罩遮罩用鬥[ίίΐίί明f第六實賊射’可崎f知方法作為俾使，，處理方法。可舉出如：使用氧使光阻遮罩變形之灰化^ 三或使时外線及加熱之臭氧處理，作為_般範五部分完全被移除為止。城仃趁化處理朗薄膜厚根據本發明之上列第-至第六實施態樣，可將本發明施行至 31 1316646 母一半導體裝置用之方法，該半構而每-爛結構具有不同产 * 1，、硬數個餘刻結種類之限制。可舉出案例中之半導體裝置並無及EL顯示f置，作為範例’如：液晶顯示裝置電晶體基板t 動(作為顯示裝置用之基板的薄膜 # m "Γ列所述之實施例係為施行本發明之上列第一至篦·-皆π能樣用的-般範例。雖已對本發ϋ弟至第/、貫把態與本發明之第—至J二:的作評細闡述，但為使參昭附圖解鏗樣相關之通常實施例易於了解，將、、、付圖轉下狀—或多鑛常及較佳實施例。 (實施何二^ 第三蝴—。實關—對應至施行本發明之第一至 -：經C吊範例。圖4A至4E顯示關於本發明之實施例理縱剖面圖影處麵軸複數贿度不同之孔的—連串處 1上。電構成部分2選擇性地形成在基板用於液㈣板i。絕絲板可為例如：_基板(如氣外功胺、、裝置之玻璃）、及絕緣膜（如非晶矽、二氧化矽膜、 i，可用導體電路之：氧切黯氮切臈）。此雷來成弟一導電構成部分2。可用下列者形成為導之荦例巾可f膜、金屬膜、合金膜及魏金屬膜。例如在單二層中:、可使i下成:鉻、鉬或兩者合金。而在數薄層案例使用Γ成：絡—銘或1呂—絡。而在三層之案例中，可膜厚，並不且^銘，。可任意決定第一導電構成部分2之組成、/ il、體限制但例如：可在200至500 之範圍中。作用。 $電構成部分2扮演著閘電極之作用但不限制於此部分ff。，將第—中間層絕緣膜3形成在基板1及第—導電構成 32 1316646 第一中間層絕緣腺q η5ΐ 第-中間層絕緣膜3之二3知材料所組成。此外，可以俾使意決定第-中間層絕緣、^ ^導電構成部分2更厚的方式任之後，將第二導膜厚，但不需具體限制之。緣膜3上。在此案例選擇性地形成在第-中間層絕方向上之位置與第—導^斤第二導電構成部分5在水平部分5可*具有單 °》2之位置*同。第二導電構成構並不需限制於此。s、，構或多層結構之導電膜所組成，但層結例如在圖4A中所千，镇_ .曾_ 5-1及上層導電膜5〜2 : ’構成部分5可由下層導電膜電膜W可由相層結構之案例中，下層導可由相對姓刻率較小之材^乂來組|才料來，、且成’而上層導電膜5-2 5)^t 由過度姓刻受到損害。x W (後述）中抑制第二導電構成部分5 成：之_ ’其可由下列者所組 =㈣ ^一。口 S3 案但例如：可在電以組成膜厚，並不具體限制決定下声之案例中，可依據每一層分別之作用來任立二'疋下屬V電膜5-1及上層導電膜5—2每—者用采任思、 .至0. 5 之範圍。例如第二導電構 :，例如，在之源電極或沒電極的作用，或除電除間電極外而其作用並非限制於^用嫌電極外之£人姆接觸，或電路。然，者，將第二中間層絕緣膜4形成在第— 第二導電構轉分5上。第二中__可;;== 33 1316646 二可以俾使第二中間層絕緣膜4之膜厚㈣道中 Z5J:的方式任意決定第二中間層二:以 4上，接J施之Jf膜塗佈在第二中間層絕緣膜中’光阻遮罩6具有第—開口部 &邑f 4上。在此案例 ^Ϊ7；：σ. 在水平方向上之尺寸])2。^之尺寸D1小於第二開口部分6—2 藉著僅^擇性行第一韻刻處理，其中 -1ΓΓ. / 取惶貝牙弟一中間層絕緣膜4且達第-導雷堪士、加八亡。且深度dl等於自第二中間層絕緣膜度所獲得之值。再者，第-接觸S 4; 第- = ΐ二接觸孔之上部7分Η係根據光阻遮罩6之

Ulltl 6；2/f W 4 中門層4膜4及第-中間層絕緣膜3。且第二接觸孔之八 8-1的深度d2-l等於第二巾間層絕賴4之深度。即：第二^ 上部分8_1的深度私1㈣—接觸孔7之深度dl(d2-l>dl) 更珠，兩者之差值為第二導電構成部分5之深度觸孔之上部分㈠拉平方向上之尺寸係由光 f 口部分6-2在水平方向上之尺寸D2所定義。之弟一開 34 1316646 如前所述在相同餘刻處理中使用相同光阻遮罩形成第一接 Ϊ孔及部!部分8—1。此處當蝕刻深度達深度dl時，苐—冷電構成^刀5之邛分表面露出以便形成第一接觸孔7。南在此ίΓΐιί圖丄化中所示’當光阻遮罩6與有機溶劑相接觸而處於包覆狀^ ’光_罩6受到溶融爾舰流副、旧紅細鮮不僅填滿接觸孔7之底°丨而疋填滿整個接觸孔7。相反地’由於第二接觸孔之上部分Η 徑=第二二孔8之=較於*—接觸孔7槪故= 2 受到溶流光阻之包覆或覆蓋，但第中間層、、、邑緣膜3並未文到光阻遮罩6填滿並露出。接著，如圖4D中所示，由於第一中間層絕緣中間層絕賴3更受舰難麟出第—導電構成部分止。遮罩ft:::兄=堇:f二中間層絕緣膜4之側壁受到光阻絕緣膜3:受到 8的内細約等於在第=孔，阻遮罩6之包覆後，第二中間層中間層絕緣膜3巾之内J[徑D3間的差值紅”弟一流之光阻遮罩6在水平方向厚度因沿著側壁垂 f第:中間層絕緣膜3中之内直徑D3之裝置==直徑D4 6之厚度，軸向剌彡化雜之階梯。〃有光阻遮罩著，^妾’藉由習知方法移除光阻遮罩6。且接 Hit形成第一電路層9及第二電路層1〇出之表面，且沿著第-接觸孔7之側壁。構f部分5露 Ϊ層=膜3之内直徑小於第二中間層絕緣^内^於第—中弟一電路層W職-階梯。另—方面，；4^直 35 1316646 舖於第-導電構成部分2露出之表面，且沿

5未受職害，而接觸孔8具有C 即使吾人使用通常之有機遮罩，作蕻之溶流而形成變形有機遮罩的;; 結構及較深之第二_結構，則必可防止底部由過度钱刻受到損害。餘刻…構的 ί_第二實施例）筮；7„釋實施例二。實施例2對應至施行本發明之第-弟四及第五貫施態樣之通常範例。月之弟一、圖由:次光微影處理形成複數個深== 膜)，卜j;積;;t之二氧切膜及氮切在C層ίί例ίΐΐΐ、金屬膜、合金膜及石夕化金屬膜。例如薄層案例中了可ί用Ϊ列、翻或兩者合金。而在數例中，可使用下列者.m成·ϋ呂.路。而在三層之案之缸成膜戶^ Α 、呂鉬。可任思決定第一導電構成部分2 、例如體限制但例如：可在200至500 nm之範圍中。此作用。“構成部分52扮演著閘電極之作用但不限制於成部=上將第—中間層絕緣膜53形成在基板51及第—導電構 36 1316646 哲中間層絕緣膜53可為習知材料所組成。此外，可以检你苐-中間層絕緣膜53之膜厚較第一導電構成部分犯卜任意層絕师3之膜厚，料需具體限‘式緣膜絕 Γ方向上之位置與第—導電構成部分水 «分55可由具有單—層結構或多層結構之導電構結構並不需限制於此。傅·^电膜所組成，但層 55. ^ 55 導電膜55H 成列如在兩層結構之案例中，下声對電阻率較小之材料來組成，而上層導 55 2 了由相對餘刻率較小之材料來組成。導細阻，^咸少第二電極（即：第二導電構成部分55)之雷成：財由下列者所組案例中可使用下列者形成在單層之例中，可使用下列者形成：鉻—銘或I:者在數薄層案可使用下列者：鉬-鋁—鉬。而在二層之案例中，可任意決定第二導電構成部分Μ 但例如：可在200至500 nm之範圍中。、、、成厚，並不具體限制例如在兩層結構之案例中， — 決定下層導電膜糾及層^別之作用來任意在0.1至G. 5，之範圍。例如^g母= 之厚度，例如， ==源電極或汲電極的作用，除閑電然而其作用並非限制於此。卜之歐姆接觸，或電路。再者，將弟一中間層絕緣膜54开彡忐y*贫a 及第二導電細分55上 37 1316646 =構成。此外，可以俾使第二中間層絕緣膜54之膜厚構成部分55更厚的方式任意決定第：中_ 車電但不需具體限制之。 4之Μ厚’ w之^將由有機膜所組成之光_塗佈在第二中__胺 i ί ’ ?^物行習知之曝域理，接著施行光阻膜之“ίίί 使光阻遮罩56形成在第二中間層絕緣膜54上。在此里而弟開口^ 56-1在水平方向上之尺寸D51 T所不 56-2在水平方向上之尺寸即2。；一開口部分經由將開口部分56_2半曝光及之化形狀之梯級。開口部分56-2之附近中;厚产順向罩56之通常厚度D58更薄。予又D57較光阻遮 #如圖5B中所示，使用光阻遮罩56施错^僅選擇性地對第二中間層絕緣 :广理，其中如圖5Β中所不，第一接觸孔57係根 ^刀開口部分56-1所形成，僅貫穿第卞阻遮罩％之第一，成部分55之表Ϊ。：貫54且達第二導 54之iίίι ί表面露出。且深度d51等於自第二中，絕ίϊ 分在水平方向上之尺寸係由光直第再刀如'1在水平方向上之尺寸D51來定義。6之第一開口部 > &在另—方面，第二接觸孔之上部分58-1伤## , y二開口部分㈣所形成且僅貫穿第j 且遮罩56 & ζ間層_㈣及第—_絕_3間_^緣=而， k接觸孔之上部分58—!的深度d52_^2 =深f即：干又乐接觸孔57之深度 38 1316646 d51(d52-l>d51)更殊’兩者差為第二導電構成部分阳之深度。者’第二接觸孔之上部分58-1在水平方向上之尺寸係由光阻遮罩 56之第二開口 4^7 56-2在水平方向上之尺寸仍2所定義。編述接處理中細目同光阻遮罩形成第一接 Ξ 1 分。此處當娜罙度達深度d51 第一導電構成心55之部分表面露出以便形成第一接觸孔 57 ° 在此案例中如圖5C中所示’當光阻遮罩56 觸而處於包覆狀態時，光阻遮軍56受到熔罩56溶流時，由於開口部分之直捏小，溶置: 滿接觸孔57之底部亦填滿整個接觸孔57。‘罩不僅僅填相反地，由於第二接觸孔之上部分則的開口 Ϊ 積相較於第—接觸孔57亦較大，故即使 ^ ΐ 5:邑ίΐ;3刀並 1一、;，受到炼流光阻之包覆_蓋1 iiTW?D^ -中間層絕緣膜53更受到_直到雨屮^曰=緣膜53露出，第止。環職―—導賴成部分52為

井阻*於僅在第二中間層絕緣膜54之12侧辟受到光阻遮罩56包覆的狀況下施行蝕』土又至J 間層絕緣膜53 :受到光阻遮罩56包覆的在式 = 虫刻第一中之接觸孔58的内直徑D54約等於二f j a絶緣膜54中直徑D53。在移除光阻遮罩56之 ^ j緣膜53中之内中之内直徑與第-中間層絕緣膜53 =，弟二^間層絕緣膜54 聽流沿著側壁垂流之光阻遮罩％中在水=1)53,的差，約為此，自側壁將光阻遮罩56移除 =度的兩倍。因接著，如圖5Ε中所示，藉由;====皆样且 39 1316646 接著，藉由習知方法形成第—電路声在此案例中，使第一電路層59曰第；電路層6〇。露出之表面，且沿著第一接觸孔57伽辟;。弟一導電構成部分55 中間層絕緣膜53之内直徑小於第—/、體而言，由於第一故在第一電路層59之侧壁形成—S曰_絕緣臈54之内直徑， 60平鋪於第一導電構成部分52 二主—方面，使第二電路層 58之側壁。路表面’且沿著第二接觸孔因此，形成具有接觸孔57及接具有深度d51但第二導電構成部板，接觸孔57 具有第一中間層絕緣膜53之厚产刀5未貝害，而接觸孔58 當蝕刻之第一導電構成部分52。又 /衣又邪2~1延伸至受到適即使吾人使用通常之有機遮罩熔流在上細結構_絲魅之變形罩溶融狀態之，結構之側舰至少其底部的方式 g第但=滿第-韻較深之第二蝕刻結構，則必可 j第-蝕刻結構及過度蝕刻受到損害。，弟蝕刻結構的底部由 (第三實施例) 第四】第二、此外，可用導雷體積體電路之二氧切膜域化石夕膜）。幵/成·鉻銷或兩者合金。而在數薄層 40 1316646 案例中，可使用下列者形可使用下财·· 。I 在三層之案例中，成膜厚，並不具體限制但第一導電構成部分72之紐例如第一導電構成Λ ^ 口在大約。此作用。 Q刀72扮演著閛電極之作用但不限制於接著，將第一Φ pq ja , 成部分72上。 θ、邑緣膜73形成在基板71及第一導電構第一中間層絕緣膜乃炎第一中間層絕緣膜73之腺知材料所組成。此外，可以俾使任意決定第-中間層絕緣膜予電構成部分72更厚的方式之後，將第二導電編略，但不需具體限制之。緣膜73上。在此案例中如二5一選擇性地形成在第一中間層絕平方向上之位置與第一導播不’第二導電構成部分75在水成部分75可由具有單一 ==72之位置不同。第二導電構結構並不需限制於此。S、’、° s夕層結構之導電膜所組成，但層例如在圖6A中所示，第_壤 75-1及上層導電膜7 弟：—電構成#分75可由下層導電膜導電膜75-1可由相對雷例如在兩層結構之案例中，下層 75-2可由相對綱率r ^父小之材料來組成，而上層導電膜 ::蝕刻率較小之材料來組成。阻，且再者H第(即：第二導電構成部分75)之電了δ由過刻處理(後述）中抑制第二導電構成部分成：ίίϋίϊ構成部分75之導賴’其可由下列者所組鋁-銅合n成屬膜、合金膜及石夕化金屬膜，及例如：可使用但例J任#電構成部分75之組成解，並不具體限制決定^之案例中’可依據每一層分別之作用來任意曰導電膜75-1及上層導電膜75-2每一者之厚度，例如， 41 1316646 如ΐ二導電構成部分75扮演除_極外之雪对並sr或除電極外之歐姆接觸，或電路 ^ 73 所構成。此外，可以俾使第一彖膜74可由習知材料 J電構成部分75 _方“以=第二厚，但不需具體限制之。 ^ ^間層心_ 74之膜 7“之f二將由有機膜所組成之光阻膜塗佈在第二中間岸举续腹遮罩膜74上。在_中，先ϊ ㈣在二D71 _二開口部分錐由將開口部分76~2半曝光及隨後將其灰化而形成_貞· ^化形狀之梯級。開Π部分76_2之附近中的厚* D77 ^U 罩76之通常厚度D78更薄。九阻遮葬圖6B中所示，使用光阻遮罩76施行第一蝕刻處理，苴由地對第^中間層絕緣膜74施行等向_，以在ίΐ 如：如Η ^ I4所内形ΐ第一接觸孔77及第二接觸孔之上部分 ΐ:Ιί Μ所形成，僅貫穿第二中間層絕緣㈣且二弟； 74 :乂 ίΓ分表面露出。且深度耵1等於自第二中間層絕Ϊ ί -ίί減去第二導電構成料75之厚度所獲得的值。再者Ϊ ，觸孔77在水平方向上之尺寸係由光阻遮罩？6之第 77扣〜1在水平方向上之尺寸D71來定義。 1 # 42 1316646 在另一方面，第二接觸孔之上部分78_丨係根據光阻遮罩之第二開口部分76-2所形成且僅貫穿第二中間層絕緣膜74而第二中間層絕緣膜74及第—中間層絕緣膜73。且第二接觸孔，分78-1白勺洙度d72-l等於第二中間層絕緣膜74之深度. 第二接觸孔之上部分78-1的深度他丨較第—接觸孔7声，仍-1=)魏，兩者差為第二導電構成部分？5 $ 者，弟二接觸孔之上部分11在水平方向上之尺寸係由光在水平方向上之尺寸⑽所定義觸孔接f處理中使用相同光阻遮罩形成第一接觸孔77及接觸孔之上部分78_ 時，第二導電構成部分75 处田糊冰度達冰度d7l 77。之4刀表面露出以便形成第—接觸孔 74 ^Ϊ；® + 二開=部，2之周_光==露’施行灰化以使第在此案例中如圖6D中所,_、各觸而處於包覆狀態時，光光阻遮罩76與有機溶劑相接遮罩76炼流，由於開口部分之在溶融狀態隨後溶流。當光阻滿接觸孔77之底部，錢純個之触鮮別堇僅填相反地，由於第二接觸孔徑D72且第二接觸孔之體 =刀=㈣開口尺寸具有大直第二接觸孔之上部分W 受· ^孔77亦較大，故即使 -中間層絕緣膜73並未受且之包覆或覆蓋，第接著，如圖6E中所示=遮:軍76填滿並露出。一中間層絕緣膜73更受到韻刻層ί緣膜73露出，第止。罝到路出弟-導電構成部分72為在此情況中，在下列方 ^ 光阻遮罩76包覆的第二中第中間層絕緣膜73 :受到 D74約等於在第一中間芦膜74令之接觸孔78的内直徑 H緣膜73中之内直徑奶。㈣直位 43 1316646 接著，如圖6F中所示，藉由習知接著;藉由習知方法形成第—電路。且在此案例中，使第-電路層79 f出之表面，且沿著第—接觸孔77 、。^^導電」冓成部分75 故在第-電路制之侧膜^内直徑， 8〇平鋪於第-導電構成部分7 ^方面’使弟二電路層 78之側壁。 u路出之表面，且沿著第二接觸孔因此，形成具有接觸孔77及接觸$丨具有深度cm但第二導電構成部分^ 7 77 具有第—中間層絕緣膜73之未，'接觸孔78 當侧之第一導_成部分72。卜冰度奶-1延神至受到適即使吾人使用通常有機遮罩，、之熔流填滿第—爛㈣：有機遮罩經由溶融狀態内形成未填塞之變形有機㉟其底部，但在上钱刻結構及較深之笛機遮軍的方式’形成較淺之第一蝕刻紝槿及季乂冰之弟—_結構，則必二，、構由過度蝕刻受到損金。丨万止苹乂夂之弟一蝕刻結構的底部 (產業上利 :會m、, ?之#之方*及使用該方法之接j :觸孔形成導體裝置用之方法?在;；式基板(如作顯示裝置及EL顯示裝置)及主動吾人應了經、.f置用之基板的薄膜電晶體基板）。在不^離内容僅關於本發明之較佳實施例，然為揭露目“ii 2 本發明精神及範訂，於此所有明中。毛月之例不性變更及修改均應包含於本發 44 1316646 【圖式簡單說明】圖1A係關於第-先前技藝之一連 =面圖，該處理使用由有機膜之光阻膜的熱IS:: 縱剖面圖，該IS用中之-處理的部分觸孔。傾膜之先阻膜的熱熔流而形成微小接圖1C係關於第一先前技藝之一縱剖面圖，該處理使用由有機 =中之—處理的部分觸孔。科膜先阻膜的熱溶流而形成微小接圖1D係關於第—先前縱剖面圖，該處理使用由右= ' 連串處理中之-處理的部分觸孔。用由有機膜之光阻膜的熱熔流而形成微圖2A係關於第二先前縱剖面圖，該處理使用不钱串處理中之-處理的部分阻遮罩而形成微小接觸孔。文之由I知光微影處理所形成之光圖2B係關於第二先前縱剖面圖’該處理使用不經改^ ^串，理中之-處理的部分阻遮罩而形成微小接觸孔。文之由白知光微影處理所形成之光圖2C係關於第二先前技縱剖面圖，該處理使用不經改‘ ^串f理中之一處理的部分阻遮罩而形成微小接觸孔。夂之由白知光微影處理所形成之光圖3A係關於第三先前、縱刹面圖，該處理藉由—次連串處理巾之-處理的部分度之接觸孔。 — 人先倣衫處理而形成複數個具有不同深圖诎係關於第三先前縱剖面圖，該處理藉由 ^旦之^連串處理中之-處理的部分度之接觸孔。光微衫處理而形成複數個具有不同深圖％係關於第三先前技運串處理中之一處理的部分 45 1316646 縱剖面圖，該處理葬度之接觸孔。触—次級影處，形賴_具有不同深圖3D係關於第三务& ' 縱剖面圖，該處理夢由^右之—連串處理中之一處ίΐα# γ 度之接觸孔。次光微影處理而形成複數個圖4Α係關於本發〆衣的部分縱剖面圖，該處理二知例之-連串處射之不同深度之接觸孔。，人光微影處理而形成複數個具有圖犯係關於本發明每 " ^分縱剖面圖，該處理藉由之;'連串處理中之—處理不同深度之接觸孔。人切影處理而形成複數個具^ 圖C係關於本發明之、不;剖面圖，該處理藉由-次光S旦之;'連串處卿之-處理不叼沬度之接觸孔。先姒衫處理而形成複數個具有圖仙係關於本發明之第—奋 ^ 不3分縱剖面圖，該處理藉由—連串處理令之-處理不同深度之接觸孔。人切影處理而形成複數個具有圖4E係關於本發明之第—每 ic面圖，該處理藉由;二連串處理中之-處理不同沬度之接觸孔。先械衫處理而形成複數個具有圖5A係關於本發明之第— 的部分縱剖面圖，該處理蕻^一^轭例之一連串處理中之一處理不同深度之接由—次光微影處理而形成複數個g 圖5β係關於本發明之第二每分縱剖面圖’該處理藉由一連串處理中之—處理不同深度之接觸孔。切衫處理而形成複數個具有圖5C係關於本發明之第二實 =分縱剖面圖，該處理藉由—次 5連串處理中之-處理不同深度之接觸孔。知心處理而形成複數個具有 46 1316646 圖5P係關於本發明之第二實施例之的部分縱刹面圖，該處理藉由—次光微=處理中之-處理不同深度之接觸孔。 7 而形成複數個具有處理具有圖5E係關於本發明之第二實施例之的部分縱剖面圖，該處理藉由一次亦彳遷串處理中之一. 不同深度之接觸孔。，衫處理而形成複數個穴负圖6A係關於本發明之第三實的部分縱剖面圖，該處理藉由—攻 y 串處理中之一處理不同深度之接觸孔。 ^处理而形成複數個具有圖6B係關於本發明之第三實的部分縱剖面圖，該處理藉由二連串處理中之-處理不同深度之接觸孔。先彳放衫處理而形成複數個具有圖6C係關於本發明之第三垂的部分縱剖面圖，該處理藉由連串處理中之—處理不同深度之接觸孔。尤彳政衫處理而形成複數個具有圖6D係關於本發明之二的部分縱剖面圖，該處理藉二例之-連串處理中之—處理不同深度之接觸孔。 —人光微影處理而形成複數個具有圖6E係關於本發明 > 的部分縱剖面圖，該處理藉由二^例之一連串處理中之-處理不同深度之接觸孔。 —人光微影處理而形成複數個具有圖6F係關於本發明 —^ $部分縱剖面圖，該處理藉由j施例之-連串處理中之—處理不同深度之接觸孔。 _ 人光微影處理而形成複數個具有【主要元件符號說明】基板第一導電構成部分第一中間層絕緣膜 47 1316646 4:第二中間層絕緣膜 5:第二導電構成部分 5-1 :下層導電膜 5- 2 :上層導電膜 6:光阻遮罩 6- 1 :光阻遮罩之第一開口部分 * 6-2 :光阻遮罩之第二開口部分、 7:第一接觸孔 . 8:第二接觸孔 8-1 :第二接觸孔之上部分 φ 9:第一電路層 10 :第二電路層 42 :日本專利中之接觸孔 43 :日本專利中之接觸孔 51 :基板 52:第一導電構成部分 53 :第一中間層絕緣膜 54 :第二中間層絕緣膜 55:第二導電構成部分 55- 1:下層導電膜 * 55-2:上層導電膜 56 :光阻遮罩 56- 1 :光阻遮罩之第一開口部分 . 56-2 :光阻遮罩之第二開口部分 . 57:第一接觸孔 • 58:第二接觸孔 ' 58-1 :第二接觸孔之上部分 59 :第一電路層 60 :第二電路層 48 1316646 71 :基板 72 :第一導電構成部分 73 :第一中間層絕緣膜 74 :第二中間層絕緣膜 75 :第二導電構成部分 75- 1 :下層導電膜 ' 75-2:上層導電膜 ' 76 :光阻遮罩 . 76-1 :光阻遮罩之第一開口部分 76- 2 :光阻遮罩之第二開口部分 • 77:第一接觸孔 78 :第二接觸孔 78-1 :第二接觸孔之上部分 79 :第一電路層 80 :第二電路層 101 :基板 102 :閘電極 103:第一中間層絕緣膜 106 :光阻遮罩 Λ 107 :變形後之光阻遮罩 108 :接觸孔 201 :基板 202 :閘電極、 203:第一中間層絕緣膜 - 204:第二中間層絕緣膜 206 :光阻遮罩 ' 207 :光阻遮罩 208 :光阻遮罩 209 :接觸孔 49 1316646 301 :基板 302 :第一閘電極 303 :第一中間層絕緣膜 304 :第二中間層絕緣膜 3 0 5 :第二閘電極 306 :光阻遮罩 ' 306-1 :光阻遮罩306之第一開口部分、 306-2 :光阻遮罩306之第二開口部分 . 307:第一接觸孔 308 :第二接觸孔 • 309:第一電路層 310 :第二電路層 C2 :第一閘電極302之上側 C1 :第二閘電極305之上側 D1 ··第一開口 6-1在水平方向上之尺寸 D2 :第二接觸孔之上部分的直徑 D3 :第一中間層絕緣膜3中之内直徑 D4:接觸孔8之内直徑 D51 :第一開口 56-1在水平方向上之尺寸 φ D52 :第二開口 56-1在水平方向上之尺寸 D53 :第一中間層絕緣膜53中之内直徑 D54 :接觸孔58之内直徑 D57 :光阻遮罩厚度 ~ D58 :光阻遮罩厚度 . D71 :第一開口 76-1在水平方向上之尺寸 ' D72 :第二接觸孔之上部分的直徑 ' D73 :第一中間層絕緣膜73中之内直徑 D74 :接觸孔78之内直徑 D77 :光阻遮罩厚度 50 1316646 D78 :光阻遮罩厚度 dl :第一接觸孔深度 d2 :第二接觸孔深度 d2-l :第二接觸孔之上部分的深度 d51 :第一接觸孔深度 d52 :第二接觸孔深度 d52-l :第二接觸孔之上部分的深度 d71 :第一接觸孔深度 d72 :第二接觸孔深度 d72-l :第二接觸孔之上部分的深度 51

Claims

U16646 申請專利範圍·· ’種餘刻方法，日修(更)正替換頁將包包含下列處理·· 於—待蝕刻之構成部分溶劑之膜的其中-者且位該待= 之構成部分當中疊層==分_?第二開口部分開口於第-^^下=^==㈣嫩⑽刻，在該成上餘刻結構；糊⑽翻時於該第H Π部分下形並熔流g，並2=_接_令該錢遮罩溶融構未填塞之變侧結叙至少底部填塞_上餘刻結綱，开遮罩為遮罩’藉由將該待侧之構成部分予以構所構第二構並且形成由該上侧結構與該下餘刻結為第結構作為第—接觸孔，並且該第二侧結構作 2·如申請專利範圍帛i項之银刻方法，其中以至少形成具有複數個梯級謂厚的方絲形麟有機遮罩。 3. 如申請專利範圍第2項之蝕刻方法，其中該形成有複數個梯級之膜厚t該有機遮罩中，在該第一開口部分及開口在該待蝕刻之構造部分當中疊層相異之部分上的該第二開口部分中至少一者的附近中具有一膜厚區域較其他區域更薄。 4. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中形成有機遮罩之該處理更形成一第一開口部分，及直徑較該第一開口部分之直徑更大之一第二開口部分。 52 1316646 艮替換頁遮罩5之項之輪法，其咖形成變形有機有脑編目細而令該㈣遮罩溶融並溶側壁垂流，而形成以下變形有機ίί:將覆盍’將該第-_結構之至少底部填塞而該上糊結構未填塞。

使该有機料财機賴相接_令該錢遮罩溶融，，接著該有機遮罩之一部分沿著該第一蝕刻結構之一側壁 1，，形成以下變形有機遮罩:覆蓋該第一蝕刻結構之該侧壁，時覆蓋至少其底部，但使該上蝕刻結構中維持未經熔流。 λ如㈣專利範圍第1項之_方法，其㈣以形成變形遮罩之該處理包含下列處理：藉由3亥溶融狀態之溶流’該有機遮罩之一部分僅沿著第一餘亥J 結構之一側壁垂流而形成以下變形有機遮罩:覆蓋該第一蝕刻姓春之侧壁及至少其底部’雖然熔流之有機遮罩延伸至該上綱‘ 之上端部之周圍區域，但該上蝕刻結構内部維持未經溶流。 8.如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中該變形有機遮罩塞該第一開口部分或該第二開口部分中之一者，而使另一者維梏未填塞。寸 9.如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，包含：使用轉變為該變形有機遮罩之前的該有機遮罩，將該待蝕刻構成部分予以蝕刻之處理； 53 1316646 ^ ㈣月6贈)轉換頁藉由以該變形有機遮罩，將“吝捣二 — 位於該第1 σ部分、&部分扣触刻，將部分予以選擇性侧之處^了開口‘正下方的該待_之構成該第-開:部==第9項刻方法，其中該選擇性蝕刻為刀久邊弟一開口部分之一選擇。 11.如申請專利範圍第9頊根據在該第-_卩分及对二_卩分=量擇 =刻係 12. 根據在該卜⑽輸離_嫩、—係根睛利i1圍第9項之細方法，其中該選擇性侧俜根據在該第一開口部分及該第二開口部分中之一_=]係及^=^=方法，其中該第-開口部分遮罩德如彳圍第1項之侧方法’其巾形成該變形有機 =的-第二最終目標位準之一深度，且不二:::= 下損害的處理，藉以形成位在該上蝕刻結構之正第-侧結^1形成具有該第—最終目標位準之深度的該結-訂侧賴所構成， 54 1316646 p____ 科f月i日珍(兔)正賴比.如甲請專利範备一—_一 — 一」遮罩後，使用該變形有播罢、之蝕刻方法，其中形成該變形有機蝕刻至較該第一開口部八>、，，將該待蝕刻之構成部分選擇性地更深的一第二最終钱刻深度即第一最終目標位準 -底部造成任何餘刻;的，：深，’且不對該第-侧結構之下方的-下蝕刻結構，‘二^成位在該上蝕刻結構正 • 更小的一水平方向尺寸，蝕刻T3構具有較該上蝕刻結構之尺寸第-1虫刻結構，、@形成深度為該第-最終目標位準之該成，深度域第二最構與該下侧結構所構 • 、 ^位準且在一梯級圖型中順向錐形化。 H綱方法，包含下列處理：於一射—者且位口部分及-第二開口部分之ΐ機::化兮，成具有-第-開該待巧之構成部分當中疊層相^^分=弟二開口部分開口於有深度為一第一最終目標位準且二構開;^ • j上蝕刻結構具有之深度相等或」 ::二度，且位於該第二開口部分之下方；反、味位準的深藉由使該有機遮罩與有機溶劑相接觸以浐流而形成-變形之有機遮罩，該變形之有機遮钱刻結，之至少底部’但使該上侧結構維持未填塞狀藉由使用該變形有機遮罩而選擇性地將該刻I構 .^刻至較該第-最終目標位準更深之—第二最終目度’且在不賴第-侧結構之—底部造成任何綱損方= 下’形成位在該上侧結構正下方之下_結構，而形二 ^ 第一最終目標位準之深度的該第一蝕刻結構;及，、有該 55 1316646 ΐ年义月乙曰修(更)正替換良成及該™構、蝕刻結構作為第以該第-_結構作為第—接觸孔二接觸孔。邊弗 18二如申請專利範圍第17項之姓刻方法， ίί該jid:巧形有機遮罩’該變形有機遮罩 ί0 L構之至㈣底部’但使該上勤i結構維持未填 19.—種钱刻方法，包含下列處理：開口部=圖機;第-開口部分及-第二部分之尺寸嫩 ^ —開口°卩》的尺寸大於該第-開口其中一ί^Ϊ該錢膜彳賴之膜的且位於該第二開口部分之下方；1於及弟祕目標位準之深度流藉=;;=ί 至少底=夷，將該兩側壁覆蓋，將該第一侧結構之使ϊί鐵刻結構維持在未填塞狀態；及至較該第H罩選雜地將該待㈣之構成部分餘刻該上餘刻結構正下方部造賴刻損害’以形成位在且八有較該上蝕刻結構為小之水平方向尺寸 56 1316646 更)正替換：最終目標位準的該第- 成，具有ί罙度為該^ 刻結構及該下_結構所構化；弟一取終目“位準且在一 P皆梯圖型中順向錐形作為第:ϊί:綱結構作為第-接觸孔，且以該第二餘刻結構向尺寸，兩者之小於該上_結構之水平方壁炫，之々財f 4 雜料著該上爛結構之· 壁w後之趣__罩在水平方向上所形成之厚度=^倍玄側 21. -種_方法，包含下列處理：將包含-有機膜或者一添於-細之構成部分上的有機膜一 ΐ且位該待侧之構成部分當中疊層ίί?部分3 一開口部分開口於下方的一第一蝕刻杜槿，月拟4目士丁瓜丨立相等或相蚊目標位準深度構；於該第一開口部分下方之-上蝕刻結分’形i具有深度刻該待蝕刻之構成部下方的-f,丨終目“位準且位於該第-開口部分二歹ΙίΔ形成：變形有機遮罩:藉由使有機遮罩與有機溶劑相接觸而令該有機遮罩溶融及熔 57 1316646 替· 之深度，而不對該第一蝕刻〜~J 位在該上蝕刻結構正下方之下°/底部造成蝕刻損害，以形成一最終目標的該第一蝕刻結構.χ1結構，而形成具有深度為該第且深度為該第二最终該下·结構所構成，以該第一蝕刻結構作為第一作為第二接觸孔。得觸孔’且以該第二蝕刻結構 =如巾__第21奴飿刻方法，列處理其中該方法包含下藉由溶融狀態之熔流而形成至少其底部，但在該上關結構^盍=—_結構之側壁及再円未經熔流的變形有機遮罩。 23. —種蝕刻方法，包含下列處理：將包含一有機膜或者—添加該待兹刻之構成部分當中疊層相分開口於第二開口部分晴巾之-厚度較其且«機遮軍在該心成^有冰度為一弟一取終目標位準且位於 ίίίΐί且ί於開σ部分下方的—上侧結構；曰垃式喊—娜錢料：#由使錢鮮轉機溶有機遮罩，及駿，該有機遮罩之継垂w，覆蓋该第—蝴結構之側壁及至、底二卩’但使邊上蝕刻結構内部維持在未經熔流狀態；及八仙藉t使用該變翁機遮罩崎擇性地將該待㈣之構成部刀侧至深餘該第-最終目標鲜之深度更深之第二最終目標 58 1316646 ·»··， Ψ月(更)正皙以形成位於該上蝕部造成蝕刻損害’ 該第一最終目標位準的該第-餘亥而形成具有深度為刻結45?構具二為標位準，二14 作為第L騎構料第-接，且㈣第二錢刻結構下列處如申請專利範圍第23項之蝕刻方法，其中該方法包含 «塞,結軸壁覆蓋蝕刻、纟°構内未經熔流的變形有機遮罩。 25. 一種_方法，包含下列處理：於-待H1 膜或者—添加有機溶狀朗射-者且位遮罩，該第心分，形成具有深性地韻刻該待敍刻之構成部下方的-第-崎结構，及“且〒:開口部分之深度1 標位準以之附近且較薄膜厚之部分移除；劑相接觸而令該··藉由使有機料與有機溶著該第-伽];及炫流，該有機遮罩之—部分僅沿至少其底部填塞，且熔；至二：该第-蝕刻結構之側壁覆蓋及域為止，錢該上綱賴構；周圍區於棚之構成部分上的有機膜圖型化，而形成具 59 1316646 丨，年冷月ΣΒ _正替換翁蝕刻至陶亀狀構成部分之深度而不對該第-_結構最終目標位準成位在該上蝕刻結構正下方:成任何蝕刻損害，以形第-最終’位準的該第―_結^’ _成具有深度為該具有騎獻下侧轉所構成且作為第峨構作為第-接觸孔，且以該第二钱刻結構處ί如申料利翻第25項之侧方法，其愧方法包含下列塞至第—_結構之側壁及填在該上餘刻結構内未經熔流的變形有機遮罩。 27· 一種形成接觸孔用之方法，特_於至少包含以下處理：於丨1 μ有機膜或者—添加有機溶狀臈的射-者且位 !機膜圖型化，而形成具in 該待蝕刻之構成部分層丄亥第二開口部分開口於構;_結構，同時在該第二開口部下形成上侧結藉由使該有機遮罩與有機賴相並炼流，以將該第—則結構之至少填塞而形賴形有機鮮；糊結構不列而开鮮作為料，_概狀構柄分予以钱 y 儿·°構’並形成由該上钱刻結構與該下_結構所 1316646 Τ -------HI-ΜΤΓΙ ·ι ιι n I T~- ΊΊ ------- 耻日修(I)正替換艮構成之第二蝕刻結構；__ 並以該第一韻刻結構作兔堂構作為第二接麻。鱗以—接·，並_第二钱刻結有機遮㈣職為至觸孔狀綠，其中該。於該待_之構成部分之開口部分及開分中至少—者贿近巾财口部 30. 該第-開口部分之直徑更大分，及形成直徑較 ^ t«« 侧壁及沿著該該上蝕刻結構之侧壁垂 1 上t 結構之至少底部’而使該上雜==i ，其中用以 32.如申請專利範圍第27項之形成接觸孔用之方法形成該變形有機遮罩之該處理包含下列處理：使該有機遮罩與有機溶劑相接觸以令該有機遮罩溶融 4，藉由該溶融、熔流，該有機遮罩之一部分沿構之侧壁垂流，形成覆蓋該第-_結構之侧壁及 61 1316646 η- 〜残〜 t”月㈣伽替口. ‘經炫流的有機變形遮舉 x上蝕刻結構内部维持未、；以形£@避利罩範之園該第處用之方法如用 =構麵辟該第一敍 ^雖然該熔流直到該上蝕列刻結構之側壁及至少1底該上哉刻結構内部維持未、ΐ&構之該上端之周園區域為止1 形有機遮^27項之形成接觸孔用之方法，且中，另-者4未真填T-f㈣分或該第二開口部法包含：^專利㈣第27項之形成接觸孔用之方法，其中該方使用轉變為該變形右構成部分之餘刻用機該有機遮罩以進行該待钱刻成部分餘刻，以遮罩將該待兹刻之構方的該待崎心;處及;第二㈣分正下擇性申ΐί!?圍/35項之形成接觸孔用之方法，其中該選 -μ弟開口邛分及該第二開口部分之選擇。擇性蝕亥第Pf項之形成接觸孔用之方法，其中該選差異。據在5亥弟一開口部分及該第二開口部分中之姓刻量 38.如申請專利範圍第擇性蝕刻係根據在該第一 35項之形成接觸孔用之方法，其中該選開口部分及該第二開口部分中之兹刻深 62 1316646

度差異。 4〇·如申請專利範圍f 35項之形成接觸孔用之方一開口部分及該第二開口部分在該平面尺寸上不同。/、中该弟 41.如申請專利範圍第27項之形成接觸孔用之形有機遮罩後，使用該變形有機遮套最終目標位準魏的第二最終目標位準之深度，第— 刻結構之底部造成任何_損害的處理上姓刻結構正下方的下勤搶構成位在該深度之該第-侧結構，及械具有5亥弟—最終目標位準形成由該上蝕刻結構與該下蝕刻結構所構且弟二最終目標位準之該第二_結構。 -有冰度為该 • 42少如申請專利範圍第27項之形成接觸孔用法，在形成該變形有機遮罩後，使 ^八中该方刻之構成部分選擇性地_至二門遮單以將該待钱度即第-最終目標Μ _ ΛΛ : f , 心之部分之钱刻深標位準更深的第二最終目標位準構之尺寸更小的水平方向尺寸，°ΛΤ侧4具有_上_結以形成具有深度為該第一最終目標位準之兮笛一 5黛且?ί由該上蝕刻結構與該下蝕刻結構所5成:ί:= 該紅最終目標位準且在-梯級_中具有順==== 63 1316646 曰修(£)正替換頁蝕軔結構 43· —種形成接觸孔用之方法，包含下列處理：於^含—有機膜或者—添加有機溶劑之蘭其中 $及該;形二有;：礒待餘刻之構成部分當中疊層柏異之^分上〆第一開口‘開口於的深度且錄鮮二開目錄該第-最終目標位準熔流，並形該有機遮罩溶融及構維持未填塞之變形有機遮罩t，°構之底和但使該上餘刻結分蝕刻至較該第=_之構成部度，而不對該第-_、结構^4更&^目標位準的深 _結構所構成且深度為構及該下作為第ΖΖ，刻結構作為第一接觸孔/並以該第二χ餘刻$構 44. F列處Ϊ利㈣第43項之形成接觸孔用之方法，其中該方法包含下列處理塞，但構之至少底部填 64 fp年仲乙日修(蹙)正替挾良 1316646 觸ί用之方法，^處理：開口部分之—有機遮:機;;形二第-開口部分及-第二財機膜係位於—待齡!之構成部成-第二蝕罩$性地蝕刻該待蝕刻構成部分而形度為一第-最刻結構，該第一朗結構具有深侧結構具有之深；# f於韻―開口部分之下方，而該上位於該第二開口;2^相似於該第-最終目標位準之深度且有機溶劑相:罩:藉由使該有機遮罩與侧結構的-侧4、：'ΐϊ 刻結構之—侧壁及沿著該上至少t魅，構之位在該上_結構正si損害’以形成尺寸的下蝕刻結構，而形成以;小之水平方向第-餘刻結構，及 H木度為该第一最終目標位準的該成，具餘刻結構及該下侧結構所構化；〜—最、目標位準且在一階梯圖型中順向錐形作為第=^钱刻結構作為第一翻孔，且以該第二钱刻結構 65 1316646 [IT ~~ —^ ，齡_是)正替換頁I 構之水平方向尺4 ,兩、 _ 刻r成部分上的有機膜圖= 下方的-第-勤!、ί構及位於該第—開口部分 S等或相似之-深度且位於該第3、^；標= 劑相：機，有機溶其底部上蝴結勒及至少 _至;度深於部分形成位在該上蝕刻結構正下方成任何蝕刻損害，以該第-最終目標的該第一餘刻結構.入。娜成具有深度為二最终%iH$T_構所構成，且深度為該第作為第侧結猶接觸孔，且以該第二钱刻結構 48. 如申請專利範圍第47項之形成接觸孔用之方法，其中該方 66 1316646 —_ 法包含下顺理：經由溶融狀態之熔流而形成覆葚其底部，但在該上钕刻結構内^刻結構之側壁及至少禾、士溶/;IL的變形有機遮罩。 49. 一種形成接觸孔用之將包含-有機膜或者—If：含下列處理：於一待敍刻之構成部分上的有===劑之臈的其中一者且位口部分及-第二開σ部分之化，而形成具有-第-開 .，咖部分當中叠層第二開口部分開口於蠢弟二開^部分附近中之-厚度較JL、他且該有機遮罩在該分，形成具有深度為^ ^擇，地钱刻該待餘刻之構成部下方的-第-_2構弟及开立於該第-開口部分度相等或相似之-深度且靜有;;該J :最終目標位準之深構；、料—開口部分下方的一上侧結劑相接觸岭^有j巧有麵罩:藉由使有機料與有機溶該第-崎機及，，該有機遮罩之-部分沿著 » 藉由使用刻結構内部維持在未經溶流狀態；及分银刻至深度較1機遮罩而選擇性地將該待磁|j之構成部位準之深度，而準之深度更深之第二最終目標形成位於該上蝕刻钍=弟蝕刻結構之該底部造成蝕刻損害，以該第-最終目標位準刻結構，而形成具有深度為第二蝕刻結^且’及刻結構由該上㈣有度為韻二最終目標位準，該第二餘以該第^構及及該下餘刻結構所構成；作為第二^觸孔。到結構作為第—接觸孔’且以該第二餘刻結構 67 1316646 P卜遣).峨ή 法:含=範圍第49項之形‘〜中妨塞構之侧壁編 J、、、Q構内未姆流的_有機遮罩。具於-待餘刻之構成部分上的有機者且位口部分及-第二開σ部分之J形成具有-第一開第一開Γ部分附近中之—厚度較其他^更薄财機遮罩在該分’形成具有深ίϊ: 該待蝕刻之構成部度相等或相似之—深度且位於目標位準之深僅將該第二開口部分之附 ^ 吉構；以下列方式形成—料右㈣賴&之—部分移除；劑相接觸而令該有機遮罩溶融及熔機溶結構之該底峨== 二以形成具有深度為該第具有觀下侧麻所構成且以該第蝴結構作為第一接觸孔，且以該第二钱刻結構作 68 γφ月I日修(吏)正替換g 1316646 為第二接觸孔。 52.如申請專利範圍第51項之形成接觸孔用之方法，其中該方法包含下列處理：經由溶融狀態中之熔流而形成覆蓋該第一蝕刻結構之侧壁及填塞至少其底部，但在該上蝕刻結構内未經熔流的變形有機遮罩。

十一、圖式=

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