TWI315060B - Level shift circuit - Google Patents

Description

(1) 1315060 " 九、發明說明 " 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於將邏輯訊號變換成不同振幅之邏輯訊號 的位準位移電路，使用於例如光電裝置及電子機器上。 【先前技術】 以往，有藉由液晶或有機EL (電激發光）等之光電物 質之光電性變化執行顯示之光電裝置。於其中，藉由電晶 體或二極體等之非線形元件而驅動畫素之主動矩陣之光電 裝置是可執行顯示品質高之顯示。 在此’主動矩陣型之光電裝置爲下述般之構成。即 是’主動矩陣型之光電裝置之構成，爲對應於延伸於行方 向之掃描線，和延伸於列方向之資料線之交叉而形成畫素 電極’並且在交叉部分，畫素電極和資料線之間，插入隨 著被供給至掃描線之掃描訊號而導通斷開（ON、OFF)之薄 膜電晶體（以下’稱爲TFT)等之非線形元件，另外在畫素 電極經由光電物質面向著對向電極。 又’爲了驅動光電物質或非線形元件，則要求比較高 之電壓。另外’供給將成爲驅動之基準的時脈訊號或控制 訊號等至光電裝置之外部控制電路，因通常是以CMOS電 路所構成’故該邏輯輸入訊號之振幅爲3〜5V左右。因 此，光電裝置是在驅動掃描線及資料線之驅動電路之輸出 部分，或時脈訊號等之輸入部分，具備有將低振幅之邏輯 輸入訊號變換成高振幅之邏輯輸出訊號之振幅變換電路 -4- (2) 1315060 (以下，單稱爲「位準移位電路」）之構成爲一般。 在此，就以位準移位電路之構成而言，所知的有具備 將訊號輸入至一端之第1及第2電容，和補償該些電容之 另一端之電壓之補償電路，和被連接於該些電容之另一端 之第1及第2開關元件（例如，參照專利文獻1)。若依據 該構成，則可以簡易之構成執行高速動作。 [專利文獻]日本特開2003- 1 1 04 1 9號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 如此之構成的位準移位電路之輸入靈敏度雖然是藉由 第1及第2開關元件之臨界電壓所決定，但是，在此開關 元件之臨界電壓因容易受到製程偏差的影響。並且，位準 移位電路之輸入靈敏度也容易受到製程偏差之影響。又， 爲開關元件之一例的TFT，因在絕緣體上形成元件，故在 反覆導通斷開中，受到所積蓄之電荷的影響，臨界電壓則 變動。 本發明之目的是提供一種可以降低由於製程偏差而影 響輸入靈敏度的位準位移電路，再者，以提供使用該位準 移位電路之光電裝置及電子機器爲目的。 [用以解決課題之手段] 本發明之位準移位電路是具備有電容元件，在一端被 輸入具有第1邏輯振幅之邏輯輸入訊號；邏輯輸出電路， -5- (3) 1315060 包含有相對於被連接於上述電容元件之另一端的輸入，具 有第1邏輯反轉位準之第1邏輯反轉電路，及相對於被連 接於上述電容元件之另一端的輸入，具有第2邏輯反轉位 準之第2邏輯反轉電路，藉由上述第1邏輯反轉電路和上 述第2邏輯反轉電路之輸出極性爲一致，反轉具有第2邏 輯振幅之邏輯輸出訊號；和第3邏輯反轉電路，輸入之一 端和輸出被連接於上述電容元件之另一端，相對於被連接 於上述電容元件之另一端的輸入，具有第3邏輯反轉位 準，上述第1邏輯反轉位準是被設定成比上述第3邏輯反 轉位準高，上述第2邏輯反轉位準是被設定成比上述第3 邏輯反轉位準低。 在此，邏輯反轉位準是邏輯反轉電路相對於用以使輸 出訊號之邏輯位準予以反轉之輸入訊號的臨界電壓。各個 邏輯反轉電路是於輸入訊號之電壓比邏輯反轉電路所具有 之邏輯反轉位準低之時，將輸入訊號之邏輯位準當作L位 準，驅動輸出訊號成Η位準。另外，當輸入訊號之電壓 比邏輯反轉電路所具有之邏輯反轉位準高時，將輸入訊號 之邏輯位準當作Η位準，驅動輸出訊號成L位準。 該位準移位電路中，在電容元件之另一端連接第1及 第2邏輯反轉電路，並且在該另一端連接有第3邏輯反轉 電路之輸入及輸出。邏輯輸出電路是藉由該第1和第2邏 輯反轉電路之輸出極性一致而反轉邏輯輸出訊號。在此’ 第1邏輯反轉電路之第I邏輯反轉位準因被設定成比第3 邏輯反轉位準高，比第2邏輯反轉電路之第2邏輯反轉位 -6- (4) (4)1315060 準低，故在電容元件之一端被輸入邏輯輸入訊號，當另一 端之電壓超過第1邏輯反轉位準時，第1和第2邏輯反轉 電路之輸出極性則爲一致，邏輯輸出訊號則反轉。接著’ 當另一端之電壓低於第1邏輯反轉位準時，第1和第2邏 輯反轉電路之輸出極性則一致，邏輯輸出訊號又反轉。如 此一來，輸出與輸入訊號不同之邏輯輸出訊號。 若依據該發明，被連接於電容元件之另一端的第1及 第2邏輯反轉電路，是成爲與相同被連接於電容元件之另 一端之第3邏輯反轉電路相同之邏輯反轉電路。因此，當 藉由第3邏輯反轉電路被供給至電容元件之第3邏輯反轉 位準，由於製程偏差或溫度變化等而偏移時，第1及第2 邏輯反轉電路中之第1及第2邏輯反轉位準也以同樣之傾 向偏移。在此，位準移位電路之輸入靈敏度是藉由第1及 第2邏輯反轉位準和第3邏輯反轉位準之差而所決定，故 藉由該些位準之偏移相抵，則可以降低對位準移位電路之 輸入靈敏度造成影響。 在此，上述位準移位電路係上述第1邏輯反轉電路、 上述桌2邏輯反轉電路和上述第3邏輯反轉電路爲互補型 電晶體電路較爲理想。 再者’上述位準移位電路中，上述第1邏輯反轉位準 是藉由構成第1邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或 是串並聯級數對構成上述第3邏輯反轉電路之電晶體元件 之形狀尺寸或是串並聯級數之比而所設定，上述第2邏輯 反轉位準是藉由構成第2邏輯反轉電路之電晶體元件之形 (5) 1315060 狀尺寸或是串並聯級數對構成上述第3邏輯反轉電路之電 晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級數之比而所設定爲佳。 若依據該些發明，藉由調節被連接於電容元件之另一 端之電晶體元件之閘極之形狀尺寸，或是電晶體元件之個 數，則在電路或是佈局設計之階段，可以調整邏輯反轉位 準。再者，如此一來，所調整之邏輯反轉位準之關係黏以 受到製程偏差的影響。 再者，上述位準移位電路是上述第1邏輯反轉電路、 上述第2邏輯反轉電路及上述第3邏輯反轉電路中之至少 一個，是具有與上述輸入之一端不同之輸入的另一端，因 應該輸入之另一端之訊號而不管上述輸入之一端的訊號， 將輸出之訊號固定於特定之位準爲佳。 若依據該些發明，於不使位準電路予以動作之時’可 以防止汲極電流同時流入於構成互補電晶體電路之P通道 型電晶體及N通道型電晶體之雙方，減少消耗電力。 再者，本發明之另外形態之位準位移電路，具備有： 第1電容元件，一端被輸入具有第1邏輯振幅之邏輯輸入 訊號；第2電容元件，一端被輸入上述邏輯輸入訊號；邏 輯輸出電路，包含有相對於被連接於上述第1電容元件之 另一端的輸入，具有第1邏輯反轉位準之第1邏輯反轉電 路，及相對於被連接於上述第2電容元件之另一端之輸 入，具有第2邏輯反轉位準之第2邏輯反轉電路’藉由上 述第1邏輯反轉電路和上述第2邏輯反轉電路之輸出極性 爲一致，反轉具有第2邏輯振幅之邏輯輸出訊號；第3邏 -8- 1315060 * (6) 輯反轉電路，輸入之一端和輸出被連接於上述第1電容元 件之另一端，相對於被連接於上述第1電容元件之另一端 的輸入，具有第3邏輯反轉位準；和第4邏輯反轉電路， 輸入之一端和輸出被連接於上述第2電容元件之另一端， 相對於被連接於上述第2電容元件之另一端的輸入，具有 第4邏輯反轉位準，上述第1邏輯反轉位準是被設定成比 上述第3邏輯反轉位準高，上述第2邏輯反轉位準是被設 定成比上述第4邏輯反轉位準低。 若依據該發明，被輸入邏輯輸入訊號之電容元件爲複 數，可以使電容元件之各個對應於互相獨立之位準之組 合。即是，第1電容元件是可以對應於第1邏輯反轉位準 和第3邏輯反轉位準之組合，第2電容元件是可以對應於 第2邏輯反轉位準和第4邏輯反轉位準之組合。因此，對 每電容元件獨立調整構成爲該些組成要素之電路構成或是 電路之元件特性，可以執行最適合之判定。 例如，針對第1邏輯反轉電路和第3邏輯反轉電路， 藉由使用相同之電路構成，則可以相抵兩者以相同傾向所 發生之因製程偏差、溫度之環境變動或是經年變化所導致 之變化，降低輸入靈敏度之變化。再者，可以對每電容元 件獨立設定輸入靈敏度。 再者，上述位準移位電路是上述第1邏輯反轉電路、 上述第2邏輯反轉電路、上述第3邏輯反轉電路和上述第 4邏輯反轉電路爲互補型電晶體電路較爲理想。 再者，上述位準位移電路是上述第1邏輯反轉反轉電 (7) 1315060 路、上述第2邏輯反轉電路、上述第3邏輯反轉電路及上 述第4邏輯反轉電路中之至少一個是具有與上述輸入之一 端不同之輸入的另一端，因應該輸入之另一端之訊號而不 管上述輸入之一端的訊號，將輸出之訊號固定於特定之位 準爲佳。 若依據該發明，被連接於電容元件之另一端之第1及 第2邏輯反轉電路是成爲與相同被連接於電容元件之另.一 端之第3或第4邏輯反轉電路相同之互補型電晶體電路。 因此，藉由第3或第4邏輯反轉電路，被供給至電容元件 之另一端之第3或第4邏輯位準，當由於製程偏差或溫度 變化等而偏移時，第1及第2邏輯反轉電路中之第1及第 2邏輯之邏輯反轉位準也以相同之傾向偏移。因此，藉由 相抵位準之偏移，可以降低對位準移位電路之輸入靈敏 度。 再者，上述位準移位電路是具有上述第2邏輯振幅之 邏輯輸出訊號爲用以驅動互補電晶體電路之互補電路驅動 訊號爲佳。 並且，上述位準位移電路是具備有被串聯連接於供給 上述第2邏輯振幅之電源間，藉由上述互補電路驅動訊號 而被驅動之互補型電晶體電路爲佳。 若依據該發明，即使於上述邏輯輸出電路，藉由將由 互補型電晶體所形成之輸出緩衝器附加在內藏或是外部， 輸出因應作爲輸出緩衝器之互補型電晶體之能力的較大電 流，亦可以降低構成互補型電晶體之多數電晶體同時成爲 -10- (8) 1315060 導通狀態而所發生之貫通電流。 再者，例如藉由在液晶裝置之光電裝置具備上述位準 位移電路，則可以提供一種製程偏差等所引起之顯不散亂 較少的光電裝置。 再者，藉由在電子機器具備有上述光電裝置’則可以 提供一種製程偏差等所引起之顯示偏差較少的光電裝置。 【實施方式】 [1 ·第1實施形態] 首先，針對本發明之第1實施形態之位準位移位電路 100之構成，參照圖式予以說明。 [1-1 :構成] 第1圖是表示位準移位電路100之構成的電路圖。 於該圖中，輸入端IN爲輸入當作變換前之第1邏輯 振幅之低振幅之邏輯輸入訊號者，輸出端OUT是輸出當 作變換後之第2邏輯振幅之高振幅之邏輯輸出訊號。在 此，在高振幅之邏輯輸出訊號中，將相當於L位準之低位 側（基準）電位表記成Vss，將相當於Η位準之高位側電位 表記成VDD。再者，作爲邏輯反轉電路之例，圖示反相器 電路而加以說明，以P通道型TFT及N通道TFT之例來 說明P通道型電晶體及N通道型電晶體。 於第1圖中’位準移位電路100是具備有僅使輸入訊 號之交流成份予以通過之電容器（電容元件）11〇，當作供 -11 - (9) 1315060 給偏壓電壓VB至該電容器110之另一端之偏壓電路的第 3邏輯反轉電路之邏輯反轉電路120，及邏輯輸出電路 130 ° 邏輯輸出電路130是包含有當作相對於輸入具有第1 邏輯反轉位準之第1邏輯反轉電路的邏輯反轉電路140, 和相對於輸入具有第2邏輯反轉位準之第2邏輯反轉電路 之邏輯反轉電路150，和邏輯輸出部135。 邏輯反轉電路140是將被設定比偏壓電壓VB高之第 1邏輯反轉位準VH作爲基準，判定電容器110之另一端 之電壓，並輸出反轉該另一端之電壓之邏輯位準的輸出訊 號。 邏輯反轉電路150是將被設定成比偏壓電壓VB低之 第2邏輯反轉位準VL作爲基準，判定電容器110之另一 端之電壓，並輸出反轉該另一端之電壓之邏輯位準的輸出 訊號。 邏輯輸出部135是以邏輯反轉電路140和邏輯反轉電 路1 5 0之輸出極性爲一致，反轉具有第2邏輯振幅之邏輯 輸出訊號。該邏輯輸出部135是具備有"非與"電路160、" 非或"電路170、邏輯反轉電路180及邏輯反轉電路190。 邏輯反轉電路120相對於輸入具有第3邏輯反轉位 準’該第3邏輯反轉位準成爲偏壓電壓Vb。 位準移位電路100之各要素是藉由相同之半導體製程 形成在相同基板上。再者，作爲構成上述各電路之開關元 件的TFT是形成接近配置。 -12- (10) 1315060 在此，位準位移電路100之輸入端IN是被 容器110之一端，在電容器100,於該一端被輸 入端IN之邏輯輸入訊號。另外，在電容器11 端，被連接邏輯反轉電路120之輸入及輸出，並 接有邏輯反轉電路1 4 0及邏輯反轉電路1 5 0之輸 反轉電路140之輸出是被連接於"非與"電路160 輯反轉電路150之輸出是被連接於"非或"電路 入。 ”非與"電路160之輸出是成爲位準移位電路 出端OUT，並且被連接於邏輯反轉電路180，邏 路180之輸出是被連接於”非或”電路170之輸入 ”非或”電路170之輸出是被連接於邏輯反轉電路 出，邏輯反轉電路190之輸出是被連接於”非與1 之輸入。 邏輯輸出部 135是”非與"電路 160、"封 170、邏輯反轉電路180及邏輯反轉電路190, 邏輯反轉電路140之判定結果及邏輯反轉電路1 結果的保持電路。該保持電路是藉由邏輯反轉電 L位準訊號而被置位，藉由邏輯反轉電路150之 號而被復位的RS正反器。 接著，以爲開關元件之電晶體之位準，更詳 1圖所示之位準位移電路1〇〇之構成。 第2圖是表示位準位移電路100之電晶體之 路圖。 連接於電 入來自輸 〇之另一 且，也連 入。邏輯 輸入，邏 170之輸 1 00之輸 輯反轉電 。再者， 190之輸 ’電路1 6 0 :或”電路 成爲保持 5 0之判定 路140之 Η位準訊 細說明第 構成的電 -13- 150 (11) 1315060 於第2圖中，邏輯反轉電路14〇、邏輯反轉電路 及邏輯反轉電路120各爲p通道型TFT及N通道型 之互補型電晶體電路。 邏輯反轉電路120之P通道型TFT121，及N通 TFT 122之源極’各連接於Vdd及Vss。再者，各個 及閘極是被共同連接於節點N110而當作邏輯反轉 120之輸出及輸入，節點N110是被連接於電容器11 另一端。依此，節點N 1 1 〇是藉由邏輯反轉電路1 20 3邏輯反轉位準之偏壓電壓VB被偏壓。 再者’節點N110是被連接於構成邏輯反轉電路 之P通道型TFT141及N通道型TFT142之閘極。P 型TFT141及N通道型TFT141之源極，各被連接於 及Vss’各個汲極是當作邏輯反轉電路14〇之輸出而 同連接。 並且’節點N110是被連接於構成邏輯反轉電路 之P通道型TFT15 1及N通道型TFT1 52之閘極。P 型TFT151及N通道型TFT1 52之源極，各被連接於 及Vss’各個汲極是當作邏輯反轉電路15〇之輸出而 同連接。 在此，邏輯反轉電路120供給至節點N110之偏 壓VB是如後述般，藉由構成邏輯反轉電路〗20之P 型TFT121及N通道型TFT122之特性而所決定。 再者’邏輯反轉電路140，是將所輸入之邏輯輸 號之電壓當作Η位準或是L位準而予以判定之基準之 TFT 道型 汲極 電路 〇之 在第 140 通道 Vdd 被共 1 50 通道 Vdd 被共 壓電 通道 入訊 第1 -14- (12) 1315060 邏輯反轉位準VH，各根據P通道型TFT141及N通道型 TFT142之特性而被決定，與此相同，邏輯反轉電路 150，是判定輸入訊號之邏輯之基準的第2邏輯反轉位準 VL也各根據P通道型TFT151及N通道型TFT152之特性 而被決定。 於位準移位電路100中，構成調整邏輯反轉電路 120、140、150之各個的TFT之閘極長和閘極寬度之比， 依此，邏輯反轉電路140之第1邏輯反轉位準VH，是設 定成比偏壓電壓VB高，邏輯反轉電路150之第2邏輯反 轉位準VL是被設定成比偏壓電壓VB低。針對電壓之設定 以下予以說明。 首先，針對邏輯反轉電路120之偏壓電壓VB予以說 明。 因邏輯反轉電路120之輸入及輸出共同被連接，故邏 輯反轉電路120之輸入電壓Vi和輸出電壓Vo爲相等。 因此，成爲判定輸入電壓Vi之邏輯位準之基準的邏輯反 轉位準成爲輸出電壓Vo，成爲邏輯反轉電路120所供給 之偏壓電壓Vb。如此一來，偏壓電路使用邏輯反轉電路 120，將輸出輸入共同連接而將輸出之電壓反饋於輸入， 依此可以容易取得邏輯反轉電路之邏輯反轉位準附近之偏 壓電壓VB。 接著，求取邏輯反轉電路120之p通道型TFT121之 汲極電流Idp及流動於N通道型TFT 122之汲極電流

Idn。 -15- (13) 1315060 Ν通道 .Idn 是 將P通道型TFT121之臨界電壓設爲Vtp，將 型TFT122之臨界電壓設舄Vtn時，汲極電流Idp: 以下一個近似式所求取。 [式1]

Idp— Kp( Vdd-V〇-Vtp)2 Idp = Kn(V〇-Vm) 在此， [式2]

Kp= (/z pC〇p/2) · (Wp/Lp)

Kn = ( β nC〇n/2) (Wn/Ln)

閘極長 閘極長 之比， 體移動 入於N

Wp及Lp爲P通道型TFT121之閘極寬度及 度，Wn及Ln爲N通道型TFT122之閘極寬度及 度。因此，Wp/Lp及Wn/Ln是聞極長度和閘極寬度 即是閘極形狀之形狀尺寸。再者’ Ap及爲載 度，然後Cop及（：。„爲寄生電容之係數。 在此，P通道型TFT121之汲極電流Idp因流 通道型TFT122之汲極，故成立下述。 [式3] I d p ~ I d η 在此，導入滿足下述之係數α [式4] Κη 2 -^- = α2 ΚΡ -16- (14) 1315060 如此一來，邏輯反轉電路120之輸出位準V〇是藉由 下式以決定偏壓電壓VB。 [式5] Β (1 + α) 即是’假設在此α =1，Vtp = Vtn之時，輸出V0是成爲 v D D / 2。 再者，即使針對邏輯反轉電路140、150，也與反轉 電路120相同，可以求取第1邏輯反轉位準VH及第2邏 輯反轉位準Vl。具體而言，假設以單體僅取出邏輯反轉 電路140或是150，作共同連接輸出輸入之時的輸出電 壓，則可以求取邏輯反轉位準VH及VL。 在此，邏輯反轉電路140和150是構成各個之TFT 之閘極寬度Wp和閘極長度Lp之比，或是閘極寬度Wn和 閘極長度Ln之比互相不同，該些比率又和邏輯反轉電路 120有所不同。因此，針對邏輯反轉電路140、150,設定 α'及以當作與α不同之係數。邏輯反轉電路14〇之第 1邏輯反轉位準VH及邏輯反轉電路15〇之第2邏輯反轉 位準VL是由下式所求出。 [式6] _(VpD-Vtp-a，Vtn) H - (l + c〇

v _(VDD-Vtp-«"VJ L— (1 + a") -17- (15) 1315060 如此一來，邏輯反轉電路140及邏輯反轉電路150所 具有之第1邏輯反轉位準VH及第2邏輯反轉位準VL互相 爲不同，並且，也與邏輯反轉電路I20之偏壓電壓¥8不 同。 偏壓電壓VB、第1邏輯反轉位準νΗ及第2邏輯反轉 位準VL，具體而言是被設定成具有下式之關係。 [式7]

Vl〈 Vb〈 Vh 即是，邏輯反轉電路140之第1邏輯反轉位準Vh是 被設定成比邏輯反轉電路120之偏壓電壓VB高’邏輯反 轉電路150之第2邏輯反轉位準VL是被設定成比邏輯反 轉電路120之偏壓電壓VB高。該設定例如在邏輯反轉電 路 140、120、150 之 P 通道型 TFT141、121、151 中，依 該順序增大閘極長度，藉由使其他尺寸成爲相同，將係數 設定成下式之關係而予以執行。 [式8] a ''> a > a 如此一來’第1邏輯反轉位準VH，是藉由構成邏輯 反轉電路14〇之電晶體元件的形狀尺寸對構成反轉電路 120之電晶體元件的形狀尺寸而被設定，第2邏輯反轉位 -18 - (16) 1315060 準VL，是藉由構成邏輯反轉電路150之電晶體元件的形 狀尺寸對構成反轉電路120之電晶體元件的形狀尺寸而被 設定。 第3圖是表示邏輯反轉電路120、140、150之輸入輸 出特性之曲線圖。 針對邏輯反轉電路120，因連接有輸出和輸入，故在 第3圖中，藉由當作邏輯反轉電路120單體之輸出輸入之 曲線，和VIN= VOUT之直線之焦點，表示偏壓電壓VB。 再者，針對邏輯反轉電路140，假設藉由單獨取出邏 輯反轉電路140並連接輸出輸入之時，第3圖之邏輯反轉 電路140之輸出輸入特性之曲線，和VIN = N OUT之直線 之交點，表示第1邏輯反轉位準VH。 即使針對邏輯反轉電路150也相同，藉由第3圖之反 轉電路150之輸出輸入特性之曲線，和VIN=VOUT之直 線之交點，表示第2邏輯反轉位準Vl。 於第3圖之曲線圖中，表示VL<VB<VH之關係。 [1-2 :動作] 接著，針對位準位移電路1 00之動作予以說明。 第4圖是用以說明該動作之圖示，表示位準位移電路 1〇〇之各部中電壓波形。 首先，當在輸入端IN供給低振幅之輸入訊號 VIN 時，節點N110即是電容器110之另一端所示之電壓波型 VB〇ut是在邏輯輸入訊號VIN之微分波形加算（補償）偏壓 -19- (17) 1315060 電壓V B。 在此，當節點N110中之電壓超過第1邏輯反轉位準 Vh之時邏輯反轉電路則判定輸入訊號之位準爲Η，使輸 出訊號VHout是成爲L位準。在此，邏輯反轉電路150因 將輸出訊號VLout維持L位準，故邏輯反轉電路140和邏 輯反轉電路150之輸出極性爲一致。再者，此時，被連接 於於輸出端OUT之"非與"電路1 60之輸出訊號成爲Η位 準’邏輯反轉電路180之輸出訊號則成爲L位準，邏輯反 轉電路180之輸出訊號成爲L位準。其結果，"非或”電路 170之輸出訊號成爲Η位準，邏輯反轉電路190之輸出訊 號成爲L位準。依此，"非與”電路16 0之輸入成爲L位 準，保持該狀態。如此一來，藉由”非與”電路1 60、"非或 "電路170、邏輯反轉電路180及邏輯反轉電路190所構 成之邏輯輸出部135，是藉由邏輯反轉電路140和邏輯反 轉電路150之輸出極性爲一致，而反轉自輸出端OUT被 輸出之邏輯輸出訊號。在此，邏輯輸出部135是於N110 之電壓低於第1邏輯反轉位準VH之後，也保持N110之 電壓超過第1邏輯反轉位準Vh之邏輯反轉電路140之判 疋結果。 另外，當節點N110中之電壓低於第2邏輯反轉位準 VL之時，邏輯反轉電路150是輸入訊號之位準成爲L，輸 出訊號VL〇ut是成爲Η位準。在此，邏輯反轉電路140因 使輸出訊號VHout成爲Η位準，故邏輯反轉電路140與 邏輯反轉電路150之輸出極性爲一致。再者，"非或"電路 -20- (18) 1315060 170之輸出之訊號成爲L位準，被連接於"非與”電路160 之輸出之邏輯反轉電路190之輸出訊號成爲Η位準。此 時，”非與”電路160之其他的輸入因爲Η，故被連接於輸 出端OUT之”非與”電路160之輸出訊號成爲L位準’其 結果，邏輯反轉電路180之輸出成爲Η位準’保持該狀 態。如此一來，藉由邏輯反轉電路140和邏輯反轉電路 150之輸出極性一致，在次反轉自輸出端OUT所輸出之 邏輯輸出訊號。在此，邏輯輸出部135是於N110之電壓 超過第2邏輯反轉位準VL之後，也保持N1 10之電壓低 於第1邏輯反轉位準VL之邏輯反轉電路150之判定結 果。 被供給至位準移位電路之輸入端IN之低振幅之 邏輯輸入訊號VIN當成爲Η位準時，自輸出端OUT被輸 出之高振幅之邏輯輸出訊號VOUT是成爲Η位準。相反 的，當邏輯輸入訊號VIN成爲L位準時’自輸出端OUT 所輸出之高振幅之邏輯輸出訊號OUT成爲L位準。因 此，對應於被供給至位準移位電路1 00之輸入IN的低振 幅之邏輯輸入訊號，自輸出端OUT被輸出。並且，邏輯 輸出訊號VOUT爲Η位準之狀態是被保持至邏輯輸入訊 號VIN成爲L位準爲止，再者，邏輯輸出訊號VOUT爲L 位準之狀態是被保持至邏輯輸入訊號VIN成爲Η位準爲 止。 邏輯輸出部135因是藉由邏輯反轉電路140和邏輯反 轉電路150之輸出極性一致，反轉自輸出端OUT所輸出 -21 - (19) 1315060 之邏輯輸出訊號’故電容器110之另一端電壓有時返回偏 壓電壓vB附近，依此低於第1邏輯反轉位準VH’相反的 即使超過第2邏輯反轉位準Vl，邏輯輸出訊號之輸出也 不會變化。因此，即使對於變化之週期爲長之輸入訊號， 亦可以適當追從邏輯輸出訊號之輸出。 [1-3 :效果] 並且，在位準移位電路100中，第1邏輯反轉位準 VH和偏壓電壓VB之差，及第2邏輯反轉位準VL和偏壓 電壓VB之差，成爲輸入靈敏度。即是，被供給至輸入端 IN之邏輯輸入訊號之變化，是藉由邏輯反轉電路140及 邏輯反轉電路150而被正常判定，是於第1邏輯反轉位準 VH被設定成比偏壓電壓VB高’第2邏輯反轉位準VL被 設定成比偏壓電壓VB低，又邏輯反轉位準VH和VL，與 偏壓電壓VB之差被維持較佳均勻之時。 但是，以往於將位準位移電路積體化而形成在基板上 之時，在電容元件之另一端連接如P通道型TFT及N通 道型般之開關元件，並且以TFT之臨界電壓爲基準派定 邏輯輸入訊號之電壓的構成中，要使兩通道型之TFT特 性，及偏壓電路之特性互相取得理想均句而予以形成，由 於製造上之偏差等則有困難。再者，TFT是與形成在矽基 板上之MOS電晶體有所不同，被形成在玻璃基板上。玻 璃基板因是絕緣體，故被形成在玻璃基板上之TFT之臨 界電壓，由於每次閘極之導通斷開而所積蓄之電荷，使得 -22- (20) 1315060 在動作中變動，因此輸入靈敏度也變動。 胃此’若依據本實施形態，可以降低偏壓電壓VB和 第1邏輯反轉位準VH，與第2邏輯反轉位準Vl之相對性 變動。以下，針對該動作予以說明。 {立準移位電路100之輸入訊號之升起的靈敏度，即是 在高電位側之輸入靈敏度，則成爲下式般。 [式9]

Vh — Vb = (Vdd — Vtp — a 'Vtn)(l+ a ') — (Vdd~ Vtp — a Vtn)(l+a ) 如上述般，輸入靈敏度是依存於a’和a之差異。在 此，邏輯反轉電路120之係數a是被設定成下式所示般。 [式 10] n2_Kn_(^C0/2)-(Wn/Ln)

Kp (^C0/2)-(Wp/Lp) 在此，Wn/Ln及Wp/Lp爲TFT之閘極之形狀尺寸之 比。 另一方面，針對邏輯反轉電路140設定有a’。 位準移位電路1 00是如下式所示般’藉由使a |和a 不同，調整輸入靈敏度。 [式 11] — = 1 + δ a -23- (21) 1315060 在此，α'/α因依存於邏輯反轉電路120及邏輯反轉 電路140所具備之TFT之形狀尺寸之比，藉由TFT之形 狀尺寸之比的設定’調整位準移位電路100之輸入靈敏 度。 再者，邏輯反轉電路120所具備之P通道型TFT121 及邏輯反轉電路140所具備之p通道型TFT141因被形成 在相同基板上，故兩者中’臨界電壓VtP、vtn是藉由基 板間互相製程偏差所產生之變動爲大。但是’接近於相同 基板上而所配置之邏輯反轉電路120和140所具備之TFT 彼此，是各個的Vtp之差及Vtn之差極小。因此，5 < 1 之時，VH— VL之對於Vtp及Vtn之依存度極小。 因此，α和α '之差是依存於TFT之閘極之形狀尺寸 比，並且由於製程偏差而所造成之影響變少，其結果依存 於和α之差異之位準移位電路100之輸入靈敏度受到 製程偏差所造成之影響也爲小。再者，即使針對邏輯反轉 電路150之α’’，也設定成與邏輯反轉電路140相同。因 此，對於輸入訊號之低電位側中之輸入靈敏度VB _ VL， 也是依存於TFT之閘極寬度和閘極長度之比，並且由於 製程偏差所造成之影響變小。 如此一來，判定電壓之邏輯反轉電路140、150各爲 予供給偏壓電壓之邏輯反轉電路120相同爲互補型電晶 體’因以相同製程在相同基板上形成邏輯反轉電路140、 150及邏輯反轉電路12〇，故在基板相互間之製程偏差所 -24- (22) 1315060 產生之互補型電晶體電路之邏輯反轉電路120之供給偏壓 電壓之偏移，和同樣互補型電晶體電路之邏輯反轉電路 140，及邏輯反轉電路150之邏輯反轉位準之偏移被相 抵。依此，可以降低製程偏差對位準移位電路1〇〇之輸入 靈敏度的影響，使輸入靈敏度予以安定。 再者，各個邏輯反轉電路120、140、150雖然是以被 形成在絕緣體上之TFT所構成，但是該些電路任一者因 具備互補型TFT，故於重複導通斷開時被積蓄於TFT之 電荷之量，相對於各個互補型TFT，也成爲相同傾向。因 此，邏輯反轉電路120所具備之TFT之臨界電壓之變動 所造成之偏壓電壓之偏移，和邏輯反轉電路140及邏輯反 轉電路〗50所具備之TFT之臨界電壓之變動所造成之邏 輯反轉位準之偏移則被相抵，可以降低位準位移電路100 之輸入靈敏度之變動。 再者，位準移位電路100是邏輯反轉電路140及邏輯 反轉電路150與邏輯反轉電路120皆爲邏輯反轉電路，故 製程偏差所造成之電壓變動容易相抵。因此，可以降低製 程偏差所造成對輸入靈敏度之影響。 [2.第2實施形態] [2-1 :構成] 第5圖是表示本發明之第2實施形態之位準移位電路 200之構成的電路圖。本實施形態之位準移位電路200 f目 對於第1實施形態之位準移位電路1 〇 〇之構成，有具備有 -25- (23) 1315060 輸出緩衝器202之點爲不同。輸出緩衝器202是通道型 TFT205及N通道型TFT206被串聯連接於對高振幅之邏 輯輸出訊號所供給之電源的Vss及VDD之間的互補型電晶 體電路。 在此，位準移位電路200之邏輯輸出部23 5是對輸出 緩衝器202輸出用以驅動互補電晶體電路之2種類之互補 電路驅動電路以當作邏輯輸出訊號。互補電路驅動訊號之 一方是執行構成輸出緩衝器202之互補電晶體電路之P通 道型 TFT205之電流控制，另一方是執行 N通道型 TFT206之電流控制。具體而言，當在構成輸出緩衝器 2 02之P通道型TFT205之閘極，供給L位準之電壓以當 作互補電路驅動訊號時，P通道型TFT205則成爲導通狀 態，當供給Η位準之電壓時，則成爲導通狀態。另外， 當在Ν通道型TFT2 06之閘極，供給Η位準之電壓以當作 互補電路驅動電路時，Ν通道型TFT2 06則成爲導通狀 態，當供給L位準之電壓時，則成爲斷開狀態。 在此，互補電路驅動訊號是於使Ρ通道型TFT20 5及 Ν通道型TFT2 06之各個成爲導通狀態之時，以特定時間 延遲而被輸出，於使上述各電晶體成爲斷開狀態之時則立 即反轉。 具體而言，當判定邏輯反轉電路24 0之輸入超過第1 邏輯反轉位準VH之時，由”非與"電路260供給至Ρ通道 型TFT205之一方之互補電路驅動訊號是成爲使ρ通道 TFT205成爲斷開狀態之η位準。並且，該訊號是經由邏 -26- (24) 1315060 輯反轉電路280及"非或”電路270而被延遲，另一方互補 電路驅動訊號，是成爲使N通道型TFT206成爲導通狀態 之Η位準。即是，邏輯反轉電路280及"非或"270是當作 延遲元件而發揮機能。 另一方面，當作第2邏輯反轉電路之邏輯反轉電路 250之輸入被判定成低於第2邏輯反轉位準Vl之時，自" 非或”電路270被供給至N通道型TFT206之上述另一方 之互補電路驅動訊號，是成爲使N通道型TFT206成爲斷 開狀態之L位準，並且該訊號是經由邏輯反轉電路290及 ”非與”電路260而被延遲，上述另一方之互補電路驅動訊 號，是成爲使P通道型TFT20 5成爲導通狀態之L位準。 即是，邏輯反轉電路290及"非與"電路260是當作延遲元 件而發揮功能。 並且，互補電路驅動訊號之延遲量是可以將例如邏輯 反轉電路2 8 0、290設爲連接多數反相器電路之構成，可 藉由增減連接之級數予以調節。 位準移位電路200是藉由具備輸出緩衝器202，自位 準移位電路200之輸出端OUT輸出反轉輸入端VIN之訊 號之邏輯的訊號。針對其他構成，是與第1實施形態相 同，省略說明。 [2-2 :動作]

在此，針對位準移位電路200之動作予以說明。 當節點N210中之電壓超過第1邏輯反轉位準VH -27- (25) 1315060 時，互補電路驅動訊號之一方的"非與”電路260之輸出訊 號成爲Η位準。然後，於此時互補電路驅動訊號之另一 方的"非或"270之輸出訊號，是比"非與"260之輸出訊號 延遲而成爲Η位準。因此，於Ρ通道型TFT205成爲斷開 狀態之後，Ν通道型TFT206則成爲導通狀態。 另一方面，當節點Ν210中之電壓低於第2邏輯反轉 位準VL時，互補電路驅動訊號之另一方的"非或”電路 270之輸出訊號成爲L位準。然後，於此時輸出互補電路 驅動訊號之一方的"非與"260之輸出訊號，是比"非或"270 之輸出訊號延遲而成爲 L位準。因此，於N通道型 TFT2 06成爲階通狀態之後，P通道型TFT205則成爲導通 狀態。 即是，在任一情形中，構成輸出緩衝器202之電晶體 中，一方成爲斷開狀態後另一方則成爲導通狀態。 [2-3 :效果] 如此一來，邏輯輸出電路23 0所輸出之互補電路驅動 訊號，因於使P通道型TFT2 05及N通道型TFT2 06成爲 導通狀態之時，延遲而被輸出，於成爲斷開狀態之時，則 立即被反轉，故P通道型TFT205及N通道型TFT206是 於一方成爲斷開之後，另一方成爲導通。因此，即使輸出 因應輸出緩衝器之能力的大電流，亦可以降低由於兩者成 爲導通狀態而所發生之貫通電流。 -28- (26) 1315060 [3.第3實施形態] 於上述實施形態中，爲了使邏輯反轉電路之邏輯反轉 位準與偏壓電路所輸出之偏壓電壓有所不同，使Ν通道 型TFT及Ρ通道型TFT之閘極之形狀尺寸比互相不同。 接著，說明即使使用各相同尺寸之N通道型TFT及相同 尺寸之P通道型TFT，亦使邏輯反轉電路之邏輯反轉位準 與偏壓電壓不同的第3實施形態。 [3-1 :構成] 第6圖是以電晶體位準表示當作本發明之第3實施形 態所涉及之第1邏輯反轉電路之邏輯反轉電路340，及當 作第2邏輯反轉電路之邏輯反轉電路350之構成的電路 圖。 本實施形態之位準移位電路是相對於第2實施形態之 位準移位電路200之構成，邏輯反轉電路340是具備有1 個P通道型TFT341及兩個N通道型TFT3 42、3 43，再 者，邏輯反轉電路350是具備有兩個P通道型TFT3 51、 352及1個N通道型TFT353之點有所不同。 針對該其他構成，因與第2實施形態相同，故省略圖 示及說明。 於第6圖中，具體而言，當作第1判定電路之邏輯反 轉電路 3 40中，P通道型 TFT341 之源極是被連接於 VDD，汲極是被連接於N通道型TFT3 42之源極。再者’ N 通道型TFT342之汲極是被連接於N通道型TFT343之汲 -29- (27) 1315060 極，N通道型TFT343之源極是被連接於Vss。P通道型 TFT341及 N通道型 TFT342之閘極皆被連接於節點 N110，N通道型TFT3 43之閘極是被連接於VDD。 另外，在當作第2判定電路之邏輯反轉電路3 50中， P通道型TFT351之源極是被連接於VDD，汲極是被連接 於P通道型TFT3 52之源極。再者，P通道型TFT3 52之 汲極是被連接於N通道型TFT3 53之汲極，N通道型 TFT353之源極是被連接於Vss。P通道型TFT352及N通 道型 TFT353之閘極皆被連接於節點N110，P通道型 TFT351之閘極是被連接於Vss。 並且，於本實施形態中，具備有邏輯反轉電路120、 邏輯反轉電路340、邏輯反轉電路350之P通道型TFT之 閘極，是互相爲相似形，N通道型TFT之閘極也互相爲相 似形。依此，邏輯反轉電路120、邏輯反轉電路340、邏 輯反轉電路350可以使用形狀尺寸互相相等之標準TFT。 並且，亦可以使P通道型TFT之閘極形狀尺寸互相略相 等，N通道型TFT之閘極形狀尺寸也互相略相等。 [3-2 :動作] 接著，明第3實施形態中偏壓電壓和邏輯反轉位準之 關係。 邏輯反轉電路120所供給之偏壓電壓VB及邏輯反轉 電路3 40、350之第1邏輯反轉位準VH及第2邏輯轉位準 VL是各藉由下式所求出。 -30- (28)1315060 VB = [式 12] (vDD-Ά) (1 + α) ~ (1 + ο〇 (Vdd-'-cTVJ (1 + α") 在此，〇：是藉由構成電路之N通道型及P TFT之閘極尺寸所決定。 [式 13] a= l(//„C0/2)-(Wn/Ln)~ 松 C0/2).(Wp/Lp) 該是針對α '、α "也相同。 於第 6圖中，邏輯反轉電路 3 40之 Ν TFT3 43，因閘極被連接於VDD，故經常成爲導通狀 是邏輯反轉電路340之動作，是N通道型TFT3 43 與N通道型TFT342之閘極共同，與被連接於節點 情形相同。然後於此時，兩個N通道型TFT342、 閘極寬與N通道型TFT342、343大略相等，被視 極長度大約爲兩倍之1個N通道型TFT等效。因 爲α，< α "之關係，VH> VB，即是第1邏輯反轉仓 是被設定成比偏壓電壓VB高。

如此一來’藉由增多串聯連接源極汲極之N 通道型 通道型 態。該 之閘極 1 10之 3 43是 爲與閘 此，成 [準VH 通道型 -31 - (29) 1315060 TFT之數量，則可以將第1邏輯反轉位準VH設定比偏壓 電壓VB高。即是，第1邏輯反轉位準是藉由構成邏輯反 轉電路340之電晶體元件之相對於構成邏輯反轉電路120 之串並聯級數之比而所設定。 另一方面，邏輯反轉電路350中，兩個P通道型 TFT351、352是閘極寬度與P通道型TFT351、352大略 相等，被視爲與閘極長S大約爲兩倍之1個N通型TFT 等效。因此，成爲α··<α，， VL<VB’即是第2邏輯反 轉位準VL是被設定成比偏壓電壓VB低。 如此一來，依據增加串聯連接源極汲極之P通道型之 TFT之數量，則可以使第2邏輯反轉位準VL比偏壓電壓 VB低。即是，第2反轉位準是藉由構成邏輯反轉電路350 之電晶體元件之相對於構成邏輯反轉電路1 20之電晶體元 件之串並聯級數之比而所所設定。 [3-3 :效果] 如此一來，使邏輯反轉電路3 40所具備之N通道型 TFT或是P通道型TFT之至少一方之個數，與邏輯反轉 電路350所具備之與上述一方相同種類之TFT個數不 同，藉由改變兩者之TFT之串並聯級數之比’則可以調 整第1邏輯反轉位準VH和第2邏輯反轉位準VL之差。 例如，藉由在邏輯反轉電路12〇、3 40、35〇之間，使 源極汲極連接的TFT之數量’則可以不會使TFT彼此之 閘極尺寸不同’將第1邏輯反轉位準Vh設定比偏壓電壓 -32- (30) 1315060 νΒ高，將第2邏輯反轉位準Vl設定比偏壓電壓VB低。 因此，可以不用罩幕佈局設計，在電路設計之階段容 易執行TFT之數量調整。 並且，在邏輯反轉電路 340、3 5 0中，N通道型 TFT3 43及P通道型TFT351之閘極，不連接於節點N1 10 而連接於電源，是因爲抑制被連接於節點N110之閘極寄 生電容之增加。依此，因不增加成爲邏輯反轉電路3 40及 邏輯反轉電路350之輸入訊號之電壓下降主要之原因的被 連接於節點N110之寄生電容，故可以防止輸入靈敏度之 下降。 [4.第4實施形態] [4-1 :構成] 第7圖是表示本發明之第4實施形態之位準移位電路 400之構成的電路圖。本實施形態之位準移位電路400相 對於第2實施形態之位準移位電路200(參照第5圖）之構 成，使用”非與”電路400當作第1邏輯反轉電路，使用" 非或"電路450當作第2邏輯反轉電路，"非與”電路440 及"非或"電路45 0是與當作邏輯輸出電路之RS正反器一 體形成有所不同。在此，"非與"電路440是採用並聯連接 兩個P通道型TFT，串聯連接兩個N通道型TFT之一般 構成。再者，”非或”電路450是可以採用兩個P通道TFT 串聯連接，兩個N通道TFT並聯連接之一般構成。並 且，位準移位電路4 0 0中，因相對於第2實施形態之位準 -33- (31) 1315060 移位電路200，邏輯反轉電路少1段份，故自輸出端OUT 輸出輸入端IN之輸入訊號之非反轉訊號。針對其他構 成，則與第2實施形態相同，省略說明。 [4-2 :動作] 針對位準移位電路4 0 0之動作予以說明。 電容器410之一端是自輸入端IN被供給低振幅之邏 輯輸入訊號，當另一端之節點N410之電壓，超過當作第 1邏輯反轉電路之"非與"電路410之第1邏輯反轉位準VH 時，該"非與”電路44 0之輸出訊號則成爲L位準，依此， 供給自邏輯反轉電路460所輸出之Η位準之訊號的"非或" 電路450之輸出訊號也成爲L位準。其結果，邏輯反轉電 路470之輸出訊號成爲Η位準，保持"非與"電路440之輸 出。因此，因被連接於"非與”電路440之輸出的Ρ通道型 TFT40 5成爲ON狀態，被連接於"非或"電路450之輸出之 N通道型TFT406成爲OFF狀態，故輸出端OUT之訊號 是成爲Η位準。 另外，當節點Ν410中之電壓低於第2邏輯反轉位準 VL時，”非或電路450之輸出訊號則成爲Η位準，"非與 "電路440之輸出訊號也成爲Η位準。因此，因Ρ通道型 TFT4 0 5成爲導通狀態，Ν通道型TFT406成爲斷開狀態’ 故輸出端OUT之訊號則成爲L位準。 其結果，被輸入至位準移位電路400之輸入端IN之 訊號之非反轉邏輯之訊號則從輸出端OUT被輸出。 -34- (32) 1315060 [4-3 :效果] 如此一來，因可以使第1邏輯反轉電路之"非與”電路 440及第2邏輯反轉電路之π非或”電路450 ’與邏輯輸出 電路430所具備有之保持電路成爲一體，故可以以較少閘 極數量，實現位準移位電路。 並且，在位準移位電路400中，"非與”電路440是被 並聯連接於兩個Ρ通道型TFT，兩個Ν通道型TFT被串 聯連接之構成。再者，”非或”電路450是兩個P通道型 TFT被串聯連接，兩個N通道型TFT被並聯連接之構 成。因此，即使使用相同閘極尺寸之P通道型TFT ’及相 同閘極尺寸之N通道型TFT，"非與"電路440之第1邏輯 反轉位準VH被設定成比VB高，"非或”電路450之第2邏 輯反轉位準VL亦被設定成比VB低。藉由使用”非與"電路 440及"非或"電路450，不用變更各個TFT彼此形狀尺寸 之比，可以適當判定用之邏輯反轉位準。 [5.第5實施形態] [5-1 :構成] 第8圖是表示本發明之第5實施形態之位準移位電路 5〇〇之構成的電路圖。 本實施形態之位準移位電路500相對於第2實施形態 之位準移位電路200(參照第5圖）之構成，是使用3輸入 之"非與”電路560和3輸入之"非或”電路5 70，以當作構 -35- (33) 1315060 成邏輯輸出部53 5之"非與"電路及”非或”電路。在此，成 爲於"非或”電路5 70之輸入之一個，被輸入使位準移位電 路5 00之內部成爲初期狀態之復位訊號R，於"非與"電路 5 62之輸入之一個，被輸入復位訊號R之反轉訊號RB之 構成。 針對其他構成因與第2實施形態相同，故省略其說 明。 [5-2 :動作] 接著，針對位準移位電路500之動作予以說明。 首先，供給當作復位訊號R之Η位準的訊號，且供 給當作復位訊號之反轉訊號RB之L位準之訊號時，"非 與"電路5 60之輸出訊號是成爲Η位準，邏輯反轉電路 5 80之輸出訊號是成爲L位準。依此，該L位準之訊號被 輸入至’’非或”電路5 70。另一方面，”非或"電路5 70之輸 出訊號是成爲L位準，邏輯反轉電路590之輸出訊號是成 爲Η位準。依此，該Η位準之訊號被輸入至"非與"電路 560。因此’移位位準電路500之內部狀態被初期化，該 初期化是復位訊號R成爲L位準，反轉訊號RB於反轉訊 號RB成爲Η位準之後也被保持。 接著’於電容器510之一端，自輸入端IN供給低振 幅之邏輯輸入訊號，當一端之節點N510之電壓低於第2 邏輯反轉位準VL時，"非或"電路570之輸出訊號則成爲 L位準，"非或"電路560之輸出電路也成爲L位準。因 -36- (34) 1315060 此，N通道型TFT506成爲斷開狀態，P通道型TFT505成 爲導通狀態，依此，輸出端OUT之訊號則成爲Η位準。 另外，當節點Ν5 10之電壓超過第1邏輯反轉位準VH 時，"非與"電路560之輸出訊號成爲Η位準，"非或"電路 5 70之輸出訊號也成爲Η位準。因此，Ν通道型TFT5 06 成爲導通狀態，Ρ通道型TFT5 05則成爲斷開狀態，依 此，輸出端OUT之訊號成爲L位準。 其結果，被輸入至位準移位電路5 00之輸入端IN之 訊號之反轉訊號是自輸出端OUT被輸出。 [5-3 :效果] 位準移位電路500因具備有用以使內部成爲初期狀態 之復位訊號輸入，故於輸入低振幅之邏輯輸入訊號之前， 可以確定內部狀態及輸出訊號之狀態。尤其，於使用多數 位準位移電路500之時，可以統一電源投入後之初期狀 態0 [6_第6實施形態] [6-1 :構成] 第9圖是表示本發明之第6實施形態之位準移位電路 600之構成的電路圖。 本實施形態之位準移位電路600相對於第2實施形態 之位準移位電路200(參照第5圖）之構成，具備有兩個輸 入低振幅之邏輯輸入訊號之電容元件之點爲不同。 -37- (35) 1315060 詳細而言，位準移位電路6 00具備有一端被輸入共同 之邏輯輸入訊號之當作第1電容元件之電容器610及當作 第2電容元件之電容器611，和當作供給第1偏壓電壓 乂81至電容器610另一端之第1偏壓電路的3個邏輯反轉 電路之邏輯反轉電路620，和當作供給與第1偏壓電壓 VB if同之第2偏壓電壓VB2.至電容器611另一端之第2 偏壓電路的第4邏輯反轉電路之邏輯反轉電路622’和當 作具有第1邏輯反轉位準VH之第1邏輯反轉電路之邏輯 反轉電路640，和當作具有第2邏輯反轉位準Vl之第2 邏輯反轉電路之邏輯反轉電路650。在此，邏輯反轉電路 620、640、622、650各爲互補型電晶體電路。 針對其他構成，因與第2實施形態相同，故省略說 明。

位準移位電路600中，邏輯反轉電路640之第1邏輯 反轉位準VH是被設定成比邏輯反轉電路620所供給之偏 壓電壓乂81高，邏輯反轉電路650之第2邏輯反轉位準 VL是被設定成比邏輯反轉電路622所供給之第4邏輯反 轉位準之偏壓電壓VB2低。該設定是可以藉由，調整構成 邏輯反轉電路64 0之電晶體元件之形狀或串並聯級數對構 成邏輯反轉電路620之電晶體元件之形狀尺寸或串並聯級 數之比，調整構成邏輯反轉電路650之電晶體元件之形狀 尺寸或串並聯級數對且構成邏輯反轉電路622之電晶體元 件之形狀尺寸或串並聯級數之比’而予以執行。調整是藉 由將例如邏輯反轉電路640、620、622、650所具有之P -38- (36) 1315060 通道型TFT之閘極長度，依邏輯反轉電路640、620、 622、650之順序增大，使其他規格成爲相同而執行。 第10圖是表示邏輯反轉電路620、640、622、650之 輸入輸出特性之曲線圖。 邏輯反轉電路620、622之輸出因連接於各個輸入， 故藉由邏輯反轉電路620、622之輸入輸出特性之曲線和 VIN = VOUT之直線之交點電壓，表示各個偏壓電壓 VB]、VB2。即使針對邏輯反轉電路640、650之第1邏輯 反轉位準VH及第2邏輯反轉位準Vl，假設個別取出設爲 連接輸入輸出時，則與邏輯反轉電路120相同，藉由輸入 輸出特性之曲線和VIN= VOUT之直線之交點而被表示。 在此，表示VL<VB1，還有VB2<VH之關係。 [6-2 :動作] 接著，針對位準位移電路6 0 0之動作予以說明。 第11圖是用以說明該動作之圖示，表示位準移位電 路600之各部之電壓的電壓波形之圖示。 在電容器6 1 0之一端，自輸入端IN被供給低振幅之 邏輯輸入訊號，當另一端之節點N610之電壓超過第1邏 輯反轉位準VH時，邏輯反轉電路640之輸出訊號則成爲 L位準。依此，”非與”電路660之輸出訊號成爲Η位準， "非或"電路670之輸出訊號也成爲Η位準。因此，Ρ通道 型TFT605成爲斷開狀態，Ν通道型TFT606成爲導通狀 態，輸出端OUT之訊號成爲L位準。 -39- (37) 1315060 另外’當節點N611之電壓低於第2邏輯反轉位準VL 時，邏輯反轉電路650之輸出訊號則成爲Η位準。依 此’"非或"電路670之輸出訊號成爲L位準，"非與，，電路 660之輸出訊號也成爲l位準。因此，Ν通道型TFT606 成爲斷開狀態，Ρ通道型TFT60 5成爲導通狀態，輸出端 OUT之訊號成爲Η位準。 其結果，被輸入至位準移位電路600之輸入端IN之 訊號之反轉訊號則自輸入端OUT被輸出。 [6-3 :效果] 位準移位電路6 0 0是多數具備有輸入共同邏輯輸入訊 號之電容器610、611，電容器610' 611之各個是對應互 相獨立之偏壓電壓及邏輯反轉位準之組合。即是，可以將 電容器610對應於偏壓電壓VB1及第1邏輯反轉位準VH 之組合，然後將電容器611對應於偏壓電壓VB2及第1邏 輯反轉位準 Vl之組合。因此，可以對每各個電容器 610、611獨立調整構成邏輯反轉電路620、622及邏輯反 轉電路640、650之元件之特性’設定最佳之邏輯反轉位 準。例如，獨立調節偏壓電壓Vbi及Vb2，藉由設定於各 個第1邏輯反轉位準vh及第2邏輯反轉位準Vl之附近’ 則可以使輸入靈敏度成爲高靈敏度。 再者，例如，於邏輯反轉電路640與邏輯反轉電路 650不同之電路構成之時’藉由邏輯反轉電路220使用與 邏輯反轉電路64〇相同之電路構成’則可以使兩者以相同 -40- (38) 1315060 傾向所發生之製程偏差，或經過時間之變化相 低輸入靈敏度之變化。再者，可以對不同 610、611，獨立調整輸入靈敏度。 [7.第7實施形態] [7-1 :構成] 第1 2圖是表示本發明之第7實施形態所 反轉電路700之構成的電路圖。 本實施形態之位準移位電路7 0 0相對於第 之位準移位電路600(參照第9圖）之構成，使 路740當作第1邏輯反轉電路，使用"非與••電 第2邏輯反轉電路之點，然後當作藉由"非與" 非或”電路750及邏輯反轉電路760、770所構 出部的RS正反部，是與第1邏輯反轉電路及 轉電路一體形成之點有所不同。針對其他之構 實施形態相同，省略說明。 [7-2 :動作、效果] 本實施形態是持有第6實施形態與第4實 特徵。即是，因可以將第1邏輯反轉電路之 740，及第2邏輯反轉電路之"非或"電路75 0， 輸出電路之RS正反器倂用，故可以以較少閘 現位準移位電路，並且對每各個電容器710、 調整構成邏輯反轉電路720、722、”非與”電蹄 抵，可以降 之每電容器 涉及之邏輯 6實施形態 :用”非或”電 路750當作 電路7 4 0、" 成之邏輯輸 第2邏輯反 成是與第6 施形態之兩 "非與"電路 與當作邏輯 極數量，實 7 1 1，獨立 740及"非 -41 - (39) 1315060 或"電路75 0之元件特性，執行最佳之位準判定。 [8.第8實施形態] [8-1 :構成] 第13圖是表示本發明之第8實施形態所涉及之邏輯 反轉電路8 00之構成的電路圖。 本實施形態之位準移位電路8 0 0相對於第6實施形態 之位準移位電路600(參照第9圖）之構成，使用3輸入之" 非與"電路860和"非或"電路870之點當作構成RS正反器 之”非與"電路及"非或"電路之點有所不同。在此，構成於 "非或”電路8 7 0之輸入之一個，輸入用以使位準移位電路 800之內部成爲初期狀態之復位訊號R，於"非或"電路 8 60之輸入之一個，輸入復位訊號R之反轉訊號RB。針 對其他構成，則與第6實施形態相同，省略說明。 [8-2 :動作、效果] 本實施形態持有第6實施形態和第5實施形態之兩特 徵。 即是，位準移位電路800因具備有用以使內部成爲初 期狀態之復位訊號輸入，故於輸入低振幅之邏輯輸入訊號 之前，可以確定內部狀態及輸出訊號之狀態。尤其，於使 用多數位準移位電路800之時，可以統一電源投入後之初 期狀態。 -42- (40) 1315060 [9.第9實施形態] [9 -1 :構成] 第14圖是表示本發明之第9實施形態所涉及之邏輯 反轉電路900之構成的電路圖。 本實施形態之位準移位電路900相對於第8實施形態 之位準移位電路800(參照第13圖）之構成，使用"非與”電 路當作邏輯反轉電路920、940，再者使用"非或"電路當作 邏輯反轉電路922、950之點有所不同。在此，構成於邏 輯反轉電路920、940之各個輸入之一個’輸入復位訊號 R’於邏輯反轉電路922、950之各個輸入之一個’輸入復 位訊號R之反轉訊號RB。並且，該些輸入是與被連接於 電容器910、911之輸入之一端爲不同之另一端。針對其 他構成，則與第8實施形態相同，省略說明。 [9-2 :動作、效果] 在此，說明第9實施形態之動作。首先，因使位準移 位電路900成爲初期狀態，或是停止狀態，故當供給當作 復位R之Η位準之訊號，並且供給當作復位訊號之反轉 訊號RB的L位準之訊號時，邏輯反轉電路920、940之 輸出訊號則成爲Η位準，邏輯反轉電路922、950之輸出 之訊號則成爲L位準。此時，構成邏輯反轉電路920、 940、922、950所具有之互補型電晶體電路之各電晶體， 是成爲導通或是斷開狀態中之任一者。因此，可以防止構 成互補型電晶體電路之Ρ通道型電晶體及Ν通道型電晶 -43- (41) 1315060 體之雙方在飽和區域動作，同時防止汲極電流流入。 接著，因成爲位準移位電路900之初期狀態，或解除 停止狀態之動作狀態，故當供給當作復位訊號R之位準訊 號，並且供給當作復位訊號之反轉訊號RB之Η位準的訊 號時，邏輯反轉電路920、922之輸出之訊號電壓，則成 爲各個邏輯反轉位準 VB1、VB2。再者，邏輯反轉電路 940、950之輸出訊號是因應相對於各個爐轉位準之輸入 的訊號位準，而成爲Η位準或是L位準。 如此一來，邏輯反轉電路920、940、922及950之至 少一個，具有與被連接於電容器910或是電容器911之輸 入之一端不同的另一端，因應該輸入之另一端之訊號，不 管輸入之一端之訊號的位準，將輸出之訊號固定於如Η 位準或是L位準般之特定位準。依此，可以防止於不使位 準移位電路900予以動作之時，汲極電流同時流入至構成 互補電聽以電路之Ρ通道型電晶體及Ν通道型電晶體之 雙方，可以降低消耗電力。 並且，本實施形態之構成即使適應於其他實施形態亦 可。例如，即使使用具有輸入之另一端的”非與"電路或是 "非或"電路，當作第1實施形態之位準移位電路100(第1 圖）之邏輯反轉電路120、140' 150亦可。 再者，於本實施形態中，雖然在用以固定輸出之訊號 的另一端，輸入用以輸出邏輯輸出部93 5之復位訊號R及 復位訊號之反轉訊號RB，但是本發明並不限定於此，輸 入至另一端即使爲用以使輸出之訊號予以固定之訊號亦 -44- (42) 1315060 可。例如，即使爲與復位訊號R及復位訊號之反轉訊號 RB不同的節能（PowerSave)訊號及輸入該反轉訊號者亦 可0 [1 0 :變形例、改良例] 並且，本發明並非限定於此，在可以達成本發明之目 的之範圍下的變形、改良等也包含在本發明。 例如，並不限定於上述各個實施形態，組合上述實施 形態之特徵點之實施形態也包含於本發明。 再者，上述實施形態中，雖然說明將開關元件當作P 通道型TFT及N通道型TFT予以說明，但是本發明並不 限定於此，若爲構成互補型電晶體之開關元件即可。例 如，即使爲P通道型MOS電晶體或是N通道型電晶體亦 可，PNP型電晶體或是NPN型電晶體亦可。 再者，於上述實施形態中，雖然主要以邏輯反轉電路 當作反相器電路予以說明，但是，本發明並不限定於此， 若爲反轉輸入訊號之邏輯位準而予以輸出之電路即可，例 如，爲"非與"電路、"非或"電路、排他性邏輯和電路般之 電路即可。 再者，於上述實施形態中，邏輯輸出電路所具備之邏 輯輸出部，雖然是以如保持上述第1邏輯反轉電路之判定 結果及上述第2邏輯反轉電路之判定結果之正反器般的保 持電路予以說明，但是即使爲將上述第1邏輯反轉電路之 判定結果及上述第2邏輯反轉電路之判定結果，輸入至構 -45- (43) 1315060 成電流緩衝器之互補型電晶體之P型及N型之開關元件 之構成亦可。但是，由適當跟隨鄰接變化點彼此之間隔爲 長之訊號之點來看，以保持電路爲佳。 再者，於上述實施形態中，雖然以將互補電路驅動訊 號輸出至內藏之輸出緩衝器予以說明，但是本發明並不限 定於此，即使供給至設置在位準移位電路之輸出緩衝器亦 可，此時互補電路驅動訊號成爲位準位移電路本身之邏輯 輸出訊號。 [1 1 ·液晶面板之構成例] 接著，針對上述電性構成所涉及之光電裝置1之全體 構成，參照第15圖及第16圖予以說明。在此’爲表示光 電裝置1之構成的斜視圖，第16圖爲第15圖中之A-A 剖面圖。液晶面板是具備有形成有畫素電極等之玻璃或半 導體等之元件基板1151，和形成有共同電極U58之玻璃 等之透明對向基板1152，於該些元件基板1151及對向基 板1 152之間隙封入液晶1 155。 在對向基板1152之外圍部，設置有封入元件基板 1 1 5 1及對向基板1 1 5 2之間隙的密封構件1 1 5 4。該密封構 件1154是與元件基板1151及對向基板1152同時形成封 入液晶1 1 5 5之空間。在密封構件1 1 5 4 ’爲了保持元件基 板1151及對向基板1152之間隔，混入間隔物1153。並 且，在密封構件1 154形成有用以封入液晶1155之開口 部，該開口部是於封入液晶1 155之後，以密封材料1 156 -46 - (44) 1315060 封口。 在此，於元件基板1151之對向面，密封構件1154之 外側一邊，形成有資料線驅動電路1 2 0 0，成爲驅動延伸 於Y方向之資料線之構成。並且，於該一邊形成多數之 連接電路1157，成爲輸入來至時序發生電路之各種訊號 或畫像訊號之構成。再者，於鄰接於該一邊之一邊，形成 有掃描線驅動電路1 5 00，成爲自各兩側驅動延伸於X方 向之掃描線的構成。另外，對向基板1152之共同電極 1158是藉由被設置在與於元件基板1151貼合部分之4角 落中至少1處的導通材，以謀求與元件基板1 1 5 1之電性 導通。除此之外，在對向基板1 1 5 2上，因應液晶面板之 用途，例如第1，設置配列成條紋狀、馬賽克狀、三角形 之彩色濾光片，第2，設置將鉻或鎳等之金屬材料或者碳 或鈦分散於光阻的樹脂黑等之黑矩陣，第3，在液晶面板 設置照射光之背光，尤其於色光調製用途之時，不形成彩 色濾光片，在對向基板1152設置黑矩陣。 除此之外，在元件基板1151及對向基板1152之對向 面，設置有各摩擦處理成特定方向之配向膜，另外在該各 背面側各設置有因應配向方向之偏光板。但是，若使用以 微小粒分散至高分子中之高分子分散型液晶時，因不需要 上述配向膜、偏光板，其結果提高光利用效率，對於高亮 度化或低消耗電力化等之點則有利。並且，即使取代將掃 描線驅動電路1 5 00等之周邊電路之一部份或是全部，形 成在兀件基板1151，例如作爲使用TAB(Tape Automated -47- (45) 1315060

Bonding)技術，而經由被設置在元件基板1151之特定位 置的異方性導電膜，電性及機械性連接被安裝於薄膜之驅 動用1C晶片的構成亦可，即使作爲使用 COG(Chip On Grass)技術，將驅動用1C晶片本身經由異方性導電薄香 電性及機械性連接於元件基板1151之特定位置的構成亦 可。 [1 2 ·應用例] 於上述實施形態中，雖然例示具備液晶之光電裝置， 但是即使使用液晶以外之光電物質的光電裝置亦適用於本 發明，光電物質爲藉由電氣訊號（電流訊號或是電壓訊號） 之供給，使得如透過率或亮度般之光學性特性予以變化之 物質。例如，即使對於將有機EL(Electro Luminescent)或 發光聚合體等之OLED元件當作光電物質使用之顯示面 板，或將包含有被著色之液體和被分散於該液體之白色粒 子的爲膠囊當作光電物質使用之電泳顯示面板，將在每極 性爲互相不同之區域分別塗上不同顏色之扭轉球（Twisting Ball)當作光電物質使用之扭轉球顯示器面板，當黑色調 色劑當作光電物質使用之調色劑顯示器面板，或是將氦或 氖等之高壓氣體當作光電物質使用之電槳顯示器面板等之 各種光電裝置，亦與上述實施形態相同可適用本發明。 [13.電子機器] 接著’針對適用上述實施形態及應用例所涉及之光電 -48- (46) 1315060 裝置1之電子機器予以說明。第17圖是表示適用光電裝 置1之行動型之個人電腦電腦之構成。個人電腦2000是 具備當作顯示元件之光電裝置1和本體部2010。在本體 部2010上設置有電源開關2001及鍵盤2002。該光電裝 置1因具備有輸入靈敏度不受製程偏差之影響，故可以顯 示均勻之畫像。 第18圖是表示適用光電裝置1之行動電話之構成。 行動電話3000是具備有多數之操作按鈕300 1及捲動鈕 3002以及當作顯示元件之光電裝置1。藉由操作捲動鈕 3 002，使被顯示於光電裝置1之畫面予以捲動化。第19 圖是表示適用光電裝置1之資訊攜帶終端機（PDA : Personal Digital Assistants)之構成。資訊行動終端機 4000是具備有當作多數操作按鈕400 1及電源開關4002 以及當作顯示元件之光電裝置1。當操作電源開關4002 時，如通訊錄或記事本等之各種資訊則顯示於光電裝置 1 ° 又，以適用光電裝置1之電子機器而言，除第17圖 至第19圖所示之外’亦可以使用數位照相機、液晶電 視、取景型螢幕直視型之錄影機、汽車導航裝置、呼叫 器、電子記事本、電子計算機、文字處理器、工作台、視 訊電話、POS終端機、具備有觸控面板之機器等。然後， 就以該些各種電子機器之顯示部而言，亦可適用上述之光 電裝置1。 -49- (47) 1315060 【圖式簡單說明】 第1圖是表示位準移位電路1〇〇之構成的電路圖。 第2圖是表示位準移位電路100之電晶體位準之構成 的電路圖。 第3圖是表示邏輯反轉電路120、140、150之輸出輸 入特性之曲線圖。 第4圖是表示位準移位電路10〇之各部中之電壓波形 之圖示。 第5圖是表示本發明之第2實施形態之位準移位電路 2〇〇之構成的電路圖。 第6圖是以電晶體位準表示本發明之第3實施形態所 涉及之反相器之構成的電路圖。 第7圖是表示本發明之第4實施形態之位準移位電路 400之構成的電路圖。 第8圖是表示本發明本發明之第5實施形態之位準移 位電路500之構成的電路圖。 第9圖是表示本發明之第6實施形態之位準移位電路 600之構成的電路圖。 第10圖是表示邏輯反轉電路620、邏輯反轉電路 64 0、邏輯反轉電路622、邏輯反轉電路650之輸出輸入 特性的曲線圖。 第11圖是表示位準移位電路60 0之各部中之電壓波 形的圖示。 第1 2圖是表示本發明之第7實施形態所涉及之邏輯 -50- (48) 1315060 反轉電路7 00之構成的電路圖。 第13圖是表示本發明之第8實施形態所涉及之邏輯 反轉電路800之構成的電路圖。 第14圖是表示本發明之第9實施形態所涉及之邏輯 反轉電路900之構成的電路圖。 第15圖是表示用以說明適用上述位準移位電路之光 電裝置之構成的斜視圖。 第16圖是用以說明上述光電裝置之構造之a-A剖面 圖。 第17圖是表示適用上述光電裝置之行動型之個人電 腦之構成的斜視圖。 第18圖是表示適用上述光電裝置之行動電話之構成 的斜視圖。 第19圖是表示適用上述光電裝置之資訊攜帶終端機 之構成的斜視圖。 【主要元件符號說明】 100、 200 ' 400、 500' 600、 700、 800、 900 ：位準移 位電路 110、 210、 410、 510、 610、 611、 710、 711、 810、 811、910、911 :電容器（電容元件） 130、 230、 430、 530、 630、 730、 830、 930 ：邏輯出 輸出電路 120、220、420、520、620、720、820、920 ：邏輯反 -51 - (49) 1315060 轉電路（第3邏輯反轉電路） 622、722、822、922:邏輯反轉電路（第4邏輯反轉 電路） 140、 240、 340、 440、 540、 640、 740、 840 ：邏輯反 轉電路（第1邏輯反轉電路） 150 、 250 、 350 、 450 、 550 、 560 、 750 、 850 、 950 ： 邏輯反轉電路（第2邏輯反轉電路） 135、 235、 435、 535、 635、 735、 835、 935 ：邏輯輸 出部（保持電路） 1 :光電裝置 2 0 0 :個人電腦 3 0 0 0 :行動電話 52-

Claims (1)

1. (1) 1315060 十、申請專利範圍 1·一種位準移位電路，其特徵爲：具備有 電容元件，在一端被輸入具有第1邏輯振幅之邏輯輸 入訊號； 邏輯輸出電路，包含有相對於被連接於上述電容元件 之另一端的輸入，具有第1邏輯反轉位準之第1邏輯反轉 電路，及相對於被連接於上述電容元件之另一端的輸入， 具有第2邏輯反轉位準之第2邏輯反轉電路，藉由上述第 1邏輯反轉電路和上述第2邏輯反轉電路之輸出極性爲一 致，反轉具有第2邏輯振幅之邏輯輸出訊號；和 第3邏輯反轉電路，輸入之一端和輸出被連接於上述 電容元件之另一端’相對於被連接於上述電容元件之另一 端的輸入，具有第3邏輯反轉位準， 上述第1邏輯反轉位準是被設定成比上述第3邏輯反 轉位準高， 上述第2邏輯反轉位準是被設定成比上述第3邏輯反 轉位準低。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之位準移位電路，其 中，上述第1邏輯反轉電路、上述第2邏輯反轉電路和上 述第3邏輯反轉電路爲互補型電晶體電路。 3.如申請專利軺圍桌1項或桌2項所記載之位準移位 電路’其中，上述第1邏輯反轉位準是藉由構成上述第丄 邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級數對 構成上述第3邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或是 -53- (2) 1315060 串並聯級數之比而所設定’ 上述第2邏輯反轉位準是藉由構成上述第2邏輯反轉 電路之電晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級數對構成上述 第3邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級 數之比而所設定。 4 .如申請專利範圍第1項或第2項所記載之位準移位 電路，其中，上述第1邏輯反轉電路、上述第2邏輯反轉 電路及上述第3邏輯反轉電路中之至少一個是具有與上述 輸入之一端不同之輸入的另一端，因應該輸入之另一端之 訊號而不管上述輸入之一端的訊號’將輸出之訊號固定於 特定之位準。 5 .如申請專利範圍第3項所記載之位準移位電路，其 中，上述各電晶體元件是接近而被配置。 6. 如申請專利範圍第3項所記載之位準移位電路，其 中，上述各電晶體元件之形狀爲相似形狀。 7. —種位準位移電路，其特徵爲：具備有 第1電容元件，一端被輸入具有第1邏輯振幅之邏輯 輸入訊號； 第2電容元件，一端被輸入上述邏輯輸入訊號； 邏輯輸出電路，包含有相對於被連接於上述第1電容 元件之另一端的輸入，具有第1邏輯反轉位準之第1邏輯 反轉電路，及相對於被連接於上述第2電容元件之另一端 之輸入，具有第2邏輯反轉位準之第2邏輯反轉電路，藉 由上述第1邏輯反轉電路和上述第2邏輯反轉電路之輸出 -54- (3) 1315060 極性爲一致，反轉具有第2邏輯振幅之邏輯輸出訊號； 第3邏輯反轉電路’輸入之一端和輸出被連接於上述 第1電容元件之另一端，相對於被連接於上述第1電容元 件之另一端的輸入，具有第3邏輯反轉位準；和 第4邏輯反轉電路，輸入之一端和輸出被連接於上述 第2電容元件之另一端，相對於被連接於上述第2電容元 件之另一端的輸入，具有第4邏輯反轉位準， 上述第1邏輯反轉位準是被設定成比上述第3邏輯反 轉位準高， 上述第2邏輯反轉位準是被設定成比上述第4邏輯反 轉位準低。 8. 如申請專利範圍第7項所記載之位準移位電路，其 中，上述第1邏輯反轉電路、上述第2邏輯反轉電路、上 述第3邏輯反轉電路和上述第4邏輯反轉電路爲互補型電 晶體電路。 9. 如申請專利範圍第7項或第8項所記載之位準移位 電路’其中，上述第1邏輯反轉位準是藉由構成上述第1 邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級數對 構成上述第3邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或是 串並聯級數之比而所設定， 上述第2邏輯反轉位準是藉由構成上述第2邏輯反轉 電路之電晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級數對構成上述 第4邏輯反轉電路之電晶體元件之形狀尺寸或是串並聯級 數之比而所設定。 -55- (4) 1315060 1 〇.如申請專利範圍第7項或第8項所記載之位準移 位電路，其中，上述第1邏輯反轉反轉電路、上述第2邏 輯反轉電路、上述第3邏輯反轉電路及上述第4邏輯反轉 電路中之至少一個是具有與上述輸入之一端不同之輸入的 另一端，因應該輸入之另一端之訊號而不管上述輸入之一 端的訊號，將輸出之訊號固定於特定之位準。 1 1 ·如申請專利範圍第9項所記載之位準位移電路， 其中，上述各電晶體元件是接近而被配置。 1 2 .如申請專利範圍第9項所記載之位準位移電路， 其中，上述各電晶體元件之形狀爲相似形狀。 1 3 .如申請專利範圍第1項或第7項所記載之位準位 移電路，其中，具有上述第2邏輯振幅之邏輯輸出訊號爲 用以驅動互補電晶體電路之互補電路驅動訊號。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所記載之位準位移電路， 其中，又具備有被串聯連接於供給上述第2邏輯振幅之電 源間，藉由上述互補電路驅動訊號而被驅動之互補型電晶 體電路。 -56- ,13.15060 第95102327號專利申請案 . 中文圖式替換頁 粉年令月从日修(更)正替換頁 民國98年4月16日修正 第3圖

   輸入靈敏度 第4圖 vtN 1 | [] | ' VHout VLout —------1^ VOUT .1315060 第95102327號專利申請案 中文圖式替換頁 第10圖 常年f月4 0修(更)正替換頁 民國98年4月16曰修正 VOUT

   第11圖 VIH

   VLotil VOUT 1315060 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：第（2 )圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 100 位準移位電路 110 電容器 N 1 1 0 :節點 120 邏輯反轉電路 121 P通道型TFT 122 N通道型TFT 13 0 邏輯輸出電路 140 邏輯反轉電路 141 P通道型TFT 142 N通道型TFT 150 邏輯反轉電路 15 1 P通道型TFT 152 N通道型TFT 160 "非與”電路 170 ”非或”電路 180 邏輯反轉電路 190 邏輯反轉電路 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無