TWI308456B - Compact camera module and method for fabricating the same - Google Patents

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TWI308456B TW094147749A TW94147749A TWI308456B TW I308456 B TWI308456 B TW I308456B TW 094147749 A TW094147749 A TW 094147749A TW 94147749 A TW94147749 A TW 94147749A TW I308456 B TWI308456 B TW I308456B
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Description

1308456 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種微型攝影模組，特別係有關於一 種具有重工功效之微型攝影模組。 【先前技術】 由於消費趨勢係以電子產品能夠達到輕巧且厚度越 薄（例如手機）為目標，因此裝設於電子產品中之微型攝影 模組（Compact Camera Module，CCM)其尺寸必須朝向微小 化發展。然而習知的影像感測器模組係利用打線形成之銲 線（bonding wire)電性連接基板與影像感測晶片，在基板表 面需預留打線之空間，因此造成微型攝影模組之尺寸無法 微小化。 請參閱第1圖，一種習知的微型攝影模組100係包含 一基板110、一影像感測晶片120、複數個銲線130及一 鏡片模組140。該基板110係具有一上表面hi及複數個 連接塾112。該影像感測晶片120係設置於該基板11〇之 該上表面111。該影像感測晶片120係具有一主動面121 及一背面122，且該主動面121上係形成有複數個銲塾 123’該影像感測晶片120之該背面122係以膝帶或黏晶 材貼附於該基板11 〇 ’以打線形成之該些銲線13 〇電性連 接該基板110之該些連接墊112與該影像感測晶片丨2〇之 該些銲墊123。該鏡片模組140係結合於該基板11()，並 氣閉密封該影像感測晶片12 0與該些銲線13 0，以形成該 微型攝影模組100。其中該鏡片模組140係具有一渡光片 1308456 141與一透鏡結合座142，且該鏡片模組140之該透鏡結 合座142係結合一透鏡鏡筒I”，該透鏡鏡筒143内係設 置有一透鏡144。 由於該微型攝影模組100係於組裝完成後進行測試， 因此若發現該微型攝影模組丨〇〇為不良品時，則需拆除該 些銲線130及該影像感測晶片12〇，其係會造成該基板u〇 之該些連接塾112與該影像感測晶片12〇之該些銲墊123 Φ 損壞，且可能使得該基板11 〇與該影像感測晶片120無法 使用’因而使製造成本增加。 【發明内容】 本發明之主要目的係在於提供一種微型攝影模組及 其製造方法，一影像感測晶片係具有一主動面、一背面以 及複數個侧面，該些侧面係形成有複數個側面接觸指，該 些侧面接觸指係連接該影像感測晶片之複數個銲墊，一模 組槽座之一嵌槽，該影像感測晶片係嵌設於該嵌槽内，該
嵌槽之一内側壁係設有複數個電接觸件以電性導接該些 側面接觸指，藉由該些侧面接觸指與該些電接觸件，取代 習知技術中以銲線電性導接影像感測晶片與基板，以改善 基板表面空間浪費之缺點，且使得該微型攝影模組可微小 化及具有可重工之功效。 本發明之次一目的係在於提供一種微型攝影模组 其製造方法，㈣組槽座係具有複數料接導件，其係形 成於該模組槽座之一外側壁，以利該微型攝影模組電 接至其外部之其它電子元件。 1308456
依據本發明’一種微型攝影模組係主要包含一影像感 測晶片、一模組槽座以及一鏡片模組。該影像感測晶片係 具有一主動面、一背面以及複數個在該主動面與該背面之 間的側面’該主動面係形成有一感測區，複數個側面接觸 才曰係形成於該些側面，並且電性連接至該影像感測晶片之 複數個料，該帛組槽座係具有-欲#，以供喪設該影像 感測晶片’該嵌槽之一内側壁係設有複數個電接觸件，其 係電性導接該影像感測晶片之該些侧面接觸指該鏡片模 組係結合至該模組槽座，以密封該影像感測晶片。 【實施方式】 清參閱第2圖’本發明之一具體實施例係揭示一種微 型攝影模組200，主要包含一影像感測晶片2丨〇、一模組 槽座220以及一鏡片模組230。該影像感測晶片210係具 有一主動面211、一背面212以及複數個在該主動面211 與該背面212之間的側面213，該主動面211係形成有一 感測區214，該些侧面213係形成有複數個側面接觸指 215，該些側面接觸指2丨5係連接至該影像感測晶片2】〇 之複數個銲墊216。在本實施例中，該影像感測晶片21〇 之該主動面211上形成有一重分配線路層219，該些側面 接觸指215係藉由該重分配線路層219連接該影像感測晶 片210之該些銲墊216，其中該重分配線路層219係可以 晶圓之重新分配線路形成技術所形成。在本實施例中，一 保護層240係覆蓋於該影像感測晶片210之該主動面211 上’以保護該主動面2 11上之該重分配線路層2 19，並且 1308456 s亥保護層240係顯露出該感測區214。該模組槽座22〇係 具有一嵌槽221，該影像感測晶片21〇係嵌設於該嵌槽221 内。該嵌槽221之一内侧壁223係設有複數個電接觸件 224，在本實施例中’該些電接觸件224係具有彈性，例 如彈性普片’該些電接觸件224係彈性接觸該些側面接觸 指215，使得該影像感測晶片21〇能重覆地嵌設與拆離於 該嵌槽221，而不會造成該影像感測晶片2丨〇損壞，又可 φ 達到該影像感測晶片2 1 0與該模組槽座220之電性連接。 當該影像感測晶片210嵌設於該嵌槽221，可藉由該些電 接觸件224彈性接觸該影像感測晶片21〇之該些側面接觸 指215，以電性連接該影像感測晶片210與該模組槽座 220。該鏡片模組230係結合至該模組槽座22〇，以密封該 影像感測晶片210，通常，該鏡片模組23〇係具有一濾光 片231與一透鏡結合座232。其中，該鏡片模組23〇之該 透鏡結合座232係結合有一透鏡鏡筒233,該透鏡鏡筒233 春内係設置有一透鏡234。在本實施例中，該鏡片模組23〇 係具有擋止部235，該擋止部235係用以限制故設於該 嵌槽221之該影像感測晶片21〇由該嵌槽221内脫出。該 鏡片模組230與該模組槽座22〇之間的結合方式係可為卡 扣、螺接或黏著膠接合，在本實施例中，於該鏡片模組23〇 與該模組槽座220之間係設有一氣密膠環25〇，以增加該 鏡片模組230與該模組槽座22〇之密合度，並可避免該擋 止部235壓傷該影像感測晶片21〇。此外，該模組槽座22〇 另具有複數個外導接件225,該些外導接件⑵係至少形 1308456 成於該模組槽座220之一外側壁222，該些外導接件225 與該些電接觸件224係可以電鍍等方法一體形成於該模組 槽座220，或者，該些外導接件225與該些電接觸件224 • 亦可個別形成於該模組槽座220。請參閱第3圖，該微型 攝影模組200係可插接至一印刷電路板31〇之一結合槽 3 11，該微型攝影模組2〇〇係可重覆地嵌設或拔離於該結 合槽311，亦具有重工之功效。該微型攝影模組2〇〇藉由 φ 該些側面接觸指215、該重分配線路層219、該些電接觸 件224及該些外導接件225使該微型攝影模組2〇〇電性導 接至該印刷電路板310，以使該微型攝影模組2〇〇趨於微 小化。 本實施例之一種微型攝影模組2〇〇之製造方法請參閱 第4A至4E圖，首先，請參閱第4A圖，提供至少一影像 感測晶片210，其係一體形成於一晶圓（圖未繪出），該影 像感測晶片210係具有一主動面211、一背面212，該影 鲁 像感測晶片210係另包含有複數個銲墊216,該主動面211 係形成有一感測區214,其中該晶圓並定義有複數個切割 線217，在本實施例中，利用晶圓之重新分配線路形成技 術於該主動面211上形成一重分配線路層219，以電性導 接該些銲墊216。接著，請參閱第4B圖，以雷射鑽孔方法 形成複數個通孔218於該晶圓内，該些通孔218係位於該 些切割線217上且導通至該重分配線路層219，並於該些 通孔218内填充或電鍍導電金屬。接著，請參閱第4C圖， 覆蓋一保護層240於該影像感測晶片21〇之該主動面211 1308456 χ保護該主動面211上之該重分配線路層，並且 h保護層240係、顯露出該感測區2 ! 4 川沿該些切割線⑴進行切割。之後，請參閱第則具 切割完成之該影像感測晶片21()係具有複數個在該主動面 /、該背面212之間的側面213及形成在該些侧面213 之該些側面接觸指215，該些側面接觸指21 5係連接於該 重分配線路層219且電性導接至該些銲墊216。 之後咕參閱第4E圖，提供一模組槽座22〇，其係具 有一嵌槽221 ’以供嵌設該影像感測晶片21〇，該嵌槽221 之一内側壁223係設有複數個電接觸件224，在本實施例 中，該些電接觸件224係具有彈性，其係於嵌設該影像感 測晶片210時電性導接該些側面接觸指2丨5，該模組槽座 220另具有複數個外導接件225，該些外導接件225係至 少开> 成於該模組槽座220之一外側壁222。其中，該些電 接觸件224與該些外導接件225係可以電鍍等方法一體形 成於該模組槽座220，該些外導接件225係延伸至該模組 槽座220之下表面，或者，該些電接觸件224與該些外導 接件225係個別形成再組接於該模組槽座220。最後，如 第2圖所示，結合一鏡片模組23〇至該模組槽座22〇，在 本實施例中’該鏡片模組230係具有一擋止部235，用以 限制在該嵌槽221内之該影像感測晶片21〇脫出，該鏡片 模組230與該模組槽座220之間係可以卡扣、螺接或黏著 膠接合’較佳地，該鏡片模組230與該模組槽座22〇之間 增e又一氣进膠％ 250’增加該鏡片模組230與該模組槽座 1308456 1之密合度°藉由該擋止部235使該影像感測晶片210 固疋於該模組槽座22〇，可免除膠帶或黏晶材之使用，使 該影像感測晶片210具有可重工之功效。 發月之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 者為準，任何熟知此項技藝者，衫脫離本發明之精神和 範圍内所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範 圍。
【圖式簡單說明】 第1 ® .習知微型攝影模組之截面示意圖。 第2圖：依據本發明之一具體實施例，一種微型攝 影模組之截面示意圖。 圖依據本發明之—具體實施㈣，該微$ % $ 模組連接於一結合槽之截面示意圖。 第4A至則：依據本發明之—具體實施例，該微型攝影 模組於製造過程中之戴面示意圖。 【主要元件符號說明】 100微型攝影模組 110 基板 111 120 影像感 測晶 片 121 123 銲墊 130 銲線 140 142 透鏡結 合座 143 200 微型攝影模 組 210 影像感 測晶 片 211 上表面 112 連接墊 主動面 122 背面 鏡片模組 141 濾光片 透鏡鏡筒 144 透鏡 主動面 212 背面 12 1308456 213 侧面 2 14感測區 215 側面接觸指 216 銲塾 2 1 7切割線 218 通孔 219 重分配線路層 220 模組槽座 221嵌槽 222 外侧壁 223 内側壁 224電接觸件 225 外導接件 230 鏡片模組 231濾光片 232 透鏡結合座 233 透鏡鏡筒 234透鏡 235 擋止部 240 保護層 250氣密膠環 3 10印刷電路板 311結合槽 4 1 0切割工具 13

Claims (1)

1308456 十、申請專利範圍： 1、 一種微型攝影模組，包含： 一影像感測晶片，該影像感測晶片係具有一主動面、 一背面以及複數個在該主動面與該背面之間的側 面’該主動面係形成有一感測區，複數個侧面接觸指 係形成於該些側面，該些側面接觸指係連接該影像感 測晶片之複數個銲墊； 一模組槽座，其係具有一嵌槽，該影像感測晶片係喪 設於該嵌槽内’該嵌槽之一内側壁係設有複數個電接 觸件’該些電接觸件係電性導接該些側面接觸指；以 及 一鏡片模組，其係結合至該模組槽座。 2、 如申請專利範圍第丨項所述之微型攝影模組，其中該 模組槽座另具有複數個外導接件。 、如申請專利範圍第2項所述之微型攝影模組， 些外導接件係至少形成於該模組槽座之— 、组，其中該
接或黏著膠接合。 如申請專利範圍第1
影像感測晶h夕钛士 & _ . ，其中該
像墩冽晶月之該些銲塾。 6、如申請專利範圍第1項所 成有—重分配線路 配線路層連接該影 項所述之微型攝影模 組，其中該 1308456 些電接觸件係具有彈性。 7、 如申請專利範圍第丨項所述之微型攝影模組，其中該 鏡片模組係具有一擋止部，用以限制在該嵌槽内之該 影像感測晶片脫出。 8、 如申請專利範圍第丨項所述之微型攝影模組，其另包 含有一保護層，該保護層係覆蓋於該影像感測晶片之 該主動面。 9、 一種微型攝影模組之製造方法，包含： 提供一影像感測晶片，該影像感測晶片係具有一主動 面、一背面以及複數個在該主動面與該背面之間的侧 面，該主動面係形成有一感測區，複數個側面接觸指 係形成於該些側面，該些側面接觸指係連接該影像感 測晶片之複數個銲墊； 提供一模組槽座，該模組槽座係具有一嵌槽，該嵌槽 之一内侧壁係設有複數個電接觸件； 散故該衫像感測晶片於該嵌_槽内，並以該些電接觸件 電性導接該些側面接觸指；以及 結合一鏡片模組至該模組槽座。 10、如申請專利範圍第9項所述之微型攝影模組之製造方 法，其中該模組槽座另具有複數個外導接件。 U、如申請專利範圍第丨0項所述之微型攝影模組之製造 方法，其中該些外導接件係至少形成於該模組槽座之 —外侧壁。 12、如申請專利範圍第9項所述之微型攝影模組之製造方 15 1308456 法，其中該鏡片模組與該模組槽座之間的結合方式係 為卡扣、螺接或黏著膠接合。 如申明專利範圍第9項所述之微型攝影模組之製造方 、、、其中該影像感測晶片之該主動面上係形成有〆重 -線路層該些側面接觸指係藉由該重分配線路層 連接該影像感測晶片之該些銲墊。 14、 如中請專㈣圍第9項所述之微輯龍組之製造方 法，其中該鏡片模組係具有-擋止部，用以限制在該 嵌槽内之該影像感測晶片脫出。 15、 如f請專利範圍第9項所述之微型攝影模組之製造方 法，其另包含有··覆蓋一保護層於該影像感測晶片之 該主動面。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007206336A (ja) * 2006-02-01 2007-08-16 Seiko Epson Corp 光モジュールおよびその製造方法
JP3965416B1 (ja) * 2006-06-16 2007-08-29 株式会社堅牢防水化学 布帛への樹脂加工に使用するドクターブレード及びそれを使用した樹脂加工法
DE102007034704A1 (de) * 2007-07-18 2009-01-22 Karl Storz Gmbh & Co. Kg Bildaufnehmermodul
KR100950914B1 (ko) * 2008-08-13 2010-04-01 삼성전기주식회사 카메라 모듈
CN101671809B (zh) * 2008-09-08 2012-09-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜装置
JP2010238995A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール
JP5460356B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-02 京セラ株式会社 撮像装置
CN102893593B (zh) * 2010-06-28 2016-11-23 京瓷株式会社 布线基板及摄像装置以及摄像装置模块
KR102047378B1 (ko) * 2012-11-30 2019-11-21 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5098630A (en) * 1985-03-08 1992-03-24 Olympus Optical Co., Ltd. Method of molding a solid state image pickup device
US5400072A (en) * 1988-12-23 1995-03-21 Hitachi, Ltd. Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip
US5865935A (en) * 1995-02-02 1999-02-02 Eastman Kodak Company Method of packaging image sensors
US5821532A (en) * 1997-06-16 1998-10-13 Eastman Kodak Company Imager package substrate
US7012315B1 (en) * 2000-11-01 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Frame scale package using contact lines through the elements
DE10109787A1 (de) * 2001-02-28 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Digitale Kamera mit einem lichtempfindlichen Sensor
US7645635B2 (en) * 2004-08-16 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages
US7084391B1 (en) * 2005-04-05 2006-08-01 Wen Ching Chen Image sensing module

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