TWI308362B - Thin film forming device, method for forming thin film, and thin film forming system - Google Patents

Description

1308362 玖、發明纏明 [發明所屬之技術領域] 本發明係關於薄膜形成裝置、餐 衣置潯膜形成方法以及薄膜 形成糸統。 [先前技術] 先前，在薄膜太陽電池方面，—般多採用以下構造： 亦即在透明基板上使用Si或化合物半導體來形成_接合 之半導體薄膜，以對由背面入射的太陽光進行光電轉換。 有關該種半導體薄膜的形成，已提案一種運用電襞 CVD(化學氣相沉積法）的薄胺 — ;潯暝形成方法，係藉由對設置在 薄膜形成系統中的電極供给雷士 ^ , $ 〇电力，使原料氣體形成電漿狀 態’並使之在該電聚中激發、分解，而使之在基板上產生 膜成長反應，藉此於前述基板上形成薄膜。 第W圖，係顯示做為形成上述半導體薄膜之薄膜形成 系統之例的直列式太陽電池用薄膜形嫩。薄膜形成系 統100,係由：將基板由大氣環境移至真空環境之直空載 入(―)裝置102L;用以加熱基板之加熱裝置102h; 形成P型半導體薄膜之薄膜形成裝置1〇5卜·形成i型半導 體薄膜之薄膜形成裝置105i;形成n型半導體薄膜之薄膜 形成裝置！05η;用以冷卻基板之冷卻裝置i〇7c;以及設在 各室間之閘閥（gate va丨ve)11〇所構成。 、此外，薄膜形成裝置1〇5Ρ、1〇ϋ5η中’分別設有 成膜至 120p I2(h、12〇η ;氣箱 η〇ρ、l3〇i、ΐ3〇η ;原料 氣體供給閥14Gp、l4Gl、14Qn;壓力調整閥i5Gp、Ml 3)5)45 5 1308362 裝置將基板300由真空載入 ⑽，並將基板3_置在£搬送到加熱農置 裝置職㈣^ 熱裝置咖内。配置在加熱 裝置職内的基板300’係利用加 定之成膜溫度。 η加熱至預 接著’打開設在加敎梦番7 Λ H ^ …裝置102h與薄膜形成裝置 之間的閘閥110，而由夫阁_ , 风戒置l〇3p 也“ ❿由未I之搬送裝置將基板300由加 熱裝置102h搬送至薄膜形成 β ^ ^ 风裝置1〇5Ρ，並將基板300配 置在'/專膜形成裝置10 5 ρ内。續眩报&继$ 涛膜形成裝置1 〇5ρ，係藉由 真空栗1 60ρ維持在真空狀離 狀也以形成基板300之薄膜形成 處理的準備狀態。 於配置在該種薄臈形成裝f 1〇5ρ的基板3〇〇上形成薄 膜時，係由氣箱ΠΟρ將原料氣體135ρ供給至成膜室 120ρ’而藉由壓力調整閥15〇ρ調整成膜室ΐ2〇ρ内的壓力。 此外，電力供給系統170ρ(】70)的高頻電源mu、 mv、171w的電力，係供給至分流器i72u i72v、i72w， 並藉由分流器172u、172v、172w分配給循環器173u、 173v、173w，再透過循環器173u、n3v、供給至電 極 181u、181v、181w。被供給至電極 181u' 181v、181w 的電力中形成反射波的電力，係經由循環器173u、l73v、 173w供給至假負載174u、i74v、i74w而消耗為熱量。 原料氣體1 3 5p係藉由供給至電極1 8丨u、1 8丨v、1 8 ! w 的電力而形成電漿狀態，並在該電漿中激發、分解，進而 在基板上產生膜成長反應，而在基板3〇〇上形成p型半導 體薄膜。 7 315145 1308362

此外’該種P型半導體$ ,¾ J 體之4膜形成處理，係同時在薄 膜形成領域Ulu、121v、121w中進行。 接著’打開設在薄膜形成裝置1〇外與薄膜形成裝置 由二間的閘閥110 ’而由未圖示之搬送裝置將基板3〇〇 ,、形成裝置105p搬送至薄膜形成裝置1〇5丨，並將基 板则配置在薄膜形成裝置邮内。薄膜形成裝置呢， 糸精由真空泵16〇1維持在真空狀態，以形成基板300之薄 膜形成處理的準備狀態。 配置於該種薄膜形成裝置咖内的基板3〇〇，盘上述 湾膜崎置150p中的薄膜形成處理一樣，係由氣箱i3〇i 將原料氣體"5i供給至成膜室12〇卜並在藉由壓力調整閥 調正成膜室12〇1内之壓力的狀態下由電力供給系統 咖⑽）對電極181u、18卜、mw供給電力，並藉由在 基板300上產生膜成長反應’使i型半導體薄膜形成於基 板3 00上。 此外D玄種1型半導體之薄膜形成處理，係同時在薄 膜形成領域I21u、121v、l2lw中進行。 接著，打開设在薄膜形成裝置丨〇 5丨與薄膜形成裝置 105^1之間的閘閥11〇 ’而由未圖示之搬送裝置將基板3⑻ 由薄膜形成裝置l〇5i搬送至薄膜形成裝置1〇5n，並將基 板300配置在薄膜形成裝置105η内。薄膜形成裝置ι〇5η， 係藉由真空泵丨6〇n維持在真空狀態，以形成基板3⑽之薄 膜形成處理的準備狀態。 配置於该種薄膜形成裝置1 〇 5 η内的基板3 0 〇，與上述 8 315145 1308362 溥膜形成裝置150p以及薄膜形成裝置1〇5丨中的薄膜形成 處理—樣，係由氣箱13〇n將原料氣體135n供給至成膜室 120η並在藉由壓力調整閥15 On調整成膜室120η内之壓 力的狀態下，由電力供給系統17〇η(17〇)對電極l8lu、 181v l81w供給電力，並藉由在基板3〇〇上產生膜成長反 應’使n型半導體薄膜形成於基板300上。 此外，該種η型半導體之薄膜形成處理，係同時在薄 膜形成領域12lu、12lv、121w中進行。 在上述薄膜形成處理中，可藉由變更原料氣體 135(135p、i35i、135n)的種類，而分別形成p型、工型、打 型半導體。藉由上述方法形成半導體薄膜，可形成_接 合之半導體薄膜。 藉由上述方法而在基板3 00上形成pin接合之半導體 薄膜後，打開設在薄臈形成裝置l〇5n與冷卻裝置1〇乃之 間的閘閥110 ’並由未圖示之搬送裝置將基板则由薄膜 开ν成裝置105η搬运至冷卻裝置1〇7e，並將基板则配置 在冷卻裝置l〇7c内。 在〇卻裝置1 0 7 c内的基板3 〇 〇經冷卻並降地到 預疋溫度時’由未圖示之搬送裝置將基板300搬送至真空 w裒置200 ’亚在真空卸載裝置2〇〇 板300由真空環境移至丨JA氣環境巾。 土 4薄膜形成系統1GG，製造非晶⑪太陽電池 :’化費在p型半導體薄膜形成處理的時間約2分鐘程度， 化費在1型半導體薄膜形成處理的時間約20分鐘程度，而 315)45 9 1308362 化費在η型半導體薄膜形成處理的時 對於花費在i型半導姊 2刀鐘程度。相 半導體以及n型半導妒的…/ "間，化費在口型 在進行i型丰導妒專膜形成處理的時間較短，因此 + V體溥Μ形成處理的期 過卩型半導髁璉勝以』、# 乂 4在將已把加 置基板_配置㈣膜形成褒 开 ^里的其並在將已施加過η型半導體之薄膜 板2 = _^卩1置咖後’而尚未將基 型半形成裝置心的狀態下，待機到完成i i丰導體之溥膜形成處理為止。 此外’上述之Pin接合之半導體薄膜，亦可利用具備 有弟12圖所示之雷力批认备试 電力t、^糸統190的直列式薄膜形成系統 形成。該種電力供給系統190，係代替薄膜形成系統ι〇〇 之電力供給系統17〇而設置於薄膜形成裝置Μ#、m 咖内，並在分流器mu、mv、172仰之輸入側設有共 通高頻電源1 9 1與共通分流器！ 92。 此外，第12圖所示之基板300以及電極18lu、i8w、 181w，原本係與第10圖相同，配置於與紙面垂直的方向， 但為便於說明薄膜形成系統100之動作，乃做成往橫方向 配置的圖。 在具備該種電力供給系統190的薄膜形成系統中，與 薄膜形成糸統1 0 0 —樣’係由未圖示之搬送裝置在大氣辱 境中將多數之基板300搬送到真空載入裝置1 〇2L，而基板 3 00則在真空載入裝置中，由大氣環境搬移至真空環 境中。之後，將設在於真空載入裝置102L與加熱裝置1〇2h 315145 10 1308362 之間的閘閥11 〇打門$ # ^ ^ ^ ^ g由未圖示之搬送裝置將基板300 由具二載入裝置1〇江搬 配置在加埶裝置102h m …裝置l〇2h，並將基板300 300,㈣田 内。配置在加熱裝置職内的基板 接— 二裝置1〇2h加熱至預定之成膜溫度。 ^ n . 打開°又在加熱裝置1 02h與薄膜形成裝置1 05p ^詈im，而由未圖示之搬送裝置將基板则由加 =置職搬送至薄膜形成裝置105p，並將基板300配 吉^膜形成裝置1〇5p内。薄膜形成裳置1G5P，係藉由 ^空果㈣維持在真空狀態，以形成基板30。之薄膜形成 處理的準備狀態。 …=配置在該種薄膜形成裝置1〇5ρ的基板3〇〇上形成 薄：守係由氣箱1 3 Op將原料氣體1 3 5ρ供給至成膜室 12 0p，並藉由壓力調整閥15〇p調整薄膜形成裝置10^内 的壓力。 此外，電力供給系統丨9〇的共通高頻電源} 9丨的電 力，係被供給至共通分流器1 92，並藉由共通分流器丨92 分配給分流器172u、172v、172w，然後再藉由分流器172u、 172v、172w分配給循環器173U、i73v、i73w,並透過循 環器 173u、173v、173w，供給至電極 i8iu、i81v、181w。 供給至電極181u、181v、181w的電力中形成反射波的電 力，係經由循環器1 7 3 u、1 7 3 v、1 7 3 w供給至假負載1 7 4 u、 174v、174w而消耗為熱量。 原料氣體]3 5 p係藉由供給至電極1 8 1 u、1 8 1 v、1 8 1 w 的電力而形成電漿狀態，並在該電漿中激發、分解，進而 315145 1308362 板3〇〇上產生膜成長反應，而在美 半導體薄膜。 板300上形成p型 此外’ s亥種p型半導體之薄膜 膜形成H21u、121 成處理，係同時在薄 只及121u、121V、121w中進行。 接者’打開設在薄膜形成 1〇5ί^-ώ, 、形成羞置105Ρ與薄膜形成裝置 们1之間的閘閥丨丨〇，而由去 由薄腹形士壯 由未圖不之搬送裝置將基板3〇〇 开^成鎪置105ρ搬送至薄膜彤土、 ^ ,ΛΛ 疋主存膜形成褒置105i，並將基 板300配置在薄膜形 ▲ 竹暴 係藉由真1 16〇. ^ 内。缚膜形成裝置105i， ,/二泵16(h維持在真空狀態以形 膜形成處理的準備狀態。 彳 配置於該種薄臈形成 Μ ^ ^ 城裝置1051内的基板300，與上述 潯膜形成裝置150p中的每胺犯Λ、# ^ 厚膜也成處理一樣，将由洛γ 1Λ · 將原料氣體U5i供給至成膜宮ι?λ. 係由亂相13〇1 15〇i m ^ ^ r. ^ 、 1201’並在藉由壓力調整閥 丄）υι „周整成膜室12〇i 1〇Λ ^ ^ £力的狀態下，由電力供认车蛴 19"_181u、18lv、mw =… 300上產哇胺士且力 並精由在基板 、成長反應，使丨型半導 上。 丁守篮/專膜形成於基板300 此外，該種i型半導髀一 膜形成領域121u、12lv 2賴形成處理，係同時在薄 — V 121你中進行。 接者’打開設在薄腹泌# 、/成裝置l〇5iik薄膜形志歩罢 之間的„ 11Q …専料成裝置 由薄膜形《置搬逆至未之搬送襄置將基請 板3〇。配置在薄膜形成二膜形成裝置心，並將基 ι,π ^ 〇5n内。薄膜形成裝置105η， 係藉由真工泵丨60η維持 甘-二狀恶，以形成基板3〇〇之薄 315145 】2 1308362 膜形成處理的準備狀態。 “配置於該種薄膜形成H〇5ne的基板3〇〇，與上述 溥膜形成農置105p以及薄膜形成裝置·中的薄膜形成 處理—樣’係由氣箱13Gn將原料氣體135n供給至成膜室 12〇n，並在藉由壓力調整閥15〇n調整成膜室12如内之壓 力的狀態下’由電力供給系，统19〇對電極i8iu、i8iv i8iw =給電^並藉由在基板3〇〇上產生膜成長反應，使i 半導體薄膜形成於基板300上。 卜《玄種η型半導體之薄膜形成處理，係同時在 膜形成領域mu、121v、121w中進行。 在上述薄膜形成處理中，可藉由變更原料氣體 1 35(1 35p、135i、135n)的種類，分㈣成 P 型、、n ίϋ。糟由上述方法形成半導體薄膜，可形成Pin接 合之半導體薄膜。 * 精由上述方法於基板3〇〇上形成咖接合 開設在薄膜形成裝置105n與冷卻裝置心 f 1〇 ’並由未圖示之搬送裝置將基板300由薄膜形 成政置l〇5n搬送至A名肚 、入 P裝置l〇7c，而將基板300配置在 冷部裝置l〇7c内。 當配置在冷卻梦 預定溫度時，即由^ 的基板則經冷卻並降低到 *知截肚 田禾圖不之搬送裝置將基板300搬送至真 二卸載羞置，並在直办 遷移到大氣環境置中將基板由真空環境 賴^由具Ί卷治' μ、+、 迷％力供給系統190之薄膜形成系統製 315145 1308362 、口 &日日石夕太~電池時，由於係盘薄腔报士、么> 在薄 U膜形成糸統1〇〇中花費 μ ' 处理上的時間相同，因此在進行i型半導體之 薄膜形成處理㈣門向v 仃ϋ丰導體之 薄膜升… 將已施加過Ρ型半導體之 下待機&理的基板300配置於薄膜形成裝置105Ρ的狀態 板3齡並在將已施加過η型半導體之薄膜形成處理的基 域时， 冷部蔟置1〇化後，而尚未將基板300配置於 ㈣=裝置1G5n的狀態下’待機到完成丨型半導體之薄 膜形成處理為止。 此^卜’在具備有上述電力供給系统m之薄膜形成系 、·中’係將南頻電源之必要數降低到前述電力供給系統 1 7 0所需者以下。 然/而，在上述先前之薄膜形成裝I以及薄膜形成系統 ’必須分別對應薄膜形成裝置1〇5(1G5p、1()5卜1〇 内的薄膜形成領域121u、121v、121w，而在電力供給系統 170中设置局頻電源171…71” 171w;分流器172u、 w ’循 ％ 盗 173u、173v、173w ;以及假負載 231、 232、233’因此會使電力供給系統17〇的構造複雜化，而 產生电力供、、Ό系統j 7〇之設置面積增加，以及薄膜形成裝 置105(105p、1〇5i、1〇5η)與薄膜形成系統ι〇〇之成本择1 的問題。 θ 此外為迴避上述問題，而如電力供給系統丨9〇 _般 降=高頻電源之必要數時，將必須使用到高輸出之共通高又 頻電源191 ’而導致無法降低薄膜形成系統100之成本的 結果。 315145 14 1308362 ^ 在潯膜形成領域12]u、i2]v、_， 係同時進行薄膜形成處理， ; 121u^ J21v，]21 “吏進仃供給至薄膜形成領域 12】V、】2】w之原料氣體i35〇3 排氣的真空泵i60(】60p、i6〇i、 13511)之 氣速度，而產生提高真空泵成本的問題。 的排 此外，即使是上述任_ 、^ ^ 系统，由η卢 種潯料成裝置以及薄臈形成 糸、，克由於化費在口型以及η型半導體 的時間係短於花費在i型 一 ' 處理上 間，因此w成處理上的時 產之㈣、B 之㈣形成處理會成為太陽電池生 產之控制速度階段，而導致必須在完成i 形成處理以前，使薄膜形成 之4膜 取裝置105p與缚膜形成裝 中之p型半導體以及 n 題。 體的缚膜形成處理待機之問 [發明内容] 士發明係有鑑於上述問題而創作，其目的 成本之電力供給系統或高輪出之高頻電源的電力、供 …糸洗，對應進行薄膜形成處理 ^ ^ ’寻腰开^成領域而供认厣 枓軋體之氣體供給系統；以及且 供、、，。原 栗的排氣糸統，並且藉由配合需要 膜 ” 間的薄膜形成處理進行其他薄膜m 料成處理時 膜形成步驟之生產效率’在不損害積層 K王座，文早的狀况τ降低薄膜形成 膜形成系統的成本費用，此外，亦提# 、及涛 給系統之簡略化以及設置面積之省^ 達到電力供 置、缚膜形成方法以及薄膜形成系統。 战展 315145 15 1308362 在本申請發明中， 「 極」時，係浐—個以上而非全部的電 '、曰 在夕數電極中，選擇一個以 之任意個數的電栋 、不到全部 極」來表示。」，有％亦根據相同意思之「所選擇之電 本發明為解決！_、+、1 第！發明，传乃提出下述技術手段。 糸種藉由電漿CVD(化學氣相、接 於配置在成臈室内的其缸μ , 子礼相/儿積法）， 特徵為.^ 形成薄膜的薄膜形成裝置，並 寻徵為1述成膜室中設有分別配置 f其 薄膜形成領域，使：有 多數個薄膜形成領域中之 而非全部的電極同時接、固以上的電極接受電力供給 薄膜形成領域供紙^ 給’並具備有對該限定的 根據本發明:薄^开生^用原料氣體之氣體供給系統。 述成膜室内的前述薄膜形成=中==基板配置於前 部的電極供“六 ^員域中的狀態下’不同時對全 力，，以厂力’而是對至少-個以上的電極供給電 错乂限疋薄膜形成領域，並 給至該限定的領域，而^ U生成用原枓氧體供 電力。然後在二ΓΓ設於該限定的領域之電極供給 分解，中，使前述料氣體激發、 則述基板上形成薄膜。 向在 #在雨述薄膜形成領域中於基板上形&薄膜後 氣體供給系統限定配 、則以 域，並由氣體供給系統供的前述!_領 板上形成薄膜。之後，同:二—胆巾同“般於基 同4κ地在w述成膜室内的多數個薄 315145 16 1308362 膜形成領域中，佑皮、征—— 依序進仃溥膜形成處理，直到所有薄膜形 成處理，土板上均形成薄膜後’即結束成膜室中的薄膜形 到70成前述薄膜形成處理後，將前述基板搬送 的成膜室，在形成該異種薄膜的成膜室中 膜。反上形成異種薄膜，而在基板上形成積層 膜室==將前述基板依序搬送到形成異種薄膜的成 而、9 '亥成膜室中於前述基板上堆疊異種薄膜， 而在前述基板上形成所希望的積層膜。 ，膜 在形成該積層膜的整個薄膜形成處理過程中，除 制生產速度的薄膜形成處理外，藉由進行上述薄 工 待機時間。 產速度之缚膜形成處理結束前的 如同上述，由於係藉由氣體供給系統 域並供給原料氣體而謂也成領 未處理基板後再對配置有 行薄胸行限定而供給原料氣體而進 旦、/处理’因此溥膜形成處理所需之原料氣體流 里’可少於同時供給 氣體流量。所有則述多數個薄膜形成領域的原料 亦即Τ利用其排氣速度小於同時成膜時所 速度的真空泵來進行薄膜 排礼 化，並降低裝置成本成處理，而得以使真空栗小型 此外，由於僅縮短了前述用以控制生產速度之薄膜形 315J45 1308362 之積 寺機拎間’因此不會耽誤前述異種薄膜 之積層膜形成前的生產，而得 、裡賴 膜之積層膜。 ，述基板上形成前述薄 在配Π二係—種藉由電襞CVD(化學氣相沉積旬， 特徵為一:：内的基板上形成薄膜的薄膜形成裝置，其 室中設有分別配置有電聚生成用電極之 :成領成領域，且具備有：以少於前述多數個薄膜 形成領域的數景味接A、 p, -r- 哥联 '叼歎里構成，且不對分別配置於 形成領域的前述電極中全部的電極而是對至少二 電極供給電力的電力供給系'统；以及選擇性地使前述夕:: ㈣膜形成領域的各個前述電極與前述電 ： 之切換裝置。 尔、.死運接 根據本發明之薄膜形成裝置’係在前述基板配… 达成膜室内的前述薄膜形成領域中，且對前述成膜室供: 原料氣體的狀態下，由前述㈣裝㈣㈣ ϋ 嶋電力供給系統連接，㈣述電力供給系統：；：： 電力I:::雷不到全部的電極供給電力。如此-來在接受 的電極所屬的薄膜形成領域中，冑述原料氣-舍 激發、分解，並在基板上產生膜形成反應 ：：會 基板上形成薄膜。 ^此在前述 上形成薄膜後，前述切 之薄膜形成領域的電 。如上述—般，前述電 以進行薄膜形成處理。 在前述薄膜形成領域中於基板 換裝置選擇屬於配置有未處理基板 極’使之與前述電力供給系統連接 力供給糸統’對前述電極供給電力， 315145 1308362 2後，同樣地在前述成膜室内的多數個薄膜中，依序進行 4膜形成處理，畲薄膜形成於所有薄膜形成領域的基板上 後，即結束成膜室中的薄膜形成處理。 此外，在則述薄膜形成處理結束後，將前述基板搬送 :形成異種薄膜之成膜室中，藉由在形成異種薄膜之成膜 =使異㈣膜形成於前述基板上，即可於基板上形成積 如^=般將前述基板依序搬送到形成異種薄膜的成 而在^ L 成膜室中於前述基板上堆疊異種薄膜， 在刖述基板上形成所希望的積層膜。 :形成該積層膜的所有薄膜形成處理過程中，除了控 速度的薄膜形成處理外’進行上述的薄膜形成處工 理’即可縮短前述 、 ^ 的待機時間。 生產速度之㈣形成處理結束為止 如所述-般，由於係由切換裝置選擇 :供給系統與前述電極，並藉由前述電力供 :極供給電力以進行薄膜形成處理之後，對配 基板之薄膜形成領有未處理 理，因此簿膜祀山弘 电力以進仃蹲膜形成處 h / 、/成裝置所必要之電力供給系統，1輪出雷 力可小於同時對前述成膜室内之所有薄:輪出電 力的電力供給系統。 、/成項域供給電 亦即’可達到降低電力供給系統 給系統之設置面積以及 成譽節省電力供 的。 I珉衮置之裝置成本的目 315145 19 1308362 此外，由於僅縮短了 理結束為止的待機時間， 形成前的生產，而得以在 膜。 前述控制生產速度之薄膜形成處 因此不會耽誤前述薄膜之積層膜 前述基板上形成前述薄膜之積層 備··限定前述多數個薄膜形 極之薄膜形成領域，而對該 原料氣體之氣體供給系統。 置，係由切換裝置選擇性地 電極，並由前述電力供給系 氣體供給系統係限定於進行 而供給電漿生成用之原料氣 體的薄膜形成領域中，前述 在基板上產生膜形成反應， 〇 外，由於原料氣體係限定供 膜形成處理，因此不會對未 不需要的原料氣體，可達成 可利用流量小於同時供給所 量進行薄膜形成處理。 小於同時成膜時所需之排氣 理，而得以使真空泵小型 的同時，達到降低裝置成本 置用以生成電漿之陣列天線 此外，第2發明，亦可具 成領域中有電力供給至前述電 薄臈形成領域供給電漿生成用 根據本發明之薄膜形成裝 連接前述電力供給系統與前述 統對前述電極提供電力，同時 薄膜形成處理的薄膜形成領域 體。如此在被供給以電力與氣 原料氣體會產生激發、分解，並 而藉此在前述基板上形成薄膜 如此’除前述之發明功效 給至薄膜形成領域，而進行薄 生成電漿的薄膜形成領域供給 提昇氣體利用效率的目的，並 有溥膜形成領域之原料氣體的 亦即’可利用其排氣速度 速度的真空泵進行薄膜形成處 化’在降低電力供給系統成本 的目的。 此外’第2發明，亦可設 315145 20 1308362 (array antenna)做為 _ 根據本發明之薄膜形成裝置’係形成設有多數個電漿 生：用天線的陣列天線構造’且該陣列天線係設置在配置 於岫述成膜室的多數個薄膜形成領域中。 一因此’除前述之發明外，可藉由供給陣列天線的電力 使雨述原料氣體激發、分解，並藉由使之在基板上產生膜 形成反應而在前述基板上形成均一的薄膜。 在本發明中，關於陣列天線的說明，在國際申請的「内 部電極方式的電聚處理裳置以及電漿處理方法 (PCT/JP_6189)」中已有詳細之記載。 =外’第2發明，亦可在前述多數個薄膜形成領域的 处’具備擴散防止板’用以控制薄膜形成處理中的原 料^體’使之無法擴散到未施加薄膜形成處理的薄膜形成

領域。 、 X 域的根=發明之賴形成裝置’由於在前述薄膜形成領 p乂1處具傷有擴散防止板，故藉由供給至前述陣列天 1:之電極的電力而形成電漿狀態，且在該電漿中激發、 枓氣體會受到抑制而不會擴散到未施加 處理的薄膜形成領域。 4 亦即’只在配置於前述陣列天線等之電極所屬之薄膜 形成領域中的基板上形成薄膜。 屬之㈣ 此外’第2發明，亦可罝供士 .山>、士々 成領域相互以氣…开V 個薄膜形 孔山方式形成的獨立空間。 根據本發明之薄膜 ' 、y成衣置，由於雨述多數個薄膜形 315145 21 13〇8362 2領域係彼此以氣密方式形成的獨立 立空間中激發、分解的原 工間，因此在前述獨 間的基板上形成薄膜。此時，。，a在配置於前述獨立空 獨立空間，因此不舍/ ^ $可防止原料氣體擴散到其他 薄膜。 不會在配置於其他獨立空間的基板上形成 此外，由於可防止在 形成處理所不需要的物質的擴散、形成處理時產生的薄膜 之物質進入獨立空間的情形產生1此不會有前述不需要 此外，具備該獨立空 進行前述成膜室之排氣的 ^亦可具備有用以 設置排氣遮斷間，以遮 —f ’並在前述排氣機構中 的至少一個薄膜形成巧 ~迷多數個薄膜領形成領域中 專胰形成領域所排出的氣體。 成領域係彼此以氣==二’由於前述多數個薄膜形 編前述多數個獨立獨=備有用以 的氣體的排氣遮斷閥 ’個獨立工間所排出 Μ ..... ^ 因此可精由關閉無須排氣之獨立★ 間的排乳遮斷閥，或打 獨立二 閥，而有效地進行獨立*門代/之獨立空間的排氣遮斷 持在真空環境巾。 * @排氣，亚錢立空間維 此外，前述多數個獨立空間中至少有一個獨立 法作動而需要進行維修時，可藉由關閉無法 : 間的前述排氣遮斷閥，使其他獨立空間維持在真空^境工 中，而在大氣環境中進行無法作動之獨立Μ的維修。 此外第1及第2發明，亦可具備有搬m α 315145 22 1308362 將基板搬入一個薄膜形成 形成領域搬出至成膜室夕^ ^並在形成薄膜後由該薄膜 根據本發明之薄膜形成裝置， 成處理在基板上形成所希望之薄此：卜缚膜形 基板搬送到同一成膜室 、 …y、再度將前述 等薄膜的薄膜形成處的：：形，域中而進行同 述基板由前述薄膜形成領域搬系::前 述基板上施加下一薄膜形成處理等各種=二卜，並在前 由前述搬送系統有效地搬 亦即，可藉 板。 1送形成“述所希望之薄膜的基 此外’第1及第2發明，亦可具備有： 述缚膜形成領域的H以及用板搬入别 後將該基板搬出之盘該搬入邻相里詩'成4膜形成處理 山4撒入部相異的搬出部。 “根據本發明之薄膜形成裝置，由前述搬入部搬 涛膜形成領域以進行薄膜形成處理的 = 述搬入部即可直藉由搬出部搬出，^卩=再返回厨 -、， | J喝略來回之搬 达。而得以有效地搬送完成薄膜形成處理的基板。 分別，係—種利用錢CVD(化學“沉積法）在 ❾己置於成膜室内的多數個薄膜形成領域中的基板上形 成: 專膜的薄膜形成方法，其特徵為：由用以將配置於多數 成領域的電極選擇性地連接至電力供給系統的切 2置’從分別配置於前述多數個薄膜形成領域的前述電 將：=至少-個以上的電極而非全部電極進行連接，並 ’刖述电力供給系統的電力供給至前述切換裝置所選擇的 315145 23 1308362 電極’而於前述基板上形成薄臈。 根據本發明之蓮勝# # +丄 述薄膜形成領场φ 在前述成膜室内的前 原料氣體的狀離下配：前述基板’且在對前述成膜室供給 連接〜，由前述切換裝置選擇性地將前述電極 电力供給系統，於是前述電力供认李统並$ & 所有的電極％ ^ ι *絲、、、。线並不辦 力供給的雷Γ的電極提供電力。如此在接受電 發、分解::：屬薄膜形成領域中，前述原料氣體會被數 板上形精由在基板上產生膜形成反應，而在前述基 膜形::ί域:Ϊ:Γ裝置選擇屬於配置有未處理基板的薄 同上述—般，並使之與前述電力供給系統連接。如 進行薄料，Γ 供給系統對前述電極供給電力，以 個薄之後，同樣地在前述成膜室内的多數 於所有薄膜形成心依序進'丁賴形成處理’ f薄膜形成 形成處理。…5的基板上時’即結束成膜室中的薄膜 系統=電=切換裝置選擇性地將前述電力供給 供給電力以進…乂連接’並由電力供給系統對前述電極 基板的薄形成處理，然後，再對配置有未處理 理，因此薄==電極供給電力而進行薄膜形成處 力可小於對前述成膜室内之所有心形❸ =其輸出電 力的電力供給系統。 Μ成領域同時供給電 亦即，可達到簡化電力供給系統、節省電力供 315145 24 1308362 之設置面稽β μ 此外，&降低薄膜形成裝置之裝置成本的目的。 領域中有雷ΐ第3發明中，亦可限定前述多數個薄膜形成 定的薄膜形成Γ給至前述電極之薄膜形成領域，並對該限 該原料氣體的f或供、。電裝生成用原料氣體’而在供給有 根據本發…t 基板上形成薄膜。 前述電力供Μ 形成裂置’由切換裝置選擇性地將 給系統對前2統與前述電極予以連接，並由前述電力供 限定於進ty極供給電力，在此同時，氣體供給系統則 用原料氣。膜开乂成處理的薄膜形成領域而供給電漿生成 中，使前if盾如此’在供給有電力與氣體的薄膜形成領域 反應^料氣體激發、分解，並在基板上產生膜形成 而在則述基板上形成薄膜。 如此，、I， 膜形成領ϋ而ϋ “之叙明功效外’由於原料氣體係限定薄 生成電^ 以進仃缚膜形成處理，因此無須對未 利用成領域供給原料氣體，可達成提昇氣體 成領域之々…亚可利用流量小於同時供給所有薄膜形 亦^原枓軋體的量進行薄膜形成處理。 速度利用其排氣速度小於同時成膜時所需之排氣 化，在降進行薄膜形成處理，而得以使真空泵小型 的目的。-电力供給系統成本的同時，達到降低裝置成本 成薄:::成=發明中」由搬入部搬入之基板，可在完 押 1由與该搬入部相異的搬出部搬出。 h本發明之薄膜形成裝置，由前述搬入部搬入前述 315145 25 1308362 薄膜形成領域以進行薄 述搬入部即可直接m 理的基板’無須再返回前 而部搬出，可省略來㈣搬送。 而仔=有效地搬送完成薄膜形成處理的基板。 置而^發月係—種使多數基板經由多數個薄膜形成I 層形成多數薄膜的薄膜形成系統，其特徵 ^二;：個薄膜形成裝置，係由薄膜形成處理時間最 且該調整裝置係本===外的調整裝置所構成， 贫β之刖述缚膜形成裝置。 根據本發明之薄膜彡 ， 置係以連續方式連址'I 述多數個薄膜形成裳 口部以…：系統係在該連結部、基板入 及基板出口部進行基板之搬送。 在本發明中，於基板上積層形成多數薄膜時， 口部之搬送系統會將前述多數土板 裝置，藉由該薄膜…2 最㈣薄膜形成 、' '"置在s亥基板上形成薄臈後，前述 =^搬;系統會由前述薄膜形成裳置將前述基板搬出 二下-频形成裝置，以進行薄卿成處理。之後， 則述夕數個基板係經由多數個薄膜形成装置 積層形成多數薄膜，並於最後，藉由基板出口部^^ :將别述基板搬出，而結束對前述多數基板的薄膜形成處 成的^藉薄膜形成處理時間會根據在薄膜形成裝置中形 成的缚膜種類、膜厚以及薄膜形成條件等而有所差里，册 要最長薄膜形成處理時間的薄膜形成裝置稱為基準裝置而 此外其他的薄膜形成裝置則稱為調整裝置。而且該調整裝 315145 26 1308362 者基板搬达方向以連續方式配置前述調整裝置、前 …， 裝置’並利用前述調整裝置形成 II化矽溥膜，利用前述基 ^+ 凌置形成1型半導體薄膜，再 利用之後的刖述調整裝置 ^ Λ 尘+ ν體薄膜’而藉此形 成由虱化矽閘極絕緣膜、丨 膜電晶體。 1型以及n型半導體所構成的薄 根據本發明之薄膜形点 成车# ρ + ，、、，由於係藉由前述薄膜形 成系統形成由氮化矽薄膜、 薄膜電7 ^ 料導體所構成的 體，因此可形成理想之薄膜電晶體。 [實施方式] (實施例1 ) =下參照圖式說明本發明之實施形態。 成系I1: 圖係顯示本發明之第1實施例的薄膜形 李统構成的播"係頭不積層形成太陽電池薄膜之薄膜形成 ==成圖’第2圖係顯示第1圖之薄膜形成系統 要Μ構成圖。在第卜2圖中，與第1〇至 =膜Si係附，之符號。此外在本實施= 接又’專膜形成處理之其紅）Λ Λ 垂直之方向，第2二杯^…己*與第1圖之紙面 弟2圖所不之基板3〇〇以及電極4〇u、4〇v、 40w ’原本係與第i圖相同，配置在與紙面垂直之方向， 但為方便說明薄膜形成系統的動作，乃作 : 的圖。 / u配置 如第I圖所示，本實施例之薄膜形成系統】，係一種 直幻式薄臈形成系統，#:將基板由大氣環境移到真空環 3】5145 29 1308362

結而構成。 l〇2h ;形 調整裝置）5P ;形成i 裝置）105i ;形成η形 置）5η，冷卻基板之冷 p1閥11 0以連續方式連 各薄膜形忐_罢、<„、. β ,

加薄膜形成處理的薄膜形成領域17u、17ν、nw所構成。 在本發明中， 虱體供給系統20(20Ρ、20η),係由：作為原料氣體 135(135ρ、135η)之供給源的氣箱 13〇(13〇ρ、13〇η);用以 將原料氣體135(135ρ、135η)供給至成膜室15(15ρ、15η) 的原料氣體供給閥21(21ρ、21η);以及原料氣體分配供給 閥22(22u、22v、22w)所構成，係用以對各個薄膜形成領 域17u' 17v、17w供給原料氣體135。 電力供給系統30(30p ' 3〇n)，係由：對應薄膜形成領 域17u、17v、17w而設置的高頻電源31(31u、3 lv、3 lw); 分流器 32(32u、32v、32w);循環器 33(33u、33v、33w); 選擇器（切換裝置）34(34u、34v、34w);假負載3 5(35u、35V、 3 5w);以及陣列天線（電極）4〇(4〇u、4〇v、4〇w)所構成，係 用以對各個陣列天線40u、40v、4〇w供給電力。 30 315145 13〇8362 裝置（搬送系統）在大氣環境中將6塊基板3〇〇搬送到真空 栽入裝置102L，基板300在真空載入裝置1〇2L中’由大 氣環境移到真空環境中。 之後，將設在真空載入裝置102L與加熱裝置1〇2h之 間的閘閥110打開，而由未圖示之搬送裝置將基板3〇〇由 真空載入裝置102L搬送到加熱裝置1〇2h，並將基板3〇〇 配置在加熱裝置l〇2h内。 配置在加熱裝置l〇2h内的基板3〇〇，係利用加熱裝置 102h加熱到預定之成膜溫度。 接者’打開設在加孰番·! Λ Ο μ 你刀…'表置102h與溥膜形成裝置5p之 間的閘閥1 1 0 ’而由未圖示 搬达裒置將基板3〇〇由加埶 装置祕搬送至薄膜形成裝置5p之基板搬入部，並將： 板300配置在成膜室15p内的每一薄膜形成領域叩、 17v、17w)中。 成膜室15p，传茲r_ 9 "*、工泵1 6〇P維持在直空狀能，

形成基板300之薄膜报孑忐 /、二狀心 U /夺膜形成處理的準備狀態。 接著，說明薄腹;丑；士、& 、形成裝置5p(5)的動作，並說 膜室15p(15)内之薄臌p # a Z次月先在成 膜形成領域1 7 u中進杆蹦从/ 時的情形。 丁潯胰形成處理 孔相130的原料氣體135u(135)，係由土 供給閥21以及原料 、曰由打開原料氣體 十礼月且分配供給閥22u 一 形成領域1 7 u，並藉由 义疋ί、、，.口至溥膜 t力调整閥1 5 0 ρ調敕# aii ^ 内的壓力，另外，古 i成Μ至15p(15) 阿頻電源3 1 u之電力仫,_丄， 與分流器32u以及循jffi。。 ’、、！由選擇器34u ϋ 33u供給到陣列天線4〇u。藉由 315145 32 1308362 供給到陣列天線術的電力使原料氣體i35u形成電聚狀 態，並在該電装中激發、分解，使之在配置於薄膜形成領 域17u中的基板3〇〇上產生膜形成反應而在該基板则上 形成P型半導體薄膜。 經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 160(1 6Op)而排出。 …卜至陣列天線術的電力巾形成反射波的電 力’係經由循環哭q q #人 °。 至假負載35u，供給到假負載 35u的反射波電力係消耗為熱量。 、 r八is /I I望之4膜形成於基板3〇0上後’即關閉原料氣 Λ 閥22U’並結束薄膜形成領域17u中的薄膜开》 成處理。該薄胺形a、老m 寻膜开/ “專膜屯成處理所費時間約2分鐘程度。 在薄模形成領域17v中進行薄膜形成處 此’藉由只打開原料氧 形成領域…進=:::給間I可限定於薄膜 丁原枓氣1 3 5 v(l 3 5)的供仏，邗斟徂认士 原料氣體135v的薄腺报#。並對供給有 頻電源3lv的電力而鱼成7員域W的陣列天線心供給高 形成處理相同地在^ 薄膜形成領域m中的薄膜 门：在基板300上形成p型半導體薄膜。 以下，同樣地，在薄膜形成領域 體薄膜，並在配晋於朴+ /w中形成p型半導 ⑽心、叫的所 成裝置5P(5)之薄膜形成領域 之後，結束薄膜步成^基板彻上均形成P型半導體薄臈 在薄膜==;P(5)的薄膜形成處理。 战4置5P(5)的薄膜形成 ，的薄膜形成處理的所.栌巧入頁或07U、17v、”w) 的所“間合計約為6分鐘程度。 315145 33 1308362 的薄膜形成處理的所費時間約為2q分鐘好 … 體之薄膜形成處理，係成 恭· ·' X 1型半導 統的控制速度階段。、’、％池生產中的薄膜形成系 :著，打開設在薄膜形成裝置咖與 =:Γ°，未圖示之搬送裝置將基板=: Α板搬入\ 1051的基板搬出部搬送至薄膜形成裝置5η的 土板搬入部，並將基板3 〇 〇 膜形成領域(17u、17v、17w)。 、室15n内的各個薄 加過=二=裝置咖内，在各薄膜形成領域施 /…形成處理的基板3〇〇,不會被搬送到 形成領域。舉例而言，在薄膜 / ' 成處㈣/ UlU施加過薄膜形 121w。 不日破搬送到薄膜形成領域121v或 成膜至15n’係藉由真空斥 形成基板300之薄膜形成處理的準備Π =在真空狀態，以 膜二::= = =(5)的動作，並說明先在成 時的情形。 T進仃溥膜形成處理 氣箱130的原料氣體135u(135)， 供給閥21以及原料氣體分配供給 丁開原料乳體 膜形成領域17U，並藉由壓力調整間J’而限定供給至薄 15_内㈣力，另外，高成膜室 残14η伽八。 之電力係經由選擇 态4U ”刀 >瓜益32u以及循環 藉由供給到陣列天線•的電鳩料==二。 虱體1 3 511形成電製 315145 35 1308362 狀恶，亚在該電漿中激發、分解，使之在配置於薄膜形成 領域17u的基板3〇〇上產生膜形成反應而在該基板上 形成η型半導體薄膜。 二由D亥種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 (160)160n 而排出。 ，ί、給至陣列天線4〇u的電力中形成反射波的電 力，係經由循環器33u供給至假負載35u，供給到假負栽 3 5 U的反射波電力係消耗為熱量。 當所希望之薄膜形成於基板3G(M4，即關閉原料氣體 分配供給閥22u，並έ士庚速肢形屮力5 u ^ 卫'、、。束潯膜形成領域17U中的薄膜形成 處王溥膜形成處理所費時間約2分鐘程度。 此，在㈣形成領域17V中進行薄膜形成處理。在 胃只打開原料氣體分配供給閱 形成領域1 7v進行原料$ _ , Q / 叱疋於潯膜 “丄μ 原枓乳體135V(135)的供給，並對供认右 原料氣體心的薄膜形成領域17V的陣列天绩4Ω 有 頻電源31ν的電力，“η — 〇陣列天、線40ν供給高 形成产理i pi a 〃、述薄膜形成領域17U中的薄膜 开y成處理相同地在基板3〇〇 専膜 以下，Π讳祕 形成η型半導體薄膜。 下同樣地，在薄膜形成領域1 7w Λ y 導體薄膜，並在配置於薄一 ，形成η型半 17u、17V' 17w的所 5n(5)之溥膜形成領域 所有基板上3〇〇灼 之後，結束薄膜形成I " n型半導體薄膜 力乂 X置5n(5；)的薄膜 在薄膜形成裝置5nr5U/7 “ 、4處理。 中的薄膜形成處理的所費時成广】7u、m、i7w 此外，在本發明中…’為6分鐘程度。 雖依照薄膜形成領域i7u、17v、 315145 36 1308362 17w的順序施加薄膜形成處理 定。 具順序並無特別之限 在上述薄膜形成處理中， 一 成裝置5 D、1 a欠更七、給至各薄膜形 成衣置51)、1()51、511之原料氣 的種類，分別形成p型、i型、P 1351 U5n) mm 1151半導體。藉由積層形成 該種+導體薄膜，可 乂 膜。 成？11接5之太陽電池用半導體薄 藉由上述方法於基板3 〇 〇上 . 时1 , 上开/成Pin接合之半導體薄 膜後’打開設在薄膜开< $ # 11Λ 膜形成裝置5η與冷卻裝置107c之間的 閑閥110 ’並由未圖示 ^ ^ , w 挑1k名置將基板300由薄膜形成 裝置5n搬送至冷卻梦罟 驻罢、 〇7c，並將基板300配置在冷卻 装置l〇7c内。 :時’在薄膜形成裳置511内，在各薄膜形成領域施 〜専膜形成處理的基板遍，+會被搬送到不同的薄膜 形成領域。舉例而言，在薄膜形成領i或17u施加過薄膜形 成處理的基板3GG，不會被搬送㈣㈣纟丨 17w。 —當配置在冷卻裝置1Q7e内的基板則經冷卻並降低到 、恤度時，即由未圖示之搬送裝置將基板3〇〇搬送至真 空卸載室，並在真空卸載室中將基板3〇〇由真空環境移到 大氣環境中。 如同上述，在該薄膜形成系統1中，由於係從薄膜形 成裝置5(5p、5η)之薄膜形成領域17u、Πν、17w中，限 疋一個薄膜形成領域並供給原料氣體而依序進行薄膜形成 315145 37 1308362 於一6塊’可選擇適當數量的基板 (實施例2) 的要ip ϋ ®係-不Ϊ發明之第2實施例的薄膜形成系統 俜 ，亦即薄膜形成裝置（調整裝置）6(6ρ、6η)， 係取代第1圖所示之壤 ^ ) ^ 1 ^ 潯膜形成裝置5ρ、5η而設置在薄膜形 成糸、·充1中。構成太眘&…& 本貫轭形恶之薄膜形成系統的其他構成 要素’係如實施例1所 斤3己载—般。此外，第3圖所示之基 板300 ’係與第1圖— 樣配置在與紙面垂直之方向，但在 說明薄膜形成系統的動作 A ^ ^ y 耵動作時，為圖方便乃做成往橫方向配 置的圖。 / 81所7^ ’薄膜形成袭置6(6p、6n)，除氣體供給 系統25(25P、25„)以及電力供給系统36(36p、3㈣之外， 係與第2圖之薄膜形成裝置5(5p、5n)形成同—構成，並以 同一符號標示該構成要素。 氣體供給系統25(25p、25n)，係由：作為原料氣體 135(135p、13511)之供給源的氣箱nG(i脚、^施）；以及 用以將原料氣體135(135p、135n)供給至成膜室i5(i5p、 15η)的原料氣體供給閥21(21p、21n)所構成，係用以一併 對成膜室15(15ρ、15η)供給原料氣體135(1 35p、135η)。 電力供給系統36(36ρ、36η)，係對應成膜室15(15p、 !5n)而設置高頻電源31 ;分流器32;循環器33 ;選擇器 34 ;假負載Μ，並對應薄膜形成領域nu、17” 17评而設 置陣列天線40(40u、40v、40w)。在本實施例中，選擇器 34,係選擇性地連接循環器33與陣列天線4〇u、4〇v、4〇w 315145 39 X308362 形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 接著，說明薄膜形成裝置6p(6)的動作，並說明先在成 膜室15P⑽内之薄膜形成領域17u中進行薄膜形成處理 時的情形。 首先，選擇器34,由陣列天線4〇u、4〇v、4〇w中選擇 陣列天線4 0 u，而連接德#纪，，&土 叩廷按僱％态33與陣列天線40u。在該狀 態下，氣箱1 3 0之原料_ Q < . 了叶巩肢135，係藉由打開原料氣體供 ’.’σ閥21 i、給至成膜室l5p(l5)，並藉由壓力調整㈤“ο調 整成膜室15p⑼内的壓力，高頻電源心電力係經由分 流器32與循環器33以及選擇$ 34而供給至陣列天線 4〇Γ猎心給料列天線40u的電力使原料氣體…形成 電漿狀悲’並藉由在該電將 — 水中激發、分解，使其在配置於 溥膜形成領域17u的基板 ^ 上形成p型半導體薄膜。膜形成反應，而在基板300 二:該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由 (1 60)1 60p而排出。 八 =外由供給至陣列天線術的電力中形成反射波的電 力係及由循環器3 3 u供认sQ c 3 5u ^ M …'σ至假負載35u，供給到假負載 hu的反射波電力係消耗為熱量。 田所希望之薄膜形成於基板3 體供給閥21，妹走.宝瞄P關閉原枓軋 兮薄膜m 領域17u中的薄膜形成處理。 ㈣成處理的所費時間約2分鐘程度。 此，^哭t薄膜形成領域Μ進行薄膜形成處理。在 。。4選擇陣列天線衛，並連接循環器33與陣 315145 41 1308362 列天線40v。在該此的τ ^ 由打開原料氣體二二2:二：°之原料氣體135,係藉 上述薄膜形成： 至成膜室15Ρ(15)，而與 3〇〇 m 3 7u巾的溥膜形成處理相同地在基板 300上形成p型半導體薄膜。 以下’同樣地，在薄膜形成領 導體薄膜，並在配置於薄膜形成裝置6p(二== ^，、17”所有基板 ()之:：形成領域 之後，处走.¾胺r上 勺开/成p型半導體薄臈 —。彳》成裝置6p(6)的薄膜形成處理。 >專膜形成裝置6p(6)之薄膜形成領域”u、”V、” 4膜形成處理所費的時間合計約為6分鐘程度。’ 17w ΤΙ二本貫施例中’雖依照薄膜形成領域 定。，^賴形成處理，但其順序並無特別之限 接著，打開設在薄膜形成裝置όρ與 之間的閘閥11 〇，而由未圖_ J成裳置1 〇〜 膜开彡成奘要 ^ 送裝置將基板300由薄 成裝置6p的基板搬出部搬送至薄膜形成裝置的 基板搬入部’並將基板3。。配置在成膜 膜形成領域（121U、I2lv、l21w)上。 内的各個潯 此時，在薄膜形成裝置6 加過薄膜形成處理的基板3〇〇，不會=般=形成領域施 形成領域。舉例而言，在薄膜形成領域二不问的㈣ 成處理的基板300,不會被搬 :她加過薄膜形 17w。 、Μ膜形成領域I7v或 成膜室12〇1 ’係藉由真空泵】⑽維持在真空狀態，以 315145 42 1308362 形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 一配置在該種薄膜形成裝置105i内的基板300,與上述 薄膜形成裝置6P中的薄膜形成處理相同，係由氣箱咖 對成膜室12Gi供給補氣體135i，並在藉㈣力調整間 ⑽調整成膜室12Gi内的壓力的狀態下，使電力供給系统 m仰m電極181u、181v、181w供給電力，並藉由在 ΐ::,產生膜成長反應，而在基板3°°上形成丨型半 此外，該# ί型半導體之薄膜形理 膜形成領域121u、121v、121w中、^ 』了在屬 中的薄膜形成處理的所成裝置105i ⑼2 , f時間約為2G分鐘程度，該i型半 ¥體之薄膜形成處理系 系統的控制速度階段。…生產中的薄膜形成 接著，打開設在薄膜形成梦 ^ m Λ. Pe „ , 戚茗置〗051與溥膜形成裝置όη 未圖示之搬送裝置將基板-。由薄 料成裝置⑽的基板搬出部 基板搬入部，並將基板30。配置在成：膜：成裝… 膜形成領域（17u、17v、17w)。 、至bn内的各個薄 此時’在薄膜形成裝置1〇5i内 加過薄膜形成處理的基板300,不合被：膜形成領域施 形成領域。舉例而言，在薄膜形成=到不同的薄膜 成處理的基板’不會被搬 ：21:施加過薄膜形 121w。 j 4膜形成領域121v或 6〇η維持在真空狀態，以 成膜室15η，係藉由真空泵】 315145 43 1308362 形成基板300之薄膜形成處理的準備狀熊。 接著’說明薄膜形成裝置6n(6)的動作’並說明先在成 膜室叫15)内之薄膜形成領域17u中進行薄膜 時的情形。 首先，選擇器34,由陣列天線4〇u、杨、4〇w中 陣列天線40u’並連接循環器33與陣列天線杨。在

態下，氣箱13〇之原料氣體135，係藉由 體X 給閥2丨供給至成膜室丨 孔體么、 ^ K }並錯由壓力調整閥150調 查成膜室15ρ(15)内的壓力，高 ^ " 流器32與循環器33 而…力係經由分 術。藉由供給至陣列天線t〇 Γ 陣列天線 電衆狀態，並藉由在4:: 原料氣體135形成 薄膜形成領域17u的A板 "在配置於 ,〇Λ μ . 基板3〇0上產生膜形成反應，而在美 板300上形成p型半導體薄膜。 二:該種薄膜形成處理而形成的廢 (160)160n而排出。 ®八二泵 力：由::！至陣列天線-的電力中形成反射波的電 係經由循環器3311供泠 电 35ui反射波電力係消耗為熱量 供給到假負載 體供:::1望=膜形成於基板3°°上後’即關閉原料氣 該薄膜形成處的薄膜形成處理。 4 汀賈時間約2分鐘程度。 此，選:器t薄選膜=成領域17 v中進行薄膜形成處理。在 列天線40v，而連接環器33與陣列 315145 44 Ϊ308362 天線40ρ在該狀態下，氣 打開原料氣體供給間21而供=氣體135,係藉由 述薄膜形成領域17u中的薄 岸至15η(15)’而與上 上形成η型半導體_。 理相同地在基板300 以下’同樣地，在蓮 導體薄膜，並在配置於薄膜幵/成：域17Wt，形成η型半 17u、m、17w的^裝置6η(6)之薄膜形成領域 '有土板300上均形成η型半導體薄膜 卿㈣置_)㈣卿成處理。 ㈣形成裝置6η(6)之薄膜形成領域 厚膜形成處理所費的時間合計約為6分鐘程度。 在本實施例中’雖依照薄臈形成領域i7u、”v、 順序施加薄膜形成處理’但其順序並無特別之限 疋0 =述薄膜形成處理中’可藉由變更供給至各薄膜形 P、1〇5l、6n 的原料氣體 135(1 35p、135卜 的種類，分別形成p型、i型、 積層形成半導體薄膜，可形成pin接:體。错由上述方法 體薄膜。 爾_接合之太陽電池用半導 藉由上述方法於基板300上形成pin接合之半導體薄 膜後，打開設在薄膜形成裝i 6n與冷卻M me之間的 問閥U 0，並由未圖示之搬送裝置 衣置將基板300由薄膜形成 裝置6η之基板搬出部搬送至冷卻裝置Μ”，而將基板綱 配置在冷卻裝置1 〇 7 c内。 此時，在薄膜形成裝置6n内’在各薄膜形成領域施 315145 45 1308362 進行薄膜形成 低溥膜形成系統之整體的生產性的情況下 處理。 此外，由於係考慮到用以形成各種所希望之太陽電池 薄臈的薄膜形成處理時間、薄膜形成處理條件等，而2用 與上述條件相當之具備良好電氣容量的電力供給系統以及 具備良好排氣速度之排氣系、统’因此可降低薄膜形成裝置 之成本，亦即，可降低薄膜形成系統整體的成本。 此外，基板300,係被搬入薄膜形成裝置6ρ' 6ηϋ 之基板搬入部，並在進行薄膜形成處理後，再由與該基板 搬入部不同的基板搬出部搬出，因此無須來回搬送，=得 以有效地搬送完成薄膜形成處理的基板。 此外，在本實施例中，薄膜形成裝置6(6ρ、6η)的薄膜 形成領域數共有3個，但薄膜形成領域數並不限於3個， 只要有2個以上即可。 此外，在本實施形態中，設在薄膜形成領域17u、ΐ7ν、 的電極係陣列天線4〇(4〇u、40ν、40W)，但亦可取代 陣列天線’而設置具備陽極與陰極之構造的平行平板型電 極0 此外’在本實施形態中，選擇器34所選擇的陣列天 線的數量為1個，但所選擇的陣列天線的數量並不限於工 個’只要高頻電源31具有可供給2個以上的陣列天線的電 力容量’選擇器34即可選擇2個以上的陣列天線，以進行 薄膜形成處理。 (實施例3) 315145 47 1308362 之間的閘閥110打開’而由未圖示之搬送裝 由真空載入裝置102L搬送到加熱裂置10211，廿基板300 配置在加熱裝置102h内。 政將基板300 配置在加熱裴置l〇2h内的其 鬥的基板300，係利 1 02h加熱至預定之成膜溫度。 13…、裝置 接著’打開設在加熱裝置職與薄 裝置職搬送至薄膜形成裳置&基板。= 板300配置在薄膜形成裝置内的每_ 並將基 (17u、17v、17w)。 / 、形成領域 成膜室15p，倍拉士古+ β P你精由真空泵MOp維持在 形成基板3 00之薄膜形Λ + 真工狀悲，以 <溥膜形成處理的準備狀態。

接著’說明薄膜形成I m ^ M n<.. . _ 、 P(7)的動作，並說明先在成 腰至15P⑴）内之薄媒形成 成 時的情形。 ^進订賴形成處理 鱼T先，選擇器34，由陣列天線4〇u、術、* 陣列天線4〇u，而連接低 〒逆擇 能下，氣疒n〇 衣益33與陣列天線40u。在該狀 心下就相1 3 〇之原料#i鲈〗以/ , ·2 c、 M s 係藉由打開原料氣 组、·，口間2 I以及原料牽八 薄膜形成領域17u，並：二 而限定供給至 "稭由壓力调整閥150調整成膜室 15p(i5)内的壓力，古 王 呵頻電源3丨的塵力係經由分流器32與 偈3衣态3 3以及课挥笼1 λ 給 、。。而供給至陣列天線4〇u。藉由供 ^ M ^ 电力使原科軋肢1 35形成電漿狀態， 、’1由在该電漿中激發、八短, 双知勿解，使其在配置於薄膜形成領 315J45 49 1308362 域17u的基板300上產生膜形成反應，而在基板3〇〇上形 成P型半導體薄膜。 / 經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 (160)160p 而排出。 此外，供給至陣列天線4〇u的電力中形成反射波的電 力’係經由循環器33u供給至假負載35u，供給到假負載 35u的反射波電力係消耗為熱量。 斤希望之4膜形成於基板3〇〇冑，即關 ==束薄膜形成領…的薄膜形成處理。: 溥膜形成處理的所費時間約2分鐘程度。 此，薄膜形成領域^中進:薄膜形成處理。在 天後二' €擇陣列天、線4〇V，而連接環器33與陣列 天線4 0 v。在該社、能τ 閥22v，而阳-、’糸错由僅打開原料氣體分配供給 閥仏而限疋於薄臈形成領域 心之供給，並對供給有 J*原“ 領域^的陣列天線40v供給高頻電的溥膜形成 上述薄臈形成領域17u中的薄M v之電力，而與 300上形成P型半導體薄膜。/ ^相同地在基板 以下’同樣地’在薄膜 導體薄膜，並在配置於薄膜形成裝/二=成… 17U、17…7W的所有基 ：(7)之薄膜形成領域 之後，結束薄膜形成裝置7p⑺的薄型半導體薄膜 薄膜形成穿f 7 、形成處理。 尹的薄膜形成處理二 膜形成領域Ι7ϋϋ 成處理所費時間合計約為6分鐘程度。 315145 50 1308362 此外，在本實施例中，雖依照薄膜 Pw的順序施加薄膜形成處理 /成項域l7u、l7v、 定。 一 ’、順序並無特別之限 接著，打開設在薄膜形成裝置 之間的問閥11〇,而由未圖示 :4膜形成裝置1㈣ 膜形成裝置7P的基板搬出部置將基板—薄 基板搬入部，並將基板3〇。二至㈣^ 膜形成領域（12lu、121v、12lw)中。膜至I20内的各個薄 此時，在薄膜形成裝置7 加過薄膜形成處理的基板3QQ，不二成領域施 形成領域，舉例而言，在薄膜^^ 同的薄膜 成處理的基板3 0。，不會被搬❹17U施加過薄膜形 17w。 不會破搬达到缚膜形成領域l7v或 成膜室120i，係藉由真空泵16〇i 形成基板3。〇之薄膜形成處理的準備狀能。一狀態’以 薄薄膜形成裝置1051内的基板扇，與上述 置W的薄膜形成處理相同，係由氣箱〗30i ⑽二Γ1供給原料氣體135i，並在藉由屋力調整間 :;周正成膜室咖内的屡力的狀態下，使電 ^仰)對電極18lu、181v、181w提供電 ：在先 基板300上吝沒描；E I精由在 導體薄膜。、成長反應’而在基板_上形成i型半 此外，該種i型半導體之薄膜形成處理 膜形成領域—V、一行，薄膜形 315145 51 1308362 的溥膜形成處理中的所費時間 導體之薄膜形成處理，係成為“童程度，該i型半 系統的控制速度階段。 ％電池生產中的薄膜形成 接著，打開設在薄膜形成裝置〗 之間的閘閥110,而由未匕、潯膜形成裝置7η 叫田禾圖不之搬送 膜形成裝置105i的基板搬出部搬二、土反300由薄 基板搬入部，並將基板300配置在腺#膜形成裝置〜的 膜形成領域（17u、17v、17w)。纟膜室…内的各個薄 此時，在薄膜形成裝置1〇5 ;内， 施加過薄膜形成處理的基板3〇〇 =形成領域 膜形成領域。舉例而言，在薄膜形成f运到不同的薄 形成處理的基板300,不會被搬送、腹U施加過薄臈 121w〇 嘗被搬达到缚膜形成領域121v或 成膜室15η ’係藉由真空泵16〇n 形成基請之薄膜形成處理的準備狀態 狀… 者“薄膜也成裝置7n(7)的動作’並說明先在 膜至15n(15)内之薄膜形成領域17中 一 時的情形。 中進仃涛膜形成處理 首先’選擇器34’由陣列天線4〇u、4〇v、4〇w中選擇 2列天線40u，而連接循環器33與陣列天線4〇u。在該狀 態下’氣们30之原料氣體135u(135)，係藉由打開原^氣 體供給閥21以及原料氣體分配供給閥22u，而限定供給至 溥膜形成領域17u’並藉由壓力調整@ 150調整成膜室 I.5n(15)内的壓力，高頻電源31的電力係經由分流器32與 315145 52 1308362 循環器33以及選擇器34而供給至陣列天線4〇u。藉由供 給至陣列天線40u的電力使原料氣體丨3 5形成電漿狀態， 並藉由在該電漿中激發 '分解，使其在配置於薄膜形成領 域17u的基板300上產生膜形成反應，而在基板3〇〇上形 成η型半導體薄膜。 經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 (Ι60)160ρ 而排出。 此外，供給至陣列天線4〇u的電力中形成反射波的電 力，係經由循環器33U供給至假負載35u，供給到假負载 35u的反射波電力係消耗為熱量。 、 田所希望之薄臈形成於基板3 〇〇上後，即關閉原料氣 體供給閥2卜結束薄膜形成領域17u中的薄膜形成處理： 該溥膜形成處理的所費時間約2分鐘程度。 接著，在薄膜形成領域17v中進行薄膜形理 此’選擇器34選擇陳列不仏μ 牧 歹J天·，泉40ν，而連接環器3 天線40v。在該狀離丁# · ^ ”丨早列 22 . ，糟由僅打開原料氣體分配供給閥

22ν ’限疋於溥膜形成 J 人 成7員域17v進行原料氣體 供給，並對供給有原料氣 ）之 列天線術…：：5…膜形成領物的陣 八冰刊v 1,'、..口阿頻電源3丨v 領域]7ιι中的薄膜彤# ，、上述薄膜形成 寻瞑开乂成處理相同地在基板 半導體薄膜。 微上形成η型 仕缚膜形成領域1 7w中， 導體薄膜，並在配置於 形成η型半 4膜形成裝置7η(7) 17u、17v、17w的所女# 、厚膜形成領域 所有基板300上约报Λ „ , 上岣浴成η型半導體薄 315145 53 1308362 之後，結束薄膜并？ +壯 n(7)的薄膜形成處理。 ,、/ 、裝置7n(7)之薄膜形成領域17 中的薄膜形成處理所費時間合計約“分鐘程度。 :外二本實施例中，雖依照薄膜 定。 厚膜形成處理，但其順序並無特別之限 在上述薄膜形成處理中， φ ΨΐΌ, 1η,· 了精由I更供給各薄膜形成 種類八w /、7n的原料氣體135(135P、135i、135n)的 種類，刀別形成p型、丨型、η型 、 層形成半導體薄膜，可形迠 "上述方法積 薄膜。 了形成Ρΐη接合之太陽電池用半導體 膜後1述方法於基板細上形成pin接合之半導體薄 :打開設在薄膜形成裝置711與冷卻裳置心之間的 =^10,並由未圖示之搬送裝置將基板则由薄膜形成 配晋/人之基板搬出部搬送至冷卻裝置1〇7C，而將基板300 配置在冷卻裝置107c内。 :時’在薄膜形成裝置711内，在各薄膜形成領域施 二’專Μ形成處理的基板3〇〇’不會被搬送到不同的薄膜 、貝$舉例而έ ’在薄膜形成領域1 7u施加過薄膜形 处理的基板300，不會被搬送到薄膜形成領域i7v或 1 7 w。 田配置在冷卻裝置107c内的基板3〇〇經 :定溫度時…未圖示之搬送裝置將基板搬送J 工卸載室’並在真空卸載室中將基板300由真空環境移到 315145 54 1308362 形成系統之整體生產性的愔 Μ况下，進行薄膜形成處理。 此外’由於係考慮到用 形成各種所希望之太陽蛩仏 溥膜的薄膜形成處理時間 電池 ^ L 潯膜形成處理條件等，而按田 ，、上述條件相當之具備良 用 且供ή Α 电轧谷里的電力供給系統以及 具備良好排氣速度之排氣系 及 m女 排孔系統，因此可降低薄膜形成裝置 成本’亦即，可降低薄膜形成系統整體的成本。 此外’基板3GG，係被搬人薄膜形成裝置7p、心 之基板搬人部，並在進行薄膜形成處理後，再由*該1 搬入部不同的基板搬出部搬出，目此無須來回搬送二得 以有效地搬送完成薄膜形成處理的基板。 (實施例4) 第5圖，係顯示本發明之第4實施例的薄膜形成系統 的要部構成圖，亦即薄膜形成裝置8(調整裝置、叫， 係取代第】圖所示之薄膜形成裝置5p、5“設置在薄膜形 j系統1中。構成薄膜形成系統丨的其他構成要素，係如 貫施例1所記載一|。此外，與第i圖至第4圖相同的構 成要素，省略其說明而僅針對不同部分進行說明。此外， 第5圖所示之基板3〇〇，係與第！圖一樣配置在與紙面垂 直之方向，但在說明薄膜形成系統的動作時，為圖方便乃 做成往橫方向配置的圖。 如第5圖所示，薄膜形成裴置8(8p、8n)，在薄膜形成 領域1 7u、1 7V、1 7W之交界具備有擴散防止板67、68，其 他則與第3圖之薄膜形成裝置6為同一構造，對該等構成 要素係標示以相同符號。 315145 56 1308362 接著 膜形成裝 中進行薄 ’說明在如上述構成之薄膜形成系統中，先在薄 置8PW之成膜室15p(15)内之薄膜形成領域⑺ 膜形成處理時的情形。 選…，由陣列天線—v、 態下】天，一連接循環器33與陣列天線—在該狀 體供；VO之原料氣體135U(135)’係藉由打㈣^ 膜室Μ15”並藉由壓力調整閥 八、“ Μ的壓力，高頻電源31的電力係經由 ::32與循環器33以及選擇器34而供給至陣列天線 u It由供給至陣列天線4Gu的電力使原料氣體⑴形成 :狀態’並藉由在該電漿中激發、分解，使其在配置於 〉’膜形成領域17u的基板300上產生膜形成反應而基板 300上形成n型半導體薄膜。 、此時，由於係藉由擴散防止板67，防止在薄膜形成領 域1 7u中激發、分解的原料氣體工35擴散到薄膜形成領域 1〜、17w’因此經激發、分解之原料氣體135無法進入薄 膜形成領域17v、l7w，而配置在薄膜形成領域i7v、17你 内的基板上也不會形成薄膜。亦即在薄膜形成領域^ 中激發、分解的原料氣體135 ,主要是藉由在配置於薄膜 形成領域17v内的基板300上產生膜成長反應而形成薄 膜0 經由泫種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 (160)160p 而排出。 此外，供給至陣列天線40u的電力中形成反射波的電 315145 57 1308362 力，係經由#環器33u供給至假負載35u，供 仏的反射波電力係消耗為熱量。 X負載 接著，在薄膜形成領域17v中進行薄 此，選擇器34選擇陳而丨|在 工& ' 列天線40v，而連接環器33與陣列 天線4 0 v。在今站能π 产 ,„ 態下，氧箱130的原料氣體135,係藉由 打開原料氣體供給閥2丨而认 述薄膜形成領域15P(15)’而與上 上开^ ^ U中的4㈣成處理相同地在基板 上形成P型半導體薄臈。 此時，擴散防止板67 敁17机政 係用以防止在薄膜形成領 戌17v激發、分解的原料 1711 17 π 叶乳體135擴散到薄膜形成領域 7υ、1 7w，因此經激發、

膜形成領域17V、17W，而配置在？:體135無法進U ,,«. ,c _置在潯膜形成領域17ν ' 17W 的基板300上也不會形成薄膜

中激發、分解的原料氣體135，主要是H形成領域W 基板_上產生膜成長反應而形成薄 板二二樣地在薄膜形成領域Μ，藉由擴散防止 原科…35擴散到薄膜形成領域17u、17” 而形成P型半導體薄膜，並在配置 0 w , 々勝形成裝置8(8p、

8«)之薄膜形成領域17u、i7v ( P 报占*丨丄、盆 7W的所有基板300上均 形成P型半導體薄膜後，結束薄 膜形成處理。 “料成裳置叫、叫的薄 17 ^外，在本實施例中，雖依照薄膜形成領域17u、i7v、 的順序施㈣膜形成處理，但其順序並無特別之限 315145 58 1308362 此外，在薄膜形成裝置8n中， — 8P相因执古播u /、上述溽膜形成裝置 P相同叹有擴散防止板68、67， 可枷制疮姓> A 精由擴散防止板67 ' 68 制原料氧體1 3 5之擴勒，而似士 在配置於U 、散而&成n型半導體薄膜’並 在配置於溥臈形成裝置8n(8)之薄膜报+ M u 17w ά, l 潯膜形成領域 17u、17v、 7w的所有基板3〇〇 膜c 均开4 n型+導體薄膜後，結束薄 、/成裝置8n(8)的薄膜形成處理。 如上述一般，由於在該薄膜 擴散防止板67、68 M & ― 成裝置8(8P、8n)中設有 68而抑制在一個薄膜花；士 △ 解的原料氣體丨3 51^ 、/成湏戍中激發、分 1机體1 3 5擴散到其他薄膜 膜形成於配署，…‘ 存膜开乂成領域，故可防止薄 配置在其他賴形成領域的基板300上。 此外’在本實施例中，传 在薄胺拟h 係將擴散防止板67、68設置 在厚膜I成領域i 7u、！ 7v、 防止柘μ番a 的父界上，但亦可將擴散 板6又置成與基板3〇〇密接的形態。 此外’係在各交界中·¥ υ 1Λ ^ 置複數片。 D -片擴放防止板，但亦可設 (實施例5 ) 第6圖，係顯示本發明之 的要部槿& 弟5貝鈀例的溥膜形成系統 係取抖笛，m 战表置9(調整襄置）（9p、9n)， ”弋弟1圖所示之薄膜形成|罟 成系統1中。構^設置在薄膜形 — 〒構成涛膜形成糸统i的其他構成 貫施例1所記載_般。此外 ’、’、 成要素，省14弟1圖至弟5圖相同的構 取女東名略其說明而僅針對又门如\ “ 篦6區仏- 對不同部分進行說明。此外， 斤示之基板3 0 0，係與第 弟1圖一樣配置在與紙面垂 315145 59 1308362 直之方向’但在說明薄膜形成系統的動作時，為圖方便乃 做成往橫方向配置的圖。 如第5圖所示，薄膜形成裝置9(9p、9n)，除分隔壁 1 72以及排氣系統（排氣機構）5 1 (5 1 p、5 1 η)之外，其他 係與第4圖之薄膜形成裝置7為同一構造，該等構造要素 係標示以同一符號。 分隔壁71、72係設置於成膜室15(51 p、5 In)中，用以 分割薄膜形成領域1 7u、1 7v、1 7W的交界，薄膜形成領域 17U' 17V、17w彼此形成氣密式的獨立空間75u、75v、75w。 各獨立空間75u、75v、75w又分別設有排氣口 76u、76v、 76w。 排氣系統51(51?、5111)係由：排氣遮斷閥7711、7：^、 壓力調整閥15〇(15〇p、15〇n);以及真空泵i6〇(i6〇p、 160η)所構成’用以集中排出由各排氣口 76u、76v、76w 排出之薄膜形成處理所形成的廢氣。 接著祝明在如上述構成之薄膜形成系統中，先在薄膜 形成K置9p(9)之成膜室15p(15)的獨立空間75u中進行薄 膜形成處理的情形。 首先’遥擇益34’由陣列天線40u、40v、40w中選擇 陣列天線4〇u’而連接循環器33與陣列天線4〇u，此外， 排氣k斷閥77u、77v、77w中只有排氣遮斷閥77u呈開啟 狀。在4狀恶下’氣箱13〇之原料氣體135<135卜係藉 由打開原料氣體供給閥21以及原料氣體分配供給閥22u， 而限定供給至獨立空間75u，並藉由壓力調整目i5〇調整 315145 60 1308362 成膜室1 5n( 1 5)内的壓力’高頻電源3 1的電力係纟①由八斧 器32與循環器33以及選擇器34而供給至陣列天線4〇u。 藉由供給至陣列天線40u的電力使原料氣體135u形成電^ 狀態’並藉由在該電漿中激發、分解，使其在配置於獨立 空間75υ的基板300上產生膜形成反應，而在基板3⑽上 形成Ρ型半導體薄膜。 此時’獨立空間75u係藉由分隔壁71形成氣密狀態， 因此在獨立空間75u中激發、分解的原料氣體135不會擴 散到獨立空間75v、75w。此外，薄膜形成處理所形成的廢 氣係由排氣口 76u排出，而不會進入獨立空間、乃评。 此外，由於只打開排氣遮„ 77u，_閉排氣遮斷 閥77V、77W’因此由獨立空間75u排出之薄膜形成處理所 形成的廢氣不會從排氣遮斷閥77v、77w進入獨立空間 75v、75w，而會經由真空泵（16〇)16〇p而排出。 接著，在獨立空間75u中進行薄膜形成處理。在此， 選擇器34選擇陣列天線4〇v，而連接環器33與陣列天線 4〇v，且形成排氣遮斷閱77u、π、W中僅排氣遮斷閥 ⑺呈開啟的狀態。在該狀態下，氣们30的原料氣體 135VU35)’係藉由打開原料氣體供給閥21以及原料氣體 分配供給閱22V，而限定供給至獨立空間75v，而與上述獨 立空間〜中的薄膜形成處理相同地在基板300上形成p 型半導體薄膜。 p 狀態 此時，獨立空間75 ’因此在獨立空間 v係藉由分隔壁71、72形成氣密 75v中激發、分解的原料氣體135 315145 63 1308362 不會擴散到獨立空間75u、75w。此外，薄膜形成處理所形 成的廢氣係由排氣口 76v排出，而不會進入獨立空間75v、 75w。 此外，由於只打開排氣遮斷閥77v，而關閉排氣遮斷 閥77u、77w，因此由獨立空間75v排出之薄膜形成處理所 形成的廢氣不會從排氣遮斷閥77v、77w進入獨立空間 75U、75w，而會經由真空泵（16〇)16〇p而排出。 以下同樣地，獨立空間75w係藉由分隔壁72防止 原料氣體⑴㈣到獨立空間75u、75v ’並利用排氣遮斷 閥77U、77V、77W的開關排出薄膜形成處理所形成的廢氣， 而形成P型半導體薄膜，並在配置於薄膜形成裝置 之獨立75u、75v、75w的所有基板3⑽上均形成p型 半導體薄膜後，結束薄膜布：+壯 來專膜形成裝置9p(9)之薄膜形成處理。 此外，在本實施例中，雖依照獨立空間75u、75v、心 的順序施加薄膜形成處理’但其順序並無特別之限定。 此外，在獨立空間75u、7 斷闕…一，因此二^中，因設有排氣遮 ”一、77…中_:固，擇性地打開排氣遮斷閱 料氣體⑴等氣體，另外，^^出任意獨立空間的原 意之獨立空間維持在真空狀L 中一個’則可讓任 例如，當獨立空間 可藉由關閉排氣遮斷間 真空環境中，並將無法 以進行維修。 75V無法作動，而需要進行維修時， 77V’讓獨立空間75u、75W維持在 動的獨立空間7 5 v開放於大氣中 315345 62 1308362 另外’在薄膜形成裝置9η中，也與上述薄 置％相同設有分隔板71、72以及排氣系㈣，藉由' W77w的開關可排出薄膜 而形成η型半導體薄膜，並在配置於薄膜开=的廢-， 之獨立空間75u、75v、7“ 專膜^成裳置9η(9) 、…..^ 5W的所有基板300上均形成η剖 半導體薄膜後，結束薄腺报士 一… 相形成裝置9η(9)之薄膜形成處理。 71二=’薄膜形成裝置9(9Ρ、9η)，係藉由分隔壁 ，成刀隔之獨立空間75u、75v、75w，因此，可防 止在一個獨立空間中激表 激^、刀解的原料氣體135擴散到J： 他獨立空間，而防止在署μ * 饿双4八 u L 配置於其他獨立空間的基板300上 4膜。此外，各獨立空間 廢氣，可透過排氣口盘排 ：一地理所形成的 他獨立空間的排氣遮斷閥 Η蜡由關閉其 廢氣進人其他獨立空間。 賴形成處理所形成的 施加過薄膜形成處理的基板 惡化的物質，而獲得所希望的 因此，每一獨立空間之 3〇〇’可減少使太陽電池特性 溥膜以及所希望的界面。 此外，可選擇性地 以排出任意獨立空間的 在真空狀態。 開關排氣遮斷閥77u、77v、77w， 原料氣體1 3 5等氣體，並使其維持 列如，畜獨立空間75v盔 , …、法作動，而必須進行維修 可錯由關閉無法作動的想Λ + 龍☆ ^ γ 空間7〜的排氣遮斷閥7: 讓獨立空間75U、75w維 '在真空環境中，並將無法1 315145 63 1308362 的獨立空間75v開放於大氣中以進行維修。 (實施例6) 第7圖’係顯示本發明之第6實施例的薄膜形成系統 的要部構成圖，係顯示形成TFT(薄膜電晶體)之薄膜形成 裝置之構成的構成圖。在第7圖中，除薄膜形成裝置 i〇U〇a、1Gb'H)e)以外的其他構成要素，係與第i圖之薄 :形成系、统1為相同的構造’對該構成要素係標示以同〆 符號。此外，在本實施例巾施加有薄卿成處理之基板 300，係配置在與第7圖之紙面垂直之方向。 如第7圖所示，薄膜形成系統2a，係具備有：形成 SiN膜之薄膜形成裝置1〇a;形成⑶非晶开）_之薄膜 形成裝置(基準裝置)10b ;以及形成η +型非晶形以膜之薄 膜形成裝置（基準裝置）1〇c。 在此，每一薄膜形成裝置l〇(l〇a、l〇b、l〇c)，係由成 膜至 16(16a、16b' 16c);氣體供給系統 26(26a、2讣、26c); 排氣系統52(52a、52b、52c);未圖示之基板搬入部（搬入 部）以及基板搬出部（搬出部）所構成。此外，在薄膜形成裝 置1〇a、1〇b中設有電力供給系統80a(80aL、80aR)、 80b(80bL、80bR)，而薄膜形成裝置1〇c中則設有電力供給 系統8 1 c。 成膜室l6(16a、Ub、ik)，係用以對基板3〇〇施加薄 膜形成處理的真空容器。 氣體供給系統26(26a、26b、26c)，係由：作為原料氣 體 136(136a、136b、136c)之供給源的氣箱 i3〇(130a、13〇b、 64 315145 1308362 之溥膜形成處理時間來決定薄膜形成系統的處理能 力 0 哭 1 /1 -V、 ^ ' °。 C或是前述氣體供給系統26c的稼動狀態， 係調整成使從薄胺 ^ 〇〇 士潯膜形成糸統之裝置成本與處理能力算出的 ：單位付間、單位處理面積的製造成本得以降到最低。 此外，藉由調整選擇器34c或是前述氣體供給系統26c 、稼動狀L，即可採用具備適當之電氣容量的電力供給系 統81C ’以及具備適當排氣速度的真空泵160c。 在上述構造之薄膜形成系統2a中，係由未圖示之搬送 裝置（搬送系統）在大氣環境中將2塊基板300搬送到真空 ^ „裝置1〇2L ’基板300則在真空載入裝置102L中由大 氣環境移到真空環境中。 之後，將设在A空載入裝置l〇2L與加熱裝置102h之 間的閘閥1 10打開’而由未圖示之搬送裝置將基板⑽由 真空載入裝置狐搬送到加熱裝置職，並將基板则 配置在加熱裝置l〇2h内。 配置在加熱裝置職内的基板300,係利用加熱裝置 102h加熱到預定之成膜溫度。 接著，打開設在加熱裝置1〇2h與薄膜形成裝置… 之間侧no，而由未圖示之搬送裝置將基板綱由加 熱裝置1 02h搬送至薄膜报屮壯，Λ 寻膜形成裝置10a的基板搬入部，並將 基板300配置在每一成胺金以 成膜至16a内的平行平板電極41c：L、 4 1 cR 上。 成膜室1 6 a ’係藉由直*毛1 &。 田具二泵160&維持在真空狀態，以 开> 成基板3 0 0之薄膜形成處理的準備狀熊。 315145 66 1308362 ^氣相130a的原料氣體〗36a，係藉由打開原料氣體供 ^ a而供給至成膜室16a，並藉由壓力調整閥150a調 。成膜至16a内的壓力，另外，高頻電源31吐、之 電力係經由匹配箱37aL' 37aR而同時供給至平行平板電 “ UL 4 1认。藉由供給到平行平板電極4 1 aL、4 1 aR的 :力使原料氣體136a形成電漿狀態，並在該電漿中激發、 ^使之在配置於薄膜形成裝置的基板300上產生 、^成反應而藉此在2塊基板3〇〇上同時形成㈣膜。經 由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵_ 而排出。 接著，打開設在薄膜形成裝置1〇a與薄膜形成裝置i〇b 之間的間Μ 110，而由未圖示之搬送裝置將基板·由 薄膜形成裝置10a的基板搬出部搬送至薄膜形成裝置 的基板搬入部，並將基板300配置在成膜室咐内的 各個平行平板電極41bL、41bR上。 料’在薄膜形成裝置1〇a内，在各平行平板電極施 加過涛膜形成處理的基板綱，不會被搬送到不同的平行 平板電極。舉例而·r，在平行平板電極4ur施加過薄膜 形成處理後’不會被搬送到平行平板電極 t薄膜形成裝置1〇b，係藉由真空泵160b維持在真空狀 態，以形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 在此’氣箱1 3 Ob的原料氣體 氣體供給閥2 1 b而供給至成膜室 15 0b調整成膜室16b内的壓力， 13 6b，係藉由打開原料 1 6b ’並藉由壓力調整閥 另外，高頻電源31bL、 315145 67 1308362 ΓΓ之電力係經由匹配箱37bL、舰同時供給至平行平 板電極4 1 bL ' 4 1 bR。获i,

猎由供給到平行平板電極4】bL、4〗bR :電力使原料氣體⑽形成電默狀態，並 ^:解，使之在配置於薄膜形成領域⑽的基板3〇〇上 產生膜形成反應而.藉此在2梯其此 ㈣在2塊基板300上同時形成i型非 曰日也Si膜。經由該種薄 联办攻慝理而形成的廢氣，係經由 具工泵160b而排出。 該種i型非晶形Si膜的、键 膘的溥膜形成處理，係成為薄膜形 成系統23之TFT用薄膜生產的控制速度階段。 :外’將設在薄膜形成裝置1〇b與薄膜形成裝置… 曰閘㈤110打開’而由未圖示之搬送裝置將基板綱 為膜形成裝置10b之基板搬出部搬送到薄膜形成裝置 心之基板搬入部，並將基板300配置在成膜室16c内的 各個平行平板電極41cL、41cR上。 此時，在薄膜形成裝置1〇b内，在夂車> I』

Ai 1 在各千仃平板電極施 加過㈣形成處理的基板不會被搬送到不同的平行 平板電極’舉例而言’在平行平板電極4狀施加過薄膜 形成處理後，不會被搬送到平行平板電極4以1。 薄膜形成裝置1Ge’係藉由真空|⑽維持在真空狀 態，以形成基板300之薄膜形成處理的準備狀能。 接著，說明薄膜形成裝置10c的動作，並㈣在薄膜 形成裝置，中’由選擇器34c先選擇平行平板電極⑽ 而在基板3 0 0上形成薄膜的情形。 首先，選擇器34C選擇平行平板電極⑽，形成匹配 315145 68 1308362 箱3 7c與平行平板電極41cR連接的狀態。在該狀態下， 氣相1 3 0c之原料氣體丨3 6c，係藉由打開原料氣體供給閥 21c而供給至成膜室16c，並藉由壓力調整閥調整成 膜至1 6 c内的壓力，咼頻電源3丨c的電力係經由匹配箱3 7 c i、給至平仃平板電極4丨cR。藉由供給到平行平板電極4 1 的電力使原料氣體136c形成電漿狀態，並藉由在該電漿中 激發、分解’冑其在基板·上產生膜形成反應，而在基 板300上形成n+型非晶形8丨膜。 經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 (160)160c 而排出。 接著，選擇器34c選擇平行平板電極41 cL，形成匹 配箱37c與平行平板電極4UL連接的狀態。在此，與平行 平板電極4UR相同，使原料氣體136。激發、分解，而在 基板300上形成n+型非晶形Si膜。 此外，在本實施例中，雖依照平行平板電極4icR、“π 的順序施加薄膜形成處理’但其順序並無特別之限定。 在上述薄膜形成處理中，可藉由變更供給至各薄膜形 成裝置10a、10b、10c的原料氣體136〇36a、⑽、me) 的種類’分別形成SiN膜、i型非晶形Si膜以及n+型非晶 形Si膜。如此而藉由積層形成半導體薄膜，而形成Μ 用薄膜。 於基板300上形成SiN膜 如此 及n +型非晶形Si膜後，打開 冷卻室107c之間的閘閥11〇， 、1型非晶形Si膜以 設置於薄膜形成裝置1 〇c與 並由未圖示之搬送裝置將基 315145 69 1308362 ……好電氣容量的電力供給系統以及具備良好排 氣速度之排氣系統，因此可降低薄膜形成 即，可降低薄膜形成系統整體的成本。、 ，μ 此外，基板300 ’係被搬入薄膜形成裝置丨〇a、丨⑽、 l〇c之基板搬人部’並在施加薄膜形成處理後，再由與該 基板搬入部不同的基板搬出部搬出，目此無須來回搬送， 而得以有效地搬送完成薄膜形成處理的基板。 此外’在本實施例中’共有2塊基板被搬送到薄膜形 成系統2a内以進行各種處理，但基板3〇〇的塊數並不限於 2塊，可選擇適當數量的基板。 (實施例7) 第8圖’係顯示本發明之第7實施例的薄膜形成系統 的圖’係顯7F形成TFT用薄膜之薄膜形成裝置之構成的構 成圖。在第8圖中，除薄膜形成裝置n(Ua、Ub、iic) 以外的其他構成要素，係與第7圖之薄膜形成系統2a為相 同的構造，而對該構成要素係標示以同一符號。此外，在 本實施例中施加過薄膜形成處理之基板3〇〇，係配置在與 第7圖之紙面垂直之方向。 如第8圖所示’薄膜形成系統’係取代第7圖的薄 獏形成裝置l〇a、l〇c，具備有··形成SiN膜之薄膜形成裝 置（調整裝置）11 a ;以及形成n +型非晶形si膜之薄膜形成 裝置（調整裝置）llc。 在此’各薄膜形成裝置11 (丨丨a '丨丨c)，除電力供給系 統81(8 la、81c)之外，係與第7圖之薄膜形成裝置10(1〇a、 71 315145 1308362 接者’打開設在加敎裝署】Λ o u u …在置102h與薄膜形成 之間的閘閥11 〇，而由去圃-u 衣置11 a 而由未圖不之搬送裴置將基 :裝置襲搬送至薄膜形成裝置na的基板搬入部。:: 土板300配置在成膜室…内的各個平行平板 : 41aL、41aR 上。 电極 以 成膜室16a，係藉由真空泵16〇a維持在真 形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 …接著，說明薄膜形成裳置Ua的動作，並說明在薄膜 形成裝置11a中，由選擇器…先選擇平行平板型電極 41aR而在基板300上形成薄膜的情形。 首先，選擇器34a選擇平行平板型電極4ur，形成匹 配箱二:與平行平板型電極㈣連接的狀態。在該狀態 下’氣箱13Ga之原料氣體U6a，係藉由打開原料氣體供 給閥21a而供給至成膜室16a，並藉由壓力調整閥“Μ調 正成膜至16a内的壓力，向頻電源31a的電力係經由匹配 箱37a供給到平行平板型電極4UR。藉由供給到平行平板 電極41aR的電力使原料氣體n6a形成電渡狀態，並藉由 在該電衆中激發、分解’使其在基板則上產生膜形成反 應’而在基板300上形成siN膜。 經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空泵 (160)160a 而排出。 接著’選擇器3 4a選擇平行平板電極4丨aL，形成匹配 知37a與平行平板電極41 aL連接的狀態。在此，與平行平 板電極4 1 aR相同’使原料氣體丨36a激發、分解，而在基 73 315145 1308362 板300上形成SiN膜。 的順力在本實施例，’雖依照平行平板電極— 、1膜形成處理，但其順序並無特別之限定。 =打開設在薄膜形成裝置"3與薄膜形成裝置_ 間的閉U0,而由未圖示之搬送裳置將基板 置⑴的基板搬出部搬送至薄膜形成裳置⑽的 =搬入部，並將基板300配置在成膜室i6b内的各個平 丁平板型電極4 1 bL、4 1 bR上。 ，時:在薄膜形成農置lla内，在各平行平板電極施 $成處理的基板3〇〇’不會被搬送到不同的平行 2電極。舉例而言’在平行平板電極仏r施加過薄膜 形成處理後’不會被搬送到平行平板電極41乩。 &潯膜形成裝置10b’係藉由真空泵16〇b維持在真空狀 悲，以形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 ^在此，氣箱13〇b的原料氣體136b，係藉由打開原料 乱體供給閥21b而供給至成膜室⑽，並藉由壓力調整閥 150b調整成膜室16b内的壓力，另外，高頻電源3肌、 3 1 bR之電力係經由匹配箱3胤、同時供給至平行平 板電極41bL、41bR。藉由供給到平行平板電極4lbL、4ibR 的電力使原料氣體136b形成電裝狀態，並在該電衆中激 發、分解，使之在配置於薄膜形成裝置1〇b的基板3〇〇上 產生膜形成反應而藉此在2塊基板3〇〇上同時形成i型非 曰曰七Si膜。經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由 真空栗160b而排出。 74 315145 1308362 該種i型非晶形Si膜的薄膜形成處理 成系統2b之TFT用薄膜生產的控制速度階段。‘”、形 此外，將設在薄膜形成裝置1〇b與薄膜

之間的閘閥110打開，而由去图w 、且i 1C — 而由未圖不之搬送裝置將基板300 由溥膜形成裝置10b之基板搬出部搬送到薄膜形成裝置 ⑴之基板搬入部，並將基請配置在成膜室16c内的 各個平行平板電極4 1 cL、4 1 cR上。 糾，在薄膜形成裳置10b内，在各平行平板電極施 加過薄膜形成處理的基板㈣，+會被搬送到不同的 平板電極。舉例而言，在平行平板電極4ibR施加過薄膜 形成處理後，不會被搬送到平行平板電極4以[。 薄膜形成裝置11c，係藉由真空泵l6〇c維持在真空狀 態’以形成基板3GG之薄膜形成處理的準備狀態。— 接著，說明薄膜形成裝置llc的動作，並說明在薄膜 形成裝置11c中，由選擇器34生

伴益j4c先選擇平行平板電極41cR 而在基板3 00上形成薄膜的情形。 首先’選擇器34c選擇平行平板電極41cR，形成匹配 箱37c與平行平板電極41eR連接的狀態。在該狀態下， 氣箱me之原料氣體136c’係藉由打開原料氣體供給閥 21c而供給至成膜室16c ’並藉由壓力調整閥i5〇c調整成 膜室16c内的壓力，高頻電源31c的電力係經由匹配箱3八 供給至平行平板電極41cR。藉由供給到平行平板電極⑽ 的電力使原料氣體1 3 6 c形成電漿狀態，並藉由在該電漿中 激發、/刀冑，使其在基板3 〇〇上產生膜形成反應，而在基 315145 75 1308362 板3 00上形成n+型非晶形Si膜。 、’、二由°亥種〉專膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空栗 (160)160c 而排出。 接著’選擇器34c選擇平行平板電極41cL，形成匹配 相3 7c與平行平板電極4UL連接的狀態。在此，與平行平 板電極41CR相同’使原料氣體n6c激發、分解，而在基 板300上形成n+型非晶形Si膜。 此外，在本實施例中，雖依照平行平板電極41cR、41 cL 的順序施加薄膜形成處理，但其順序並無特別之限定。 在上述薄膜形成處理中，可藉由變更供給各薄膜形成 裝置 Ua、1〇b、llc 的原料氣體 136(136a、136b、136c) 的種類，分別形成SiN膜、i型非晶形Si膜以及n +型非晶 形Si膜。如此藉由積層形成半導體薄膜，而形成用 薄膜。 如此，於基板300上形成SiN膜、i型非晶形8丨膜以 及：+，非晶形Si膜後，打開設置於薄膜形成裝置山與 7 '、P至1 0 7 C之間的閘閥丨丨〇，並由未圖示之搬送裝置將某 板300由薄膜形成袭置m之基板搬出部搬送到冷卻室土 107c，並將基板3〇〇配置在冷卻室i〇7c内。 此時’在薄膜形成裝置Uc内’在各平行平板電極施 加過薄膜形成處理的基板·，+會被搬送到不同的平行 平板電極。舉例而言’在平行平板電極⑽施加過薄膜 形成處理後，不會被搬送到平行平板電極4 1乩。 當配置在冷卻裝置】07C内的基板3〇〇經冷卻並降低到 315145 76 1308362 而得以有效地搬送完成薄 (實施例8) 成4料成處理的基板。 第9目’係顯示本發明之“實施例的薄 的圖，係顯示形成TFT用薄 、成系、，先 ,各 潯膜之缚膜形成裝置之構成的槿 成圖。在第9圖中’除薄膜形 成的構 其他構成要素，係與第7 "2c)以外的 '專膜形成系統2 a為相同的槿 以，而對該構成要辛係庐_ ” 勺構 … 不以同-符號。此外，在本h 例中施加過薄膜形成處 貫她 之U Μ ^ 〇〇 ’係配置在與第9圖 之紙面垂直之方向β Μ 如第9圖所示，薄腺拟士么 膜形成糸統2c，係取代第7圖 、形成裝置1Ga、1Ge’具備有：形成仙膜之薄膜举 置歸裝置）12a;以及形成“型非晶形〜膜 成 裝置（調整裝置）12c。 I成 在此’各薄膜形成裝置12(12a、，除電力供 統心之外’係與第7圖之薄骐形成裝i 1〇(10a、1〇、 形成相同之構造，因此乃對該構成要素標以同一符號。 電力供給系統81ac，係設成對薄膜形成裝置ΐ2(ι2&、 12c)而言為共通之電力供給系統者，由：高頻電源31以； 匹配箱37ac ;選擇器34ac ;以及平行平板電極41&、 41c(41aL、41aR、41cL、4UR)所構成，選擇器34扣選择 該等平行平板電極中之其中一個，而將高頻電源3丨a c之電 力供給到選擇器34ac所選擇的平行平板電極。 ~、 此外，本實施例之薄膜形成系統2c，係對應用以形戍 作為TFT用薄膜之SiN膜、i型非晶形si膜以及n +型雜 315145 78 1308362 首先擇益34ac選擇平行平板電極41aR，形成匹 配箱37ac與平行平板電極41此連接的狀態。在該狀態下， 氣箱13〇c之原料氣體136c，係藉由打開原料氣體供給闊 a而仏、。至成膜至16a，並藉由壓力調整閥i5〇a調整成 膜室-内的壓力，高頻電源31ac的電力係經由匹配箱 3^供給平行平板電極41aR。藉由供㈣平行平板電極 ㈣的電力使原料氣體136a形成電漿狀態，並藉由在該 電浆中激發 '分解’使其在基板3〇〇上產生膜形成反應， 而在基板300上形成SiN膜。 經由δ亥種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經由真空栗 (160)160a 而排出。 接著，選擇器34ac選擇平行平板電極41吐，形成匹 配箱37ac與平行平板電極41吐連接的狀態。在此，與平 仃平板電極4UR相同，使原料氣體136&激發、分解，而 在基板300上形成SiN膜。 此外，在本實施例中，雖依照平行平板電極4“尺、41吐 的順序施加薄膜形成處理，但其順序並無特別之限定。 薄㈣成M12a與薄膜形成裝置⑽ …甲閥110 ’而由未圖示之搬送裝置將基板3〇〇由薄 =形成裝置12a的基板搬出部搬送至薄膜形成裝置10b的 =搬入部，並將基板300配置在成膜室16b内的各個平 丁平板型電極4 1 bL、4 1 bR上。 =時：在薄膜形成裝置12a内，在各平行平板電極施 ^ /寻模形成處理的基板300，不會被搬送到不同的平行 315J45 80 1308362

平板電極。舉例而言，名承彡-、τ, 1 A 平仃平板電極4 1 aR施加過薄膜 形成處理後，不會被搬送到平行平板電極似。’、 薄膜形成裝置1〇b’係藉由真空泵]6〇b維持在真空狀 態，以形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 在此’氣箱n〇b的原料氣體136b，係藉由打開原料 氣體供給閥2W供給至成膜室⑽，並藉由|力調整間 測調整成膜室⑽内的壓力，另外，高頻電源·、 賣之電力係經由匹配箱咖、肅同時供給至平行平 板電極4lbL、41bR。藉由供給到平行平板電極胤、4他 的電力使原料氣體136b形成電漿狀態，並在該電襞中激 發、錢’使之在配置於薄膜形成領域⑽的基板3〇〇上 產生膜形成反應’而藉此在2塊基板3〇〇上同時形成土型 非晶形Si膜。經由該種薄膜形成處理而形成的廢氣，係經 由真空果160b而排出。 —此外忒種1型非晶形Si膜的薄膜形成處理，係成為 薄膜形成系統2c《TFT用薄膜生產的控制速度階段。 此外，將設在薄膜形成裝置1〇b與薄膜形成裝置He 之=的閘Μ 1 1〇打開’而由未圖示之搬送裝置將基板谓 薄膜开ν成裝置1 0 b之基板搬出部搬送到薄膜开）成裝置 12C之基板搬入部，並將基板3〇〇配置在成膜室i6c内的 各個平行平板電極4 1 cL、4 1 cR。 在溥膜形成裝置1 〇b内，在各平行平板電極施 加過薄膜形成處理的基板3⑽，+會被搬送到不同的平行 平板電極。舉例而言，在平行平板電極41bR施加過薄膜 315145 81 1308362 形成處理後，不會被搬送到平行平板電極4肌。 薄膜形成裝置12C，係藉由直 楮田具二泵l6〇c維持在真空狀 恶’以形成基板300之薄膜形成處理的準備狀態。 …接著’說明薄膜形成裝置12e的動作，並說明在薄膜 形成I置12e中’由選擇器、先選擇平行平板電極仏& 而在基板300上形成薄膜的情形。 首先’選擇器34ac選擇平行平板電極⑽，形成匹 配箱37ac與平行平板電極做連接的狀態。在該狀態下， 氣箱咖之原料氣體心，係藉由打開原料氣體供給間 21c而供給至成膜室16c，並藉由壓力調整閥"ο。調整成 膜室…内的壓力，高頻電源31ac的電力係經由匹配箱 37ac供給至平行平板電極。藉由供給到平行平板電極 ⑽的電力使原料氣體136c形成電渡狀態，並藉由在該 電漿中激發、分解，伟i + A Λ Λ 使八在基板3 00上產生膜形成反應， 而在基板300上形成η+型非晶形以膜。 接著選#益34ac選擇平行平板電極4lcL，形成匹 配箱心與平行平板電極侃連接的狀態。在此，與平 行平板電極4lcR相同，使原料氣體i36a激發、分解，而 在基板300上形成n+型非晶形y膜。 此外’在本實施例中，雖依照平行平板電極41CR、41cL 的順序施加薄膜形成處理，但其順序並無特別之限定。 、士在上述薄膜形成處理中’可藉由變更供給至各薄膜形 成 II 置 12a、l〇b、12c 的原料氣體 136(136a、136b、 的種』’刀別形成SlN膜、i型非晶形si膜以及n +型非晶 315145 82 1308362 形Si膜。如此藉由積層形成半導體薄膜，而形成TFT用 薄膜。 如此’於基板300上形成siN膜、i型非晶形Si膜以 及n+型非晶形Si膜後，打開設置於薄膜形成裝置工2c與 冷卻至1 07c之間的閘閥丨丨〇，並由未圖示之搬送裝置將基 板3 00由薄膜形成裝置J 2c之基板搬出部搬送到冷卻室 l〇7c，並將基板3〇〇配置在冷卻室l〇7c内。 此夺在薄膜形成裝置1 2 c内，在各平行平板電極施 加過薄膜形成處理的基板3〇〇，不會被搬送到不同的平行 平板電極。舉例而”在平行平板電極4lcR施加過薄膜 形成處理後’不會被搬送到平行平板電極41心 當配置在冷卻裳i 107c内的基板300經冷卻並降低到 預定溫度時，㈣未圖示之搬送裝置將基板綱搬送= :二!二亚在真空卸載室中將基板3。〇由真空環境移到 A乳％境中。 处一般，在該薄膜形成系統2c中，係在薄膜 裝置12a ' 12c中，山母城 你冷联形成 中由璉擇器34ac所選擇之平行平 所屬的薄膜形成裝置中進 免才° :擇平行平板電極而進行薄膜形成處理，因此不再1 = 平行平板電極_、似、做、佩提# 二要對 :源，而得以簡化電力供給系統，並降低薄 广 整體的成本專膜形成系統步降低薄模形成系統 此外’與前述實施例6、7相同，係根據薄膜形成裝 3]5145 83 1308362 此外，係藉由本發明形 和η型半導體所形成的薄膜 想之薄膜電晶體的效果。、 [圖式簡單說明] 成由氮化矽閘極薄膜、及i 電晶體，因此可獲得可形成 第1圖係顯示本發明 構成的構成圖。 之第1實施形態之薄膜形成系 第2圖係顯示本發明之第 要部的構成圖。 第3圖係顯示本發明之第 要部的構成圖。 1實施形態之薄膜形成系 2實施形態之薄膜形成系 第4圖係顯示本發明 要部的構成圖。"之第3實施形態之薄膜形成系 係顯示本發明之第4實施形態之薄 I °卩的構成圖。 第6圖係顯示本發明 要部的構成圖。 Θ之第5實施形態之薄 第7圖係顯示本笋明 構成的構成圖。，4弟6實施形態之薄膜形成系 構成顯示本發明之第7實施形態之薄膜形成系 構二=顯示本發明之第8實施形態之薄膜形成系 第10圖係顯示先前之 膜形成系 膜形成系 型 理 統 統 統 統 統 統 統 統 統 第11圖係顯示先前 薄膜形成系統構成的構成圖 之薄膜形成系統要部的構成圖 315145 86 1308362 第1 2圖係顯示先前之薄膜形成系統要部的構成圖。 1,2a,2b,2c,100 薄膜形成系統 5(5p，5n)，10(10a，10b，10c)，105(105p，105i,105n) 薄膜形成裝置 6(6p，6n)，7(7p，7n)，8(8p，8n),9(9p，9n),ll(lla, llc)，12(l2a 12c) 薄膜形成裝置（調整裝置） 15(15p，15n),16(16a，16b，16c)，120(120p，120i，120n)成膜室 17u，17v，17w，121u，121v，121w，181u，181v，181w 薄膜形成領域 20(20p,20n),2 5(25p,2 5n),2 6(26a,26b,26c)氣體供給系殊 21(21p,21n),21(21a,21b,21c),140(140p,140i,140n) 原料氣體供給閥 22(22u,22v,22w) 原料氣體分配供給閥 3 0(3 0p,3 0n)53 6(3 6p,3 6n),8 0a(8 0aL,80aR),8 0b(8 0bL,80bR), 81ac,81c, 170(17Op,170i,170η),190 電力供給系統 31(31aL,31aR, 31bL,31bR),31(31u,31v,31w),31ac,31c, 1 7 1 u，1 7 1 v, 1 7 1 w 高頻電源 3 2(32u,32v,32w),172u,172v,172w 分流器 33(33u,33v，33w)，173u，173v，173w 循環器 34(34u，34v，34w) 選擇器（切換裝置） 34(34a，34b，34c)，34ac 選擇器 3 5(35u，35v，35w)，174u，174v，174w，23 1，232,233 假負載 3 7 (3 7 aL，3 7 aR，3 7bL，3 7bR)，3 7ac，3 7c 匹配箱 40(40u，40v,40w) 陣列天線（電極） 41 a(41aL,41aR),41b(41bL,41bR),41c(41cL,41cR) 315145 87 1308362 平行平板電極 50(50p,50n),52(52a,52b,52c) 排氣系統 51(51p，51n)排氣系統（排氣機構） 67,68 擴散防止板 71,72 分隔壁 75u，75v，75w 獨立空間 76u,76v，76w 排氣口 77u，77v，77w 排氣遮斷閥 102h 加熱裝置 102L 真空載入裝置 107c 冷卻裝置 110 閘閥 13 0(130a,130b,130c),130(130p，130i，130n)氣箱 1 3 5( 1 3 5p，1 3 5i, 13 5η)，13 6(1 3 6a，13 6b, 136c)原料氣體 1 50(1 50a，150b，150c), 150(150p，150i,150n)壓力調整閥 160(160p，160i，160n)，160(160a，160b,160c)真空泵 180(1 80p，180i，180n) 電極 191 共通高頻電源 192 共通分流器 88 315145

Claims (1)

1. 1308362 第92】288〇7就專利申請案 (97年Π月4曰） 拾、申請專利範圍： Ϊ’ -種薄膜形成裝置，係藉由電漿Cvd(化學氣相沉積 於配置在成膜室内的基板上形成薄M的薄膜形成 裝置，其特徵為： 前述成膜室中設有分別配置有電漿生成用電極之 夕數個薄膜形成領域，且 1域Hi定前述多數個薄膜形成領域中之薄膜形成 I:使件有至少一個以上之電極接受電力供給而非全 前、+、_ ^ …°機構，並具備有：以限定於 形成領域中有電力供給至前述電極之 用原料氣體的氣體供給系統。 浆生成 2. -種薄膜形成裝置，係藉由電聚 法），於配置在成膜室内的基板上（b予乳相/儿積 裝置，其特徵為： t成薄膜的薄膜形成 前述成膜室中設有分別κ 多數個薄膜形成領域 |襞生成用電極之 具備有：以少於前述多數個薄膜 成，且不對分別配置於前述多數個薄膜/域的數量構 電極中全邱的雷朽'膜形成領域的前述 h π的電極而是對至少一 力的電力供給系統； 的電極供給電 選擇性地使前述多數個薄膜 電極與前述電力供給系統連接之‘心的各個前述 以限定於前述多數個薄領古以及 取唭域中有電力供給 315145修正本 89 ^08362 i 一一〜一 FI W^z/ψ i____ / 〜 第92128807號專利申請案 5 ^ , (97 年 11 月 4 日） 至則述電極之薄臈形成領域 供給電漿生成用原料氣體方式，對該薄膜形成領域 3·如申請專利範圍第2項^體供給系統。 前述電極係用以產生電襞：：裝置，其中， 4.如申請專利範圍第i項至 車：天：二 置，其中， 任一項之溥膜形成裴 前述多數個薄膜形成領域 板，以防止薄膜形成處理 乂界處設有擴散防止 膜形成處理的薄膜形成領域/、h體擴散到未施加薄 5.如申請專利範圍第1項至第3項中杠 置，其中，前述多數個薄膜开，成^項之薄膜形成裝 式形成之獨立空間。一項域係以互相氣密的方 6·如申請專利範圍第5項之薄膜形成裝置，直中， 排出前述成膜室内之氣體的 成機構具備有心麵料多數個薄膜形 遮斷^ 一個薄膜形成領域的氣體排出的排氣 7·Π:利範圍第1項至第3項中任-項之薄膜麵 =有絲板只H薄料^域，並於形成 2膜後再由該薄膜形成領域搬出至成模室外的搬送系 統0 8. m利範圍第1項至第3項中任-項之薄膜形成裝 315145修正本 90

   1308362 77W y日修(更)正替換頁 第92128807號專利申請案 (97年11月4曰） 具備有將基板搬入前述薄臈形成領域之搬入部，以 :用以在施加過薄臈形成處理後，將基板搬出之與該搬 入部不同的搬出部。 9. 種薄膜形成方法，係葬由雷將π,, 保糟由電漿CVD(化學氣相沉積 法），在分別配置於成膜室内之多數個薄膜形成領域中 的基板上形成薄膜的薄膜形成方法，其特徵為： 由將分別配置於多數個薄膜形成領域的電極選擇 性地連接至電力供給系統的切換裝置，從分別配置於前 述多數個薄膜形成領域的前述電極中選擇至少—個以 上的電極而非全部電極進行連接， 並將前述電力供給系統之電力供給到前述 置所選擇之電極’且以限定㈣述多數個薄膜形成領域 中有電力供給至前述電極之薄膜形成領域之方式，對該 薄膜形成領域供給電聚生成用原料氣體，而在供= 原料氣體之薄膜形成領域中，在前述基板上形成i膜二 10.如申請專利範圍第9項之薄膜形成方法，其令，、 由搬入部搬入之基板’係在施加過薄膜形成處理 後，由與該搬入部不同的搬出部搬出。 η.一種薄膜形成系統’係使多數基板經由多數個薄膜形成 裝置而在基板上積層形成多數薄膜之薄膜形成，盆 特徵為： 、/' 前述多數個薄膜形成裝置，係由薄膜形成 最長的基準裝置，·以及該基準裝置以外的調整褒置所 成’而該調整裝置係申請專利範圍第i項到第8項中任 315145修正本 91 1308362 第92128807號專利申請案 (97年11月4曰） 一項的薄膜形成裝置。 12·如申^專利範圍第11項之薄膜形成系統，其中， 前述調整裝置之工作狀態，係根據前述基準裝置之 薄膜形成處理時間而調整。 13. 如申請專利範圍第U項或第12項之薄膜形成系統盆 中， ，、 係著搬送基板的方向，以連續方式配置前述調整 裝置、前述基準裝置以及前述調整裝置， 並利用前述調整举罢丑/上、 f 、 堂裝置形成P型半導體薄膜，利用前 述基準裝置形成i型半®辦笼 千導體溥膜’再利用之後的前述調 整裝置形成η型半導體薄臈’而形成由p型、i型、打 型半導體所構成的太陽電池用積層體。 14. 如申請專利範圍第u項 Θ 4弟1 2項之薄膜形成系統，其 中， 、 係沿著搬送基板的方向，以連續方式配置前述調整 裝置、前述基準裝置以及前述調整裝置，並 利用前述調整農置形成氮化石夕薄膜， 利用前述基準裝詈开；！ 士、. , 戒置形成1型半導體薄膜， 利用之後的前述調整萝罟 , I裝置形成η型半導體薄膜， 而形成由氮化石夕閘核經矣 闲極絕緣膜、i型以及η型半導體 所構成的薄膜電晶體。 315145修正本 92