TWI302228B - A chucking system and method for modulating shapes of substrates - Google Patents

Description

1302228 玖、發明說明： t 明戶斤雇冷頁】 發明領域 本發明的領域概有關於壓印刻版術。更具言之’本發 5明係有關在壓印刻版製程中來減少不良的圖案變異之技 術0 【先前技術】 發明背景 微製造係有關非常小之結構物的製造’例如具有微米 10級或更小之特徵者。該微製造已具有甚大衝擊之一領域係 在積體電路的製造中。由於半導體製造工業不斷地追求更 大的產能，同時又逐增設在一基材上之每單位面積的電 路，故微製造愈漸變得更為重要。微製造能提供更大的製 程控制，並能容許更為縮小所製成之結構物的最小特徵尺 15寸。已使用微製造之其它發展領域乃包括生物科技、光學 技術及機械系統等等。 微製造技術之一例曾被示於WiUson等人的第6334960 號美國專利中。Willson等人揭露一種在一結構物中來形成 一紋路影像的方法。該方法包括提供一具有—移轉層的基 20材。該移轉層會被覆以一層可聚合的流體成分。一模具會 與該可聚合流體機械性地接觸。該模具含有一紋路結構， 而該可聚合流體成分會填滿該紋路結構。該可聚合流體成 分嗣會被處理來固化及聚合化，而在該移轉層上形成一固 化的聚合材料，其會含有一互補於該模具紋略的紋路結 1302228 構。該模具嗣會與該固態聚合材料分開，而使該模具之紋 路結構的複製物形成於該固化的聚合材料上。該移轉層與 固化的聚合材料會被置於一環境中’並相對於該固化聚合 材料來選擇性地蝕刻該移轉層，因此一紋路影像會被形成 5於該移轉層中。其所需時間及以此技術所能提供的最小特 徵尺寸，係取決於該可聚合化材料的成分。

Chou的第5772905號美國專利揭露一種刻版印刷方法 和裝置，可用來在一塗覆於基材上的薄膜中造成超細的 (36nm以下）圖案，其中有一模具設有至少一凸紋特徵，而 10 會被壓入一基材上的薄膜中。該模具上的凸紋會在該薄膜 中造成一凹槽。該模具會被由該薄膜釋除。該薄膜嗣會被 處理，以使在該凹槽内的薄膜被除去而曝露出底下的基 材。故，該模具中的圖案會被移轉於該薄膜上，而完成該 刻版印刷。在後續製程中，該薄膜上的圖案將會被重製於 15 該基材上，或在另一添加於該基材上的材料中。 又另一種壓印刻版技術係由chou等人揭露於2002年6 月的 Nature· Col 417 PP.835 〜837之“Ultrafast and Direct

Imprint of Nanostructures in silicon” 中，其係為一種雷射輔 助的直接壓印（LADI)法。在此製法中，一基材之一區域係 20 被製成可流動的，即以雷射加熱該區域使其液化。當該區 域達到一適當黏度之後，一設有圖案的模具會被置入來接 觸該區域。該可流動區域會順應於該圖案的廓形，然後會 冷卻而將該圖案固化於該基材上。以此方法來形成圖案之 一重要的考量是要保持該模具的控制。需要如此才能避免 1302228 諸如因模具的不當變形而造成該圖案的不良變異。舉例而 言。在平面中的扭曲會造成線寬的變異，以及圖案位置的 誤差。而平面外的變形會在光刻中造成失焦，導致底下殘 留層的厚度變異。此將會使線寬控制和蝕刻移轉皆造成困 5 難。 因此，乃有需要提供改良的技術來定形及固持該模 具，俾在形成一圖案時，得能相對於該基材來妥當地定位 該模具。 【發明内容】 10 發明概要 本發明係關於一種用來調制基材的夾合系統，其可妥 當地定形一模具，並在用該模具來形成一圖案時，相對於 一晶圓來定位該模具。該夾合系統包含一夾具本體具有第 一和第二相反面，並有一側面延伸其間。該第一面包含第 15 一與第二間隔分開的凹部，而形成第一與第二間隔分開的 支撐區等。該第一支撐區會包圍第二支撐區及第一和第二 凹部。該第二支撐區會包圍第二凹部，而與該第二凹部重 疊的本體部份係可透射具有預定波長的輻射。該部份會由 該第二面延伸而終結於第二凹部附近。該第二面與該側面 20 會形成各外表面。該本體含有第一與第二通道分別延伸貫 穿位於第一和第二凹部的本體，而導通於一外表面。 在另一實施例中，乃包含一壓力控制系統。該第一通 道會使第一凹部導通該壓力控制系統，而第二通道會使該 壓力控制系統導通第二凹部。當被安裝於該夾具本體上 1302228 時，該基材會貼抵第一和第二支撐區，而覆蓋第一和第二 凹部。該第一凹部與該基材的疊置部份會形成一第一腔 室，而第二凹部與該基材的疊置部份則會形成一第二腔 室。該壓力控制系統可操作來控制該第一與第二腔室的壓 5 力。具言之，該壓力會形成於第一腔室内來保持該基材與 夾具本體的定位。在第二腔室内的壓力可不同於第一腔室 内的壓力，俾減少壓印時發生於該基材内的扭曲變形。例 如，該第一腔室可被抽空來使該基材固抵於夾具本體，以 免令基材在重力下而與夾具本體分開。該第二腔室會被加 10 壓，而來減少該第二面在疊置部份的變形。於此方法中， 流體靜力加壓法會被用來使該基材吸附於夾具，並抵消施 於該基材的外力，而得防止該基材中的結構變形。本發明 之這些及其它的實施例將會更完整地說明如下。其中，一 種可供調制一具有第一與第二相反表面之基材的形狀之方 15 法，乃包括在第一表面的不同區域之間造成一壓力差，來 消減在第二表面中的結構變形。本發明之這些及其它的實 施例會被更完整說明於後。 圖式簡單說明 第1圖為本發明之一刻版系統的立體圖； 20 第2圖為第1圖之刻版系統的簡化示意圖； 第3圖為第2圖所示之一壓印層的材料在聚合化及交鏈 之前的簡化示意圖； 第4圖為第3圖所示之材料在被照射輻射之後轉變成交 鏈聚合材料的簡化示意圖； 1302228 第5圖為第1圖中所示的壓印層在圖案化之後，一模具 由該壓印層分開的簡化示意圖； 第6圖係第一壓印層中的圖案移轉於第5圖所示的基材. 之後，另一添加的壓印層設於基材上的簡化示意圖； 5 第7圖為第1圖中之印頭的詳細立體圖； 第8圖為本發明之一夾合系統的截面圖； 第9圖為第7圖之壓印頭的分解圖； 第10圖為第8圖中之夾具本體的底視平面圖； 第11圖為第2、5、6圖中之晶圓的頂視圖，其上設有該 10 等壓印層； 第12圖為第11圖之詳圖，示出在一壓印區中之模具的 位置； 第13圖為第8圖中的夾具本體之一變化實施例的底視 平面圖； 15 第14圖為第8圖中的夾具本體之一第二變化實施例的 截面圖； 第15圖為一依據本發明之方法來減少用壓印刻版技術 製成之圖案中的畸變之流程圖；及 第16圖為一依據本發明之變化實施例的方法來減少用 20 壓印刻版技術製成之圖案中的畸變之流程圖。 【實施方式3 較佳實施例之詳細說明 第1圖示出本發明一實施例的刻版系統10，其包含一對 間隔分開的橋架12，並有一橋桿14與一枱座16延伸其間。 10 I3〇2228 θ干14與枱座16係間隔分開。有一壓印頭18連結於該橋 _由該橋桿14朝向枱座16延伸。在該枱座16上設 有作動枱2〇面向該壓印頭18。該作動枱20係可沿X及γ軸 來相對於該枱座16移動。有一輻射源22連結於該系統1〇， 5而可照射光化學輻射於該作動枱20上。如圖所示，該輻射 源22係设在該橋桿14上，並包含一電源產生器^連接於該 輻射源22。 請參閱第1及2圖，該壓印頭18連結一基板26，其上設 有一模具28。該模具28含有多數的特徵構造，係由許多間 10隔分開的凹部和凸部28b等所形成，而具有一奈米級的 階狀高度h，例如l〇〇nm。該等特徵構造會形成一原始圖案， 其將會被移轉至一置於該作動枱20上的晶圓30中。於此， 該壓印頭18係可沿Z轴移動，而在該模具28和晶圓30之間改 變一距離“d”。以此方式，則在模具28上的特徵構造將會被 15 壓印於晶圓30之一可流動區域中，如後所詳述。該輻射源 22會被設成使該模具28位於輻射源22和晶圓30之間。因 此，模具28係由一種能供輻射源22所產生之輻射線穿透的 材料來製成。 請參閱第2與3圖’ 一可流動區域例如一壓印層34，會 20 被佈設在一部份的平面32上。該可流動區域可用任何習知 的技術來製成’例如在第57729〇5號美國專利案中所揭的熱 壓花法，其内容併此附送參考’或如也011等人在2002年6月 之 Nature，col· 417，PP 835 〜837“Ultrafast and Direct lmprint of Nanostructure in silicon” 中所揭的該種雷射輔助 11 1302228 直接壓印（LADI)法。惟在本實施例中，構成該壓印層34的 可流動區域會被沈積或許多分開佈設於晶圓30上之材料 36a的個別料滴36，此將於後詳述。該壓印層34係由一種材 料36a製成，其能被選擇性地聚合化及交鏈，而將該原始圖 5 案記錄其上來形成一記錄圖案。在第4圖中，該材料3如係 被示出在各點36b處交鏈結合，而形成交鏈聚合材料36c。 請參閱第2、3、5圖，被記錄於該壓印層34中的圖案係 可藉機械式接觸該模具28而來部份地製成。其中，該壓印 頭18會縮小該距離“d”，以使壓印層34能接觸該模具28，並 10 延展該等料滴36來製成該壓印層34，而使該材料36a的形成 物覆設在該平面32上。於一實施例中，該距離“d，，會被縮 減，而使壓印層34的各次部34a等充入並填滿各凹部28a。 為使能填滿各凹部28a，當以該材料36a來覆蓋平面32 時，該材料36a應具有所需的性質俾得完全填滿各凹部 15 28a。在本實施例中，該壓印層34之各次部34b會與該等凸 部28b重疊，而在一適當的一通常為最小的“d，，距離達到之 後，將會使各次部34a具有一厚度tl，且各次部34b具有厚度 心該厚度“tl，，與“t2，，可為任何所需的厚度，乃視用途而定。 通常，h會被選成不大於次部34a之寬度u的兩倍，亦即 20 2u，如第5圖中所示。 5月參閱第2、3、4圖，在一所需的距離“d，，達到之後， 輕射源22會產生光化學輕射來聚合化及交鍵該材料恤，以 形成交鏈的聚合材料36c。因此，該壓印層％的成分會由材 料36a轉變成材料36c，其係為固體。具言之，材料細會被 12 1302228 固化來形成該壓印層34的一面34c，其形狀係對應吻合於模 具28之一表面28c的形狀，如第5圖所示。在該壓印層34轉 變成第4圖所示的材料36c之後，在第2圖中的壓印頭18會被 移動來增大該距離“d，，，而使模具28與壓印層34分開。 5 15 20 請參閱第5圖，附加的處理亦可被用來完成該晶圓3〇 的圖案化。例如，晶圓30和壓印層34可被蝕刻來將壓印層 34的圖案移轉於晶圓3〇上，以形成一圖案化表面32a,如第 6圖所不。為便於_，製成壓印層％的材料係可依需要來 改變，俾能與該晶圓3〇形成一相對餘刻率。此壓印層34對 10 晶 晶圓30的相對_率可在約15 :山⑻：⑽範圍内。另 σ擇或可附力i也’ 5亥壓印層％亦能相對於選擇地佈設其上 的光阻材料(未M)具有-_率差。該光阻㈣可被設來 比驾射丁進—步地圖案化該壓印層34。任何钱刻方法 "乃取决於所需的蝕刻率以及製成晶圓30與壓 離:之下層材料。其侧方法之例可包括電漿餘刻， 反應=子_，化學濕㈣等。 射。其它及2_，—舉例的輻射源22可產生紫外線輕 样印声34/;原亦可使用，例如塾或電磁等。對用來使 ==::聚合化之峨的選擇係為專業人士 的該等特徵構造#发 〜X妹具28上 延伸，而开4— 部2崎沿一平行於凸部挪的方向 實際上係對應於^狀的截面。但，凹部28樓凸部28b等 可能小至數十奈米W來造成—積體電路所需的構造，而 ^。因此，較好能以熱穩定的材料來製造 13 1302228 该系統10的構件，例如在室溫（約25°C)時之熱膨係數小於 10ppm/C的材料。纟某些實施例中，其結構材料可具有〜 …、脹係數]、於l〇ppm/ C，或小於化口…艽。因此，該橋架、 橋桿14及/或抬座16等乃可由以下之一或多種材料來製 5成·石反化矽，商標名稱為INVAR◎或SUPER INVAR™的鐵 合金、陶兗’包括但不限於ZERODUR®的陶瓷。附設枱24 可用來使該系統1〇的構件與周遭環境的振動隔絕。該枱Μ 可由 California，Irdvine 的 Newport公司購得。 請參閱第7及8圖，其上附有該模具28的基板26會經由 10 一含有爽具本體42的炎合系統40來連結於列印頭外殼 18a。具言之’該基板26包含二相反表面26a與26b，及一周 邊表面26c延伸其間。表面26b會面對該夾合系統4〇，而模 具28會由表面26a突出。為確保由第2圖之料滴36所形成的 流體不會延展超出該模具28的區域，故如第8圖所示，該模 15 具28的表面28c會與基板26的表面26a分開一微米級的距 離，例如15微米。有一校準系統18b連結於壓印頭外殼， 而該夾具本體42會透過一撓曲系統18c將該基板26連結於 校準系統18b。該校準系統18b會促成該基板26與第5圖所示 的晶圓30之間的正確對準，而在其間達到一完全均一的間 20 距 “d”。 請參閱第7及9圖，該校準系統18b包含多數的致動器 19a、19b、19c等及一底板19d。具言之，該等致動器19a、 19b、19c會連結於外殼18a與底板19d之間。該撓曲系統18c 包含撓曲彈簧21a等及撓曲環21b。撓曲環21b係連結於底板 14 1302228 19d和撓曲彈簧21a之間。該等致動器19a、1%、i9c的作動 會調整撓曲環21b定向，而可粗略地校準該等撓曲彈善 21a，因此，也會大致地校準夾具本體42及基板％。該等致 動裔19a、1%、19c亦能使該撓曲環21b沿Z軸移動。撓曲彈 5貫21a包含多數的線狀彈簧而能在X-Y平面中促成羅盤似的 運動，以達到該晶圓30與基板26之間的正確對準，如第2圖 所示。 請參閱第8及10圖，夾具本體42會被設成可利用真空技 術來固持基板26，該基板26上附設有模具28。其中，該夹 10 具本體42包含相反的第一面46及第二面48。一側緣表面5〇 會延伸於第一面46與第二面48之間。第一面46包含一第一 凹部52及一第二凹部54，兩者間隔分開而形成隔開的第一 支撐區58及第二支撐區60。第一支撐區58會圍繞第二支撐 區60及第一和第二凹部52、54。第二支撐區60會包圍第二 15 凹部54。該夾具本體42與第二凹部54重疊的部份62，係可 供具有預定波長的輻射線穿透，譬如前述之光化學輻射的 波長。因此，該部份62會由一薄層的透明材料來製成，例 如玻璃。但是，製成該部份62的材料係取決於第2圖中所 示之輻射源22產生的輻射波長。該部份62會由第二面48延 20 伸而終結於第二凹部54附近，並具有一面積至少與該模具 28的面積一樣大，而與該模具28重疊。該夾具本體42中設 有一或多個通道如所示之64及66。有一通道’例如64，會 使第一凹部52導通側面50。另外的通道’例如66，則會使 第二凹部54導通該側面50。 15 1302228 應晴瞭解，該诵# <逼64亦可延伸於第二面48與第一凹部 52之間。同樣地，通 弘之門 、艰逼66亦可延伸於第二面48與第二凹部 、.重要的疋该等通道64和66須能便於分別使凹部52 # ^壓力控制系統，例如-泵抽系統70。 5該栗抽系統7〇可包含-或多數的果， 而能各自獨立地 控制= 452與54處的壓力。具言之，當被裝設於爽具本體 ^省基板26會貼抵第一58和第二60支撐區，而覆蓋 第52和第一54凹部。第一凹部52及該基板％與之重疊的 4伤44a會形成-第_腔室52a。第二凹部μ及該基板％與 10之重逢的部份44b會形成一第二腔室％。該栗抽系統7〇可 操作來控制該第一 52a和第二54a腔室中的壓力。 舉例而言，壓力可被形成於第—腔室52a，以保持該基 板26與夾具本體42的位置，並減少（若無可避免)該基板％ 在重力下與該夾具本體42分開的機會。在第二腔室54a内的 15壓力可不同於第一腔室5仏中的壓力，以減少該模具28上之 構造特徵所形成的圖案在壓印時發生平面外扭曲的狀況。 平面外扭曲係可此例如在弟2圖所示之壓印層μ接觸模且 28時，造成一頂抵模具28的向上力尺而來產生。藉著調制該 基板26的形狀，如第8圖所示，則該圖案的平面外扭曲若未 2〇能避免亦可被消減。例如，該泵抽系統70可在腔室54a中施 一正向Μ力來抵消該向上之力R。此將會在該第一面46的不 同區域之間造成壓力差’因此’該基板26以及模具28在該 力R作用下的凹曲’將能被控制或消減，而使該基板26與模 具28具有所需的預定形狀。该基板26和模具28可採用的形 16 1302228 狀包括橢圓面、弧曲面、平面、拋物面、鞍狀面等等。 請參閱第2及8圖，該壓印頭18可包含一壓力感測器18d 來檢測該力R之值，其即該模具28在壓印過程中所受之力。 該感測器所產生的資訊會被傳輸至一處理器71。回應此得 5自感測器18d的資訊，該處理器71會控制泵抽系統70在腔室 52a與54a中構造壓力來抵消該力r，而使基板26和模具％ 能有一所需的預定形狀。 在腔室52a與54a内的壓力可依據先前壓印過程中，被 壓力感測器18d所測得之力R的已知資料來構建。因此，在 10腔室52a與54a内的壓力，可在該模具28和壓印層34接觸之 前或者之後來構建，而來確保該基板26和模具28具有一所 需的預定形狀。在某些情況下，其最好於壓印過程中能隨 時地，或動態地來加壓該腔室54a。例如，最好能在該模具 28接觸壓印層34之後，才在該腔室54a中構建壓力，俾得依 15需要來妥當地定形該基板26。在腔室54a中所構建以使基板 26和模具28獲得所需形狀的正向壓力，係可能大於腔室52a 中所構造的真空壓力。此將會致使該基板26與夾具本體42 分離。 為在壓印時保持該夾具本體42與基板26之間的相對位 20置，故腔室“a中的壓力可在模具28接觸壓印層34之後才來 動態地構建。以此方式，則該力R與腔室52a中的真空吸力， 將能在腔室54a"正向壓力相抵之下，來確保維持該失具 本體42與基板26之間的相對位置。在該模具28於壓印層料 上印下該圖案之後，腔室54a内的壓力即可被調整來構建一 17 1302228 真空。以此方式，則該等腔室52a與54a皆具有真空吸力， 俾便於將模具28由壓印層34分開，而仍可保持該夾具本體 42與基板26之間的相對定位。 有一狀置會連結於該基板26,而能沿X及γ方向來壓縮 5 該基板，應可瞭解Y方向即進入第8圖之平面的方向。在本 例中，該壓縮裝置包含一氣密的囊袋系統包圍該基板26的 周面26c，而具有一或多個囊袋；有二囊袋72a與72b乃被示 出沿者Y轴延伸，應請瞭解沿著該周面26c的X軸延伸之囊 帶係為了清楚之故而未被示出，但仍包含於本實施例中。 10 除了該囊袋系統之外，其它附加的或替代的，能夠壓縮該 基板26的裝置亦可被使用’例如一夾钳或作用如一炎钳的 壓電致動器等。該等囊袋72a與72b導通泵抽系統70來控制 囊袋72a與72b内的壓力。以此方式，該等囊袋72&與7213將 可施力於基板26來改變其尺寸，並減少被記錄於第2圖所示 15 之壓印層34上的圖案之平面内扭曲。 記錄於壓印層34上的圖案之平面内扭曲，係可能例如 因該壓印層34與晶圓30的尺寸差異而產生。該等尺寸差異 係可能部份由於熱波動，以及先前製程步驟中的不精確， 造成一般所謂的擴大/越界誤差而來產生。該擴大/越界誤差 20係在當該晶圓30上要被記錄原始圖案的區域超過該原始圖 案的面積時將會產生。此外，該擴大/越界誤差亦可能在該 晶圓30上要被記錄原始圖案的區域，具有一小於該原始圖 案的面積時來產生。該等擴大/越界誤差的不良作用，在形 成多層的壓印圖案’如第6圖所示之重疊圖案化表面的 18 1302228 壓印層124時將會更加嚴重。在單步驟的全晶圓壓印及逐步 重複壓印製法中，由於此等擴大/越界誤差，在二重疊圖案 之間的正確對準皆會很難達成。 晴參閱第11和12圖，一逐步重複製法乃包括在晶圓3〇 5上形成多數區域，如所示的a〜i，其中將會被記錄模具四 上的原始圖案。該模具28上的原始圖案之範圍係可相同於 该模具28的整個表面，或僅在於其中的一小部份内。本發 月將針對忒原始圖案係等同於模具28面對晶圓3〇的表面之 狀況來說明，惟應請瞭解該基板26的面積會大於該各區域& 1 逐步重複製法的正確執行，係包括將該模具28正確 地對準該各區域a〜i。其中，該模具28會含有對準記號 114a，如所示的“+”符號。該等區域a〜i之一或多者亦會含 有基準記號110a。藉著確使該等對準記號U4a正確地對準 基準記號110a，則將能使該模具28與一區域a〜i正確地對準 15重璺。其中，機器監視裝置（未示出）可被用來感測該對準記 號114a與基準記號li〇a之間的互相對準。在本例中，當對 準記號114a與基準記號i10a重疊時，即代表已正確對準。 若有產生擴大/越界誤差，則正確對準會變得非常困難。 但，依據本發明之一實施例，藉著造成該模具28與晶 20圓30之間的相對尺寸差異，則即使未能避免亦可減少該等 擴大/越界誤差。具言之，該晶圓30的溫度會被改變，而使 一區域a〜1的面積稍小於該模具28上之原始圖案的面積。然 後，該等擴大/越界誤差的最後補償，可藉使用氣囊72a與72b 來對第8圖所示的基板26施以機械壓縮力而來達成，該等壓 19 1302228 細力又會以如第12圖所不之互相垂直的箭號匕和f2傳送至 該模具28。以此方式，該原始圖案的面積將會與重疊的區 域a〜1之面積相同。 請參閱第5及8圖，將該基板26施以壓縮力雖可經由撓 5 曲作用而來調制其形狀。但該基板26的撓曲亦會使被印於 壓印層34中的圖案造成扭曲變形。藉著設置該等囊袋72a與 72b，俾使基板26的撓曲能被控制僅沿一所需方向來發生， 則因5亥基板26挽曲所造成的圖案扭曲若未能消除亦可減 少。在本例中，該等囊袋72a與72b係被設成會壓縮該基板 10 26 ’而使其沿一平行且相反於該力R的方向凹曲。藉著以此 方式來控制該基板26的撓曲，則該夾合系統4〇將能被用來 補償撓曲力B，而使該模具28獲得一所需的例如曲面或平面 等。該泵抽系統70亦可被用來適當地加壓該腔室54a以達此 目的。例如，假設該撓曲力B大於向上力R，則該泵抽系統 15 70會抽空該腔室54a，而使其能有足夠的真空吸力來對抗該 撓曲力B。而若該撓曲力b小於向上力R，則泵抽系統7〇將 能適當地加壓該腔室54a，而使模具28保持平面，或任何其 它所需形狀。其確實的壓力係得以該各力r及B的先前資料 來決疋，並嗣得以一包含在泵抽系統7〇中的處理器7；][來分 2〇析，而使腔室52a和54a加壓至適當程度。又，該各力r及b 係可使用習知技術來動態地感測，例如前述之壓力感測器 18d和處理器71，因此在各腔室52a與54a中的壓力當操作時 可被動態地構建，而使基板26保持一所需形狀。該撓曲力 的大小係取決於許多因素，例如該周面26c的形狀，如該周 1302228 面26c是否正交於第-和第二面26a與26b，或者和它們形成 一斜角，以及該等囊袋72a與72b施加於該周面上的位 置，和第2圖所示之該平面32上的料滴36圖案等等。用來施 加一單壓縮力的裝置係被示出設在該周面的相反區域，例 5如囊袋7以與721)等。應請瞭解，多個壓縮力亦可被施加於 周面26c的各相反區域，如所示出之各力匕、hh等。 各力Fa、F4、F5、F6乃可依令該基板26具有所需形狀之需要， 而得有相同或不同的大小。一附加的效益係在該等腔室52a 與54a中之一或二者内的壓力可被構建成一正壓，而便於該 10基板26由該夾具本體42分開。此亦能藉壓力控制或以人力 來完成。 請參閱第8圖，當以囊袋72a與72b來壓縮基板26時，該 基板26與支撐區58和60之間會沿X與Y軸來產生相對移 動。因此，最好該各支撐區58和60的表面區域58a與60a上 15 所構成的材料，係能順應於該基材26的廓型，並能阻抗沿 該X和Y軸的變形。以此方式，則該表面區域58a與6〇a將能 阻抗該基板26與夾具本體42在X及Y方向的相對移動。 請參閱第8及13圖，在另一實施例中，該夾具本體142 可包括一或多個壁或障板如142a、142b、142c、142d等， 20 延伸於第一和第二支撐區158與160之間。以此方式，該各 壁/障板142a、142b、142c、142d會將凹槽152分成多個次區 152a、152b、152c、152d等，其在當該基板26被疊置於上 時，將會形成各次腔室。該各次腔室152a、152b、152c、 152d等可為氣密的，且各設有一通道(未示出）來與泵抽系統 21 1302228 70導通。可另擇或配合地，該各次腔室bzawc[亦可在該基 板26疊置時並不形成氣密腔室。各壁142a〜d等會與基板26 間隔分開來形如一障板。但可供流體通過其中。因此，藉 泵抽系統70來對凹槽152提供適當的壓力，則將可依需要在 5 各次腔室152a〜d之間形成壓力差。以一類似的方式，若有 需要，一或多個障板如所示之142e亦可被設成延伸於支撐 區160的二相對區域之間，而來形成次腔室15乜及1541)等。 現請參閱第2及13圖，設置如此構造的壁/障板142a〜d 等，則各次區域152a〜d將可隨時具有不同的壓力程度。因 10此，當該基板26被由壓印層34拉開時，施於該基板26上之 力的大小，在該基板26表面上的各部位會不相同。此將可 容該基板26由該壓印層34懸伸或剝離，而能減少該壓印層 34在與基板26分開時所造成的扭曲或瑕疵。例如，次腔室 152b内所構建的壓力可大於其它各次腔tl52a、152c、l52d I5内的壓力。結果，當該距離“d”逐增時，該基板26與各次腔 室152a、152c、152d重疊部份所受的拉力，將會比該基板 與次腔室152b重疊之部份所受的拉力更大。故，該基板％ 與各次腔室152a、152c、152d重疊部份之“d”距離的增加速 率，相較於該基板26重疊該次腔室152b的部份之“d，，的增加 20 速率會更快，而形成前述的懸伸效果。 在另一實施例中，如第14圖所示，該夾具本體242含有 多數的細銷242a等由外凹部252的底面252a突出。各銷242a 等會對被夾具本體242以真空吸持其上的晶圓（未示出）提供 機械支撐。此可使各支撐區258及260分別具有一表面區 22 1302228 258a及260a ’其係由能完全順應貼抵於支撐區258及26〇上 的晶圓表面（未示出）之材料所製成。以此方式，該等表面區 258a與260a得能與具有較大表面差異的晶圓密封抵接，例 如’當有微粒狀物存在於該晶圓表面與該等表面區25如和 5 260a之間時。該晶圓在Z方向的機械支撐並不需由該等表面 區258a與260a來提供。各細銷242&將會提供此支撐。其中， 該等細銷242a典型為具有圓形截面的硬條。 請I閱第11、12及15圖，在操作時，該晶圓30於χ-γ 平面中的精確測量會在步驟2〇〇來進行。此可藉使用機器監 10視裝置（未示出）及習知的信號處理技術來感測該晶圓30上 的整體校對基準ll〇b而來達成。在步驟202時，該晶圓30的 /m度了月b被改變’即升南或降低，而使一區域的面積能 猶小於模具28上之原始圖案的面積。該溫度的改變可使用 一能溫度控制並可供該晶圓30貼抵的吸盤或枱座（未示出） 15 而來達成。各區域a〜1的面積可藉測出二共線的校對基準 110b之間的距離變化而來決定。 具言之，在沿X軸或γ軸共線之二校對基準110b間的距 離變化會被決定。然後，此距離變化會被該晶圓30上沿X 轴之夕個相鄰區域a〜1來均分。此將可使各區域a〜1面積的尺 2〇寸^化’得由該晶圓30沿X轴的尺寸變化來構成。若有需 要’則同樣的測量亦可用來決定該晶圓30沿γ軸之尺寸變化 而造成之各區域a〜1的面積變化。但，亦可假設該晶圓30沿 該一正父軸X與γ的尺寸變化係為均一的。 在步驟204時，各壓縮力匕與？2會施於模具28，以使該 23 1302228 原始圖案的面積等同於重疊該圖案之一區域a〜i的面積。此 係可利用機器監視裝置（未示出）及習知的信號處理技術來 瞬時地達成，以決定二或多個對準記號114a對準於二或多 個基準記號110a的時點。在步驟2〇6中，當達成正確對準且 5擴大/越界誤差（若未消除)被減少之後，該原始圖案會被記 錄在與模具28重疊的區域a〜1中，來形成該記錄圖案。其不 -定要使該等壓縮力FAF2具有相同量值，因在晶圓3〇或 模具28中的尺寸調變並非在所有方向皆為相同。且，沿X 及Y方向的擴大/越界誤差亦可能不同。因此，各壓縮力h 10及F275可不同，而來補償該等變異。又，為能更大地消減 擴大/越界誤差，在該模具28接觸第6圖所示的壓印層124之 後，該模具28中的尺寸調變亦可被進行。但，此不一定需 要。 再請參閱第6、11及12圖，該模具28與重疊的區域以 15對準，亦可在該模具Μ與壓印層124分開時來進行。若已發 現在整個晶圓30上的擴大/越界誤差皆為固定，則針對該原 始圖案要印入之各區域a〜丨的匕及匕之大小乃可被保持。 但，若在第15圖的步驟202與204中判斷出一或多個區域 的擴大/越界誤差不同，則可在各區域W中來進行該模 20的對準。應請注意在晶圓30與模具28之間的相對尺寸調變 係有其限制。例如，該等區域a〜i的面積應有適當的尺寸， 俾當模具28受到壓縮力FjaF2時，能使該模具28上的圖案 變成與該區域a〜1相同的面積，而不會損及該模具28的結構 整體性。 σ 24 1302228 叫參閱弟5及16依據本發明的另一實施例，在步驟3〇〇 會進行該晶圓於X-Y平面的精確測量。在步驟302，則與模 具28重疊之一區域卜丨的尺寸會被決定。在步驟3〇4中將會 決定該與模具28重疊之一區域a〜1的面積是否大於該模具 5 28上的圖案面積。若是，則其程度會前進至步驟306，否則 即W進至步驟308。在步驟3〇8時，該模具28會被設成與所 重$的區域a〜1接觸，且所需的壓縮力匕與^量值亦會被決 疋’俾供施加於模具28時能確保該圖案的面積會等同於該 區域a〜1的面積。在步驟31〇,則該等壓縮力匕和匕會被施加 1〇於模具28。然後，該模具28會與重疊的壓域a〜1分開，而其 流程會前進至步驟312，來決定該晶圓3〇上是否還有任何區 域a〜1要記錄該原始圖案。若有，則其流程會前進至步驟 314，而使該模具與下個區域接觸，且其程序再回到步驟 。否則，該製程會在步驟316結束。 15 若在步驟304中決定該與模具28重疊的區域卜丨之面積 大於忒圖案的面積，則其程序會前進至步驟，其中該模 具28的溫度會被改變以使其膨脹。在本例中，該模具财 於步驟306被加熱，而使該圖案稍大於與其重疊的區域w 之面積。嗣將製程會前進至步驟31〇。 20 上述之本發明的各實施例皆為舉例而己。上述揭露可 有許多修正變化馳實施1仍包含於本發_範圍内。 :如，藉著將該夾具本體與基板所組成之各腔室以正麼力 來加壓’則該基板將可迅速地釋離該夾具本體。又，上述 之诸多實施例亦可於現行的堡印版製程中來實施，該等製 25 1302228 程並不使用沈積可聚合料滴所製成的壓印層。與本發明之 實施例不同的製法例可包括第5772905號美國專利所揭的 熱壓花法，其内容併此附送參考。此外，本發明的許多實 施例亦可使用如chou等人於2002年6月之Nature, col. 417， 5 99·835〜837的“Ultrafast and Direct Imprint of

Nanostructure in Silicon”中所揭之該種雷射輻助直接壓印 (LADI)法來實施。因此，本發明的範圍並不能參照上述說 明來決定，而應由所附申請專利範圍及其等效範疇等來決 定。 10 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明之一刻版系統的立體圖； 第2圖為第1圖之刻版系統的簡化示意圖； 第3圖為第2圖所示之一壓印層的材料在聚合化及交鏈 之前的簡化示意圖； 15 第4圖為第3圖所示之材料在被照射輻射之後轉變成交 鏈聚合材料的簡化示意圖； 弟5圖為第1圖中所示的壓印層在圖案化之後，一模具 由該壓印層分開的簡化示意圖； 第6圖係第一壓印層中的圖案移轉於第5圖所示的基材 20之後，另一添加的壓印層設於基材上的簡化示意圖； 第7圖為第1圖中之印頭的詳細立體圖； 第8圖為本發明之一爽合系統的截面圖； 第9圖為第7圖之壓印頭的分解圖； 第10圖為第8圖中之爽具本體的底視平面圖； 26 1302228 第11圖為第2、5、6圖中之晶圓的頂視圖，其上設有該 等壓印層； 第12圖為第11圖之詳圖，示出在一壓印區中之模具的 位置； 5 第13圖為第8圖中的夾具本體之一變化實施例的底視 平面圖； 第14圖為第8圖中的夾具本體之一第二變化實施例的 截面圖； 第15圖為一依據本發明之方法來減少用壓印刻版技術 10 製成之圖案中的畸變之流程圖；及 第16圖為一依據本發明之變化實施例的方法來減少用 壓印刻版技術製成之圖案中的畸變之流程圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 10…刻版系統 20…作動枱 12…橋架 21a…撓曲彈簧 14…橋桿 21b…挽曲環 16…枱座 22…輻射源 18…壓印頭 23…電源產生器 18a···列印頭外殼 24···附設枱 18b…校準系統 26…基板 18c…挽曲系統 26a，b…相反表面 18d···壓力感測器 26c…周邊表面 19a，b，c···致動器 28…模具 19d···底板 28a···凹部 27 1302228 28b···凸部 30…晶圓 32…平面 32a…圖案化表面 34，124…壓印層 34a，34b···次部 36…料滴 36a…材料 36b…交鏈點 36c···交鏈聚合材料 40···夾合系統 42，142,242···夾具本體 44a，b…重疊部份 46…第一面 48…第二面 50…側緣表面 52，152···第一凹部 52a…第一腔室 54…第二凹部 54a…第二腔室 58，158,258···第一支撐區 60，160,260…第二支撐區 62…透明部份 64,66···通道 70…泵抽系統 71…處理器 72a，b…囊袋 110a…基準記號 110b…校對基準 114a…對準記號 142a〜d"·壁 142e…障板 152···凹槽 152a〜cl···次腔室 154a，b…次腔室 200〜206···各步驟 242a"·細銷 252···外凹部 252a…底面 300〜316…各步驟

28

Claims (1)

1302228 :::κ 拾、申請專利範圍： ---------一一」 第92131719料射靜f請專概圍修正本 修正日期：96年8月 -種用來固持―基材的夾合系統，該夾合系統包含： 一失具本體具有第-與第二相反面，城等相反面 有一周緣表面延伸其間，該第—面包含分開的第一與第 二凹部，而界定出分開的第-與第二支撑區，且价 支樓區會包圍該第二支撐區及該第—和第二凹部，而該 10 弟二支撐區會包圍該第二凹部，又該本體重疊於該第二 =的部份係可透射具有預定波長的_，該部份會由 而終結於該第二凹部附近，該第二面與該 周緣表面會界定出數個外表面 伸貫穿該本體，而使該第一及第D亥本體包含一通道延 於該等外表面之—者。I，之-者流體導通 15 2. 如申請專利範圍第丨項之夾合 支樓區各設有-與支撑;；二’其中該第一與第二 二面，且該支撐表面係由_^表^向㈣ 所製成。 、應5亥基材之廓形的材料 20 1. 3. 如申請專利範圍第i項之失合系統 有多數分開的細銷由其内伸出。、中•一凹^ 4. =!::範圍!1項之夾合系統，其中該第-與第二 —#品:又有與支樓區相聯合的支撐表面背向該第 面且$支撐表面係由一材料所製成，該材料能在延 伸於該第一與第二相反面之間的第一方向上順應該基 29 1302228 材的廓形，並能阻抗橫交於該第一方向之另一方向上的 移動。 5. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，更包含一壁設在該 第一凹部内，並延伸於該第一與第二支撐區之間，而將 5 該第一凹部分成多個次腔室。 6. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，其中該第一支撐區 會同心圍繞該第二支撐區，而其形狀係選自於由環形、 多邊形及圓形所構成的一組形狀内。 7. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，更包含一裝置被耦 10 合來撓彎該基材以使該基材撓曲至一所需形狀。 8. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，更包含一壓力控制 系統流體導通於該通道，而當該基材貼抵該第一和第二 支撐區，並覆蓋該第一和第二凹部，使該第一凹部與所 重疊的基材部份界定出一第一腔室，並使該第二凹部與 15 所重疊的基材部份界定出一第二腔室時，該壓力控制系 統可操作來控制該第一與第二腔室之一者内的壓力。 9. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，更包含提供一附加 通道，而使該通道與該附加通道將該第一和第二凹部各 流體導通於該等外表面之一者，並包括一壓力控制系統 20 流體導通於該通道和該附加通道兩者，而當該基材貼抵 該第一和第二支撐區，並覆蓋該第一和第二凹部，使該 第一凹部與所重疊的基材部份界定出一第一腔室，並使 該第二凹部與所重疊的基材部份界定出一第二腔室 時，該壓力控制系統可操作來在該第一與第二腔室之間 30 1302228 造成一麼力差。 10 15 20 1〇.如申請專利範圍第1項之夹合系統，更包含提供-附加 通道，而使該通道與軸加通道將該第_和第二凹部各 =體導通於該等外表面之—者，且包含—勤控制系統 〜體導通於該通道和該附加通道兩者，以及_裝置被麵 合來撓f該基材以使該基材之相反兩面撓曲而當該基 材貼抵該第-和第二支撐區，並覆蓋該第一和第二凹 部:使該第—凹部與所重疊的基材之-第-部份界定出 -第-腔室，並使該第二凹部與所重疊的基材之第二部 伤界疋出-第二腔室時，該壓力控制系統可操作來控制 該第二腔室内的壓力，以調制該第二部份的曲率。 11.如申請專利範圍第i項之夾合系統，更包含—壁設在該 第-凹部内，並延伸於該第—和第二支撐區之間而將該 第一凹部分成多個次腔室’及—壓力控㈣統流體導通 該通道，其中該基材貼抵該第—和第二支_，並覆蓋 該第-凹部’以便該第1部與所重疊的基材部份界定 出一腔室時，該壓力控㈣統可操作來控制該等多個次 腔室中的壓力而於該等次腔室間造成壓力差。 12•-種用來固持-基材的夾合系統，該爽合系統包含： 一夾具本體具有第-與第二相反面，且該等相反面 有-周緣表面延伸其間，該第—面包含分開的第一盘第 二凹部，界定出分開的第-與第二切區，且該第一 支撐區會包圍該第二支撐區及該第—和第二凹部，而該 第二支撐區會包圍該第二凹部’又該夹具本體重疊於該 31 1302228 第二凹部的部份係可透射具有預定波長的輻射，該部份 會由該第二面延伸而終結於該第二凹部附近，該第二面 與該周緣表面會界定出數個外表面，且該本體包含第一 及第二通道延伸貫穿該夾具本體，使該第一通道將該第 5 —凹部流體導通於該等外表面之一者，並使延伸貫穿該 夾具本體之該第二通道將該第二凹部流體導通於該等 外表面之一者，且該第一與第二支撐區各設有一與支撐 區相聯合的支撐表面背向該第二面，該支撐表面係由一 材料所製成，該材料能在延伸於該第一與第二相反面之 10 間的第一方向上順應該基材的廓形。 13. 如申請專利範圍第12項之夾合系統，更包含一壁設在該 第二凹部内，並延伸於該第一與第二支撐區之間，而將 該第一凹部分成多個腔室。 14. 如申請專利範圍第12項之夾合系統，其中該第一支撐區 15 會同心圍繞該第二支撐區，而其形狀係選自於由環形、 多邊形及圓形所構成的一組形狀内。 15. 如申請專利範圍第12項之夾合系統，更包含一氣囊被耦 合來撓彎該基材以使該基材之相反兩面撓曲。 16. 如申請專利範圍第12項之夾合系統，其中該材料能阻抗 20 橫交於該第一方向之另一方向上的移動。 17. 如申請專利範圍第15項之夾合系統，更包含一壓力控制 系統流體導通於該第一及第二通道，而當該基材貼抵該 第一和第二支撐區，並覆蓋該第一和第二凹部，使該第 一凹部與所重疊的基材之一第一部份界定出一第一腔 32 1302228 室，並使該第二凹部與所重疊的基材之第二部份界定出 一第二腔室時，該壓力控制系統可操作來控制該第一腔 室及第二腔室内的壓力，以使該第二腔室内所構建的壓 力能調制該第二部份的曲率。 5 18.如申請專利範圍第12項之夾合系統，其中該第一凹部含 有多數分開的細銷由其内伸出。 19. 一種用來固持一基材的夾合系統，該夾合系統包含： 一夾具本體具有第一與第二相反面，且該等相反面 有一側表面延伸其間，該第一面包含分開的第一與第二 10 凹部，而界定出分開的第一與第二支撐區，且該第一支 撐區會包圍該第二支撐區及該第一和第二凹部，而該第 二支撐區會包圍該第二凹部，該第二面與周緣表面會界 定出數個外表面，且該夾具本體包含一通道延伸貫穿該 夾具本體，而使該第一及第二凹部之一者流體導通於該 15 等外表面之一者，且當該基材貼抵該第一和第二支撐 區，並覆蓋該第一和第二凹部時，會使該第一凹部與所 重疊的基材部份界定出一第一腔室，並使該第二凹部與 所重疊的基材部份界定出一第二腔室，又該夾具本體重 疊於該第二凹部的部份係可透射具有預定波長的輻 20 射，該部份會由該第二面延伸而終結於該第二凹部附 近；及 一壓力控制系統，由該第一通道使該第一和第二凹 部之一者流體導通於該壓力控制系統，該壓力控制系統 可操作來在該第一及第二腔室之間造成壓力差以調制 33 1302228 該基材的曲率。 20. 如申請專利範圍第19項之夾合系統，更包含一裝置被耦 合至該本體來挽彎'該基材以使該基材之相反兩面撓曲。 21. 如申請專利範圍第19項之夾合系統，更包含一壁設在該 5 第一凹部内，並延伸於該第一和第二支撐區之間而將該 第一凹部分成多個次腔室，而該壓力控制系統可操作來 在該等多個次腔室之間造成不同壓力。 22. 如申請專利範圍第19項之夾合系統，其中該第一支撐區 會同心圍繞該第二支撐區，而其形狀係選自於由環形、 10 多邊形及圓形所構成的一組形狀内。 23. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，更包含一裝置被耦 合來撓彎該基材以使該第一及第二相反面之一者的形 狀撓曲。 24. 如申請專利範圍第1項之夾合系統，更包含一壓力控制 15 系統流體導通於該通道，而當該基材貼抵該第一和第二 支撐區，並覆蓋該第一和第二凹部，使該第一凹部與所 重疊的該基材部份界定出一第一腔室，並使該第二凹部 與所重疊的該基材部份界定出一第二腔室時，該壓力控 制系統可操作來控制該第一與第二腔室之一者内的壓 20 力。 25. —種用來調制一基材形狀的方法，該基材具有第一和第 二相反表面，且該第二相反表面面對一壓印層，而該方 法包含： 在該第一相反表面的不同區域之間造成一壓力差 34 1302228 、藉由抵銷4第二相反表面上所承受之因該第二相反 表面與6亥壓印層之接觸所引起之外部壓力來使該第二 相反表面獲得所需的形狀。 26·如申請專利範圍第_之方法，其中該造成壓力差更包 5 ^使該等不同區域之第—小組區域承受—拉力，並使該 不同區域之卓一小組區域承受一推力，而令該第二相 反表面之一個次部份具有所需的預定形狀。 27·如申請專利範圍第25項之方法，其中該造成壓力差更包 含使該等不同區域之第一小組區域承受一拉力，該拉力 L〇 係實質大於該料同區域之其餘區域所受的拉力，而該 第一小組區域係鄰靠並位於該基材的周緣附近。 28·如申請專利範圍第25項之方法，更包含施加壓縮力於該 基材來改變其尺寸而造成一撓彎作用，而該造成壓力差 更包含造成一拉力來消減該撓彎作用，以使該第二相反 15 表面的一部份保持所需的預定形狀。 29.如申請專利範圍第25項之方法，其中該造成壓力差更包 含構建一第一不同區域來圍繞一第二不同區域，且該第 一區域會被施加一拉力，而該第二區域上會存在有一推 力。 20 30.如申請專利範圍第25項之方法，其中該造成壓力差係動 態地產生。 31·如申請專利範圍第25項之方法，更包含以該第二相反表 面接觸該壓印層；將該第二相反表面與該壓印層分開； 以及在分開後藉由造成一針對該第一相反表面的置入 35 1302228 壓力而終結該壓力差。 32. 如申請專利範圍第25項之方法，更包括在該第二相反表 面上設置一模具，該模具上具有一圖案面對該壓印層， 並使該壓印層與該模具接觸；其中該造成壓力差更包含 5 提供一夾具本體，該夾具本體具有第一和第二相反面且 有一周緣表面延伸於該第一和第二相反面之間，該第一 相反面包含分開的第一和第二凹部，而界定出分開的第 一和第二支撐區，當該基材貼抵該分開的第一和第二支 撐區，並覆蓋該分開的第一和第二凹部，而使該第一凹 10 部與所重疊的基材之一第一部份界定出一第一腔室，並 使該第二凹部與所重疊的基材之一第二部份界定出一 第二腔室時，該壓力差可藉在該第一和第二腔室内構建 不同的壓力程度而來造成以使該基材維持在該夾具本 體上，並更包含在該壓印層與該模具接觸之後，於該第 15 二腔室内構建一正壓力以使該基材從該夾具本體移除。 33. 如申請專利範圍第32項之方法，更包含由該壓印層來分開 該模具，並在由該壓印層分開該模具之前抽空該第二腔室。 34. 如申請專利範圍第25項之方法，其中該造成壓力差更包 含使各個該等不同區域具有不同的壓力。 20 35. —種用來調制一基材形狀的方法，該基材具有第一和第 二相反表面，且有一側表面延伸於該等相反表面之間， 而該方法包含： 在該第一相反表面的不同區域之間造成一壓力 差；及 36 1302228 藉由使该側表面負載來造成該基材凹曲以及改變 該壓力差來抵銷該側表面及該第二相反表面上所承受 之外部力而消減該第二相反表面中的結構扭曲。 36·如申請專利範圍第35項之方法，其中該消減結構扭曲更 包含獲得關於該外部力強度的資訊，並回應該資訊來調 整忒壓力差以調制該第二相反表面之形狀至一所需預 定形狀。 37.如申請專利範圍第36項之方法，其中該造成壓力差更包 含提供一夾具本體，該夾具本體具有第一和第二相反面 且有一周緣表面延伸於該第一和第二相反面之間，該第 一相反面包含分開的第一和第二凹部，而界定出分開的 第一和第二支撐區，當該基材貼抵該分開的第一和第二 支撐區，並覆盍該分開的第一和第二凹部，而使該第一 凹部與所重疊的基材之一第一部份界定出一第一腔 至，並使该第二凹部與所重疊的基材之一第二部份界定 出一第二腔室時，該壓力差可藉在該第一和第二腔室内 構建不同的壓力程度而來造成。 38·如申請專利範圍第36項之方法，更包括設置一與該第二 相反表賴立的晶圓，且以夾具本體移賴第二相反表 面，以致於該第二相反表面與該第二腔室重疊之部份接 觸該晶圓，而導致有-朝向該第二相反表面的力被施加 ㈣部份上，而該消減結構扭曲更包含對該第二腔室加 壓以有足夠的正流體壓力來令該部份有一所需的預定 形狀。 37 1302228 39.如申請專利範圍第36項之方法，更包括設置一與該第二 相反表面對立的晶圓，且以夾具本體移動該第二相反表 面，以致於該第二相反表面與該第二腔室重疊之部份接 觸該晶圓，而導致有一朝向該第二相反表面的壓擠力被 5 施加於該部份上；且施加壓縮力於該側表面來改變基材 尺寸而造成一撓彎力使該基材於一預定方向上撓彎；而 該消減結構扭曲更包含決定該撓彎力與該壓擠力之間 的相對強度差異而對該第二腔室適當地加壓以令該部 份有一所需的預定形狀。 10 40.如申請專利範圍第35項之方法，更包括在該第二相反表 面上設置一模具，該模具上具有一圖案面對一壓印層， 並使該壓印層與該模具接觸；其中該造成壓力差更包含 提供一夾具本體，該夾具本體具有第一和第二相反面且 有一周緣表面延伸於該第一和第二相反面之間，該第一 15 相反面包含分開的第一和第二凹部，而界定出分開的第 一和第二支撐區，當該基材貼抵該分開的第一和第二支 撐區，並覆蓋該分開的第一和第二凹部，而使該第一凹 部與所重疊的基材之一第一部份界定出一第一腔室，並 使該第二凹部與所重疊的基材之一第二部份界定出一 20 第二腔室時，該消減結構扭曲更包含在該壓印層與該模 具接觸之後，於該第二腔室内構建一正壓力。 41.如申請專利範圍第40項之方法，更包括設置一與該第二 相反表面對立的晶圓，而該晶圓上設有該壓印層；且在 該第二相反表面與該晶圓之間造成相對移動，以致於該 38 1302228 第一相反表面與該第二腔室重疊之部份接觸該壓印層； 並在接觸之後增加該部份與該晶圓之間的距離，而該距離 之改又速率對不同之次部份而言係為不同且由該壓力差界 定。 42. 一種用來調制-基材形狀的方法 ’该基材具有第一第 才反表面’且有一侧表面延伸於該等相反表面之間， 4基材係與1圓分開，而該晶圓上設有-壓印層；該 方法包含： ^界疋出多個與該第一相反表面流體導通之壓力腔 ，一其係藉由提供一夹具本體，該夾具本體具有第一和 第相反面且有一周緣表面延伸於該第一和第二相反 面：間’该第-相反面包含分開的第-和第二凹部，而 1 ^出刀開的第-和第二切區，將該基材貼抵該分開 的第一和第-、， 红 一叉擇區’亚覆蓋該分開的第一和第二凹 二使㈣1部與所重4的基材之—第—部份界定出 第腔至，並使該第二凹部與所重疊的基材之一第二 部份界定出-第二腔室； /藉由在4第一及第二腔室之間造成壓力差來以流 體靜力支持該基材抵抗重力；及 …稭由使該側表面負縣造成該基材 凹曲以及改變 該第二腔室的壓力來抵銷該側表面及該第二相反表面 上所承文之外部力而消減該第二相反表面中的結構扭 曲。 如申明專利範圍第42項之方法，其中該消減結構扭曲更 39 1302228 包含獲得關於該外部力強度的資訊，並回應該資訊來調 整該壓力差以調制該第二相反表面之形狀至一所需預 定形狀。 44·如申請專利範圍第43項之方法，更包括設置一與該第二 5 相反表面對立的晶圓，且以夾具本體移動該第二相反表 面，以致於該第二相反表面與該第二腔室重疊之部份接 觸該晶圓，而導致有一朝向該第二相反表面的接觸力被 施加於該部份上；而該消減結構扭曲更包含對該第二腔 室加壓以有足夠的正流體壓力來令該部份有一所需的 10 預定形狀。 45. 如申請專利範圍第44項之方法，更包括施加壓縮力於該 側表面來改變基材尺寸而造成一撓彎力使該基材於一 預定方向上撓彎；而該消減結構扭曲更包含決定該撓彎 力與該接觸力之間的相對強度差異而對該第二腔室適 15 當地加壓以令該部份有所需的預定形狀。 46. 如申請專利範圍第45項之方法，更包括在該第二相反表 面與該晶圓之間造成相對移動，以致於該部份接觸該壓 印層；並在接觸之後增加該部份與該該壓印層之間的距 離，而該距離之改變速率對不同之次部份而言係為不同且 20 由該壓力差界定。 47. —種用來調制一基材形狀的方法，該基材具有第一和第 二相反表面，且有一侧表面延伸於該等相反表面之間， 該第二相反表面上設有一圖案面對一壓印層；該方法包 含： 40 1302228 使該側表面負載來造成該基材凹曲； 在該第一相反表面的不同區域之間造成一壓力差 來消減該圖案中之扭曲並維持該第二相反表面之所需 的預定形狀。 5 48. —種用來調制一基材形狀的方法，該基材具有第一和第 二相反表面，且有一側表面延伸於該等相反表面之間， 該基材係與一晶圓分開，而該晶圓上設有一壓印層；該 方法包含： 藉由在該第一相反表面之第一及第二區域之間造 10 成壓力差來以流體靜力支持該基材抵抗重力；及 藉由動態地改變該第二區域之壓力來抵銷該第二 相反表面上所承受之因該壓印層與該基材之接觸所引 起之變化的外部壓力而消減該第二相反表面中的結構 扭曲。

41