TWI301303B - Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices - Google Patents

Description

1301303 (2) 部（即兩相對的末端），因此能導引光生成電流以線性方式 流動穿越該裝置。眾所周知，常見的其他基板（例如藍寶 石）為非傳導性的，而絕緣或半絕緣的基板是無法形成幾 何形狀為垂直的裝置。換言之，各別的歐姆接觸面必須以 橫向而非垂直方式置於裝置内。可是，在大多數的情形 下’垂直方向提供許多優點，包括尺寸較小，而一般上也 幸父易於與電路和包裝整合，因此成本也得以降低。 要賦予發光二極體所需功能，應加強裝置的結構，不然 將妨礙光線發射功能。此外，LEDs的額定值，通常是以 已知電流強度（例如：亳安培，_mA)下的基礎光線輸出（例 如以微瓦，μ M為單位的亮度）來進行計算。因此，當歐 姆接觸面構成碳化矽基板時，將覆蓋的基板量降至最=為 b 1優先9添加方式，因為這樣才可讓二極體儘可能產生 光線，並以如同其他方向般發射光線穿越基板。 此外為了要產生歐姆接觸面以生成矽基板，優先採用 的技術和結構為結合數層金屬。例如，剛在前文提到的發

光一極體和雷射，复巷*加f Μ -H* Ir- \ r-K 田对具^邵（即基板）歐姆接觸面的生成，通 常是先投置第一層鐘ΓΝι·、，铁+廿 Θ垛（N1)，然後再在其上覆蓋一或更多的 額外金屬層，這歧今凰爲 一金屬層的材料疋（例如）經過選擇的鈦 (Ti)和黃金（Au)，或鈦（Ti)、合今Ύρ、 # '取έ;金（pt)和黃金的組合或合金。 在本發明觉讓人的可用TPHcrb XT . 〇 了用LEDs中，Νι和Ti/Au金屬層生成 形狀為字母「X」圖；^ α 一你療#上人士 Ώ樣，以使覆蓋的表面面積降至最小。 在其他裝置（例如動力裝罾、φ 士 々刀哀置）中，大型歐姆接觸面將較具優 點，但在LED中，避免全屬蔣敕 尤1屬將整面（則或後）覆蓋則較為理 1301303

(3) 想。因為歐姆金屬將吸收光線，因此將降低總輸出及裝置 的效率。 如同半導體技術中那些十分常見的普通技藝，商業裝置 經¥由半導體材料的環形晶圓大量生產而成。以一般常識 而論’本文所述的「晶圓」這個項目，可視為一種與實質 上平行的大型表面面積相較之下，具備更小厚度的參考項 目。「晶圓」這個項目，可包含單一結晶基板、具磊晶層 的基板，或含有大量（通常為相同的）裝置或電路的基板。 本文論及的項目晶圓，通常將被視為一種含有大量相同的 光電子裝置（通常為LED所用的)，由基板上的摻雜磊晶層 所形成，且各裝置具有各別歐姆接觸面的參考項目。 在半導體晶圓上的裝置製造完成後，該晶圓將被切割 (「切成小塊」）為個別晶片組，每一晶片組將含有單一裝 置。封裝前，每一晶圓應進行檢視以確保金屬層已正確鋪 設在晶片組的背面。假如短少Ni或Ti/Au層，則與半導體 基板之間將無法建立良好的歐姆連接。易言之，即使已建 立歐姆接觸面，不良生成層仍可能引致長期的可靠性問 題。 目前，這種SiC-基LED的檢視步驟已經採用人工作業， 但十分耗時且需要特殊設備。此外，該檢視步驟亦同時使 製造過程增加了額外的、分·離且非整合的步驟。造成的結 果是，該檢視步驟可能變得有點無效率和不精確。此外， 因為該檢視步騾採用人工作業，因此不可能易於與其他製 造步驟以增加整體製程效率的方式結合。

1301303 (4) 無論如何，能在早期階段識別瑕疵裝置，將可避免損失 更大的後期故障。易言之，於晶圓階段就進行led瑕疵品 的識別和棄置作業，較生產完全封裝完成但含有於早期就 該發現瑕疵的裝置，將可節省更多的額外成本。因此，於 早期識別碳化矽基板背面是否短少合適的金屬層是十分 重要的。 此外，碳化矽晶圓也相對較貴。因此，即使發生破裂時， 其中尚可能包含可用的晶片，因此需要加以檢視。而結合 於製造流程中的個別晶片或裝置，也可能尚存有良品，因 此也需要加以檢視、熟悉半導癥製造的人都會了解到，增 加晶圓或製程的高品質裝置之百分比，是增加獲利的最基 本手段。 發明目標及發明概要 因此，本發明的目標為提供一種裝置，以及一種檢視該 裝置的方法，可加強製造過程的品質管制與增加效率。 透過一種可加強裝置的品管檢視作業之半導體結構，本 發明得以達成此目標。該結構包含一具有至少一平面表面 的基板，一位於該平面表面上，以第一預定幾何圖樣覆蓋 該平面表面某些部分但非全部的一第一金屬層，以及另一 位於該平面表面上，以不同於第一預定幾何圖樣的第二預 定幾何圖樣，覆蓋該平面表面某些部分但非全部的一第二 金屬層。 一種半導體裝置製程的品質管制方法，為本發明的另一 面向。該方法包括依第一預定幾何圖樣將第一金屬層置放 1301303 (5) 在裝置之半導體表面的步騾，依不同於第一預定幾何圖樣 的第二預定幾何圖樣，將第二金屬層置放在裝置之半導體 表面的步驟，然後再對該裝置加以檢視，以識別前述圖樣 其中之一或二者是否已置放在該表面之上。 前述及其他有關本發明的目標與優點，以及方式，將會 一同達成，這是非常明顯的；請參照後述的詳細說明，並 配合下列附圖，其中： 圖式簡單說明 圖1為傳統發光二極體的底部平面視圖； 圖2為圖1所示之二極體沿線ί-2剖開的剖視圖； 圖3為具初級及次級平面半導體晶圓的上部平面視圖； 圖4為圖3所示之晶圓的部分放大圖； 圖5為根據本發明設計之半導體裝置的底部平面視圖； 圖6為根據本發明設計之半導體裝置另一底部平面視 圖； 圖7也是根據本發明設計之半導體裝置另一底部平面視 圖； 圖8為根據本發明不同具體實施例設計之裝置的底部平 面視圖； 圖9為根據本發明設計之半導體裝置另一底部平面視 圖； - 圖10也是根據本發明設計之半導體裝置另一底部平面 視圖；以及 圖11為根據本發明設計之晶圓檢視系統概要圖。 -10- 1301303

⑺ 解方式說明此型裝置一般包含一磊晶層13,且通常為許多 重磊晶層’而兩磊晶層則可形成一 p-n接面。熟悉這些裝 置的人都會知道，注入的電流（載子）將穿越p_n接面進而 激發LED °大多數裝置的磊晶層13是在基板14上長成的， 特別是在基板1 4的上表面1 5，而基板i 4的上表面丨5的相對 表面1 6則有一組金屬接觸面。 S1C基板合用的示範性成長技術，已揭示在美國專利編 號 4,866,005與其再版尺£34,861，以及 6,045 613。 圖2同樣也說明當該裝置在碳化矽形成時，圖1的金屬層 12最好也由混合金屬形成。可瑄解的是，選擇歐姆接觸面 適用的金屬，是取決於半導體材料及其摻雜成分的性質。 歐姆接觸面的原理及效能方面，在半導體技術中是早已耳 熟能詳了。範例性討論可見於Sze，Physics 〇f Semic〇nduct〇r Devices，John Wiley & Sons，Inc· (1981)中，由第 245 頁開始之 第五早「Metal-Semiconductor Contacts」。圖2說明於碳化石夕 生成的半導體裝置，例如那些根據本發明所討論的，其歐 姆接觸面最好在第一金屬層17形成，對於碳化矽來說，典 型的金屬層是採用鎳。至於第二金屬層2〇，對於碳化矽來 說，典型的金屬層是由合金生成，合金的成分可以是鈦與 黃金，或鈥、白金（Pt)與黃金。 為碳化矽提供歐姆接觸面·，以及最終產生歐姆接觸面結 構的不範性技術，已揭示於公共受讓之美國專利編號 5’323,〇2及5,4〇9,859，以及本文於前述所參考的許多[ED專 利。 -12-

1301303 ⑻ 為了要進一步闡釋及說明本發明，圖3為一泛稱為2 1的 半導體晶圓之上部平面視圖。晶圓的性質、製造及處理’ 在半導體技術中已廣為人知，除了必須用來闡釋本發明的 部分，餘者將不會在本文中詳加說明。晶圓21通常為圓 形，但典型的尚包含一初級平面22，而且最好也包含一次 級平面2 3。那些熟悉晶圓處理的人都知道，初級及次級平 面22、23可容許晶圓根據其上裝置實施最後的排列方式， 因為該等裝置在晶圓上生成方式，是取決於與初級及次級 平面22、23的預定關聯方式。 圖4為晶圓2 1的部分放大圖。_可以理解的是，圖4的比例 是沒有必要放大的，但通常是用來說明半導體晶圓的典型 製造方式。具體來說，圖4說明即使是晶圓2 1的一個微小 部分，也含有複數個獨立裝置10。該等裝置在大多數具體 實施例中，於任一晶圓中都是相同的，包括圖1及2所示的 金屬層12。 圖1、2、3及4為一通用架構及背景，圖5至11則說明本 發明的特定功能特色。 因此，圖5說明一有標半導體材料24，其在一較佳具體 實施例中為裝置10的一部分，依次為晶圓21上許多裝置10 之一。半導體材料24包含一表面部分25,表面25其上附帶 一金屬層泛稱為26。具體來說，第一金屬層26於裝置10 的表面25形成，但不會佔據全部表面。該金屬層26將形成 一具有旋轉對稱Cn的圖樣，其中η至少為2。如前所述， 金屬層26在半導體材料上形成一歐姆接觸面，而當該半導 -13 - (9) 1301303 體 時 合金組成的群組中，或此群級 取材。 …

材料是由^匕石夕（如同在較 ，典型的金屬層是從由鎳、 佳具體實施例中一樣）組成 鈦、黃金、白金、釩、鋁、 内之金屬所組成的混合物中 本文内所使用的旋轉對 *. 解的數學通識。即是說 心稱為Cn，是常用且易於了 旋轉，其形狀均是1樣’將此圖樣以3 60除以整數η的角度 旋轉此圖樣，將回復或產；因此’當η為2時，即以18〇度 此，在圖5中，當很了解時個與原來相同的圖樣。因 層m斤對應的第―金屬展可說明應與圖2中所示例子鎳 ，說明在-較佳ιΛ’ ^在半導體材料24之上。 八& κ施例中，或有2層金屬需求 代具體實施例中，本發 屬而t的替 +贫月進—步包含一第二 半導體材料24之羞而w L 项曰/置於 面25上，此金屬層只佔用表面25的部 但非全部，而第二金屬厣 1刀 金屬層27形成的圖樣與第一金屬層 26有所不同，但第二團祥 一圖樣27同樣具有旋轉對稱Cll ,其中 至少為2。 、 ❿ 本文將繼續討論本發明的方法層面，因為旋轉逢 C2 ’從裝置或基板的頂端或底部檢視圖樣，結果的_ 相同的因此，該裝罾可以灼τ2? α ^ 、、 策置了以從頂端或底部進行檢視，這^ 種不同環境中可能是有所需要的。 現在更詳細的檢視圖5及6，第一金屬層26是由兩十字條 紋30及3 1所形成的，而第二金屬層27也是以相似的方式由 兩十字條紋32及33所形成。關於這些條紋，為了提供金屬 層26對稱C2，條紋30包含了凸出部分34及35，而同樣構 -14- 1301303 (10)

W 成金屬層26的另一條紋31則沒有包含任何凸出部分。因 此，金屬層26是否存在或短少可以由凸出部分34及35的存 在與否加以識別。 類似的方式也應用在第二金屬層2 7，條紋3 3同樣包含了 凸出部分36及37。因此，第二金屬層27是否存在或短少可 以由凸出部分3 6及3 7的存在與否用視覺加以識別。 在較佳具體實施例中，層2 6及2 7互相覆蓋以產生圖7的 整體圖樣。因為金屬層及條紋在圖7中是互相覆蓋的，所 以它們沒有個別標示出來，但個別的凸出部分3 4、3 5、3 6 及37在圖7中則有所標示。需注"意當金屬層26及27互相覆 盖時’该產生的圖樣具有C4對稱，意即其旋轉90度時仍 可保持一致性。如圖5、6及7所示，第一及第二金屬層26 及27各別形成一 X形或十字形圖樣，如前所逑。而各別的 凸出部分34、35、36及37各別垂直於與其相連的條紋3〇 及3 3。其他具體實施例及圖樣將會在此加以討論。至於其 他圖樣也是可能加以使用的，即使沒有在此加以討論，例 如，同心圓可與附圖所示的具凸出部分之十字形圖樣採相 同的使用方式。如此將可了解到，此處說明供金屬所用之 圖樣’僅為本發明的範例而不應加以限制，任何數量的圖 樣均可加以選用以形成合適的對稱形狀。具有對稱性是非 $重要的，原因見於後述。·如前所述，採用十字形圖樣之 目的為將光電子裝置的金屬含量減至最少，因為光2的輸 出疋十分重要的，而將採用的金屬量減至最少，將可使裝 置在封裝以後，在使用時可發射最強的光線。 -15-

1301303 ⑻ 圖8、9及10將說明本發明的第二具體實施例。在這些圖 中，該有標半導體的金屬部分具有Cn圖樣，包含線性連 續的電鍍及非電鍍部分，即條紋中空的部分，而不是圖5、 6及7所示的凸出部分。 因此，圖8將說明另一由十字形條紋41及42所形成的第 一金屬層40。如之前的具體實施例般，條紋41及42位於半 導體材料24之表面25上。在此具體實施例中，圖樣的差異 特徵為非金屬部分43及44。 同樣的’圖9將說明第二金屬層，泛稱為45，由兩十字 條紋4 6及4 7所形成。在此第二金屬層4 5，圖樣的識別部分 分別為對應於條紋4 7及4 6的缺口 5 0及5 1。 圖10說明當正確地放置金屬層40及45兩者時，十字形圖 樣將不會出現缺口，如此將可提供視覺化的確認方式，檢 視第一金屬層40以及覆蓋其上的第二金屬層45是否已正 確放置。 本發明的結構可以合適地應用在為數眾多的不同裝置 上，包括的裝置像是接面二極體、雙極電晶體、閘流體、 MESFET、JFET、MOSFET及照片偵測器。如前所討論，該 金屬層取好把在裝置上生成一歐姆接觸面，而在大多數較 佳的具體實施例中，該裝置是由各別的基板（例如··圖j 中的1 4 )及磊晶層（例如：圖· 1中的1 3 )所生成，並結合其他 磊晶層以生成碳化矽。當+導體基板為碳化碎時，該用 於歐姆接觸面的金屬層最好能從由鎳、鈦、黃金、白金、 釩、鋁 '合金組成的群組中，或此群組内之金屬所組成的 -16- 1301303 (12)

混合物中取材。在大多數較佳的具體實施例中，該裝置10 為包含一 p-n接面的發光二極體或雷射二極體，並且在Sic 基板上具有由一層鈦金合金覆蓋的鎳層所組成的歐姆接 觸面^ 在一個更佳的具體實施例中，本發明將包含一半導體晶 圓，如圖3所示的晶圓2 1，具有各別的初級及次級正交平 面22、23，以及各別的前面及背面平整表面。晶圓2 1上的 裝置10各具有一/第一金屬層，位於該裝置的平整表面其中 一者之上，以第一預定幾何圖樣覆蓋該平整表面的一部分 但非整個表面。在較佳具體實巍例中，各裝置則具有一第 二金屬層，位於該裝置的平整表面之上，以不同於第一預 定幾何圖樣的第二預定幾何圖樣覆蓋該平整表面的一部 分，但非整個表面。可理解的是，該等圖樣不必要完全不 同，只要有充分差異可達成本發明之識別目的即可。為了 實施檢視作業，晶圓2 1上的裝置1 0將按照與平面之間預定 的關聯方式排列。 一或更多種半導體裝置製程的品質管制方法，為本發明 的另一面向。此方法包含在裝置、晶圓、個別裝置或裝置 前導器的半導體表面上，以第一預定幾何圖樣放置一第一 金屬層。並且再於該裝置放置第一層的相同表面上，以某 部分相同或全部不同於該第一幾何圖樣、具有在某些部分 可能會互相覆蓋之第二預定幾何圖樣置放第二金屬層。 在此方面，本發明進一步包含對該裝置以識別該表面上 之該等圖樣中之一或二者是否已經置放或有所短少的檢 -17- 1301303 ⑼ 視能力。在較佳具體實施例中，此方法同時包含當該等預 定圖樣中之一或二者短少時，進行棄置該裝置的作業。本 文所使用的項目「棄置」，是同時表達了原義及象徵意味， 可理解的是，在許多案例中，裝置將會以墨水作出標示或 採用其他識別方式，而不是實體上從晶圓中移除。在大多 數較佳的具體實施例中，此方法包含裝置表面的檢視步 騾，即以機械檢視系統照射及掃描金屬表面。此外，當該 等裝置具有足夠的透明度且幾何圖樣為對稱時，該等裝置 的檢視步驟可採用照射金屬層對面之表面及使用一機械 檢視系統掃描對面'表面的方式"進行。為了實施檢視作業， 並根據本發明的產品面進行討論，在較佳具體實施例中， 此方法包含放置一具有旋轉對稱Cn的圖樣，其中η至少為 2。然後，檢視各裝置的步騾將包含檢視該裝置任一表面 的作業，用以識別Cn圖樣是否存在或有所短少。 就這一點而言，雖然本發明是特別適用於透明裝置上的 金屬圖樣，可理解的是，若基板或裝置使用的頻率是屬於 可見光譜中之不透明部分，則其他頻率（例如：紅外線） 是可用來照射相關表面，並識別該特徵圖樣是否存在或有 所短少。 圖11為說明該裝置的某些方法觀點。在圖1 1中，個別晶 圓（未示出）具有個別裝置及放置在透明晶圓載體52上的 金屬層，而此載體則放置在~透明台5 3之上。則可使用任一 前置光源54或背光源55照射該晶圓，並可使用機械檢視系 統（以照相機5 6作為概要圖解的代表）進行檢視。機械檢視 -18-

1301303 (14) 系統的性質及運作方式，已是半導體業廣為人知的技術 其中一個示範性系統即為August Technology Corporation， Bloomington，Minnesota (USA)的NSX系列自動化檢視設備。 該等系統可偵測小至〇·5微米（μ)的瑕滅，具備自動化處理 能力，並可用來連接可設定對多種不同裝置、封裝和晶圓 進行檢視的檢視軟體。本專利文件將同時提供一些適用於 半導體裝置和晶圓的檢視系統的範例，並將於此列舉一些 相關專利。在大多數的相關系統中·，來自照相機或類似的 光學裝置56的訊號，將傳送至處理器57,於此相關資訊可 得以顯示或用來產生多樣的格-式，包括顯示器6〇上的資 訊。 如同本發明根據產品面提出的觀點，使用的晶圓至少具 有一平面，而且最好同時具備初級或次級平面，此可讓該 晶圓能以預期的方式排列在晶圓載體52上。因此，去 u 田减曰日 圓被照射時’進行識別的圖樣是以預定及可預期的關聯方 式與該機械檢視系統（照相機5 6)相連。也因此，需進行辨 別的圖樣’其存在與否，立即就可由檢視系統識別出來。 同樣可以理解的是，透過本發明為機械檢視系統提供的 這些優點’對於人工檢視作業亦一樣提供了類似的優點。 本發明業經詳細說明，關於所提出的某些較佳具體實施 例，是為了讓讀者能免除進_行過度實驗之苦，而可直接實 踐本發明。具有相闞技藝方面之普通技術的個人，將很樂 意發現許多組件和參數是可作出某些變化或修改，而不$ 脫離本發明的領域和精神。此外，提供的名稱、標題或^ -19- 1301303 (15)

似的項目，是為了增強讀者對本文的理解，因此不應被視 為本發明領域的限制。 圖式代表符號說明 元件編號 中 文 10 裝 置 11 表 面 12 圖 樣 13 磊 晶 層 14 基 板 15 上 表 16 相 對 表 面 17 第 一 金 屬 層 20 第 二 金 屬 層 2 1 晶 圓 22 初 級 平 面 23 次 級 平 面 24 半 導 體 材 料 25 表 面 26 第 一 金 屬 層 27 第 二 金 屬 層 30 條 紋 3 1 條 紋 32 條 紋 33 條 紋

-20- 1301303 (16) 34 凸出部分 35 凸出部分 36 凸出部分 37 凸出部分 40 第一金屬層 4 1 條紋 42 條紋 43 非金屬部分 44 非金屬部分 45 第二合屬層 46 條紋 47 條紋 1 50 缺口 5 1 缺口 52 晶圓載體 53 透明台 54 前置光源 55 背光源 56 照相機 57 處理器 60 顯示器

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Claims (1)

1. 13 01 124525號申請專利案 中文申請專利範圍替換本(96年1〇月） 拾、申請專利範團 1· 一種有標半導體，其包含·· 一半導體材料表面；以及 面的第一金屬 一位於該表面之一部分但非整個表 層； 該金屬層形成一具有旋轉對稱匕的 少為2。 圖樣 其中η至 半 面的第二金屬層； 的—部分但非整個3 該第二金屬層形成-與該第一金屬層 圖樣；以及 > 同 該第二圖樣具有一旋轉對稱Cn，其中η至少 3·如申請專利範圍第2項之有標半導體，其中該第j 該弟二圖樣各形成一 X圖樣。 4·如申請專利範圍第3項之有標半導體，其中各X圖 進一步包含一與該X圖樣至少一臂垂直的突出部曰分 5. 如申請專利範圍第i項之有標半導體，其中該圖樣 包含線性連續的金屬化或非及金屬化部分。Λ °， 6. 如申請專利範圍第丨項之有標半導體，其中該金屬 形成一歐姆接觸面。 > 7. 如申請專利範圍第2項之有標半導體，其中該第二 屬層的一些部分覆蓋該第—金屬層的一些部分「 81295-961030.doc

   1301303 8. —種半導體結構，其包含： 一具有至少一平整表面的基板； 一位於該平整表面上的第一金屬層，以第一預定 幾何圖樣覆蓋該平整表面的一部分但非整個表面； 以及 一位於該平整表面上的第二金屬層，以不同於該 第一幾何圖樣之第二幾何圖樣覆蓋該平整表面的一 部分但非整個表面。 9..如申請專利範圍第8項之半導體結構，其中該第二金 屬層的一些部分覆蓋該第一金屬層的一些部分。 10. 如申請專利範圍第8項之半導體結構，進一步包含一 磊晶層位於該平整表面及該金屬層之基板的相對 邊。 11. 如申請專利範圍第10項之半導體結構，其中該基板 及該磊晶層包含一半導體裝置，此半導體裝置由接 面二極體、雙極電晶體、閘流體、MESFETS、JFETS、 MOSFETs及照片偵測器組合而成的群組中選取。 12. 如申請專利範圍第1 1項之半導體結構，其中該金屬 層形成一歐姆接觸面。 13. 如申請專利範圍第8項之半導體結構，其中該第一及 第二幾何圖樣具有Cn旋轉對稱，其中η至少為2。 14. 一種半導體晶圓，其包含： 各別的初級及次級正交平面； 各別的前面及背面平整表面； 81295-961030.doc 1301303 在該晶圓上具有複數個裝置； 该等裝置各具有一位於該平整表面上的一第一金 屬層，以一第一預定幾何圖樣覆蓋該平整表面的一 部分但非整個表面；以及 該等裝置各具有一位於該平整表面上的第二金屬 :’以不同於該第一幾何圖樣之一第二幾何圖樣覆 盍該平整表面的一部分但非整個表面。 15·如申請專利範圍第14項 晶圓的該等裝置均相同 關聯方式排列。 之半導體晶圓，其中位於該 並且與該等平面以預定的 16·如申請專利範圍第14項 及第二圖樣具有Cn旋轉 17·如申請專利範圍第14項 層形成該袭置的各別歐 之半導體晶圓，其中該第一 對稱’其中η至少為2。 之半導體晶圓，其中該金屬 姆接觸面。 體晶圓，其中該裝置 閘流體、MESFETS、 組合而成的群組中選 18·如申請專利範圍第14項之半導 由接面二極體、雙極電晶體、 JFETS、MOSFETs及照片 >[貞測器 取。 I9· 一種用於半導體裝置製造的σ乾士丄 π ΠΠ管方法包含： 於一裝置的半導體表面以—哲 Μ 第一預定圖樣置放一 第一金屬層；以及 於該裝置放置該第一層的相 曰的相冋表面上，以不同於 該第一圖樣之一第二預定幾仿闻这m 戍订圖樣置放一第二金屬 層0 81295-961030.doc

   1301303 20. 如申請專利範圍第1 9項之品管方法，進一步包含： 檢視該裝置以識別該表面上之該等圖樣中之一或 二者是否已經置放或有所短少。 21. 如申請專利範圍第20項之品管方法，進一步包含當 該等預定圖樣中之一或二者短少時，進行該裝置的 棄置作業。 22. 如申請專利範圍第20項之品管方法，其中各裝置表 面的檢視步驟包含以一機械檢視系統對各裝置進行 評估。 23. 如申請專利範圍第20項之品管方法，其中： 置放該金屬層的步驟包含置放一具有旋轉對稱Cn 的圖樣，其中η至少為2 ;以及 檢視各裝置的步驟包含檢視該裝置任一表面的作 業，用以識別Cn圖樣是否存在或有所短少。 24. 如申請專利範圍第20項之品管方法，其中各裝置表 面的檢視步驟包含以一機械檢視系統對各裝置進行 評估。 25. —種用於含有複數個半導體裝置之晶圓其製造的品 管方法，該方法包含： 於各裝置的半導體表面以一第一預定幾何圖樣置 放一第一金屬層；以及 於各裝置置放與該第一層相同的表面上，以不同 於該第一幾何圖樣之一第二預定幾何圖樣置放一第 二金屬層； 檢視各裝置之表面以識別各裝置之該等圖樣中之 81295-961030.doc -4- 1301303 一或二者是否已經置放或有所短缺短少；以及 短少該等圖樣中之一或二者時進行該裝置的棄置 作業。 26. 如申請專利範圍第25項之品管方法，其中各裝置表 面的檢視步驟包含以一機械檢視系統對各裝置進行 評估。 27. 如申請專利範圍第25項之品管方法，其中： 置放該金屬層的步驟包含置放一具有旋轉對稱Cn 的圖樣，其中η至少為2 ;以及 檢視各裝置的步驟包含檢視該裝置任一表面的作 業，用以識別Cn圖樣是否存在或有所短少。 28. 如申請專利範圍第2 5項之品管方法，包含： 於包含至少一平面之晶圓置放該等金屬層； 以一預定的關聯方式排列該等金屬層； 以一機械檢視糸統排列該晶圓的平面，以及 之後亦以該機械檢視系統對各裝置進行評估。 29. 如申請專利範圍第26項之品管方法，其中裝置的檢 視步驟包含以照射金屬層對面之晶圓表面的方式檢 視一透明裝置，以及以一機械檢視系統掃描該照射 面。 81295-961030.doc