TWI300501B - Reflective light valve structure - Google Patents
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Description
1300501 五、發明說明(1) [發明所屬之技術領域] 本發明係有關於一種應用於投射型顯示器 (projection display)的反射式液晶光閥(reflective 11 quid crystal 1 ight valve)結構,特別是有關於一種 採用特別偏振角度(polarization angle)的液晶光閥結 構’而能夠降低驅動電壓與增加對比。 [先前技術] 反射式液晶光閥係經常被使用於前面投射型顯示器 (front pro ject〇r)或背面投射型顯示器(rear projector)中。由於在高解析度的投射顯示器中,每一書鲁 素的尺寸大抵等於液晶層間隙厚度(ce 1 i gap ),所以相鄰 晝素之間的邊界電場(f r i ng i ng f i e 1 d)會影響液晶分子方 向的定位,因而降低影像對比以及降低顯示亮度。因此為 了要降低邊界電場效應,則必須降低驅動電壓來提升影俨 對比以及顯示亮度。 ^ 、 為了要得到低驅動電壓,在美國專利第549〇〇〇3號 中,Sprang有揭示一種具有偏光板的反射式液晶顯示哭, 該反射式液晶顯示器係採用具有扭轉角度(twisted angle)之正介電率異方向性液晶材料,而該偏光板的偏振鲁 方向係為上述扭轉角度的中分線(bisect〇r)。另外,在^ 國f利第5936697號中,Yang有揭示一種自我補償扭轉向、 列模式(SCTN mode)的反射式液晶光閥,係採用具有扭 角度之負介電率異方向性液晶材料,其中該反射式液晶光
1300501 五、發明說明(2) ::的:光板的偏振方向係為上述扭轉角度的,分線。在 曰σ人可將上述文獻技術的效應歸類於一種扭轉向列型 液曰曰盒的中分線效應(the bisect〇r . cell)。 όι a un 豹〜然而’本案發明係改良習知的中分線效應,而提出能 夠件到更低驅動電壓與高對比的偏光板之偏振方向。 [發明内容] 本發明之主要 構,該結構具有一 於液晶扭轉角度的 本發明之另一 反射式液晶光閥結 本發明之再一 式液晶光閥結構。 為達上述目的 構,包括:一透明 配向層;一反射基 向層,該反射基板 方向與該第二配向 晶材料,填充於該 光元件,位於該透 的入射光,其中該 角/3 ,且符合下列 式液晶光閥結 偏振方向不同 目的,在於提供一種反射 偏光元件,該偏光元件的 中分線。 目的,在於提供一種具有低驅動電壓的 構。 目的,在於提供一種具有高對比的反射 方向之一第一 向之一第二配 中該第一配向 扭轉向列型液 藺;以及一偏 ’本發明提供一種反射式液晶光閥結 基板’其上具有第一配向 板’其上具有第二配向方 係對向於該透明基板,其 方向之間有一夾角φ ; 一 透明基板與該反射基板之 明基板外側而用以提供具有一偏振方向 第一配向方向與該偏振方向之間有一夾 關係式: 第7頁 0773-A30155TWF(Nl);P92102;jacky.ptd 1300501
五、發明說明(3) Φ/2ΚΦ/2 + 3〇。或 π/2+φ/2 + 3〇。。 曰曰光射式液晶光閥結構相比較,本發明反射式液 = !向方向之間的中分線,❿是往該第二配向方 二,班ΘΗ Γ 2角?。本案發明者等經由許多光學模擬結 Α古2 '、特徵能夠使本案液晶光閘得到更低驅動電壓 興同對比0 為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂, 下文特舉較佳實施例’ ϋ配合所附圖式,作詳細說明如 下· 實施方式: ^以下,本發明的反射式液晶光閘結構設計雖以應用於 投射型顯示器(projection display)為例,然並非限定本 發明的應用範圍。 首先,利用第1A圖與第1B圖來說明反射式液晶光閥的 結構與操作模式。請參閱第1A圖,一未偏極化的入射光6 在經過一偏光束分離器(p〇larizing beam splitter,簡 稱PBS)7偏極化與9〇。反射之後,變成一線性偏極光 (linearly-p〇larized light)8,在此將這線性偏極光8定 義為P波(p-wave)8。該入射的p波8會照射在一反射式扭轉 向列型液晶金(reflective TN type LC cell)l〇〇上。其 中該向列型液晶盒1〇〇包括:一透明的前基板!、一反射的 後基板2以及一扭轉向列(T N )型液晶材料5夾於前、後基板
0773-A30155TWF(Nl);P92102;jacky.ptd 第8頁 1300501 五、發明說明(4) 1、2之間而構成液晶層5。 請參閱第1B圖,該前基板}例如是包含有一 12之玻璃基板U,在該透明電極12上形成具有第〜電極 向3之-第一配向層13。而該後基板2例如是包 配向方 的金屬電極22(例如是鋁電極)之矽基板21,在兮一反射 22上形成具有第二配向方向4之一第二配向層2^金^電極 於配向層13、23之間的該扭轉向列型液晶材料^有夾 介電率異方性(△〇0)液晶分子,而靠近配向如是正 液晶分子會沿著配向方向3、4而排列著。 、2 3的 請再參閱第1A圖,當施加於液晶盒1〇〇中的 12、22的電壓低於臨界電壓(thresh〇ld v〇ltag =極 晶盒1G0中的扭轉向列型液晶材料5就會像㈣二液 地具有旋光性,所以人射的偏極光8(p波8)就會^不人又 1〇〇反射成線性偏極的反射光9(在此定義成。皮)。:曰曰: :偏振:向係大抵垂直於該p波8。然後,該反射光二 运直接穿越該偏光束分離器7而定義成投影光1〇的—波 ,而後經過投射鏡(projection lens,未於 榮幕(,een,未圖示)上。上述狀態稱為而反γ式 /夜日日光閥的売態(b r i g h t s t a t e ) 〇 然而,當施加於液晶盒100中的兩電極12、22的外加 電壓大於一既定電壓(在此定義為飽和電壓)時,液晶盒 100中的扭轉向列型液晶材料5便成為一光學等向性介質 (optical isotropic medium)而不具旋光性,所以入射的 偏極光8(P波8)就會被液晶盒1〇〇反射維持相向
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1300501 五、發明說明(6) θ π,其符合下列
的方位角(azimuthal angle)係定義為 關係式: cos 1 一 rrsinZV 1 2Z J 式(1) 7Γ d △!!/ λ ’ Γ是均勻扭轉的TN型液晶的相 17^ tan 6> = -其中,Γ (phase) ,ι 〆 ^ Β ^ +4 ^ ,,其中d係液晶層的間隙寬度,Λη =液:材枓的複屈折率(birefringence),又係光的波 二6 : ί晶材料的扭轉角(即:該第-配向方向3與該第 ;向扭:m的夾角φ)。在本實施例+,將往逆時針 正角产)n度定士義為正角度(亦即往左旋之角度定義為 往右:之自V」丨\時針方向扭轉的角度定義為負角度(亦即 配向方向3盘第-配Λ 例如在弟2圖中所示之第一 右,楚9固二弟一配向方向4之間的夾角①係一正角度。還 Θ、的符號2 5係表示夾角①的中分線。 、秦X厗铿ί兩層核式(two —layer model)中,上述的每一 ί! ΛΛ可/見為具有殘留相位(_ — haSe二 二二:軸層’其中“係每-邊界層的延遲 少。同樣地,1〇在\/二加中電:變大時’延遲值《就會減 盒有兩種本徵模式:明者亦發現對於ΤΝ型液晶 且互相垂直。這兩種:種本徵模式都是線性偏極而 兩種本破杈式的線性偏極狀態的方位角
0773-A301557W(Nl);P92l〇2;jacky<ptd 第11頁 五、發明說明(7) 其符合下列關係式: azimuthal angle)係定義為π 0 COS ^'COS /± ^jcos2 tan θ = - sin S " — ~ , ............式(2) 另外’當外加電壓居於臨界電壓與2倍臨界電壓之間 的狀態時,由於這狀態相當複雜而沒有近似值可以推算, f是這狀態下的本徵模式的方位角係位於上述「均勻扭轉 模式」與「兩層模式」之間。 在此舉一例,請參閱第3A、⑽圖,其顯示扭轉角①係 6〇的TN液晶盒(以下簡稱6〇。TN液晶盒)在上述兩種模式 下,各本徵模式的方位角0與殘留延遲(residuai retardation)的關係圖。而第α、4β圖係顯示第3a、3b圖 ,局部放大圖。從該等圖可發現,當殘留延遲變小時,各 =徵模式的方位角係逐漸地達到扭轉角的中分線25(① ,。即30 )或垂直於扭轉角的中分線25(π/2+φ/2,即 / 廷就疋習知技術(美國專利第549000 3號與第 5 9 3 6 6 9 7號)能夠得到好的暗態的原因。 然而,當施加電壓係二位认π广 ,, 乐一倍於臨界電壓時,習知技術的 殘邊延遲仍然大於0,各本徵模式的 平行或垂直中分線。第5圖係顯干且右% :卫不9 70王的 Μ丨尔,、、、貝不具有延遲值(j )异 35 0nm的60。TN液晶盒在不同施加雷颅T = 疋 」她加電壓下的殘留延遲曲 線。以下各模擬實驗中所採用的访a a ^ ^ m φ ^木用的液晶材料參數係如表1所
不伙“圖中可發現,即使施加電壓是時 值仍然有50nm。之後再從第4A、4R 值是5-時,方位角係比Γ么二中5可發現,殘留延遲 丁刀緣大0· 5 (即30. 5。或
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表1
電場:m f:r巧常希望降低驅動電壓來減少邊界 (或^首^八綠\本徵模式的方位角係偏離中分線的方向 (或—垂,中刀線的方向)’所以只要根據所想要的驅動電壓 =疋位(onent)偏光束分離器(pBS)7的偏振方向平行或垂 直於TN液晶盒的各本徵模式的方位肖。在此,提供一例 子來況明本發明之觀念。假設要在驅動電壓3 5 v得到好 的暗態,從第5圖中可發現其對應的殘留延遲值約^係 75nm ’然後再從第4A、4B圖中發現殘留延遲值是了^時的 方位角係比中分線約大1· 5。(即31. 5。或12l. 5。)。因 此,可以得知偏光束分離器(PBS)7的偏振方向71與第一配 向方向3之間的夾角石為φ/2 + ΐ·5。或1/2+〇/2 + 1.5。, 而如第2圖所示,因此在上述環境下的最佳暗態係發生於 驅動電壓3. 5ν_。 另外’攸弟4 A、4 Β圖與弟5圖的關聯性可以得知,當
0773-A30155TWF(Nl);P92102;jacky.ptd 第13頁 13〇〇501 五、發明說明(9) 的° p電壓增加時殘留延遲值會降低,因而造成各本徵模式 對方位角也跟著改變。所以在此提出一論點,請參閱 低;μ圖與? 2圖,若反射式液晶光閥結構要得到高對比與 方二作電壓,則位於透明基板j外側而用以提供具有偏振 的入射光之偏光元件7(例如PBS),其中第一配向方 ^ 偏振方向71之間有一夾角冷,必須符合下列關係 = φ/2 + 30。或疋/2+ φ/2〈石〈冗/2+ φ/2 + 3〇。。也 认疋況,本發明特徵的偏光元件7的偏振方向7 1,並不位 於配向方向3、4的中分線25。 鏟廷裡要提醒的是,此處的ΤΝ液晶盒係以逆時針方向旋 卩左旋)為例,貫際上若採用順時針旋轉之ΤΝ液晶盒 寸’ S然必須符合下列關係式: 〜Φ/2”>— Φ/2 —3〇。·或 〇/2”> 万/2— φ/2 —3〇。。 、逛有,上述所有角度皆以透明基板1上的第一配向方 °為基準’並且以逆時針方向代表正角度方向。 以下提仏.些貫施例來證明本發明的偏光元件的偏振 =向可以達成高對比與低操作電壓的目的。 弟一實施例 的60 Si Ϊί係採用具有延遲值UAn)是35〇nm的左旋 1Λ ^ 一液日日益,並使用綠光(波長;l=550nm)來進行如第 楚I ί 了之液阳光閥結構的模擬實驗。第6A圖係顯示根據 貝施例條件的6 〇。TN液晶盒在不同施加電壓下,採用 第14頁 〇773-A30155TWF(Nl);P92102;jacky.ptd 1300501 五、發明說明(10) 不同偏振角度/5時的全區反射率曲線圖。第6 B圖係顯示第 6 A圖的局部(即:反射率接近0的暗態部分)放大圖。圖中 的實線卢=Φ / 2 = 3 0 °係表示習知技術所教導之中分線 (bisector) 〇 因為PBS7具有一有限的消光比(extinction ratio, ER= 1 0 0 0 ),所以整個液晶光閥系統的對比值(CR)會被pBS7 1 的消光比所影響,而CR= (1啤及,其中R係圖中所示之標 準化的反射率(normalized reflectance)。例如,當R = 〇 0 0 0 0 5時,液晶光閥系統的對比值為 · CR = 1A0· 001 + 0· 0 00 05 ) = 952 : 1。從第6B 圖中可發現,若 採用/5 = 3 0 之習知技術的話,則操作電壓需要5 Vrms。在本 發明中’由於本發明有將邊界層納入考量,所以實施例 敢佳的/3角度疋3 1. 5 。而且’在此條件下的暗態操作電 屡係掉至3. 5Vrms。這表示本發明只要3· π·的操作電壓就 能夠達到對比值為CR = 952 : 1,而比習知需要的操作電壓 (5U省能源。 μ 從另一個角度來看,若習知技術採用3· 5Vrms的操作電 壓的話,則習知技術只能夠得到對比值為CR=1/mS(〇. 〇〇1 + 〇 0012) = 455 : 1。因此,可知本發明在3· 5ν_的操作電壓下 能夠達到更高的對比值為CR = 952 : 1。 所以證明本發明的偏光元件最佳的偏振角度万=φ /2 + 1 〜3。,而最好是 θ=φ/2 + ι.5。。
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第二實施例 第二實施例係採用具有延遲值(d 是35〇nm的左旋 的57 液晶盒’並使用綠光(波長λ =55〇nm)來進行如第 圖所示之液晶光閥結構的模擬實驗。第7A圖係顯示根據 第了貫施例條件的57。TN液晶盒在不同施加電壓下,採用 不同偏振角度/5時的全區反射率曲線圖。第7β圖係顯示 7 A圖的局部f即:暗態部分)放大圖。圖中的實線汐=① /2二28· 5。係表示習知技術所教導之中分線。 從第7B圖中可發現,若採用操作電壓4.8Vrms時的沒 = 28· 5 ^之習知技術的話,則對比值為 dl/(0· 〇〇1。+〇· 〇〇(h) = 9〇9 :丄。然而根據本發明將石設定 為Φ/2 + 1.5 =3〇。,則操作電壓降至3· 4VrfflS就能得到與習 知相同的對比值為(CR = 9 0 9 : 1 )。 " 第三實施例 第二貫施例係採用具有延遲值(d *35〇nm的左旋 的55 TN液晶盒,並使用綠光(波長λ=55〇ηιη)來進行如第 ?圖戶!示之液晶光閥結構的模擬實驗。第8Α圖係顯示根據 弟二貝施例條件的5 5 ΤΝ液晶盒在不同施加電壓下,採用 =同偏振角度/3時的全區反射率曲線圖。㈣圖係顯示第 8Α圖的局部(即:暗態部分)放大圖。圖中的實線沒二① /2 = 27.5。係表示習知技術所教導之中分線。 從第8Β圖中可發現,若採用操作電壓4· 8V_時的沒 = 2 7· 5 °之習知技術的話,則對比值為
0773-A30155TWF(Nl);P92102;jacky.ptd 弟16頁 1300501 五、發明說明(12) = 1 / ( 0 · 〇 〇 1 + 〇 · 〇 〇 〇 1 ) = 9 0 9 : 1。然而根據本發明將沒設定 為Φ/2 + 1.5。=29。,則操作電壓降至3.4Vrms就能得到與習 知相同的對比值為(CR = 90 9 : 1 )。 第四實施例 第四實施例係採用具有延遲值(d 是35〇ηπι的左旋 的50。ΤΝ液晶盒,並使用綠光(波長λ =55〇nm)來進行如第 1^圖所示之液晶光閥結構的模擬實驗。第9A圖係顯示根據 第四實施例條件的50。TN液晶盒在不同施加電壓下,採用 不同偏振角度/5時的全區反射率曲線圖。第9β圖係顯示第 9A圖的局部(即:暗態部分)放大圖。圖中的實線泠二φ / 2二2 5 °係表示習知技術所教導之中分線。 從第9Β圖中可發現,若採用操作電壓5Vrms時的0=25。 之習知技術的話,則對比值為 CR-1/(0· 〇〇1 + 〇· 〇〇〇 i ) = 9〇9 : }。然而根據本發明將々設定 為Φ/2 + 1·5。=26·5。,則操作電壓降至3.4Vrms就能得到與 習知相同的對比值為(CR = 9〇9 : 1)。 弟五實施例 第五實施例係採用具有 的45 TN液晶盒,並使用綠 1 A圖所示之液晶光閥結構的 據弟五實施例條件的4 5。T n 用不同偏振角度/3時的全區 延遲值(dAn)是355nm的左旋 光(波長A=550nm)來進行如第 模擬實驗。第10Α圖係顯示根 液日日盒在不同施加電壓下,採 反射率曲線圖。第1 〇 Β圖係顯
1300501 五、發明說明(13) 示第1 0 A圖的局部(即:暗態部分)放大圖。圖中的實線冷= Φ/2 = 22. 5 係表示習知技術所教導之中分線。 從第1 0 B圖中可發現,若採用操作電壓4 7 V·時的 - 2 2 · 5 之習知技術的話,則對比值為 α = 1/(0·0(Π + 0·0002 ) = 833 :1。然而根據本發明將沒設定 為Φ/2+1.5 =24。,則操作電壓降至3. 4Vfms就能得到與習 知相同的對比值為(CR = 833 : 1 )。 弟六〜八實施例
第六貫施例係採用具有延遲值(d 是3 6 5ηιη的左旋 的40 D液晶倉,並使用綠光(波長λ =55〇nm)來進行如第 1 A圖所不之液晶光閥結構的模擬實驗。第丨丨a圖係顯示根 據第六實施例條件的4〇。TN液晶盒在不同施加電壓下,採 用=同偏振角度召時的全區反射率曲線圖。第11 β圖係顯 示第11Α圖的局部(即··暗態部分)放大圖。圖中的實線石= Φ/2 = 〇 係表示習知技術所教導之中分線。 第七、貝施例係採用具有延遲值(d Λη)是以化^的左旋 =65 ΤΝ液晶盒,並使用綠光(波長λ =55〇nm)來進行如第
祕,所:之液晶光閱結構的模擬實驗。第1 2A圖係顯示根 據弟七貝方也例俾^e。。 m ^ ^ 』1来件的6 5 TN液晶盒在不同施加電壓下,採
用不同偏振角廑Θ A 一给,Q Λ 又々&的全區反射率曲線圖。第1 2B圖係顯 不弟1 2 A圖的届卹广% . m/9 = q9 ς。乃σΚ即·暗態部分)放大圖。圖中的實線A = $ ·每/系表示習知技術所教導之中分線。 ^ μ %例係採用具有延遲值(d Δη值)是345nm的左
1300501 --------- 五、發明說明(14) 並使用綠 閥結構的 的70 ° TN 時的全區 即:暗態 習知技術 同般地, 較低的操 度來看, 夠得到更 光(波長λ=550ιιπι)來進行如 模擬實驗。第1 3 Α圖係顯示 液晶盒在不同施加電壓下, 反射率曲線圖。第13B圖係 部分)放大圖。圖中的實線 所教導之中分線。 根據本發明將/3設定為φ 作電壓降來得到與習知相同 若本發明採用與習知一樣的 南的對比。 旋的7 0 ° TN液晶盒, 第1A圖所示之液晶光 根據第八實施例條件 採用不同偏振角度点 顯示弟1 3 A圖的局部( /5=0/2 = 35。係表示 與上述實施例相 /2 + 1· 5。,則能夠以 的對比。從另一個角 操作電壓的話,則能 [本發明之特徵與優點] #值^ ί本發明所教導之偏光片的偏振角度之設計,藉由 動電壓下得到高對Γ吏本發明的反射式液晶光閥能在低驅 本發::::以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定 精‘和r:肉:ΐ何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之 伴Ί g = As可做些許的更動與潤飾,因此本發明之 保4耗圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1300501 圖式簡單說明 第1 A圖係顯示採用向列型液晶的反射式液晶光閥的# 作原理示意圖; 第1 B圖係顯示本發明的反射式液晶光閥結構的剖面示 意圖; 第2圖係顯示本發明的偏光元件的偏振方向與各配向 膜的配向方向之相對定位圖; 第3 A圖係顯示6 0 ° T N液晶盒在均勻扭轉模式與兩層模 式下,本徵模式1的方位角與殘留延遲的關係圖; ' 第3B圖係顯示6 0 ° TN液晶盒在均勻扭轉模式與兩層模 式下,本徵模式2的方位角與殘留延遲的關係圖; 第4 A圖係顯示第3 A圖的局部放大圖; 第4 B圖係顯示第3 B圖的局部放大圖; 弟5圖係顯示具有延遲值(d Λη )是3 50nm的60。TN液晶 盒在不同施加電壓下的殘留延遲曲線圖; % 第6 A圖係顯示根據第一實施例條件的6 〇。TN液晶各在 不同施加電壓下,採用不同偏振角度石時的全區反=J曲 線圖; 第6B圖係顯示第6A圖的局部(即:暗態部分)放大圖; 第7A圖係顯示根據第二實施例條件的57。TN液晶各在 不同施加電壓下,採用不同偏振角度万時的全區反=^ 線圖; 第7B圖係顯示第7A圖的局部(即:暗態部分)放大圖; 第8A圖係顯示根據第三實施例條件的55。TN液晶^在 不同施加電壓下,採用不同偏振角度点時的全區反=^曲
0773-A30155TWF(Nl);P92102;jacky.ptd 第20頁 1300501 圖式簡單說明 線圖; 第8 B圖係顯示第8 A圖的局部(即:暗態部分)放大圖; 第9 A圖係顯示根據第四實施例條件的5 〇。TN液晶盒在 不同施加電壓下’採用不同偏振角度冷時的全區反射率曲 線圖; 第9B圖係顯示第9 A圖的局部(即:暗態部分)放大圖; 第1 0A圖係顯示根據第五實施例條件的45。TN液晶盒 在不同施加電壓下’採用不同偏振角度θ時的全區反射率 曲線圖; 第10B圖係顯示第ι〇Α圖的局部(即:暗態部分)放大 圖; 第11A圖係顯示根據第六實施例條件的4〇。tn液晶盒 在不同施加電壓下’採用不同偏振角U時的全區反 曲線圖; 圖; .第11Β圖係顯示第m圖的局部(即:暗態部分)放大 第12A圖係顯示根據第七實施例條件義。 在不同施加電壓下,採用不同偏輕 曲線圖; 振角度W的全區反射率 第12B圖係顯示第12A圖的届却Γ 圖; ❺#(即··暗態部分)放大 第1 3 Α圖係顯示根據第八實就& ^ 在不同施_下,採用不同、條㈣。。㈣ 曲線圖;以及 #角度/3時的全區反射率 iJfif 0773-A30155TWF(Nl);P92102;j acky.ptd 1300501 圖式簡單說明 第1 3B圖係顯示第丨3A圖的局部(即:暗態部分)放大 圖0 [圖示符號說明]: 1〜前基板; 2〜後基板; 3〜第一配向方向; 4〜第二配向方向; 5〜向列型液晶材料(液晶層); 6〜未偏極化的入射光;
7〜偏光元件(例如偏光束分離器,pBS); 8〜入射的偏極光; 9〜反射的偏極光; 1 〇〜投影光; U〜玻璃基板; 1 2〜透明電極; 1 3〜第一配向膜; 21〜石夕基板; 22〜金屬電極; 23〜第二配向膜; 25〜中分線; 71〜偏光元件7的偏振方向; 100〜向列型液晶盒。
0773-A30155TWF(Nl);P92102;j acky.ptd ---- 第22頁
Claims (1)
- 1300501 案號 93111701 六、申請專利範圍 1. 一種反射式液晶光閥結構,包括: 一透明基板,其上具有第一舻A 層 ^ ^ 配向方向之一第一配向 一反射基板,其上具有第-阶A士 巧乐一配向方向之一第二配向 層,該反射基板係對向於該透明其士 廿A w L七 ^ ^ 乂边月卷板,其中該第一配向方 向與該第二配向方向之間有一夾角Φ · 一扭轉向列型液晶材料,殖古Μ # 4 ^ A1 ^ n 填充於該透明基板與該反射 基板之間,其中該扭轉向列刑、、右a U / 啊q幻型液晶材料係正介電率異方性 液晶分子;以及 偏光元件,位於該透明基板外侧而用以提供具有一 偏振方向的人射光,其中該第—配向方向與該偏振方向之 間有一夾角万,且符合下列關係式: Φ/2< /3<Φ/2 + 30 ^ 7Γ/2+ Φ/2< β < π /2+ Φ/2 + 30 0 其中該夾角/3係Φ/2 + 1〜3。,該夾角φ係4〇〜7〇。。 2.如申清專利範圍第1項所述之反射式液晶光閥結 構’其中該夾角/3係φ / 2 +1 5。。 3·如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶光閥結 構,其中該透明基板係包含有一透明電極之一玻璃基板。 4·如申請專利範圍第3項所述之反射式液晶光閥結 構,其中該透明電極之材質錫氧化物(ΙΤ〇)或銦鋅氧 化物(ΙΖ0)。 、” 構, 5·如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶光閥結 其中該反射基板係包含 '一金屬電極之一矽基板。 6·如申請專利範園第5項所述之反射式液晶光閥結0773-Α30155TWF1(Ν1)(20080401).ptc 第23頁 1300501 ___案號93111701_年月日_^__ 六、申請專利範圍 構,其中該金屬電極係一鋁電極。 7·如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶光閥結 構,係應用於一液晶顯示投影裝置。 8· —種反射式液晶光閥結構,包括: 一液晶盒,包含一透明電極、一反射電極以及一扭轉 向列型液晶層夾於上述電極之間,其中該透明電極上具有 第一配向方向之一第一配向層,該反射電極上具有第二配 向方向之一第二配向層,該第一配向方向與該第二配向方 向之間有一夾角Φ,且該扭轉向列型液晶層的延遲值(d Δη 值)大抵是35 0nm,該扭轉向列型液晶層係包含正介電率異 方性液晶分子;以及 一偏光元件,位於該透明電極外側而用以提供具有一 偏振方向的入射光,其中該第一配向方向與該偏振方向之 間有一夾角/3 ,且符合下列關係式: Φ/2<θ<Φ/2 + 30。或72:/2+〇/2</3<72:/2+(1)/2 + 30。 其中該夾角泠係Φ/2 + 1〜3。,該夾角Φ係40〜70。。 9·如申請專利範圍第8項所述之反射式液晶光閥結 構,其中該夾角/3係φ / 2 +1. 5。。 I 0 ·如申請專利範圍第8項所述之反射式液晶光閥結 構’其中該透明電極之材質係銦錫氧化物(ΙΤ〇)或銦鋅氧 化物(ΙΖΟ)。 II ·如申請專利範圍第8項所述之反射式液晶光閥結 構,其中該反射電極係一鋁電極。 1 2 ·如申請專利範圍第8項所述之反射式液晶光閥結0773-Α30155TWF1(Ν1)(20080401).p t c 第24頁 1300501 案號93111701 年月日 修正 六、申請專利範圍 構,係應用於一液晶顯示投影裝置。 IHHI 第25頁 0773-A30155TWF1(N1)(20080401).pt c
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