TWI299308B - Using fiducial marks on a substrate for laser transfer of organic material from a donor to a substrate - Google Patents

Description

1299308 玖、發明說明： 技術領域 本發明有關-種製造有機光發射裝置（⑽d)之方法，該裝 置可使有機材料自施體傳送至基底。 先前技術

在具有彩色像素如紅色、綠色及藍色像素（-般稱為RGB 像素)陣列之彩色或全彩有機電發光㈣顯示器中，需要精 確圖形之色彩產生有組介質以產生咖像素。該基植 裝置-般具有陽極、陰極及夾在該陽極與陰極間之有纽 介質。該有^介質可由-或多層有機薄膜所構成，而並 中一層王要負責光產生或電發光。此料層-般稱為有航 介質之發射層。存在於有機肛介質中之其他有機層可提供 電子傳送之主要功能並稱為電子洞傳遞層(用以傳送電子洞) 或電子傳送層（用以傳送電子）。在全彩有機虹顯示器 中形成RGB像素中，f y, . n t 士 · 而要一種使有機EL介質之發射層或整 個有機EL介質精確繪圖之方法。 典型上’藉陰影掩蔽技術在顯示器上形成電發光像素， :US-A-5,742，129所示。雖然此技術有效，但仍有多種缺點。 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ Μ ^ ^ ^ ^ ^ χ ^ 〇 # ^ } 基底與該陰影掩模對準而在適 性。當需要增加基底尺寸時;;雜形成像素具有挑戰 、、、 - 、更難以掭作作為該對準製程 :去：二该陰影掩模而形成適當定位之像素。陰影掩模 万法又—缺點為該掩模孔㈣時間變成 之孔洞使EL顯示器上之非幼处咕推主 術模上阻基 -上象素產生不期望之結果。 86621 -6- 1299308 陰影掩模方法之另一問題在製造一側之尺寸大於數叶之 EL裝置時尤其明顯。其極難以精確形成豇裝置之所需精確 度製造較大之陰影掩模。 使高解析度有機EL顯示器繪圖之方法已揭示於Grande等人 足US-A-5,851，709中。此方法包括下列步驟順序·· u提供具有 相對第一及第二表面之基底；2)在該基底之第一表面上形成 光牙透、熱絕緣層；在該熱絕緣層上形成光吸收層；句對該 基底提供自第二表面延伸至該熱絕緣層之開孔陣列；习提供 形成在该光吸收層上之可傳送、色彩形成之有機施體層；飞) 以在基底中孩開孔及裝置上之對應彩色像素間定向關係使 孩施體基底與顯示器基底對準；及7)利用輻射源在開孔上之 该光吸收層產生足夠熱量而使施體基底上之有機層傳送至 薇顯示器基底。Grande等人之策略之問題為需要在施體基底 上繪製開孔陣列。此產生如陰影掩模之許多相同問題，包 含在該施體基底與顯示器基底之間需要精確機械對準。又 一問過為咸施體圖形固定且無法輕易改變。 使用未繪製之施體片材及精確光源如雷射可去除該經繪 圖之施體所見之有些困難處。w〇lk等人之一系列專利（us_A_ 6，m，〇88; US-A-6，l4〇,009; us-A-6^，5^ 及 可將EL裝置之發光層自施體片材傳送至基材之方法，係以 雷射光加熱施體之經選擇部位。w〇lk等人之意見為使用光 可能為較佳之熱傳送模式，因為其可產生在製造大規模裝 置中所需之精確對準。雖然雷射熱傳送可獲得精確對準， 但基本上雷射束必須對準並導引使得基底之正確區域可接 86621 1299308 叉$傳运ι施體材料。熱傳送之其他方式亦視基底與熱傳 遞方式間之精確訝準方式而定。 發明内 本t明之目的係提供使基底與雷射束更有效對準之方 法，其與基底之熱膨脹無關。 、、本&明另一目的係;咸少使雷射肖基底適當對準所需之對 準步驟數。 W等目的係藉由雷射使製造QlEd顯示器之基底對準之方 ^所達成:該雷射可產生使有機材料自施體元件傳送至該 基底 < 光束，該方法包括下列步驟： ⑷在該基底上提供至少—個基準標記； =該基：相對於該雷射定位並提供該基底與雷射及雷 束^相㈣動直至該雷射束衝撞在該基準標記上；及 及=測雷射束何時衝撞該基準標記並測定該基底之位置 本發明之優點為藉由在基底上 材料傳送之前完成A底之P w 供基料心可在有機 發明另… 置及定位測定之有效方法。本 仏點為用以自施體& # 束亦可用以^A傳运至孩基底之相同雷射 J用以測疋基展相對於雷射 明之對準為高度精確且由直接 Μ °依據本發 明又-優點羞^”，本 4標?己所提供。本發 本發明另數發展高度精確之對準資訊。 不同像素位^使雷射束自動對準而使材科傳送至 86621 1299308 實施方i 、名司、”屬不為’’或’’顯示面板，，用以表示可以電顯示影視影像 或又句之螢幕。，，像素，’一詞用於其藝術-辨識用途以表示刺 激以放射出與其他區域無關之光之顯示器面板區域。”〇哪 裝置或OLED顯不器”用於包括有機光發射二極體如像素之 =、不叩裝置《藝術_辨識意義。彩色〇led裝置發射至少一種 a、、、光 夕色彩’’ 一同用以描述可於不同區域發射不同 色凋：光〈顯不器面板。尤其，其用以描述可顯示不同色 彩之影像之顯示器面板。該等 用以描述可用以以可見光光譜發射紅色、綠色二區： 並以任何色_或色調組合顯示影像之多色顯示器面板。該 色’彔色及監色構成三原色，由該顏色可藉適當混合該 寺二原色而產生所有其他色彩。π色調’’ 一詞代表在可見光 光〜内光發射〈強度輪廓，而不同色調展現視覺可區別之 色彩差異。該像素或次像素一般用以代表顯示器面板中最 t的可“早元。就單色顯示器而言，像素或次像素間並 播區別。’’次傻音”叫/玄m、a a 人像素@係用於多色顯示器面板且用以表示 :獨立提出以發射特定色彩之像素任何部分。例如，藍色 ’人像素為可提出發射藍多弁 光义像素邵为。在全彩顯示器中， 般包括三原色次像素，稱為藍色、綠色及紅色。"間 :巨用以表不顯示器面板中分隔兩個像素或次像素之距離。 因此，次像素間距意指兩個次像素間之分隔。 = 顯示依據本發明架構之⑽D基底狀上 視圖。嶋基底Π)包含像素部分12之陣列。此像素部分η 86621 1299308 各）、氣極相連且可為具有電極重疊列及欄之所謂被動顯示 器义一部分或為具有共通陽極及個別薄膜電晶體（TFTs)之主 動顯不器之一部分。各像素部分12可為像素（對單色顯示器 而言）或次像素（對全彩顯示器而言）。個別像素或次像素間 之距離在此裝置中可能期望小於1〇〇微米。 基底10可為有機固體、無機固體或有機及無 口可棱供自施體接受發射材料之表面。基底10可為硬質 或可撓且可加工為分開之個別片，如片材或晶圓，或加工 成連績捲。典型之基底材料包含玻璃、塑膠、金屬、陶瓷、 半導肢、金屬氧化物、半導體氧化物、半導體氮化物、或 =、、且口。基底10可為材料之均勻混合物、材料之複合物、

或二f材料。基底1〇可為〇LED基底，其為一般用於製備〇LED 、卯 < 基底，例如王動基材低溫多晶矽TFT基底。該基底 、：為：透射或不透明者，端視光發涉及基準偵測所需之 、、:、疋⑤光透射性質對經&基底觀看EL發射及對經由 藏基展觀看雷射點而言為 或塑膠。對並中乱發射^而 中一般使用透明玻璃 擔體之透射特性不：重：：上端電極觀看之應用中’底部 光反射去。Γ 且因此可為光透射、光吸收或 ㈣材料 例心基底包含（但不限於）玻璃、塑膠、半 等m材科、陶瓷及雷 丁 圖！ Η 底及LED基底，，交替使用。 〗。上：示=上之基準標一。基準標記為基底 提供上方式偵測且可™底1。 ^像素邵位12之發射層適當沉積。基 86621 1299308 準=之該等特徵可具有其他目的，如為主動或被動基質 ^邵分。於基底10已知位置中形成一或多個基準標記。 ^準標記40及42較好在材料傳送區14以外，該區域為有機材 預傳运至基辰1 〇上以形成—或多個〇LED顯示器之區域。 ，準標記40及42設計成可㈣基底社之㈣點且可具有特 :形狀’其可包含交錯之交叉髮狀、三角&、十字型、圓 土四万型、叉錯三角型、”X"型或任何其他可用以界定某 點《型狀。基準標記應不為無限旋轉地對稱（例如圓形或公 牛眼）除非欲使用第二個基準標記。單一基準標記可部分對 稱旋轉使得旋轉對稱程度將引起實質上基底之錯對準，此 即使以肉眼亦可見（例如在9〇° _隔旋轉對稱之十字型）。較 ，具體例中，該基準標記4G4十字型，但需理解任何非-或 受^旋轉對稱之標記可用以敎旋轉位置。就較大精確度 而言’較@具體例係提供兩個基準標記40及42，纟基底10上 之各此標記具有特定形狀如十字型，且藉基底⑴長度之至 少50%之距離分隔。各基準標記位在光偵測器上方。 圖lb顯π基底1〇相對於雷射1〇〇之定位截面代表，該雷射 可產生雷射束74。此具體例中，基底職在雷射勵及光偵 測22之間因而藉由提供基底1()與雷射⑽及雷射束刊間之 相對移動’ Μ雷射束74可衝撞在該基準標記幻上。光偵測 奋22可偵測孩雷射束74何時衝撞在該基準標記42上。 圖2顯示顯示基準標記4〇之基底1〇部分及光偵測器22及雷 射點20(爆炸上視圖，光偵測器22可為例如光學偵測器。 光偵測器22包含光價測器主動區域24，其為對衝撞光（如由 86621 -11 - 1299308 雷射點20所提供者）有感應之光偵測器22之一部分。此特定 具體例中’光制器22位在基底町方且基底⑴足夠透明使 得足夠光可通過該欲藉光偵測器22偵測之基底1〇。藉由提 供基底10與雷射100及雷射束74間之相對移動，可偵測基準 標記40之位置及定向。相對移動意指此裝置之一或多個部 位移動使得雷射點2〇、基底1G及光偵測器22之位置相對於彼 此而改又此可藉各種方法達成，例如移動雷射點2〇、移 動基底1〇、移動雷射20及光偵測器22兩者、等。於光柵掃描 方法中提供相對移動，亦即掃描線之二維順序，可建立基 準標C 40(影像。在其中該基準標記為十字型之較佳具體 例中，基準標記之角度旋轉可由掃描線與正訊號之水平線 間之角度推演而得。 利用兩個基準標記4〇及42之較佳具體^列中，肖旋轉錯對 卞角度可比由兩個基準標記間增加之距離所見之單一基準 標記更精確地測定。此可藉測量兩個基準標記4〇及42之中 纖並計算該等基準標㊣記間形成雷射點掃描48及線之角度 而完成。此角度接著可與所需定向比較並適當調整。已知 該基準中心可獲得相對於所需位置及基底適當並進移動或 者知正#像檔案 < 相對χ、y轉位，使得現在影線轉位可旋 轉及並進移動地修正。 ”他八缸例亦可能。例如光偵測器22及雷射點20兩者可 在相同側上’亦即在基底10上。此例中，基底10不需為透 明’且光偵測器22可偵測由基底⑴表面所反射之光。 固^、示與相對光偵測器位置46有關之光偵測器訊號強 86621 -12 - 1299308 度50之相對強度。相對移動引起雷射點2〇位置明顯改變因 而雷射束74以多數位置衝撞在基準標記40上，如雷射點掃 描48所示。藉訊號強度44所測量之光偵測器訊號強度％在光 偵測器主動區域24之區域内較強，除非被基準標記4〇所消 減。光偵測器22可藉光偵測器訊號強度50之改變而债測雷 射束74何時衝撞在基準標記4〇上。可記錄例如與相對光债 測器位置46之光偵測器訊號強度50之資訊或藉電腦偵測基 準標記如40而獲得資訊。因此，可在第一方向測定基準中 心26<位置。藉由例如額外雷射點掃描之技術，可測定第 二垂直方向中之基準標記4〇之中心位置。所記錄之資訊可 用以計算基底10之定向及位置。 現在參考圖3，顯示在基底1〇及雷射100及雷射束74間提供 相對移動之裝置18之-具體例’其彳實施本文所述之方法。 該裝置18包含移動基底1G之裝置，亦即，y•軸並進移動平台 30、X-軸並進移動平台32及具有壓緊壓盤％之旋轉平台料。 壓緊壓盤36包含光偵測器22，為了清楚起見其並未顯示。 雷射1〇〇(未示出）位在壓緊壓盤36及基底10上方之固定位 置。 基底K)橫向且有角度地移動至經選擇位置而在雷射點2〇 及基底H)之間提供相對移動，其移動方式現在將要描述。 基底10木'在壓緊壓盤36上，其可為例如真空壓緊之裝置。 雷射點20可來自例如雷射列印頭。χ·轴並進移動平台可使 基展urn械米寺級之解析度橫向方向移動並定位。轴並 進移動平台32可自商業獲得，如_儀器公司。χ_㈣進 86621 -13- 1299308 ㈣平台32可調整供—方向之側向轉位，因此使基底㈣ 橫向移動而調整雷射點2〇相對於基底⑺之位置。 軸並進移動平台32架設至y_轴並進移動平台％。後者類 似於X-軸並進移動平台32但㈣方式與該_成直角且可移 動X-轴並進移動平台32，並以微米等級之解析度以垂直方向 延伸基底10。 架設至X-轴並進移動平台32為旋轉平台34。旋轉平台34可 調整壓緊壓盤36及基底1G之角度因此可成角度地移動基底 10 〇 圖4a顯示依據本發明以光束照射固定之基底/施體元件組 合之雷射卿之剖面圖。雷射觸可為多通道雷射，其可發 經調整之多通道線性雷射光束。為了清楚表示，該並^移 料台未顯示。施體元件16以與基底⑽之傳送關聯位在雷 ㈣《間’ $即’施體元件16與基底ω(未顯示）接 ，或人基㈣保持經控制之分隔。施體元件16以加壓手段96 4加壓手段96可為透明擔體或可為以氣體加壓以固定 施體7G件16在與基底Γ0緊密關聯位置之腔室。 霄射刚發射雷射束74通過列印透鏡94,該雷射束 :運，料多數經調整之通道之線性雷射光束。雷射心 :二楚說明爾成連續線以強調其性質可為多通道如 複數個個料^料之雷射光。f 了解料料可連續 :::::如同雷射光之連續區帶。雷射束74可經由透明 表面96導向施體元件16 ’並衝擊施體7^6之非轉移 而圖形可藉調整雷射束74而獲得同時提供雷射100 86621 -14- 1299308 與基底ίο間之相對移動。 現在參考圖4b，顯示依本發明操作之OLED基底及相對於 基底適當定位之施體元件之剖面圖。施體元件16及基底10 呈傳送關聯性，亦即施體元件16放置在基底10上或靠近基 底10。施體元件16包含擔體68、能源吸收層70、及有機材料 層72。施體元件1 6未圖形化，亦即能量吸收層70及有機材 料72均勻塗佈在擔體68表面上。有機材料72藉雷射束74選擇 性照射施體元件16之非轉移表面76而自施體元件16之轉移表 面78傳送至基底10，該雷射束74可被能量吸收材料70吸收並 加熱其經選擇部位且因此加熱有機材料72之經選擇部位。 選擇性照射係藉提供雷射束74與基底10間之相對移動而完 成，並依據基底10之所定位置及定向活化雷射束74，使有 機材料72自施體元件16傳送至基底10之所需部位例如像素 部位12。雷射束74可依據適時或依據位置被活化。有機材 料72之經選擇部位蒸氣化或昇華而在傳送至基底10後變成 有機層82。 能量吸收層70不使雷射束74通過基底10。一具體例中，可 在將施體元件16放置在基底10之前對準基底10。另一具體例 中，施體元件16不包含基準標記40及42區域中之能量吸收層 70且因此在基準標記40及42之區域内為充分透明，因此施體 元件16可使充分之光通過以衝撞基準標記40及42而可進行本 文所述方法。此例中，施體元件16可在進行對準製程之前 放置在基底10上。 該擔體68可由符合至少下列要件之任何數種材料製得。 86621 -15- 1299308 该施體擔體必須具充分撓性且帶有適當張力強度以容忍操 作本發明中之預塗佈步驟及擔體之輥-對-輥或堆疊片傳送。 擔體68必須可在光_對_熱謗發之傳送步驟期間對一側加壓下 維持結構完整性，及在欲移除揮發構成份如水蒸氣之任何 預加熱步驟期間維持結構完整性。此外，擔體沾必須為可 在一表面上接受相當薄的有機材料塗層，並維持此塗層在 I塗佈擔體預期儲存期間不會降解。符合該等要件之擔體 材料包含例如金屬箔、可展現高於預期可引起可傳送擔體 上塗層之有機材料之傳送之擔體溫度之玻璃轉移溫度值之 某種塑膠泊、及纖維強化塑膠落。雖然選擇適當擔體材料 可倚賴已知工程策田各，但需了解經選擇之擔體材料優點之 某些方面在架構成可用於操作本發明之施體擔體時可進一 步加以考慮。例如，在以可傳送有機材料預塗佈之前，擔 體材料可能需要多步驟清洗及表面製備製程。若擔體材料 為輕射透射材料，於擔體或其表面中併入輕射吸收材料之 優點為當使用來自適當閃光燈之閃光照射或來自適當雷射 之雷射光時，可更有效地加熱該施體擔體並提供可傳送有 機施體材料對應地增強自擔體傳送至該基底。 能量吸收層70可吸收光譜及可產生熱之預定部位中之輕 射。能量吸收層可為染料如在共同讓渡之us_A_5,578,4i6中= 定之染料、顏料如碳、或金屬如鎳、鉻、鈥等。 典型之OLED裝置可含下列層，—般順序為：陽極、電子 洞注射層、電子洞料層、光發射層、電子傳送層、陰極。 該等任-種或全部可包括有機材料72，因Μ 。 86621 -16- 1299308 有機材科72可為電子洞注射 楠$ 釘柯科、電子洞傳送材料、電子 傳迗材料、發光材料、主材 丁 何科或琢等材料之任何組合。 注射mr>姑i 、ΐ然通常未必f要’但經常可用設在有機發光顯示器中 心电子洞/王射層。该電子洞注射材料作用可改良隨後有機 層之薄膜形成性質並促進電子洞注射人該電子洞傳送層 中。料電子洞注射層之適宜材料包含（但不限於）述於仍_ 八-切⑽之口卜林類化合^及述於收从識仍之電浆沉積 氟碳聚合物。經報導可用於有機乩裝置之另一種電子洞注 射材料述於 EP 0 891 121 A1 及 EP 1，〇29,909 A1。 洞傳送(ΉΓ)材料 可作為有機材料72之電子洞傳送材料為悉知包含如芳族 三級胺之化合物，而芳族三級胺需了解為含至少一個僅鍵 結至碳原子之三價氮原子之化合物，該碳原子至少一個為 芳族環之成員。一樣態中，芳族三級胺可為芳基胺如單芳 基胺、二芳基胺、三芳基胺或聚合芳基胺。舉例之單聚三 芳基胺說明於Klupfel等人之US-A-3，180,730中。經一或多個乙 婦基取代及/或包括至少一個含活性氫之基之其他適宜三芳 基胺揭示於 Brantley 等人之 US-A-3,567,450 及 US-A-3,658,520 中。 更佳類之芳族三級胺為包含至少兩個芳族三級胺基團 者，如US-A-4,720,432及US-A-5,061，569所述。此化合物包含結 構式（A)所示者。

A 86621 -17- 1299308 其中：

Qi及％獨立選自芳族三級胺基團；及 G為蚊對故鍵聯之键聯基如伸芳基、環伸烷基、或伸烷基。 一具體例中，至少一個Q!或q2含有多環稠合環節構，例 如奈。當G為芳基時，宜為伸苯基、伸聯苯基或伸萘基。 滿足結構室（A)且含兩個三芳基胺基團之可用類之三芳基 胺係由結構式（B)表示。 T2 B Ri—c— r3

I I r4 !

I 其中： R1及R2各獨立代表氫原子、芳基或燒基或⑺触―起代表 構成環燒基之原子；及 R3及R4各獨立代表芳基，其又可經二芳基取代之胺基所取 代，如結構式（C)所示。 其中R5及R6獨立選自芳基。—具體例中，至少—個 多環稠合環結構，例如莕。 另-類芳族三級胺為四芳基二胺。所需之四芳基二胺包 含兩個二芳基胺基如結構式（Q所示經由伸芳基鍵聯。可用 之四芳基二胺包含式（〇)所示者。

D 86621 -18- 1299308 其中： 各Are獨立選自伸芳基如伸苯基或蒽基； η為1至4之整數；及

Ar、R7、心及心獨立選自芳基。 /、土具版例中，Ar、A、1^及&之至少一個為多環稠合環 結構例如茶。 前述結構式（A)、（B)、（C)、（D)之各種烷基、伸烷基、芳基 及伸芳基基團各可又經取代。典型之取代基包含烷基、烷 氧基、芳基、、芳氧基、及鹵素如氟、氣及溴。各種烷基及 伸燒基典型上含有約1至6個碳原子。該環烷基可含3至1〇個 碳原子，但典型上含5、6或7環碳原子_例如環戊基、環己 基及環庚基環結構。該芳基及伸芳基一般為苯基及伸苯基。 電子洞傳送層可由單一芳族三級胺化合物或混合物所形 成。特定言之，可利用三芳基胺如滿足式（B)之三芳基胺與 式（D)所示之四芳基二胺組合。當使用三芳基胺與四芳基二 胺組合時，後者以夾置在三芳基胺與電子注射及傳送層間 之層設置。可用之三芳基胺實例如下： 1，1-雙（4-一 ·對-甲苯基胺基苯基）環己燒 1，1_雙（4-二-對-甲苯基胺基苯基）冰苯基環己烷 4,4’-雙（二冬基胺基）四聯苯 雙（4-二甲胺基-2-甲基苯基苯基甲烷 N，N，N-三（對-甲苯基）胺 4-(二-對-甲苯基胺基）-4’-[4-(二-對-甲苯基胺基）-苯乙晞基] 二苯乙烯 86621 -19- 1299308 N，N，N，，N’-四-對-甲苯基-4,4L二胺基聯苯 Ν,Ν,Ν’,Ν1-四苯基-4,4，-二胺基聯苯 N-苯基叶口坐 聚（N-乙烯基咔唑） N，Nf -I -秦甲基-N，N’-二苯基_4,4’-二胺基聯笨 4,4’-雙[N-(l-莕基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4Π-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]對_三聯苯 4，#-雙[N-(2-莕基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N- ( 3-慈甲基）苯基胺基]聯苯 1，5-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]萘 4,4’_雙[N-(9-蒽基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4”-雙[N-(l-蒽基）善苯基胺基]_對_三聯苯 4,4’-雙[N-(2-菲基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4*-雙[N-(8_氟慈基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(24二蕃基）善苯基胺基]聯苯 4，H [N-(2_萘并蕃基）善苯基胺基]聯苯 4,4*-雙[N-(2- —秦喪苯基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4匕雙[N-(l-六苯并苯基）善苯基胺基]聯苯 2.6- 雙（二-對-甲苯基胺基）萘 2.6- 雙[二-(1-莕基）胺基]莕 2.6- 雙[N-(l-奈基）-N-(2-莕基）胺基]莕 N，N，N’，N’-四（2_萘基）-4,4’，-二胺基-對-三聯苯 4,4’-雙{N-苯基-N- [ 4- (1-莕基）-苯基]胺基}聯苯 4,4’-雙[N-苯基-N-(2-嵌二莕基）胺基;|聯苯 86621 -20- 1299308 2,6-雙[N，N-二（2-莕基）胺基]芴 1，5-雙[N-(l-莕基）-N-苯基胺基]莕。 另一類可用之電子洞傳送材料包含多環芳族化合物如 EP 1 009 041所述者。此外，聚合電子洞傳送材料可使用例如 聚（N-乙烯基咔唑）(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺及共聚 物如聚（3,4-伸乙二氧基噻吩）/聚（4-苯乙烯基磺酸酯）（亦稱為 PEDOT/PSS)。 光發射材料 可作為有機材料72之光發射材料為悉知。如更詳述於!^-A-4,769,292及US-A-5,935,721，有機EL元件之該光發射層（LEL)包 刮其中因此區域中電子-電子洞配對重組結果所產生之電發 光之發光或螢光材料。該光發射層可由單一材料所構成， 但更一般係由掺雜有外加化合物（guest compound)或多種外加 化合物之主要材料所構成，其中光發射主要來自該掺雜物 且可為任何顏色。光發射層中之主要材料可為下述之電子-傳送材料、上述之電子洞傳送材料、或可支撐電子洞-電子 重組合之其他材料。摻雜物一般選自高度螢光染料，但亦 可使用發光化合物，例如 WO 98/55561、WO 00/18851、WO 00/57676 及WO 00/70655所述之過渡金屬錯合物。摻雜物典型上以0.01 至10重量％塗佈入該主要材料中。 選擇染料作為摻雜物之重要關聯性為定義為分子之最高 佔據分子軌域及最小未佔據分子軌域間之能量差異之帶隙 電勢之比較。對於自主要材料充分將能量傳送至該摻雜物 分子而言，必要之條件為摻雜物之帶隙小於主要材料之帶 86621 -21 - 1299308 已知可使用之主要材料及發射分子包含（但不限於）述於 US-A-4,768,292、US-A-5，141，671、US-A-5，150,006、US-A-5，151，629、 US-A-5,294,870、US-A-5,405,709、US-A-5,484,922、US-A-5,593,788、 US-A-5,645,948、US-A-5,683,823、US-A-5,755,999、US-A-5,928,802、 US-A-5,935,720、US-A-5,935,721 及 US-A-6,020,078 者。 8-羥基喹啉及類似衍生物（式E)之金屬錯合物構成一類可 用之主要化合物，其可支撐電發光且尤其適用於大於50()nm 波長例如綠色、黃色、橘色及紅色之光發射。

其中： Μ代表金屬； η為1至3之整數；及

核之原子。 兩個稠合芳族環之

86621 -22 - 1299308 兩個所需環稠合。為了避免分子過大而對功能不具改良性， 該環原子數一般維持在18或以下。 可用之螯合8-羥基喳啉類化合物之例舉如下： CO-1 :參-8-羥基喳啉鋁[別名：參（8_羥基喳啉基）鋁（πι)] C0_2 :雙-8-羥基喹啉鎂[別名：雙（8_羥基喹啉基）鎂⑻] CO-3 ·雙[冬并{f}-8-經基p奎琳基]鋅（II) CO-4 :雙（2-甲基各羥基喹啉基）铭（m),氧代-雙（2_甲基各 羥基喹啉基）鋁（III) CO-5 :參各羥基喹啉銦[別名：參（8_羥基喳啉基）銦] CO-6 ··參（5_甲基各輕基喹啉）铭[別名：參（5_甲基各經基 喳啉基）鋁（III)] CO-7 : 8-羥基喹啉鋰[別名：（8-羥基喹啉基）鋰①] 9，10-一 -(2-奈基）蒽（式ρ)之衍生物構成一類可用於支持電 發光足主要材料且尤其適合波長大於4〇〇 nm例如藍色、綠 色、黃色或紅色之光發射。

基’其中各取代基各自選自下列組群： 組群1 :函素或1至24個碳原子之烷基； 86621 -23- 1299308

須之4至24個碳原子； —萘基或二莕嵌苯之稠合芳族環所必 組群4 :如完成呋喃基、 噻吩基、吡啶基、喹啉基或其他雜

經取代雜芳基；

基；及 組群6 ·氟、、鼠、溴或氨基。 苯并唑何生物（式G)構成另一類可用於支持電發光之主要 材料且尤其適合波長大於4〇〇 如藍色、綠色、黃色、橘 色或紅色之光發射

其中： η為3至8之整數； Ζ 為 Ο、NR 或 S ; R'為氫；1至24個碳原子之烷基例如丙基、第三丁基、庚 基等；5至20個碳原子之芳基或雜原子取代之芳基例如苯基 及莕基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基及其他雜環系 統；或画基如氯、氟；或完成稠合芳族環所必須之原子； 及 L為由烷基、芳基、經取代烷基或經取代芳基所構成之鍵 86621 -24- 1299308 聯單元，其係共輛或非共輛地與該多個苯并峻連接一起。 可用之苯并唑實例為2,2’，2’f-(l，3,5-伸苯基）參[1-苯基-1H-苯 并咪唑]。 所需之螢光摻雜物包含蒽、四氫蒽、咕噸、嵌二莕、紅 勞稀、香豆滿、若丹明（Rhodamine)、峻p丫淀、二氰基伸甲基 p比喃化合物、p塞喃化合物、聚甲川化合物、p比淀鐳及硫外匕 啶鑕化合物、及羥基喳啉化合物。可用之摻雜物之例舉實 例包含（但不限於）下列： 1 1 LI L2 | r^S^S | Λ L3 (X^ L4 86621 -25- 1299308

L6

L8 ο

X R1 R2 L9 0 Η Η L10 〇 Η， 甲基 L11 0 甲基 Η L12 0 甲基（ L13 0 Η 1 ，第三丁基 L14 0 第三丁基 Η L15 0 第三丁基 第三丁 1丨 L16 S Η Η L17 S Η 甲基1 L18 S 甲基 Η L19 S 甲基 甲I L20 S Η 第三丁基 L21 S 第三丁基 Η L22 S 第三丁基 第三丁基:

2 R

34567890123456 22222223333333 LLLLLLLLLLLLLL

XIOOOOOOOSSSSSSS

R R2 基I基 I 基基 ο丁 ！丁 厂 一 丁 丁 一基！基三I三 I基I基三 I三 H甲H甲第ih!^hi甲H甲第第 :基基 基基 T丁 丁丁 :基基 h二三 ：基基一三三 Η Η甲甲H第第Η HI甲甲H第第 86621 -26- 1299308

R L37 苯基 L38 - !甲基 L39 第三丁基 L40 三甲苯基 R L41 苯基 L42 甲基 L43 第三丁基 L44 三甲苯基

86621 27- 1299308

基衍生物、二燒氧基-聚伸苯基伸乙稀、聚-對-伸苯基衍生 物及聚芴衍生物，如Wolk等人於共同讓渡之US-A-6，194，119 B1 及其内參考文獻所教示者。 電子傳送ΠΕΊΠ材料 用於本發明有機EL裝置之較佳電子傳送材料為金屬螯合 之8-羥基喹啉類化合物，包含8-羥基喳啉本身之螯合物（一 般亦稱為8- 4 p林驗或8_輕基峻琳）。此化合物有助於注射及 傳送電子並同時展現高程度性能且易製成薄膜狀態。所欲 之8-羥基喹啉類化合物為滿足前述結構式（E)者。 其他電子傳送材料包含US-A-4,356,429所揭示之各種丁二烯 86621 -28- 1299308 衍生物及US-A-4,539,507所揭示之各種雜環光學亮光劑。滿足 式（G)之苯并唑亦為可用之電子傳送材料。 其他電子傳送材料可為聚合物質例如聚伸苯基伸乙晞基 何生物、聚-對-伸苯基衍生物、聚芴衍生物、聚噻吩、聚乙 块及其他導電性聚合有機材料，如列於共同讓渡之仍_八_ 6,221，553 31及其内參考文獻者。 有些例子中，單層可發揮支持光發射及電子傳送兩者之 功此’且因此將包含發光材料及電子傳送材料。 陽極材料 、 在基底上形成導電性陽極層且當經由該陰極觀看虹發光 時，其需為透明或實質上對相關之發光為透明者。用於本 冬月之曰遍透明之陽極材料為銦-錫氧化物及氧化錫，但其 他金屬氧化物可作用，包含（但不限於）鋁_或錮-摻雜之氧化 鋅、鎂-銦氧化物及鎳_鎢氧化物。除了該等氧化物以外，金 屬氮化物如氮化鎵、及金屬坤化物如伸化鋅及金屬硫化物 如硫化鋅可作為陽極材料。就其中EL發射經由上端電極觀 看之應用中，陽極材料之透射性質不具重要性且可使用任 何導電性、透明、不透明或反射性材料。此應用之導電體 匕口（仁不限於）金、銥、鉬、鈀及鉑。典型的陽極材料（透 射f或，、他）之功率函數為41 eV或以上。戶斤需之陽極材料可 藉任何適當万式沉積如蒸鍍、錢射、化學蒸鍍或電化學方 式。陽極材料可使用悉知微影蝕刻繪製圖形。 陰極材料 當經由陰極發光時，該陰極材料可由幾近任何導電材料 86621 -29- 1299308 所構成。所需材料具有良好成膜性質以確保與底下有機層 之良好接觸，以低電壓促進電子注射及具有良好穩定性。 I:之陰極材料經常含有低功率函數之金屬(<4.0 eV)或金屬 口金。一較佳之陰極材料係由Mg:Ag合金所構成，其中銀之 百分比在1至2〇〇/0範圍内，如US-A-4,885,221所描述。另一類適 用之陰極材料包含由低功率函數金屬之薄膜或覆蓋有較厚 導電金屬層之金屬鹽所構成之雙層。一種此類陰極係由 薄層所構成隨後覆以較厚之入丨層，如us_a_5,677,572所述者。 其他可用之、陰極材料包含（但不限於）us·Α_5,〇59,861、υ§-Α_ 5,059,862 及 US-A-6，140,763 所述者。 當光發射經由陰極觀看時，該陰極必須為透明或幾近透 明。就此應用而言，金屬需為薄的或必須使用透明之導電 氧化物或該等材料之組合。光學透明之陰極已詳述於邯-八-5,776,623。陰姉料可藉蒸鍍、_、化學蒸鍍沉積。若需 要，該繪製圖形可經由許多悉知方法達成，包含（但不限於） 通過掩模沉積、如US_A_5,276,38〇及Ep 〇 732 868所述之整體陰 影掩蔽、雷射磨削及選擇性化學蒸鍍法。 圖5顯示用於處理訊號並偵測基準標記位置之電光學次系 統之一具體例方塊圖。該等次系統包含主要pc 1〇2、影像處 理器104及移動控制電子工學1〇6。該等可為個別單元、或影 像處理器104或移動控制電子工學ι〇6或兩者可併入主要pc 102中。主要pc 1〇2與影像處理器1〇4溝通並使主要扣測量投 射在光偵測器22及23上之光量。影像處理器1〇4擴大光偵測 器22所提供之訊號108並擴大光偵測器23所提供之訊號ιι〇。 86621 -30- 1299308 影像處理器104對主要PC 102提供此擴大之訊號。主要pc ι〇2 可使用此擴大訊號估算自基準標記如40所得之資訊以測定 基底10之位置及定向。主要PC 1〇2亦連接至移動控制電子工 學106上，其可控制包括裝置18之並進移動及旋轉台之移動 及位置。此提供雷射1〇〇及基底1〇之間之相對移動，其因此 提供基底10上之雷射點掃描48。藉由提供此相對移動，雷 射束74可掃描包含基準標記餐光偵騎22之整個基底1 〇部 分：隨後可以垂直於雷射點掃描48之方向提供相對移動並 重複孩製程'。此期@，可追蹤自光偵測器22之輸出並與得 自移動控制電子工學1〇6之位置資訊有關聯。此方式中，影 像處理器⑴4可建立基準標記40之光栅影像。藉由類似製程" 可在光偵測n 23獲得基準標記42之位置光栅影像。 圖6為顯示使用兩個此標記偵測該基準標記位置並使用於 製造OLED顯示器之基底對準之整個步驟方塊圖。該製程開 始係將具有基準標記之基底放置在並進移動/旋轉平台上(步 驟122)。提供相對移動使得雷射於光偵測器之區域上之第一 方向掃描，在該區域基準標記大約定位(步 ：!：r::rirr^pci02^^- -’如圖2所示(偵測步驟13〇)。該主要PC 102決 疋知描疋否為光偵測器上之最後掃到 該最終掃描，則並進移動平古右未達到 ㈣動千台&昇垂直㈣掃描方向（步驟 )並重複該製程。若光偵測器掃插完成（步驟132)，則主要 pc決定是否有更多其進揭、 ’則王要 更多基丰秸記需掃描（步驟138)。若有更多基 準’則提供相對移動以使雷射束移動至次—基準標記^ 86621 -31 - 1299308 I處（步驟140)並重複掃描（步驟124及以下）。若最終基準已 掃榣，則主要PC 102決定基準標記之該絕對並進移動及角度 位置。 例如，基底10之位置及疋向可基於自基準標記如4〇及42所 估异之資訊而決定。若有任何錯對準’則使用該基準標記 之已知位置’調整該旋轉及並進移動平台，調整該影像標 案’調整影像起始處或進行該等作用之有些组合以使影像 經雷射傳送至精確位置（步驟142)。此作用可包含欲傳送影 像之機械或數位並進移動、機械或數位旋轉、及機械或數 位拉伸。此方法為本技藝悉知者。該傳送藉由放置施體片 材而進行，其傳送關聯性係相對於基底職在雷射束74及 基底10之間提供相對移動，且依據所決^之基底1G位置及 定向驅動雷射束74而引起有機材料72自施體元件16傳送至基 底ίο所需位置上’例如像素部位12。雷射束74可依據適時或 依據位置達成（步驟144)。自施體傳送材料至該基底之方法。 接著終止該製程（步驟148)。 本發明其他特徵包含下列。 該方法中基準標記具有特定形狀。 該方法中該特定形狀為十字型。 該方法中當雷射束以多個位置衝撞在該基⑽記時，記 錄資訊且此記錄之資訊用以計算基底之定位。 該方法中兩個基準標記位方古必 彳在有機材料欲傳送至基底之區 域以形成一或多個OLED顯示器。 該方法中該㈣步驟包含在基底上方或下方提供光偵測 86621 -32- 1299308 咨並擴大該光偵測器所提供之訊號並使用此擴大之訊號估 算得自_λ基準標記之資訊以&定該基底位置及定向。 種以雷射使基底對準並製造OLED顯示器之方法，該雷 射可產生使有機材料自施體元件傳送至基底之光束，該方 法包括下列步驟： a) 在该基底上提供至少一個基準標記； b) 使該基展相對於該雷射定位並提供該基底與雷射及雷 射束間之相對移動直至該雷射束衝撞在該基準標記上； C)偵測雷射束何時衝撞該I準標t己並測定該基底之位置及 定向； d) 使施體tl件定位在該雷射及基底之間；及 e) 才疋供田射束與基底間之相對移動並依據所決定之位置及 定向驅動該雷射束使有機材料傳送至該基底上。 孩方法中該基準標記具有特定形狀。 該方法中該特定形狀為十字型。 该万法中當雷射束以多個位置衝撞在該基準標記時，記 錄資訊且此記錄之資訊用以計算基底之定位。 邊万法中施體元件使充分光穿透以衝撞在該基準標記 上。 該万法中偵測步驟包含在基底上方或下方提供光偵測器 並擴大4光偵測器所提供之訊號並使用此擴大之訊號估算 知自债測此基準標記之資訊以決定該基底位置及定向。 圖式簡單說 圖1a為依據本發明架構之OLED基底之上视圖； 86621 -33- 1299308 圖1b為基底相對於雷射定位之剖面示意圖； 圖2為基底上顯示基準標記之部分及光偵測氣及雷射點位 置之爆炸上視圖； ^ 、V、示可進行本文所述方法而提供相對移動之裝置具體 例； 〆、a 以光束雷射照射固定之基底/施體元 圖4a顯示依據本發明 件組合之剖面圖； 定位之OLED基底 圖4b顯示操作本發明中相對該基底適當 及施體元件之剖面圖； 圖5顯示用以處理訊號並偵測 學次系統之方塊圖；及 說明 10 基底 12 像素部位 14 材料傳送區域 16 施體元件 18 裝置 20 雷射點 22 光偵測器 23 光偵測器 24 光偵測器主動區 26 基準中心 30 y-軸並進移動平台 86621 圖6為顯示偵測該基準標記之總體步驟之方塊圖 -34- x -車由並進移動平台 旋轉平台 壓緊壓盤 基準標記 基準標記 訊號強度 相對光偵測器位置 雷射點掃描 光禎測器訊號強度 擔體 能量吸收層 有機材料 雷射束 非傳送表面 傳送表面 有機層 列印透鏡 加壓手段 雷射

主要PC 影像處理器 移動控制電子工學 訊號 訊號 -35- 方塊 方塊 偵測步驟 光偵測器 掃描方向 方塊 方塊 方塊 方瑰 方塊 -36-

Claims (1)

1299308 拾、申請專利範圍： 1· 一種用於有機光發射裝置（0LED)顯示器之製造中藉由雷 射以對準基底之方法，該雷射產生使有機材料自施體元 件傳送至該基底之光束，該方法包括下列步驟： ⑻在該基底上提供至少一基準標記； (b)使該基底相對於該雷射放置並提供該基底與該雷射 及孩雷射光束間之相對移動直至該雷射光束衝撞在該基 準標記上；及 ⑷偵測、該雷射光束何時衝撞該基準標記並決定該基底 之位置及定向。 _ 2.如申請專利範圍第α之方法，其中該基準標記具有特定 形狀。 3.如申請專利範圍第2項之方法，其中該特定形狀為十字 型〇 4·如申請專利範圍第2項之方法，其中該當雷射光束以多個 位置衝撞在該基準標記時，記錄資訊且利用此記錄之資 訊以計算該基底之定位。 5· 一種以雷射使基底對準並製造〇LED顯示器之方法，該雷 射可產生使有機材料自施體元件傳送至基底之光束，該 方法包括下列步驟·· a) 在該基底上提供至少_基準標記； b) 使3基底相對於謂雷射放置並提供該基底與該雷射 及Θ田射光束間 < 相對移動直至該雷射光束衝撞在該基 準標記上； 86621 1299308 c)偵測該雷射光束何時衝撞該基準標記並決定該基底 之位置及定向；及 一 Φ提供該雷射光束與該基底間之相對移動並依據所決 定之位置及定向驅動該雷射光束使有機材料傳送至該基 底上。 w 土 6·如申請專利範圍第5項之方法’其中該基準標記具有特定 形狀。 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中該特定形狀為十字 型。 、 、 8.如申請專利範圍第6項之方法，其中當該雷射光束以多個 位置衝撞在該基準標記時，記錄資訊且利用此記錄之資 訊以計算該基底之定位。 9·如申請專利範圍第5項之方法’另包含提供—雷射以產生 用於步驟b)及d)之雷射光束。 ίο· —種以雷射使基底對準並製造〇LED顯示器之方法，該雷 射可產生使有機材料自施體元件傳送至基底之光束，該 方法包括下列步驟： a) 在孩基巵上提供至少兩各具有特定形狀之基準標 記； b) 使該基底相對於該雷射放f並提供該基底與該雷射 及該雷射光束間之相對移動直至該雷射光束衝撞在該基 準標記上； c) #、測4田射光束何時衝撞該基準標記並決定該基底 之位置及定向；及 86621 1299308 d)提供該雷射光束與該基底間之相對移動並依據所決 定之位置及定向驅動該雷射光束使有機材料傳送至該基 底上。 86621