JPH01137238A - アクティブマトリックスアレイ - Google Patents
アクティブマトリックスアレイInfo
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- JPH01137238A JPH01137238A JP62296566A JP29656687A JPH01137238A JP H01137238 A JPH01137238 A JP H01137238A JP 62296566 A JP62296566 A JP 62296566A JP 29656687 A JP29656687 A JP 29656687A JP H01137238 A JPH01137238 A JP H01137238A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示パネルに用いるアクティブマトリック
スアレイに関するものである。
スアレイに関するものである。
従来の技術
近年、産業機器の小型化に伴い、従来からの表示装置で
あるＣＲＴに代わる薄型平面表示装置が要望されている
。種々ある平面表示装置のなかで液晶を用いた表示装置
は消費電力が少なく、電池駆動が可能である点などから
携帯用機器の表示装置として注目されている。液晶表示
装置には大別して単純マトリックス方式とアクティブマ
トリックス方式がある。アクティブマトリックス方式は
コントラストなどの点から有利であるが、基板全体に数
万個以上の薄膜トランジスタ（以後、ＴＰＴと呼ぶ。）
などのスイッチング素子を作成する必要がある。そのた
め作製ＴＰＴの欠陥をいかになくするかという点が技術
的課題である。前記欠陥の個数はアクティブマトリック
スアレイ製造プロセスの改良によって減少させることが
可能であるが、欠陥を皆無にすることは困難である。し
たがって、アクティブマトリックスアレイ方式の液晶表
示装置の量産化には、アクティブマトリックスアレイの
欠陥修正技術の開発が必要なものとなっている。その一
方法としてレーザビームを用い、欠陥部を切断するトリ
ミング方法がある。
あるＣＲＴに代わる薄型平面表示装置が要望されている
。種々ある平面表示装置のなかで液晶を用いた表示装置
は消費電力が少なく、電池駆動が可能である点などから
携帯用機器の表示装置として注目されている。液晶表示
装置には大別して単純マトリックス方式とアクティブマ
トリックス方式がある。アクティブマトリックス方式は
コントラストなどの点から有利であるが、基板全体に数
万個以上の薄膜トランジスタ（以後、ＴＰＴと呼ぶ。）
などのスイッチング素子を作成する必要がある。そのた
め作製ＴＰＴの欠陥をいかになくするかという点が技術
的課題である。前記欠陥の個数はアクティブマトリック
スアレイ製造プロセスの改良によって減少させることが
可能であるが、欠陥を皆無にすることは困難である。し
たがって、アクティブマトリックスアレイ方式の液晶表
示装置の量産化には、アクティブマトリックスアレイの
欠陥修正技術の開発が必要なものとなっている。その一
方法としてレーザビームを用い、欠陥部を切断するトリ
ミング方法がある。
以下、図面を参照しながら、従来のアクティブマトリッ
クスアレイについて説明する。第７図は従来のアクティ
ブマトリックスアレイの平面図である。第７図において
、５はガラスなどの絶縁基板、６はゲート信号線、７は
ソース信号線である。
クスアレイについて説明する。第７図は従来のアクティ
ブマトリックスアレイの平面図である。第７図において
、５はガラスなどの絶縁基板、６はゲート信号線、７は
ソース信号線である。
第８図および第９図は第７図のアクティブマトリックス
アレイの一部拡大平面図であり、第８図は１絵素に１つ
のＴＰＴを形成したアクティブマトリックスアレイ、第
９図は１絵素に２つのＴＰＴを形成したアクティブマト
リックスアレイである。
アレイの一部拡大平面図であり、第８図は１絵素に１つ
のＴＰＴを形成したアクティブマトリックスアレイ、第
９図は１絵素に２つのＴＰＴを形成したアクティブマト
リックスアレイである。
なお第７図において作図を容易にするためゲート信号線
６を２３本、ソース信号線を３１本としているが、通常
アクティブマトリックスアレイでは信号線は各１００本
以上形成される。第８図において、Ｓ、−３４はソース
信号線、０１〜Ｇ４はゲート信号線、ｐＨ〜Ｐ３４は絵
素電極、Ｔ ｌｌ−Ｔ ３４はＴＦ Ｔ％ ａ ＋＋〜
ａ ３４はＴＦＴのソース端子、ｂｌｌ〜ｂ３４はＴＦ
Ｔのゲート端子、ＣＩ＋””Ｃ３４はドレイン端子であ
る。なお第８図に示す点線内の部分でＴＰＴを構成し、
絵素電極ｐＨに接続されたＴＰＴ−ｔ−Ｔ、、、絵素電
極ｐ＋ｚに接続されたＴＦＴをＴ、２と絵素電極の添え
数字と同一数字とする。また第９図においてＴ ｓ 、
、〜Ｔ ｓ ４４− Ｔｍ、、ｙＴｍ３３はＴＦＴ％
ａ ３１）〜ａ ３４４’ ａｒｎｌｌ〜ａｍ３３は
ソース端子、ｂ ｓ 、、〜ｂ ｓ ４４− ｂ ｍ、
Ｉ〜ｂ ｍ＝３はゲート端子、Ｃ５，ｌ〜ｃｓ４４・ｃ
ｍｌ、〜ｃｍ、はドレイン端子である。なお第９図に
示す点線内の部分でＴＰＴを構成し、絵素電極ｐＨに接
続されたＴＦＴをＴＳ、およびＴｍ、、絵素電極ｐ＋ｚ
に接続されたＴＦＴをＴｓ１□およびＴｍ、□と絵素電
極の添え数字と同一数字とする。
６を２３本、ソース信号線を３１本としているが、通常
アクティブマトリックスアレイでは信号線は各１００本
以上形成される。第８図において、Ｓ、−３４はソース
信号線、０１〜Ｇ４はゲート信号線、ｐＨ〜Ｐ３４は絵
素電極、Ｔ ｌｌ−Ｔ ３４はＴＦ Ｔ％ ａ ＋＋〜
ａ ３４はＴＦＴのソース端子、ｂｌｌ〜ｂ３４はＴＦ
Ｔのゲート端子、ＣＩ＋””Ｃ３４はドレイン端子であ
る。なお第８図に示す点線内の部分でＴＰＴを構成し、
絵素電極ｐＨに接続されたＴＰＴ−ｔ−Ｔ、、、絵素電
極ｐ＋ｚに接続されたＴＦＴをＴ、２と絵素電極の添え
数字と同一数字とする。また第９図においてＴ ｓ 、
、〜Ｔ ｓ ４４− Ｔｍ、、ｙＴｍ３３はＴＦＴ％
ａ ３１）〜ａ ３４４’ ａｒｎｌｌ〜ａｍ３３は
ソース端子、ｂ ｓ 、、〜ｂ ｓ ４４− ｂ ｍ、
Ｉ〜ｂ ｍ＝３はゲート端子、Ｃ５，ｌ〜ｃｓ４４・ｃ
ｍｌ、〜ｃｍ、はドレイン端子である。なお第９図に
示す点線内の部分でＴＰＴを構成し、絵素電極ｐＨに接
続されたＴＦＴをＴＳ、およびＴｍ、、絵素電極ｐ＋ｚ
に接続されたＴＦＴをＴｓ１□およびＴｍ、□と絵素電
極の添え数字と同一数字とする。
次にアクティブマトリックスアレイの修正方法について
説明する。たとえば第８図においてＴＰＴのＴＺ３に欠
陥が生じたため、絵素電極ｐｚｓに印加する信号を制御
できない場合、ＴＰＴのＴｏのドレイン端子Ｃ２３をａ
ａ’線で切断することにより絵素電極Ｐ２３に信号を流
入しないようにする。
説明する。たとえば第８図においてＴＰＴのＴＺ３に欠
陥が生じたため、絵素電極ｐｚｓに印加する信号を制御
できない場合、ＴＰＴのＴｏのドレイン端子Ｃ２３をａ
ａ’線で切断することにより絵素電極Ｐ２３に信号を流
入しないようにする。
また第９図においてＴＰＴのＴ ３ ！３に欠陥が生じ
たため、絵素電極ＰＺ３に印加する信号を制御できない
場合、ＴＰＴのＴ ｓ ｔｓのドレイン端子Ｃ０をｂｂ
’線で切断する。以上のようにトリミングを行うために
は欠陥ＴＰＴの位置の検出および、レーザ光が加工対象
に集光するようフォーカスをおこなう必要がある。その
ためには第１０図に示すような矩形部を有するアライメ
ントマークを形成しておく。まずアライメントマークが
ほぼレーザ照射１２の下になるように位置決めをおこな
い、さらに精度よい位置決めは前記アライメントマーク
にレーザ光を照射し、レーザ光の反射量によりアライメ
ントマークの検出をおこなうと同時にオートフォーカス
をおこなう。アライメントマーク検出後、前記アライメ
ントマークから加工対象物までの相対位置から、加工対
象物の位置を検出し、加工をおこなう。アライメントマ
ークの検出方法としては第１０図に示すように、ｄｄ’
線およびｃｃ’線上を微弱なレーザ光で走査することに
よりおこなう。第１）図は第１０図のｄｄ’線上をレー
ザ光を走査した際のレーザ走査位置とレーザ反射量との
関係を示すグラフである。
たため、絵素電極ＰＺ３に印加する信号を制御できない
場合、ＴＰＴのＴ ｓ ｔｓのドレイン端子Ｃ０をｂｂ
’線で切断する。以上のようにトリミングを行うために
は欠陥ＴＰＴの位置の検出および、レーザ光が加工対象
に集光するようフォーカスをおこなう必要がある。その
ためには第１０図に示すような矩形部を有するアライメ
ントマークを形成しておく。まずアライメントマークが
ほぼレーザ照射１２の下になるように位置決めをおこな
い、さらに精度よい位置決めは前記アライメントマーク
にレーザ光を照射し、レーザ光の反射量によりアライメ
ントマークの検出をおこなうと同時にオートフォーカス
をおこなう。アライメントマーク検出後、前記アライメ
ントマークから加工対象物までの相対位置から、加工対
象物の位置を検出し、加工をおこなう。アライメントマ
ークの検出方法としては第１０図に示すように、ｄｄ’
線およびｃｃ’線上を微弱なレーザ光で走査することに
よりおこなう。第１）図は第１０図のｄｄ’線上をレー
ザ光を走査した際のレーザ走査位置とレーザ反射量との
関係を示すグラフである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらアライメントマークを検出およびフォーカ
スをとり、加工対象物を加工できる範囲はメモリレペア
トリミング装置の場合２０１ｍＸ２（ｈｎ程度である。
スをとり、加工対象物を加工できる範囲はメモリレペア
トリミング装置の場合２０１ｍＸ２（ｈｎ程度である。
なお、前記位置決め範囲を微動位置決め範囲と呼ぶ。他
の装置も１ｆｌ以下の位置決め精度を得ようとすると同
等程度である。前記加工範囲に比較して、アクティブマ
トリックスアレイは小さいものでも５０ｍＸ５０ｆ１以
上の大きさがある。
の装置も１ｆｌ以下の位置決め精度を得ようとすると同
等程度である。前記加工範囲に比較して、アクティブマ
トリックスアレイは小さいものでも５０ｍＸ５０ｆ１以
上の大きさがある。
したがって、アクティブマトリックスアレイの周辺部に
アライメントマークを形成しても、アクティブマトリッ
クスアレイの中央部にＴＰＴの欠陥が生じた場合、加工
対象物の位置検出およびフォーカスがとれないという問
題点がおこってきた。
アライメントマークを形成しても、アクティブマトリッ
クスアレイの中央部にＴＰＴの欠陥が生じた場合、加工
対象物の位置検出およびフォーカスがとれないという問
題点がおこってきた。
またアクティブマトリックスアレイの絵素を利用し、加
工対象物の検出およびフォーカスをとろうとしても以下
の理由により不可能なことが生じてきた。前記理由は第
８図のｅｅ’線で示す線上を微弱なレーザ光で走査した
場合、第１２図に示すようなレーザ走査位置とレーザ反
射量の関係が生じるためである。なお、第１２図におい
て工はアクティブマトリックスアレイの信号線の反射に
よるものである。つまりアクティブマトリックスアレイ
を位置決めするＸＹステージなどはアクティブマトリッ
クスアレイの面積の範囲を位置決めする必要があり（前
記範囲を粗動位置決め範囲と呼ぶ。）、したがって高精
度をおこなうことは困難である。
工対象物の検出およびフォーカスをとろうとしても以下
の理由により不可能なことが生じてきた。前記理由は第
８図のｅｅ’線で示す線上を微弱なレーザ光で走査した
場合、第１２図に示すようなレーザ走査位置とレーザ反
射量の関係が生じるためである。なお、第１２図におい
て工はアクティブマトリックスアレイの信号線の反射に
よるものである。つまりアクティブマトリックスアレイ
を位置決めするＸＹステージなどはアクティブマトリッ
クスアレイの面積の範囲を位置決めする必要があり（前
記範囲を粗動位置決め範囲と呼ぶ。）、したがって高精
度をおこなうことは困難である。
そこで加工対象物を検出するため微弱なレーザ光でアラ
イメントする必要があるが、前記アライメント範囲は当
然ＸＹステージの位置決め精度の関係から広範囲にする
必要がある。しかし、レーザビームのスポット径は１０
μｍ程度であり、絵素間隔Ｘは１００μｍ以下となって
きているため、２絵素の範囲をレーザ光を走査すること
がおこりえる。
イメントする必要があるが、前記アライメント範囲は当
然ＸＹステージの位置決め精度の関係から広範囲にする
必要がある。しかし、レーザビームのスポット径は１０
μｍ程度であり、絵素間隔Ｘは１００μｍ以下となって
きているため、２絵素の範囲をレーザ光を走査すること
がおこりえる。
そこで第１２図に示すようなピークが２箇所生じ、した
がって、隣接絵素の信号線と誤認識するという問題が生
じるためである。
がって、隣接絵素の信号線と誤認識するという問題が生
じるためである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明のアクティブマトリッ
クスアレイは所定箇所の第１の絵素を前記第１の絵素の
周辺に位置する絵素と異なる絵素形状にしたものである
。
クスアレイは所定箇所の第１の絵素を前記第１の絵素の
周辺に位置する絵素と異なる絵素形状にしたものである
。
作用
本発明のアクティブマトリックスアレイは所定箇所の絵
素の形状を周辺の絵素の形状と変化させたものである。
素の形状を周辺の絵素の形状と変化させたものである。
したがってアライメントをおこなった際、レーザ光の走
査位置に対するレーザ光の反射率が前記所定箇所の絵素
では周辺の絵素と異なるため、誤認識することがなくな
る。
査位置に対するレーザ光の反射率が前記所定箇所の絵素
では周辺の絵素と異なるため、誤認識することがなくな
る。
実施例
以下本発明の第１の実施例におけるアクティブマトリッ
クスアレイについて図面を参照しながら説明する。第１
図は本発明の第１の実施例のアクティブマトリックスア
レイの一部拡大平面図である。第１図において１は絵素
電極上に形成されたアライメントマーク（以後、絵素ア
ライメントマークと呼ぶ）であり、Ａ１・Ｏｒなどの金
属またはアモルファスシリコンなどの半導体などで形成
され、かつ前記絵素アライメントマークはＴＰＴの製造
工程上でＴＰＴと同時に形成される。前記アライメント
マークにレーザ光を照射することによりアライメントを
おこなうことができ、広範囲にアライメントのためのレ
ーザ光の走査をおこなっても、明らかに隣接絵素との走
査位置に対する反射率が異なるため確実に絵素アライメ
ントマークを検出することができる。第１図においてｆ
Ｍ綿線上レーザで走査した結果を第１３図に示す。第１
３図においてアは信号線およびＴＰＴのソース端子、イ
はドレイン端子、つは絵素アライメントマークである。
クスアレイについて図面を参照しながら説明する。第１
図は本発明の第１の実施例のアクティブマトリックスア
レイの一部拡大平面図である。第１図において１は絵素
電極上に形成されたアライメントマーク（以後、絵素ア
ライメントマークと呼ぶ）であり、Ａ１・Ｏｒなどの金
属またはアモルファスシリコンなどの半導体などで形成
され、かつ前記絵素アライメントマークはＴＰＴの製造
工程上でＴＰＴと同時に形成される。前記アライメント
マークにレーザ光を照射することによりアライメントを
おこなうことができ、広範囲にアライメントのためのレ
ーザ光の走査をおこなっても、明らかに隣接絵素との走
査位置に対する反射率が異なるため確実に絵素アライメ
ントマークを検出することができる。第１図においてｆ
Ｍ綿線上レーザで走査した結果を第１３図に示す。第１
３図においてアは信号線およびＴＰＴのソース端子、イ
はドレイン端子、つは絵素アライメントマークである。
また、絵素アライメントマークの形成位置としては第６
図の８に示すＸ印の箇所であり、ｄ、およびｄ２に示す
メモリリペアトリミング装置などの微動位置決め範囲内
に形成される。
図の８に示すＸ印の箇所であり、ｄ、およびｄ２に示す
メモリリペアトリミング装置などの微動位置決め範囲内
に形成される。
以上のことは以下の実施例においても同様である。
第２図は本発明の第２の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大平面図である。
リックスアレイの一部拡大平面図である。
第２図において２はＴＰＴのドレイン端子を他のＴＰＴ
のドレイン端子形状と異なるようにしたものである。（
以後、ＴＰＴアライメントマークと呼ぶ。）したがって
広範囲にアライメントのためのレーザ光の走査をおこな
っても、明らかに隣接絵素とのレーザ走査位置に対する
レーザ光の反射率が異なるため、確実にＴＰＴアライメ
ントマーりを検出することができる。
のドレイン端子形状と異なるようにしたものである。（
以後、ＴＰＴアライメントマークと呼ぶ。）したがって
広範囲にアライメントのためのレーザ光の走査をおこな
っても、明らかに隣接絵素とのレーザ走査位置に対する
レーザ光の反射率が異なるため、確実にＴＰＴアライメ
ントマーりを検出することができる。
第３図は本発明の第３の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大平面図である。
リックスアレイの一部拡大平面図である。
第３図において３は絵素アライメントマークである。
第４図は本発明の第４の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大平面図である。
リックスアレイの一部拡大平面図である。
第４図ではソース信号線Ｓ２の形状を変化させ、かつＴ
ＰＴのＴｓｚ□の形成位置にアライメントマーク（以後
、信号線アライメントマークと呼ぶ。）を作製したこと
ろを示している。なお絵素電極ｐｉｇにはＴＦＴのＴｍ
、□により信号を印加できる。
ＰＴのＴｓｚ□の形成位置にアライメントマーク（以後
、信号線アライメントマークと呼ぶ。）を作製したこと
ろを示している。なお絵素電極ｐｉｇにはＴＦＴのＴｍ
、□により信号を印加できる。
第５図は本発明の第５の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大平面図である。
リックスアレイの一部拡大平面図である。
第５図において、８は絵素電極上に形成された絶縁物か
らなるアライメントマーク（以後、絶縁膜アライメント
マークと呼ぶ。）である。前記絶縁膜アライメントマー
ク８はポリイミドなどで形成される。
らなるアライメントマーク（以後、絶縁膜アライメント
マークと呼ぶ。）である。前記絶縁膜アライメントマー
ク８はポリイミドなどで形成される。
本発明の第１の実施例から第５の実施例においてアライ
メントマークを検出し、加工対象物を検出するためには
、まずアライメントマークがほぼレーザ照射口の下にな
るように粗動位置決め範囲の位置決めをおこない、次に
広範囲に微弱なレーザ光を照射かつ走査するとともに、
前記レーザ光の反射光を検出する。前記反射光が同一パ
ターンのくりかえしのとき、前記レーザ光の走査範囲に
はアライメントマークは含まれていない。したがって粗
動位置決めをやりなおし、またレーザ光を走査する。以
上の動作により絵素に形成されたアライメントマークを
検出することができ、前記アライメントマークから相対
位置に形成されている加工対象物の位置を検出すること
ができる。
メントマークを検出し、加工対象物を検出するためには
、まずアライメントマークがほぼレーザ照射口の下にな
るように粗動位置決め範囲の位置決めをおこない、次に
広範囲に微弱なレーザ光を照射かつ走査するとともに、
前記レーザ光の反射光を検出する。前記反射光が同一パ
ターンのくりかえしのとき、前記レーザ光の走査範囲に
はアライメントマークは含まれていない。したがって粗
動位置決めをやりなおし、またレーザ光を走査する。以
上の動作により絵素に形成されたアライメントマークを
検出することができ、前記アライメントマークから相対
位置に形成されている加工対象物の位置を検出すること
ができる。
発明の効果
本発明のアクティブマトリックスアレイは所定箇所の第
１の絵素の形状を周辺の絵素の形状と変化させたもので
ある。
１の絵素の形状を周辺の絵素の形状と変化させたもので
ある。
したがって、前記第１の絵素中に形成されたアライメン
トマークを用い、位置検出およびフォーカスをおこなう
ことにより、アクティブマトリックスアレイの中央部の
加工対象物をもトリミングすることができる。前述のこ
とはアクティブマトリックスアレイが大型化しても、メ
モリリペア装置などのレーザトリミング装置の微動位置
決め範囲ごとに前記第１の絵素を形成することにより対
応でき、その効果は大である。
トマークを用い、位置検出およびフォーカスをおこなう
ことにより、アクティブマトリックスアレイの中央部の
加工対象物をもトリミングすることができる。前述のこ
とはアクティブマトリックスアレイが大型化しても、メ
モリリペア装置などのレーザトリミング装置の微動位置
決め範囲ごとに前記第１の絵素を形成することにより対
応でき、その効果は大である。
第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大平面図、第２図は本発明の第
２の実施例におけるアクティブマトリックスアレイの一
部拡大平面図、第３図は本発明の第３の実施例における
アクティブマトリックスアレイの一部拡大平面図、第４
図は本発明の第４の実施例におけるアクティブマトリッ
クスアレイの一部拡大平面図、第５図は本発明の第５の
実施例におけるアクティブマトリックスアレイの一部拡
大平面図、第６図および第７図はアクティブマトリック
スアレイの平面図、第８図および第９図は従来のアクテ
ィブマトリックスアレイの一部拡大平面図、第１０図は
アライメントマークの説明図、第１）図、第１２図およ
び第１３図はレーザ走査位置とレーザ反射量の関係を示
すグラフである。 Ｓ Ｉ””’ Ｓ ４・・・・・・ソース信号線、Ｇ、
〜Ｇ４・・・・・・ゲート信号線、ＰＩＩ−Ｐｚａ・・
・・・・絵素電極、’Ｉ”ＩＩ〜Ｔ３４ ・Ｔ ｓ ＋
＋〜Ｔ ｓ ４．− Ｔｍ、、〜Ｔｍ３！”・−・Ｔ
ＦＴ％ ａ ＋＋〜ａ ３４°ａ ｓ ＋、 〜ａ ｓ
ａ４’ ａ ｍｌｌ〜ａ ｍ３３・・・・・・ソース
端子、ｂｌｌ〜ｔ１）４・ｂｓ、、〜ｂＳ４４・ｂｍＩ
Ｉ−ｂｍ３３・・・・・・ゲート端子、ＣＩＩ〜Ｃ３４
’Ｃ３＋＋”’ ＣＳ ４ａ ’ ＣｍＩＩＮＣｍ３３
””・・ドレイン端子、１．３・・・・・・絵素アライ
メントマーク、２・・・・・・ＴＰＴアライメントマー
ク、４・・・・・・信号線アライメントマーク、５・・
・・・・絶縁基板、６・・・・・・ゲート信号線、７・
・・・・・ソース信号線、８・・・・・・絶縁膜アライ
メントマーク、９・・・・・・アライメントマーク。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名ｑ−一一ア
ライメンｈマーク 第１０図 第１）図 シーブタ５にイ立置
リックスアレイの一部拡大平面図、第２図は本発明の第
２の実施例におけるアクティブマトリックスアレイの一
部拡大平面図、第３図は本発明の第３の実施例における
アクティブマトリックスアレイの一部拡大平面図、第４
図は本発明の第４の実施例におけるアクティブマトリッ
クスアレイの一部拡大平面図、第５図は本発明の第５の
実施例におけるアクティブマトリックスアレイの一部拡
大平面図、第６図および第７図はアクティブマトリック
スアレイの平面図、第８図および第９図は従来のアクテ
ィブマトリックスアレイの一部拡大平面図、第１０図は
アライメントマークの説明図、第１）図、第１２図およ
び第１３図はレーザ走査位置とレーザ反射量の関係を示
すグラフである。 Ｓ Ｉ””’ Ｓ ４・・・・・・ソース信号線、Ｇ、
〜Ｇ４・・・・・・ゲート信号線、ＰＩＩ−Ｐｚａ・・
・・・・絵素電極、’Ｉ”ＩＩ〜Ｔ３４ ・Ｔ ｓ ＋
＋〜Ｔ ｓ ４．− Ｔｍ、、〜Ｔｍ３！”・−・Ｔ
ＦＴ％ ａ ＋＋〜ａ ３４°ａ ｓ ＋、 〜ａ ｓ
ａ４’ ａ ｍｌｌ〜ａ ｍ３３・・・・・・ソース
端子、ｂｌｌ〜ｔ１）４・ｂｓ、、〜ｂＳ４４・ｂｍＩ
Ｉ−ｂｍ３３・・・・・・ゲート端子、ＣＩＩ〜Ｃ３４
’Ｃ３＋＋”’ ＣＳ ４ａ ’ ＣｍＩＩＮＣｍ３３
””・・ドレイン端子、１．３・・・・・・絵素アライ
メントマーク、２・・・・・・ＴＰＴアライメントマー
ク、４・・・・・・信号線アライメントマーク、５・・
・・・・絶縁基板、６・・・・・・ゲート信号線、７・
・・・・・ソース信号線、８・・・・・・絶縁膜アライ
メントマーク、９・・・・・・アライメントマーク。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名ｑ−一一ア
ライメンｈマーク 第１０図 第１）図 シーブタ５にイ立置
Claims (7)
- （１）アクティブマトリックスアレイの所定箇所の第１
の絵素を前記第１の絵素の周辺に位置する絵素と異なる
絵素形状にしたことを特徴とするアクティブマトリック
スアレイ。 - （２）第１の絵素は絵素電極に矩形部を有する金属また
は半導体からなる薄膜を形成したことを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載のアクティブマトリックスア
レイ。 - （３）第１の絵素のスイッチング素子を前記絵素の周辺
に位置する絵素のスイッチング素子と異なる形状にした
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のアク
ティブマトリックスアレイ。 - （４）第１の絵素の近傍の信号線の形状を周辺に位置す
る絵素の近傍の信号線の形状と異なる形状にしたことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のアクティブ
マトリックスアレイ。 - （５）第１の絵素上に絶縁物質からなり、かつ矩形部を
有する薄膜を形成したことを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のアクティブマトリックスアレイ。 - （６）第１の絵素にレーザ光を照射し、前記レーザ光の
反射率から第１の絵素の位置を検出することを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載のアクティブマトリッ
クスアレイ。 - （７）第１の絵素はアクティブマトリックスアレイの周
辺部以外の部位に形成することを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載のアクティブマトリックスアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296566A JPH01137238A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | アクティブマトリックスアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296566A JPH01137238A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | アクティブマトリックスアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137238A true JPH01137238A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17835204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62296566A Pending JPH01137238A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | アクティブマトリックスアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01137238A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347821A (ja) * | 1990-05-15 | 1994-12-22 | Centre Natl Etud Telecommun (Ptt) | 表示スクリーン製造方法及び該方法で製造された表示スクリーン |
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| JP2004095555A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Eastman Kodak Co | 有機発光表示装置製造用の基板を整合する方法 |
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| JPWO2008117355A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2010-07-08 | パイオニア株式会社 | 半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62296566A patent/JPH01137238A/ja active Pending
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| EP1394872B1 (en) * | 2002-08-29 | 2015-09-23 | Global OLED Technology LLC | Method of manfacturing an OLED display by using fiducial marks on a substrate for laser transfer of organic material from a donor to a substrate |
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