TWI294667B - Method for forming buried plate of trench capacitor - Google Patents

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Description

一、 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種積體電路(丨c),尤其是關於一種溝 渠式電容。舉例而言,這類㈣包括有記憶體^,例如隨 機存取圮憶體(RAM)、動態隨機存取記憶體(DRAM)、同步 動態隨機存取記憶體(SDRAM)、靜態隨機存取記憶體 (SRAM)、以及唯讀記憶體(R〇M)或其他記憶體ic。其他 包括例如可程式邏輯陣列(PLA)元件、特殊應用ic (ASIC)、合併邏輯/記憶體Ic(嵌入式⑽-,或eDRAM),或 任何其他利用溝渠式電容的電路元件。具體來說,本發明 係有關於在溝渠式電容中形成埋入式電極板的新方法,尤 其是在深溝渠電容中。 二、 【先前技術】 積體電路(1C)或晶片(chip)係運用電容作為電荷儲 存。其中-種以電容作為電荷儲存的IC就是記憶體IC,例 如DRAM晶片。傳統上,DRAM記憶晶胞係包含連結到電容的 電晶體。it常DRAM所用# t容其中之一種型態係溝渠式電 容。溝渠式電容係在基材上形成三維的結構,而且通常包 括蝕刻到基材之深溝渠。溝渠係填充著,例如,n_型掺雜 多晶矽(n-type doped p〇ly)。摻雜多晶矽係被用來做為 電容之一個電極(稱做「儲存電極」)。n_型摻雜區圍繞 在溝渠之底部,以作為第二電極。這個摻雜區就被稱為 「埋入式電極板(bUried Piate)」。節點介電層(n〇de dielectric)將埋入式電極板與儲存電極彼此分開。 1294667 五、發明說明(2) 溝渠式DRAM技術製程中,形成埋入式電極板是改善其 效能很重要的一部分。傳統上,形成埋入式電極板包括, 外部擴散摻雜物(out dif fusion dopants)到圍繞在溝渠底 部的基材區中。摻雜源通常係由η-型矽酸玻璃所提供,像 是砷矽酸玻璃(ASG)。傳統上,埋入式電極板之形成,係 在溝渠底部之側壁沉積一薄砷矽酸玻璃層,然後利用高溫 回火(thermal anneal) ’也就是利用一般所熟知的「離子 驅入(drive-in)」製程,以形成埋入式電極板。砷矽酸玻 璃層是作為砷的來源’用以摻雜埋入式電極板。 隨著溝渠技術的特徵尺寸減小,尤其是,溝渠的尺寸 變小,砷矽酸玻璃(ASG)層的厚度也必須跟著因此而降 低。然而’過度降低ASG層的厚度,使得薄層的砷被耗 盡,會導致在埋入式電極板中砷的濃度也降低。因此,溝 渠技術的發展深深地受到傳統ASG製程的限制。 n Vir 5$ 一 α %令叩吕,環頸U〇 U ) 構亦是十分地重要,因為它H姑A A 4
7匕疋被用來作為硬光罩 (hardmask),以阻絕溝渠上绫的由 緣的岬擴散及矽蝕刻。值竑 上,在沉積ASG之前就先形成严吨 r 1 得統 ϋ〜成%頸。習知技術中已經 有數種環頸結構,包括反環,Ν η + · t 1展 夕曰a, ., 衣碩(antl—collar)結構、犧牷 多晶矽(sacrificial p〇iy)处椹 俄往 • 7、、、°構及修正的反環頸 (modified anti-collar) ^ ^、。構,然而由於其本身結構特
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性’每個結構仍都有其限制。 =反環頸結構中,先形成一氧化層(〇xide丨 J二然後在溝渠中填充阻抗劑— Μ),使阻 層凹陷到低於溝渠上緣的一預定深度。 ^ =渠上部暴露的側壁上移除’然後去除溝渠底部中的 ^蜊。這樣就只留下溝渠底部側壁上覆蓋著氧化物。接 泪=’將晶圓暴露在含氮的環境中,例如氨(NH3)。由於 在、、# ί σ卩係设蓋著氧化物,所以一薄氮化物層以高溫成長 ^渠側壁的上部。最後,從側壁底部移除氧化物,只留 下氮化物環頸在溝渠的上部。 ^ 反環頸結構的限制就是,熱成長的氮化物層其最厚只 月匕長到約25埃(Angstrom)或者更薄,在後續的製程中這樣 的環頸厚度是不夠的。 ’
犧牲多晶矽結構係開始於在溝渠側壁上形成第一氧化 層’通常係以熱氧化製程(thermal oxidation)所形成。 接著利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)使得第一氮化層形成 在溝渠側壁。然後,溝渠填充著多晶矽,且使多晶矽的上 表面凹陷至低於溝渠之頂部一定深度。利用同步蒸氣成長 (in-situ steam growth ;ISSG)製程,使多晶石夕與氮化層 的表面氧化,接著利用LPCVD製程沉積第二氮化層。利用 反應離子钱刻(Reactive Ion Etching ;RIE)技術進行非
第8頁
1294667 五、發明說明(4) H敍刻二f移除氮化物及ISSG製程在多晶石夕上產生的氧 上。,/、召下氮化物與I SSG產生的氧化物於溝渠的側壁 ,繼續積極蝕刻,以移除溝渠底部所有的多晶矽。 層了,日上的第一氮化層就被去除,並停止於第一氧化 ’溝渠上部的第二氮化層也被去除。在溝渠底部 下一 :Γ化層與溝渠上部的1SSG氧化物也被去除,而只留 > ^頸形成在溝渠的上部。此環頸包括一薄 層與一 鼠化層。
^ f ^頸結構中利用熱成長(thermal growth)來形成 氣化物%頊不同的是,在犧牲多晶矽結構中,氮化物係利 ,LPCVD製程形成的。因此,犧牲多晶矽結構中的氮化物 ^ ^ Ϊ任何的厚度。然而,這種結構仍有著以下的缺點: 製程複$,以及在從溝渠底部移除多晶矽的過程中產生嚴 重$缺陷。為了要完全地移除多晶矽,移除的製程是利用 非$積極的敍刻製程。這將造成嚴重缺陷的問題,例如在 ,:的側壁產生小孔(pinh〇les),而且會對某些區域造成 損壞’像是在對準記號(alignment marks)。 在修正的反環頸結構中,利用熱成長(thermal growth)製程形成第一氧化層於溝渠側壁上。然後,利用 LPCVD^形成第一氮化層於溝渠側壁上。接著利用LPCVD製程 形成第二氧化層於溝渠側壁上。接下來利用LPCVD製程沉 積一薄多晶石夕層於溝渠側壁上,接著氧化表面使其形成一 | 1111 圓 »1
__ 1294667 五、發明說明(5) 第二氧化層。溝渠就因此埴 、, 渠頂部的一預定π庚。楚1、f 圳,亚凹陷到低於溝 頂部移除之,、技!Γ又^弟二乳化層係從溝渠側壁所曝露的 化製程形成第二氮化層於溝除二然後僅利用高溫氮 己增覆盍者,稭此以抑制氮:乳 來,利用移除制妒r π隹4木的底部。接下 層所選擇的彭;=〇一va=cess),係針對第二氮化 移除製程,俜針針楚層從溝渠底部被去除。利用 在第-=二,鼠化層也從溝渠底部被去掉,而停 除而;在溝渠頂部的第二氣化層也被去 —氧化層也從溝渠的麻部1 w f員。卩除掉多晶矽層。第 二氧化層也被本^°卩被除掉。同時,在溝渠頂部的第 部。類:於犧牲Γ:因此僅有一環頭結構形成於溝渠的頂 氮化層犧牲夕晶石夕結構’此環頸包括-薄氧化層與- 修正的反環頸結構 多晶矽的步驟。缺而甘:=其可避免掉積極華 頌結構的品質不佳,复 裊私禝雜,以石
孔」形成。多層臈沉 、生 貝+仫曰有d 工, 積月匕'^成鼠化物的卢田石4士 立a 重缺陷。此一結構仍古1 4 +初的J衣頸結構產4 r · u 再1乃有可能產生在窄溝準Φ A内拔4占 (Pinch-off)的可能。 再木中向内擠掉 二所有習知的結構中 再者,在這进* M f 在埋入式電極板形
1294667 五、發明說明(6) 成之前就已經先形成瓶形的溝渠。在製作瓶形的過程中, 環頸結構很可能被破壞’使得無法有效完成接下來的埋入 式電極板之製程。 舉例而言’可利用在溝渠底部中的犧牲材料 (sacnficial material),使環頸結構形成於溝渠側 =:^國專利第6,5()9,599號專利中,多_152“ 積在B曰圓上,以填充溝渠1〇8 (說明書第6攔第16]7行 所述)。接著將多晶矽1 5 2向下移除,古 , 頸之底邊(說明書第6欄,第27〜28環 介電層於晶圓,覆蓋住溝渠的側,(J明書第、“ΊΟ 〜42 行所述 ) 。 蝕刻 介電層 ,以 形曰索 7欄,第卜3行所述)。接下來,移=明書第 W咏多晶石夕犧牲層〗5 ? (說明書第7欄,第12~13行所述)。移除多_
形成埋入式電極板(說明書第7攔,第58 6〇 P -類似的製程’係利用多晶料為犧牲材肖 ^ 國專利號第6, 3 1 9, 788中。 达在果 另外,還有一種是 ,一一,…,,a ,u们竹忭马犧
:專利,n,m號中’氧化層112係形成於= 上,亚填充於溝渠結構110中,麸德每 土 W以 除基材1 02頂部表面上的氧化層i i 2及部分溝準的/的驟氧^ 第,:Ξ ί露出側壁上部11 la (說明書第4攔第63〜 欄弟7仃所迷)。接著形成環頸氮化物間隙扣〇ik
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Spacers)U6於側壁上部1Ua (說明書第5欄,第 ^ ^所述)_。’然後,氧化層11 2即被移除之(說明書第 *弟7〜4 0行所述),以及形成摻雜區丨丨7於溝渠結構 ^底部ii〇b與側壁底部lllb (說明書第5攔,第48〜49行所 述)。另一種利用犧牲介電材料的類似製程,係描述於美 國專利第6, 365, 485號中。 、 在上述的方法中,深溝渠係完全地形成於基材,然後 沉積-犧牲材料於溝渠巾’並使其凹陷至暴露溝渠側壁的 上部。、此環頸係形成於側壁的上部,然後移除犧牲材料, 即形成埋入式電極板於溝渠的底部。在另一種麥程方法 中,形成部分的深溝渠,環頸係形成於部分溝^的側辟 上’然後蝕刻出完整的溝渠,並且埋入式電極板即形成於 環頸下方的溝渠側壁。舉例而言,美國專利第6,225,158 號中,深溝渠的上部39係以氮化物環頸43為内襯(說明書 第3欄,第3行〜第6行之說明),然後完成深溝渠的蝕刻曰 (說明書第3欄,第10行~第13行之說明)。深溝渠係以砷 矽酸玻璃(ASG)49為内襯,並利用離子驅入製程(drive_ in)形成π +型擴散電極板51,係環繞著深溝渠的底部47 (說明書第3欄,第14行~第20行之說明)。另一個類似的 製程係描述於美國專利第6, 1 9 0, 98 8號說明書中。 同樣地’上述所有的製程結構中,仍需在埋入式電極 板形成之前就先形成瓶形溝渠。在製作瓶形的過程中,環
Ϊ294667 五、發明說明(8) 被破壞,使得無法有效完成接下來的埋人式 —薄砰石夕^ ^外’埋人式電極板之形成,係藉由沉積 火,也1 θ 曰於溝渠底部的側壁,然後施以高溫回 之特徵「離子驅入」製程。由於溝渠技術要求 地降低ASG的厚戶μ, ’/:/是溝渠的尺寸要縮+ ’然而過度 降低,故容易使V個二致埋入式電極板’的砷濃度隨之 尺寸變化嚴重地::::的效能不I。因此’溝渠技術的 厭更地叉制於傳統的ASG製程。 領域仍有需要:5溝;n容,埋入$電極板的方法技術 溝渠的側壁上,而』員’儿積一薄的摻雜源薄膜層於 才能沉積換雜源材料製程㈣& Μ形成環頸結構之後 三、【發明内容】 入式=板種形成溝渠式電容之埋 發明之梦方法使溝渠中;制。尤其是,本 ASG ”,、、後才使摻雜源材料凹陷/太称;斗來填充,像是 於’:積環頸材料’以 '明另—方面係在 頸結構係在填充摻雜源材料的上部。因此,環 在本發明另—方面,其方 體基材上形成至少-具有側壁之溝:下列步驟··在-半導 ________ /木,部分地填充摻雜源 第〗3頁 五、發明說明(9) ,料(dopant source material)於溝渠’以 二表面的摻雜源,此頂部表面位在該溝渠的頂m 二雜源材料係含有至少—摻雜物;形成一=匕下’而 (^electric coUar)於摻雜源之上的溝準衣1 材,使得摻雜物在溝槽内擴散 ,、土,加熱基 基材中,藉此以形成埋入式=未:^電環頸所覆蓋的 雜源材料。 ’及從溝槽中移除摻 本發明之另一方面中,盆古、土 —人 體基材上形成至少-具有側壁之二':列步驟:在半導 材料於溝渠,以形成具有—頂=二=分地填充摻雜源 面位在溝渠的頂部之ΤΓ,而# 杉雜源,此頂部表 二材料在摻雜少-摻雜 並且覆蓋位在掺雜源之上的、甚$ 7充溝朱剩下的部 :摻雜物在溝槽内擴散進工:壁;加熱基材,使 :心=…心材 #面立在溝渠的頂部,或位於其2 ·、、摻雜源,此頂部表 、凹陷,使其低於溝渠的頂杳卜,M及使摻雜源的頂部 四 實施方式 1294667 五、發明說明(ίο) 本發明的詳細說明請同時參照所附之圖 其係以簡潔的方式呈現出本發明各式結構的二^蔣 在以下所提供之詳細說明中描述的更清楚。兮 、 係用以舉例,而並非用以限制本發明 〜^式說明 之到面圖式的各個方面係以直角表示之再=本 技藝之人士所周知者,這些結構實際上係逐漸變尖:自 (tapered)。此外,本發明並非限制於任何的特殊結構。 為了方便解說之目的,本發明在以下 DRAM晶胞(cell)說明之。然而, =^係以 雪交的來忐。盔7击7知丄 +七月係延伸到一般溝渠 電合的形成。為了更了解本發明,於此 DRAM的傳統製程。 供$成溝朱電谷 在習知的方法上,如圖1 所 材10,豆且有墊氧化物彳(a)所不,係開始於提供一基 nitride^ ΐ :/= Xlde)U 及墊氮化物(― # )12。溝朱13係形成於基材10。在圖1(b)中,沉_ 摻雜源材料層! 5,例如ASG,於溝渠底部二b”,儿積 (S1deWalls)。然後,以犧牲材料16溝,
所示。犧牲材料16可以是,例如,多^溝*如圖KO (Polysi 1 icon)、或是介電材料, 材料。在圖1U)巾,犧牲材料16係凹疋乳化物、或g疋阻抗 頂部的程纟’然後藉由蝕刻穿程:低於溝渠13之上 的部分移除,如圖1(e)所示,、藉此==材料15所暴露出 部。然後移除溝渠13中剩餘的‘牲材;二,上 i 第15頁 1294667 發明說明(11) 示0 如圖 1 ( 2 ) Pir ~~ 、r>> /儿積一介電環頸材料(d i e 1 e c t r i c ’例如未摻雜的石夕酸玻璃(USG),於 二木則土上。然後施以摻雜離子的驅入製程,典型地係 藉由加熱基材’使得摻雜離子擴散進入基材,藉此以形成 埋入式電極板18,如圖1(h)所示。最後,將介電環頸材料 17及摻雜源材料15從溝渠中除掉,如圖i(i)所示。
本發=提供一種更為簡單的製法,具有更有效的整合 度,以同時形成埋入式電極板與環頸(c〇1 Ur)。與圖丨(a) 至1 (1)的習知方法相比較,本發明具有以下的優點。第 一 ’不用仰賴沉積一薄摻雜層於溝渠側壁上,而是利用換 雜源材料完全地填充於溝渠,以形成埋入式電極板,因此 可以解決習知砷耗盡的問題。第二,介電環頸係在摻雜 材料填充於溝渠之後才形成,因此可以免去沉積多層薄Λ、 的製程。利用傳統的製程所導致在溝渠尺寸的限制,可= 用本發明獲得明顯改善,而且利用本發明的方法可進— 到次100奈米(sub-l〇〇nm)的等級。 V 本發明的第三個優點是在於溝渠的形狀。像是石夕基 的材料上所形成的溝渠,典型地係呈現類似六角形。^ 而’為了要使電容有更好的效能以及更寬廣之製程範圍 (Process window)的製程,溝渠的形狀最好是矩形的。
1294667 五、發明說明(12) ___ _____ 用濕蝕刻製程,視結晶方向以 一 出方形的溝渠。本發明的方、去不同速率蝕刻矽,可以製作 process)可在摻雜源材料凹陷此成形的製程(shap i ng 的上部有受到成形,而溝渠^ 7後才進行,所以只有溝渠 所保護著。因此,溝渠底$仍=2,所填充的摻雜源材料 減輕由於溝渠底部之尖角、’、字著原來的形狀,藉此並 dielectric)的可靠性問題,生的θ節點介電層(⑽心 極介電形成的地方。 疋在埋入式電極板與電 現在^L明本發明方法之一實施例,請參照圖2 ;始於如圖2(a)所示之結構,其包括基材 !二、墊氧化物⑴以及塾氮化物112。基材ιι〇的材料較佳 為矽(S1l1C〇n),然而其他各種的半導體材料也適用作為 基材110,像是砷化鎵(gallium arsenide)、鍺 (germanium)、矽鍺(silicon germanium)、或是絕緣層上 石夕(SOI )等。基材11 〇可選擇輕摻雜p型摻雜物,像是硼 (boron),特別是在埋入式電極板是要摻雜像是砷之類的n 型摻雜物時。通常墊氧化物111係利用熱氧化製程 (thermal oxidation)形成於基材110上。塾氮化物112係 形成於墊氧化物111之上,作為後續像是化學機械研磨製 程(CMP)的終止層(stopper)。 墊氮化物1 1 2可利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)製程所 形成,或是利用電漿加強化學氣相沉積(PECVD)。可利用
1294667 五、發明說明(13) 化學氣相沉積(C V D )製程’將硬遮罩(h a r d m a s k)(未圖 示),例如摻雜硼的矽酸玻璃(BSD),形成於墊氮化物11 2 之上。藉由蝕刻硬遮罩、墊氮化物丨丨2、及墊氧化物丨丨J以 定義溝渠圖案(trench pattern)。然後,溝渠113即形成 在基材11 0中。在一較佳實施例中,溝渠丨丨3係利用反應離 子蝕刻(RIE)步驟形成,並施以NF3/HBr/〇2作為蝕刻化學 劑。或者’亦可使用其他的蝕刻劑像是s丨c 1“ c 1 、 尸13/C12、或SF6/Br2 ’以形成溝渠113。溝渠4心度約為 〇 · 5 // m到1 0 # m,較佳者约為7至8 # m。 亍、甚3Γ摻雜源材料115填充溝渠丨13,如圖2(W所 者為之步驟係可利用任何合適的技術,較佳 ί二;積(LPCVD),,或是高密度電衆化學氣 、 ),、他合適的技術尚包括電襞;^^彳卜與$ 相沉積⑽VD)或旋塗(spin,)技術等。^ =化干耽 雜物2ΪΪ為ΪΪ源材料115可以是任何含有η型的摻 係摻雜砰的化ί。尤其是’較佳的摻雜源材料 伟甲的虱化物玻璃。其它合適 化物玻璃,或是摻雜坤或鱗的多晶石夕。雜破的乳 入式電極板,則摻雜$ w衣作Ρ型的埋 例如硼。 *原材枓115可含有任何Ρ型的摻雜物, 陷 接下來,凹 極板的預定深度 J ,雜源材料1 1 5的頂部表面至埋入式電 藉此暴露出溝渠側壁的上部,如圖2(c)
第18頁 五、發明說明(14) 3二人3 t ί雜源材料115的步驟可利用乾钱刻製程,例 刿氟化合物類(例如C4Fe)的環境中施以反應離子 1 ),或可利用氟化氫施以濕蝕刻製程。應選擇適 製程,使得氧化物被有效地姓二高應二 留下的$夕。 摻雜源材料115凹陷之後,可選用地對溝 ί ϋ Ϊ驟使Ϊ ^ ^製J係用於將六角形的溝渠上部修 使電备具有較佳的效能與較寬廣的製程範圍。 如圖Gd用)2形成一薄氧化層11 7於溝渠側壁暴露的上部’ Π的ΪΓ作為一緩衝層,以緩和環頸直接與= 法。或者,::v 或旋塗技術等氧化物沉積 二 矛用冋溫形成一薄氮化層於溝準側辟μ 、 加強環頸U9與溝渠側壁之間的黏著性'、“側壁上’以 接Τ來’環頸材料119沉積在溝 (,。環頸材料119可為任何作為阻障:的上:如圖2 ί ί的上方區域受到掺雜。環頸材料119較佳者為’,防 員H9可利用任何的化學氣相沉積製=鼠化 佳者為利用LPCVD,因為其具有均句薄膜的品質。7成’較 第19頁 1294667 五、發明說明(15) 在圖2 (f )中 etching)的步驟 料’只留下溝渠 此一步驟可藉由 間隙壁反應離子 有兩個目的。其 的氧化步驟(如 式電極板區域的 料被除掉之後, (drive-in)的製 頸區域。因此, 摻雜。 顯示貫施一間隙壁飯刻(s p a c e r ’移除摻雜源材料1 1 5頂部上的環啯 側壁上的環頸材料m,以二;二 任何適當的間隙壁蝕刻製程,像是 =刻(spacer RIE)製程。環頸119的形的 一,防止環頸區域的溝渠側壁在後續课 圖2 (g)所示)中被氧化。因此,只有土、 化。,此:氧化物以及;參雜G 口 y成瓶形的溝渠。第二,在離子驅入 ,中,環頸11 9防止摻雜物擴散進入到環 只有埋入式電極板的區域丨丨8會被大量^ 斜岁丨^ ^成埋入式電極板的製程中,圖2(f)所示的間隙辟 :二=為選用#。如果省去此步驟 子ς 二;;散進入到基材,而形成埋入式電極板。少了 = ΐ驅驟,摻雜源材料115頂部上的環頸材料可以在離、 115的側辟?邑乳的擴散。溝渠底部覆蓋著摻雜源材料 此’、、聋泪土广,立在離子驅入製程中就無法有效地被氧化。因 的步擴大會被極小化。再*,省略間隙壁餘刻 ΐίΐΐ溝渠電容的強化的難以進行,像是半球形石夕 此(emlspherical silicon grain,HSG)&法沉積。因 此’較k是保留間隙壁蝕刻的步驟。
第20頁 1294667 五、發明說明 ^發明方法的下一個步驟是摻雜離子驅入的製程,如 二虐\所不,利用熟習本技藝之人士所周知的技術來進行 ^ 2 1 ’將摻雜物從摻雜源材料丨丨5擴散進入到溝渠側壁 广邱1f表面’以形成擴散電極板118,其係圍繞著溝渠的 P π η π車又佳者將晶圓進行高溫回火,其溫度約在8 0 〇 °c到 你A 更佳者是在1 050 °c,時間約為1到60分鐘。摻雜 搞1; 入進入到溝渠底部的基材1 1 〇中,以形成埋入式電 / 。溝渠上部的氮化物環頸1 1 9被作為一硬遮罩 m ask)以防止摻雜物擴散到溝渠的上部區域。回火 中可含有氧、氮、氫、氬、或任何上述的組合。如 =〃有氧,則溝渠底部的側壁會被氧化,形成氧化物 1 ^ 0 ° 接下來的步驟,如圖2(h)所示,去除氧化物12〇與摻 ::==5,舉例而言,係利用氟化氫(HF)以傳統的濕 划製私去除之。其中的蝕刻劑可包括緩衝氟化氫 bUffered HF,BHF)、稀釋的i化氫(DHF)或濃縮的i化 ,。或者,亦可以利用傳統的乾蝕刻製程去除此氧化物。 需注意者,在去除氧化物之後,溝渠的表面區 妗 可藉此強化溝渠式電容。另一種強化溝渠式電容二段也 可利用此一觀點來實施,例如在未被環頸丨丨9所 渠底部中形成半球形矽顆粒(HSG)、以濕式或乾式蝕未 破環頸11 9所覆蓋的溝渠底部以形成瓶形溝渠底部、氣相
五、發明說明(17) 摻雜(GPD)、電漿摻雜、電臂 何方法組合者。濕式叙列入式離子植入、或以上任 ^(v〇u\ uv υ Χ 土材的钱刻劑可含有氨、氡氧化 鉀(ΚΟΗ)、或HF:HN03:CH3C00H。使用务气各如 化 污染,所以可能需要多一個? #可能造成鉀 劑可含有cι2電漿。 β Λ、、y驟。蝕刻基材的蝕刻 隶後’去除環頸11 9 中,璟頤119孫务儿仏u 所不。在較佳實施例 -,.;.— -#(HF and ethylene 熱磷酸(hot H3P〇4)。如果轰枨细思,)的-^物,或者 在環頸119之下,I仍可利V^'(ixide iiner)117是位 如用HF化人丄二 何適當的技術去除之,例 如用HF化合物類,而以傳統的濕蝕刻製程去除之。 Μ ί :二間隙壁蝕刻步驟的實施射,從溝渠中移除摻 雜源材枓115之前,就先去除掉環頸119。 本發明之另一實施例,請參考圖3(a)〜(e)。同樣地, ,方法開始於如圖3(a)所示之結構,其包括基材ιι〇、墊 乳化,111以及墊氮化物112。可形成一硬遮罩(未圖示) 於墊氮化物11 2上,其係利用化學氣相沉積(CVD)製程。藉 =蝕刻硬遮罩、墊氮化物112、及墊氧化物〗丨丨,以定義溝 渠圖案(trench pattern)。然後,溝渠113即形成在基材 11 0中。然後’以一摻雜源材料1〗$填充溝渠丨丨3,如圖3 1294667 I I ι··ι I ,. 五、發明說明(18) (式b極示板的接二來’摻雜源材料115的頂部表面凹陷到埋入 二;的預定深度’暴露出溝渠側壁的上部,如圖々 二材m二社材料m於溝渠的上部圖3⑷所示。第 ::斤又―佺者為未摻雜的氧化物,但亦可為未摻雜的 虱匕物、虱氧化物(oxynitride)、碳化矽、多晶矽、〃、 i二料之Λ何組合者。可利用任何適當的方法沉積第 二f將,較佳者係利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)、、或古〜 度電漿化學氣相沉積(HDPCVD)。 A间雄、 然後使用熱處理或者高溫製程,以使得摻雜物擴 f渠侧壁底部的表面’以形成擴散電極板丨18,其係圍縝 著溝渠的㈣。接下來從溝渠移除第二材料12 = 材料115,如圖3(e)所示。 L雜源 ,本發明提供一種更為簡單且更有效的方法,即可 瓶形溝渠與埋入式電極板,而並不需要許多的薄膜芦, 此明顯的可改善溝渠尺寸的限制。所以本發明的姓^ 伸到下幾代的溝渠DRAM技術,包括次100奈米(nm)°的等 級。本發明其他的優點還包括:與其他所有電容強化 程相比,其可抑制溝渠頂部的擴大,以及改良修正的反^ 頭(a n t i - c ο 11 a r )結構與犧牲多晶碎結構的缺點。 第23頁 1294667 五、發明說明(19) 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明,任何熟悉本技藝之人士,在不脫離本發明之 精神和範圍内,當可做些許之更動與潤飾,因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第24頁 1294667
圖式簡單說明 本發明之特色是新穎的 申請專利範圍所述。圖式之 其並未按照實際尺寸繪製。 相同的元件。本發明之結構 及圖式而更為人清楚地理解 圖1 (a)至1 (i)係描繪習知技 式電極板的方法; 圖2(a)至2(i)係本發明的一 容之埋入式電極板的方法; 圖3(a)至3(e)係本發明的另 容之埋入式電極板的方法。 圖示元件符號說明 10 基材 12 塾氮化物 15 摻雜源材料層 17 介電環頸材料 110 基材 11 2墊氮化物 11 5 摻雜源材料 11 8埋入式電極板 1 2 0氧化物 ’而且本發明之元件特徵係如 目的僅用以說明本發明,因此 此外’圖式中相同的編號代表 與操方法,係藉由詳細說明以 ,其中: 術中’形成溝渠式電容之埋入 種實施例,描繪形成溝渠式電 以及 一實施例,描繪形成溝渠式電 11 墊氧化物 13 溝渠 16 犧牲材料 18 埋入式電極板 111墊氧化物 113溝渠 117薄氧化層 11 9環頸 121 第二材料
第25頁

Claims (1)

1294667 六、申請專利範圍 埋入式電極板的方法,該方法 1、一種形成溝渠式電容之 包含下列步驟: 側壁; 形成至少一溝渠於一半導體 基材中,該溝渠係具有 於今^二地填充一 #雜源材料(dopant source material) = =成具有—頂部表面的-摻雜源,該頂部表 曲你位在該溝渠的頂部之下, 摻雜物; 形成一介電環頸(dieleetFi 在該摻雜源之上的側壁; 該摻雜源材料係含有至少一 C col lar)於該溝渠中位 力口熱该基材,使得兮换 &,.J.. y, 才乡雜物在該漢槽内撼私;隹λ Z丨I 被該介電環頸新螬芸沾4 U π //再h Μ擴政進入到未 %辰4所覆盍的該基材,蕤卜 板;以及 τ 稭此以形成戎埋入式 從4溝槽中移除該摻雜源材料。 2、如請求項〗所述之方法, 〔silicon)形成。 上亥+ V體基材 電極 係以石夕 3法如Λ求含項 方法’其中部分地填充該溝渠 的方 、一穆雜源材料至該溝渠,以形成且右一 ::,該煩部表面係位在該溝渠的頂部或:部表面 陷該摻雜源的頂部表面,使低於該溝渠 的項部。
第26頁 1294667
六、申請專利範圍 4、 如請求項1所述之方法,其中該摻雜源材料係砷摻雜 璃(arsenic-doped glass)。 -沛破 5、 如請求項1所述之方法,其中該介電環頸係由氮化物所 形成。 6、 如請求項5所述之方法,其中該介電環頸係藉由低壓化 學氣相沉積(LPCVD)所形成。 7、 如請求項5所述之方法’更包含在形成該介電環頸之 前,形成一薄氧化物層於該溝渠的側壁上之步驟。 8、 如請求項1所述之方法’其中加熱該基材的溫度係約為 8 0 0 °C到約1 2 〇 0 °C,時間約為1到約6 〇分鐘。 9、 如請求項8所述之方法’其中加熱該基材的溫度係约為 1 0 5 0 〇C。
1 0、如請求項1所述之方法,其中該基材係在含氧的環境 中加熱。 11、如請求項1 〇戶斤述之方法,其中在加熱的步驟中,一氧 化物層係成長於該摻雜源材料與該基材之間。
第27頁 1294667 六、申請專利範圍 1 2、如請求項1 1所述之方法,進一步包含步驟··移除該氧 化物層,藉此形成/瓶形溝槽(bottle-shaped trench)。 1 3、如請求項1所述之方法,更包含移除該摻雜源材料之 後,沉積複數個半球形顆粒(hemispherical grain)於該 溝槽之步驟。 1 4、如請求項1所述之方法,更包含移除該介電環頸之步 驟0 1 5、如請求項i所述之方法, 、、席姑枓之播 ^ ^ ^ 更包含步驟·在移除該摻雜 渠。 何敉低的部分,以形成一瓶形溝 利用氨 1 6、如請求項丨5所述之方 )來蝕刻 17、一種形成溝渠式電容 包含下列步驟·· 里入式 形成至少一溝渠於 側壁; (ammonia)來斜*丨。 ”中该基材係 電極板的方法,該方法 半導體基材中,該溝渠係具有一 口P刀地填充一摻雜源材 該^部表面係位:該溝 部表面的一摻雜源,諸作i ^於該溝渠,以形成具有一頂 渠的頂部之 第28 1 1294667 六、申請專利範圍 的部分,並且覆蓋該溝渠中位在摻3溝渠剩τ 如勒奸*丨· a…斗μ 〜雜源之上的側壁· 仔该摻雜物在哕、、#她一 ^ 奶隹°亥溝槽内擴散進入 的5亥基材,藉〖μ、 稭此以形成該埋入式電極 下,^摻雜源材料係含有至少一摻雜物; /冗積一第二材料在該摻雜源上, 、加熱該基材,使得該摻雜物在該漢二=上的側 被該第二材料所覆蓋的該基材,藉^ ^二上擴散進入到未 板;以及 從該溝槽十移除該第二材料與該摻雜源材料 18、如請求項17所述之方法,其中該半導體 成0 基材係以 石夕形 方 ===:之方法…部分地填充該溝渠的 填充一摻雜源材料至該溝渠,以形成具有一頂音 的一摻雜源,該頂部表面係位在該溝渠的頂部或頂^表面 上,以及 以 凹陷該摻雜源的頂部表面,使低於該溝渠的頂部。 20、如請求項丨7所述之方法’其中該摻雜源材料 玻璃。 “ 21如明求項1 7所述之方法,其中该第二材料係|摻雜的 氧化物。 μ / 第29頁 1294667 六、申請專利範圍 1 2 2三如請求項2 1所述之方法,其中沉積該第二材料之步驟 係藉由低壓化學氣相沉積(LPCVD),或藉由高密度電漿化 學氣相沉積(HDPCVD)。 7 2 3如明求項1 7所述之方法,其中加熱該基材的溫度係約 為80〇°C到約1 200 °C,時間約為^彳約“分鐘。 2 4如明求項2 3所述之方法,其中加熱該基材的溫度係約 為 1 0 5 0 〇C 。 25、如請求項丨7所述之方法,其中該基材係在含氧的環境 中加熱。 2 6如明求項2 3所述之方法,其中在加熱的步驟中,一氧 化物層係成長於該摻雜源材料與該基材之間。 27、如請求項!所述之方法,更包含步驟:暴露該基材至 下列至〉、其中之一.氣相摻雜(gas phase doping, GPD)、電浆摻雜(plasma d〇ping)、及電漿浸入式離子植 入(plasma immersi〇n ion implantati〇n)。 2 8、如睛求項丨3所述之方法,更包含步驟:沉積該複數個 半球形顆粒的步驟之後,暴露該基材至下列至少其中之 一 ·氣相摻雜、電漿掺雜、及電漿浸入式離子植入。
§
lib
第30頁
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