TWI291246B - Light emitting device and method of forming the same - Google Patents

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Description

1291246 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種發光裝置，更具體而言，有關於 一種晶圓級接合之發光裝置及其製造方法。 【先前技術】 發光二極體(LED)因其發光原理、結構等與傳統光 源不同，在市場上的應用也就更加多元化。例如LED | 具有體積小、高可靠度、可大量生產、並且可配合需求 製成各種大型元件等特性，通常應用於室内或室外大型 顯示螢幕。同時LED較傳統光源，無燈絲，耗電量小， 產品反應速度快的優點，亦可廣泛應用於通訊、電子等 各種領域。此外，由於白光LED照明效果佳，且具有 體積小、省電、抗壓、使用壽命長和無有害物質，如水 銀等，使得照明應用市場進一步成為LED應用發展方 向。 i 習知LED晶圓製作完成後，係將晶圓切割成複數 個LED晶粒。再依不同的應用需求，將複數個LED分 別設置在已設計好的電路板上，以完成發光裝置的製 作。然而，當習知以打線方式接合個別LED晶粒時， 製作程序繁複，且易發生斷線問題，進而導致良率降低 及成本增加。 因此，有必要提供一種發光裝置及製作方法，以提
4EPITAXY/05005TW ； UEC940801TW 1291246 昇接合良率，降低製作成本。 【發明内容】 本發明之-方面在於提供—種發光裝置，其曰 複數個發光二極體結構，以形成職串： 之發«置，提昇接合良率，降低製造成本。 於-實施例’本發明提供—種發衫置，其包含一 :板於基板上、二個多層磊晶層結構於基板 以母^生^晶層結構包含—發光結構，其包含上包 覆層、活性層、以及下包覆層、歐姆接點蟲晶層於上勺 =二i:歐姆接點電極於歐姆接點蟲晶層上，且： :於基板上、第二歐姆接點電極於下包覆』 一:二:發r構内’以分隔活性層為第-部份“ 極於下包覆層上，謂應活性層之第- Γ; :;==:Γ接點電極上，且對應活性層 點㈣内，供連光結構及第-歐_ 層結構之另-之第_電極或第二電極5。一個夕層初日日 方去本方面在於提供—種形成發光裝置的 方法，其^將她個發光二 晶圓製造流程中，簡化個別晶粒切割、打線、連結的繁
4EPITAXY/05005TW ； UEC940801TW 1291246 ， 複程序。 於另一實施例，本發明提供一種形成發光裝置之方 法，包含提供一暫時基板；形成一多層磊晶層於暫時基 板上，其中形成多層磊晶層之步驟包含：形成一下包覆 .層於暫時基板上；形成一活性層於下包覆層上；形成 一上包覆層於活性層上；以及形成一歐姆接點磊晶層 於上包覆層上。之後，形成複數個第一歐姆接點電極於 •歐姆接點磊晶層上；提供一基板；形成一黏著層於基 板上；藉由黏著層，接合多層磊晶層及基板，使得第一 歐姆接點電極介於歐姆接點磊晶層及基板之間；去除 暫時基板，以暴露下包覆層；形成複數個連接層於多層 磊晶層内；形成複數個溝渠於多層磊晶層内，以分隔活 性層為複數個第一部份及複數個第二部分；形成複數 個第二歐姆接點電極於下包覆層上；形成複數個第一 電極於下包覆層上，第一電極對應活性層之第一部份， _ 且藉由連接層與第一歐姆接點電極連接；形成複數個 第二電極於第二歐姆接點電極上，且第二電極對應活性 層之第二部份；去除多層磊晶層之一部份，以形成至少 二個獨立之多層磊晶層結構，每一多層磊晶層結構包含 一個第一電極及一個第二電極；形成一介電層於二個 多層磊晶層結構之間；以及形成一導線層，係連結二個 多層磊晶層結構之其一之第一電極與二個多層磊晶層 結構之另一之第一電極或第二電極。
4EPITAXY/05005TW ； UEC940801TW

Claims (1)

  1. 957101 年月曰修Λ)正替換頁 1291246 十、申請專利範圍： 1· 一種發光裝置，包含·· —基板， 一黏著層於該基板上； 至少二個多層磊晶層結構於該基板上，其中每 一該多層磊晶層結構包含： 一發光結構，其包含一上包覆層、一活性 層、以及一下包覆層； 一I姆接點蠢晶層於該上包覆層上； 一第一歐姆接點電極於該歐姆接點磊晶層 上，且藉由該黏著層接合於該基板上； 一弟二歐姆接點電極於該下包覆層上； 一溝渠形成於該發光結構内，以分隔該活 性層為一第一部份及一第二部分； 一第一電極於該下包覆層上，且對應該活 性層之該第一部份； 一 一第二電極於該第二歐姆接點電極上，且 對應該活性層之該第二部份；以及 、一連接層形成於該多層磊晶層結構内，供 連接該第-電極與該第一區欠姆接點電極； -介電層，係隔離該至少二個多層磊晶層結 一導線層，係連結該至少二個多層磊晶層結構 之，、-之該第-電極與該至少二個多層i晶層結構 之另一之該第一電極或該第二電極。 4EPITAXY/05005TW ； U2005-004-TW 95年10月26日修正：替換頁 17 ,1291246 %讥|0日修(更)正替換頁 2·如請求項1所述之發光裝置，其中該基板係選自包 含一玻璃基板、一藍寶石基板、一 sic基板、一（3aP 基板、一 GaAsP基板、一 ZnSe基板、一 znS基板、 一 ZnSSe基板所組成之一群組中。 3. 如請求項1所述之發光裝置，其中該黏著層係選自 包含旋塗玻璃、矽樹脂、BCB樹脂、環氧樹脂、及 聚亞酿胺所組成之^—群組。 4. 如請求項丨所述之發光裝置，其中該活性層係選自 包含磷化鋁鎵銦之一同質結構、—單異質結構、一 雙異質結構、及-多重量子井結構戶斤組成之一群組 中。 5.如請求項1所述之發光襄置，其中該第一歐姆接點 ，極為P魏雜點電極，且該帛二麟接點電極 為η型歐姆接點電極。 包含一 6.如請求項1所述之發光裝置，其中謗連接 金屬層。 曰 ,明求項1所述之發光裝置’其中該介電層係選自 =化紹(Αΐ2〇3)、二氧化石夕(Si〇2)、氣化石夕(siNx)、旋 主玻璃、頻脂、BCB樹脂、環氧樹料聚亞酸胺。 4EPITAXY/05005TW ； U2005-004-TW 95年10月26日修正；替換頁 18 1291246 |Tu· 2 —- 年月日修(更)正替換頁 8· 一種形成一發光裝置之方法，包含·· 提供一暫時基板； 形成一多層磊晶層於該暫時基板上，其中形成 該夕層蟲晶層之步驟包含： 形成一下包覆層於該暫時基板上； 形成一活性層於該下包覆層上；
    幵>成一上包覆層於該活性層上；以及 ^形成一歐姆接點磊晶層於該上包覆層上； 晶層I成㈣個第—歐姆接點電極於該歐姆接點蠢 徒供一基板,· 形成一黏著層於該基板上； 使得3該黏著層，接合該多縣晶層及該基板， 該歐姆接點電極介於該歐姆接點蟲晶層及
    ，除該暫時基板，以暴露該下包覆層； =成複數個連接層於該多層磊晶層内； 活性層 渠於該多層磊晶層内，以分隔該 二為硬—數個弟-部份及複數個第二部分； 上；〃成複數個第二歐姆接點電極於該下包覆層 電極2複數個第—電極於該下包覆層上，該第一 电極對應該活性層之兮锺^
    與該第-歐姆接點電π份，且藉由該連接層 形成複數個第二電極於該第 19 胤 28 ~ J291246 年月曰修(更)正替換頁 上，且該第二電極對應該活性層之該第二部份； 去除該多層蟲晶層之一部份，以形成至少二個 獨立之多層磊晶層結構，每一該多層磊晶層結構包 含一個該第一電極及一個該第二電極； 形成一介電層於該至少二個多層磊晶層結構之 . 間；以及 形成一導線層，係連結該至少二個多層蠢晶層 結構之其一之該第一電極與該至少二個多層磊晶層 • 結構之另一之該第一電極或該第二電極。 9.如請求項8所述之方法，其中提供該基板之步驟包 含自包含一玻璃基板、一藍寶石基板、一 SiC基板、 一 GaP 基板、一 GaAsP 基板、一 ZnSe 基板、一 ZnS 基板、一 ZnSSe基板所組成之一群組中，選擇該基 板。 Φ 10.如請求項8所述之方法，其中該黏著層係選自旋塗 玻璃、矽樹脂、BCB樹脂、環氧樹脂及聚亞醯胺所 組成之一群組。 11.如請求項8所述之方法，其中形成該第一歐姆接點 電極之步驟包含形成一 p型歐姆接點電極，且形成 該第二歐姆接點電極步驟包含形成一 η型歐姆接點 電極。 4EPITAXY/05005TW ； U2005-004-TW 95年10月26日修正；替換頁 20 1291246
    年月日修(更)正替換頁 12.如請求項8所述之方法，其中形成該至少二個獨立 之多層蟲晶層結構之步驟包含：利用切割技術或餘 刻製程，形成該至少二個獨立之多層磊晶層結構。 13.如請求項8所述之方法，其中形成該溝渠之步驟包 . 含：以微影及蝕刻製程形成該溝渠。 14·如請求項8所述之方法，其中形成該連接層之步驟 φ 包含： 形成一圖案化光阻層於該下包覆層上，且該圖 案化光阻層界定一開口； 以該圖案化光阻層為罩幕，蝕刻該多層磊晶 層，以暴露該第一歐姆接點電極；以及 以一導體型材料，填塞該開口。 15. 如請求項8所述之方法，於形成該多層磊晶層前， | 更包含形成一钱刻終止層於該暫時基板上。 16. 如請求項15所述之方法，於去除該暫時基板之步驟 後，更包含去除該姓刻終止層。 4EPITAXY/05005TW ； U2005-004-TW 21 95年10月26日修正；替換頁 1291246 鄉· ---年月曰修(更)正替換頁| 100 112 114 116 118 110 210 120 200 圖3A 100 105 112 114 116 118 210 120 200 圖3B 129.1246 112 114 9n番日修(更)正替換頁 110 116 118 210 120 圖4 200
    J291246 ^1¾28日修(更)正替換頁 52 52 50 112 114 116 118 120 210 200 110 貴5A 52 52 50 112 114 116 118 120 210 200 110 圖5B J29.1246
    124 124
    110 啬6A 124 124
    110 最6B 1291246 1擎3 2%修(更)正雜頁
    124 124
    110 嗇7A
    124 124
    110 圖7B 800 800 12¾ 246 nsnrir* -- I年月为修(更)正替換頁
    800
    110 圖8A 800
    800
    110 圖8B J291246 %年(〇月必日修(更)正替換頁
    800Α
    圖9Α
    圖9Β 12¾ 246 ψψ 日修(更)正替換頁 七、指定代表圖·· (一) 本案指定代表圖為：圖9Α。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 114活性層 118歐姆接點磊晶層 122連接層 126第二歐姆接點電極 130A、130B 第二電極 210黏著層 110多層磊晶層 112下包覆層 116上包覆層 120第一歐姆接點電極 124溝渠 128 A、128Β 第一電極 200基板 800 A、800B多層磊晶層結構 90 介電層 92 導線層 八、本案若有化學式時，讀揭示最能顯示發明特徵的化學式：無。
    4EPITAXY/05005TW ； U2005-004-TW 95年10月26日修正；替換頁 5
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