TWI290644B - Liquid crystal display device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1290644 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明侧於-麵轉置及其製作方法，制是—種關於 液晶顯示裝置及其製作方法。 P 、 【先前技術】 隨者顯示器多樣化需求的增加，各式各樣的平面顯示裝置如 液晶顯示裝置α㈤，顯示裝置（PDP)、電致發光顯示裝置 (ELD)以及真妓光顯林置（VFD)等便應運而生。而在眾 多的平面顯示裝置中’液晶顯稀置由於其輕、薄、低功率消耗 等特性，已漸取代傳統的陰極射、線管（CRT)而成為市場的主流。 此外’液晶顯示裝置亦廣泛的應用於筆記型電腦、桌上型電腦的 =示器以及電視等。然而，要使液晶顯示裝置成為最普遍的顯示 衣置，便猶紐晶顯示裝置在轉輕、薄、低雜功率等優勢 的同時，仍能輸出高解析度、高亮度的影像。 第1圖」所示為傳統液晶顯示裝置之結構示意、圖。如圖所 示，傳統液晶顯示裝置係包括有一第一基板i以及一第二基板2， 兩基板1、2之間利用注入法形成有一液晶層3。第一基板i上沿 著第一方向設有複數個間隔一定距離之閘極線4，另沿著垂直於第 —方向的第二方向上設有複數個間隔一定距離之資料線5，閘極線 4與資料線5的交叉處定義出一像素區域P以設置複數個成矩陣型 式排列的像素電極6，另設有複數個薄膜電晶體τ,係依據傳遞至. 閑極線4的訊號啟動，以自資料線5傳遞訊號至像素電極6。第二 1290644 色轉層7以防止第—基板1所發出的光線逸 :像，p以外的區域，另包括有-職彩色濾光層8以 頒不％色光，以及一共同電極9以產生影像。 為了要克服上述TN型液晶顯示袭置的缺點，便有人提出— 種橫向電場效應㈣）液晶顯示器。所·横向電場效應液轉 不裝置係將像素電極與共職極平行間隔設置在 藉以在兩紐⑼產生-平行基_料，並肋驅域晶層内 的液晶分子。 設於第-基板！與第二基板2間之液晶層3中的液晶分子 透過像素電極6與朗電極9難生的電場轉。也就是3魏曰、 分子的配置方向係受鱗電場的控制。則當光線穿過液晶層3時阳 即可透過控舰晶分子的轉㈣產生影像。而上麵液晶顯示·^ 置-般係稱為TN型液晶顯示裝置，並具有視角狹窄的缺點。 第2、3圖」所示為傳統液晶顯示裝置的製作方法流程圖。 其中’第2圖所示為液晶注人法，*第3 _示為液晶分滴法。 在第2圖中’液晶顯示裝置的製作方法主要係分為陣列製 耘、aa元製程以及模組製程等三個製程。陣列製程係在第—基板 上形成具有雜線、資料線、像素電極以及編電㈣的薄膜電 晶體陣列，並在第二基板上形成具有黑色矩陣層、彩色濾光層: 及共同電極的彩色濾光陣列。在陣列製程中，複數個液晶顯示面 板係設置在一大尺寸玻璃基板上，藉以在各液晶顯示面板中設置 !29〇644 薄膜電晶體陣列與彩色濾光陣列。接者，將薄膜電晶體基板與斧 色濾光板傳送至晶元製程線，然後在薄膜電晶體基板與彩色濾光 板上塗佈配向材料，並在基板上執行配向製程（摩擦製程）Μ。 以保持液晶分子的均勻配向。配向製程S1G係在清洗製程之前， 並包括有塗佈配向層、列印配向層、烘烤配向層、檢測配向層以 及摩擦配向料步驟。織，_電晶縣板與彩色濾光騎可 進行清洗S20。 然後，在兩基板的其中之一基板上散佈複數個間隙粒子，藉 以在兩基板之間形成-晶元間隔（步驟S3〇)，接者在各液晶糾 面板的週緣區域形成-密封圖形，藉以將兩基板相結合（步驟 S40)。前述的密封圖形包括有—用以注人液晶的液晶注入口，而 間隙粒子則為歸球_微型的彈性體所组成。此時，細 電晶體基板與彩色濾光板對立放置，並彻密封圖形將兩基板結 合，然後在硬化處理密封圖形（步驟S5〇)。 然彳祕縣合絲的_電晶縣板卿色濾歧切割成多 個液晶如面缝域，藉轉作㈣數個具有姻 晶'Γ面板（步驟叫接著將液晶自液晶注入口注入，並密= 〆夜曰曰/主入σ ’從而形成一液晶層（步驟S70)。 (半賢sLi"扣面板進仃完外频測與細貞爾檢測製程後 (步驟S80)，液晶顯示裝置即製作完成。 在進仃液晶注入製程時，液晶顯示面板與裝有液晶的涵體係 1290644 置於-真空㈣，藉崎液晶與涵體_濕度與氣關時移除， 並保持液關和板_郎在—真空狀態。接者驗晶顯示面 板的液晶=人口浸人涵體内，再將真空室内的真錄態調整成大 氣壓力狀態，鱗液日日日即會_力差而經液日日日注人口注入液晶顯 示面板内。 然而，前述的注入法卻存有諸多的缺失。首先，大尺寸的玻 璃基_砂割成多個液晶顯示面板後，再將液晶狀口浸入液 =函體内以注人液晶’這個過錄時甚f，荷降低了整體的產 月b且在衣作大尺寸液晶顯示裝置時，很難將液晶完全注入到液 晶顯示面板内，而這又造成了產品良率的降低。此外，大尺寸液 晶顯示裝置所需要的液晶注人時間也是極為可觀的。 為了要克服imm人法的缺失，液晶分滴法便被提出， 所謂的液晶分滴法係在兩基板結合之前，先將液晶分滴在任一基 板上。在第3圖中，在兩個基板進行結合前，便將液晶分滴在任 -基板上。由於間雜子會沿著液晶的配向方向移動，所以，不 能使用間隙粒子在兩基板之間形成一晶元間隔。因此，便將定義 好圖形的間_子或是圓柱_粒子固定在基板上，以維持兩基 板間的晶元間隔。如第3圖所示，在矩陣製程中，係於一彩色濾 絲板上形成—黑色矩陣層、—彩色濾光層及-保護層(_c⑽ layer)。之後’在賴層上形成—感細脂，並侧選擇性移除的 方式在保護層上軸圓柱_:粒子，而此圓㈣隙粒子可利用微 1290644 影或是噴墨製程製作而成。 ^配向層疋刀另I]塗佈於薄膜電晶體基板與彩色濾、光基板上，接 者，進行摩擦製程。在清潔薄膜電晶體基板與彩色濾光基板_) 7之後’將液晶分佈於其中-塊基板上(s_，之後，利用-分 滴衣置在其他兩基板上之—液晶顯示面板區域之顺形成一密封 圖形(S103)。此時’可進行液晶之分滴及於二基板中任一基板上形 成密封圖形的製程。 —字另们’又有刀滴上液晶的基板翻轉(si〇4)之後，藉由麼力 將薄膜心日體基板彳彡色濾：^基板結合，此密封圖形就硬化了 (S105)。之後’將結合好的基板切割為許多的單位面板(讓）。此 卜K亍&測衣知(Sl〇7)’以檢查液晶顯示面板的外觀及其電性 連接疋否W，如此—來，便完成液晶顯示裝置之製作流程。 利用液晶分滴法製作液晶顯示裝置的流程中，是在彩色遽光 基板上形成圓柱_粒子，Jt將液晶分滴於細電晶體基板上， 之後’將⑨兩片基板結合’即形成液晶顯示面板。因此，圓柱間 隙粒子是映於彩色濾、絲板上的預定區域中，料，此圓柱間 隙粒子具有1定高度，以連接於_電晶體基板上對應於閑極 線或是資料線的一預定區域。 …、而利用液晶分滴法製作液晶顯示裝置中㈣柱間隙粒 子’可能會給紅顯示面板帶來下列問題。例如：當彻液晶分 滴法製作液晶顯示裝置時，此圓柱間陳子係形成於彩色濾光^ 1290644 板上對應於間極線或是資料線的預定區域。因此，此圓柱間隙粒 子需具有相同的高度，以對應於具有同樣線寬之線區(間極線或是 資料線）。此外，具有同樣高度之圓柱間隙粒子係形成於彩色慮光 基板上，以·於_電晶縣板，之後，將二基板結合。由於 Q柱間隙粒子之支撐力姉，此液晶顯示面板可能會遭遇到重 力的問題m液晶顯示祕處於高溫的環境時，因此液晶 材料之熱膨脹係數較大，因此液晶顯示面板中某個部份可能會凸 出。當液晶顯示面板垂直置放時，液晶顯示面板中的液晶分子會 因重2因素而向下移動，因此，可能會使液晶分子聚集在一起。 ~ σ月蒼考帛4A圖」所示’係為習知之具有圓柱間隙粒子的 彩色濾光基板之剖面圖；請參考「第4B圖」所示，係為之 膜電晶體基板與彩色濾光基板結合後之剖面圖。如「第4A圖」所 不，於一彩色濾絲板2上之-黑色矩陣層（圖中未示)上形成複數 個圓柱間隙粒子2G ’各隙粒子2Q間係彼此間隔一固定距 離’而每-個圓柱_粒子2G之高度係為「h」。接著，將具有圓 柱_、粒子2G之彩色濾义基板2與薄膜電晶體基板i相結合。而 此圓柱間隙粒子2〇在結合過程中因受到壓力擠壓的原故， 會變成「h，，。 ^ 曰在「第4A圖」及「第4B圖」巾，在二基板結合之後，此液 晶顯示面板10中的圓柱間隙粒子2〇之高度「h，」係對應於一晶元 間隔。因此，當液晶材料在高溫環境下因受熱而膨脹時，此圓柱 10 1290644 2粒子2G會補償薄膜電晶體基板1與彩色濾光基板2在「㈣ =之「_切力。而此繼⑽」_簡行重力的補償 在錢圖」及「第4B圖」中，此圓柱間隙粒子如伽 至 =^_寬之部份，而此高度差「此」係限制於咖 麵之間。此外，由於在定義圓柱間隙粒子20之圖形時， ==猶粒I2G之高度可能會有些微距，因此，整個液晶 ”、、、不_重1分佈可能會不平均。相較於球體之間隙粒子，此 圓柱間隙粒子與基墟觸的面積較大，可在®她錄子與基板 間產生較大的摩擦力。耻，#射__粒子Μ之液晶^示 面板被按壓時，此液晶顯示面板帽產生的缝錢 段時間。 7 凊參考「第5Α圖」所示，係為習知液晶顯示面板之平面視 圖；請參考:第5Β圖」所示，係為「第5Α圖」中w，部份之剖 視圖。在「第5A圖」中，如果液晶顯示面板1〇中的某個特定方 =皮手指頭持續地按壓時，此液晶顯示面板1G㈣上基板2會沿 者被按Μ的方向偏移―段距離，如「第5B圖」所示。當圓柱形的 圓柱間隙粒子與上基板2及下基板丨接觸時，會使圓柱間隙粒子 與上基板2及下紐丨間產生雜力。如此，圓柱_粒子間的 液晶分子即無法恢復到其原本的狀態，而會在螢幕上產生黑點。 此外’當液晶顯示面板10中的某個特定方向被手指頭持續地按壓 時，如「第5B圖」所示，此液晶分子也會聚集到某一個區域中^ 11 1290644 而使那個區域凸起。在此狀況下’此凸起部份的晶元間距”hi，，係 咼於殘留區域(remaining portion)之晶元間距’’h2”，如此一來，即會 造成>食漏的問題。此時，由於被按壓的區域沒有液晶分子，因此， 會使得螢幕中被按壓的區域產生黑色的狀態，而會使得整個液晶 顯不面板的亮度降低。此外，由於球體的間隙粒子是大量地形成 於基板上，但，此圓柱間隙粒子是選擇性地形成於液晶顯示面板 之預定區域上，因此，當液晶顯示面板中沒有圓柱間隙粒子的區 域被按壓到時，由於基板的復原速度較慢，因此，基板會彎曲且 會形成一中空狀態，如此一來，便會在液晶顯示面板中形成黑點。 【發明内容】 由是，本發明係在提供一種液晶顯示裝置及其製作方法，藉 以解決並規避習知技藝所造成的限制及缺失。 本發明之目的在於提供―觀晶顯示裝置及賊作方法，以 於-彩色濾絲板上形賴數個圓柱_粒子，各間隙粒子 係對應於-_電晶體基板上具有不同高度之預定區域。 有關本發明的特徵、組成元件與實作，將配合圖式作最佳實 施例詳細綱如下’俾使熟f本項㈣人士可藉由審視本說明書 而了解本發明的技術手段及實施方式。 ^為達上述目的及其他優點，本發明之液晶顯示裝置包含有— 第-基板、-第二基板及—液晶層。此第—基板上包含有一第一 區域及-第二區域，此第—區域之階梯覆蓋高度係大於第二區域 12 1290644 彻弟覆蓋高度。此第二基板係與第—基板相結合，且此第二基 有#一圓柱間隙粒子與一第二圓柱間隙粒子，此第-圓 。曰隙粒子與第二圓柱間隙粒子係分別對應於第一基板上之第一 區或及弟—區域。此液晶層係夹置於第一基板與第二基板之間。 另一方面，-液晶顯示裝置包含有ϋ板、—第二基板， 弟—基㈣面對第二基板且具錢數倾此相垂直的雜_ f線，岐—轉魏域，複數_膜電紐係分卿 一於母_極線與資料線相交之處’且每個像素區域内分別具有 '、$極及鋼電極，第二基板上的—第—圓柱間隙粒子係 第一基板上之一薄膜電晶體，而第二基板上的-第二圓柱 =粒子係、對應於第—基板上之—閘極線及—㈣線。此液晶層 係夾置於f-餘與帛二紐之目。 &另一方面，一液晶顯示裳置包含有一第一基板、-第二基板， ί弟—基板係面對第二基板且具有複數個彼此相垂直的間極線與 貝料線，w定義^複數個像素區域，複數個薄膜電晶體係、分別形 姐每個離線與資料線相交之處，且每個像素區_分別具有 像素電極，第二基板上的一第一圓柱間隙粒子係對應於第一基 板=-薄膜電晶體，而第二基板上的—第二間隙粒子鑛 應於第-基板上之—閘極線及—資料線。此液晶層係夾置於第一 基板與弟二基板之間。 另一方面，一液晶顯示裝置包含有一第一基板、一第二基板， 13 1290644 ί第一基㈣面對第二基板且具有複數個彼此減直㈣極線與 貝料^複數個像姐域，複触細電晶體係分卿 成於每個難線與資料線相交之處，且每轉素區域内分別具有 -像素電極與-共同電極，第二基板上的—第一圓柱間隙粒子係 對應於第-基板上之_線與f料線相重疊之區域，第二基板 上的一第二圓柱間隙粒子係對應於第一基板上之-閘極線及二資 料線’除了閘極線及資料線相重疊之區域。此液晶層係夹置於第 一基板與弟二基板之間。 另方面，-液晶顯示裝置包含有一第一基板、一第二基板， 此第-基板係面對第二基板且具有複數個彼此相垂直的閑極線與 資料線，以定義出複數個像素區域，複數個薄膜電㈣係分別形 成於每侧極線與資·相交之處，且每轉素區_分別具有 像素電極，第二基板上的一第一圓柱間隙粒子係對應於第—基 板上之間極線與資料線相重疊之區域，而第二基板上的一第二圓 柱間隙粒子係對應於第一基板上之一閘極線及一資料線，除了閘 極線及資料線健疊之區域。此液晶祕夾置於第—基板與第二 基板之間。 〃— 另一方面，一種液晶顯示裝置之製作方法係包含下列步驟·· 首先提供第-基板，此第一基板上具有—薄膜電晶體陣列； 提供一第二基板，此第二基板係相對於此第一基板，且其具有一 4應光片陣列；於此第二基板上形成數個第—眺間隙粒子與 14 !29〇644 第二圓柱間隙粒子，此第一圓柱間隙粒子與第二圓柱間隙粒子係 分別對應於第-基板上之—第—區域與—第二區域，而此第一區 域之_覆蓋高度係大於第二區域之階梯覆蓋高度；於此第一基 ”第基板之間形成—液晶層；最後’進行第—基板與第二基 板之結合。 【實施方式】 下才口配相應的圖式詳細說明本發明之較佳實施例。 明 > 考第6圖」所不，係用以顯示液晶材料之黑點、重力 騎佈狀況之關係圖。在「第6圖」巾，當研發大尺寸液晶面板 :，係利用液晶分滴法形成液晶顯示裝置中的液晶層，以改善產 「=生產#而圓柱_粒子則作為上下基板間的支樓元件。由 第6圖」可知，圓柱間隙粒子之密度及液晶材料之數量，對於 =防液f顯示面板中因按壓而產生的黑點、因重力而使液晶材料 1集、受外力撞擊而使液晶面板產生中空…等情形，有相當大的 而受 態。 〜田液日日颂不1置在南溫環境下時，液晶材料受熱膨脹而會使 :面板產生凸起的情形，當液晶面板垂直置放時，液晶顯示面板 =晶分子會因重力的原故錄下方移動，並料在液晶顯示 j的某-區域。此外，當液晶顯示面板被手指頭或是筆沿著 、们方向域時’液晶分子會沿著按壓部份的外圍聚集，. 耻屋的部份則沒有任何液晶分子，會因漏光而產生黑色的狀 15 1290644 。當按驗晶顯示面板時，上下基板間會產生偏移的現象，此 圓柱間隙粒子與基板間會產生較大的摩擦力，而使基板間之偏移 無法回復。如果圓柱間隙粒子係稀疏地形成於上下基板間時 液晶顯示面板受·-特定額之按麟，此液晶面板^ t空區域不會對應到圓柱間隙粒子。 上述這些問題不見得會各別發生，彼此之間可能具有一定的 關聯性。例如：液晶顯示面板較·而產生的黑點和液晶分子 ^重力_而產生的聚集，二者間存在著—種交換的關係，因此， 需因上述這些_而決定液晶材料塗佈的份量。在決定好液晶材 料的份量之後，即可決朗柱_粒子之密度。舉例而言，本圓 柱:隙粒子稀疏地形成於上下基板間時，即可克職晶分子因重 力聚集而產生的黑點問題。 士此時，當液晶顯示面板十沒有圓柱間隙粒子的部份被按壓 液晶顯示面板中會產生中空的狀況，因此，上下基板間之圓 柱間粒子數量及其分佈方式即非常重要。' 縣毛月中’衫色濾絲板上對應到薄膜電晶體基板的某些 =域二形成不同高度之圓柱間隙粒子，除了用以維持二基； 成於像柱間隙粒子之外’需有額外的圓柱間隙粒子形 &域中，以防止液晶顯示面板因受外力麵而產生的中 2相7此晶元間隔。此外，有些圓柱間隙粒子係與相對 " 萄，以防其餘的圓柱間隙粒子與相對的基板相接觸， 16 1290644 以解決液晶顯示面板可能產生黑闕情形。有些ffl柱間隙粒子係 形成於彩色濾光基板上相對於_電晶體基板上較高的區域，且 與薄膜電晶體基板接觸，並具有—預定厚度。因此，圓柱間隙粒 子之真實高度與二基板結合後之圓柱嶋好的高度差即會使液 晶分子產生遷移。此外，由於某賴柱_粒子係與相對的基板 相接觸’可有祕解決液晶分子遷移關題，例如··在每個像素 區域中液晶分子的聚集。因此，雖然此圓柱間陳子具有不同的 高度，仍可克雌晶顯示面板整個平關重力而造成斜均的問 一 η」"丨小，诹钩不贫明之液違 ，示面板的剖面圖。在「第7Α圖」中，此液晶顯示面板包含有一 弟-基板⑽與-第二基板·，此第―基板與第二基板概 倾此面對面輕置，械第—紐⑽上具有對應於不同高度 於第二基板係面對第—基板⑽，—第—圓柱間隙 好係形成於第二基板綱上對應於第—基板⑽上相對較 ==广圓柱間隙粒子3〇2係形成於第二基_上 ^ 土板100上相對較低之區域85。此外， 圓枉間隙粒子3〇1與第二圓柱間隙粒子3〇2制y 色辑層加上。在「第7A圖」至「第7csht，此板 ⑽係作為形成薄膜電 土 -係對應於_線與資料=二？相對較高之區域 "、；、 重宜之邛心，或是對應於薄膜電晶 17 1290644 π度，此第一圓柱間隙粒子301可形成於第二基板2〇〇上對應於 第基板100上相對較尚之區域80。舉例而言，此第一圓柱間隙 粒子301高度降低之範圍係對應於相對較高之區域8〇與相對較低 之區域85二者間的高度差。而在結合製程之後，此第―圓柱間隙 粒子301之高度將會小於其原本的高度。 在本發明中’此第二圓柱間隙粒子3〇2可依據第一基板勘 上相對較高之ϋ域與相對較低之區域間的高度差，而與第一基板 1〇〇相接觸、或是與第一基板1〇〇間保持一固定距離、或是壓入於 第-基板内，以防止液晶分子因重力的原故而產生聚集的現 象。此外，本發明讀晶齡裝置其圓柱赚粒子在定義圖形時 可能會有些許的高度差，但，其整個平面的重力分佈仍相當平均。 睛參考「第8圖」所示’係為本發明IPS模式之液晶顯示裝 置；而請參考「第9圖」所示，係為沿「第8圖」中14，剖面線所 緣製之剖面圖。在「第9圖」中，此第—基板⑽係與第二基板 2〇〇相結合，且二者間保持一固定距離，一液晶層係利用喷墨 的方式將液晶材料夾置於第—基板膽與第二基板之間。、土 貝料線搬、像素電極1〇3、共同電極1〇8及複數個薄膜電晶體 其中，此間極線101與資料線搬係彼此相互垂直，以定義出名 數個像素區域。此外，此像素電極·與共同電極⑽可交剌 形成於像素區域内，而此薄膜電晶體係形成於間極線肌與翻 在「第8圖」中，此第—基板勘包含有複數個間極線谢、 20 1290644 線101與由其所延伸出來的複數個間極1〇la即可同時形成。在此 步驟中，此共同線118係平行於此閘極線1〇1，而由共同線⑽所 延伸出來的共同電極108則在像素區域内形成z字形的圖案。 接著，在包含有閘極、線101白勺第一基板1〇〇上沉積上一層由 SiNx所形成的絕緣材料，以形成此閘極絕緣層1〇5。接下來，一非 晶石夕層KHa及-重度掺雜鱗的n+掺雜層祕係連續地沉積於問 極絕緣層衞之上，並利用—第二光罩(圖中未示)定義出其圖形， 以形成覆蓋於閘極l〇la上之半導體層1〇4。 接下來在帛基板100之整個表面上利用濺鍍的方法形成 -金屬薄膜，而此金屬可選射目、紹或是鉻，接著，再利用一第 三光罩(圖中未示)定義出其圖形，以形成與閘極線101相垂直之資 料線102在此同日可’此源極1〇2a與没極1〇2b係形成於閉極 之兩側，其中’此源極搬以系由資料線搬所凸出。而在定義圖 形的步驟中，可利用過渡侧的方式，將難而a上的n+接雜層 獅移除掉’以裸露出閘極腿上的非晶石夕層，如此一來，即可 疋義出薄膜電晶體之通道(channel)部份。而此半導體層綱係包含 有非晶石夕層與n+掺雜層。 、之後’由SiNA形成之保護層1〇6係利用化學氣相沉積的方 式沉積在整個包含有半導體層刚、源極職與及極獅之閘極 巴、彖層105之上。而此保護層1〇6可由無機材料(例如：帆)或是 具有低介電係數的有機材料(例如：Benz〇Cyd〇Butene(BCB)、_ 22 1290644

On GlaSS(S0G)或acryl)所形成，以改善液晶晶元之開口率。接著， 利用-第四光罩(圖中未示)在没極職上的保護層瓶進行=擇 性钮刻，以开》成裸露出部份汲極1 _之一接觸窗。 ' 接下來’利用濺鍍的方式在保護層廳上形成一透明導電材 料’以填滿此接觸窗，並姻_第五光罩(圖中未示)定義出其圖 形，以形成像素電極103與電容電極113。因此，此像素電極^ 與共同電極108係交替地形成於像素區域内，並呈z字形，而此 電容電極113係電性連接於共同線118上的像素電極朋。如「第 9 ®^ 101 102 部份係高於對應於閘極'線1〇1或是資料線1〇2的部份。且 接下來，此第二基板 你相對於此第一基板w…此呆_ 基板細包含有—黑色矩陣物、臟彩色遽光層202及披 層203。此黑色矩陣層2〇1係用以防止除了像素區域之外，由辭 線、資料線及_電晶《來的光線。此⑽B彩色濾光層20: 係於各個像素中顯示出不同的顏色。而此披覆層挪則是形财 整個包含有黑色矩陣層2G1及職彩色濾光層搬的第二細 200之上。 接下來？文數個具有相同南度之第一圓桂間隙粒子則及第 二聽_子302係形成於披覆層203上預定之區域，且對應 於弟-基板100上具有不同高度之區域。 在本發明中，此第— 圓柱間隙粒子301係形成於對應第一基 23

板100上之缚膜電晶體處，而此第二圓柱間隙粒子搬則是形成 农對應第-基板100之資料線1〇2處，而此第一圓柱間隙粒子划 及第二圓柱_粒子3G2係具有相同之高度。舉例而言，此第一 圓柱間隙粒子301係對應於第—基板·上相對較高之區域。因 此，在結合製程之後，此第粒子3Q1便會壓入於第一 基板100内，而其壓入之深度約為2〇〇〇人至咖A左右，使深度 係與結合時之壓力有關。 由於此第一圓柱間隙粒子3〇“系用以維持第一基板1〇〇鮮 φ 二基板200間之晶元間隔，此第一圓柱間隙粒子則在壓入第一 基板卿處便保有-裕度，以補償液晶分子因重力原故而聚集的 現象。此外，由於此第二圓柱間隙粒子3〇2係對應於此第一基板 100上相對較低之區域’因此’此第二圓柱間隙粒子搬屢入之深 度會小於此第一圓柱間隙粒子301壓入之深度。 在「第9圖」中，此第二圓柱間隙粒子3Q2可與第—基板1〇〇 相接觸、或與第-基板100間保持_定距離、或是塵入於第一基φ 板100内約2_Α深度之處。因此，當液晶顯示面板受到外力衝 擊時，此第二圓柱間隙粒子302可提供—阻抗的力量，減緩其衝 擊力。因此’此第-基板100上對應於第一圓柱間隙粒子3〇ι與-弟二圓柱間隙粒子302則必須形成相對較高之區域與相對較低之-區域。需防止第二圓柱間隙粒子3〇2壓入於第一基板·内之深 度超過細A，因為，若第二圓柱間隙粒子迎壓入於第一基板 24 1290644 形成像素區域之内，以將陳間隙粒子之密度維持在較為合 適之範圍:此外，此第一圓柱間隙粒子3〇1可對應於第一基板⑽ 上相對較高之區域’而其高度在結合製程後將會減少，以改善第 -基板HX)與第二基板·之間的支擇力。如此一來，同财以 防止液晶分子因重力因素而產生聚集的現象。 在本發明中，此第-圓柱間隙粒子3〇1與第二圓柱間隙粒子 3〇2可分別形成於第：基板2〇〇上對應於第一基板勘上相對較高 及較低之區域。舉例而言，此第—圓柱間隙粒子观係對應於第 一基板100上相對較高的區域，以維持第一基板1〇〇與第二基板 200間之晶元間隔，並防止液晶分子因重力因素而產生的聚集。此 外，此第二圓柱間隙粒子3〇2係對應於第一基板上相對較低 的區域，以防止液晶顯示面板因受_而產生之黑點，並防止液 晶顯示面板中可能產生中空的部份。 在本發明中，此第二圓柱間隙粒子302可與第一基板1〇〇相 接觸、或是與第-基板1GG間保持-固定距離、或是壓入於第一 基板100之内。當液晶顯示面板受到按壓時，由於此第一基板1〇〇 與第二基板200間的磨擦力減少，此液晶分子會回復到其原本的 狀態。 此外，此第一基板100之最高區域會因著薄膜電晶體陣列的 設計而更改。由於此第一基板100之最高區域係對應於薄膜電晶 體之汲極102b，因此，依據薄膜電晶體陣列之設計，而在汲極1〇2b 1290644 射象素電極間之接觸區域，或是在薄膜電晶體之源極皿a間可為 第基板100之最高區域。此外，在整個第二基板200背面之整 個表面上械-IT〇層，以防止液晶顯示面板產生靜電。 *月乂考第10圖」所示，係為沿「第8圖」中I-Ι，剖面線戶斤 、’、曰衣之另IPS模式之液晶顯示面板的剖面圖。在「第仞圖」中， 此液晶顯示裝置包含有一第一基板100、-第二基板200、-第一 圓柱間隙粒子則及-第二圓柱間隙粒子304。其中此第一圓柱間 ^子303係形成於第二基板·上對應於第一基板卿之薄膜 电日曰體的礼’而此第二圓柱間隙粒子綱則是係形成於第二基 板200上對應於第一基板1〇〇之閑極線仙的部份。除此之外， 此液關示t置之結構大致上雜「第9圖」中之結構雷同。此 2 =弟-圓柱間隙粒子3〇3及第二圓柱間隙粒子3〇4之功能亦 與「第9圖」中所示之第一圓柱間隙粒子3〇1及第二圓柱間隙粒 子302相似，所以 A請參考「第U圖」所示，係為沿「第8圖」中顧Γ剖面線 所W之液晶顯示面板第三實施例的剖面圖。在此第三實施例 中’ 一第-圓柱間隙粒子3〇5係形成於第二基板上對岸於閘 極線⑼與資料線搬相重疊之處，且是第—基板廳上相對較 同之區域；而此第二圓柱間隙粒子306係形成於第二基板上 對應於資料線102之處，且是第一基板刚上相對較低之區域。 就像上述之第-實施例與第二實施例，此第—圓桂間隙粒子奶 29 1290644 與第二圓柱_粒子规係形成於第二基板·上職於第一基 板100上不同南度之處，因此，可防止液晶顯示面板因受按麼而 可能產生的黑點、液晶分子因重相素而產生聚集的現象、液晶 頌不面板受到外力撞擊時會產生中空的現象。儘管圖中未示，假 設此閉極線仙_樣搬具有_之高度，亦可於此間極線 肋與資料線102相重疊之處形成第一圓柱間隙粒子3〇5，並於第 -基板200上對應於細㈣之處形成第二圓柱間隙粒子鄕。 人請參考「第圖」所示，係為沿「第8圖」中w，剖面線所 、曰衣之另- IPS換式液晶顯示面板的剖面圖’而此液晶顯示面板 之製作方法係利用四道光罩的製程進行製作。在「第12圖」中， 先於第-基板K)0之整個表面上利用濺鍍的方法形成一金屬薄 膜’而此金屬可選用翻、銘或是4各，接著，再利用一第一光罩價 中未示则出其_。如此—來，明時形成難線而與由其 所延伸出來的複數個閘極驗。在此步驟中，此共同線118係平 行於此間極線101 ’而由共同線118所延伸出來的共同電極⑽則 在像素區域_成Ζ字形的_。接著，在包含有_線廳的 第-基板上連續沉積上一層開極絕緣層105、一非晶石夕層 l〇4a、- η+掺雜層難及類似於資料線的源極/沒極層。 接下來，利用一第二光罩(圖中未示)對源極/沒極層、捧雜 層104b、非晶石夕層l〇4a進行選擇性钱刻，以形成資料線搬及從 資料線102延伸至汲極之一凸出圖形。因此，可於定義好圖形之 30 1290644 源極/;及極之下形成具有㈣線寬之捧雜層 104b與非晶石夕# 104a ° 曰 、隻利用此第一光罩將對應到半導體層之一通道區域的源 本/及極層兵n掺雜層祕移轉相同的線寬 ’以形成源極 沒極1〇2b與財通魏敎轉體層馳、腿。gj此，此第二· 光罩可為-繞射光罩’在全部穿透部份的光阻即可全部移除，而 半牙l晶的光阻則移除掉一特定厚度，而在完全不穿透部份 的光阻則無法移除。此外，完全不穿透部份係對應於源極⑽♦籲 極職與資料線1〇2,而半穿透部份則是對應到源極搬a與汲極 102b間的通道區域。 接著’利用化學氣相沉積的方式在整個包含有半導體層 104 '源極102a與汲極1〇2b之閘極絕緣層1〇5之上沉積上一層由 .X所、、且成之保遵層1〇6。而此保護層1〇6可由具有低介電係數的 有機材料(例如：BenZ〇Cycl〇Butene(BCB)、Spin 〇n Giass(s〇G)或 acryl)戶斤$成’以改善液晶晶元之開口率。接著，利用一第三光罩(圖 φ 中未示)在汲極l〇2b上的保護層1〇6進行選擇性_，以形成裸露 ， 出部份汲極102b之一接觸窗。 · 接下來，利用濺鍍的方式在保護層106上形成一透明導電材 料，以填滿此，並綱-細光罩(圖巾未示)定義出其目 · 形，以形成像素電極103，此像素電極1〇3係與共同電極1〇8交替 地形成於像素區域内。 31 1290644 接下來，此第二基板200係相對於此第一基板1〇〇。此第二 基板200包含有一黑色矩陣層彩色濾光層2〇2及披覆 層203。此黑色矩陣層2〇1係用以防止除了像素區域之外，由閘極 、、泉資料線及薄膜電晶體出來的光線。此r/g/B彩色濾光層202 係於各轉素中顯示出不同的顏色。而此披覆層2()3則是形成於 正個包含有黑色矩陣層2Q1及騰/B彩色濾光層搬的第二基板 200之上。 接下來心數個具有相同咼度之第一圓柱間隙粒子及第 二圓柱間隙粒子308係形成於披覆層2〇3上預定之區域，且對應 於第-基板100上具有不同高度之區域。此第一圓柱間隙粒子術 係形成於對應第-基板綱上之薄膜電晶體與像錢極間之一接 觸區域’即相對較高的區域。而此第二圓柱間隙粒子識則是形 成於對應第-基板100之閘極線上較低之區域。此第一圓柱間隙 粒子307及第二圓柱間隙粒子3〇8係用以維持第一基板ι〇〇與第 二基板删間之晶元間隔，而此第二圓柱間隙粒子308則是用以 L制圓柱間隙粒子之③、度’以防止液晶顯示面板受到外力撞擊時 可能產生中空的現象。 因此，位於薄膜電晶體之沒極腿與像素電極期間之接觸 區域的第-圓柱間隙粒子3〇7，其高度需適用於支禮第一基板· 與第二基板2〇〇°而在形成第一圓柱間隙粒子307及第二圓柱間隙 粒子308之後’此第_基板1〇〇與第二基板2〇〇便可進行結合。 32 1290644 當二基板結合完畢之後，此第一圓柱間隙粒子307之高度便會減 ^，而其減少之面度則是對應於第一基板100上相對較高之區域 與相對較低之區域間的高度差。此外，此第二圓柱間隙粒子308 可與第一基板1〇〇相接觸。 ， 在「第12圖」中，此第一圓柱間隙粒子3〇7及第二圓柱間隙 ， 粒子308係分別形成於第二基板200上對應於第一基板1〇〇之薄 膜電晶體與閘極線之處，由於黑色矩陣層2〇1係覆蓋於薄膜電晶 體與閘極線的部份，因此，可防止開口率之降低。形成於黑色矩 鲁 陣層201上之第一圓柱間隙粒子3〇7及第二圓柱間隙粒子3㈨可 預防開口率之降低。 接下來，第一配向層107及第二配向層204係分別形成於具 有溥膜電晶體陣列的第一基板1〇〇與具有彩色濾光陣列的第二基 板200之上。接下來，此第一配向層107及第二配向層204將進 仃-磨挺製程。當磨擦此第一基板勘及第二基板時，係利 用布料以均勻的壓力及速度磨擦此第一配向層1〇7及第二配向 鲁 層204夕主： — <表面。而此配向層之聚合鏈會沿一特定方向排列，即決 、 疋液sg層之液晶分子的初始配置方向。 · 戶^明翏考「第13圖」所示，係為沿「第8圖」中ΙΙ-Π，剖面線 · 所繪製之另—模式液晶顯示面板的剖面圖。在「第U圖」中， 此^晶顯示裝置具有與「第η圖」巾之液晶顯示裝置相顺結構， k '、第—圓柱間隙粒子309係對應於閘極線101與資料線102 33 1290644 相重疊的部份，而此筮-m 一®柱間隙粒子310則是對應於閘極線 101。在「箆H岡 士 ， m」中，此液晶顯示裝置是利用四道光罩的掣程 製作而成，此資料線102、n+掺雜層獅及非晶石夕们04a是利用 同道光罩定義而成。而此資料線1〇2係與半導體層刚a、娜 同時形成，除了對應於非晶石夕層购的通道區域之外。因此，相 幸f形成資料線101的部份而言，此閘極線谢與資料線102重 登的二份更包含非晶石夕層綱a、n+掺雜層獅與資料線舰。舉 Ί σ此閘極線1〇1與貧料線搬重疊的部份之高度與問極線 者間之同度差係等於非晶石夕層1〇4&、η+掺雜層顺七與資料 2 102三者合起來之厚度。就對應於閘極線101與資料線102之 第圓柱間隙粒子3〇9與對應於閘極線1〇1之第二圓柱間隙粒子 二者而言’此第一圓柱間隙粒子309壓入於第-基板刚之深 度與第二圓柱間隙粒子31G壓入於第一基板贈二者間之深度差 係等於非晶韻1()4a、n+掺雜層祕與資料線1()2三者合起來之 厚度。 請芬考「第14圖」所示，係為本發明之顶模式液晶顯示裝 置的平面圖，而「第15圖」所示，係為沿「第9圖」巾II随， 剖面線所繪製之剖面圖。在「第14圖」及「第15圖」中，一液 晶顯示裝置包含有相結合之一第一基板湖、一第二基板2〇〇與;_ 液曰a層250’此第一基板100與第二基板2〇〇間相距—固定距離， 而此液晶層250係利用喷墨的方式將液晶材料喷入於第一基板 34 1290644 ⑽兵第—基板2〇0間而形成。此第一基板上包含有複數個問 極線101、貧料線102、像素電極103與薄膜電晶體。此閘極線101 =貝料線102係位於第一基板1〇〇上且彼此相交，以定義出複數 個像素區域，其中，此像素電極1GS係位於每個像素區域之内。 此薄膜％aa體係位於每個閘極線與資料線1犯相交之 處且其包含有一閘極1〇la、覆蓋於閘極1〇la上之半導體層1似、 對應於閘極1Gla之源極102a/汲極l〇2b。 曰™模式之液晶顯示裝置的操作方式係不同於IPS模式之液 曰曰4不t置’其像素電極係形成於第一基板1〇〇之像素區域内之 :圖形，而此共同電極2〇5(取代原本的披覆層203)係形成於整個 :一基板200之表面。在「第14圖」及「第15圖」中所示之液 曰曰頭不裝置的結構係雷同於本發明之「第7圖」至「第13圖」中 戶 =之液晶顯示裝置的結構。因此，在此不再贅述「第14圖」及 「第15圖」之結構特點。 而用以製作「第14圖」及「第15圖」中所示之液晶顯示裝 置的方法包含下列步驟，首先：在第—基板卿之整個表面上利 用崎的方法形成-金膜，而此金屬可選射目、銘或是絡， 接者’再利用一第一光罩(圖中未示)定義出其圖形。如此一來，閘 和線101與由其所延伸出來的複數個閘極l〇la即可同時形成。 接著，在包含有閘極線101的第一基板1〇〇上沉積上一層由 SlNx所形成的絕緣材料，以形成此閘極絕緣層1〇5。接下來，一非 35 1290644 晶石夕層104a及一重度掺雜磷的n+掺雜層1〇扑係連續地沉積於閘 極、％緣層105之上，並利用_第二光罩(圖中未示)定義出其圖形， 以形成覆蓋在位於閘極絕緣層1〇5上之閘極1〇la上的半導體層 104 〇 日 接下來，在基板之整個表面上利用濺鍍的方法形成一金屬薄 膜，而此金屬可選射目、紹或是鉻，接著，再利用—第三光罩(圖 中未示)疋義出其圖形，以形成與閘極線1〇1相垂直之資料線1犯。 在此同時，此源極102a與汲極102b係形成於閘極1〇la之兩 側’其中，此源極l〇2a係由資料線1〇2所凸出。而在定義金屬圖 形的步驟巾，可利用過渡蝴財式，將雕騎上的接雜層 獅移除掉，以裸露出閘極驗上的非晶石夕層，如此一來，即^ 定義出薄膜電晶體之通道(channel)部份。而此半導體層1〇4係包含 有非晶石夕層與n+掺雜層。 之後’係利用化學氣相沉積的方式將由SiNx所形成之保護層 觸沉積在整個包含有半導體層104、源極腿與汲極聰之閉 極心緣層1〇5之上。而此保護層鹰可由具有低介電係數的有機 材料(例如：BenzoCycloButene(BCB)、Spin 〇n Glass(s〇G)或卿） 所形成’以改善液晶晶元之開口率。接著，姻—第四光罩(圖中 未示)在汲極102b上的保護層106進行獅性钱刻，以形成裸露出 部份汲極102b之一接觸窗。 接下來’利用濺鑛的方式在保護層1〇6上形成一透明導電材 36 1290644 料’以填滿此接觸窗，並利用一第五光罩(圖中未示)定義出其圖 7以於像素區域内形成像素電極1〇3。其中，對應到薄膜電晶體 的部份及問極線而與資料線搬重疊的部份係高於對應於閑極 線101或是資料線102的部份。 接下來，此第二基板200係相對於此第-基板100。此第二 基板2〇0包含有-黑色矩陣層2〇1、腦/B彩色遽光層 202及一共 同電極203。此黑色矩陣層2〇1係用以防止除了像素區域之外，由 間極線1〇1、資料線102及薄膜電晶體出來的光線。此彩色濾光層 係於各個像素中顯示出不同的顏色。而此共同電極观則是形成 於整個包含有黑色矩陣層2〇1及腦尼彩色據光層搬的第二基 板 200 之° 接下來，複數個具有相同高度之第_圓柱間隙粒子3ιι及第 二圓^間隙粒子312係形成於共同電極2Q3上預定之區域，且對 第基板100上具有不同南度之區域。此第一圓柱間隙粒子 311係形成於第二基板200上對應第一基板觸上之薄膜電晶體 f ’而此第二圓柱間隙粒子312默形成於第二Μ 200上對應 第一基板100之資料線102處。 此™模式之液晶顯示裝置的製作方法可應用們模式之液 aa’.’具不衣置的製作方法來製作。而本發明中液晶顯示裝置及其製 作方法之特點在於··在第二基板上職複數個具有相同高度 柱間隙粒子，而此圓柱間隙粒子是對應到第一基板上具有不同高 37 1290644 根據第一基板上之薄膜電晶體陣列的設計，可決定第一基板 上之㈣與最低的區域，而具有相同高度之第—圓柱間隙粒子與 弟-圓柱間隙粒子係分別對應於第—基板上之最高與最低的區 域。如此-來，可在不改變間隙粒子的製作過程的狀況下，防止 夜曰日刀子因重力因素而產生的聚集現象。此外，由於某些圓柱間 隙粒子係壓入於對面的基板内，因此，在每個像素區域内可獲得 補仏液晶分子聚集之裕度。所以，雖然每細柱間隙粒子具有不 同之咼度，但，就液晶顯示面板的整個平面而言，仍可獲得均勻 的重力分佈。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視 本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 弟1圖，係為傳統液晶顯示裝置之結構示意圖； 第2圖，係為傳統液晶顯示裝置的製作方法流程圖； 第3圖，係為傳統液晶顯示裝置的製作方法流程圖； 第4A圖，係為習知之具有圓柱間隙粒子的彩色濾光基板之 剖面圖； 第4B圖，係為習知之薄膜電晶體基板與彩色濾光基板結合 後之剖面圖； 39 1290644 第2圖，係為習知液晶顯示面板之平面視圖，· 圖’係為第5A圖t处部份之剖視圖； 係圖；圖’係用以顯示液晶材料之黑點、重力及塗佈狀況之關 圖至第7C圖，係為本發明之液晶顯示面板的剖面圖，· :圖’係為本發明IPS模式之液晶顯示裝置的平面圖； 圖’係為沿第8圖中W’剖面線所緣製之剖面圖； 之液晶為沿第8圖中处剖面線輯製之另一 _式 ”'、貝不面板的剖面圖； 板另一實施例的剖8圖中1WI剖面線鱗製之液晶顯示面 液晶_面板的剖面^ S令Π狀線骑製之另一1^模式 =二圖’係為本發明之™模式液晶顯示裝置的平面圖；及

Ut / ’係為沿第9目中職，剖面線靖製之剖_。

要70件符號說明】 Q 2 第—基板、下基板、薄膜電晶體基板 弟二基板、上基板、彩色濾光基板 液晶層 1290644 4 閘極線 5 資料線 6 像素電極 7 黑色矩陣層 8 R/G/B彩色濾光層 9 共同電極 10 液晶顯不面板 20 圓柱間隙粒子 80 相對較高之區域 85 相對較低之區域 100 第一基板 101 閘極線 101a 閘極 102 資料線 102a 源極 102b 汲極 103 像素電極 104 半導體層 104a 非晶矽層 104b n+掺雜層 105 閘極絕緣層

41 1290644 106 保護層 107 第一配向層 108 共同電極 113 電容電極 118 共同線 200 第二基板 201 黑色矩陣層 202 R/G/B彩色濾光層 203 坡覆層 204 第二配向層 250 液晶層 301 第一圓柱間隙粒子 302 第二圓柱間隙粒子 303 第一圓柱間隙粒子 304 第二圓柱間隙粒子 305 第一圓柱間隙粒子 306 第二圓柱間隙粒子 307 第一圓柱間隙粒子 308 第二圓柱間隙粒子 309 第一圓柱間隙粒子 310 第二圓柱間隙粒子

42 1290644 P 像素區域 τ 薄膜電晶體 S10 配向製程 S20 清潔基板 S30 於基板上散佈複數個間隙粒子 S40 沉積密封劑 S50 結合/硬化 S60 切割/處理 S70 注入液晶/密封 S80 進行檢測 S101 清潔基板 S102 液晶分佈於基板上 S103 沉積密封劑 S104 翻轉基板 S105 結合/硬化 S106 切割/處理 S107 進行檢測

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Claims (1)

1. 修(¾正本 十、申請專利範圍·· L 一種旋晶顯示裝置，包括有·· 〜第一基板，該第一基板上具有一第一區域及一第二區 域該第一區域之一階段覆蓋高度係大於該第二區域之一階段 覆蓋高度； 卓—基板，係結合於该第一基板，該第二基板具有一第 、〇杜間隙粒子及—第二圓柱間隙粒子，該第—圓柱間隙粒子 '、：於友專區域，而该第—圓柱間隙粒子係對應於該第二 £域’其中該第-圓柱_粒子下降之高度範_介於約 2(KX)A (埃）至約6000A之間；及 —液晶層’係夾置於該第-基板與該第二基板之間。 2. =申請專利範圍第i項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓柱 間隨子及該第二圓柱間隙粒子具有相同之高度。 之支撐力 3. 範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓柱 子係提供該第-基板與該第二基板間維持一晶元間隔 4·如申請專利範圍第3項 間隙粒子下降之高度係'對應；^顯示裝置，其中該第一圓柱 該第二區域之高度差。’ά"弟基板上之該第一區域與 5. 如申請專利範圍第3項 間隙粒子係接觸於該第液曰曰顯示裝置，其中該第二圓柱 6. 如申請專利範圍第丨項 夂/夜日日顯示裝置，其中該第二圓柱 44 1290644 間隙粒子與該第一基板係保持一第一間距。 7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓柱 間隙粒子之一第一高度係下降至該第二基板受按壓時之一第 二高度。 8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第一基板 包含有一薄膜電晶體陣列，而該第二基板包含有一彩色濾光陣 列。 9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置，其中該薄膜電晶 参 體陣列包含有： 複數個彼此相交之閘極線與資料線’該閘極線與該資料線 相垂直以定義出複數個像素區域； 複數個薄膜電晶體，各該薄膜電晶體係設置於該閘極線與 該貢料線相父之處，及 複數個共同電極與像素電極，係間隔地形成於該像素區域 之内。 鲁 10. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，其中該彩色濾光 陣列包含有： 一黑色矩陣層，係對應於該薄膜電晶體陣列之複數個金屬 線及該薄膜電晶體； 一彩色濾光層，係形成於包含有該黑色矩陣層之該第二基 板上；及 45 1290644 -披覆層，係形成於該彩色濾光層之上。 申π專利祀1Q項所述之液晶顯示裝置，其中該第〆圓 柱間隙觸物其巾—_t版—原極。 t申请專·_ 1Q項所述之液晶顯示裝置，其中該第〆圓 柱間隙嶋物財—之一及極。 .如申请專纖㈣1()項職之液晶_裝置，其中該第一圓 柱間隙粒子係對應於其中一該薄膜電晶體之一問極。 申：專利域* 1Q項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓 柱間咏粒子係對應於其巾—關膜電晶體與其巾—該像素電 極相接觸之區域。 如申明專利祀圍第10項所述之液晶顯示裝置，更包含有一肋 層，係設置於該第一基板之背面。 如申明專利祀圍第1〇項所述之液晶顯示裝置，其中該圓柱間 隙子係形成於該彩色濾光陣列之上。 7·如申％專利補第1Q項所述之液晶顯示裝置，其巾該第一圓 柱間隙粒子與該第二圓柱間雜子係形狀該黑色矩陣層之 上0 ΐδ·如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置，其中該薄膜電晶 體陣列包含有： 複數個彼此相交之閘極線與資料線’該閘極線與該資料線 係相垂直以定義出複數個像素區域； 46 1290644 複數個簿胺命p i — I ^ 、毛日日肢，各該溥膜電晶體係設置於該閘極線與 該資料線相交之處；及 後數個像#極，係位於該像素區域之内。 !9·如申請專利笳 弟1§項所述之液晶顯示裝置，其中該彩色濾、 光陣列包含有： 〜 一黑色矩陣層，係對應於該薄膜電晶體之複數個金屬線及 各該薄膜電晶體； ^色雇光層’係形成於包含有、色矩陣層之二基 板上；及 同i極’係形成於該彩色濾光層之上。 2〇.f申請專利範圍第19項所述之液晶顯示裝置，其中該第-圓 _、粒子係對應於其中—該薄膜電晶體之-源極。 21.如申請專嫌圍第19項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓 桂間隙粒子係對應於料—該細電日^日體之一沒極。 22·如申請專利範圍第19項所述之液關示裝置，其中該第一圓 柱間隙粒子係對應於其中一該薄膜電晶體之一閑極。 23.如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示農置，其中該第一圓 才間隙粒子係職於其巾—該細電晶體與其巾—該像素電 極相接觸之區域。 ’、 24·如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓 柱間隙粒子與該第二圓㈣隙粒子係形成於顧色矩陣層之 47 1290644 上。 25.如申請專利範圍第I項所述之液晶顧示裝置，更包含有複數個 配向層’各該㈣層伽彡成於該第—基板賴第二基板相 表面上。 、 26.—種液晶顯示裝置，包括有·· 一第一基減—第二敍，該第—基板触第二基板係面 對面地設置； 複數個間極線與資料線，係形成於該第一基板上，各 極線與魏_觀相交喊義岭_騎_; ^ “線與各該資料線相 複數個薄膜電晶體，係形成於各該間極、： 交之處； 固像素電極與共同電極，_成於各該像素區域内; 該圓柱間隙粒子，係形成於該第二基板上，且對應於 打降其中—該薄膜電晶體，其中該第-圓柱間隙粒 _⑹度翻係介於約2_Α朗6_Α之間； 該第二圓柱間隙粒子’係形成於該第二基板上，且對應於 Ζ ―、土反上之其中—該閑極線與其中一該資料線；及 27.如申1 7係夾置於知—基板與該第二基板之間。 申4利賴第26項所述之 置 :時’該第-圓~之-第-:度= 向度’而鄕二圓_隙粒子係與該第-基板相接觸。 48 1290644 1如申請翻範群26飾叙紅知 柱間隙粒子賴二難瞻子具有_之心圓 29.—種液晶顯示裝置，包括有·· .對面=紐㈣也，導额蝴二基板係面 複數個閘極線與資料線，係形成於該第-基板上，各該間 極線與資料線係彼此相扣定義出複數個像素區域； 複數個薄膜電晶體，係形成於各該閉極線與各該資料線相 交之處； 複數個像素電極，係形成於各該像素區域内； 斤-第-圓柱間隙粒子，係形成於該第二基板上，且對應於 該第一基板上之其中一該薄膜電晶體； -第二圓柱間隙粒子，係形成於該第二基板上，且對應於 該第一基板上之其中-該線與其中-該資料線；及 一液晶層，係夾置於該第-基板與該第二基板之間。 见如申請專利細第29項所述之液晶顯林置，#該第一基板 =外力按壓時’該第―圓柱間酿子之—第—高度係下降至 -第二高度’而該第二圓柱間隙粒子係與該第—基板相接觸。 31.如申料利範，29項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓 桂間隙粒子與該第二圓柱間隙粒子具有相同之高度。 32·—種液晶顯示裝置，包括有·· 49 1290644 第一基板與一第二基板 對面地設置； ’该第一基板與該第二基板係面 複數個卿與資料線，係形成於該第—基板上，各該開 極線與觸_概贼^_複數個像素區域; 複數個薄膜電晶體’係形成於各該線與各該資料線相 交之處； 複數個像素電極與共同電極，係分卿成於各該像素區域 内； -弟-圓_雜子，係形成於該第 該閑極線與該資料線相重疊之區域； 對應於 一第二圓柱間陳子，係形成於該第二基板上，且對應於 ”中該閘極線及其中一該貧料線，除了該閘極線與該資料線 相重疊之部份；及 -液晶層’係夾置於該第—基板與該第二基板之間。 申請專稿圍第32項所述之液晶顯林置，當該第一基板 又^外力按屋日守，该第一圓柱間隙粒子之一第一高度係下降至 -第二高度，而該第二圓柱_粒子係與該第—基板相接觸。 34.如申請專利翻第32項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓 柱間隙粒子無帛二111柱嶋好具有相同之高度。 35·—種液晶顯示裝置，包括有： 第-基板與-第二基板，該第_基板與該第二基板係面 50 ^y〇644 封面地設置； 複數個難線與㈣線，_成於該第—基板上，各該間 極線與資料線係彼此相交以定義出複數個像素區域； 複數個薄膜電晶體，係形成於各該閉極線與各該資料線相 交之處； 、 複_像素電極，係分別形成於·各該像素區域内； 一第-圓柱_粒子，_成於三基板上，且對應於 孩閘極線與該資料線相重疊之區域； 复—第二圓柱間隙粒子’係形成於該第二基板上，且對應於 :、中一 _極線及其中一該資料線，除了該間極線與該資料線 相重疊之部份；及 36 —液晶層’係夾置於該第—基板與該第二基板之間。 =申请專利範圍第35項所述之液晶顯示裝置，t該第一基板 二外力按壓時’該第—圓柱間隙粒子之—第—高度係下降至 '第―同度，而該第二圓柱間隙粒子係與該第-基板相接觸。 .如申請專利範圍第35項所述之液晶顯示裝置，其中該第一圓 检間隙粒子與該第二圓柱_粒子具有_之高度。 38.-種=作液晶顯示裝置之方法，係包括下列步驟： 提供一具有一薄膜電晶體陣列之第一基板； 提供-具有-彩色濾光陣列之第二基板，以相對於該第一 基板； 51 l29〇644 於該第二基板上形成一第一圓柱間隙粒子及一第二圓柱 間隙粒子，且該第一圓柱間隙粒子及該第二圓柱間隙粒子係分 別對應於一第一區域及一第二區域，該第一區域之階梯覆蓋高 度係馬於該第二區域之階梯覆蓋高度； 於該第一基板與該第二基板間形成一液晶層；及 、將邊第一基板與該第二基板進行結合，致使該第一圓柱間 隙粒子的高度減少約2000A (埃）至約6000A。 9·如申4專利範圍第38項所述之製作液晶顯示裝置之方法，其_ 中該第-圓柱間隙粒子係形成於該第二基板對應於該第一基 板之.亥薄膜電晶體陣列之該第一區域，而該第二圓柱間隙粒子 _成於該第二基板對應於其中_該資料線與該閘極線除了 該第一基板之該第一區域處。 40.如申料利範圍第38項所述之製作液晶顯示裝置之方法，其 :該第一基板之該第__區域係對應於該薄膜電日日日體陣列之該 薄膜電晶體的部份。 札如申請專利範圍第38項所述之製作液晶顯示襄置之方法，复 中該薄膜電晶體陣列之該第—區域係對應於該閘極線與該資 料線相重疊之處。 、 . 42.如申請專利細第38彻述之製條晶顯邱置之方n . 中該第-圓柱間隙粒子與該第二圓柱間隙粒子具有相同之高 52