TWI288900B - Active matrix type display device - Google Patents

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TWI288900B
TWI288900B TW093112027A TW93112027A TWI288900B TW I288900 B TWI288900 B TW I288900B TW 093112027 A TW093112027 A TW 093112027A TW 93112027 A TW93112027 A TW 93112027A TW I288900 B TWI288900 B TW I288900B
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Hisashi Yamaguchi
Yasunobu Hashimoto
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Fujifilm Corp
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1288900 玖、發明說明： t發明戶斤屬之技術領域】 發明領域 本發明有關將有機場致發光（EL)元件等藉電流而控制 5 發光亮度之發光元件設於各個像素的顯示裝置，特別是可 控制藉場效型電晶體等能動元件供給至發光元件之電流量 之動態矩陣型之顯示裝置，且係關於不遷就於能動元件之 特性不均勻而能再現顯示亮度的顯示裝置。 1〇 發明背景 有機EL顯示裝置係於各像素設置發光元件即有機el 元件之自行發光型顯示裝置，比較於液晶顯示裝置，有機 EL减不叙置乃具有南影像視認性南、不要背光、反應速度 快等優點。有機EL元件之發光亮度可藉驅動電壓值而控 15 制，因此有必要對各像素之有機EL元件流通對應眷度資訊 的電流值。 另一方面，有機EL顯示裝置之驅動方式乃有單純矩陣 方式與動態矩陣方式。前者之構造簡單，惟僅在掃描期間 發光，因此難以大畫面化、高精細化，而後者之動態矩陣 20方式則在大畫面化、高精細化上具優點。動態矩陣方式係 藉像素内之電晶體等能動元件而控制流通於設置在各像素 之發光元件的電流。有機EL顯示裝置的情形係此能動元件 藉薄膜電晶體(TFT : Thin Film Transistor)而實現。 第1圖係習知動態矩陣方式之有機E L顯示裝置的概略 1288900 構成圖。有機EL面板10設置有設於水平方向之多數掃描線 Scanl〜N、設於垂直方向之多數資料線Datal〜M、配置於 各該等線之交差位置之矩陣狀像素ρχ。掃描線驅動電路14 於畫框(frame)期間内順序掃描掃描線Scanl〜N，資料線驅 5動電路12於各掃描期間藉由資料線Data而將對應亮度資訊 的電流供給至像素。 第2圖係習知有機EL顯示裝置之像素電路之一例的圖 式。此像素電路例如記載於特開平8 —234683號公報（以下 稱特 5午文獻 1)。或是 passive an(j active matrix addressed 10 polymer light emitting diode ^splays”，SPIE2001，PLED，final(以下稱非特許文獻υ亦記 载著類似的像素電路。 此像素電路具有藉掃描線而控制導通·非導通之Ν通道 電晶體TFT1、驅動作為發光元件之有機EL元件〇LED之ρ 15通道電晶體丁1^2、設於電晶體TFT2之閘與電源Vdd之間的 積蓄用電容器C。 此像素電路之動作係將掃描線5(：抓設成選擇狀態而使 電晶體TFT1導通，一旦將對應亮度資訊之資料電位Vdata 施加於資料線Data，則會藉由電晶體7]?71而使電容器c充 2〇電或放電，並於電晶體TFT2之閘節點Nd積蓄對應資料電位 Vdata的電位。之後，將掃描線Scans成非選擇狀態而將電 晶體TFT1設成開啟(ON)狀態，則對應閘節點^^之電位而使 電晶體TFT2流通汲·源電源idS2,發光元件會以對應該汲· 源電流Ids2之亮度而發光。此汲·源電流1(182遷就於電晶體 1288900 TFT2之閘·源間電壓Vgs(=閘節點Nd之電位—〇LED的電 壓）。又，電晶體TFT2在飽和領域動作，並藉發光元件〇led 之特性不均，即使於汲·源電流Ids2發生不均句，沒·源電 流Ids2亦可僅藉閘·源間電壓Vgs而控制。 5 以利用如此的像素電路而如第1圖所示，於掃描期間使 各像素之電容器C充電或放電而寫入亮度資訊，其後於讀出 期間能因應寫入資訊而驅動各像素之發光元件。因此，能 弄長發光元件之發光期間而弄小發光元件之驅動電流，且 能達到大型晝面且高亮度的顯示裝置。 1〇 第2圖之像素電路會有起因於形成在顯示面板上之 TFT之4寸性不均勻而使像素間的亮度不均勻的問題。雖然於 玻璃等基板上形成TFT，惟因其製造不均勻而會產生11^之 門檻值電壓或載體移動度的不均勻，對應於此，電晶體11^2 之汲·源電流Ids2亦會不均勻。由於此驅動電流即汲·源電 15流Ids2之不均勻而會使發光元件OLED之發光亮度變得不 均勻。 在作為實現不遷就如此TFT特性之發光亮度的電路乃 已提案有第3圖之像素電路。例如記載於特開2〇〇ι— 147659 號么報（以下稱特許文獻2)、“pixel Driving 仂r 20 Large Sized Poly.s! AM-OLED Display/IDW 2001，OEL1-1 pl395(以下％非特許文獻2)。此像素電路具有藉掃描線 ScanA而控制的電晶體TFT3、藉掃描線而控制的電晶 體TFT4、分別的間共用地連接之電晶體、設於 /、用閘Ndj4疋電壓端子之間的電容器，藉|晶體^^ 1288900 而使發光元件OLED被電流驅動。 第3圖之像素電路的動作依據上述特許文獻2之說明的 話，於寫入亮度資訊時，將掃描線ScanA設成選擇狀態（H 位階）而使電晶體TFT3導通，將掃描線ScanB設成選擇狀態 5 (L位階）也使電晶體TFT4導通，以使因應亮度之電流1(^仏 流通於資料線的狀態而將因應亮度之電流Iw流通於電晶體 TFT1。電晶體TFT1係在汲·閘之間藉電晶體TFT4短路而呈 飽和狀態’且構成電流反射鏡。藉該沒源電流Iw而使電容 器C充電，並將因應亮度資訊之電位寫入節點_。相對於 10 此，於讀出時，掃描線ScanA、ScanB均呈非選擇狀態，電 晶體TFT3、TFT4均呈關閉（OFF)狀態。此時電晶體叮^將 因應閘電位之沒·源電流Ids2供給至發光元件〇led而使其 發光。此汲·源電流Ids2在因應亮度資訊之電流^之間， 具有因應電晶體TFT1、TFT2之閘寬度與閘長度之比之電流 15值的關係。因此，能以因應寫入時之電流IW之驅動電流此2 來驅動發光元件OLED，且能以因應亮度資訊之發光亮度使 發光元件OLED發光。 I：發明内容3 發明概要 20 第3圖之像素電路以在像素内的電晶體TFT1、TFT2之 間無門檻值電壓之不均勻的情形為前提。但是，電晶體 TFT1、TFT2於相同像素内接近地形成，即使因何㈣因而 使電晶體TFTi、TFT2之間無«值電壓之不均勻，則即使 因共用問Nd之電位而於兩電晶體維持相同閘·源間電壓 1288900
Vgs，没·源電流Iw與Ids2不會成為電晶體尺寸之比，而使 門檻值電壓之不均勻會影響發光元件的驅動電流Ids2。 而且，電晶體TFT1、TFT2之門檻值電壓Vthl、Vth2 成為Vthl> Vth2，則即使為了黑顯示而將電流Iw設定於 5 零，閘源間電壓Vgs會比Vth2大並於電晶體TFT2之源·汲 之間流通電流而不能黑顯示。又，反之，一旦Vthl< Vth2， 則即使為了些微發光而將電流Iw設定小的值，閘源間電壓 Vgs會比Vth2小並不會於電晶體TFT2之源·汲之間流通電 流而變成黑顯示了。藉如此現象，於各個像素之兩電晶體 10 TFT1、TFT2之門檻值電壓Vthl、Vth2之間的關係不同的情 形下，各個像素之發光狀態會不均而導致晝質劣化。 爰此，本發明之目的乃在於提供能防止能動元件之特 性不均勻所造成晝質劣化的動態矩陣型顯示裝置。 又，本發明之其他目的在於提供能防止起因於像素内 15 之電晶體特性不均勻所造成晝質劣化的動態矩陣型之有機 EL顯示裝置。 本發明之第1觀點，係一種顯示裝置，具有配置於第1 方向而依序被選擇之多數掃描線、配置於交叉於前述第1方 向的方向並對應前述掃描線之選擇而被供給對應亮度資訊 20 之寫入電流的多數資料線、配置於前述多數掃描線與資料 線之交叉位置的多數像素，其特點在於： 前述像素具有發光元件、將驅動電流供給至該發光元 件的驅動電晶體、連接於該驅動電晶體之閘而積蓄寫入資 料的電容器、於前述掃描線掃描之寫入期間導通而與前述 1288900 資料線與前述驅動電晶體之汲連接的第1電晶體、於前述寫 入期間導通而使前述驅動電晶體之閘·汲間短路，且將從 前述資料線供給之前述寫入電流供給至前述電容器的第2 電晶體； 5 於前述寫入期間，對於包含前述第1電晶體與閘·汲間 短路之驅動電晶體與前述發光元件之電路，供給前述寫入 電流，並使前述電容器充電以使前述驅動電晶體之閘形成 因應該寫入電流之閘電位； 於前述寫入期間之後的讀出期間，前述第1及第2電晶 10 體形成非導通^前述驅動電晶體以因應前述閘電位的驅動 電流而驅動前述發光元件。 依據第1觀點，能不遷就驅動電晶體之特性不均勻而能 以與寫入電流同等的驅動電流驅動發光元件。 上述第1觀點之更佳實施例，乃於前述讀出期間後且於 15 前述寫入期間前之消去期間，前述第2電晶體導通而前述電 容器之電荷藉由前述驅動電晶體而對前述發光元件放電。 由於電容器在此消除期間會被復置，因此前晝框的狀 態不會影響原晝框，又，以控制此消除期間的狀態而能控 制整體影像的明亮度。 20 圖式簡單說明 第1圖係習知動態矩陣方式之有機E L顯示裝置的概略 構成圖。 第2圖表示習知有機EL元件之像素電路的一例。 第3圖表示習知有機EL元件之像素電路的一例。 128890ο 示裝置的概 第4圖係束實施樣態之動態矩陣方 略構成圖。 _ 第5圖表系 第6圖係第 第7圖表系 本實施樣悲之顯示裝置的像素電路。 5 10 4圖、第5®之顯示裝置的動作波形圖。 本實施樣態之顯示裝置動作的圖表及波形 第8圖表系本實施樣態之像素電路的動作。 第圖（）（b)說明本貫施樣態之像素電路的動作。
_圖—於本實施樣態不同亮度資訊的寫人動作。 第11圖戎明於本實施樣態電晶體之特性 下的寫入動作。 勺勾之丨月形 第12圖表示於本實施樣態之變形例的像素電路。 【實施令式】 車乂佳貫施例之詳細說明 15 知 以下參照圖式來說明本發明之實施樣態例。
第4圖係本實施樣態之動態矩陣方式之顯示裝置的概 構成圖此_示裝置係例如利用有機EL元件之有機el顯 不裝置。於第4圖之顯示裝置，有機EL面板1〇設有設於水平 方向之多數掃插線S c a η 1〜N、設於垂直方向之多數資料線 2〇 Datal〜Μ、配置於各該等線之交差位置之矩陣狀像素1>父。 於晝框期間内，分別順序地，第1掃描線驅動電路14掃描掃 4 ^Wscanl〜n ’弟2掃描線驅動電路15掃描掃描線Escanl 〜N，於各掃描期間，資料線驅動電路12將對應亮度資訊的 舄入電流值供給至資料線Datal〜M。 11 1288900 第5圖表示本實施樣態之顯示裝置的像素電路。此像素 PX具有以因應驅動電流之亮度發光之有機EL元件等發光 元件OLED、對該發光元件〇LED供給驅動電流之驅動電晶 體TFT4、將驅動電晶體TFT4之汲連接於電源vdd之第3電晶 5 體TFT3、閘連接於第jl掃描線Wscan之第i電晶體叮打、閘 連接於第2掃描線Escan之第2電晶體TFT2、設於驅動電晶體 TFT4之閘節點Nd與預定之電壓源Vcs之間的電容器c。僅第 3電晶體TFT3為P通道電晶體，其他的電晶體為N通道電晶 體。因此’相同地藉第2掃描線Escan而驅動之電晶體TFT2、 10 TFT3以反極性而控制導通·非導通。 又’電容器C之電壓源Vcs可為電源Vdd。又，電容器C 可使用MOS電容。而且，發光元件QLED利用有機EL元件 的情形下’其陰極側連接接地，陽極側連接驅動電晶體 TFT4。第3電晶體TFT3可為N通道電晶體，惟，此情形下藉 15以與第2掃描線E s c a η反極性驅動之第3掃描線（圖式未顯示） 而控制閘。 又’資料線驅動電路12具有將對應亮度資訊之寫入電 流Idata供給至資料線Data的電流源CS。此電流源CS之電流 Idata控制成對應像素之顯示亮度之灰度值的電流值。 20 第6圖係第4圖、第5圖之顯示裝置的動作波形圖。第6 圖表示對應資料線Data所供給之亮度資訊之寫入電流 Idata、第1掃描線Wscanl〜N之驅動波形、第2掃描線Esdnl 〜N之驅動波形、發光元件〇LED之發光波形。於丄畫框期 間FL，對第1掃描線Wscanl〜N依序供給驅動脈衝，而導通 12 1288900 所對應之像素内之第！電晶體TFT1。又，也對第2掃描線
Escanl〜N依序供給驅動脈衝，而導通所對應之像素内之第 2電晶體TFT2。供、給至第2掃描線Ε_之驅動脈衝比供給至 第1掃描線Wscan之驅動脈衝早上昇，約同時下降。因此， 5弟2電晶體TFT2先導通，之後第1及第2電晶體顶 同夺‘通而且兩電晶體同時呈非導通。又，p通道電晶體 之第3電晶體TFT3於第2掃描線Escan為L位階之間導通，於 Η位階之間非導通。 10 15 20 弟6圖表2對於連接第1掃描線Ws咖之像素的寫入期 tW、讀出期間tR、消除期間tE。又，表示對於發光元件0LEI 之發光期間tLE與消光期間tNLE。 f7圖表示本實施«之顯μ置動作_表及波形 圖第7圖著眼於知描線Wscan、段咖，表示寫入期間傳、 讀出期間tR、消除期間tE之反期間之掃描線的位階與像素 内電晶體之導通·非導通狀態。 第8圖表示本實施樣態之像素電路的動作。對應於表示 第7圖之動作的圖表而表示各期間（寫入期間tW、讀出期間 tR、讀㈣间之連接《與電流經過路徑。又，第9圖說 明本貫施樣態之像素電路的動作，說明寫人時⑽_)與 -時___。於此圖中，橫轴表示驅動電晶體 ㈣之没·源間電壓杨4,縱轴表示驅動電晶體而之汲 ⑼第7'8'9圖而—邊詳述本實施樣 悲之顯示裝置的動作。 [寫入期間]
13 1288900 電流Idata者 種狀態，亦 於寫入期間tW，第1及第2掃描線Wscan、Escan均為H ^階1晶體TFTl、TFT2均導通，電晶體τρΓ3非導通。麦 此二線驅動電路12藉由資料線而將對應亮度資訊之寫 电* Idata供給至各像素。如第8圖之寫入期間爾之等效電 斤示電概源CS對於電晶體TFT1、閘·汲間因電晶體TFT2 紐路而連接二極體之驅動電晶體TFT4、發光元件〇led所 、成^^串恥甩路供給寫入電流Idata。於此必須留意之點在 〈貝料線驅動電路12使電流源cs產生對應亮度資訊之寫入 亦即不為被供給此寫入電流Mata之電路為何 亦不會變動寫入電流Idata。 於寫入期間被供給寫人電流Idata之電路的動作點如第 9圖⑷所示之動作點OP1。於第9圖⑷表示對應連接二極體 之驅動包晶體TFT4之沒電流id4之汲·源間電壓Vds4的動作
此動作曲線24與一般二極體特性相同。亦即會產 電壓Id4之汲·源間電壓Vds4e又，第9圖（a)表示 子方、所么、給之寫入電流Idata之發光元件OLED與第1電晶體 之串聯包路的動作曲線26。此動作曲線26以資料線之 ^[Vdata為基準，而於與橫軸相反方向表示第1電晶體
之源’及間電壓Vdsl與發光元件qleD之電壓VOLED 的和亦即，動作曲線26對應第1電晶與發光元件 OLED之負荷特性。 於寫入期間因寫入電流1(^匕流通於前述串聯電路，故 驅動_feTFT4之負荷曲線％與第i電晶體Tm及發光元 件OLED之負荷曲線26，以寫人電流Id咖交集那般地決定資 1288900 料線電位Vdata。亦即’負荷曲線26因應此資料線電位vdata 而左右移動。此時，驅動電晶體TFT4之閘Nd的電位為Vdata _(Vdsl +Vds2)(在此說明Vdsl、Vds2為第1、第2電晶體 TFT1、叮丁2之汲·源間電壓），而於電容器c積蓄對應此條 5件的電荷。在此寫入期間寫入電流Idata亦供給至發光元件 OLED，而發光元件OLED因應此情形發光。 如此一來，串聯電路之動作點成為動作曲線24與26交 集之點OP1。亦即，連接二極體之驅動電晶體TFT4之沒電 流Id4與寫入電流Idata相等（Id4 = Idata)，故其；:及·源間電壓 10 Vds4為寫入電流Idata作為汲電流Ids4流動時之驅動電晶體 TFT4之〉及·源間電壓Vds4。由於驅動電晶體TFT42閘與没 呈短路，故其閘·源間電壓Vgs與汲·源間電壓vds4相等 (Vds4 = Vgs)，故其結果驅動電晶體TFT4之閘·源間電壓 Vgs成為總疋遷就於寫入電流idata的電壓。亦即，以使節點 15 Nd之電位總是遷就於寫入電流Idata的電壓那般地進行將電 荷寫入電容器C。 又，苐9圖（a)之中，曲線20表示驅動電晶體tft4之電 晶體特性(I—V特性），曲線22對應該I —v特性之非飽和領 域與飽和領域的交界線。 2〇 [讀出期間] 在讀出期間tR，第1及第2掃描線WSCan、Escan均為L 電位階，電晶體TFT1、TFT2均非導通，電晶體TFT3為導通。 其結果在讀出期間如第8圖所示，構成電源Vdd、第3電晶體 TFT3、驅動電晶體TFT4、發光元件〇LED、接地G·的串 15 1288900 聯電路。又，電塞哭GΦ + 維持驅動電 之充電電荷無放電路徑而 晶體TFT4之閘Nd的電位。
•源間 之I-V 5 驅動電晶體TFT4以對應從閘Nd之電位決定之門 電壓Vgsd-V特性20來作動。亦即，在第9 :一、 特性曲線20之飽和領域上作動。 ,、 而且，導通第3電晶體而從電源Vdd供給電产 電晶體㈣(沒·源電壓Vds3)與發光元件0咖（電弟壓 WLED)之負荷曲線3〇的基準電壓從Wata移動至立社
果則新的動作點移動至電晶體侧之^特性2〇、愈第^ 1〇晶體TFT3與發光元件0LED之負荷曲線％的交又點⑽。: 負荷曲線30以電源Vdd為基準而以與橫轴反方向表示第3電 晶體TFT3之汲.源間電壓Vds3與發光元件之電壓 VOLED 之和。 ^
由於新的動作點OP2在驅動電晶體TFT4之飽和領域 I5上，故在動作點OP2之驅動電晶體TFT4之沒電流^為相同 於寫入電流Idata的電流值。亦即，發光元件〇LED以與寫入 電流Idata相同電流id驅動，而以對應寫入電流Wata之亮度 發光。如此一來，於寫入時因應驅動電晶體11774之二極體 特性而將電容器C充電至對應寫入電流Idatai閘電位，於讀 20出時，以對應該閘電位之驅動電流Id(=Idata)驅動發光元 件。因此，不受電晶體特性不均勻的影響而能以對應亮度 M sfl之寫入電流idata驅動發光元件。 [消除期間] 在消除期間tE，第1掃描線Wscan為L電位階、第2掃描 16 1288900 線Escan為Η電位階，第i及第3電晶體TFT1、TFT3非導通， 第2電晶體TFT2為導通狀態。其結果如第8圖所示，積蓄於 電容器C之電荷藉由第1電晶體TFT1、驅動電晶體TFT4而放 電。於此放電時，發光元件OLED會暫時性地發光。 5 藉此消除動作，於晝框期間寫入電容器C的狀態會被復 置，且發光元件OLED於消光期間tNLE之際不會發光。因 此，其次之晝框期間的寫入動作變得不會受到前畫框期間 之寫入狀態的影響。亦即，以大畫面而掃描線數多則各掃 描線之掃描期間變短。其結果電容器C的狀態不被復置則在 10短的掃描期間之寫入動作下，會有以前晝框期間的狀態復 置而無法進一步結束在原晝框期間之寫入電流所為之寫入 的情形。相對於此，若有上述消除動作，則因寫入前電容 器C的狀態被復置，故不會有前晝框期間之經歷的影響，而 能控制時間方向之亮度不均勻。 15 又，藉消除動作，於讀出期間tR之際發光的發光元件 OLED會暫時消光，因此於動作顯示時前晝框之殘像重疊於 原晝框之影像而能防止動晝影像的劣化。能顯示人所感到 良好的影像。 而且，藉控制第2掃描線動電路15所為之第2掃描線 20 Escan的驅動脈衝寬度而能控制消除動作期間。因此，以調 整第2掃描線之驅動脈衝寬度的狀態而能微調整影像的明 亮度’例如能改善非常高亮度之影像顯示中的對比。 [不同亮度資訊之寫入動作] 第10圖說明於本實施樣態不同亮度資訊的寫入動作。 17 l2889〇〇 舁第9圖（a)之不同點在於寫入電流Idata2變小。如此一來， 因應売度資訊而將寫入電流Idata弄成Idata2那般小的話，則 逆通於第1電晶體TFT1、驅動電晶體TFT4、發光元件〇LED 5之电路的電流變小，會改變連接二極體之驅動電晶體TFT4 的及·源間電壓Vds4與第jl電晶體TFT1或發光元件〇LED的 包壓。伴隨於此，資料線之電壓Vdata2如第1〇圖所示切換 至左側，負荷曲線26(2)亦切換至左側。其結果則二極體特 ^生曲線24與新的負荷曲線26(2)之交叉點〇p3成為新的動作 點。此動作點OP3對應新的寫入電流Idata2。 讀出動作上，動作點僅沿著此動作點〇p3上之ΙΛ/特性 〇而私動，與寫入電流Idata2同等的驅動電流Id4流通於驅 動電晶體TFT4而驅動發光元件0LED。亦即，發光元件 OLED以對應寫入電流〗data2的亮度發光。 [對於電晶體特性不均勻的寫入動作] 弟11圖說明於本實施樣態電晶體之特性不均勻之情形 下的寫入動作。第^圖表示驅動電晶體11?丁4之門檻值電壓 朝變高的方向不均勻，其二極體特性24(vth)向右側切換的 情形。隨著此門檻值電壓的上昇，第i電晶體TFT1、驅動電 晶體TFT4、發光元件〇lED所構成之串聯電路所必要的電 2〇壓Vdata(Vth)如第U圖所示那般地上昇，負荷曲線辦糧) 會向右側偏去。動作曲線24(Vth)與動作曲線26(Vth)之交叉 點即動作點OP4維持在對應寫入電流Idatai之點。 讀出動作上，動作點僅沿著此動作點〇p4上之特性 20而移動’與寫入電流Idata同#的驅動電流會流通於驅動 18 1288900 電晶體TFT4而驅動發光元件OLED。亦即，即使是起因於 製造不均勻等而使電晶體特性不均勻，亦可控制流向發光 元件之驅動電流與寫入電流Idata同等。亦即，能獲得不遷 就於特性不均勻之發光亮度的影像。 5 以下說明不遷就於此電晶體之門檻值電壓不均勻情形 的其他表示。一旦驅動電晶體TFT4之門檻值電壓變高，則 寫入後之閘Nd的電位也會變高。惟，即使因驅動電晶體 TFT4之高門檻值電壓而使閘Nd的電位變高，也不會改變驅 動電流Id4。反之，一旦門檻值電壓變高低，則寫入後之閘 10 Nd的電位也會變低。惟，即使因驅動電晶體TFT4之低門檻 值電壓而使閘Nd的電位變低，也不會改變驅動電流W4。亦 即，由於決定寫入時之閘Nd之電位的電晶體與決定讀出時 之驅動電流的電晶體相同為驅動電晶體TFT4，因此不會有 前述特許文獻2那般像素内之電晶體特性不均勻的問題。 15 [變形例] 第12圖表示本實施樣態之變形例。此變形例之像素電 路的第2電晶體TFT2使用雙閘構造之MOS電晶體。第2電晶 體TFT2於項出斯間反應第2掃描線EscaniL電位階而被控 制成關閉（OFF)狀態，並維持電容器c之充電狀態。爰此， 20由於發生從節點Nd來的漏電流會導致變動顯示亮度，因此 有必要極力去避免。此變形例係於第2電晶體TFT2形成二個 閘電極’並將該二個閘電極同時連接於第2掃描線Escan。 藉此，使二個閘電極均控制成L電位階而能控制關閉狀態下 的漏電流。 19 1288900 產業上之利用性 依據本發明能不遷就TFT等能動元件之特性不均勻， 而能將對應從育料線來的舄入電流Idata的驅動電流流通於 有機EL元件等電流驅動型發光元件。由於將如此的像素| 5 路多數配置成矩陣狀的狀態，能使各像素正確地以所希望 的亮度發光，因此能提供高品位的動態矩陣型顯示裝置。 又，本發明於資料寫入時流通於像素電路之Idata亦會 增進發光元件的發光，因此能有效地使用1掃描期間之最大 發光期間。又，以使用寫入用與消除用之二個掃描線驅動 10 電路的狀態，能於1掃描期間内設定任意的消光期間，能不 受前晝框之經歷的影響而於動晝顯示時達到良好的效果。 【圖式簡單說明】 第1圖係習知動態矩陣方式之有機E L顯示裝置的概略 構成圖。 15 第2圖表示習知有機EL元件之像素電路的一例。 第3圖表示習知有機EL元件之像素電路的一例。 第4圖係本實施樣態之動態矩陣方式之顯示裝置的概 略構成圖。 第5圖表示本實施樣態之顯示裝置的像素電路。 20 第6圖係第4圖、第5圖之顯示裝置的動作波形圖。 第7圖表示本實施樣態之顯示裝置動作的圖表及波形 圖。 第8圖表示本實施樣態之像素電路的動作。 第9圖（a)、（b)說明本實施樣態之像素電路的動作。 1288900 第ίο圖說明於本實施樣態不同亮度資訊的寫入動作。 第11圖說明於本實施樣態電晶體之特性不均勻之情形 下的寫入動作。 第12圖表示於本實施樣態之變形例的像素電路。 5 【圖式之主要元件代表符號表】 10 有機EL面板 12 貢料線驅動電路 14 第1掃描線驅動電路 15 第2掃描線驅動電路 TFT1 N通道電晶體 OLED 有機EL元件 TFT2 P通道電晶體 Vdd 電源 C 積蓄用電容器 Vdata 資料電位 Nd 節點 Ids2 汲·源電源 Vgs 閘·源間電壓 ScanA 掃描線 ScanB 掃描線 TFT1〜TFT4 電晶體 Iw 電流 Idata 電流 Vth 門檻值電壓
21 1288900
Vcs 電壓源 Scanl〜N 掃描線
Datal〜M 資料線 ΡΧ 像素
Wscanl〜Ν 掃描線
Escanl〜Ν 掃描線 FL 晝框期間 tW 寫入期間 tR 讀出期間 tE 消除期間 tLE 發光期間 tNLE 消光期間 20、22、24、26、30 曲線
22

Claims (1)

1288900 拾、申請專利範圍： 1. 一種顯示裝置，係具有配置於第1方向而依序被選擇之多 數掃描線、配置於交叉於前述第1方向的方向並對應前述 掃描線之選擇而被供給對應亮度資訊之寫入電流的多數 5 資料線、配置於前述多數掃描線與資料線之交叉位置的 多數像素，其特點在於： 前述像素具有： 發光元件； 驅動電晶體，其係將驅動電流供給至該發光元件； 10 電容器，其係連接於該驅動電晶體之閘而積蓄寫入 資料； 第1電晶體，其係於前述掃描線掃描之寫入期間導通 而與前述資料線與前述驅動電晶體之汲連接；及 第2電晶體，其係於前述寫入期間導通而使前述驅動 15 電晶體之閘·汲間短路，且將從前述資料線供給之前述 寫入電流供給至前述電容器， 於前述寫入期間，對於包含前述第1電晶體與閘·汲 間短路之驅動電晶體與前述發光元件之電路，供給前述 寫入電流，並使前述電容器充電以使前述驅動電晶體之 20 閘形成因應該寫入電流之閘電位； 於前述寫入期間之後的讀出期間，前述第1及第2電 晶體形成非導通’前述驅動電晶體以因應前述閘電位的 驅動電流而驅動前述發光元件。 2. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中前述像素更 23 1288900 具有於前述讀出期間導通，而將前述驅動電晶體之汲連 接於預定之電源的第3電晶體。 3. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中前述讀出期 間後且於前述寫入期間前之消去期間，前述第2電晶體導 5 通而前述電容器之電荷藉由前述驅動電晶體而對前述發 光元件放電。 4. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中於前述消除 期間，前述發光元件隨著放電而發光。 5. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中前述消除期 10 間可調整。 6. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中於前述寫入 期間，前述寫入電流藉由前述驅動電晶體而供給至前述 發光元件，而使該發光元件發光。 7. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中前述掃描線 15 具有第1及第2掃描線， 於前述像素，前述第1電晶體之汲連接於前述資料 線，其閘連接於第1掃描線， 前述第2電晶體之閘連接於前述第2掃描線，其一對 的源·汲分別連接前述第1電晶體之源與前述驅動電晶體 20 之閘， 前述驅動電晶體之汲連接於前述第1電晶體之源，其 源連接於前述發光元件， 於前述讀出期間，前述驅動電晶體之汲連接於預定 之電源。 24 1288900 8. 如申請專利範圍第7項記載之顯示裝置，其中前述像素更 具有於前述讀出期間導通，而將前述驅動電晶體之汲連 接於前述預定之電源的第3電晶體。 9. 如申請專利範圍第8項記載之顯示裝置，其中前述第3電 5 晶體之閘連接於前述第2掃描線，於該第2掃描線非選擇 時，前述第3電晶體導通。 10. 如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中前述第2 電晶體具有雙閘構造，該雙閘構造連接於前述第2掃描 線。 10 11.如申請專利範圍第1項記載之顯示裝置，其中前述電容 器之一側的電極連接於前述驅動電晶體之閘，另一側的 電極連接於預定的電壓端子。 12.如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或 11項記載之顯示裝置，其中前述發光元件為有機場致發 15 光元件。
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