TWI287779B - Pixel circuit, light-emitting device, and image forming apparatus - Google Patents

Pixel circuit, light-emitting device, and image forming apparatus Download PDF

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TWI287779B
TWI287779B TW094133816A TW94133816A TWI287779B TW I287779 B TWI287779 B TW I287779B TW 094133816 A TW094133816 A TW 094133816A TW 94133816 A TW94133816 A TW 94133816A TW I287779 B TWI287779 B TW I287779B
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Description

1287779 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關利用如有機發光二極體元件那樣使對應 於電流量的大小的光發光的發光元件之畫素電路，發光裝 置，及畫像形成裝置。 【先前技術】 B 近年來，取代液晶元件之次世代的發光裝置，例如被 稱爲有機電激發光元件或發光聚合物元件等的有機發光二 極體（Organic Light Emitting Diode，以下簡稱爲「OLED 元件」）元件正受注目。以將該OLED元件多數設置於1 線（line)的線形光學頭（line head)作爲曝光手段使用的畫像 形成裝置正被開發。在如此的線形光學頭中，除了 〇LED 元件以外，還配置有複數個包含驅動用的電晶體之β ^胃 路。例如，在專利文獻1中揭不有由1線的〇 L E D元件所 φ 構成的線形光學頭。 在此，複數個畫素電路是被配列於一方向，，經 配線來供給選擇信號，且經由矩陣配線來供給資料信號。 然後，若選擇信號形成主動（active)，則資料信號會被取 入畫素電路。 [專利文獻1]曰本特開平11-2745 69號公報（圖2, 段落號碼004 1〜0043) 【發明內容】 -4- (2) 1287779 (發明所欲解決的課題） 但，爲了降低因驅動電晶體的0N時的電阻不均所造 成的OLED元件的亮度不均，對〇LED元件的電阻而言， Λ 必須充分縮小驅動電晶體的〇N時的電阻。爲了縮小驅動 * 電晶體的ON時的電阻，必須擴大驅動電晶體的大小。 « 但，若對驅動電晶體的閘極供給電流的前段驅動電路 ‘ 的驅動能力低，則無法將驅動電晶體予以充分驅動。當驅 φ 動能力不足時，使閘極電位變化需要長時間。因此，無法 在所定期間内使寫入終了，導致印刷品質降低。 本發明是有鑑於上述情事而硏發者，其目的是在於提 供一種可充分驅動驅動電晶體之畫素電路，發光裝置，及 畫像形成裝置。 (用以解決課題的手段） 爲了解決上述課題，本發明的畫素電路係具備： • 發光元件，其係發出對應於驅動電流的大小之大小的 光； 驅動電晶體，其係對上述發光元件供給上述驅動電流 記憶電路，其係於寫入期間寫入指示上述發光元件的 發光亮度之資料信號而予以記億；及 緩衝《路，其係將上述記億手段的輸出信號供給至上 述驅動電晶體。 € # nt發明，則因爲在記憶電路與驅動電晶體之間 -5- (3) 1287779 設置緩衝電路，所以即使驅動電晶體的大小較大，還是可 以充分驅動驅動電晶體。另外，在發光元件中含有機發光 二極體，無機發光二極體等的發光二極體。 Λ 在此，構成上述緩衝電路的電晶體之中使用於輸出段 * 的輸出電晶體的大小最好比上述驅動電晶體的大小更小。 韈 此情況，因爲緩衝電路的輸出電晶體的大小會變小，所以 ‘ 電路面積會變小，且可削減緩衝電路的消費電流。在此， φ 所謂電晶體的大小是閘極的寬度爲W，閘極長爲L時，以 W/L來賦予。 又，上述輸出電晶體的大小最好是設定成上述緩衝電 路的輸出信號的上升時間能夠形成比從某寫入期間到其次 的寫入期間爲止的時間更短。此情況，可確實地控制驅動 電晶體的ON · OFF。所謂上升時間是輸出信號的位準從 10%的位準變化至90%的時間。 又，上述緩衝電路可以反相器構成。此情況，驅動電 • 晶體是形成以2値來控制。 其次，本發明的發光裝置係具備複數個上述畫素電路 且，具備： 複數條資料線，其係對上述複數個畫素電路供給上述 資料信號；及 驅動電路，其係將指示上述寫入期間的信號供給至上 述記憶電路。 若利用此發明，則因爲利用上述畫素電路，所以即使 -6 - (4) 1287779 驅動電晶體的大小較大，照樣驅動電晶體不會誤動作。因 此，可防止發光元件的亮度不均’而大幅度地提高發光品 質。 在上述發光裝置中，最好具備主電源線，其係於連接 點分歧成第1電源配線及第2電源配線’供給電源信號’ 上述第1電源配線係連接至上述各個記憶電路’ 上述第2電源配線係連接至上述各個緩衝電路。 g 在此，緩衝電路爲了驅動驅動電晶體’而必須流動大 電流。因此，會形成電源信號的電位變動之要因。若利用 此發明，則供應給記億電路及緩衝電路的電源信號可使用 第1電源配線及第2電源配線，因此可藉由在緩衝電路所 被消費的電流，使記憶電路的電源信號的電位變動降低。 在此，上述第1電源配線的寬度最好比上述第2電源 配線的寬度更廣。此情況，由於可壓制供給至記憶電路的 電源信號的電位變動，因此更能降低記憶電路的誤動作， φ 提高可靠度。 又，上述緩衝電路亦可與上述驅動電晶體所連接的電 源線同樣的電源線連接。此情況，亦可分離緩衝電路與記 憶電路的電源。又，即使驅動電晶體連接緩衝電路，最好 電源信號的電位變動不會超過驅動電晶體的臨界値。 其次，本發明之畫像形成裝置的特徵係具備： 感光體，其係藉由光線的照射來形成畫像；及 光學頭部，其係對上述感光體照射光線來形成上述畫 像， (5) 1287779 且，將上述發光裝置使用於上述光學頭部。 此畫像形成裝置是將上述發光裝置使用於光學頭部， 所以可在感光體上形成高品質的畫像。如此的畫像形成裝 置包含印表機，影印機，及複合機。 【貫施方式】 k 以下，參照圖面來説明有關本發明的實施形態。 <發光裝置> 圖1是表示本發明的實施形態之發光裝置的構成方塊 圖。此發光裝置係由作爲畫像形成裝置的印表機的光學頭 部10及其周邊電路所構成。發光裝置是具備作爲光學頭 部1 0的周邊電路，亦即移轉控制電路2 0，畫像處理電路 3〇，及電源電路40。移轉控制電路20係產生開始脈衝信 號SP及時脈信號CLK。開始脈衝信號SP係於主掃描期間 • 的開始形成主動之信號。時脈信號CLK係賦予形成主掃 描的基準之時間。畫像處理電路3 0係輸出並列形式的資 料信號D1〜D89。此例的資料信號D1〜D89爲指示OLED 元件的點燈·熄燈的2値信號。電源電路40除了邏輯電路 用的第1高電位側電源信號VHH及第1低電位側電源信 號V L L以外，還產生第2高電位側電源信號v D D E L及第 2低電位側電源信號VSSEL。 光學頭部1 〇爲線形的光學頭，具備區域A 1〜A 3。在 區域A1中形成有畫素區塊B1〜B40，邏輯用電源線Lai (6) 1287779 及Lbl，驅動用電源線La2及Lb2。在區域A2中形成有 89條的資料線L1〜L89及所交叉的信號線Lsl〜Ls40。在 區域A3中形成有位移暫存器50。畫素區塊B1〜B40是配 : 列於X方向。並且，資料線L1〜L89，，邏輯用電源線
Lai及Lbl，驅動用電源線La2及Lb2是與X方向平行配 設。 β 位移暫存器50係縱續連接複數個單位位移電路（未圖 φ 示），按照時脈信號CLK來依次位移開始脈衝信號SΡ，而 產生位移信號SRI，SR2，...SR41。如圖2所示，各位移 信號SR1〜SR41是只在時脈信號CLK的一周期的期間形 成主動的信號。並且，所隣接之位移信號的主動期間是只 在時脈信號CLK的1/2周期重複。: 位移信號SR1〜SR41是經由信號線Lsl〜Ls41來供 給至畫素區塊B1〜B40。各畫素區塊B1〜B39含89個畫 素電路P1〜P89，畫素區塊B40含73個畫素電路P1〜P73 φ 。並且，畫素電路P1〜P89爲同一構成。在以下的説明中 ，各個畫素電路無問題時，將該等簡稱爲畫素電路P。 在邏輯用電源線Lai的供給端子Tal供給有第1高電 位側電源信號VHH，另一方面，在邏輯用電源線Lbl的供 給端子Tbl供給有第1低電位側電源信號VLL。在驅動用 電源線La2的供給端子Ta2供給有第2高電位側電源信號 VDDEL，另一方面，在電源線Lb2的供給端子Tb2供給有 第2低電位側電源信號VSSEL。各畫素電路P是被連接於 邏輯用電源線Lai及Lbl，驅動用電源線La2及Lb2，且 (7) 1287779 經由該等來供給各種的電源信號。最接近供給端子Ta2及 Tb2的畫素區塊爲B1，最遠的畫素區塊爲B40。 圖2是表示畫素電路p的詳細構成，圖3是表示其時 > 序圖。另外，此畫素電路P是屬於第1個的區塊B1，爲 連接於資料線L1者。畫素電路P具備··控制電路60，閂 鎖電路70，緩衝電路80，供給電路90，及OLED元件 1 〇〇。在控制電路60，閂鎖電路7 0，及緩衝電路8 0供給 φ 有第1高電位側電源信號VHH及第1低電位側電源信號 VLL，在供給電路90及Ο LED元件1〇〇供給有第2高電位 側電源信號VDDEL及第2低電位側電源信號VSSEL。 控制電路60具有根據自位移暫存器50所供給的位移 信號來產生取樣信號的機能。取樣信號係指定將資料信號 寫入閂鎖電路70的寫入期間。此例的控制電路60是藉由 NOR電路61來構成。NOR電路61是在對應於該區塊B1 的位移信號SR1與對應於其次的區塊B2的位移信號SR2 φ 同時形成低位準（主動）的期間，產生主動（高位準）的取樣 信號SAM1。在此，位移信號SR2是位移信號SR1的其次 形成主動的信號。 之所以如此將控制電路60設置於各畫素電路P是基 於以下的理由。位移信號SR1〜SR41是經由信號線Lsl〜 Ls41來供給至畫素區塊B1〜B40。因此，在信號線Lsl〜 Ls4 1爭會有雜訊重疊。其主因有區域A2的飛入雜訊。在 區域A2中信號線Lsl〜Ls41是與資料信號線L1〜L89交 叉，因此在該交叉部分附隨有浮遊電容。換言之，信號線 -10- (8) 1287779 L s 1〜L s 4 1是與資料信號線L 1〜L 8 9交流性耦合。因此， 一旦資料信號D 1〜D 8 9的邏輯位準變化，則信號線Ls 1〜 Ls41的雜訊會重疊。 ^ 就圖3所示的例子而言，在位移信號SR1中有雜訊 N1及N2重疊，在位移信號SR2中有雜訊N3及N4重疊 。假設，若將NOR電路61設置於區域A3，而利用信號 線Ls 1〜Ls40來傳送取樣信號SAM 1〜SAM40，則在取樣 φ 信號SAM1〜SAM4 0中有雜訊重疊，畫素電路P會錯誤動 作。 但，在本實施形態中，因爲在區域A 1中配置NOR電 路61，所以可以掩蔽雜訊。亦即，NOR電路61是只在隣 接的位移信號,SR1及SR2同時形成.主動時使取樣信號 SAM1形成主動。因此，重疊於位移信號SR1的雜訊N1 及N2會藉由位移信號SR2來掩蔽，另一方面，重疊於位 移信號SR2的雜訊N3及N4會藉由位移信號SR1來掩蔽 • ° NOR電路61是在位移信號SR1及位移信號SR2共同 由形成低位準（主動）的時刻t2〜時刻t3的期間產生形成高 位準的取樣信號SAM 1，然後供給至閂鎖電路7 〇。閂鎖電 路70係具備：轉移（transfer)閘極71，反相器72〜74，及 時鐘（clocked)反相器75。在時刻tl〜時刻t2的期間，由 於位移信號SR 1爲低位準，因此時鐘反相器7 5係形成高 阻抗（i m p e d a n c e)狀態。又’由於取樣信號S Α Μ 1爲低{ία準 ，因此轉移閘極7 1係形成〇 F F狀態。其結果’ Η鎖電路 -11 - 1287779 ⑼ 70的等效電路係形成圖4(A)所示者。 其次，在時刻t2〜時刻t3，位移信號SR1是維持低 位準，但取樣信號SAM 1是形成高位準。此刻，時鐘反相 : 器7 5是維持高阻抗狀態，另一方面，轉移閘極7 1是形成 ON狀態。其結果，閂鎖電路70的等效電路是如圖4(B)所 示者，取入資料信號D1的邏輯位準。 '其次，在時刻t4以後，位移信號SR1會形成高位準 φ ，時鐘反相器75是作爲反相器動作。並且，因爲取樣信 號SAM1爲低位準，所以轉移閘極71是形成OFF狀態。 其結果，閂鎖電路70的等效電路是形成圖4(C)所示者。 亦即，資料信號D 1的取入終了後，至有其次的寫入爲止 ，資料信號、D 1的邏輯位準會被記憶於閂鎖電路70。 閂鎖電路70的輸出信號是經由作爲緩衝電路80的反 相器82來供給至供給電路90。供給電路90具備驅動電晶 體93及控制電晶體94。在節點Q連接有驅動電晶體93 φ 的閘極及控制電晶體94的閘極，反相器82的輸出端子是 被連接至節點Q。驅動電晶體93是以P通道型的TFT來 構成，控制電晶體是藉由N通道型的TFT來構成。在驅 動電晶體93的汲極供給有第2高電位側電源信號VDDEL ，在其源極連接有OLED元件100的陽極。在OLED元件 100的陰極供給有第2低電位側電源信號VSSEL。控制電 晶體94是在ON狀態中使OLED元件1 00短路。 在此，當節點Q的邏輯位準爲低位準時，驅動電晶體 93是形成ON狀態，控制電晶體94是形成OFF狀態。此 -12- (10) 1287779 刻，驅動電流會被供給至OLED元件1 00，OLED元件1 00 會點燈。另一方面，當節點Q的邏輯位準爲高位準時，驅 動電晶體93是形成OFF狀態，控制電晶體94是形成ON ‘狀態。此刻，在OLED元件100不會被供給驅動電流， ' OLED元件100爲熄燈。 在上述的供給電路9 0中，節點Q的邏輯位準是容許 若樣本信號SAM 1形成主動，則會變化。而且，樣本信號 φ SAM1在屬於區塊B1的其他畫素電路p中亦同樣生成。 因此，屬於區塊B1的畫素電路Pi〜P89是同時執行寫入 動作。此事對其他區塊B 2〜B 4 0亦相同樣。亦即，資料信 D1〜D89的寫入是按照取樣信號SAM1〜SAM40執行於區 塊單位。如圖3所示，從取樣信號SAM1形成.主動到其次 取樣信號SAM 1形成主動爲止的期間爲主掃描期間。 驅動電晶體93爲了降低ON時的電阻不均所造成的 OLED元件100的亮度不均，而必須對OLED元件100的 φ 電阻，充分縮小驅動電晶體93的ON時的電阻。爲了縮 小驅動電晶體的ON時的電阻，其大小必須大。因此，在 驅動電晶體93的閘極必須供給充分的閘極電流。並且， 因爲驅動電晶體93的閘極面積也會變大，所以閘極電容 也會變大。假使以驅動能力低的電路來驅動節點Q，則受 到閘極電容的影響，有可能在主掃描期間内節點Q的電位 不會超過驅動電晶體的臨界値。此情況，OLED元件100 會在應點燈時間熄燈，或，應熄燈時間點燈，形成畫質劣 化的要因。於是，在本實施形態中，經由反相器8 2來將 -13- (11) 1287779 記憶於閂鎖電路70的資料信號D 1供給至節點q。亦即， 反相器82是具有作爲反轉電路的機能，且具有作爲放大 輸出電流的緩衝電路的機能。藉此，可充分驅動驅動電晶 : 體 93 〇 圖5是表示反相器82的電路圖。反相器82的驅動能 力是根據電晶體8 2 1及8 22的大小來決定。此情況，電晶 ’體82 1及822的大小是設定成比驅動電晶體93的大小還 φ 要小，且能夠符合以下的條件。亦即，以節點Q的信號波 形的上升時間能夠比主掃描期間更短之方式來選定電晶體 82 1及822的大小。藉此，可使OLED元件1〇〇確實地點 燈。另外，在此例中，雖是使用反相器8 2來作爲緩衝電 路，但當邏微位準相反時，亦可串聯2個反相器。此情況 ，只要以節點Q的信號波形的上升時間能夠比主掃描期間 更短之方式來選定最終段的電晶體的大小即可。此外，所 謂電晶體的大小是當閘極的寬度爲W，閘極長爲L時，以 φ W/L賦予。並且，所謂上升時間是如圖6所示節點Q的邏 輯位準從10%的位準變化至90%的位準的時間。 圖7是表示邏輯用電源線Lai及Lbl，驅動用電源線 La2及Lb2的具體構成。如該圖所示，驅動用電源線La2 及Lb2是被連接至各畫素電路P1〜P89的供給電路90及 OLED元件100，供給第2高電位側電源信號VDDEL及第 2低電位側電源信號VSSEL。 另一方面，邏輯用電源線Lai是在供給端子Tal分歧 成第1邏輯用電源線Lall及第2邏輯用電源線Lal2，且 -14- (12) 1287779 邏輯用電源線Lbl是在供給端子Tbl分歧成第1邏輯用電 源線Lbl 1及第2邏輯用電源線Lbl2。而且，第1邏輯用 電源線La 11及Lb 11是被連接至各畫素電路P1〜P89的控 > 制電路CTL及閂鎖電路70，第2邏輯用電源線Lai 2及
Lb 12是被連接至各畫素電路P1〜P89的緩衝電路80。 之所以如此使邏輯用電源線Lai及Lbl分岐來供給電 * 源信號VHH及VLL，是基於以下的理由。亦即，在緩衝 φ 電路80中，若閂鎖電路70的邏輯位準反轉，則會以該時 序來流動電流。邏輯位準所反轉的時序是與取樣信號 SAM1〜SAM40所分別形成主動的時序同步。亦即，若某 畫素區塊被選擇，則會以所對應的取樣信號形成主動的時 序，在屬於該畫素區塊的各緩衝電路流動電流。因此，形 成以取樣信號SAM1〜SAM40所分別形成主動的時·序來流 動大電流。假設，供給第1高電位側電源信號VHH及第1 低電位側電源信號 VLL的電源線的阻抗極低，理想上， φ 即使在緩衝電路8 0流動大電流，照樣第1高電位側電源 信號VHH及第1低電位側電源信號VLL的電位不會變化 〇 但，實際上，在電源線存在分布電阻。因此，若在緩 衝電路80流動大電流，則第1高電位側電源信號VHH及 第1低電位側電源信號VLL的電位會變化。特別是如本 實施形態那樣，在横長的光學頭部1 〇中，電源線的距離 會變長，不能無視其分布電阻。一旦如此第1高電位側電 源信號VHH及第1低電位側電源信號VLL的電位變化， -15- (13) 1287779 則有可能閂鎖電路70的記憶内容會被重寫。而且，一旦 閂鎖電路70的記憶内容被重寫，則至其次的寫入期間到 來爲止’錯誤的邏輯位準會被保持於閂鎖電路70，造成應 點燈的OLED元件100會熄燈，應熄燈的〇leD元件100 會點燈。 於是’在本實施形態中是分離緩衝電路8 0與閂鎖電 路70的電源線。如此，若使邏輯用電源線Lal及Lb 1分 岐，供給第1高電位側電源信號VHH及第1低電位側電 源信號VLL，則在緩衝電路80中流動大電流時，即使第 2邏輯用電源線Lal2及Lbl2的電位變動，還是可抑止第 1邏輯用電源線Lal 1及Lbl 1的電位變動。因此，可防止 閂鎖電路70的記憶内容因爲第J高電位側電源信號VHH 及第1低電位側電源信號VLL的變動而被重寫。藉此， 可大幅度提升印刷品質。此外，分岐點的位置可在光學頭 部10的内部，或者電源電路40的内部。 但，由提高集成密度的觀點來看，最好電源線的寬度 狹窄，由抑止第1高電位側電源信號VHH及第1低電位 側電源信號v L L的電位變動之觀點來看’最好較廣。如 上述在分歧邏輯用電源線Lal及Lbl時’某程度可容許第 2邏輯用電源線Lal2& Lbl2的電位變動。於是’第1邏 輯用電源線L a 1 1及L b 1 1的寬度與第2邏輯用電源線 Lal 2及Lbl2的寬度比較下’最好設定成較廣。藉此如此 地設定，可有效活用分配於電源線的面積，而正確地保持 閂鎖電路70的記憶内容° -16- (14) 1287779 <發光裝置的變形例> 其次，說明有關發光裝置的變形例。 : (1)變形例1 * 在上述的發光裝置中緩衝電路80是被連接至第2邏 輯用電源線Lai 2及Lbl2，且經由該等來供給第1高電位 ‘側電源信號VHH及第1低電位側電源信號VLL，但亦可 φ 在緩衝電路80供給第2高電位側電源信號VDDEL及第2 低電位側電源信號VSSEL。但，此情況，最好是即使將緩 衝電路80連接於驅動用電源線La2及Lb2，照樣第1高 電位側電源信號VHH及第1低電位側電源信號VLL的電 位變動不會超過驅動電晶體93及控制電晶體94的臨界値 (2)變形例2 在上述實施形態及變形例1中，是在畫素電路P設置 閂鎖電路70，但亦可取代閂鎖電路70，使用電容元件來 構成記憶手段。 圖9是表示變形例之畫素電路P的構成電路圖。如此 圖所示，畫素電路P是在驅動電晶體93的閘極與第2高 電位側電源VDDEL之間具備電容元件76。因此，在取樣 信號SAM1的主動期間，資料信號D1的邏輯位準會被寫 入電容元件76，另一方面，在非主動期間保持所被寫入的 邏輯位準。因此，電容元件76是當作記億手段70’來作用 -17- (15) 1287779 此情況，控制驅動電晶體93的閘極是具有作爲緩衝 電路80機能的反相器82，因此可確實地控制驅動電晶體 ’ 93 的 ON · OFF。 <畫像形成裝置> ‘圖10是表示使用上述光學頭部10的畫像形成裝置的 φ 一例之縱斷側面圖。此畫像形成裝置是將同樣構成的4個 有機EL陣列曝光頭10K，10C，10M，10Y分別配置於所 對應的同樣構成之4個感光體圓筒（像附著體）1 10K，1 10C ，：I 10M，1 10Y的曝光位置者，構成隨機方式的畫像形成 裝置。有機EL陣列曝光頭10K，10C，10M，·Υ·是藉由 上述光學頭部1 〇來構成。 如圖1 〇所示，此畫像形成裝置是設有驅動滾筒1 2 1 及從動滾筒122，具備往圖示箭號方向循環驅動的中間轉 φ 印帶120。對此中間轉印帶120以所定間隔配置的4個像 附著體的外周面配置具有感光層的感光體 Π0Κ，11 0C， 1 1 0 Μ，1 1 0 Υ。在上述符號之後所被附加的Κ，C，Μ，Υ 是意指黒，青綠色，洋紅色，黃色，分別表示黒，青綠色 ，洋紅色，黃色用的感光體。有關其他的構件亦相同樣。 感光體1 10Κ，1 10C，1 10Μ，1 10Υ是與中間轉印帶120的 驅動同步旋轉驅動。 在各感光體ll〇(K’ C’ Μ，Υ)的周圍設有··使各感光 體110(K，C，M，Y)的外周面一樣帶電的帶電手段（電暈 -18- (16) 1287779 帶電器）111(尺，0：，]\4，丫），及使藉由該帶電手段111(1<：’ C，Μ，Y)而一樣帶電的外周面與感光體110(K，C，M， Y)的旋轉同步來依次線掃描之本發明的上述有機EL陣列 曝光頭 l〇(K，C，Μ，Y)。 並且，具有顯像裝置1 14(K，C，Μ，Υ)，其係對形成 於該有機EL陣列曝光頭10(K，C，Μ，Υ)的静電潛像賦 予顯像劑的色劑(1011 e r)，而成爲可視像（色劑像）。· B 在此，各有機EL陣列曝光頭10(K，C，Μ，Y)是以 有機EL陣列曝光頭10(K，C，Μ，Υ)的陣列方向能夠沿 著感光體圓筒ll〇(K，C，Μ，Υ)的母線之方式來設置。而 且，各有機EL陣列曝光頭10(K，C，Μ，Υ)的發光能量 峰値波長與感光體1 l〇(K，C，Μ，Υ)的感度蜂値波長是設、 定成大略一致。 顯像裝置1 14(K，C，Μ，Υ)是例如使用非磁性一成分 色劑來作爲顯像劑，且例如以供給滾筒來將該一成分顯像 φ 劑搬送至顯像滾筒，以規制刮刀來規制附著於顯像滾筒表 面的顯像劑膜厚，且藉由使該顯像滾筒接觸或按壓於感光 體1 10(K，C，Μ，Υ)來對應於感光體1 10(κ，C，Μ，Υ) 的電位位準而令顯像劑附著，藉此作爲色劑像顯像。 如此藉由4色的單色色劑像形成站所形成的黒，青綠 色，洋紅色’黃色的各色劑像是在中間轉印帶1 2 0上依次 被一次轉印，在中間轉印帶i 20上依次被重疊而形成全彩 。藉由拾取滾筒1 03從給紙盒1 0 1 —個一個地被送給的記 錄媒體1 〇2會被傳送至二次轉印滾筒1 26。中間轉印帶 -19- (17) 1287779 1 20上的色劑像是在二次轉印滚筒1 26中被二次轉印 紙等的記錄媒體102，經由定著部的定著滾筒對127 著於記錄媒體1 02上。然後，記錄媒體1 02會藉由排 筒對1 28來排出至形成於裝置上部的排紙托盤上。 如此一來，由於圖9的畫像形成裝置是利用有_ 陣列來作爲寫入手段，因此比利用雷射掃描光學系時 夠謀求裝置的小型化。 其次，說明有關本發明的畫像形成裝置的其他實 態。 圖〗1是表示畫像形成裝置的縱斷側面圖。圖1 1 在畫像形成裝置中主要構件爲設置：轉子（rotary)構 顯像裝置161，具有作爲像附著體機能的感光體圓筒 ，設置有機EL陣列的曝光頭167，中間轉印帶169， 搬送路174，定著器的加熱滾筒172，給紙托盤178。 頭167是藉由上述光學頭部1〇來構成。 顯像裝置161的顯像轉子161a是以軸161b爲中 旋轉於逆時鐘方向。顯像轉子1 6 1 a的内部爲4分割 別設有黃色（Y)，青綠色（C)，洋紅色（M)，黑色（K)之 的像形成單元。顯像滾筒1 6 2 a〜1 6 2 d及色劑供給 163a〜163是分別設置於上述4色的各像形成單元。 ’藉由規制刮刀1 6 4 a〜1 6 4 d來規制色劑成所定的厚度 感光體圓筒165是藉由帶電器168來帶電，利用 省略的驅動馬達，例如步進馬達來驅動於與顯像滾筒 呈相反的方向。中間轉印帶1 69是架設於從動滾筒 於用 來定 紙滾 % EL 更能 施形 中， 成的 165 用紙 曝光 心來 ，分 4色 滾筒 並且 〇 圖示 16 2a 170b -20- (18) 1287779 與驅動滾筒170a間，驅動滾筒170a會被連結於上述感光 體圓筒1 65的驅動馬達，對中間轉印帶傳達動力。中間轉 印帶169的驅動滾筒170a是藉由該驅動馬達的驅動來旋 '轉於與感光體圓筒1 65呈相反的方向。 在用紙搬送路174設有複數個搬送滾筒及排紙滾筒對 176等，搬送用紙。附著於中間轉印帶169的一面畫像（色 劑像）會在二次轉印滾筒1 7 1的位置轉印於用紙的一面。 • 二次轉印滾筒1 7 1是藉由離合器來離抵接於中間轉印帶 1 69，在離合器開啓下抵接於中間轉印帶1 69，而使畫像轉 印於用紙。 如此被轉印畫像的用紙，其次會使用具有定著加熱器 的定著器來進行定著處理。在定著器中設有加熱滚筒1 7 2 ，加壓滾筒1 7 3。定著處理後的用紙會被引入排紙滾筒對 1 76而行進於箭號F方向。若排紙滾筒對1 76由此狀態旋 轉於相反方向，則用紙會反轉方向，使兩面印刷用搬送路 φ 1 7 5行進於箭號G方向。用紙是藉由拾取滾筒丨7 9來從給 紙托盤1 7 8 —片一片地取出。 在用紙搬送路中，驅動搬送滾筒的驅動馬達是例如使 用低速的無刷馬達。又，由於中間轉印帶1 69必須色偏差 補正等，因此會使用步進馬達。該等的各馬達是根據來自 圖不省略的控制手段的信號進行控制。 在圖的狀態下’黃色（Y)的静電潛像會被形成於感光 體圓筒165，藉由在顯像滾筒128a施加高電壓，而於感光 體圓筒1 6 5形成黃色的畫像。若黃色的背側及表側的畫像 -21 - (19) 1287779 全體被附著於中間轉印帶1 69，則顯像轉子1 6 1 a會90度 旋轉。 中間轉印帶1 69會1旋轉而回到感光體圓筒1 65的位 置。其次’青綠色（C)的2面畫像會被形成於感光體圓筒 1 65 ’該畫像會重疊於附著於中間轉印帶丨69的黃色畫像 而附著。以下，同樣地重複進行顯像轉子1 6卜04 90度旋 轉’及畫像附著至中間轉印帶1 69後的1旋轉處理。 • 對於4色的彩色畫像附著而言，中間轉印帶丨69是在 4旋轉後更控制旋轉位置，而於二次轉印滾筒1 7 1的位置 ’將畫像轉印於用紙。以搬送路1 74來搬送由給紙托盤 1 7 8所給予的用紙，在二次轉印滾筒1 7〗的位置，將上述 彩色畫像轉印於用紙的一面。在一面，被轉印有畫像的用紙 是如上述以排紙滾筒對1 7 6來反轉，在搬送路徑待機。然 後’用紙是以適當的時序來搬送於二次轉印滾筒1 7 1的位 置，而於另一面轉印上述彩色畫像。在外殼1 80中設有排 _ 氣風扇1 8 1。 又’亦可將上述發光裝置適用於畫像讀取裝置。此畫 像讀取裝置的特徵係具備：對對象物照射光線的發光部， 及讀取由上述對象物反射的光線而輸出畫像信號的讀取部 ’且將上述發光裝置利用於上述發光部。在此，發光部爲 移動，讀取部爲固定，或者發光部及讀取部爲形成一體而 移動者。後者的情況，可使用TFT來構成讀取部，將讀取 部及發光部形成於1片的基板上。如此的畫像讀取裝置爲 掃描器或條碼讀取器。 -22- (20) 1287779 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的發光裝置的構成方塊圖。 ^ 圖2是表示同裝置的畫素電路的電路圖。 . 圖3是表示同電路的時序圖。 •圖4是表示使用於同電路的閂鎖電路70的等效電路 ® 5是表示反相器的電路圖。 • 圖6是用以說明上升時間的節點Q的波形圖。 _ 7是表示邏輯用電源線Lai及Lbl，以及驅動用電 源'線La2及Lb2的具體構成的説明圖。 _ 8是表示變形例1的邏輯用電源線Lai及Lbl，以 及驅動用電源線La2及Lb2的具體構成的説明圖。， _ 9是表示變形例2的畫素電路的電路圖。 _ 1〇是表示畫像形成裝置的一例的縱斷側面圖。 _ 11是表示畫像形成裝置的其他例的縱斷側面圖。 【主要元件符號說明】 iO…發光裝置（光學頭部），P1〜P89…畫素電路，B1〜 B4〇…畫素區塊，Lsl〜Ls41…信號線，CTL…控制電路， 7〇…閂鎖電路，80…緩衝電路，90…供給電路，93…驅動 電晶體，100…OLED元件，D1〜D89···資料信號，Lai， Lbl…邏輯用電源線，La2，Lb2…驅動用電源線，Lall， Lb 1 1…第1邏輯用電源線，Lai 2，Lb 12…第2邏輯用電源 線，100...0LED 元件（發光元件），1 10Y，1 10M，1 10C， -23- (21)1287779 1 10K...感光體
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Claims (1)

1^87779 /0 (1)十、申請專利範圍 「m
第94 1 3 3 8 1 6號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年1月25曰修正 1 · 一種畫素電路，其特徵係具備： * 發光元件，其係發出對應於驅動電流的大小之大小的 #光； 驅動電晶體，其係對上述發光元件供給上述驅動電流 記憶電路，其係於寫入期間寫入指示上述發光元件的 發光亮度之資料信號而予以記億；及. 緩衝電路，其係將上述記憶手段的輸出信號供給至上 述驅動電晶體的閘極。 2 ·如申請專利範圍第1項之畫素電路，其中構成上 • 述緩衝電路的電晶體之中使用於輸出段的輸出電晶體的大 小比上述驅動電晶體的大小更小。 3 .如申請專利範圍第2項之畫素電路，其中上述輸 出電晶體的大小係設定成上述緩衝電路的輸出信號的上升 時間比從某寫入期間到其次的寫入期間爲止的時間更短。 4 .如申請專利範圍第1或2項之畫素電路，其中上 述緩衝電路係以反相器構成。 5. —種發光裝置，其特徵爲具備複數個申請專利範 圍第1〜4項的任一項所記載之畫素電路’ 1^87779 〆 (2) 且，具備·· 複數條資料線，其係對上述複數個畫素電^ @ i @ 資料信號；及 • 驅動電路，其係將指示上述寫入期間的信號供給至上 \ 述記憶電路。 6 ·如申請專利範圍第5項之發光裝置’其中具備主 _ 電源線，其係於連接點分歧成第1電源配線及第2電源配 # 線，供給電源信號， 上述第1電源配線係連接至上述各個記憶電路’ 上述第2電源配線係連接至上述各個緩衝電路。 7 ·如申請專利範圍第6項之發光裝置，其中上述第1 電源配線的寬度比上述第2電源配線的寬度更廣。 8 .如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中上述緩 衝電路係與上述驅動電晶體所連接的電源線同樣的電源線 連接。 ® 9 · —種畫像形成裝置，其特徵係具備： 感光體，其係藉由光線的照射來形成畫像；及 光學頭部，其係對上述感光體照射光線來形成上述畫 像， 且，將申請專利範圍第5〜8項的任一項所記載的發 光裝置使用於上述光學頭部。 -2-
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