JPH11274569A - Ｌｅｄ装置、及びこれを用いた光源、画像形成装置、画像読み取り装置 - Google Patents

Ｌｅｄ装置、及びこれを用いた光源、画像形成装置、画像読み取り装置

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JPH11274569A
JPH11274569A JP7475998A JP7475998A JPH11274569A JP H11274569 A JPH11274569 A JP H11274569A JP 7475998 A JP7475998 A JP 7475998A JP 7475998 A JP7475998 A JP 7475998A JP H11274569 A JPH11274569 A JP H11274569A
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Tatsuto Kawai
達人 川合
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光強度が高く、且つクロストークの少ない
有機ＬＥＤ装置を提供する。 【解決手段】 共通配線ＢＬＫ1を介してデータ信号を
伝送し、アドレストランジスタ１１を介して蓄積コンデ
ンサ１２に該データ信号に応じた電荷を蓄積し、該蓄積
した電荷によって駆動トランジスタ１３をオンすると同
時に、該駆動トランジスタ１３を介してデータ信号に応
じた電流をＬＥＤ素子１４に流して発光させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、プリンタ
等の電子機器に利用される発光素子アレイに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、微小な発光部からなる画素を多
数、一次元状に配列し、各画素の発光を個別に制御可能
な発光素子アレイは、複写機、プリンタ等の画像形成装
置の内部の書き込みヘッド等として用いられている。図
１０に、従来の電子写真方式を用いた画像形成装置の一
例の概略構成図を示す。
【０００３】図１０中、９１は像担持体としての回転ド
ラム型の電子写真感光体、９２は帯電装置、９３は現像
装置、９４は転写装置、９５は定着装置、９６はクリー
ニング装置である。本図の画像形成装置の作用機序は以
下の通りである。
【０００４】感光体９１上を帯電装置９２により一様に
帯電させる。この感光体９２の帯面に対して所望の画像
情報の時系列電気デジタル画像信号に対応した露光Ｌが
なされ、感光体９１の周面に対して所望の画像情報に対
応した静電潜像が形成される。当該静電潜像は、現像ト
ナーを用いた現像装置９３によりトナー像として現像さ
れる。一方、不図示の給紙部から記録材として転写材Ｐ
が供給され、感光体９１と、これに所定の押圧力で当接
された接触転写手段との圧接ニップ部（転写部）Ｔに所
定のタイミングにて導入され、所定の転写バイアス電圧
が印加されてトナー像が転写材Ｐに転写される。トナー
像の転写を受けた転写材Ｐは感光体９１の面から分離さ
れて熱定着方式等の定着装置９５へ導入されてトナー像
の定着を受け、画像形成物（プリント）として装置外へ
排出される。転写材Ｐに対するトナー像転写後の感光体
９１面はクリーニング装置９６により残留トナー等の付
着汚染物の除去を受けて清掃され、繰り返して作業に供
される。
【０００５】ここで、感光体９１上に潜像を書き込むた
めの露光方式としては、レーザビーム方式、ＬＥＤ（発
光ダイオード）アレイ方式などが中心となっている。
【０００６】レーザビーム方式は、半導体またはガスレ
ーザなどのレーザ装置から発したレーザビームを、その
強度を制御しながらポリゴンミラーやレンズ等を介して
感光体９１上を走査せしめることによって潜像を形成す
るものであるが、ポリゴンミラーやレンズ等の光学部品
が障害となり、装置の小型化や低価格化が難しいという
問題がある。
【０００７】ＬＥＤアレイ方式は、基板上に多数配列さ
れたＬＥＤチップの発光部の発光強度をデータ信号によ
り制御し、ロッドレンズアレイにより感光体上に投影す
ることにより画像を形成するものであり、レーザビーム
方式より小型化や低価格化に適しているため、多く用い
られるようになってきた。図１１にこのようなＬＥＤア
レイ方式のプリンタヘッドの構成を示す。
【０００８】図１１において、ＬＥＤアレイ方式のプリ
ンタヘッドは、基板１１１上に複数のＬＥＤアレイチッ
プ１１２を一列に配し、これらの各ＬＥＤアレイは、複
数の駆動用ドライバＩＣ１１３よりなる回路とボンディ
ングワイヤ１１４などで接続され、一次元状に配列した
ＬＥＤプリンタヘッドを構成する。そこで所定の駆動信
号に応じてＬＥＤプリンタヘッドのＬＥＤアレイは発光
し、発光した光はロッドレンズアレイ１１５を経て、感
光体の表面を照射し、潜像を形成する。
【０００９】このようなＬＥＤアレイ方式は、基板が高
価であり、且つ一枚の基板でアレイを作ることができな
いため、切り出したチップを並べる必要がある。この時
に、チップ間の段差、間隔が厳しく管理されないと画像
の品質を落としてしまう。このことがコストアップの要
因となるという問題がある。
【００１０】一方、近年、大面積の基板上に薄膜で形成
することができ、且つ直流駆動可能な有機薄膜発光素子
（以下、「有機ＬＥＤ素子」と記す）が開発されて来て
おり、該有機ＬＥＤ素子からなる発光部を一次元状に配
列した有機ＬＥＤ装置をプリンタヘッドとして用いるこ
とが提案されている。
【００１１】図１２は、このような有機ＬＥＤ装置の一
例を模式的に示す平面図である。この例では、９画素に
より構成された装置を示す。
【００１２】図１２中、１２０は透光性基板、１２１〜
１２９は画素１〜９の発光部を構成する有機ＬＥＤ素子
である。ＢＬＫ1 〜ＢＬＫ3 は各画素の有機ＬＥＤ素子
の陽極に接続された共通配線、ＭＴＸ1 〜ＭＴＸ3 は各
画素の有機ＬＥＤ素子の陰極に接続されたマトリクス配
線である。また、１５はマトリクス配線ＭＴＸ1 〜ＭＴ
Ｘ3 にデータ信号を供給するデータ信号回路（ＤＡＴ
Ａ）、１６は共通配線ＢＬＫ1 〜ＢＬＫ3 に選択信号を
供給する選択信号回路（ＳＥＬ）である。
【００１３】図１３は、図１２中のＡ−Ａ’断面を示す
模式図である。図中、１３１は有機ＬＥＤ素子１２１の
陰極であり、その引き出し線にＭＴＸ1 が接続されてい
る。陰極１３１は、Ｌｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｇ、Ａ
ｌ−Ｌｉ、Ｉｎ等の薄膜からなる。また、１３２は有機
ＬＥＤ素子１２１の有機発光層であり、例えばアルミキ
ノリノール錯体等の有機電子輸送材料よりなる電子輸送
層と、トリフェニルアミン等の有機正孔輸送材料よりな
る正孔輸送層とを積層して形成されている。ＢＬＫ1 は
有機ＬＥＤ素子の陽極であると共に共通配線でもあり、
インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等で形成されてい
る。
【００１４】図１４は、上記のような有機ＬＥＤ装置の
全体の等価回路を示す図である。画素１〜３の有機ＬＥ
Ｄ素子１２１〜１２３の陽極側は共に共通配線ＢＬＫ1
に接続されている。同様にして、有機ＬＥＤ素子１２４
〜１２６はＢＬＫ2 に、１２７〜１２９はＢＬＫ3 にそ
れぞれ接続されている。
【００１５】一方、有機ＬＥＤ素子１２１〜１２３の陰
極はそれぞれ異なるマトリクス配線ＭＴＸ1 〜ＭＴＸ3
に接続されている。同様に、１２４〜１２６、１２７〜
１２９の陰極はそれぞれ異なるマトリクス配線に接続さ
れ、その結果、有機ＬＥＤ素子１２１、１２４、１２７
の陰極が共通にＭＴＸ1 に、１２２、１２５、１２８の
陰極がＭＴＸ2 に、１２３、１２６、１２９の陰極がＭ
ＴＸ3 にそれぞれ共通に接続されている。
【００１６】共通配線ＢＬＫ1 〜ＢＬＫ3 は引き出され
て、例えばシフトレジスタのような選択信号回路１６に
接続されている。また、マトリクス配線ＭＴＸ1 〜ＭＴ
Ｘ3はそれぞれに動作する信号源を有するデータ信号回
路１５に接続されている。
【００１７】図１５は上記のような有機ＬＥＤ装置の駆
動タイミングの一例を示す図である。図中、ｓｅｌ1 〜
ｓｅｌ3 は共通配線ＢＬＫ1 〜ＢＬＫ3 に印加される選
択信号、ｄａｔａ1 〜ｄａｔａ3 はマトリクス配線ＭＴ
Ｘ1 〜ＭＴＸ3 に印加されるデータ信号、Ｌ121 〜Ｌ
129 は有機ＬＥＤ素子１２１〜１２９の輝度である。
【００１８】時刻ｔ1 で、共通配線ＢＬＫ1 に印加され
る選択信号ｓｅｌ1 がオンである高電位状態となる。ｓ
ｅｌ2 、ｓｅｌ3 はオフである低電位状態のままであ
る。一方で、マトリクス配線ＭＴＸ1 〜ＭＴＸ3 に印加
されるデータ信号ｄａｔａ1 〜ｄａｔａ3 は低電位状態
となる。従って、共通配線ＢＬＫ1 に接続されている有
機ＬＥＤ素子１２１〜１２３には順電圧がかかり、発光
し始める。
【００１９】期間τ1 経過後、時刻ｔ1'で、選択信号ｓ
ｅｌ1 がオフである低電位状態となり、ｄａｔａ1 〜ｄ
ａｔａ3 も高電位状態となる。よって、有機ＬＥＤ１２
１〜１２３には順電圧がかからなくなり、発光は終了す
る。
【００２０】次に、時刻ｔ2 で共通配線ＢＬＫ2 に印加
される選択信号ｓｅｌ2 のみがオンである高電位状態と
なり、ｄａｔａ1 〜ｄａｔａ3 も低電位状態となって、
有機ＬＥＤ素子１２４〜１２６に順電位がかかり、発光
が始まる。期間τ2 経過後、時刻ｔ2'でｓｅｌ2 は低電
位状態、ｄａｔａ1 〜ｄａｔａ3 が高電位状態となり、
有機ＬＥＤ素子１２４〜１２６の発光は終了する。
【００２１】同様にして、時刻ｔ3 〜ｔ3'の期間τ3 で
は、有機ＬＥＤ素子１２７〜１２９のみが発光する。こ
のようにして、各ブロックに属する画素が、少しずつタ
イミングをずらしながら、発光してゆく。
【００２２】このような有機ＬＥＤ装置は、ガラス等の
透光性基板上に、蒸着やスパッタ等の真空プロセスを用
いて、電極となる金属やＩＴＯ、或いは有機発光層とな
る有機電子輸送材料や有機正孔輸送材料等を成膜し、フ
ォトリソグラフィ等の技法を用いてパターニングするこ
とによって得られる。十分大きな基板を用いれば、有機
ＬＥＤ装置全体を一枚の基板で作ることが可能であり、
ＬＥＤアレイのように切り出したチップを並べる必要は
ない。従って、この有機ＬＥＤ装置をプリンタヘッドと
して用いれば、レーザビーム方式のようなポリゴンミラ
ー等は不要で、ＬＥＤアレイ方式のようなチップ間段差
の問題もない、小型で高精細且つ低価格な画像形成装置
を得ることができる。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た有機ＬＥＤ装置には、ＬＥＤアレイに比べて十分な発
光強度が得られないという問題を有していた。
【００２４】その理由としては、第一に、有機ＬＥＤ素
子そのものの問題であり、ＬＥＤアレイに用いられるＧ
ａＡｓやＡｌＩｎＧａＰ等の無機材料で作られたＬＥＤ
に比べ、有機ＬＥＤ素子はその発光効率が低い、直流順
電圧が高く発熱が大きい、自己発熱での劣化が顕著で十
分な電流を流すことができない、などの問題を有してい
たからである。
【００２５】この点に関しては近年、研究が進み、新た
な有機電子輸送材料、有機正孔輸送材料、有機発光材料
等の開発や、有機ＬＥＤ素子の膜構成の改良等により、
急速に改善されてきている。
【００２６】さらに、第二の理由として、有機ＬＥＤ装
置の回路構成や駆動法に起因するものがある。
【００２７】前記した図１２のような構成においては、
各有機ＬＥＤ素子はその電極に接続された共通配線に印
加される選択信号がオンとなっている間のみ発光し、選
択信号がオフの間は発光しない。このため、有機ＬＥＤ
装置を構成する画素の数が多くなり、ブロックの数が増
えた場合、それぞれの画素の発光デユーティが減少する
ために、一定時間内の時間平均で見ると、発光強度が小
さくなるという問題があった。
【００２８】さらに、クロストークを防ぐためには、選
択信号がオフである共通配線に接続されている画素は発
光してはならない。これを確実に行うため、選択信号が
オフである共通配線に接続されている有機ＬＥＤ素子に
は逆電圧がかかるようになっている。しかし、有機ＬＥ
Ｄ素子にあまり大きな逆電圧をかけることはその劣化に
つながるため望ましくなく、その結果、十分な逆電圧を
かけることができないために、クロストークを完全に防
ぐことができない。また、選択信号がオンである共通配
線に接続されている複数の有機ＬＥＤ素子にマトリクス
配線を介してデータ信号が与えられるため、マトリクス
配線の交差部での容量結合によるクロストークが生じ易
い。
【００２９】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、画素の発光デューティが高く、一定時間内の時
間平均で見た発光強度が大きく、且つクロストークの少
ない有機ＬＥＤ装置を提供するものである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点に
鑑みなされたもので、基板上に、発光層を陽極及び陰極
により挟持したＬＥＤ素子と、電荷を蓄積するコンデン
サと、トランジスタと、を有し、データ信号に対応して
該トランジスタを介して上記蓄積コンデンサに電荷を蓄
積し、該蓄積された電荷によって上記ＬＥＤ素子を発光
させるＬＥＤ装置を１画素として、ｎ×ｍ個（ｎ、ｍは
いずれも２以上）の画素を一次元状に配列し、該複数の
画素を相互に隣接するｎ個の画素を１ブロックとしてｍ
個のブロックに分割し、各ブロックの画素をｍ本の共通
配線によりブロック毎に共通に配線し、各ブロックより
１画素ずつ選択してｎ本のマトリクス配線により異なる
ブロック間で共通に配線してなることを特徴とするＬＥ
Ｄ装置を提供するものである。
【００３１】本発明においては、蓄積コンデンサに一旦
電荷を蓄積し、該蓄積電荷によってＬＥＤ素子を発光さ
せる。該蓄積コンデンサへの電荷の蓄積はトランジスタ
によって制御されるため、複数の画素を配設した装置の
任意の画素において、他の画素の蓄積コンデンサへ電荷
を蓄積している期間にも、当該画素の蓄積コンデンサに
蓄積された電荷によってＬＥＤ素子を発光させることが
でき、任意の画素において十分な期間ＬＥＤ素子の発光
を行うことができる。
【００３２】本発明においては、好ましくは、画素毎
に、蓄積コンデンサに蓄積された電荷量によってソース
・ドレイン電極間に流れる電流が制御される第二のトラ
ンジスタを介してＬＥＤ素子に流れる電流を制御するこ
とによって、必要な電荷量が少なくて済むため、第一の
トランジスタの大きさや蓄積コンデンサの大きさが小さ
くて済み、その分ＬＥＤ素子の面積を大きくでき、より
大きな発光を得ることができる。尚、以下の説明におい
ては、本発明に必須の蓄積コンデンサへの電荷の蓄積を
制御するトランジスタと当該第二のトランジスタを区別
するため、上記必須のトランジスタを第一のトランジス
タと言う。
【００３３】上記本発明のＬＥＤ装置においては、特
に、上記共通配線を第一のトランジスタのソース或いは
ドレイン電極に接続し、上記マトリクス配線を該トラン
ジスタのゲート電極に接続し、共通配線よりデータ信号
を、マトリクス配線より選択信号を入力することによ
り、データ信号が互いに交差することのない共通配線か
ら各画素に入力されるため、前記した当該交差部での容
量結合によるクロストークの発生も防止される。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各構成について詳
細に説明する。
【００３５】［実施形態１］図１に、本発明第１の実施
形態のＬＥＤ装置の１画素の等価回路を示す。図中、１
は第一のトランジスタであるアドレストランジスタ、２
は蓄積コンデンサ、３は第二のトランジスタである駆動
トランジスタ、４は発光部たるＬＥＤ素子である。尚、
以下の説明においては、便宜上、各トランジスタのソー
ス・ドレイン電極は信号入力側をソース電極とする。
【００３６】アドレストランジスタ１のゲート電極にオ
ンの選択信号が印加されると、該アドレストランジスタ
１は導通状態となり、そのソース電極に印加されたデー
タ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサ２に蓄積される。
この信号電荷量に応じて、駆動トランジスタ３に電流が
流れ、ＬＥＤ素子４が信号に応じた輝度で発光する。
【００３７】アドレストランジスタ１のゲート電極に印
加された選択信号がオフになると、アドレストランジス
タ１は非導通状態となるが、蓄積コンデンサ２に蓄積さ
れた信号電荷はそのまま保持されるので、駆動トランジ
スタ３を流れる電流はそのまま流れ続け、従ってＬＥＤ
素子４もそのまま発光を持続する。
【００３８】その後、再びアドレストランジスタ１のゲ
ート電極にオンの選択信号が印加されることがあると、
再びアドレストランジスタ１が導通状態となり、その時
点でアドレストランジスタ１のソース電極に印加されて
いるデータ信号に応じた電荷が蓄積コンデンサ２に蓄積
される。この新たな信号電荷に応じて、駆動トランジス
タ３に流れる電流が変化し、ＬＥＤ素子４が新たな信号
に応じた輝度で発光する。
【００３９】図２は本発明第１の実施形態のＬＥＤ装置
の全体の等価回路を示す図であり、図１の等価回路を１
画素として複数の画素を一次元状に配置したものであ
る。
【００４０】本実施形態は、画素１〜６の６画素からな
るＬＥＤ装置である。図中、１１、２１、３１、４１、
５１、６１は各画素のアドレストランジスタ、１２、２
２、３２、４２、５２、６２は蓄積コンデンサ、１３、
２３、３３、４３、５３、６３は駆動トランジスタ、１
４、２４、３４、４４、５４、６４はＬＥＤ素子であ
る。
【００４１】本実施形態において、画素１〜３のそれぞ
れのアドレストランジスタ１１、２１、３１のゲート電
極は共に共通配線ＢＬＫ1 に接続されている。また、画
素４〜６のそれぞれのアドレストランジスタ４１、５
１、６１のゲート電極は共に共通配線ＢＬＫ2 に接続さ
れている。
【００４２】一方、画素１〜３のアドレストランジスタ
１１、２１、３１のソース電極は、それぞれ異なるマト
リクス配線、ＭＴＸ1 〜ＭＴＸ3 に接続されている。ま
た、画素４〜６のアドレストランジスタ４１、５１、６
１のソース電極もそれぞれ異なるマトリクス配線ＭＴＸ
1 〜ＭＴＸ3 に接続されている。ＢＬＫ1 、ＢＬＫ2は
それぞれ引き出されて、例えばシフトレジスタのような
選択信号回路１６に接続されている。
【００４３】また、マトリクス配線ＭＴＸ1 〜ＭＴＸ3
はそれぞれに動作する信号源を有するデータ信号回路１
５に接続されている。各信号源は、電圧信号を発生する
電圧源として作用しても良いし、電流信号を発生する電
流源として作用しても良い。図３は上記第一の実施形態
のＬＥＤ装置の駆動タイミングを示す図である。図中、
ｓｅｌ1 、ｓｅｌ2 はＢＬＫ1 、ＢＬＫ2 に印加される
選択信号、ｄａｔａ1 〜ｄａｔａ3 はＭＴＸ1 〜ＭＴＸ
3 に印加されるデータ信号、Ｌ14〜Ｌ64は画素１〜６の
各ＬＥＤ素子１４、２４、３４、４４、５４、６４の発
光輝度を表わしている。
【００４４】時刻ｔ1 で共通配線ＢＬＫ1 に印加される
選択信号ｓｅｌ1 がオンである高電位状態、ＢＬＫ2 に
印加されるｓｅｌ2 がオフである低電位状態となる。す
ると、ＢＬＫ1 に接続された画素１〜３のアドレストラ
ンジスタ１１、２１、３１はいずれも導通状態となり、
蓄積コンデンサ１２、２２、３２にその時点でマトリク
ス配線ＭＴＸ1 〜ＭＴＸ3 に印加されているデータ信号
ｄａｔａ1 〜ｄａｔａ3 の電位に応じた信号電荷が蓄積
される。そして画素１〜３の駆動トランジスタ１３、２
３、３３が上記蓄積された信号電荷量に応じた導通状態
となり、該信号電荷量に応じた電流が各トランジスタの
ソース・ドレイン電極間に流れ、信号電荷量に応じた輝
度でＬＥＤ素子１４、２４、３４が発光し始める。
【００４５】時刻ｔ2 になると、ＢＬＫ1 に印加される
ｓｅｌ1 はオフである低電位状態、ＢＬＫ2 に印加され
るｓｅｌ2 がオンである高電位状態となる。その結果、
アドレストランジスタ１１、２１、３１は非導通状態と
なるが、ＬＥＤ素子１４、２４、３４は蓄積コンデンサ
１２、２２、３２に蓄積された電荷によって発光をその
まま持続する。一方、ｓｅｌ2 のオン信号によって、画
素４〜６のアドレストランジスタ４１、５１、６１が導
通状態となり、上記画素１〜３と同様にしてＬＥＤ素子
４４、５４、６４が発光し始める。アドレストランジス
タ４１、５１、６１は時刻ｔ3 には非導通状態となる
が、ＬＥＤ素子４４、５４、６４は蓄積コンデンサ４
３、５３、６３に蓄積された電荷によってｔ3 以降も発
光を持続する。また、ｔ3 には、ｓｅｌ1 が再びオンと
なり、画素１〜３の画素が新たなデータ信号によって書
き換えられる。
【００４６】以上のようにして、画素１〜３と画素４〜
６が少しずつタイミングをずらして書き換えを行いなが
ら、データ信号に応じた輝度で発光してゆく。
【００４７】本発明においては、アドレストランジスタ
を介して蓄積コンデンサに蓄積した電荷によってＬＥＤ
素子を発光させるため、アドレストランジスタが非選択
の期間（例えば画素１〜３ではτ2 ）においてもＬＥＤ
素子の発光を持続させることができ、発光輝度の低い有
機ＬＥＤ素子でも、一走査時間のトータルな光エネルギ
ーとしては画像を形成するために十分な光量が得られ
る。また、そのため、有機ＬＥＤ素子の劣化が少なく、
エネルギーの利用効率も高いという利点もある。
【００４８】図４は図２の構成のＬＥＤ装置を駆動する
ための異なる駆動タイミングを示す図であり、図３にお
いてＬＥＤ素子の発光輝度の制御をデータ信号ｄａｔａ
1 〜ｄａｔａ3 の電位を変えることによって行う代わり
に、データ信号のパルス幅を変えることによって行うも
のである。
【００４９】図５は、上記した図２の構成のＬＥＤ装置
を模式的に示す平面図である。
【００５０】また、図６は上記ＬＥＤ装置の製法の一例
を、図５に示したＡ−Ａ’断面に沿って示した工程図で
ある。以下に当該製法を説明する。尚、本発明のＬＥＤ
装置が当該製法に限定されるものではない。また、図６
の（ａ）〜（ｇ）は下記工程−ａ〜ｇに相当する断面模
式図である。
【００５１】工程−ａ 基板１０１として洗浄した平面性の良いガラス基板を用
い、該基板１０１上の発光部（ＬＥＤ）となるべき部分
にスパッタ法によりＩＴＯ層１０２を０．１５μｍ堆積
し、フォトリソグラフィ法によりパターン形成する。
【００５２】工程−ｂ 駆動トランジスタ１１、蓄積コンデンサ１２、アドレス
トランジスタ１３、マトリクス配線ＭＴＸ1 となるべき
部分に真空堆積法によりＡｌ／Ｃｒ層１０３を０．１μ
ｍ厚に堆積し、フォトリソグラフィ法によりそれぞれの
パターンを形成する。
【００５３】工程−ｃ 基板１０１上にプラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4 ガス
及びＮＨ3 ガスまたはＮ2 ガスを原料としてＲＦグロー
放電により、窒化シリコンからなる絶縁層１０４を０．
３μｍ厚に堆積する。続けてＳｉＨ4 ガスを原料として
同様に非晶質シリコンイントリンシック層である半導体
層１０５を０．１〜１．０μｍ厚に堆積する。続いて、
ＳｉＨ4 ガス、ＰＨ3 ガスを原料として同様にオーミッ
クコンタクト層であるｎ+ 層１０６を０．１μｍ堆積す
る。
【００５４】工程−ｄ フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、
ＣＦ4 ガスを用いてドライエッチングを行い、部分的に
ｎ+ 層１０６、半導体層１０５、絶縁層１０４を取り除
いてコンタクトホール１０７を形成する。この際、ｎ+
層１０６、半導体層１０５、絶縁層１０４の選択エッチ
ングは必要ない。
【００５５】工程−ｅ 真空堆積法によりＡｌ／Ｃｒ層１０８を１．０〜１．５
μｍ厚に堆積する。その後、フォトリソグラフィにより
レジストパターンを形成し、ウェットエッチングを行
い、部分的にＡｌ／Ｃｒ層１０８及びｎ+ 層１０６を取
り除いて上層電極配線を形成する。この際、マトリクス
に形成された下層電極配線と上層電極配線はコンタクト
ホールを通して電気的導通を得ている。また、アドレス
及び駆動トランジスタのチャネルが形成される。
【００５６】工程−ｆ 窒化シリコンによりパッシベーション膜１０９を形成す
る。
【００５７】工程−ｇ フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、
ＣＦ4 ガスを用いたドライエッチングを行い、パッシベ
ーション膜１０９を部分的に取り除いて発光部のＩＴＯ
層１０２面を露出させる。
【００５８】半導体層１０５を介して電気的に接続して
いた各素子を独立分離させ、必要な電極配線のみで電気
的接続を行う。
【００５９】このようにして得られた駆動回路基板を洗
浄し、真空堆積法により発光部のＩＴＯ層の上部に発光
層及び陰極層を堆積する。発光層として本発明に好まし
い有機発光層の形成方法を一例を挙げて説明する。
【００６０】先ず、真空堆積法により発光部のＩＴＯ層
の上部に有機正孔輸送材料を０．０５μｍ堆積して、有
機正孔輸送層を形成する。有機正孔輸送材料としては、
例えば下記（Ｉ）式で示される芳香族アミンを用いる。
【００６１】
【化１】
【００６２】次に、上記有機正孔輸送層の上部に有機電
子輸送材料を０．０５μｍ堆積して有機電子輸送層を形
成する。有機電子輸送材料としては、例えば下記式（Ｉ
Ｉ）で示される有機金属錯体を用いる。
【００６３】
【化２】
【００６４】次に、上記有機電子輸送層の上部に仕事関
数の低い金属を０．１５μｍ堆積して陰極層を形成す
る。金属材料としては、例えばＭｇとＡｇを用い、二元
同時蒸着法によりその合金を堆積する。
【００６５】有機正孔輸送層及び有機電子輸送層はフォ
トリソグラフィに用いられる溶剤等に侵され易く、これ
をパターニングするのは困難である。本例では、有機正
孔輸送層、有機電子輸送層、及び陰極層のパターニング
は適当な開口を有するマスクを介して真空堆積を行う、
いわゆるマスク蒸着方法とした。
【００６６】最後に、発光部、或いは発光部及びその周
辺を含む部分に、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機
物、或いは有機物によりパッシベーション膜を被覆す
る。
【００６７】本発明にかかる有機ＬＥＤ素子としては上
記構成に限らない。例えば陽極としてはＩＴＯの他に、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属、金属酸化物、導電性
高分子等を用いることができる。
【００６８】また、正孔輸送材料としては、上記した芳
香族第三アミン以外にも、他の芳香族アミン系化合物、
ヒドラゾン化合物、シラザン化合物や、ポリビニルカル
バゾールやポリシラザン等の高分子等、正孔輸送性を示
すものであれば用いることができる。また、不純物をド
ープしたシリコン、ダイヤモンド等の無機物も用いるこ
とができる。
【００６９】電子輸送材料としては、上記した有機金属
錯体以外にも、他の有機金属錯体、テトラフェニルブタ
ジエン等の芳香族化合物等、電子輸送性を示すものであ
れば用いることができる。また、これらの化合物の中
に、各種の蛍光材料をドープしたものであっても良い。
【００７０】或いは、正孔輸送層と電子輸送層との積層
という構造をとらず、ポリフェニレンビニレン等の高分
子層を一層のみ設けたり、それらの高分子の中に各種有
機分子を分子分散したり、高分子主鎖に各種機能性の側
鎖を加えたりした層を設けても良い。
【００７１】陰極としては、ＭｇとＡｇの合金以外に
も、ＡｌとＬｉの合金や、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃ
ａ等、仕事関数の低い金属が利用できる。
【００７２】またさらに、有機ＬＥＤ素子の膜構成も上
記に限らず、正孔輸送層と電子輸送層の積層の変わり
に、有機層一層としたり、正孔輸送層と電子輸送層との
間に発光層を配したり、陽極と正孔輸送層の間に正孔注
入層を設けたり、陰極と電子輸送層の間に電子注入層を
設けるなど、各種の膜構成が可能である。
【００７３】また、有機ＬＥＤ素子の製法も上記に限ら
ず、真空蒸着法の他に塗布法やラングミュアブロジェッ
ト法など、各種の成膜法が利用できる。
【００７４】基板上に薄膜トランジスタや蓄積コンデン
サを形成する方法についても、前記した製法の他に、非
晶質シリコンをそのまま用いず、基板加熱によるアニー
ルやレーザ照射によるアニールを用いて非晶質シリコン
を多結晶化し、該多結晶シリコンの薄膜トランジスタを
形成する工程をとれば、より高速な動作に対応できる駆
動回路を得ることができる。或いは、セレン化カドミウ
ム等の別の薄膜半導体を用いることも可能である。さら
に、ポリチエニレンビニレンのような導電性高分子を用
いて薄膜トランジスタを構成することも可能である。
【００７５】また、いわゆる電界効果型の薄膜トランジ
スタではなく、バイポーラトランジスタ等他の種類のト
ランジスタでも代替可能である。基板にシリコン単結晶
基板を用いた場合は、こういった他の種類のトランジス
タも容易に作製できる。
【００７６】また、ダイオードの構成についても、上記
に限定されず、例えば非晶質シリコン以外にも、多結晶
シリコンや、単結晶シリコンを用いたダイオードとして
も良い。また、金属と半導体の間のショットキー接合を
用いたＭＩＳ構造のダイオードではなく、ｐ型半導体と
ｎ型半導体とのＰＮ接合を用いたものであっても良い。
【００７７】［実施形態２］次に、本発明第２の実施形
態のＬＥＤ装置について説明する。本実施形態は、各画
素の等価回路や製法については先に説明した実施形態１
と同じであるが、全体の等価回路や駆動タイミングが異
なる形態である。
【００７８】図７にその等価回路を示す。図中の符号は
図２と同様であり、説明を省略する。また、図８に本実
施形態の装置の駆動タイミングを示す。
【００７９】本実施形態においては、画素１〜３のアド
レストランジスタ１１、２１、３１のソース電極を共通
配線ＢＬＫ1 に共通に接続し、該ＢＬＫ1 にデータ信号
ｄａｔａ1 が印加される。同様に、画素４〜６のアドレ
ストランジスタ４１、５１、６１のソース電極はＢＬＫ
2 に共通に接続され、データ信号ｄａｔａ2 が印加され
る。一方、アドレストランジスタ１１と４１のゲート電
極がマトリクス配線ＭＴＸ1 に共通に接続され、選択信
号ｓｅｌ1 が印加される。同様に、アドレストランジス
タ２１と５１のゲート電極はＭＴＸ2 に接続され、ｓｅ
ｌ2 が印加され、アドレストランジスタ３１と６１のゲ
ート電極はＭＴＸ3 よりｓｅｌ3 が印加される。従っ
て、図８に示したように、画素１と４がｔ1 で、画素２
と５がｔ2で、画素３と６がｔ3 で、それぞれ少しずつ
タイミングをずらしてデータ信号に応じた輝度に書き換
えられる。
【００８０】本実施形態では、共通配線ＢＬＫ1 、ＢＬ
Ｋ2 にデータ信号を印加しているため、データ信号のク
ロストークを低減することができる。
【００８１】一般に、本実施形態のように一次元状に配
列された複数の画素を有する装置において、配列された
画素をお互いに同じ共通配線を共有する複数のブロック
に分け、マトリクス配線と組み合わせて駆動する方式に
おいては、マトリクス配線に由来するデータ信号のクロ
ストークが問題となることが多い。これは、データ信号
をマトリクス配線を介して供給する際に、マトリクス配
線内の多数の交点において発生する容量結合のため、デ
ータ信号がお互いに干渉してしまうためである。
【００８２】二次元状に配列された複数の画素を有する
装置においては、全画素をマトリクス配線の各交点に配
置し、行方向の配線と列方向の配線とに選択信号やデー
タ信号を割り当ててその組み合わせで駆動する場合は、
この問題は生じにくい。何故なら、例えば行方向の配線
に選択信号を与え、列方向の配線にデータ信号を与える
駆動を行う場合、交点での容量結合によってデータ信号
同士がお互いに干渉することが少ないからである。これ
は列方向の配線に選択信号を与え、行方向の配線にデー
タ信号を与える駆動を行う場合でも同じである。
【００８３】即ち、二次元状に配列された複数の画素を
有するＬＥＤ装置においては、ブロックに相当するもの
が例えば各行だとすれば、各ブロックが、ブロック内の
画素の並びの方向とは垂直の列方向に配置されているた
めに、異なるブロック内の対応する画素を接続する配線
は単に列方向に平行に走る複数の配線で足りる。そのた
め、お互いに直接交差することなくレイアウトすること
ができるからである。
【００８４】これに対して、一次元状に配列された複数
の画素を有するＬＥＤ装置においては、各ブロックが、
ブロック内の画素の並びの方向と同じ方向に配置されて
いるために、異なるブロック内の対応する画素を接続し
てゆく配線が互いに直接交差することを避けられない。
【００８５】即ち、この問題は、一次元状に配列された
複数の画素を有するＬＥＤ装置において、配列された画
素を同じ共通配線を共有する複数のブロックに分け、マ
トリクス配線と組み合わせて駆動する方式に固有の問題
である。
【００８６】マトリクス配線内の多数の交点による寄生
容量は、配線自身が持つ抵抗と相俟って、そこに与えら
れる信号を変形させるという問題も発生させるが、本実
施形態によれば、マトリクス配線にではなく、共通配線
にデータ信号が印加される方式であるため、データ信号
の変形を低減できる効果も得られる。
【００８７】二次元状に配列された複数の画素を有する
ＬＥＤ装置において、行方向の配線と列方向の配線は互
いに多数の点で交差するため、データ信号をどちらに与
えようとも、多数の交点による寄生容量の発生は避けら
れないが、画素が一次元状に配列されている場合には、
本実施形態のように、共通配線を交点を有さないか著し
く少なくしか有さない平面的な配線で実現できるため、
寄生容量を低減し、よってデータ信号の変形を低減でき
る効果を得ることができる。
【００８８】即ち、この点も、一次元状に配列された複
数の画素を有するＬＥＤ装置において、配列された画素
を同じ共通配線を共有する複数のブロックに分け、マト
リクス配線と組み合わせて駆動する方式に固有の問題で
ある。
【００８９】本実施形態においても、マトリクス配線が
その内部に多数の交点を有していることは先の第一の実
施形態と同じである。但し、本実施形態においては、ク
ロストークや変形の影響が問題になり易いデータ信号を
共通配線を介して画素に印加し、マトリクス配線は選択
信号の印加に用いる。マトリクス配線を介して画素に印
加される選択信号は、その性質上、規則正しく順次オ
ン、オフを繰り返しており、また多くの場合、複数ある
マトリクス配線上で任意の時刻にオンとなるものは常に
一つである。このような理由で、選択信号ではクロスト
ークを生じても、そのパターンは固定的であり、且つ全
ての画素に同程度に生じるため補正が容易である。さら
には、選択信号のオン、オフの電位を、それが与えられ
る各画素のアドレストランジスタのゲート電極の特性の
飽和する電位に設定しておけば、特別な補正は不要であ
り、選択信号の多少の変形にも安定なものとなる。
【００９０】［実施形態３］本発明によれば、発光強度
が大きくクロストークの少ないＬＥＤ装置、特に有機Ｌ
ＥＤ装置が得られる。よって、当該ＬＥＤ装置を各種の
装置に用いて良好な特性を得ることができる。
【００９１】図９は、本発明の画像形成装置の一実施形
態の概略構成図である。図中、先に説明した図１０の装
置と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。図
中、９７はプリンタヘッド、９８は本発明のＬＥＤ装
置、９９はロッドレンズアレイである。
【００９２】本発明の画像形成装置の特徴は、感光体９
１に潜像を書き込むための露光装置として、本発明のＬ
ＥＤ装置９８とロッドレンズアレイ９９を組み合わせた
プリンタヘッド９７を用いたことにある。本発明のＬＥ
Ｄ装置は、有機ＬＥＤ装置とした場合にも従来の有機Ｌ
ＥＤ装置に比べて、発光強度が大きくクロストークが低
減されているため、より高速で高画質の印字が可能とな
り、露光方式として、レーザ方式やＬＥＤアレイ方式に
代えることができ、装置の小型化や低価格化が可能とな
っている。
【００９３】図１６は、本発明のＬＥＤ装置を用いた画
像読み取り装置の一例を示す模式図である。本装置は、
複数の発光色の異なる画素を配置した本発明のＬＥＤ装
置４１１を用い、各画素を信号に応じて切り替えて発光
させて原稿４１４面上を照明し、反射された光をロッド
レンズアレイ４１２によってセンサー４１３上に投影
し、原稿４１４面上の画像情報を得るものである。本装
置においては、本発明の有機ＬＥＤ装置を用いることに
より、低消費電力と高画質を得ることができる。
【００９４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
より発光強度が大きなＬＥＤ装置を提供することがで
き、従来、有機ＬＥＤ装置では発光強度が不十分であっ
た画像形成装置や画像読み取り装置などにも好適に用い
て装置の小型化、低価格化を図ることができる。また、
一次元状に複数の画素を配置したＬＥＤ装置において、
データ信号のクロストークや変形の低減を図ることがで
きるため、より高速で高画質な印字にも対応することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第１の実施形態のＬＥＤ装置の１画素の
等価回路図である。
【図２】本発明第１の実施形態のＬＥＤ装置の全体の等
価回路図である。
【図３】図２のＬＥＤ装置の駆動タイミングを示す図で
ある。
【図４】図２のＬＥＤ装置の別の駆動タイミングを示す
図である。
【図５】図２のＬＥＤ装置の平面模式図である。
【図６】図２のＬＥＤ装置の製造工程を示す断面模式図
である。
【図７】本発明第２の実施形態のＬＥＤ装置の等価回路
図である。
【図８】図７のＬＥＤ装置の駆動タイミングを示す図で
ある。
【図９】本発明の画像形成装置の一実施形態の概略構成
図である。
【図１０】従来の画像形成装置の一例の概略構成図であ
る。
【図１１】従来の画像形成装置に用いられていたＬＥＤ
アレイ方式のプリンタヘッドを示す図である。
【図１２】従来の有機ＬＥＤ装置の一例の平面模式図で
ある。
【図１３】図１２の有機ＬＥＤ装置の断面模式図であ
る。
【図１４】図１２の有機ＬＥＤ装置の等価回路図であ
る。
【図１５】図１２の有機ＬＥＤ装置の駆動タイミングを
示す図である。
【図１６】本発明の画像読み取り装置の一実施形態の概
略図である。
【符号の説明】
１、１１、２１、３１、４１、５１、６１ アドレスト
ランジスタ ２、１２、２２、３２、４２、５２、６２ 蓄積コンデ
ンサ ３、１３、２３、３３、４３、５３、６３ 駆動トラン
ジスタ ４、１４、２４、３４、４４、５４、６４ ＬＥＤ素子 １５ データ信号回路 １６ 選択信号回路 ９１ 電子写真感光体 ９２ 帯電装置 ９３ 現像装置 ９４ 転写装置 ９５ 定着装置 ９６ クリーニング装置 ９７ プリンタヘッド ９８ ＬＥＤ装置 ９９ ロッドレンズアレイ １０１ 基板 １０２ ＩＴＯ層 １０３ Ａｌ／Ｃｒ層 １０４ 絶縁層 １０５ 半導体層 １０６ ｎ+ 層 １０７ コンタクトホール １０８ Ａｌ／Ｃｒ層 １１１ 基板 １１２ ＬＥＤチップアレイ １１３ 駆動用ドライバＩＣ １１４ ボンディングワイヤ １１５ ロッドレンズアレイ １２０ 基板 １２１〜１２９ 有機ＬＥＤ素子 １３１ 陰極 １３２ 有機発光層 １３３ 絶縁層 ４１１ ＬＥＤ装置 ４１２ ロッドレンズアレイ ４１３ センサー ４１４ 原稿
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 15/04 １１１

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、発光層を陽極及び陰極により
    挟持したＬＥＤ素子と、電荷を蓄積するコンデンサと、
    トランジスタと、を有し、データ信号に対応して該トラ
    ンジスタを介して上記蓄積コンデンサに電荷を蓄積し、
    該蓄積された電荷によって上記ＬＥＤ素子を発光させる
    ＬＥＤ装置を１画素として、ｎ×ｍ個（ｎ、ｍはいずれ
    も２以上）の画素を一次元状に配列し、該複数の画素を
    相互に隣接するｎ個の画素を１ブロックとしてｍ個のブ
    ロックに分割し、各ブロックの画素をｍ本の共通配線に
    よりブロック毎に共通に配線し、各ブロックより１画素
    ずつ選択してｎ本のマトリクス配線により異なるブロッ
    ク間で共通に配線してなることを特徴とするＬＥＤ装
    置。
  2. 【請求項２】 上記共通配線を蓄積コンデンサへの電荷
    の蓄積を制御するトランジスタのソース或いはドレイン
    電極に接続し、上記マトリクス配線を該トランジスタの
    ゲート電極に接続し、共通配線よりデータ信号を、マト
    リクス配線より選択信号を入力する請求項１記載のＬＥ
    Ｄ装置。
  3. 【請求項３】 上記ＬＥＤ素子が有機発光層を有する有
    機ＬＥＤ素子である請求項１または２記載のＬＥＤ装
    置。
  4. 【請求項４】 上記トランジスタが薄膜トランジスタで
    ある請求項１〜３いずれかに記載のＬＥＤ装置。
  5. 【請求項５】 上記画素毎に、蓄積コンデンサに蓄積さ
    れた電荷量によってＬＥＤ素子に流れる電流を制御する
    第二のトランジスタを有する請求項１〜４いずれかに記
    載のＬＥＤ装置。
  6. 【請求項６】 上記第二のトランジスタが薄膜トランジ
    スタである請求項５記載のＬＥＤ装置。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６いずれかに記載のＬＥＤ装
    置を用いたことを特徴とする光源。
  8. 【請求項８】 感光体と、該感光体を一様に帯電させる
    帯電装置と、該感光体に静電潜像を形成する露光装置
    と、該感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像
    する現像装置と、該感光体上のトナー像を転写材に転写
    する転写装置と、該転写材に転写されたトナー像を該転
    写材に定着させる定着装置とを有する画像形成装置であ
    って、上記露光装置の書き込みヘッドとして請求項７記
    載の光源を用いたことを特徴とする画像形成装置。
  9. 【請求項９】 複数の発光色の異なる画素を配置したＬ
    ＥＤ装置と、該ＬＥＤ装置からの発光を原稿面に照射し
    て反射した光を集光するロットレンズアレイと、該ロッ
    ドレンズアレイを介して上記反射光を感知するセンサー
    とを備え、上記ＬＥＤ装置として請求項１〜６いずれか
    に記載のＬＥＤ装置を用いたことを特徴とする画像読み
    取り装置。
JP7475998A 1998-03-24 1998-03-24 Ｌｅｄ装置、及びこれを用いた光源、画像形成装置、画像読み取り装置 Withdrawn JPH11274569A (ja)

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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2374990A (en) * 2001-01-16 2002-10-30 Visteon Global Tech Inc LED drive circuit
KR20020093335A (ko) * 2001-06-08 2002-12-16 주식회사 엘리아테크 데이터 정렬기를 구비한 유기 전계발광 표시소자의 구동회로
JP2006095786A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp プリンタヘッド及びこれを備えた画像形成装置
JP2006110821A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Seiko Epson Corp プリンタヘッド、及びこれを備えた画像形成装置、並びにプリンタヘッド用駆動回路
JP2006123493A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Seiko Epson Corp ラインヘッド及び画像形成装置
JP2006150882A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置、画像形成装置および画像読み取り装置
JP2006231911A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Seiko Epson Corp 画素回路、発光装置および電子機器
US7286148B2 (en) 2004-02-10 2007-10-23 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus incorporating the same
US7361876B2 (en) 2004-09-30 2008-04-22 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus
JP2008126589A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Casio Comput Co Ltd 露光装置およびそれを備える画像形成装置
US7392453B2 (en) 2001-05-15 2008-06-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Embedding auxiliary data in an information signal
US7411598B2 (en) 2004-09-30 2008-08-12 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus
JP2008246703A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Casio Comput Co Ltd 露光装置及び画像形成装置
JP2009056772A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Casio Comput Co Ltd 露光装置及びその駆動制御方法並びに画像形成装置
US7541619B2 (en) 2004-09-29 2009-06-02 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, image forming apparatus, and image reader
US7573495B2 (en) 2004-09-29 2009-08-11 Seiko Epson Corporation Pixel circuit, light-emitting device, and image forming apparatus
JP2010120272A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Oki Data Corp 駆動回路、記録ヘッド、画像形成装置および表示装置
JP2011218772A (ja) * 2010-03-23 2011-11-04 Fuji Xerox Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法、プリントヘッドおよび画像形成装置
JP2014188760A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Canon Inc 露光装置及び画像形成装置
JP2015047780A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 キヤノン株式会社 露光光源及び画像形成装置
JP2016039336A (ja) * 2014-08-11 2016-03-22 キヤノン株式会社 発光装置及び画像形成装置
US10962898B1 (en) 2020-03-12 2021-03-30 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Image forming apparatus and control method

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2374990B (en) * 2001-01-16 2003-06-04 Visteon Global Tech Inc Temperature compensated parallel LED drive circuit
GB2374990A (en) * 2001-01-16 2002-10-30 Visteon Global Tech Inc LED drive circuit
US7392453B2 (en) 2001-05-15 2008-06-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Embedding auxiliary data in an information signal
KR20020093335A (ko) * 2001-06-08 2002-12-16 주식회사 엘리아테크 데이터 정렬기를 구비한 유기 전계발광 표시소자의 구동회로
US7286148B2 (en) 2004-02-10 2007-10-23 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus incorporating the same
US7573495B2 (en) 2004-09-29 2009-08-11 Seiko Epson Corporation Pixel circuit, light-emitting device, and image forming apparatus
JP2006095786A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp プリンタヘッド及びこれを備えた画像形成装置
US7541619B2 (en) 2004-09-29 2009-06-02 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, image forming apparatus, and image reader
KR100760345B1 (ko) 2004-09-30 2007-09-20 세이코 엡슨 가부시키가이샤 라인 헤드 및 화상 형성 장치
US7361876B2 (en) 2004-09-30 2008-04-22 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus
US7411598B2 (en) 2004-09-30 2008-08-12 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus
JP2006123493A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Seiko Epson Corp ラインヘッド及び画像形成装置
US7466327B2 (en) 2004-09-30 2008-12-16 Seiko Epson Corporation Line head and image forming apparatus
CN100462854C (zh) * 2004-09-30 2009-02-18 精工爱普生株式会社 线形曝光头及图像形成装置
JP2006110821A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Seiko Epson Corp プリンタヘッド、及びこれを備えた画像形成装置、並びにプリンタヘッド用駆動回路
JP2006150882A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置、画像形成装置および画像読み取り装置
JP2006231911A (ja) * 2005-01-27 2006-09-07 Seiko Epson Corp 画素回路、発光装置および電子機器
JP2008126589A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Casio Comput Co Ltd 露光装置およびそれを備える画像形成装置
JP4645580B2 (ja) * 2006-11-22 2011-03-09 カシオ計算機株式会社 露光装置およびそれを備える画像形成装置
JP2008246703A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Casio Comput Co Ltd 露光装置及び画像形成装置
JP4576588B2 (ja) * 2007-03-29 2010-11-10 カシオ計算機株式会社 露光装置及び画像形成装置
JP2009056772A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Casio Comput Co Ltd 露光装置及びその駆動制御方法並びに画像形成装置
JP2010120272A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Oki Data Corp 駆動回路、記録ヘッド、画像形成装置および表示装置
JP2011218772A (ja) * 2010-03-23 2011-11-04 Fuji Xerox Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法、プリントヘッドおよび画像形成装置
JP2014188760A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Canon Inc 露光装置及び画像形成装置
JP2015047780A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 キヤノン株式会社 露光光源及び画像形成装置
JP2016039336A (ja) * 2014-08-11 2016-03-22 キヤノン株式会社 発光装置及び画像形成装置
US10962898B1 (en) 2020-03-12 2021-03-30 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Image forming apparatus and control method
US11204564B2 (en) 2020-03-12 2021-12-21 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Image forming apparatus and control method

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