TWI285913B

TWI285913B - Semiconductor device having relief circuit for relieving defective portion

Info

Publication number: TWI285913B
Application number: TW092129995A
Authority: TW
Inventors: Kenichiro Ajimoto; Takehiko Hokujo
Original assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-12-06
Filing date: 2003-10-29
Publication date: 2007-08-21
Also published as: US6949969B2; US20040109281A1; CN1327522C; TW200410300A; US20060002205A1; JP3884374B2; CN1507050A; JP2004192662A

Description

1285913 Μ年彳月t h 案號 92129995

五、發明說明（1) 【相關申請案之參考說明】本申請案基於日本專利申請案第2002-355448赛 ^2〇〇2Μ2月6曰，主張優先權，：，申與此參考案結合。月案之内容係【發明所屬之技術領域】本發明是有關於一種用來修補缺陷部分之呈路（Relief Circuit)的半導體裝置，且特 ^ L補電藉由使用熔絲（Fuse)構件來進彳亍佟疋有關於一種【先前技術】冑件來進仃修補的+導體裝置。體之半導體裝置提供有修補電路，所以-丰導 -凌置中存有任何的缺陷時，此田+ V 代。、旧j M被修補電路取 ^ 1 ® w H # f知_種修補電路之配置示咅 " 此配置中，係包括有修補部分1 〇 2，以修補修ζ 體部分（Relief-Subject section)1〇1，以二二補主 L 補口Ρ 刀（Rellef p〇rtlon)1〇2 之熔絲構 E ement)103。當修補主體區段1〇1被 ^ :被：：於I絲構件103峨不％，且此貝汛係況明被取代之修補主體區段101。 —y匕、’、在習知技術中，只有一個熔絲構件1 0 3可以盥母一個修補部分1 〇 2對應。所以對於位於灰 ” Φ的妯p十，丁於位於修補主體區段1 0 1 中，缺來說，利用熔絲構件103所進行之修法，立只能被修補部分i 〇 2取代。於是 / 二 rFv^ln .. 4 疋你屋生在多個評估步驟 =::Steps) 一步驟中，-缺陷只能被修補 4刀1 U Z取代的問題

1285913 案號 92129995_C β

五、發明說明（2) 月匕耩甶一評估設備（測試器）來退灯’ 認。因此，依照一個評估造成一個評估步驟的原則，在使用修補部分1 0 2進行取代前，無論此修補部分丨〇 2是否已被使用’幾乎不可能藉由此評估設備直接確認。於是，一旦皮道触壯班 A 、·、 … . 此外，無論此缺陷是否已被修補部分1 〇 2取代，在習知技術中，幾乎不可能藉由一評估設備（測試器）來進行確因此，佑昭一個玄举仕；4 A _加4 /t ，丄IS日ll，力徒二缺陷在半導體裝置中被修補部分Γ〇2取X'由於在第一 =取代中被使用的溶絲構件1〇3無法被確認，其中此第一二取代係利用修補部分丨〇 2來進行。因此依照一個評估步原則，任何其他需要被修補部分丨〇2取代的缺陷，將 :易被達成。其所產生之問題如第示。【發明内容】本發明所提出之一種半導體裝置，包括： L 補主體電路（Relief q r. ·+、 ^ —預定之功能； Ueilef-Subject CirCmt)，其執行修補電路，並用伙路係執行此預定之功體電…此修補電夕數個熔絲構件，補電路取代修補主i電；”與修補電路對應，以利用修路。 ②絲構件所儲存之資訊係說明此修補主體=電為讓本發明之上 :員易懂，下文特舉_二：他目W、特徵、和優點能更明、、、田說明如下· 又仏具施例，並配合所附圖式，仏 r κ 卜· 、作詳 ★【貫施方式】實施例

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銮號 92129995 五、發明說明（3) 依照本發明之第一實施例的—種半導體裝置之說明如下。第3圖是依照本發明之一第一實施例的一種半導體裝置與評估設備之配置示意圖。、如第3圖所示，+導體裝置（晶片M包括一修補主體區段11、一修補部分1 2、一熔絲電路丨3、一判斷電路 (Decision CircUit)14 以及一測試電路（Test Circuit) 15。其中，修補主體區段n包括用以執行一預定功能之一電路。例如，多個記憶胞，或是字元線與行線α〇ι_η Line)皆可構成一動態隨機存取記憶體（DRAM)。如果補主體區段11中存有任何之缺陷，修補部分丨2是一個用/以取代此缺陷之電路部分。當位於修補主體區段u中之缺被修補部分12取代時，熔絲電路13所儲存的資訊：在用，且此資訊係說明位於修補主體Ϊ 代之缺陷。判斷電路14係判斷修補電路 1 2以及其所對應之熔絲電路13是否使用於取代中，補電路1 2是否可以祐梓用於跑a 士 ^ 、n遥”丄中。測試電路15輸出-個 =擇：唬’以選擇一個在判斷電路中，判斷件。在此配置中，由判斷電路14 =、，糸構評估設備(測試器)2中。于之輯、-果會輪出至第4圖是依照第一實施例，在半導體體區段^、修補部分12以及炼絲電路13之配置示/補主區段且圖此戶VV，提供修補部分12，“修補“主體土炼絲電^由多數個炼絲ί 絲電路 1285913 % _^號 9212QQQ5 修正五、發明說明（4) 13-M(M = 2、3、· · · 、M)所構數個溶絲構件一般具有此修補二：之多一個熔絲構件具有可儲存刀Z由U 1至13-M之每 (ENABLE Bit))。當位於修貝姑\之一位元熔絲（致能位元分12取代，储存於一位元炫體一區段11之缺陷被修補部取代中被使用，且儲存於H貧訊表示修補部分12已在位於修補主體區段〗丨之缺陷。）位疋熔絲之貧訊係說明接著，依照本發明之筮 — 進行之佟補古土认A 第一貫施例，在半導體裝置中所進订之，補方法的流程如第5圖與第6圖所示。罝中所然後，在製二 :二評估步驟(ι)、(2)與(3)的順序，評估首先，在評估步驟（1)中，估 it!"!^(1)t 5

i Vi補部分1 2取代，且如此會啟動儲存程序。在對二 =12之炼絲構件中所儲存的資訊表示修=應J 中，’以及此資訊係說明位於修補主體區Li 且已被取代之缺陷。 =後，在評估步驟（2)與（3)中，係再次評估修在=估Γ(3”，若缺陷仍存在於修補主：且士欲中，表不修補部分12在先前的取代中已被使用，修補t部分12已使用炼絲構件…1，所以此缺陷不能被 2取代。在本發明中’基於儲存於溶絲構件13” 第9頁 I2RSQn

五、發明說明（5) 、之資訊（致能位元），判斷電路1 4可以判斷出修補部分1 2是否已於取代中被使用，且判斷之結果將會輪出至測試器因此，利用本發明玎以確認β ’修補部分1 2在評估步驟 (1)中，已被使用於取代中。於疋’位於修補主體區段11 之缺陷可以藉由尚未使用之修補部分進行取代。第6圖所示，係表示在上述之評估步驟（1 )中，無缺陷存在於修補主體區段11中，且並無利用修補部分1 2進行取代之進行。在此實施例中，在後續之評估步驟（3)中，利用判斷電路1 4可以判斷出尚未使用 1 2。因此，本發明可以利用尚未使於修補主體區段11之缺陷進行取代如上所述，在本發明之第一實般具有一修補部分，因此可以利用修補主體區段之缺陷。於是，在評其修補比例（Relief Rati〇)可以獲、此外，由於多數個熔絲構件一 ^ ’因此不需要多個修補部分。於 (晶片）所需之面積的增加。 -個f : ’在此實施例t，係進行在第二評估步驟進行二可更易判斷第二=已於第-取 Φ ., 人取代之可能性，而之時間以及後續 -----一·^^之取代所需的時用之修補部分有效對位 0 加例中，多數個炫絲一多個修補方法修補位於估進行時所發現之缺陷得改善。 ^都具有一個修補部疋，可以抑制半導體裝多數個評估步驟，因此次甚至更多次之取代。之輸出，使用測試器可代步驟中被使用。如此進而減少第二次取代所間。第10頁 1285913

號 921299(^ 五、發明說明（6) 除此之外，由於使用判斷電路可以判斷一、使用於缺陷取代之炫碎摄杜〇 , 個已經被

'2 f 熔、4構件且此缺陷位於修補主_ F P 中二、’利用修補部分進行取代。因此利用測認出哪-個熔絲構件已經於取代中被使用：=

陷出現於修補部分中，本發明在進行評估時，仍可分析的時間。 1乃了以減V 第二實施例 f照本發明之第二實施W的一種半導體 :明：；=，、以修補主體區段11係為字U艾況明丄且修補主體區段丨丨位於上述所提之半導體 ”圖是依照第二實施例’在半導體裝置中，主體區,1」、修補部分12以及溶絲電路13之配置示… 如弟7圖所示，係假設修補主體區段^字元線動、 .· .、WL5U所構成（全部之字元線係以WL<〇. 511>表 ^’供以田及假設用以修補字元视<():511 >之修補部分1 2 ’ 字元線飢°、觀、...、飢7所構成(全部之備用子二線係以飢〈0:7>表示）。此外，每一個備用字元線 SWL<0:6：M^、提供有熔絲構件⑽^、FU1、. 、FU6(^#之熔絲構件係以FU<0:6>表示）。 ° 每一個熔絲構件fu<0:6>具有10位元之金屬熔絲

FuSe)MF0、MF1、·..、MF9(全部之金屬熔絲係以 i 9>表示^，且其係由金屬所製得。當金屬熔絲肝<9〉 0供儲存資讯之致能位元，且此資訊表示與熔絲構件F U <〇:6>對應之備用字元線SWL<〇:6>*否已被使用時，金屬 ^、4MF<〇 : 9>之金屬炼絲MF〈〇 : 8>儲存字元線WL<0 : 511:>中 1285913

之缺陷字元線（Defective Word Line)的位址。備用字元線SWL<7>提供有熔絲構件fu<7>^fu〈8>。此，熔絲構件FU<7>與FU<8> 一般1有 ” 口 r级姐μ 版八有備用字元線SWL<7> 〇 =構件FU<7>具有丨〇位元之金屬料mf<q:9>，且复製得。金屬熔絲MF<0:9>之金屬熔絲MF<〇:8>儲存子兀線WL〈〇:511>中之缺陷字元線（Defective

Line)的位址。金屬熔絲MF<9>提供一儲存資訊之致处位元，且此資訊表示與炼絲構件FU<7>對應之備用字元&線sw <7>疋否已被使用。溶絲構件FU<8>具有11位元之電熔絲（Electricai FUSe)EF0、EF1、··· 、EF10(全部之電熔絲係以ef<〇:i〇> 表不）。電溶絲EF<0:10>之電熔絲MF<0:8>儲存字元線社 < 0 : 5 11 >中之缺陷字元線的位址。電熔絲E F〈 9 >提供一儲存資訊之致能位元，且此資訊表示與熔絲構件Fu<8>對應之子備用字元線SWL<7>是否已被使用。此外，電熔絲以<;^〇>提供儲存資訊之禁能位元（Disable Bit)，且此資訊表示備用字元線SWL<7>本身是否具有缺陷。 & 另外’在備用字元線SWL<7>中，熔絲構件Fu<7>與⑽ < 8 >各別對應的致能位元，係用以表示哪一個溶絲構件ρ ^

<7>及溶絲構件FU<8>被使用於取代中。其中，熔絲構件FU <7>係由金屬熔絲所構成，而熔絲構件Fu<8>係由電溶絲所構成。 w 上述所提之金屬熔絲大部分是與晶片上之架線 (Wiring Line)使用相同之之材料。當上述所提之架線被雷射切斷時，此金屬炼絲會儲存資訊。因此，可以藉由切

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tSfc 9212QQQR 五、發明說明（8) 斷晶圓上之架線，來記錄資訊。但是， (Package or Assembly)之後，架線無法^皮明切斷、骏 =”存。電熔絲係由—個可以藉由斷：斤以資 =’來進行切斷動作的構件所構成。#_個^短路之堊鈀予在此構件上，而使其斷路，或是使此:的向電 :個絲會儲存資訊。因&，無論此晶片是仍資訊裝，藉由使此構件斷路或是短路，可:二在-實施射，在具有上述所提之配置的〈=">—:，？存在於此半導體裝置的任… FU<〇 fi 到七個缺陷字元線被各別之使用熔絲構件 FU<0:6>的備用字元線SWL〈〇:6>取代為止。直中，熔絲 =^<0:6>係由金屬炫絲所構成。備用字元線swl<7>^以 ?=入，並取代使用熔絲構件FU<7>的缺陷字元線WL，其 Ί、、、糸構件ί?υ<7>由金屬熔絲所構成。亦可取代使用熔絲所構：。8>的缺陷字元線WL，其中炼絲構件，8〉由電炫絲接下來’第二實施例之半導體裝置中的判斷電路丨4如下所述。 ^第8圖疋依照第二實施例所述，在上述所提之半導體衣^中’的一種判斷電路的配置電路圖。此判斷電路1 4可 =斷熔絲構件FU<7>或是Fu<8>是否已被使用，或是能否被。值的注思的是，近似之配置方式也可以判斷熔絲構件^<〇:6>是否已被使用。

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入至OR電路R1以及NAND電路N1之各別的第一輸入端。於熔絲FU<7>之致能位元的資訊輪入至〇R電路R1的第二入端，以及輸入至NAND電路N2的第一輸入端。儲存於炫刖絲 FU<8>之禁能位元的資訊輸入至〇R電路R1的第三輸入端，以及輸入至NAND電路N3的第一輸入端。此外，〇R電路Ri的輸出訊號輸入至NAND電路N4的第一輸入端。

上述所提之NAND電路N1及N2的輸出訊號會各別輸入至 AND電路A 1的第一與第二輸入端。上述所提之NAND電路N3 及N4的輸出訊號會各別輸入至AND電路A2的第一與第二輸入端。此外，AND電路A1及A2的輸出訊號會各別輸入至 NAND電路N5的第一與第二輸入端。然後，NAND電路N5的輸出訊號會輸入至測試器2。當自測試電路15輸出的選擇訊號S2輸入至上述所提之 NAND電路N1〜N4之各別的第三輸入端時，自測試電路丨5輸出的選擇訊號S1會輸入至NAND電路N1〜N4之各別的第二輸入端0 在具有此配置之判斷電路中，若選擇訊號（Sl，S2)為 (1，1)，則其可判斷熔絲構件FU<7>的致能位元係為” 1”或是"0π。在此實施例中，若致能位元為η Γ’ ，則表示使用熔絲構件FU<7>之備用字元線SWL<7>被使用。若致能位元為π〇π，則表示熔絲構件FU<7>未被使用。若熔絲構件FU <7>之致能位元為”1”，且選擇訊號（S1，S2)為（1，1)，則”1 會'’自NAND電路N5的輸出端輸出至測試器2。因此當’’ 1”輸出至測試器2時，可以判斷出使用熔絲構件FU<7>之備用字元線SWL<7>被使用。

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另一方面，若選擇訊號（S1，S2)為（1，〇)，則其可判斷熔絲構件FU<8>的致能位元係為”丨"或是，，〇，，。在此實施例中:右致能位兀為1’ r ，則表示使用熔絲構件FU<8>之備用字元線SWL<7>被使用。若致能位元為"〇，，，則表示熔絲構件FU<8>未被使用。若熔絲構件Fu<8>之致能位元為，，丨，，，且選擇吼唬（Sl，S2)為（1，〇)，則”丨，，會自NAND電路Ν5的輸出端輸出至測試器2。因此，當”丨”輸出至測試器2時，可以判斷出使用熔絲構件pu<8>之備用字元線SWL<7>被使用〇若選擇訊號（S1，S2)為（0,1)，則其可判斷熔絲構件Fu <8>的禁能位元係為” Γ，或是” 〇”。在此實施例中，若禁能位元為1 ，則表示缺陷存在於備用字元線SWL<7>本身。若禁能位元為” 0” ，則表示無缺陷存在於備用字元線別乙 < 7 >。若熔絲構件F U < 8 >之禁能位元為” 1 ”，且選擇訊號 (SI, S2)為（0, 1)，則’’ 1”會自NAND電路N5的輸出端輸出至測試器2。因此，當” i，，輸出至測試器2時，可以判斷陷存在於備用字元線SWL<7>。、可以判斷出備此外，若選擇訊號（S1，S2)為（〇,〇)’則表示熔絲構 FU<7>的致能位元、熔絲構件^〈。的致能位元以及件FU<8>的禁能位元的至少其中之一係為"lff 。若上述Z f 能位元與禁能位元的至少其中之一為”丨”，且選擇訊之致 (S1，S2)為（0,〇)，則，，Γ會自NAND電路N5的輪=端輪= 測試器2。因此，當” 1 ”輸出至測試器2時用字元線SWL<7>不能在取代^被使用。如上所述，當缺陷在評估步驟中被修補部分取 1285913

1 號 9212QQ队五、發明說明（11) 藉由利用上述所提之判斷電路14，可以確認缺陷是使用炼絲構件的修補冑分取A，並且確 1 已被修補：分使用，而用以取代缺陷。除此之：=: 確3忍修補。P分本身是否能被使用。、° 以下係利由第9圖、第i 0圖與第n 之半導體裝置的操作。月弟一貝施例 "ΓΛ、/、:°圖與第11圖係為在上述所提及之半導體装置中進仃k補方法之流程圖。如i9圖所示，在晶圓上之半導體襄置中，形成作為修補主體區段1 1的字元磕WT n · R ., . /成作為偌用宝开綠ς«π 兀線WL<〇· 51 i>、作為修補部分12的備線WL<7>、熔絲構件FU<7>與FU<8>以及判斷電路 …然後，在製作此半導體裝置的過程中，此== D/s R/mPT少势撿4( ng)及修補步驟（Pre 一噥+ 一評估步驟、封裝步驟P2以及最終晶粒撿、^驟(/lnal D/S R/D)P3之第二評估步驟。

^ 在第一評估步驟P1中，係評估字元線WL 第—評估步驟pi中，任何存在於字元線WL ,* ,, 之缺陷字元線會被備用字元線SWL取代。在本實 /在進行取代時’ swl<〇>至3几<7>之備用字元線 - /目士、到大的順序逐一被使用。舉例來說，若八條字二〜(Γ·二陷、’其中的七條字元線會各別被備用字元線 .。取代，且第八條缺陷字元線會被備用字元線SWL τη η °同樣地* ’與備用字元線SWL<0 : 7>對應之熔絲構二敌7^ ΐ各別所儲存之資訊，係表示備用字元線SWL --以及此資訊係說明已被取代之缺陷 III li ILP.P^>lUB..PlflJLUii ' — _____ 一―- -

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字元線。然後’在封裝步驟P2之後進行的第二評估步驟p3，係再次評估字元線WL〈0:511>。在此第二評估步驟以中，若缺陷字元線仍存在於字元線WL<0 : 51 1>中，則表示因為使用熔絲構件FU<0 : 7>之備用字元線SWL<0 : 7>係已各別於取代中被使用，因此此缺陷子元線不能被備用字元線$ W l〈 7〉取代。值得注意的是，在封裝步驟P2之後進行的第二評估步驟P3中，係可能只利用使用炼絲構件j?u<8>之備用字元線S W L < 7 > ’來取代缺陷字元線，且此溶絲構件f 8 >係由電熔絲所構成。在第二評估步驟P 3中’基於儲存於溶絲構件ρ u < 7 >與 F U < 8 > (致能位元與禁能位元）的資訊，使用判斷電路丨4可以判斷備用字元線SWL<7>是否已於取代中被使用，以及備用字元線SWL<7>本身是否具有缺陷，而且判斷結果會輸出至測試器2。因此，利用本發明可以確認備用字元線SWL <7>，在第一評估步驟P1中，已被使用於取代中。於是，在第二評估步驟P3中，可以判斷出字元線WL<0 : 511>中之缺陷字元線不能被備用字元線SWL< 7>取代。第10圖係表示在上述所提之第一評估步驟P1中，只有七條缺陷字元線出現於字元線WL<0 :511>中，且備用字元線S W L < 7 >尚未在取代中被使用。在此實施例中，在後續之第二評估步驟P3中，判斷電路1 4可以判斷出備用字元線 SWL<7>尚未於取代中被使用，以及備用字元線SWL<7>本身是否具有缺陷。因此，在第二評估步驟P3中，利用尚未使用之備用字元線SWL<7>，可以有效取代字元線WL〈0:511>

第17頁 1285913 _案號 92129995 _分4年(月ικ 修是五、發明說明（13) 中之缺陷字元線。第11圖係表示在上述所提之第一評估步驟P1中，至少八條缺陷字元線出現於字元線WL<0 : 51 1>。然而，由於備用字元線SWL<7>具有缺陷，因此不能於取代中被使用。在第一評估步驟P1中，如果已知備用字元線SWL<7>具有缺陷，1’ Γ會記錄在熔絲構件FU< 8>之禁能位元。特別值得一提的是，對應於禁能位元之架線會被雷射切斷。

在這樣的情形下，在後續之第二評估步驟p 3中，基於儲存於禁能位元之資訊，判斷電路丨4可以判斷出備用字元線SWL<7>具有缺陷。因此，在第二評估步驟p3中，可以判斷出字元線WL<0:511>中的缺陷字元線不能被備用字元線 SWL<7> 取代。在封裝步驟前後的二個評估步驟中因此 ’利用備用字兀線SWL<7>可以有效地施行修補方法，以修補字元線乳 < 0 ·· 5 11 >中的缺陷字元線。此外，第1 2圖、第1 3圖與箆]4同及叙

乐1 4圖係表示在晶圓之丰導體裝置上，施行第一與第二評估牛w 女隹日日圓1千V 1古步驟。亦即，在封奘之前’利用備用字元線取代缺陷字元綠次。子70線的修補步驟會進行二

相較於第H1圖，先於晶圓之半導評估步驟，然後進行晶圓封裝，、置上把仃苐驟，第12~U圖係先於晶圓之半導之齊後/^施行第二評估步步驟，並以此作為第一步驟，然衣上施行第一評千 Testing)之前與封裝之後，施行預燒剛試（Burn-In 為第二步驟。 &仃弟二評估步驟，並以此

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、第12〜14圖係表示在上述所提及之半導體裝置中進行修補方法之流程圖。請參照第12圖’在晶圓上之半導體裝置中，形成修補主體區段U的字元線wL<0:511>、作為修補部分12的備用字兀線SWL<7>、熔絲構件刖<7>與1?11<8>以及判斷電路 14。然後，在製作此半導體襄置的過程中，此半導體裝置係依序進行預係晶粒撿選及修補步驟P 1 1之第一評估步驟、預燒測試P1 2、最終晶粒撿選及修補步驟之第二評估步驟P13，以及封裝步驟P14。

首先’在第一评估步驟P11中，係評估字元線几 <0 : 511>。在此第一評估步驟P1 j中，任何存在於字元線wl <0:511〉中之缺陷字元線會被備用字元線SWL取代。在本實施例中，若八條子元線具有缺陷，其中的七條字元線會各別被備用=元線SWLC0 :6>取代，且第八條之缺陷字元線會被備用子元線SWL<7>取代。同樣地，與備用字元線別[ <0 : 7>對，之熔絲構件FU<(h7>其各別儲存於之資訊，係表不備用字元線SWL<7>在取代中被使用，以及此資訊係說明已被取代之缺陷字元線。然後’在預燒測試步驟？丨2之後進行的第二評估步驟 P13 ’係再^評估字元線WL<〇:511>。在此第二次之評估步驟P13中’若缺陷字元線仍存在於字元線WL〈〇 : 51丨> 令，則表示因為使用熔絲構件{^<〇 : 6>之備用字元線SWL<〇 : 6>，以及使用炼絲構件FlJ<7>之備用字元線SWL<〇:7>都已於取代中被使用’因此此缺陷字元線不能被備用字元線swl<7〉取代。

第19頁 1285913 -1 號 92129995 竹年C月修正___ 五、發明說明（15) 在第二評估步驟P13中，基於儲存於熔絲構件FU<7>與 FU<8>(致能位元與禁能位元）的資訊，使用判斷電路14可以判斷備用字元線SWL<7>是否已於取代中被使用，以及備用字元線SWL<7>本身是否具有缺陷，而且判斷結果會輸出至測試器2。因此，利用本發明可以確認備用字元線SWL < 7 >，在第一評估步驟p 11中，已被使用於取代中。於是，在第二評估步驟P13中，可以判斷出字元線WL<0 ·· 51 1>中的缺陷字元線不能被備用字元線SWL<7>取代。第1 3圖係表示在上述所提之第一評估步驟P 1 1中，只有七條缺陷字元線出現於字元線WL<0 : 5 11 >中，且備用字元線SWL<7>尚未在取代中被使用。在此實施例中，在後續之第二評估步驟p 1 3中，判斷電路1 4可以判斷出備用字元線SWL<7>尚未於取代中被使用，以及備用字元線SWL<7>本身是否具有缺陷。因此，在第二評估步驟P1 3中，利用尚未使用之備用字元線SWL<7>，可以有效取代字元線WL <0:511〉中之缺陷字元線。值得注意的是，在封裝步驟P1 4之前的第二評估步驟 P13中，無論是使用金屬熔絲構成之熔絲構件FU<7>或是電熔絲構成之熔絲構件FU<8>，備用字元線SWL<7>可以取代缺陷字元線。第14圖係表示在上述所提之第一評估步驟P11中，至少八條缺陷字元線出現於字元線WL<0 : 5 11 >。然而，由於備用字元線SWL<7>具有缺陷，因此不能於取代中被使用。在本實施例中，在第一評估步驟P11之前，π 1"會預先記錄在熔絲構件FU<8>之禁能位元中。

第20頁 1285913 」多正案號 92129995 五、發明說明（16) 在這樣的情形下，在後續之第二評估步驟Ρ13 資訊’判斷電路14可以判斷出備“ ' 7具有缺陷。因此可知，字元線WL<〇. 511〉中的缺陷字元線不能被備用字元線SWL<7>取代。用備^ :在第一評估步驟P11與第二評估步驟P13中，利 =子：線SWL<7>可以有效地施行各別之修補方法，以乜補子兀線WL<0:511>中的缺陷字元線。方法^ Ϊ ί 一貫施例中’備用字元線係可以使用多個修補 Ϊ = 字元線，其此備用字元線具有金屬溶絲構成帝田、牛以及電熔絲構成之一熔絲構件。例如，藉由 # if m ^方式使架線斷路，或是藉由高電壓使用之方式 . 斷路。於是，在評估進行時所發現之缺陷其修補比例可以獲得改善。卜由於金屬溶絲所構成之熔絲構件以及電熔絲所 =熔絲構件一般具有一備用字元線，因此不需要多個 =7G線。於是’可以抑制半導體裝置片）所需之面積的增加。此外’在此實施例中，係至少進行二個評估步驟，以、、，^用子元線修補缺陷字元線。在第二取代步驟中，基 ^判斷，路之輪出，使用測試器可以確認哪一個備用字元各已於第一取代步驟中被取代。如此可更易判斷第二次取代之可肖b性’進而減少第二次取代所需之時間以及後續之取代所需的時間。士除此之外，在使用備用字元線進行缺陷字元線之取代 ^ 可以判斷出哪一個炫絲構件已被使用於取代中。所

W _ 第21頁 1285913

號 92129995 五、發明說明（17) =杜在評估步驟中，利用測試器可易於確認構件已於取代中被使用。因&，即使：T、、、糸陷，本發明在進行評估時，仍可以日^ ^ 第三實施例 X夕刀析的日守間。依”、、本毛明之第二貫施例的—種下。相較於第7圖之第二實施例，复5兄明如 SWL<7>)12係提供有由全屬溶呼^盖二自〇P刀（備用子元線以及由電炫吟所堪士所構成之一炼絲構件FU<7> 由電烙4所構成之一熔絲構件fu<8>。在每中，修補部分係提供有由金屬@絲所構成之一炼―只也1 而另一修補部分係提供有由電炼_ …冓件’ 扣圖是依照第三實施例，在半導體裝置中，= 體區段、修補部分以及炼絲電路之配置示音、圖。；主主體係提供修補部分12，以修補位於修補之缺，且此修補部分12係提供有與置對雁> 糊路”，而此料電路13係由金屬…構成對= 3:係，=修補部分17，以修補位於修補主體區段11之、曰’且4 G補部分17係提供有與其對應之熔絲電路丨8，路1 4 H :1:係由電熔絲所構成。此外，係提供判斷電、日 > 補部分1 2與1 7是否被使用於取代中。上述所提之熔絲構件1 6具有1 0位元之金屬熔絲MF 〈一〇:9>/金屬熔絲奸<〇:9>之金屬熔絲MF<0:8>其所儲存之貧^^糸說明位於修補主體區段11中的缺陷。金屬炫絲MF <9>提供-儲存資訊之致能位元，且此資訊表示與二構件16對應之^部扣^已於取代巾被使用。糸構

二匕述所提之構件1 8具有11位元之電熔絲EF

第22頁 1285913 -^^92129995^ 五、發明說明（18) ------ <〇·〗〇>。電熔絲EF<0:10>之絲EF< 訊係說明位於修補主駟r饥Η山“ ’具所館存之貧 1存資訊區段11中的缺陷。電炫絲_>提一… "兀，且此貧訊表示對與熔絲構件18 供一、厂〜^ 7L 對應之修補部分】7早兀3 丄 -rΜ X w H疋否已於取代中被使用。另一士二 ^ 炼絲E F < 1 〇 >提供一儲存資方面，電補部分17本身是否具有缺陷。且此貝訊表示修值得注意的是，在第15圖中係表示的修補部分，且此熔纟彳Μ ^ ^ @ t 具有熔絲構件一個具有熔絲構件的修補邱八冓成，以及另所構成。但是，其更包括夕Μ、+ 稱件係由電熔絲部分具有一個由金屬熔衅刀丑母一個修補補部分具有一個由電熔絲構成之熔或疋這些修個以上之修補構件。 ’、籌牛。此外，更可提供在第三實施例甲，除了提供一個部分，且此、熔絲構件係由金屬料所構成二構:的修補另一個具有嫁絲構件的修補却八 ’，、亦提供絲所構成。m使在且此料構件係由電炼的缺陷可以被具有溶絲構件二修1 於修補主體區段中件係由電熔絲所構成。因此，/ 7邛刀取代，且此熔絲構其修補比例可以獲得改善。估進行時所發現之缺陷此外，判斷電路的提供，代中被使用。所以，笛M用來判斷修補部分是否心，姐彼#⑹·、弟—次評估或是後續之評估已於取代· ，在第—A七、 .々〜t中，可以利用修補部分，有埒——人坪估或是後續之評i双取代位於修補主俨缺陷。土筱區段中白. ^ ， EE 士& 丄 1心如上所述，關於本發明構件第23頁 1285913

般都具有一個修補部分，所.上於被修補部分取代。因此，f评估的過程中，缺陷將易改善缺陷之修補比例。所提供之半導體裝置可以更加值得注意的是，上述所實施’還可以相互作適當的所挺及之貫施例包括多數個於各個實施例所揭露之多數些與本發明相關之型態。提及之實施例，不僅可以單一結合’再實施之。此外，上述與本發明相關之型態，且利用個構件適當之結合，可得到這，然其並非用以離本發明之精神此本發明之保護準。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為

1285913 _案號92129995 巧升年7月（ < 修正_ 圖式簡單說明第1圖是習知的一種修補電路之配置示意圖。第2圖是習知的一種在修補電路中所進行之修補方法的流程示意圖。第3圖是依照本發明之一第一實施例的一種半導體裝置與評估設備之配置示意圖。第4圖是依照第一實施例，在半導體裝置中，之主要部分的示意圖。第5圖是依照第一實施例，在半導體裝置中，所進行之一種修補方法的流程示意圖。第6圖是依照第一實施例，在半導體裝置中，所進行之另一種修補方法的流程示意圖。第7圖是是依照第二實施例，在半導體裝置中，之主要部分的示意圖。第8圖是依照第二實施例，在半導體裝置中，之一種判斷電路的配置電路圖。第9圖是依照第二實施例，在半導體裝置中，所進行之第一種修補方法的流程示意圖。第1 0圖是依照第二實施例，在半導體裝置中，所進行之第二種修補方法的流程示意圖。第11圖是依照第二實施例，在半導體裝置中，所進行之第三種修補方法的流程示意圖。第1 2圖是依照第二實施例，在半導體裝置中，所進行之第四種修補方法的流程示意圖。第1 3圖是依照第二實施例，在半導體裝置中，所進行

第25頁修正所進行之主要

1285913 _案號 92129995 圖式簡單說明之第五種修補方法的流程示意圖。第1 4圖是依照第二實施例，在半導體裝置中之第六種修補方法的流程示意圖。第1 5圖是依照第三實施例，在半導體裝置中部分的示意圖。【圖式標記說明】 1 :半導體裝置 2 :評估設備（測試器） 11、1 0 1 :修補主體區段 1 2、1 7、1 0 2 :修補部分 13 :熔絲電路 14 :判斷電路 15 ·測試電路 13-1、13-2、· · ·、13-Μ、16、18、103 :熔絲構件 PI、Ρ3、Pll、Ρ13 :晶粒檢選及修補步驟 Ρ2、Ρ14 :封裝步驟 Ρ1 2 :預燒測試步驟

第26頁

Claims

12 另5913 __MM 92129QQR___ _ ,, 六、申請專利範目^ " 丨 ' 丨f~^ 絛正^ 1/ 一種半導體裝置，其適用於電上中，該半導體裝置包括： k補前的評估步驟一修補主體電路（Relief—Subje 主體電路係執行一預定之功能； lrcult)，該修補 ,一修補電路，以修補該修補主體雷政係執行該預定之功能；以及路，且該修補電路、夕數個炫絲構件，係與該修補電踗斜膝補電路取代該修補主體 ♦子應，以利用該修 2路取代時，該些炼絲二；；被該修補體電路，仔之貝afl係說明該修補主、中各s亥熔絲構件具有用以儲存資11 A # # 係包括可表示該修補主路有=之=元而且該些位元係包括可表示該修補々示ΛΐΓ1專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中异何f wk該位元包括該些溶絲構件中二仃一個熔絲構件。 τ傅1干〒的任〜判3斷請專利範圍第1項所述之半導體裝置，更包括使用=，該判斷電路係判斷該修補主體電路是否已\ 使用该熔絲構件的該修補部分取代。已破 “構牛，該修補電路使用，而取代該修補主體電二個 • σ申凊專利範圍第1項所述之半導體裝置，更包括

第27頁 -判4斷ί t請專利範圍第1項所述之半導體裳置，更包括 =，該判斷電路係判斷該些溶絲括個 1285913 修正案號 92129995 六、申請專利範圍一判斷電路，以判斷該修補電路是否具有缺陷。 6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該些熔絲構件包括多數個金屬熔絲，且該些金屬熔絲所儲存的資料係藉由使用雷射，而使該金屬熔絲斷路而取得。 7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中該些熔絲構件包括多數個電熔絲，且該些電熔絲所儲存的資料係藉由使用高電壓，而使該電熔絲斷路而取得。 8. —種半導體裝置，其適用於電路修補前的評估步驟中，該半導體裝置包括：

一修補主體電路，該修補主體電路係執行一預定之功能；一第一熔絲構件，該第一熔絲構件使用一第一方法儲存資訊，且所儲存之資訊係用以說明該修補主體電路，其中該第一熔絲構件包括多數個金屬熔絲，且該些金屬熔絲所儲存的資料係藉由使用雷射，而使該金屬熔絲斷路而取付，

一第二熔絲構件，該第二熔絲構件使用一第二方法儲存資訊，且所儲存之資訊係用以說明該修補主體電路，其中該些第二熔絲構件包括多數個電熔絲，且該些電熔絲所儲存的資料係藉由使用高電壓，而使該電熔絲斷路而取得；以及一修補電路，該修補電路係執行該預定之功能，取代該修補主體電路，其中該修補主體電路係藉由該資訊係來說明，而該資訊係儲存於該第一熔絲構件或是該第二熔絲

第28頁 1285913 ---^^2129995 六、申請專利範圍 ---U ]- 7 Μ I ^ ^ ^-----修正構件中，而且談笛 '— 該修補電路，〆—炫絲構件與該第二炫今其卡各該第1 ，件-般具有個位元，且該些位、、、糸構件與各該第二熔絲用該熔絲構件之$係包括可表示該修補主具有多數 9·-種電；::之多數=電路已被使中，該半導體裝置勺4 /、適於電路修補前的1 多數個修補主=饮步驟定之:力：，· 該些修補主體電路係執行—預第—修補電路盥_一與該第二修補雷 /、一弟二修補電路，誃缺陷之_第係用以修補該此修補f ^ 修補電路缺陷之弟一缺陷修補主靜雷攸;;L補主體電路中之|古路，且該第一佟南主體電路與一第二缺陷 /、有能；補電路與該第二修補電路執彳^主體電一第^ 路執仃该預定之功該修補電路取代時，该;二，二f陷修補主體電路被咳缺陷修補主體電路，且；：：所儲存之資訊係說明 ίίΓ修補電路對應其中該第-熔=:;溶絲構件係且該些金屬炼絲所儲存的括多數個金 ^金屬熔絲斷路而取得；以及係错由使用雷射，絲構件包括多數二修補電路以件該η:::修補主體電路被該第該第,缺陷修補主體電路存之資訊係說明與°亥弟二修補電路對應，其中該些第二、;稼絲構件係第29頁 1285913 案號 9212QQQ^ 六、申請專利範圍 ____ 個電熔絲，且該些電熔絲所，而使該電熔絲斷路而取尸、貝；斗係藉由使用壓曰修正 1 0 ·如申睛專利範圍第8項元係包括可表示該修補電路：有：導體裝置， η.如申請專利範圍第i。項所述有:陷之多，個表示該修補電路具有缺陷之該位體t置或是該些第二熔絲構件。括β亥些弟一熔 3.:/請專利範圍第8項所述之半導體穿晋，判斷電路，該判斷雷敗 V體凌置’ 说β筮卜w ^路係判斷該修補主體雷致曰使用该第一熔絲構件或是篮電路疋路取代。 ^使用该弟—炫絲構件的該 13. 如申請專利範圍第9 之一判斷電路，該判斷雷败、 +寺體凌置，姐兮筮 ^ 電路係判斷該修補主體電踗Η 使用$亥第一炫絲構件戎县电路疋路取代。 #件成-使用該第二炫絲構件的該 14. 如申請專利範圍一判斷電路，兮刻齡带执貝尸汗儿 < 千¥體裝置，些弟一炫絲構件中的那、糸構件而取代修補主體電路。〃補電路 ί t 申請專利範圍第8項所述之半導體穿罟〆判斷電路，以J丨丨辦#攸 ^ $版I置， J W ^ δ亥修補電路是否具有缺陷。高電些位更包括否已被修補電更包括否已被修補電更包括或是該使用，更包括第30頁 1285913 修正案號 92129995 六、指定代表圖 (一）、本案代表圖為：第____4____圖 (二）、本案代表圖之元件代表符號簡單說明 1 1 :修補主體區段 1 2 :修補部分 1 3 :熔絲電路 13-1 ^ 13-2 1 3-M :熔絲構件

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