TWI285188B - Tape-like substance containing carbon nanotube and method for producing carbon nanotube, and electric field emission type electrode containing tape-link substance, and method for producing the electrode - Google Patents

Description

1285188 玖、.發:明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關含有多層或單層高純度碳奈諾管之帶狀 物質’及多層或單層高純度碳奈諾管之製造方法，以及使 用含有多層或單層高純度碳奈諾管之帶狀物質的電場放出 型電極及其製造方法者。 【先前技術】 碳奈諾管（Carbon Nano Tube: CNT)係於兩碳材料間進 订電弧放電而獲得者，而該碳奈諾管（CNT)係將碳原子以 六方晶形規律地排列而成的石墨薄片（graphene扣 graphite sheet)予以捲成圓筒形者。其中，石墨薄片筒為i 層者即稱為單層碳奈諾管（Single_walle(i CarbDn N_tube: SWCNT)，其直;^約}至數nm。而石墨薄片筒為同心狀的 複數層時，則稱為多層碳奈諾管CarbQn

Manc^be: MWCNT)，其直徑為數nm至數十nm。單層碳 奈諾管，先前係使用含有觸媒金屬的碳電極，或於陽極電 極埋入觸媒金屬，以進行電弧放電予以合成。而於此處所 4的碳材料’係指以碳為主要成分的非晶質或石墨質等導 電生材料（下同）。 、心而°之’習用技術係提示種種由兩種碳材料間透過 進盯電弧放電合成碳奈諾管（CNT)的技術。例如有：在密 閉合器内充滿氦或氬氣體，將密閉容器内的壓力設定於 2 0 0 r 、 orr以上以進行碳直流電弧放電，以製造碳奈諾管的 技術（例如日本特開平6-280116號公報）。 5 314848(修正版) 1285188 A、或於密閉容器内充滿氦後加熱該密閉容器内，使其内 °戸溫度為1000至4000τη ± 、 C，同^，於控制的溫度中，以碳 、放電電極間進行直流電弧放電，即可獲得製造，， 長度及結”分佈齊全的碳奈諾管技術（例如日本特開平 6_15 7016 號公報）。 亦有為：（a)由分批回收陰極堆積物方 回收可回避因伴隨陰極堆積物的成長而更2 = 之不女疋性’ (c)可防止陰極堆積物的長時間曝露於電弧， :導^收率的下降’⑷可於陰極表面的較廣區域形成碳 不諾官等為目的，在充滿惰性氣體之密閉容器内，於水平 方向相向配置的電極間進行電弧放電，同時，將相對且以 連續性或間歇性轉動或反覆移動電極，來製造碳奈諾管的 技術（例如日本特開平7_21666〇號公報）。 _復有：在含由空氣、氧、氮中選擇的至少丨種以上氣 體的環境中’使電弧放電，於圓盤狀陰極連續、或間接轉 動下，使在陰極形成石墨質纖維的技術（例如日本特 200218592 號公報）。 又有，在配置於密閉容器内相向的陽極及陰極之碳電 極周圍，以加熱器加熱後，藉由在兩電極間進行直流電弧 放電，以增加所形成碳奈諾管的純度及回收量的技術（例如 曰本特開2000-203 820號公報）。以及 將配置於岔閉谷裔内之由碳電極所成陽極之光端部 刀以加熱機構予以加熱後，以進行電弧放電可獲得大小、 口口貝均勻且形成效率良佳的碳奈諾管技術（例如日本特開 314848(修正版) 6 1285188 2000_344505 號公報）等。 唯如上述碳奈諾管之製造方法中，存在有下記技術性 問題。 也就是說，碳奈諾管係形成於堆積在進行電弧放電部 分的陰極側碳電極之由碳原子所成的物質内，或飛散附著 於電弧周邊部之煤的一部分。但若依據上述習用例的碳奈 諾官製造方法，即於形成物中無法避免混入碳奈諾管以外 的石墨（graphite)、非晶碳（amorph〇us; carbon)等，因而，碳 奈諾管的比率較低。 因此，於一般電弧放電，其陰極點係選擇性地，產生 在電子放出能較高之地方。唯因短暫產生陰極點後，該地 方的電子放出能轉弱，陰極點將會移向另一較高電子放出 月b之地方。如上述，於一般電弧放電，該陰極點會一邊急 速進行不規則移動一邊進行電弧放電。而且有時，陰極點 2從陽極相對向位置大幅偏移，而有超越電源之負載電壓 谷里，造成電弧的消弧。如前述，在陰極點急速進行不規 則私動的電弧放電中，由陰極冬某一點觀察時，其溫度及 碳蒸氣密度等之化學性因子，將隨著時間大幅變動。為此， =於某一段期間成為較易合成碳奈諾管的條件，但於另一 3間即成為碳奈諾管不容易合成的條件，《成為碳奈諾 吕、谷易刀解的條件，結果將為含有較多雜質的碳奈諾管合 =於王體的陰極點形成位置。又於此處所謂的「碳奈諾管 ::雖因碳奈諾管形成機構本身尚有甚多不明點而無法 斷疋’唯於某溫度範圍巾，碳係於石墨或非晶碳形態較碳 7 314848(修正版) I285188 奈諾管的構造為安定時，係指於碳奈諾管引起構造變化為 :墨或非晶碳的現象，及於較高溫下，放出構成形成為碳 奈諾管之碳元素一群（蔟生物，Cluster)，致使碳奈諾管崩 /只的現象。又因碳奈諾管的形成過程本身亦於高溫中進 行，亦可推測於該形成過程中，會引起放出上述蔟生物， 但在形成碳奈諾管的最適溫度中，因碳奈諾管的形成速度 大於崩潰速度（蔟生物放出速度），因而，得以合成碳夺諾 管。 不〇 …因而，在習用中，為使電弧安定及增加碳奈管的合成 比率，設置上述電弧放電裝置於密閉容器内，並採取使密 閉容器内之環境氣體種類及壓力，或密閉容器内之電極^ 圍的溫度予以適當選定、及控制的方法。 唯僅以密閉容器内的環境氣體種類及壓力，或密閉容 器内溫度，或密閉容器内的電極周圍溫度的調整，難以完 全固定電弧之陰極點，仍然僅以多雜質及碳奈諾管混合體 的陰極堆積物，或以煤狀物質予以回收。因此，其結果使 碳奈諾管的回收率下降，同時，亦須為提升碳奈諾管純度 而必需進行複雜的精製作業，因而成為增加製造碳奈諾管 之成本原因。復因設備的大型化而使設備費用增加，同時 亦使由電弧放電之大量碳奈諾管合成變難。 ϊ 又如上述，為以南函收康η nrLM文手及向密度連續製造碳奈諾 管，雖有進行電極相對移動的太、土 了私動的方法，唯於習用仍係以回收 多雜質陰極堆積物為主目的。雖藉由相對速度的高速化， 亦有可獲得高密度碳奈諾管時，但該厚度上下， 8 314848(修正版） 1285188 雖使用刀刃狀剝離器亦不容易回收。復因習用移動方法， 係在同一地方移動多次，因而陰極溫度逐漸上升，致使i 狐產生點的溫度履歷產生變化。為此，無法安定地高純产、 高回收率製造碳奈諾管。 復藉由石反奈祐管的細束性及 電場放出用電子源，利用於登光顯示管或場致放射顯示器 (Field Emission Display: FED)等之陰極材料及電子顯微鏡 之探針箏，唯習用碳奈諾管係僅能以含有多雜質粉末狀或 塊狀獲得，其精製工程煩雜，操作及加工亦極為煩雜。 又因碳奈諾管係於壓縮或浸潰於液體後，再予以乾燥 日守’即因具有互以”凡得瓦力（Van der waals，force)，，聚集之 特性，故於精製過程中之輾碎製程，或以酸液的處理製二 等中，碳奈諾管成為塊狀或粗束狀，失去碳奈諾管之細束 性。如此，當碳奈諾管成為塊狀或粗束狀，而喪失其細束 性時，將導致作為電場放出用電子源性能的顯著劣化。 、藉以電弧放電所合成的碳奈諾管雖較—般熱分解法合 .丁諾s ’在其結晶性上為高品質’但因電弧溫度高， ;法:吏用電弧法於石夕等基板上，直接合成膜狀的碳奈諾 :二舖用熱分解法’或將電孤法作成的粉末狀碳 ;=::並=_。唯以熱分解法無法 山 、 諾& ，於使用習知的電弧法作成之於古处 碳奈諾管時，合有於其 π末狀 現象的問題。之奴奈諾管分布’產生不均勻 又若將粉末狀或塊狀碳奈諾管例如作為電場放出要電 314848(修正版) 9 1285188 子源時’為均勻地黏貼於其^ 散於莫^ ▲ 或電極上，係使碳奈諾管分 政於導電性貧狀體（如 v ^ )狀恶’塗舖於基板戋雷朽 上’進行乾燥、燒錢，為 ▲扳次電極 m^面路出石反奈諾管，有使用 研磨處理或以雷射光、電漿處 電場放出用雷+ > 的方法，但難以獲得作為 包豕從出用電子源的安定品質， ρ , 二士 、且5亥氣私亦變得複雜且高 又化’而有增加製造成本的問題。 【發明内容】 本發明係以獲得含有多居&留R ^ 勺曰〜由 …有夕層或早層南純度碳奈諾管之均 勾且回岔度之帶狀物質，及 夯#达山〜 文用在閉谷态等，而能於大 乳％楗中谷易以電弧放電法形成 層或早層高純度碳奈諾 吕’及使用上述帶狀物質，踩γ_ ”“ t τ狀物負獲传由而純度碳奈諾管所製之 冋性月b電場放出型電極，以及 容易制A &7將㈣場放出型電極予以 谷易衣k為其目的。因此， ⑴本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係由中空陽極電 部’朝向由碳材料構成之陰極電極噴灌電離能率較 …體高之惰性氣體或含有該惰性氣體之混合氣體，以 侷限電弧產生路徑，同時，藉由移動兩電極之相對位置， 使電弧之陰極點移動於陰極材料上而予以合成者。 (2)本發明的含有碳奈諾管之帶狀物質，係由中空陽極 電極之内部’朝向由碳材料構成之陰極電極噴灌電離能率 較環境氣體高之惰性氣體或含有該惰性氣體之混合氣 體，以侷限電弧產生路徑’同時，藉由移動兩電極之相對 位置’使電弧之陰極點移動於陰極材料上而予以合成，厚 314848(修正版) 10 1285188 又為10至500 、寬度為u 1〇·、且為任意長度之 主要為具有碳奈諾管之綿狀聚合體者。 (3)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係由中空陽極電 極之:，朝向由碳材料構成之陰極電極噴灑作為觸媒之 ^屬争刀末或金屬化合物粉末，且噴灑電離能率較環境氣體 同之十月性《I體或含有該惰性氣體之混合氣體，以偈限電弧 產生路徑’同時’藉由移動兩電極之相對位置，使電弧之 陰極點移動於陰極材料上，而予以合成者。 ()本表月的含有奴奈諾管之帶狀物質，係由中空陽極 電極之:部’朝向由碳材料構成之陰極電極喷灑作為觸媒 之金屬知末或金屬化合物粉末，且喷灑電離能率較環境氣 體咼之惰性氣體或含有該惰性氣體之混合氣體，以侷限電 弧產生路徑，同時，藉由移動兩電極之相對位置，使電弧 之陰極點移動於陰極材料上而予以合成，厚度為10至500 "m、寬度為！至1〇mm、且為任意長度之主要為具有碳奈 謹管之綿狀聚合體者。 〃 (5)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係於上述（！）至（4) 中之狀態下’係使用氬或氬與氫氣的混合氣體作為從陽極 電極向陰極電極供應之氣體’且在大氣環境中進行電弧放 電者。 〜 (6)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係於上述（1) 至⑷中之狀態下，冑兩電極於電弧產生及終了位置除外， 使陰極表面上之電弧產生點能以同一溫度經歷相對移動， 而予以合成者。 11 314848(修正版) 1285188 (7)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係於上述⑴至⑷ I之狀態下’為不使在陰極表面上之已—度形成陰極點區 域，再形成陰極點的方式予以移動，而合成者。 ()本么明的含有奴奈諾管帶狀物質，係於上述（1 )至（4) 中之狀怎下，將整個陰極電極、或電弧之陰極點、或於陰 極電極上的電弧軌道中之電弧前方部分，予以邊進献 邊電弧放電，以合成者。 … (9)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係於上述（1)至（句 中之狀態下，使用電阻率為4〇〇〇# Ω · cm以上，或熱導 率為40W/m.K以下的碳材料作為陰極電極而予以合成者。 (1〇)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係於上述（1)至 (4)中之狀態下，使用表面算術平均粗細度（Ra)為3.2#拉 以下的碳材料作為陰極電極而予以合成者。 (11)本發明的含有碳奈諾管帶狀物質，係於上述（1)至 (4)中之狀態下，將形成於電弧之陰極點軌跡上的形成物， 在電弧放電後的冷卻過程中，喷灑氣體予以合成者。 以一般電狐放電形成的碳奈諾管，係以陰極材質上之 與作為雜質的多晶石墨及非晶質碳同時壘積的塊狀或層狀 物質，或以飛散在周邊的煤予以回收。而該等形成物之回 收不易’且係與較多的雜質一起回收，在其之後的精製作 業上，需要粉碎、離心分離、酸處理、過濾及氧化燃燒處 理等的繁雜製程。而且精製的碳奈諾管係屬粉末狀，所以 之後的處置或加工亦變得繁雜。 上述（1)至（11)的發明中，帶狀物質係由高純度碳奈諾 12 314848(修正版) 1285188 吕之綿狀聚合體所成，因係保持帶狀形態，其回收容易， 且能於回收狀態中獲得高純度的碳奈諾管。 ^又因保持帶狀形態，使其操作及其後的加工變成極為 各易。如作為螢光顯示管之冷陰電子源使用時，可在陰極 項端黏貼帶狀物質之_部分，且得以事後視必要進行去除 表面之多晶石墨或非晶質碳處理即可，因此，得將製程予 (12)本發明的碳奈諾管製造方法，係於藉以進行電弧 放電，合成碳奈諾管時，係以中空電極為陽極電極，由中 空電極内部向以碳材料所成之陰極電極噴灑電離能率較 環境氣體高之惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體，而於 X /月間產生電弧，藉此以侷限電弧產生路徑者。 於上述（12)之發明中，當由陽極電極向陰極電極噴射 例如虱(Ar)等惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體，而於 該期間進行電弧放電時，則因氣體電離度變高，因而於氣 體噴出路徑形成容易產生電弧的條件。又與含有惰性氣體 接觸的陽極電極表面形成安定的陽極點之故。^匕，得將 電弧產生路徑予以拘束而防止陰極電極上之電弧陰極點的 不規則移動。其結果，得於該固定陰極點的產生位置(電弧 中心部）優先合成碳奈諾管，^能於該固定陰極點之產生位 置（電弧中心部）製造高純度之多層碳奈諾管的合成物。 (13)又，本發明的碳奈諾管製造方法，係於藉由進行 電弧放電，合成碳奈諾管時，以甲空電極為陽極電極，由 314848(修正版) 13 1285188 中空電極内部向以碳材料所成之陰極電極喷灌作為觸媒的 金屬私末或金屬化合物粉末，且喷灑電離能率較環 高之惰性氣體或含有該惰性氣體的混合氣體，而於該期間 產生電5瓜，藉此則局限電弧產生路徑為特徵者。 於上述（13)之發明中，當由陽極電極向陰極電極喷灑 Ar等惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體及作為觸媒的 金屬粉末或金屬化合物粉末時，可使氣體電離度變高，因 而，可於氣體喷出路徑形成容易產生電弧的條件。且能於 與惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體接觸的陽極電極表 面形成安定的陽極點。由此，得將電弧產生路徑予以拘束 而防止陰極電極上之電弧陰極點的不規則移動。因而，得 在該固定陰極點的產生位置（電弧中心部）優先合成碳奈諾 官。於此階段，在上述（12)之發明中，因係僅在電極進行 電弧放電而僅能合成多層碳奈諾管，相對於此在（丨3)的發 明係由陽極電極向陰極電極噴灑惰性氣體或含有惰性氣體 的此a氣體及作為觸媒的金屬粉末或金屬化合物粉末，因 此’觸媒將因電弧熱形成超微粒子化，再以其為核體，由 其成長單層碳奈諾管。也就是說；可有效地將觸媒金屬導 入被固定的陰極點之產生位置（電弧中心部），可於電弧中 心部或電弧周邊部製造高純度的單層碳奈諾管合成物。唯 該作為觸媒的金屬粉末應盡可能地使之微細化為必要。 (14)本發明的碳奈諾管製造方法，係使用氬或氬與氫 氣的混合氣體作為惰性氣體或含有惰性氣體之混合氣體， 且於大氣環境中進行上述（12)或（13)的電弧放電者。 14 314848(修正版) 1285188 於上述（14)之發明中，為激起電弧放電而有電離電極 間空間的必要。於電子的電離上雖有種種過程，但在電弧 放電中，係'由與電子的衝突所引起的電離過程占支配性。 ^常’除源子序較小的He、Ne之外，其他Ar、Kr、Xe 寺惰性氣體具有與電子的衝突所產生之電離效率較高，因 而得以提供容易產生電弧的空間。又因Αϋ等产 ^體具諸氧、t等為高的電離效率，故得如本發明，月 當在大氣環境中，φ陽極電極向陰極電極邊供應該等的情 性氣體，、或含有惰性氣體的混合氣體，邊進行電弧放電時， :集中並產生電弧於氣體的流通路徑。也就是說；藉由從 陽T電極向陰極電極供應該惰性氣體或含有惰性氣體的混 p氣杜，作為電漿氣體（plasma gas)使用，可以使電弧集 中，使陰極點安定化。 / 又於大氣環境中，係於電弧放電部捲入氧氣而引起碳 的氧化而燃燒。此時，所生成的碳奈諾管雖有部分氧化者， 唯因燃k /皿度較低的非晶質碳，或多晶石墨粉等雜質，優 先氧化、燃燒’結果有使生成物中的碳奈諾管純度提升之 效果0 (15)本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述或 T，由中空電極内部向陰極電極噴灑惰性氣體或含有惰性 氣體$之混合氣體的流量，係以中空電極之孔剖面面積每 hm2為1〇至4〇〇ml/分者。 、上述（15)的發明中，由中空電極之孔供應的惰性氣體 或含有惰性氣體之混合氣體的流量過少時，無法充分發揮 15 314848(修正版) 1285188 作為電漿氣體的功能，又當流量過多時，該電漿氣體的濃 度會增加至電極周邊部，因而，不僅於中央部，亦在周邊 部變成容易產生電弧放電的條件，而形成無法將電弧予以 集中：因此，如本發明，藉由將從中空電極孔供應的惰性 氣體或含有惰性氣體之混合氣體的流量，設定為中空電極 孔』面面積每lmm2的10至400ml/分，即能發揮作為電漿 氣體的功能，創造出僅使陽極電極中央部較周邊部容易引 起電弧放電的條件。其結果可使陰極點集中，因而可以良 好的獲得率生成較高純度的碳奈諾管。 义 (16)又，本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述〇2) 或（13)中，在電弧放電時，將陰極電極預先予以加熱為 至 2000°C 者。 於上述（16)的發明中，一般性的碳電極，也就是說， 使用，阻率（固有電阻）為500至2000 a Ω . em的碳電極 時右於事先將陰極電極予以加熱為500至2000。(：後進行 電：放電’則陰極點部的溫度較未預先加熱時可為高溫， 故得以合成較高純度的碳奈諾管。預熱溫度在5〇〇。〇以下 :夺’並無多大預熱效果，但若超過2〇〇〇。。時，該陰極碳的 瘵發加快，同時，亦使碳奈諾管的收穫量減少。 ()本表明的;ε反奈諾管製造方法，係於上述（1 2)或（13) 中’係使用電阻率Α 4〇〇Μ Ω . cm以上，或導熱率為 4〇W/m. K以下的碳材料為陰極電極者。 在上述（17)的發明中，為高純度及高收獲量的合成碳 奈諾管，使陰極材料的電弧陰極點溫度提升至某種程度比 314848(修正版) 16 1285188 較有利。通常，作為電極使用的碳電極之電阻率（固有電阻） 雖係如上述為500至200Π"0 ^ » 主2〇〇0 /ζ Ω · cm乾圍，但若使用具有 〇β Ω 以上電阻率的碳材料作為陰極材料時，在陰 極材料的陰極點近傍，由於在電弧放電時會變為高電流密 度，所以因電阻發熱，會使陰極點近傍成為高溫。為此， 可獲得與預先加溫陰極同樣效果。因而，可生成高收獲量 及咼純度的碳奈諾管。 通常使用為電極的碳電極之導熱率為在5〇至 20(m/m. K的範圍，且碳材料之電阻率與導熱率大致為負 的關係。也就是說；電阻率大的導熱率低，因此不容易導 熱’所以使陰極點近傍成為高溫。電阻率彻心ω 以上之碳材料的導熱率大致相當於4〇W/m. κ以下。 08)本發明的碳奈諾管製造方法，係於透過進行電弧 放電合成碳奈諾管時，使用中空電極為陽極電極，由中允 電極内部向以碳材料作成之陰極電極邊噴灌電離能率較環 境耽體南之惰性氣體或含有惰性氣體之混合氣體，邊在里間 產生電弧’藉此㈣限電弧之產生路徑，同時藉由移動兩電 極之相對位置，以移動在陰極材料上的電弧陰極點者。 在上述（18)的發明中，使用甲空電極為陽極電極，當 ::電桎内邛向陰極電極噴灑Ar等惰性氣體或含有惰 風之〉昆合氣體時，即可提高氣體電離度，而於氣體喷 : = 容易產生電弧的條件，又可推測在與惰性氣體 一各U乳體之混合氣體接觸的中空電極内部表面形成 314848(修正版） 17 1285188 安定陽極點之故。因此，可拘束電弧產生路徑，得以防止 陰極電極上之電弧陰極點的不規則移動。而其結果，得於 在該被固定的陰極點產生位置（電弧中心部）將碳奈諾管予 、k先曰成。且此於该被固定陰極點之產生' 部）製造碳奈料之合絲。但隸常於同—地 電，則將逐漸減低每單位時間的碳奈諾管合成量。此乃因 被合成的多層碳奈諾管長時間曝露於電弧，故可推測為多 層碳奈諾管的合成過程與分解過程同時進行之故。因此， 須將兩電極之相對位置予以移動，藉由使電弧之陰極點在 陰極材料上移動，可於適宜的移動速度，經常使每一單位 時間内之多層碳奈諾管合成量為最大值。亦可藉由原料之 碳材料，或雜質之石墨，或非晶質碳塊與碳奈諾管的熱膨 脹率之差異，在其冷卻過程中，使碳奈諾管引起帶狀剝離 現象，而形成多層碳奈諾管的回收變得極為容易，且如此 所剝離回收的帶狀碳奈諾管，可簡單地黏貼於任何基板 上，也就是說；可均勻且高密度的將多層碳奈諾管簡單地 黏貼於基板上。 (19)又’本發明的碳奈諾管製造方法，係於藉由進行 私弧放電’合成碳奈諾管時，用中空電極為陽極電極，由 中空電極内部向以碳材料所成之陰極電極喷灑作為觸媒的 金屬粉末或金屬化合物粉末，且噴灑電離能率較環境氣體 n之惰性氣體或含有該惰性氣體的混合氣體，而於其間產 生電弧，藉此以侷限電弧之產生路徑，同時透過移動兩電 極之相對位置，以移動在陰極材料上的電弧陰極點者。 18 314848(修正版) 1285188 在上述（19)的發明中，使用中空電極為陽極電極，當 由中空電極内部向陰極電極同時喷灑Ar等惰性氣體或含 有惰性氣體之混合氣體，以及作為觸媒的金屬粉末或金屬 化&物粕末時，即可提咼氣體的電離度，而於氣體喷出路 徑形成容易產生電弧的條件。又在與惰性氣體或含有惰性 氣體之混合氣體接觸的中空電極内面可形成安定陽極點。 藉此，可拘束電弧產生路徑，得以防止陰極電極上之電弧 陰極點的不規則移動。其結果，得於在該被固定陰極點之 產生位置（電弧中心部）將碳奈諾管予以優先合成。於此階 段，在上述（12)的發明中，係僅為電極的電弧放電，故只 能合成多層碳奈諾管。相對於此在本發明中，係由中空電 極内部向陰極電極喷灑惰性氣體或含有惰性氣體之混合氣 體，同時亦將作為觸媒的金屬粉末或金屬化合物粉末予以 喷灑，故藉由電弧熱使觸媒超微粒子化，並以其為核體厂 從其予以成長單層碳奈諾管。也就是說；得以在被固定陰 極點之產生位置（電弧中心部）製造碳奈諾管之合成物。然 後，移動兩電極的相對位置，藉由使電弧的陰極點在陰極 材料上之移動，即可於適宜的移動速度下，使每一單位時 間的單脣妷奈諾官合成量為最大值。亦可藉由雜質的石 墨，或非晶質碳塊與碳奈諾管的熱膨脹率之差異，在其冷 卻過程中，使碳奈諾管引起帶狀剝離現象，而導致單層^ 奈諾管的回收變得極為容易’且如此剝離回收的帶狀碳奈 諾管，可簡單地黏貼於任何基板上。亦即可均勻且高密度 的將單層碳奈諾管簡單地黏貼於基板上。唯與氣體一起向 314848(修正版) 19 1285188 陰極電極噴灑的金屬粉末粒子儘可能予以微細化為宜。 (2〇)本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（1 8)或（19) 中’以移動兩電極相對位置，使電孤陰極點在陰極材料表 面上，以10至l〇〇〇mm/分範圍的速度予以相對移動者。 上述（20)的發明中，在兩電極的相對移動速度為未滿 10mm/分的極慢移動時，即使對影響陰極表面溫度履歷之 因子施予種種變化，亦難以獲得適宜範圍的溫度履歷。也 就疋說，若為獲得預定峰值溫度而設定電弧加熱等時，則 因之後的冷卻速度顯著下降，而使該被生成的碳奈諾管長 時間曝露於高溫中，致使純度下降。又在使相對移動速度 超出1000mm/分時，，亦同樣難以獲得適宜範圍的溫度^ 歷。也就是說；例如為獲得預定峰值溫度，須將每一單位 時間之電派加熱設定於較大值，如此一來，陽極的消耗將 顯著增加，導致長時間運轉變得困難。且因滞留在學值溫 度附近的時間變短，導致該生成的碳奈諾管厚度變為： 薄，而無法生成帶狀物質。因而，須如本發明，透過兩電 極的相對位置移動，使電弧陰極點在陰極材料表面上，以 速度1〇ηπη/分至1000mm/分之範圍相對移動，即可生 好的碳奈諾管密集成一帶狀物質。 义 …（21)又，本發明碳奈諾管製造方法，係使用氬或氬盘 :虱的混合氧體作為惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣 體，且於上述（18)或（19)中將電弧放電 行者。 Μ大兄中予以進 述（Ό的么明中’為引起電弧放電須將電極間空 314848(修正版) 20 1285188 間予以電離。而於原子的電離雖有種種過程，唯於電弧放 =，係荞與電子的衝突所產生的電離過程為占支配性，通 常除了原子序較小的He、Ne外，Ar、Kr、Xe等惰性氣體 具有與電子的衝突產生較高的電離能率，目而得以提供容 易產生電弧的空間。Ar、Kr、Xe等惰性氣體，係較氧、氮 ^電離能率為高’故得如本發明，纟大氣環境中，當由 陽極電極向陰極電極邊供應該等惰性氣體或含有惰性氣體 的混合氣體’邊進行電弧放電時，即可沿氣體流路集中產 生^弧也就疋說；係藉由從陽極電極向陰極電極供應惰 丨氣體或3有惰性氣體的混合氣體，以作為電漿氣體使 用’即能集中電弧，而安定化該陰極點。 #也就疋說，本發明的要點，係使用惰性氣體或含有惰 丨、：：：此口軋體作為確保電弧放電路徑的電漿氣體，並 、衣兄氣體作成較電漿氣體難於電離的氣體環境，以使用 該二=氣體達成極度集中，且安定的電孤放電。結果，可 一技術所未有的集中為帶狀物質之高純度碳奈諾 官0 ]氣衣1兄中，由於將氧捲進電弧放電部故造成碳 的氧化與燃燒。此日4，略；> a 又凡 夺所生成的碳奈諾管雖有部分氧化， 但燃燒 >皿度較低的非S皙 化、_声，J:蛀 日日、厌，或夕晶石墨粉等雜質優先氧 ::匕、；結果ί有提升生成物中之碳㈣管的純度。 中之二雷’係'為藉由在惰性氣體環境，或活性氣體環境 中之放電’予以合成碳奈諾管，但 ：； 種乳體來放電，故雖因使用氣體的種類而能多 314848(修正版) 21 1285188 =到電弧的安定及生成物的品質提升，但得 分的效果，何況甚至無法達成于兄 帶狀物“砘度奴奈諾管密集的 4八f而’在電弧放電中，有所謂的”屏蔽氣體（Shield gas) 概心。此乃以覆蓋電弧全體的 A、一 々方式喷灑所定氣體，以將電 弧及其近傍的電極由大氣等 力以隔離者。係以簡易方式僅 將電弧近傍作成所定氣體環境為目的而用。因Λ， 體應屬於上述習用方法之環境氣體範疇。 ’、 (22)本發明的石炭奈諾管製生 S 方法，係於上述（18)或（19) 中，由令空電極内部向陰 =杈電極喷灑的惰性氣體或含有惰 性氣體的混合氣體流量設定為 心两甲空電極孔剖面面積每 1mm2 的 1〇 至 400ml/分者。 於上述（22)的發明中，ώ , 由中二電極孔供應的惰性氣體 或含有惰性氣體的混合氣體流量過少時’無法發揮作為電 i 氣體的充分功能’而流量過多時即導致連陽極周邊部之 電漿氣體濃度增加，不僅於中央部，在周邊部亦變成為容 易引起電弧放電的條件’致使無法集中電弧。故須如本發 月將由中工電極孔供應的惰性氣體或含有惰性氣體的混 合氣體流量透過設定於中空電極孔的剖面面積每imm2為 10至400ml/分，以使發揮作為電聚氣體的功能，而得以作 成僅陽極電極中央部較周邊部具有容易產生電孤放電的條 件者。其結果，得以集中陰極點，得以良好回收率生成高 純度碳奈諾管。 314848(修正版) 22 1285188 (23) 本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（18)或（19) 中’將兩電極除了電弧產生及終了位置外，令陰極表面上 的電弧產生點大致經過同一之溫度履歷地相對移動者。 (24) 本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（1 8)或（19) 中，忒移動係不再於陰極表面上之一度形成陰極點區域上 再次形成陰極點而進行電弧放電者。 (25) 本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（18)或（19) 中，將全部陰極電極、或電弧陰極點、或陰極電極上之電 弧執跡中之電弧前方部分，一邊加熱一邊進行電弧放電者。 、’、τ<由各種;的結果，為要有效地合成高純度碳奈諾 管之電極相對移動之本質，係如上述（23)之發明所述，須 使奴奈諾官生成的陰極表面上之電弧產生點之溫度履歷時 吊形成為同一狀態。 也就是說，在由電弧放電所產生的碳奈諾管合成，係 主要使由陽極碳電極產生碳蒸氣及碳離子擴散於陰極侧， 並在較陽極溫度為低的陰極電極表面處過凝縮，以合成碳 不諾g (尤係夕層叙奈諾管）者。因此，碳奈諾管之成長係 以陰極溫度為低溫者較快速，且陰極材料只要是耐熱性導 電材料，即不需限定於碳材料。 然而，由本發明者等的實驗結果明確顯示，於生成高 純度碳奈諾管上’僅增加陽極之碳蒸氣及碳離子，也只能 生成低合成率的碳奈諾管’因而’須將形成碳奈諾管的陰 極溫度保持於適宜溫度範圍至於重要。也就是說；如上述 (37)的發明，藉由以移動電弧於陰極表面上之一度形成陰 314848(修正版) 23 1285188 極點區域上不再次形成陰極點方式，可以將陰極上連續產 ^電弧之點的溫度大致保持於均勾狀態，而得連續地合成 高純度之碳奈諾管。 、同時亦確認到，如上述（25)的發明，在整個陰極電極， 或在電弧陰極點，或於陰極電極上之電弧執跡中之電弧前 方部分，當以適宜溫度邊加熱，邊進行電弧放電時，即可 合成剝離回收的帶狀高純度碳奈諾管。 此處所謂的陰極溫度，不僅為最高到達溫度，亦包含 升溫及冷卻過程之溫度變化速度等陰極表面上電弧產生點 =溫度（熱）履歷°也就是說；除形成碳奈諾管之峰值附近 皿度域外，其升溫速度及冷卻速度亦將對製造碳奈諾管帶 來極重要的影響。如冷卻速度較慢時，形成的碳奈諾管將 於之後的冷卻過程中，引起分解或燃燒，導致碳奈諾管的 回收率下降。又若滯留於形成碳奈諾管的適宜每值附近溫 度區的時間過短時，該碳奈諾管無法充分成長，且無法形 成帶狀物質。X升溫速度亦影響之後的+值溫度及冷卻速 度’因而影響碳奈諾管之形成。如上述，於形成碳奈諾管 的5極表面上之電弧產生點之溫度(熱)履歷，對形成碳奈 諾&有極大衫響’故為要安定地製造高純度碳奈諾管於高 回收率的狀況下’需使形成碳奈諾管之陰極表面上的電弧 產生點之溫度履歷時常維持於同一狀態，而相對移動電極 為：要措施。換言之，以移動的電弧產生點為基準時，係 以實現與時間無關的同一溫度狀態的準常態至為重要。而 該影響陰極表面上的溫度履歷因子，主要有：陰極物性、 314848(修正版) 24 1285188 形狀大小、勒期溫度，及電弧加熱、電弧個數，以及電 弧移動速度及移動路徑等。也就是說；對應陰極物性、形 狀、大小、初期溫度，及電弧加熱、電弧個數，為獲得適 宜的電弧產生點之溫度履歷，透過決定電極的相對移動速 1及路徑’即可進行高純度、且高回收率的碳奈諾管安定 製，，其結果，可以連續生成密集帶狀物質的高純度碳奈 諾管。 在同一地方移動多次的移動方法中，陰極溫度將逐漸 上升，而電弧產生點的冷卻速度下降，因而，無法安定地 製造高純度、且高回收率的碳奈諾管。又因於放電過一次 的陰極表面’有其物性或表面粗度產生變化的情況，雖將 $電條件或移動速度予以固定，但因在陰極上的電阻發熱 量’或電弧加熱分布形態產生變化，而無法使該電弧產生 點之溫度履歷為―定’以致形成同樣結果。為使電弧產生 點之溫度履歷大致保持為一定的移動方法，係在寬度及厚 j大致為一定的平板上作出僅一度的移動，或於圓柱或圓 筒狀陰極側面進行螺旋狀之移動較佳。若依上述方法，除 f生電弧的開始位置及終了位置外，電弧產生點大致可獲 =一定的溫度履歷，而且，若可獲得適宜溫度履歷的相對 矛夕動即可於全線上大致獲得增加碳奈諾管之純度及回收 量。 ,復於奴奈諾管充分成長之條件下，可連續形成習用技 2未有的始、集帶狀物質之高純度碳奈諾管。而此種帶狀物 貝可由陰極以帶狀方式予以剝離，因此使回收極為容易。 25 314848(修正版) 1285188 又於陰極的表面物性或表面粗度未變化時，在温度分 布成為一定後，得以再度使用陰極。而於陰極的表面物性 或表面粗度產生變化時，則可用切削或研磨等去除變質部 分後再予以使用。 (26)又，本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（18) 或（19)中’在陰極電極使用電阻率為4〇〇〇 # Ω . cm以上， 或導熱率為40W/m. κ以下之碳材料者。 於上述（26)之赉明中，為合成高純度及高回收量的碳 奈諾管，將陰極材料之電弧陰極點溫度提升某種程度較為 有利。為此，係使用電阻率（=固有電阻）較高，且傳熱性低 的所謂”石墨化度”低之碳質碳材料為宜。一般作為電極所 使用的碳材料之電阻率（=固有電阻）雖在5〇〇至2〇〇〇以 Ω · Cm左右的範圍’但若使用具有4000以Ω . Cm以上電 阻率的妷材料作為陰極材料，則於電弧放電時，於陰極材 料之陰極點近傍形成高電流密度，所以因電阻發熱使陰極 近彳方Φ成回電/爪雄度，所以因電阻發熱使陰極點近傍成 為^溫。因此，可獲得如於陰極加熱時同樣的效果，形成 較高回收量及高純度的碳奈諾管。 又因一般作為電極使用的碳材料之導熱率在5〇至 200W/m . K的*圍’且碳材料中之電阻率係與導熱率大致 呈「負」的相關關係。換言之’電阻率大者導熱率低不容 易傳導熱’故於較陰極點近傍形成高溫。又於電阻率為 Ο// Ω .em以上之碳材料的導熱率大致相當於卿 314848(修正版) 26 !285188 (27)本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（18)或（19) 中’使用表面的算術平均粗度（Ra)為3.2// m以下的碳材料 作為陰極電極者。 上述（27)的發明中，其於形成碳奈諾管後之冷卻過程 2之帶狀剝離機制，主要係由碳奈諾管聚合體所成綿狀物 貝的收縮率，以及附著於該表裡面的多晶石墨及非晶質碳 蓴皮或粒子的收縮率不同而產生熱應力造成分離。復因 於形成及冷部過程中之大氣氧化作用，使附著於帶狀形成 物表裡面之多晶石墨及非晶f礙薄皮，或粒子產生燃燒， 而導致陰極與帶狀物質的附著力變弱者。 然而，於陰極材料的表面粗度較粗時（算術平均粗度 (Ra)為4 · 0 # m以上時）陰極與帶狀物質之附著力增高，變 成較不容易引起剝離。復因不易將厚度1〇至5〇〇"瓜的帶 狀物質予以機械切削並回收，以，可將陰極碳材料的表 :粗度’ δ又疋》3.2# m以下，以使陰極與帶狀物質之附 著力減弱，藉由熱應力造成自然剝離，即可極容易地將形 成T狀之碳奈諾管予以回收。 (28) 本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述(⑻或⑽ 中’於電弧放電後之冷卻過程中，對該生成在電弧之陰極 點執跡上的生成物喷灑氣體並予以合成者。 (29) 本發明的碳奈諾管製造方法，係於上述（18)或⑽ 中’碳奈諾管係構成帶狀的聚合體者。 如上述（29)的發明所述，係於形成碳奈諾管後的形成 物噴麗氣體來冷卻形成物，而得以促進形成物㈣離。而 314848(修正版) 27 1285188 喷灑的氣體係除可燃性氣體以外之具冷卻效果之空氣、气 氣等任何氣體皆可。因形成物係於陰極電極表面形成薄= 狀，故以噴灑氣體，使由形成基盤之陰極電極，急速進行 溫度的下降’再由形成物與陰極電極間的熱應力作用，顯 著地促進其剝離。 ^ 再於噴灑氣體為含有氧氣時，或不含氧氣而於大氣環 土兄中時，即可藉由氣體的喷灑將大氣多少捲入一些，而具 有促進附著於形成物表裡面的多晶石墨及非晶質碳薄皮， 或粒子之氧化、燃燒作用，而其結果，導致被剝離為帶狀 之形成物之奴奈諾管純度提升，同時亦使陰極與帶狀物質 之附著力減弱，而具有促進帶狀物質的剝離效果。 【實施方式】 差」實施形熊： 以下依圖示之實施形態說明本發明·· 第19圖為大氣壓下，Ar每脚^!：四丨也-u 山 札i^乳體裱境中，以模式性顯示 碳材料電極之相互電弧放雷灿、w γ Α , 电弧敌毛狀況（一般放電）的圖。係於陽 極1使用棒狀碳材料，且在险搞 _ 隹u極2使用平板狀的碳材料。 如第1 9圖所示之大氣壓下，在 「 隹Ar軋體裱境中，電弧產生 =置將有較大的移動，而陰極點位置亦於陰極板（平板狀碳 上進行急劇不規則移動（第19圖係以不同時間的兩 電弧3a、3b重疊顯示）。4為降搞啥、ώ/· 私 馬险桎噴流Clet)係顯示陰極碳蒸 努’引起部分碳原子電離的部分。 ]丨刀上述電弧之急劇不規則 夕動在大氣壓下之&氣體環境中，尤為顯著。且在低壓 力下的氦氣及氫氣環境中，亦可觀察到同樣動作。 314848(修正版) 28 1285188 士第20圖係表示前述第19圖以一般放電產生短時間電 弧日守之陰極點觀察結果之掃描型電子顯微鏡（sem)照片。 八中（a)係表示陰極點中心部及其周邊部的sem照片，（b) 系陰極點中心部之SEM放大照片，而⑷為陰極點周邊部 的=εμ放大照片。由該等SEM照片可知，陰極點中心部 係密集形成碳奈諾管，相對於此在陰極點周邊部中，僅堆 積非日日I石反（am〇rph〇us carb〇n)塊。也就是說；在電弧之陰 極點具有合成碳奈諾管條件，但於其周邊部不具備合成碳 ’、5 S的條件。由該結果可知，在陰極點之急劇不規則移 動的一般電弧放電形態中，陰極電極上之碳奈諾管合成條 2與不合成碳奈諾管條件的交互反覆出現，導致僅能回收 S有弄多非晶質碳等雜質的陰極疊積物。 ^因此，如第1圖所示，於使用碳材料作為陽極的軸心 口P具有孔冑11 a的中空電極J i，在開放空間（大氣壓下的 大氣環境中），使由中空電極u内部之孔部Ua向電弧3 傳送J里Ar氣體時，即可沿氣體流路徑產生電弧3，且知 =極點亦時常於相向於氣體喷出口的位置形成產生電弧 形悲。此乃’在由電弧放電的高溫下，使Ar氣體之電離 =上升，使該導電性較周邊部為大，因而沿Ar氣體流路 徑產生電弧之故。又因中空電極内部係接觸惰性氣體，故 容易安定地形成陽極點。又如前所述，Ar等惰性氣體與電 子衝突所形成的電離效率較高，提供了容易產生電弧的空 :因此，右由中空電極11内部之孔部11a向陰極2開始 人$ An體令其產生電弧3的話，即可由產生電弧初期 314848(修正版) 29 1285188 起就能拘束電弧產生路徑，因而，得以防止陰極2上之電 弧陰極點的不規則移動。其結果，得能由產生電弧初期起， 在所固疋的陰極點之產生位置（電弧中心部）優先進行碳齐 諾管的合成，且可於該被固定的陰極點之產生位置（電弧= 心部）製造高純度的多層碳奈諾管合成物。 當將由該中空電極1 i的靜止電弧放電所獲得的陰極 壘積物，經由掃描型電子顯微鏡（SEM)加以觀察時，在其 中心部的陰極點位置，可判明於長時間電弧下，亦有高純 度碳奈諾管的合成。由中空電極u的靜止電弧放電，觀察 不到如上述第19圖所說明之陰極喷流，而由陰極2產生二 碳条氣係為喷出到與電弧柱重疊的位置，且藉由提升電弧 中之碳原子濃度，推測可提升碳奈諾管之合成效率。 唯該中空陽極電極可不限定於碳材料，亦可使用如水 冷式銅電極等非消耗電極。 而由陽極向陰極流動的惰性氣體或含有惰性氣體的混 :氣體，亦可如第2圖所示，使用棒狀㈣lu，且藉由 /口棒狀陽；f亟111另行配置的氣體喷嘴i i 2，以沿陽極側面 的方式向陰極電極流送氣體。若如上述，該氣體流若為充 刀的層流，即可沿該氣體流產生電弧，以使陰極點固定化。 此種狀況在後述之其他實施形態中亦同。 而由中空電極11内部之孔部11 a吹出的氣體，即使使 用、、屯Ar或’混合約5%的氫氣或氦氣的氬氣在該電弧形態 上看不出太大的變化。尤於Ar混入數％至數十％氫氣時， 並"、、知於電弧的安定性，而且可增加碳奈諾管之回收量。 30 314848(修正版) 1285188 此乃’氫氣具有防止在電極上昇華的碳成長為蔟生物之效 果，導致於陰極電極上形成容易合成碳奈諾管的條件。又 適宜氣體流量受到中空電極Π之孔部lla剖面面積的影 響，每1mm2的孔部lla剖面面積其流量為1〇至4〇〇ml/min。 第5圖係表示中空電極孔剖面面積及流通於内部的氣 體心量，與電孤產生形態之關係的實驗結果圖。由第5圖 可知，當若由中空電極π之孔部lla供給的純Ar或混合 、、、勺5 /〇的氫氣或氦氣的Ar氣體流量，係少於孔部丨丨&剖面 面積每1mm2 lOml/min時，則無法充分發揮作為電漿氣 體的作用，若該流量係多於孔部i la剖面面積每lmm2 400ml/min時，電漿氣體會增至電極周邊部，不僅於中央 部，連周邊部亦形成容易產生電弧的條件，而致使電弧益 法集中。 μ 如本實施形態所述，將中空電極u之孔部Ua供給的 氣體流量設定於中空電極u之孔冑Ua剖面面積每imm2 為10至4〇0ml/min，即可發揮電漿氣體的功能，且僅在陽 極中央部作成較周邊部容易產生電弧放電之條件。而其結 果，侍使陰極點集中，以形成高純度碳奈諾管之高回收率。 (實施例） 陽極電極使用外徑36mm、内徑1〇_的十空電極， 在開放空間(大氣麼下的大氣環境中），使由中空電極内部 之孔部向陰極電極邊傳送以每分# H)公升的流量之含有 3 %氮氣之Ar氣體，邊η發、a 違以電流500A、電壓35V(電弧長度 約5mm)的條件進行！分鐘放電。 又 31 314848(修正版) 1285188 第3圖係由中空電極進行1分鐘靜止放電所得陰極壘 積物中心部的掃描型電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope: SEM)照片。由該SEM照片可知，在陰極壘積 物中心部已合成有高純度多層碳奈諾管。而由該1分鐘之 月爭止電弧放電可獲得數丨〇mg的高純度多層碳奈諾管。 JL2實施形 弟4圖係本發明弟2實施形態之碳奈諾管製造方法說 明圖。圖中，其與上述第1實施形態之第1圖的相同部分， 係付與同一符號。 有關本實施形態的碳奈諾管製造方法，係於陽極電極 使用由碳材料作成，與上述第丨實施形態的陽極一樣使用 在軸心部具有孔部11 a的中空電極11，同時，亦將收容作 為觸媒之金屬粉末或金屬化合物粉末21之觸媒混合容器 22内部與中空電極n之孔部Ua連接，且在開放空間（大 氣壓下的大氣環境中）中，藉由觸媒混合容器22，由中空 電極11内部之孔部丨丨a向陰極2喷灑少量的氣體等惰 性氣體’或含有惰性氣體的混合氣體，同時，搭載於該氣 體流’將觸媒金屬粉末或金屬化合物粉末21注入，以使電 弧3產生於其間者。 於本實施形態中，由中空電極11之内部孔部丨丨a傳送 的氣體’亦使用純Ar或混合約5%氫氣或氦氣體的Ar氣 體。尤於Ar中混合數％至數十。氫氣時，亦無損於電弧的 女疋性’而且可增加碳奈諾管之回收量。此乃，如既述般， 氫氣具有將防止電極上昇華的碳成長為蔟生物之效果，而 32 314848(修正版) 1285188 導致於陰極電極上變成容易合成碳奈諾管條件者。 於本實施形態中之適正氣體流量，亦係與上述第丨實 :形態一樣，受中空電極u之孔部lla剖面面積影響，： 部lla剖面面積每lmm2為ι〇至4〇〇ml/min者。可由設定 該適正氣體流量產生電漿氣體功能，並僅於陽極電極 部作出較周邊部容易產生電弧放電之條件。其結果，得使 陰極點集中，以形成高純度碳奈諾管之高回收率。 其使用之金屬粉末或金屬化合物粉末種類，只要是具 有觸媒功能者皆為可用，但於本實施形態中，係使用T二 Ni、Co、FeS等的單體或該等混合體者。 而於本實施形態中，亦係由中空電極丨〗之内部孔邱 Ua向陰極2噴灑惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體， 故藉由電弧放電的高溫下，將使該惰性氣體或含有惰性氣 體的混合氣體之電離度上升，使導電牲較周邊部變大。2 因係於中空電極内面形成安定陽極點，因而，可沿氣體产 路徑形成產生電弧的拘束電弧形態。 復因本實施形態係將金屬粉末或金屬化合物粉末Μ 搭載於氣體流予以注入，因而，使觸媒藉由電弧熱形成超 微粒化，而該微粒子變成核，由其成長單層碳奈諾管。^ 就是說；得於固定之陰極點產生位置（電弧中心部）及其周 邊部製出高純度單層碳奈諾管之合成物。 σ JL 3實施形熊： 第6及第7圖係為說明本發明第3實施形態之碳奈諾 官製造方法中，表示由陰極預熱溫度產生碳奈諾管的狀況 314848(修正版） 33 1285188 之知描型電子顯微鏡（SEM)照片。 由電弧放電合成碳奈諾管時，主要係將由陽極碳電極 生之碳蒸氣及碳離子擴散於陰極侧，藉由在較陽極溫度 ”、、低的陰極電極表面進行凝縮而合成碳奈諾管(尤其是多 :奴奈諾官)。為此，陰極温度低者該碳奈諾管的成長速度 Ά而陰:極材料只要是耐熱性導電材料，即不必限定於 碳材料。 、唯因僅增加陽極的碳蒸氣及碳離子，也只能形成低合 成率的碳奈諾管，經本發明者的實驗結果證實，將形成碳 2料的陰極溫度保持於適正溫度範圍，在形成高純度碳 奈諾官上是重要問題。也就是說確認到；在與上述第i實 施形態或第2實施形態同樣的電極構成及該條件下，當於 陰極電極予以預熱至5〇〇至2〇〇(rc，再進行電弧放電時， 即較未將陰極電極予以預熱時為高溫，且可合成高純度碳 奈諾管。 換。之發現，在未預熱（第6圖（a))時未能形成碳奈諾 g而於預熱至500 C (第6圖（b))時，尚未有預熱效果， 僅有少量的碳奈諾管形成，及至2〇〇〇〇c (第7圖0))時，才 有多量之碳奈諾管形成，且在25〇〇t：(第7圖0))時，該陰 極碳的蒸發加劇，碳奈諾管的回收量亦隨著下降。 弟」實施形能： 第8圖係為說明於本發明第4實施形態之碳奈諾管製 造方法之由各種碳材料合成碳奈諾管之結果的說明圖。 為合成高純度及高回收量的碳奈諾管，係如上述第3 314848(修正版) 34 1285188 實施形態之說明，將险朽从』， 至某-程度較有利：電弧陰極點溫度予以提升 卜固古皆 作為電極使用的碳電極之電阻率 =:)約係在5。。至2_…一範圍：羊 具有4000 # Q 田災用 因在陰極材㈣卜極點、5且率之碳材料料陰極材料時， 密度，而因電阻的二二V二電弧放電時會形成高電流 將使陰極點近傍成為高溫，為此， 又传口於陰極預熱同樣的效果，並可 純度的碳奈諾管。 叹里及回 〜電極通常使用的碳電極導熱率在5G至㈣U的 且碳材料的電阻率與導熱率大致呈，，相負，，關係，也 就疋》兄’電阻率愈大導熱率愈低而難以導熱，故在較靠陰 極點近傍形成高溫。電阻率在4_# Ω .⑽以上的碳材 料，其導熱率大致相當於4〇w/m · κ以下。 第8圖係使用碳質、石墨質、碳質+石墨質等各種碳 材料八至G ’在上述第1或第2實施形態之同樣電極構成 及條件下進行電弧放電時，所獲得碳奈諾管之回收量及纯 度以3階段（〇：佳，△:普通，X:劣）來評價。由該第8 圖可知，一般電極，亦即電阻率（=固有電阻）為5〇〇至2〇〇〇 // Ω · cm程度，導熱率4〇w/m · κ以上的碳材料b、c、 D其專的;δ反奈諾管純度都較差，回收量亦係以碳材料b為 最差，碳材料C、D等為普通。又電阻率（=固有電阻）即使 超過2000 // Ω · Cm，但未滿4000 // Ω · cm時，導熱率 40W/m · K以上的碳材料E在碳奈諾管的回收量及純度的 任何一方都為普通水準。 35 314848(修正版) 1285188 、核況，電阻率（=固有電阻）為40〇Μ Ω …導熱率侧m.K以下的碳材料a、f、 ㈣回收量及純度都可獲得極良好的結果。 不諾 又於上述各貫施形態，係將電弧放電在開放空間（大氣 丄下大氣環丨兄中）進行者為示例予以說明，但亦可於容器 内進行。也就是說；亦可藉由釋放（relief)閥將容器内空間 開放於外部，同時，利用釋放閥將容器内空間設定於較大 氣壓為高的一定氣壓，強制導入大氣到容器内空間以作成 大氣環境，再由配置於容器内之中空電極内部，向陰極電 極噴灑Ar氣體等惰性氣體或含有惰性氣體之混合氣體， 以在其間進行電弧放電。 1 5實施形錐： 第9圖係說明本發明第5實施形態之含有碳奈諾管之 帶狀物質及碳奈諾管之製造方法的基本原理說明圖。 如第9圖所示，係使用以碳材料所成的陽極而於軸心 部具有孔部11a之中空電極11，在開放空間（大氣壓下， 大氣環境中）由中空電極11内部之孔部11 a，向電弧3吹 送少量Ar氣體，並於一面移動中空電極11 一面進行電孤 放電時，可確認到在電弧3中心部（陰極點）3 a通過的陰極 電極上形成帶狀物質，且該等有自然剝離現象。將該帶狀 物質以掃描型電子顯微鏡（SEM)及透射型電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscope: TEM)觀察結果，判知 係以高純度碳奈諾管之聚合體構成。該帶狀物質即高純度 碳奈諾管帶（下稱”高純度CNT帶”）3 1之形成機制 36 314848(修正版) 1285188 (generation mechanism)係如第 10 圖所示。 換言之，在電弧3中心部（陰極點）3&合成碳奈諾管的 機制，係與靜止電弧時一樣，唯於移動電弧時，係於電弧 周邊部3b形成非晶質碳32，故該電弧3移動部分之形成 物剖面如第10圖上段所示，為形成一種以非晶質碳32包 夾碳奈諾管聚合體的形狀。唯於電弧3過去德，、 狀與大氣接觸，故結晶性構造缺陷較多的非晶質碳優先 氧化、燃燒，而燒去一部分（如第1 〇圖中段），再於之後的 陰極電極2冷卻過程中，由於非晶質碳層及高純度碳奈諾 管聚合體間的熱膨脹率差異，引起高純度碳奈諾管之^狀 剝離現象（如第10圖下段）。如上述，藉由中空電極丨丨之 移動電弧放電，可有效率地合成高純度碳奈諾管，同時， 亦得以容易地回收帶狀高純度碳奈諾管聚合體。 (實施例） 與上述第1實施形態一樣，陽極電極使用外徑36历瓜， 内徑10mm的中空電極，在開放空間（大氣壓下的大氣環境 中），由中空電極内部之孔部向陰極電極以每分鐘1 〇公升 的流量傳送含有3%氫之Ar氣體，在電流5〇〇a，電壓 35V(電弧長度約5mm)條件下進行1分鐘放電。 藉由該1分鐘的靜止電弧放電，如上述第3圖（b) 之掃“型電子顯微鏡（sem)照片所說明一般在陰極壘積物 中心部即可合成數10mg的高純度多層碳奈諾管。 再於第11圖，表示高純度CNT帶3 1A的合成方法。 一成方法，係使用外徑1 〇 m m，内徑4 m m的中空電極11 314848(修正版) 37 1285188 作為陽極電極，陰極電極係使用直徑35mm的圓柱狀碳電 極2 A。此時，將陰極電極予以旋轉，同時，使中空碳電極 11朝陰極電極的軸方向直線性的移動，又在陰極電極上， 以晝螺旋方式移動該陰極點。該陰極電極之旋轉速度設定 為1.5轉/分鐘，中空碳電極（陽極電極）u之橫向（如第u 圖中之則頭方向）移動速度為35mm/分鐘，且陰極電極上的 電弧產生點移動速度約為17〇mm/分鐘。電弧放電係在開 放空間（大氣壓下的大氣環境甲）下進行，在由中空電極内 吹送的氣體即使用流量i公升/分鐘的純Ar氣體。放電條 件為··電流100A，電壓20V(電弧長度lmm)。又於電弧放 電後，陰極點在陰極電極上移動的螺旋狀位置，可合成寬 度至3mm，厚度100微米（micron)左右之帶狀高純度 CNT。而該CNT帶之寬度及厚度，亦得藉由電極形狀、尺 寸以及合成條件來予以變化。第12圖（〇、（b)係表示被合 成之高純度CNT帶的SEM照片。帶表面雖帶有約ι微米 的球狀非晶質碳，但内部係由高純度碳奈諾管聚合體構 成。上述程度的非晶質碳即可藉由氧化環境中之熱處理， 容易的去除。 於第13圖中表示兩條高純度CNT帶31A、31B的合 成方法°本合成方法，係使用外徑1〇麵，内徑4mm的兩 個中工炭電極11A、11B為陽極電極’陰極電極即使用直 仫3 5mm的圓柱狀之單一碳電極2A。將陰極電極予以旋 轉，同時，使中空碳電極11A、UB同時向陰極電極的軸 向作直線移動’且於陰極電極上以同一螺距描繪兩條螺旋 314848(修正版) 38 1285188 氣°電弧放電係在開放空間（大氣麼下的大 别：：八)進Γ其由中空電極内吹送的氣體即使用流量分

恳A升/分鐘的純Ar氣體。放電條件為··電流 電昼20V(電弧長度約lmm)。 A 、單陽極電極之第11圖所示高純度CNT帶的合 法中電弧產生點之適正相對移動速度如既述約為 Omi^/分鐘’但於多數陽極電極之帛η圖所示高純度 T帶的合成方法中，其電弧產生點之適正相對移動速 又’係為單一陽極電極時之約18倍的31〇麵/分鐘。此乃 因兩熱源的相互影響，使獲得適正溫度履歷之電極的相對 和動速度’較單一陽極電極時，變為肖18倍。隨著該預 熱或加熱程度之增加’形成帶狀物質之最適宜電弧產生點 之相對移動速度上升現象，亦可見於後述之其他實施形態 在檢討多方改變影響陰極表面之溫度履歷因子之結 果，為f現本發明發現，±述電弧產生點之相#移動速度 係以10mm/分鐘至1000mm/分鐘範圍為宜。尤以5〇mm/分 鐘至50〇mm/分鐘的範圍之相對移動速度較佳，且相對移 動速度若在100mm/分鐘至350mm/分鐘的範圍，即可形成 極良好的碳奈諾管聚集之帶狀物質。而在相對移動速度未 滿10mm/分鐘的極慢移動，即使多方變化影響陰極表面之 溫度履歷的因子，亦難於獲得適正範圍之溫度履歷。換言 之’若為獲得所定峰值溫度而設定電弧輸入熱等時，由於 之後的冷卻速度顯著地下落，故致使已形成的碳奈諾管長 314848(修正版) 39 I285188 度超；熱下，而導致純度的下落。又若相對移動速 二過UKHW分鐘時’亦同樣難於獲得適正範圍之溫度 之二亦即，例如為獲得所定♦值溫度，須將每單位時間 弧輪人熱設定於大值，如此—來陽極的消耗將變得顯 ，而導致長時間運轉的困難。復因滞留於峰值溫度附 、時間變短’使所形成的碳奈諾管厚度極端地變 致無法形成帶狀物。 、在單一陽極電極的第U圖所示高純度CNT帶之合成 方去中，於中空碳電極1 1之直線移動停止狀態下，旋轉陰 °電極的圓柱狀碳電極2 A，使其於同一圓周上重複進行放 電=，在陰極電極的丨旋轉期間，雖可連續形成帶狀碳奈 ^ 但於第2圈起，形成碳奈諾管可回收之帶狀物的比 率將急速減少。此乃於第丨圈的放電中，因放電」熱量促進 石墨化，導致電阻率減少，或導熱度增加而使放電執跡部 之陰極材質變化，致使第2圈以後的溫度履歷大幅地變 化以及於第1圈的放電中，使陰極材料表面產生氧化， 導致表面粗糖度增大的帶狀形成不易進行剝離。對此，令 中空電極11進行直線移動，並將電弧放電軌跡作成螺旋 狀’而於陰極表面上之一度形成陰極點的區域不再形成陰 極點的加以移動時，得在放電產生部之全部執跡合成及採 取π狀之碳奈諾管。又因，由於電弧放電所引起的陰極材 料變質及表面氧化亦產生於放電產生部近傍，故執跡間的 間距係以4mm以上，尤以8mm以上為宜。如上述，透過 陰極表面的電弧放電產生部執跡以不交叉的方式相對移 40 314848(修正版) 1285188 動’彳于安定地合成帶狀碳奈諾管。但由陰極熱產生的變質 ^係限於表面層’故得以用研磨或切削變質部分簡單地予 以去除。之後，可再度使用。 第14圖及第15圖係皆為表示使用本實施形態之CNT f的電場放出型電極的模式圖。含有碳奈諾管的帶狀物質 3 1 ’為一礙奈語管純度高，且係在一條一條的碳奈諾管， 僅以部分相互觸接之合成狀態下，維持其細束性狀態之均 勻薄膜狀者，故可以直接夾在兩基板50、50間，或直接黏 貼於基板50及電極上，作為高性能電場放出型電極使用。 例如；將帶狀物質3 1夾在兩基板5〇、5〇間，做成使帶狀 物質31之一端露出之形態即可，或在基板5〇的一面塗上 導電性黏著劑等5 1，再將帶狀物質3 1貼上即可，由於不 舄之後的表面處理等，因此，得以削減製造步驟及製造成 本。在此，上述導電性黏著劑5丨可使用銀、鎳或鋁等金屬 粉末，或將石墨粉與溶劑混合之導電性膏狀物（paste)。唯 當溶劑含有率高時膏狀物的黏度會下降，膏狀物透過毛細 管現象會浸入到帶狀物質3丨細部，而使構成帶狀的碳奈諾 官聚結為一束狀。若帶狀物表面的碳奈諾管聚結為束狀， 即須施行某種表面處理否則無法獲得良好的電場放出特 性。為防止該現象的產生，應使用黏性高、溶劑含有率低 的貧狀物黏貼帶狀物質3 1為宜。雖然高黏性膏狀物亦有些 許會浸透到帶内部，唯只要不浸透到帶狀物質31表面之碳 奈諾官，就不會影響其電場放出特性。亦可採取以膏狀物 黏貼帶狀物質3 1 ’並用基板夾定之形態。 314848(修正版) 41 1285188 如上’藉由使用碳奈諾管密聚的帶狀物質3 1，得將碳 奈諾管簡單地製造為容易發揮電子源特性形態的電場放出 型電極。 第21圖係說明使用CNT帶的電場放出型電極之製造 2法的另一實施例模式圖。在此實施例中，係將含有碳奈 苔的▼狀物質11 〇夾壓於兩基板121、122之間後，利用 剝離方式附著於該等基板121、122上。 首先，將厚度約為50至5〇〇 # m的帶狀或片狀之帶狀 物質U〇配置在一對基板121、122間（如第21圖⑷），加 壓將帶狀物f 11〇予以夾住（如帛21圖⑻），再剝離上述一 對基板121、122(如第21圖（c))。 此時，帶狀物質110將於厚度方向被剝離為兩片，因 在基板121、12 2上，分別附著被剝離的帶狀物質111、 U2(下稱帶狀剝離物質）。也就是說；由基板ΐ2ι與帶狀剝 離物質ill，及基板122與帶狀剝離物質ιΐ2 雷 場放出型電極141及142。 /成電 上述基板材料得使用導電性金屬或金屬化合物，以及 非導體的玻璃或樹脂等種種材料。 第22圖係表示上述第21圖之製造方法所作成的電場 放出型電極之模式圖。其與第21圖相同部分係付與同 符號。 、 在基板121上附著帶狀剝離物質111(將附著面訂為 iiiB)，在帶狀剝離物質lu表面ιιιτ上有立起的碳夯禚 管纖維（於下段詳述）。 42 314848(修正版) 1285188 (接合面） 第23圖係表示於第2 1圖的製造方法製造的電場放出 型電極中’基板121與帶狀剝離物質ill之接合面111B 近傍的電子顯微鏡照片。在上述加工所得的帶狀剝離物質 111之剝離面111Τ上，暫時黏貼黏貼帶後，再將該黏貼帶 予以剝離，並將基板i 21予以裁切、研磨者。 依元素分析結果，可知照片中央部的白色部分為碳奈 諾管纖維，在其下側為鋁基板，在以黏著帶予以剝離的程 度幾乎是所有的碳奈諾管纖維殘留於基板1 2丨表面。 換言之，係表示該碳奈諾管纖維與基板12丨形成無間 隙的密接貼合，且使碳奈諾管纖維與基板間之接合強度大 於碳奈諾管纖維與黏貼帶間之接合強度者。 該接合前之銘基板，係以〇 · 1 # m以下的凹凸表面完 成鏡面加工，但因於加壓後整體的凹凸增大為數# m，故 產生因加壓而引起的基板微小變形。由此，可推定由加壓 可增大與碳奈諾管纖維之觸接面積及密著。且知產生碳奈 諾管纖維對該基板存在所謂，，機械性接合，，之嵌入狀態。 因此，對基板12 1、122之碳奈諾管的附著機制，可推 測為係由加壓使碳奈諾管的一部分侵入基板121、122之材 料表面凹凸部分，而產生機械性掛勾而產生結合力之所謂” 投錯機制”（機械性結合）、基板121、122之材料表面變形 而因肷入石反奈諾管導致產生同樣效果、構成碳奈諾管之碳 原子的一部分與基板121、122之原子結合的化學結合，及 凡得瓦（Van-der Waals)力等之物理結合之中的任何一種， 314848(修正版) 43 1285188 或各種結合力的組合產生作用。 (剝離面） 第24及第25圖#矣+%哲。1 ,κ ^ L 糸表不於第21圖所示製造方法中，帶

狀剝離物質1丨〗4，丨M r , ^ 1T的電子顯微鏡照片。第24圖 係將剝離面1 1 1 τ由卜古兹目於b

方觀务者，第25圖係將剝離面111T 予以垂直裁斷者。 "圖及第25圖中，可全面觀察到碳奈諾管纖維 曰C羽毛狀的模樣。*該羽毛狀處橫向觀察，可看到 丁諾e纖維向開放空間豎立延伸。也就是說、糾合在一 起的碳奈諾管纖維，係由上述製造方法以解開。 、換言之’構成帶狀物質的碳奈諾管纖維之每一根，係 互乂複雜的糾纏狀態構成帶狀 '然而，因碳奈諾管被壓縮 時有相互集結的性質，故於加壓時碳奈諾管雖會集結，但 其集結力係較對基板之附著力為弱。因此，加壓後剝離基 板1丨22時，附著於基板12 1、122的糾纏在一起的碳 奈諾管纖維，即由該集結部被解開（被剝離）且切斷，致使 該被切斷之碳奈諾管纖維配向於與剝離方向平行（與基板 121、122的相對面垂直）。 也就是說構成帶狀物質丨丨〇的碳奈諾管纖維，係因其 長度較長，且係複雜地糾纏在一起，故於剝離後之剝離面 111T、11 2T具有如羽毛狀的豎立形態。 因而’可簡單地製造出保證在基板12丨、丨22與帶狀剝 離物貝111、112間的附者面具導電性，且在 剝離面111T、11 2T具有優異電子放出特性之電場放出型 44 314848(修正版) 1285188 電極。 亦即，得以直接於被剝離狀態下設置在電氣機器，或 電子裝置上，故可藉由使用密集碳奈諾管纖維帶狀物質， 簡單地製造出黏貼有碳奈諾管以容易發揮作為電子源特性 之形態之電場放出型電極。 第26圖為說明使用CNT帶的電場放出型電極的製造 方法之另一種實施例之模式圖。且將其與上述第21圖相同 部分付與同一符號。 於该貫施例中，基板上亦將含有碳奈諾管之帶狀物質 110夾壓於兩基板112、123間後，以剝離方式將其附著於 該等基板122、123上。但在此，係將一方基板123由較另 方基板122更具高變形能的物質（下稱變形板）構成。首先， 將帶狀物質110配置於基板122及變形板123間（如第26 圖（a)) ’再將帶狀物質11〇予以夾位並加壓（如第26圖（b)) 後，將基板122及變形板123予以拉開（如第26圖（(〇)。 此時，帶狀物質110係於厚度方向被分離為兩片，因 此，在基板122及變形板123上分別附著帶狀剝離物質 112 、 113 〇 亦即，由基板122與帶狀剝離物質112、及由變形板 123與帶狀剝離物質丨丨3分別形成電場放出型電極丨42，及 附著有帶狀物質之變形板143。 復由於變形板123表面經加壓會變形，因而，在附著 有帶狀物質之變形板143表面的帶狀剝離物質11 3周圍形 成凸起部124。也就是說；變形板123因產生塑性流動而 45 314848(修正版) !285188 對對方的基板122’在其整個表面產生均勻的加壓力作 用+ °此結果，可獲得無附著不均勾的較均句的碳奈話管附 者面112B。 尤其即使於基板122表面為不完全平滑時，可在基板 22之較突出部分，及較凹陷部分之任何部分，因加壓力 的均勻作用，而獲得均一的附著。因&，於剝離時，可使 附著面U2B不致於由基板122表面形成部分性的剝離。 換言之，得以保證附著面U2B的均一附著強度。 以電弧放電合成帶狀物質110時，位於陽極側的帶狀 物質110面之一方，係較陰極側面對基板具有較強的附著 力（帶狀物質的陰極電極側，多少附著有陰極之碳材料，碳 奈諾管的純度係較陽極側差）。而且，變形能較大的變形板 123 一方，具較基板122為強的附著力。因此，若將帶狀 物質110陽極側之面配置於基板122側，而將陰極側之面 配置在變形板123側，則可使各該面的附著強度略相等（使 忒等的差值變小），且可獲得在基板丨22無附著不均勻而較 均一的碳奈諾管附著面112B。 士亦得以將導電性金屬、金屬化合物及非導體的玻璃及 树脂等各種材料使用為基板〗22的材料。 例如，基板122為不銹鋼圓盤（直徑5mm)時，變形板 123得使用銦塊等，亦可使用鉛、銲錫、鋁等以獲得同樣 結果。 第27圖係說明使用CNT帶之電場放出型電極的製造 方法之另一貫施例模式圖，且將其與上述第26圖相同部分 46 314848(修正版) 1285188 付與同一符號。 在該實施例中，先如第27圖（a)，將基板122、變形板 123及帶狀物質11〇的俯視形狀分別做為略相同狀，將具 有與讜俯視形狀為同一形狀的穿通孔之母模15〇(相當於沖 模，die)配置其中。 再如第27圖（b)所示，將母模150内之變形板123，以 衝頭（pUnCh)16〇按壓。此時，變形板123的外廓受母模15〇 的拘束而不向外廓方向變形，因此，得以向帶狀物質ιι〇 確實加壓。 之後，如第27圖（c)，將基板122及變形板123分離， 由此，可如上述第26圖一樣，由基板122及附著於其上的 f狀剝離物質112形成電場放出型電極ι42，而由變形板 123及附著於此之帶狀剝離物質U3形成附著帶狀物質的 變形板143。 如上述，得將帶狀物質11〇利用與其平面上為同一形 狀之基板122及變形板123從兩側加以夾住，且配置在具 有與其平面上為同一形狀之穿通孔的母模15〇内，並以衝 頭160按壓’而得以獲得變形板123不因加壓而向外周側 變形’同時’在其表面亦無凸起的較均一的附著。χ分離(剝 離）通常係在母模1 5 0外進行。 第28 ®係本發明電場放射型電極的電場放出特性與 習用技術之比較。係於真空中，卩電場放出型電極作為陰 極，使與陽㈣距離為〇.lmm，並將獲得的預定電流密度 (lOmA/cm2)時之施加電壓予以比較者。 314848(修正版) 47 1285188 本發明的電場放射型電極與習用技術比可確認出，在 獲得預定電流密度上，可特別減少施加電壓，因而具有極 高的電場放射能量。 換言之，印刷含有粉末狀碳奈諾管膏狀體者的施加電 壓為680V，相對的黏貼帶狀物質者的施加電壓卻為 440V。而且以基板夾住法，或使用由基板與變形板夾住法 者之施加電壓為210V與192V，因此，得以確認電子放出 能置的提升。 第6實施形態： 有關本發明之第6實施形態之含有碳奈諾管帶狀物質 及碳奈諾管製造方法的基板原理，係如上述第4圖的說 明，並加上由電極的相對移動而在陰極電極上的電弧產生 點之移動者。 換言之，有關本實施形態之含有碳奈諾管帶狀物質及 碳奈諾管製造以，係如第4圖，以碳材料作成陽極，並 使用”上述第5貫施形態的陽極一樣在轴心部具孔部“ & 的中空電極11，同時，連接收容有作為觸媒之金屬粉末， 或金屬化合物粉末21的觸媒混合容器22内及中空電極u ，孔邛11a ’於開放空間(大氣壓下，大氣環境中)藉由觸媒 此口谷裔22，由中空電極} i内部的孔部}卜，向陰極電極 體’同時’搭載於該氣體流注人觸媒金屬粉末，或金屬化 合物粉末2 1，再使中办雪&彳,^l 甲王電極11對陰極碳電極2邊相對移 動，邊進行電弧放電為特徵。 314848(修正版) 48 1285188 广在本實施形態中，由中空電極11内部的孔部lla吹送 的氣體，係使用純Ar或混入約5%氫氣或氦氣的^氣。 尤其於气中混人數％至數十％氫氣時，可不損及電弧安定 性地增加碳奈諾管之回收量。此乃如既述，在氫氣具有防 止在電極上昇華之碳成長為蔟生物的效果，且於陰極電極 上形成容易合成碳奈諾管之條件者。 本實施形態中的適正氣體流量，如上述第5實施形態 中-樣，受中空電極u的孔部Ua剖面面積影響，係以孔 部lla剖面面積每lmm^ 1〇至4〇〇ml/分鐘。經由設定該 適正流量，使得電漿氣體發揮功能，並作出僅以陽極電極 中央部較周邊部容易產生電弧放電的條件。其結果，得使 陰極點集中，以獲得高純度高回收率之碳奈諾管。 又於本實施形態中，所使用之金屬粉末或金屬化合物 粉末種類，只要是具有觸媒功能者皆為可用，但於本實施 2態中，係使用㈣义…等的單體或該等 體。 而於本實施形態中，亦係由中空電極U之内部孔部 11a向電弧3嘴灌惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體， ::電弧放電的高溫下，將使惰性氣體或含有惰性氣體的 〆 升而¥電性較周邊部也變大。又因 :於中空電極内面形成安定陽極點，因而，形成沿氣體流 路徑產生電弧的拘束電弧形態。 ^復因本實施形態係將金屬粉末或金屬化合物粉末21 搭載於氣體流予以注入，因而，使觸媒因電弧熱形成超微 314848(修正版） 49 1285188 粒化’而以該微粒子為才亥’由其成長單層碳奈諾管。也就 是說；得於固定之陰極點產生位置(電弧中心部)及其周邊 部製出高純度單層碳奈諾管之合成物m邊移動中空 電極11邊進行電弧放電，即可如上述第9圖之說明一樣， 於通過電纟3中心部（陰極點）之陰極電極上形成含有高純 度單層碳奈諾管的帶狀物質3 i。 第7實施形熊： 第16圖係本發明第7實施形態的含有碳奈諾管的帶狀 物質3 1，及碳奈諾管的製造方法說明圖。圖中，其與上述 第5實施形態之第U圖相同部分，係付與同一符號。 在由電弧放電合成碳奈諾管時，主要係將由陽極碳電 極產生之碳条氣及碳離子擴散於陰極側，並透過在溫度較 陽極為低的陰極電極表面凝縮以合成碳奈諾管（尤其是多 層石反奈諾官）。因此，陰極溫度愈低者碳奈諾管的成長速度 愈快，陰極材料只要是耐熱性導電材料，即不必限定為碳 材料。 唯因僅增加陽極的碳蒸氣及碳離子，也只能形成低合 成率的碳奈諾管成長，因此，保持形成碳奈諾管的陰極溫 度於適正溫度範圍，將為形成高純度碳奈諾管上之至要問 題’此點即由發明人等由實驗結果予以證實。也就是說； 與上述第5實施形態，或第6實施形態一樣的電極構成及 條件下’如第16圖所示，當將陰極電極2 A全體，以另外 電源（交流電源）通電加熱後，進行電孤放電時，即較未將 陰極點部之溫度預熱的情況獲得較高溫度，且知道能合成 50 314848(修正版) !285188 合有高純度碳奈諾管的帶狀物質。 a如上述，為合成高純度及高回收量碳奈諾管，將陰極 ' 皿度予以提升某種程度較有利。通常作為電極使用 “:電極之電阻率(=固有電阻)係* 5〇〇至。⑽ 的砣圍。然若使用具有4〇叫Q · cm以上電阻率之碳材 Z作為陰極材料時，因在陰極材料的陰極點近傍，於電弧 電時會成為高電流密度，故由於電阻發熱，使陰極點近 二成為高溫’為此，可獲得如於陰極加熱同樣的效果，而 合成高回收量及高純度的碳奈諾管。 :般使用為電極之碳電極導熱率，纟⑽至2嶋/m. K的範®，且碳材料的電阻率與導熱率大致具有，，相負，，的 關係’也就是說；電阻率愈大者導熱率愈低而難以導熱故 越在陰極點近傍形成高溫。電阻率為4_ " ω .⑽以上 的碳材料’其導熱率大致相W4GW/m.K以下。 實施形熊： 第1 7圖係本發明第8實施形態的含碳奈諾管的帶狀物 及碳奈諾管的製造方法說明圖。圖中，其與上述第5 實施形，之第U圖相同部分’係付與同一符號。 本實施形態之含有碳奈諾管的帶狀物質及碳奈諾管的 製造方法’係在與上述第5實施形態或第6實施形態同樣 的電極構成及條件下，如第17圖般，將電弧3之陰極㈣ 陰極電極上之電弧軌跡中的電弧前方部分，利用來自 雷射振盪益之雷射光線邊加熱邊進行電弧放電者。 於本實施形態中，亦可使陰極點部之溫度較不可熱時 314848(修正版) 51 1285188 為高的溫度’而能合成含有高純度碳奈諾管之帶狀物質。 羞9實施形熊：_ 第1 8圖係本發明第9實施形態的含有碳奈諾管的帶狀 物質’及碳奈諾管的製造方法說明圖。圖中，其與上述第 5貫施形態之第11圖相同部分，係付與同一符號。 本實施形態之含有碳奈諾管的帶狀物質及碳奈諾管的 製造方法，係在與上述第5實施形態或第6實施形態同樣 的電極構成及條件下，如第丨8圖般，係於形成在電弧3 陰極點執跡上之形成物亦即高純度CNT帶3 A上，由氣體 喷嘴喷灑氣體者。 在帶狀物質形成後，藉由於形成物上噴氣，以冷卻形 成物，可促進帶狀物質剝離。該喷灑的氣體除可燃性氣體 外，凡具有冷卻效果之如；空氣、氮氣等皆可使用。帶狀 物質係在陰極電極2A上，形成為薄膜狀，故可藉由噴灑 乳體而較陰極電極2A更快速地下降溫度，導致帶狀物質 ”陰極電極間產生熱應力作用，因而，得以顯著促進剝離 者。 ^又若於喷灑的氣體中含有氧氣時，或不含氧氣但在大 氣環境中時，由於噴灑氣體將多少帶入些大氣，而將促進 附著在帶狀物質表裡面的多晶石墨及非晶質碳薄皮或粒子 等的氧化或燃燒。其結果’可提升帶狀物質之碳奈諾管純 度，同時，亦使陰極與帶狀物質間之附著力轉弱，以促進 該帶狀物質之剝離。 上述陰極與帶狀物質間之附著力，係依陰極材料表面 52 〇 314848(修正版） 1285188 之算術平均粗度（Ra)變動。換言之，陰極材料表面較粗（算 術平均粗度（Ra)為4· 0 // m以上）時，陰極與帶狀物質間之 附著力增強而產生不容易剝離。因此，陰極電極應使用表 面的异術平均粗度（Ra)為3 ·2 // m以下之碳材料，以使陰極 與帶狀物質間之附著力變弱，再以熱應力自然剝離，即可 使帶狀物質之回收變得極為容易。 【圖式簡單說明】 第1圖係由本發明第1實施形態之碳奈諾管製造方 法，將碳材料電極相互之電弧放電狀況，以模式表示之示 意圖。 第2圖係由本發明第1實施形態之碳奈諾管製造方 法，將陽極電極之變形例，以模式表示之示意圖。 第3圖（a)係由第1實施形態之碳奈諾管製造方法，所 獲得之陰極堆積物中心部之掃描型電子顯微鏡（sem)照 片。 第3圖（b)係由第丨實施形態之碳奈諾管製造方法，所 獲得之陰極堆積物中心部之掃描型電子顯微鏡（SEM)照 片。 第4圖係由本發明第2實施形態之碳奈諾管製造方 法，將碳材料電極相互之電弧放電狀況，以模式表示之示 意圖。 第5圖係表示中空電極孔剖面面積及流通於内部的氣 體流ΐ，與電弧產生形態之關係的實驗結果圖。 第6圖（a)係為說明由本發明第3實施形態之碳奈諾管 53 314848(修正版) 1285188 衣l方去之陰極預熱溫度所顯示碳奈諾管形成狀態的陰極 點部，掃描型電子顯微鏡(sem)照片。 ”止第6圖（b)係為說明由本發明第3實施形態之碳奈諾管 製t方去之陰極預熱溫度所顯示碳奈諾管形成狀態的陰極 點部之掃描型電子顯微鏡（SEM)照片。 第7圖（a)係為說明由本發明第3實施形態之碳奈諾管 衣^方法之陰極預熱溫度所顯示礙奈諾管形成狀態的陰極 點部之掃描型電子顯微鏡（SEM)照片。 第7圖（b)係為說明由本發明第3實施形態之碳奈諾管 製造方法之陰極預熱溫度所顯示碳奈諾管形成狀態的陰極 點部之掃描型電子顯微鏡（SEM)照片。 第8圖係用以說明本發明第4實施形態之碳奈諾管製 造方法的由各種碳材料所表示的碳奈諾管合成結果的說明 圖。 第9圖係說明本發明之含有碳奈諾管之帶狀物質及碳 奈諾官之製造方法的基本原理說明圖。 第1 〇圖係說明碳奈諾管形成機理的說明圖。 第11圖係表示第5實施形態之含有碳奈諾管之帶狀物 質及碳奈諾管之製造方法所使用單一陽極的碳材料電極相 互之電孤放電狀況，以模式表示之示意圖。 第12圖（a)係碳奈諾管的掃描型電子顯微鏡（Sem)照片。 第12圖（b)係碳奈諾管的掃描型電子顯微鏡（SEM)照片。 第1 3圖係表示第5實施形態之含有碳奈諾管之帶狀物 質及碳奈諾管之製造方法所使用複數個陽極的碳材料電極 54 314848(修正版) 1285188 相互之電弧放電狀況，以模式表示之示意圖。 第14圖係表示使用碳奈諾管帶之電場放出型電極之 模式性示意圖。 第15圖（a)係表示使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 之模式性示意圖。 第1 5圖（b)係表示使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 之模式性示意圖。 第15圖（c)係表示使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 之模式性示意圖。 第1 6圖係表示本發明第7實施形態之含有碳奈諾管之 帶狀物質及碳奈諾管之製造方法之碳陰極電極加熱方法以 才果式表不之不意圖。 第1 7圖係表示本發明第8實施形態之含有碳奈諾管之 帶狀物質及碳奈諾管之製造方法之碳陰極電極加熱方法以 模式表示之示意圖。 第1 8圖係表示本發明第i實施形態之含有碳奈諾管之 帶狀物質及碳奈諾管之製造方法之形成物冷卻方法以模式 表示之示意圖。 第19圖係於大氣壓下、Ar氣體環境中，碳材料電極 之相互電弧放電狀況（一般放電）的模式示意圖。 第20圖（a)係表示以一般放電產生短時間電弧時，觀 察陰極點結果之掃描型電子顯微鏡（Sem)照片。 第20圖（b)係表示以一般放電產生短時間電弧時，觀 察陰極點結果之掃描型電子顯微鏡（sEM)照片。 314848(修正版) 55 1285188 第20圖（c)係表示以一般放電產生短時間電弧時，觀 察陰極點結果之掃描型電子顯微鏡（SEM)照片。 第21圖（a)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製造方法的其他實施例之模式圖。 第21圖（b)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製造方法的其他實施例之模式圖。 第21圖（c)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製造方法的其他實施例之模式圖。 第22圖係模式性表示以第21圖之製造方法製造電場 放出型電極之示意圖。 第23圖係表示以第21圖之製造方法製造的電場放出 i電極其與基板剝離的帶狀物質接合面近傍的電子顯微 鏡照片。 第24圖係表示以第2 1圖之製造方法製造的電場放出 電極其▼狀物質被剝離的剝離面之由上方俯視的電子 顯微鏡照片。 第25圖係表示以第21圖之製造方法製造的電場放出 J-τ ，甘 11 ’/、帶狀物質被剝離的剝離面之垂直裁切的電子顯 微鏡照片。 ， 第26圖（a)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 衣化方法的其他實施例之模式圖。 • 第26圖（b)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製化方法的其他實施例之模式圖。 弟26圖（c)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 56 314848(修正版) 1285188 製造方法的其他實施例之模式圖。 第27圖係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製造方法的其他實施例之模式圖。 •第27圖（b)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製造方法的其他實施例之模式圖。 第27圖（c)係說明使用碳奈諾管帶之電場放出型電極 製造方法的其他實施例之模式圖。 第28圖係說明將有關本發明之電場放出型電極的電 琢放出特11 ’肖習用方法製造之電場放出型電極做比較之 說明圖。 【主要元件符號說明】 1 2A 極 2 陰極（平板狀碳材料） 圓柱狀碳電極 3 電弧 3a 電5瓜、電弧中心部 3b 電弧、電弧周邊部 4 陰極喷流 11 中空電極 11A 、11B 中空碳電極 11a 孔部 21 金屬化合物粉末 22 觸媒混合容器 31、 11〇石反奈諾管（帶狀物質） 31A 、3 1B 碳奈諾管帶 32 非晶質碳 50、 121、122 基板 51 導電性黏著劑 111 剝離帶狀物質（棒狀 陽極孔） 111B 、112B 接合面（附著面） 111T 、112T 剝離面 112 氣體噴嘴 113 剝離帶狀物質 124 凸起部 314848(修正版) 57 1285188 141、 142 電場放出型電極 150 160 衝頭 123 母模 基板（變形板） 58 314848(修正版)

Claims (1)

1285188 拾、申請專利範圍： 1. 一 禋兮有％佘諾官之帶狀私併 部，朝向由碳材料構成之陰極1由中空陽極電極之内 境氣體高之惰性氣體或電離能率較環 =弧產生路徑’同時，藉由移動兩電極二 極點移動於陰極材料上而予以合成者。 2. —種含有碳奈諾管之帶狀物質，係 成者 部，朝向由碳材料構成之 ''中^極電極之内 ^ ^ ^ ^ ^ ^ K極^極噴灑電離能率較環 支兄風體咼之惰性氣體咬冬古 札菔次3有该惰性氣體之混合氣體， 以揭限電弧產生路徑’同時，藉由移動兩電極之相對位 置、，使電弧之陰極點移動於陰極材料上而予以合成，厚 度為10至500#m、官庚氣1 s 、 I度為1至Wmm、且為任意長度 之主要為具有碳奈諾管之綿狀聚合體者。 種3有奴不諾官之帶狀物質，係由中空陽極電極之内 W朝向由妷材料構成之陰極電極噴灑作為觸媒之金屬 粉末或金屬化合物粉末，且噴灑電離能率較環境氣體 南之惰性氣體或含有該惰性氣體之混合氣體，以侷限電 弧產生路徑，同時，藉由移動兩電極之相對位置，使電 弧之陰極點移動於陰極材料上，而予以合成者。 4· 一種含有碳奈諾管之帶狀物質，係由中空陽極電極之内 口P朝向由碳材料構成之陰極電極喷灑作為觸媒之金屬 ^末或金屬化合物粉末，且喷灑電離能率較環境氣體 高之惰性氣體或含有該惰性氣體之混合氣體，以侷限電 弧產生路徑，同時，藉由移動兩電極之相對位置，使電 314848(修正版) 59 1285188 說之陰極點移動於陰極材料 5 ,λλ ^ 刊7寸上啲于以合成，厚度為10 至500#m、覓度為1 王1 umm且為任意長度 具有碳奈諾管之綿狀聚合體者。 … 5 ·如申請專利範圍第1 今势一… 中任何一項之含有碳奈 从“… 、r係使用虱或風與氫氣的混合氣體 电炫仏應之乳體，且電弧放電係 在大氣環境中進行者。 6·如申請專利範圍第〗項至第 ^ .. 罘4項中任何一項之含有碳奈 諾官之帶狀物質，係將電弧產生及 土叹終了位置除外，而使 陰極表面上之電弧產生點以歷經、w u μ度履歷的方 式，令兩電極相對移動，而予以合成者。 7·如申請專利範圍第i項至第4項中 乐項中任何一項之含有碳奈 諾^之帶狀物質，係為不使险福矣 極表面上之已一度形成陰 極點區域，再度形成陰極點之方式 々八卞以移動而合成者。 8. 如申請專利範圍第i項至第4項中任何一項之含有碳奈 諾管之帶狀物質，係將陰極電極全體、或電弧之陰極 點、或於陰極電極上的電弧軌道中之電孤前方部分，邊 進行加熱邊作電弧放電，以合成者。 9. 如申請專利範圍第i項至第4項中任何—項之含有碳夺 諾管之帶狀物質，係使用電阻率為4〇〇〇// Q.cm以上， 或熱導率為40W/m. K以下的碳材料作為陰極電極，而 予以合成者。 10·如申請專利範圍第丨項至第4項中任何—項之含有礙奈 諾管之帶狀物質，係使用表面算術平均粗細度(Ra)為 314848(修正版) 60 1285188 3.2 # m以下的碳材料作為陰極電極，而予以合成者。 11 ·如申睛專利範圍第1項至第4項中任何一項之含有破奈 諾管之帶狀物質，係將形成於電弧之陰極點軌跡上的形 成物，在電弧放電後的冷卻過程中，喷灑氣體而予以合 成者。 12·種奴奈諾管之製造方法’係以進行電弧放電 成碳奈諾管時，以中空電極為陽極電極，並由中空電極 内部向以碳材料所成之陰極電極邊喷灑電離能岸較環 境氣體高之惰性氣體或含有惰性氣體的混合氣體，邊 於其間產生電弧，藉此以侷限電弧產生路徑者。 13. —種碳奈諾管之製造方法，係以進行電弧放電，而於合 成碳奈諾管時，以中空電極為陽極電極，並由中空電極 内部向碳材料所成之陰極電極邊喷壤作為觸媒的金屬 L末或至屬化口物叙末，且噴灑電離能率較環境氣體 南之惰性氣體或含有該惰性氣體的混合氣體，邊於其間 產生電弧，藉以侷限電弧產生路徑者。 14. :申請專利範圍第12項或第13項之碳奈諾管之製造方 使Λ氬或氬與氫氣的混合氣體作mum ^性氣體之混合氣體，且於大氣環境中進行電弧放電 15:申請專利範圍第12或13項之碳奈諾 ， 子㈣工電極内部向陰極電極噴灑惰性氣體 乳體之混合氣體的流量，設定於中空電極之孔判面 面積每1mm2為10至4〇〇 ml/分鐘者。 314848(修正版) 61 1285188 16. 如申請專利範圍第12項或第"項之碳奈諾管之製造方 法’係在電弧放電時，將陰極電極預先加熱為至 2000°C 者。 17. 如申請專利範圍第12項或第13項之碳奈諾管之製造方 法，係使用電阻率為4_^ m，或熱導率為 4〇W/m. K以下的碳材料作為陰極電極者。 18. -種碳奈諾f之製造方法，係於進行電孤放電合成碳奈 諾管日使用中空電極作為陽極電極，由中空電極内部 向j奴材料作成之陰極電極邊噴灑電離能率較環境氣 體冋之惰性氣體或含有惰性氣體之混合氣體，邊在其間 產生電弧’藉此以侷限電弧之產生路徑，同時透過移動 兩電極之相對位置，以移動在陰極材料上的電弧陰極點 者。 19了種碳奈諾管之製造方法，係於進行電弧放電合成碳奈 5 ‘夺用中二電極作為陽極電極，由中空電極内部向 以炭材料作成之陰極電極邊噴灑作為觸媒的金屬粉末 2金屬化合物粉末，且噴灑電離能率較環境氣體高之 U 1±氣體或含有該惰性氣體的混合氣體，邊於其間產生 電弧，藉此以侷限電弧之產生路徑，同時透過移動兩電 極之相對位置，以移動在陰極材料上的電弧陰極點者。 20·如申請專利範圍第18項或第19項之碳奈諾管之製造方 法，係以移動兩電極相對位置，使電弧陰極點在陰極材 料表面上，以10mm/分鐘至1000 mm/分鐘範圍之速度 予以相對移動者。 62 314848(修正版) 1285188 21·如申請專利範圍第18項或第19項之碳奈諾管之製造方 法，係制氬或氬與氫氣的混合氣體料惰性氣體或含 有惰性氣體的溫人I舰 Q ^ ^ ]此口乳體，且將電弧放電在大氣環境中予 以進行者。 22. 如申咕專利耗圍帛1 8❺&工9項之碳奈諾管之製造方 法係由中工電極内部向陰極電極噴灑的惰性氣體或含 有惰性氣體的混合氣體流量設定於中空電極孔部剖面 面積每1mm2為1〇至4〇〇 ml/分鐘者。 23. 如申請專利範圍第18項或第㈣之碳奈諾管之製造方 法係將電弧產生及終了位置除外，而使陰極表面上的 電弧產生點以歷經同—溫度履歷的方式令兩電極相對 移動者。 24. 如申請專利範圍第18項或第㈣之碳奈諾管之製造方 法’係為不使陰極表面上之已—度形成陰極點區域，再 次形成陰極點之方式予以移動者。 25·如申請專利範圍第18項或第㈣之碳奈諾管之製造方 法，係將陰極電極全部、或電弧之陰極點、或於陰極電 極上之電弧軌道中之電弧前方部分，一邊加熱一邊進行 電弧放電者。 26·如申請專利範圍第18項或第19項之碳奈諾管之製造方 法，係使用電阻率為4000/ζ Ω · cm以上，或熱導率 40W/m· K以下的碳材料作為陰極電極者。 27.如申請專利範圍第18㈣第㈣之碳奈諾管之製造方 法，係使用表面算術平均粗細度⑽為3 以下之 314848(修正版) 63 1285188 碳材料作為陰極電極者。 28·如申請專利範圍第18項 ^ 貝次第19項之碳奈諾管之製造方 法’係將形成於電弧之陰極點鉍 往點執跡上的形成物，在電弧 放電後的冷卻過程中，噴麗氣體而予以合成者。 29·如申請專利範圍第18項或第19項之碳奈諾管之製造方 法，其中碳奈諾管係構成帶狀的聚合體者。 314848(修正版) 64