TWI284497B - Method for treating hinge holder - Google Patents

Description

1284497 玖、發明說明 / (發明說明應敘明··發明所屬之技術領域、先她 ^ 【發明領域】 円谷實施方式及圖式簡單說明） 本發明涉及一種金屬工件 =】子裝置兩活動部件之金^^ 日只==^發展’攜帶式電子裝置如行動電話、個人數字助理 :=。====^^糊繼受物 以避#柢鍅夕^ σ知用翻皿式扠計，由於翻蓋式行動電話可_ 本體:諸多優點，是以更受人們歡迎。翻蓋與行動電話 nit 触絲賴，轉健絲於摘電話本體之端 、、舌動部件之端冑，轉軸插人並收容於轉軸助，從而實現兩 u件之連接，使得翻蓋可自由開啟及關閉。 善效安=行動電話之端部，而且其部分暴露於外部，為改 二，蚀> 安衣=行動電話成品之轉軸座基本上都要進行拋光處 4絲面更光党，美觀。惟，麵光過哺減安裝於行動電 在組裝過程帽是在日後頻繁地使用巾，都可能會刮傷 ^ I知光冗的表面’使其失去綺，影_行動電話整體之美觀。馨 【發明目的】 本鲞月目的在於提供一種轉軸座之表面處理方法，可以使轉軸座具 更耐磨、不易刮傷之性能。 、 【發明特徵】 本發明轉軸座加工方法，包括以下步驟： 將轉軸座進行拋光；將轉軸座進行超聲波脫臘，然後用熱水清洗； 烘烤轉軸座l冷卻轉軸座；以及鍍硬鉻於轉軸座表面。 □續-人頁（發明說明頁不敷使用時，請註記並使用續頁） 5

1284497 …依據上駐要特徵，姻本發_抛加工方法處理後的產品具 光党耐磨之表面。 【圖式簡單說明】 第一圖係本發明轉軸座加工方法流程圖。 【較佳實施例】 凊參閱第一圖’本發明轉軸座加工方法如下： 、，首先’將待處理的轉軸座安放於拋光機之拋光治具上進行拋光。拋 光機之工作電壓為36〇〜39()v、工作電流為8〜9A、功率為測〜 3000W，調節拋光機使其轉速達到25〇〇〜3〇〇〇r/min。拋光完畢後，從拋· 光治具上取下轉轴座。 然後，將拋光過的轉軸座裝夾到掛具上，在常溫常壓下，將裝滿轉 軸座之掛具浸入溫度為70〜8(rc的脫臘水中藉由超聲波進行1〇分鐘左 右的脫臘處理。脫臘水之重量百分比濃度為5%，超聲波頻率為20〜 4〇KHz。超聲波清洗完畢後’將挂卜具提起並浸入溫度為⑹〜赃的熱水 槽中清洗，然後再水洗兩次。 /月洗疋畢後’將裝滿轉軸座之挂卜具掛到溫度為6〇〜8〇。〇的供烤箱内 烘烤5 * &左右。供烤完畢後，打開烤簡取出掛具，冷卻。冷卻後，⑩ 將轉軸座從掛具上取下。 對轉轴座之表面鍍硬鉻，有兩種方法實施。 方法1 —將轉轴座用重量百分比、/辰度為l2〜ls%的稀H2S〇4活化，水洗，然 後藉由遮蔽層如印刷耐酸油墨將不需要鍍鉻之部分覆蓋，而使需要鍍鉻、 之部分暴露。使其浸人溫度為40〜45°C含〇03 ^ _〜_g/L，ΚΙ03 · 為8g/L之鍍液中，用陰極電流為6〇〜9〇A/dm2鑛一小時左右，鐘層厚度 □續次頁（發明說明頁不敷使用時，請註記並使用續頁） 6 1284497 發明說明續頁: 約為200μιη，色澤呈銀白色略帶灰色。 方法2 要鍍鉻之部分覆蓋，而使需要鍍鉻之部分暴露，並將 其达入真1職内。顧時，首先藉由真_峨並加 度達到7X妒〜贿\時，進行離子清洗15〜2〇分鐘，级^空度^ _由低至一19G〜2贼後敎至鍍賴束。然後，進行冷卻至丄紙 以下，打開賴機之真空室，整個鍍膜時間約為3〜4個小時。取 座，可見其表面附著有金屬硬鉻層，色澤呈銀白色略顯灰色。 着 經上述步驟處理後之轉滅不僅色澤亮絲且更加耐n 裝及使用攜帶式電子裝置過程中，不易被刮傷。 …刪在、，且 綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，爰依法提出專 惟，以上所碰林發敗雛實_，自魏狀限林㈣之權月 範^。舉凡熟悉此項技藝之人域鉢發社精神所叙較修 化者，皆應涵蓋在以下申請專利範圍内。 □續次頁（發明說明頁不敷使用時，請註記並使用續頁） 7

Claims (1)

1284497 ―、申請專利範圍 , f 1· 一種轉軸座加工方法，包括以下步驟： (1) 將轉軸座進行拋光； · (2) 將轉軸座進行超聲波脫臘，然後用熱水清洗； (3) 烘烤轉軸座； (4) 冷卻轉軸座；以及 (5) 鐘硬鉻於轉軸座表面。 2·如申請專利範圍第丨項所述之轉軸座加工方法，其中步驟⑸ 鉻於轉軸座表面之局部，且係在真空條件下電鏟。 3·如申請專利範圍第χ項所述之轉軸座加工方法，其中步驟（5)係藉 由鑛液錄硬鉻於轉軸座表面之局部，所用鍍液含&〇3為8〇〇〜85〇g/L、 KI〇3 為 8g/L。 4·如申請專利範圍第3項所述之轉軸座加工方法，其中步驟（5)鍍液 溫度為40〜45°C，陰極電流密度為60〜90A/dm2。 5·如申請專利範圍第i項所述之轉轴座加工方法，其中步驟（2)係| 脫腺水中進行’其中脫臘水溫度係在70〜8(TC之間，脫臘水之重量百分 比濃度為5%，超聲波工作頻率為20〜40KHz。 6·如申凊專利範圍第工項所述之轉軸座加工方法，其中步驟（3)烘烤 溫度為60〜80。(3。 7·種轉軸座加工方法，包括以下步驟： (1) 將轉軸座進行抛光； (2) 將轉軸座進行超聲波脫臘，然後用熱水清洗； D續次胃（巾請專概圍頁不敷使用時，請註記並使用續頁） 1284497

(3)烘烤轉軸座； (4)冷卻轉軸座； ⑸覆蓋轉軸座表面之不需要鍍鉻之部分；以及 (6)在真空條件下電鍍硬鉻於未被覆蓋之表面。 8·如申請翻細第7項所述之雜座加4法，其巾倾⑴係由 拋光機拋光’且抛光機之I作電壓為〜獨V、功電流為8〜9A、 功率為2500〜3000W，拋光機轉速為25〇〇〜3〇〇〇r/min。 9.如申請專利範圍第7項所述之轉軸座加卫方法，其中步驟⑶烘烤❹ 溫度為60〜80°C。 10·如申請專利範圍第7項所述之轉軸座加工方法，其中步驟（6)真空 度達到7\103〜9\10-如時，進行離子清洗15〜2〇分鐘。 11·如申請專利範圍第10項所述之轉軸座加工方法，其中貪空度達到5 xlCT3〜6xlO_3Pa時進行轟擊及鍍膜直至鍍膜結束，轟擊及鍍膜溫度會由 低至高到190〜240°C後穩定至鑛膜結束。 □續次頁（申請專利範圍頁不敷使用時，請註記並使用續頁） 9