TWI282586B - Etching system and de-ion water adding set - Google Patents

Description

1282586 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種蝕刻系統及用於該蝕刻系統之純水 添加裝置。 【先前技術】 在薄膜電晶體液晶顯示器 （Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display, TFT-LCD)前段製程中，對於氧化 銦錫（Indium Tin Oxide, ITO)膜之蝕刻一般使用草酸作為 蝕刻液。蝕刻過程中為保證草酸濃度，需使用一純水添加 裝置定時定量添加純水。另外，一般亦需與反應腔中通入 潔淨乾氣體。 請參閱第一圖，為一先前技術之蝕刻系統1，其包括 一蝕刻反應腔11、一藥品承裝箱12、一藥品輸送管道14、 一純水輸入管道13及一位於其上之定時控制器131。該藥 品承裝箱12内承裝液體化學藥品（圖未示），該化學藥品由 泵（圖未示）經藥品輸送管道14進入反應腔11後參與反 應。隨著化學反應進行，反應腔11中要排除酸氣，同時水 會以蒸氣形式隨之被帶離，從而使化學藥品濃度升高，該 純水輸入管道13即藉由定時控制器131控制定時補充反應 腔11内之水份。該蝕刻系統1之缺陷在於：該蝕刻系統1 反應腔11中之酸氣易流入下一反應腔，另，前一反應腔中 基板表面殘留之化學藥品亦可帶入下一反應腔，故需另一 潔淨乾氣體輸入管道阻絕酸氣及刮掉停留於基板上之化學 藥品。 7 1282586 請參閱第二圖，為另一先前技術之蝕刻系統2，其包 括一餘刻反應腔21、一藥品承裝箱22、一藥品輸送管道 26、一純水輸入管道23及一位於其上之定時控制器231、 一潔淨乾氣體輸入管道24與一位於其上之定時控制器241 及一主管道25。該蝕刻系統2中主管道25之末端部份空 氣流動較強烈’導致餘刻化學藥品之溶解率低，當水分子 被帶離，此處會造成餘刻化學藥品結晶，進而影響機構動 作’為解決此問題’該姓刻系統2由純水輸入管道23藉由 定時控制器231控制定時輸入水分溶解結晶之化學藥品。 該触刻糸統2之缺陷在於·該純水輸入管道2 3内之純水為 室溫’而反應腔21内反應液溫度要高於室溫，室溫純水進 入反應腔後會產生溫度波動，從而影響蝕刻效果。 有鑑於此，提供可提供熱純水之純水添加裝置及一種 使用該純水添加裝置之钱刻系統實為必需。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種可使蝕刻系統結構簡單且 蝕刻效果較佳之純水添加裝置。 本發明之另一目的在於提供一種使用該純水添加裝置 之蝕刻系統。 本發明之純水添加裝置包括一潔淨乾氣體輸入管道及 一純水輸入管道，該潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管 道之開合分別由位於其上之計時控制器控制；其中，該純 水輸入管道一部分經過一加熱器加熱。 本發明之蝕刻系統，其包括一反應腔、一承裝箱及一 1282586 純水添加裝置’該反應腔與該承裝箱相連，該純水添加裳 置包括一潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道，兩者均 與反應腔相連；該潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道 之開合分別由位於其上之計時控制器控制；其中，該純水 輸入管道一部分經過一加熱器加熱。 與先前技術相比，本發明蝕刻系統之純水添加裝置所 添加之純水為熱純水，其溫度與反應腔内之反應液溫度相 近，避免了反應腔内溫度之波動，提高蝕刻反應質量，進 而传到較佳之餘刻效果’另，本發明之姓刻系統可用方便 调卽反應液》辰度及溶解結晶之餘刻化學藥品，結構上得到 簡化。 【實施方式】 請參閱第三圖，為本發明蝕刻系統第一實施方式之 平面示意圖。本發明之蚀刻系統3包括一反應腔31、一 承裝箱32及一純水添加裝置（未標示），該反應腔31與承 裝箱32通過一管道38連接，承裝箱32内之化學藥品由 一泵（圖未不）通過管道38送入反應腔31。該純水添加裝 置包括一潔淨乾氣體輸入管道35及一純水輸入管道36， 兩者匯合於一主管道37,該潔淨乾氣體輸入管道35及純 水輸入官道36之開合分別由位於其上之計時控制器 351、361控制，惟，兩者不會同時開啟。該純水輸入管 道36 —部分經過一加熱器34加熱。該加熱器％位於藥 品承裝箱32内，亦可設置於藥品承裝箱32外部周圍， 其係用於加熱蝕刻用液體化學藥品33,該化學藥品一般 1282586 為草酸。 請參閱第四圖，為本發明蝕刻系統第二實施方式之 平面示意圖。本發明之蝕刻系統4包括一反應腔4ι、一 承裝箱42及一純水添加裝置（未標示），該反應腔4ι與承 裝箱42通過一管道48連接，承裝箱42内之化學藥品由 一泵（圖未示）通過管道48送入反應腔41。該純水添加裝 置包括一潔淨乾氣體輸入管道45及一純水輸入管道46， 兩者分別連入反應腔41，該潔淨乾氣體輸入管道45及純 水輸入管道46之開合分別由位於其上之計時控制器 451、461控制。該純水輸入管道46 一部分經過一加熱器 44加熱。該加熱器44位於藥品承裝箱42内，亦可設置 於藥品承裝箱42外部周圍，其係用於加熱蝕刻用液體化 學藥品43，該化學藥品一般為草酸。 該蝕刻系統3、4之純水添加裝置所添加之純水為 熱純水’在其流入反應腔31、41之前經加熱器34、44加 熱，由於該加熱器34、44亦用於加熱化學藥品33、43， 即保證該純水溫度與進入反應腔31、41内之化學藥品33、 43溫度相近，避免了反應腔μ、ο内溫度之波動，提高 蝕刻反應質量，進而得到較佳之蝕刻效果，另，本發明之 純水添加系統3、4亦可用於調節反應液濃度及溶解結晶 之蝕刻化學藥品33、43。 綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，爰依法 提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施 方式，本發明之範圍並不以上述實施方式為限，舉凡熟習 1282586 本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變 化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第一圖為先前技術蝕刻系統之平面示意圖。 第二圖為另一先前技術蝕刻系統之平面示意圖。 第三圖為本發明蝕刻系統第一實施方式之平面示意圖。 第四圖為本發明蝕刻系統第二實施方式之平面示意圖。 【主要元件符號說明】

反應腔 31 承裝箱 32 化學藥品 33 加熱器 34 潔淨乾氣體輸入管道 35 純水輸入管道 36 主管道 37 藥品輸送管 38 蝕刻系統 3 定時控制器 351 、 361

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Claims (1)

1. χ282586 十、申請專利範圍 ^ 一純水添加裝置，其包括： 一潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道，該潔淨乾氣 體輸入管道及一純水輸入管道之開合分別由位於其上 之計時控制器控制；其中，該純水輸入管道一部分經過 一加熱器加熱。 2·如申请專利範圍第1項所述之純水添加裝置，其中該潔 淨乾氣體輸入管道與該純水輸入管道匯合於一主管道。 3· —蝕刻系統，其包括一反應腔、一承裝箱及一純水添加 裝置’該反應腔與該承裝箱相連，該純水添加裝置包括： 一潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道，該潔淨乾氣 體輸入管道與該純水輸入管道均與反應腔相連；該潔淨 乾氣體輸入管道及一純水輸入管道之開合分別由位於 其上之計時控制器控制；其中，該純水輸入管道一部分 經過一加熱器加熱。 如申明專利範圍第3項所述之餘刻系統，其中該潔淨乾 氣體輸入管道與該純水輸入管道匯合於一主管道。 如申明專利範圍第3項所述之钱刻系統，其中該加熱器 置於該承裝箱内。 6·如申請專利範圍第3項所述之触刻系統，其中該加熱器 置於該承装箱外部周圍。 如申明專利範圍第3項所述之蝕刻系統，其中該承裝箱 内承裝蝕刻用之液態化學藥品。 8.如申請專利範圍第7項所述之㈣系統，其中該液態化 12 1282586 學藥品為草酸。

   13 1282586 七、指定代表圖·· (一） 、本案指定代表圖為··第（三）圖 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明·· 反應腔 31 承裝箱 32 化學藥品 33 加熱器 34 潔淨乾氣體輸入管道 35 純水輸入管道 36 主管道 37 藥品輸送管 38 飯刻系統 3 定時控制器 351 - 361 =學=若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的 益