TWI282482B - Method for forming inorganic thin film pattern on polyimide resin - Google Patents

Description

1282482 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案 之方法，其中無機薄膜圖案以如··電路圖之精細圖案，形 成在i酿亞胺樹脂之表面上。 【先前技術】 底材質表面上形成電路圖提出各種方法。在當中，如··真 空蒸發方法及濺艘方法的乾式製程，已知為能良好形成對 緊密黏著具有優越可靠性之精細電路圖案的方法。然而， 有-個問題為此方法需要昂貴的裝置，並且再者其具有低 生產力並且造成高成本。 因此，做為形成電路圖案的最通常方法，其中聚酿亞胺 樹月旨基底材質之整個表面以金屬薄膜塗覆、在不必要位置 上製備金屬薄膜材質及金屬薄膜的刪除法’以光石版印刷 方法、精著钱刻處理移除，目前已被廣泛接受。在聚醒亞 7樹腊基底材質及於金屬塗覆材質上之金屬薄膜間的黏著 ’以其中基底材質表面被製成粗糖之固著效應、或黏著 相當容易形成電路圖的方法二=，並且用為-種 借中被移除，並且因此“二電路圖的製 產生。^ 個㈣為許多無料金屬材質 ，近年來已需求更精細的電路圖案為言雷 路基材趨勢的結果，但在刪除法中，由於產生、:：* ’ 存在黏著劑或基材表面之粗链、虫刻及 十勺有一個問題為 W7747.doc 1282482 其難以符合精細的電路圖案的形成。 二：的觀點：已有豐富研究取代刪除法之電路圖案形成 、/ w如.為—種光石版印刷方法的加成法，是其 光敏樹脂被塗制整個基材表面的方法，並且除了電路米 成位置之外的位置以紫外線光輻射，㈣化該位置，並^ 然後不被固化的位置以溶劑移除，形成電路圖案的形狀， 並且電路圖案被直接使用非電子性電省而形成在基材表 面。非電子性方法為其中使用纟溶液中之氧化_還原反 應、並且金制膜在基材表面上形成的方法，對基材表面 給予電鍍觸媒核。與前述的乾式製程比較，此加成法具有 仏良的生產力’並且與刪除法比較，其能形成精細的電路 圖案然而，因為其難以確保在聚醯亞胺樹脂基底材質及 金：薄膜之間的黏著力，有一個問題為對緊密黏著的不良 可罪性。在加成法中的另一個問題為其步驟複雜，並且需 要吁貴的生產設施來形成精細的電路圖案，造成高成本。 再者，為容易且低成本形成精細電路的方法，噴墨方法 已受到大眾的注意。在喷墨方法中，由金屬奈米顆粒所組 成的墨水以一個圖案形式、從被喷墨喷嘴被喷霧到基材表 面’並且在噴霧之後，其被加以退火處理，以形成包含精 細金屬薄膜的電路圖案。然而，當基材表面每單位面積的 金屬奈米顆粒數目不足以喷墨系統喷霧並塗覆金屬奈米顆 粒日可’可能的是··由於在退火時燒結的結果使金屬奈米顆 粒縮減，使所得之金屬薄膜斷裂，而當金屬奈米顆粒過量 時’可能的是··在退火之後所形成之金屬薄膜的平坦性及 107747.doc 1282482 平滑性會喪失，而有一個問題 令各西 任基材上金屬奈米顆私 之主设伤量的控制是非常嚴袼 才、 厪大u J另外，由於其性質，么 屬示朱顆粒及基材的金屬組份 、炎 足夠的可靠性。再者，有另—個門μ者疋成手難以達到 顆粒由於燒結結果而縮減的尺寸精確度。 不水 近年來，已提出的技藝為對緊 _ , *在黏考具有優良可靠性夕 電路圖案形成的技藝，复中臂 之 以Μ…、 亞胺樹脂基底材質的表面 “，V谷液處理’形成羧基團，金屬離子可配位到該羧 成絲團的金屬鹽類，紫外線紐由光罩輻射到 胺樹脂基底材質上，使得金屬離子選擇性地心 二m要時’該金屬薄臈以電鍍的方法製成 為厚的（例如··參考例1)。在 }在以该方法形成之金屬薄膜軎 :’其:-部份被谈入在聚醯亞胺樹脂中，而金屬薄膜； 酉ώ亞胺樹脂基材表面緊 τ ®心冢么黏者的可靠性能夠高度地 成。

[參考例 1] JP 2001-73159 A ，然而在參考例1中，用來以紫外線光、經由光罩之輻射 a成圖案的方法中，難以克服為高密度電路基材趨勢所需 求的非常精細電路圖案。另夕卜所得之金屬薄膜為奈米： 度的厚度，該薄膜的增厚在大部份電路圖案的應用上為必 ，的。m需的是：金屬薄膜以電鑛方法在所得金屬 薄膜的電路圖案上分離。然@，在電鐘方法中，金屬薄膜 以等向方式被分離’並且因此有—個危險為圖案的精確度 在增厚之後被破壞，並且同時對緊密黏著的可靠性降低。 107747.doc 1282482 為了解決此—問題’有一個提案是例如·其中 膜在不是電路圖案形成之位置而 4 # 1的基材表面上形成，並且然 後以電鍍方法進行增厚，但有一 .、 而造成高成本。 ^為.乂驟變得複雜 【發明内容】. 本發明已達到上述情況的觀點，並且本發明的目的是提 種於聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方法，其中 1機薄膜能夠在聚醯亞胺樹脂的表面上對緊密黏著具高 :靠性及高圖案精確度地形m也提供_刻來產: ::有對形成無機薄膜之重新成形表面之聚醯亞胺樹 法0 本^明已進行深入研究，以檢驗問題。結果是已經發 料的目的可以下列方法達成。有此發現，本發明^ 完成。 本發明主要指出下列幾項： L一種在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案之方法，其 包含：⑴-個形成抗驗性保護薄膜的步驟，該薄膜在聚醯 亞胺樹脂的表面上具有厚度為G._1O微米；⑺_個移^ 該抗驗性保護薄膜及在聚醯亞胺樹脂之無機薄膜圖案形成 位置上之表面部份的步驟，以形成—個凹陷部份；⑺—個 將驗性水溶液與聚醯亞胺樹脂在凹陷部份接觸的步驟，以 切斷聚酿亞胺樹脂之醯亞胺環，使得在具有幾基圈之聚酿 亞胺樹脂處產生羧基團；⑷一個將含金屬離子溶液與具有 羧基團之聚醯亞胺樹脂接觸的步驟，使得產生羧基團之金 107747.doc 1282482 屬孤，及（5)—個在聚醯亞胺 屬气几札斗、， 卞月曰之表面上分離為金屬、金 屬氧化物或半導體之金屬鹽 j少驟’使得形成無機薄膜圖 根據上述發明的第！項， 、 生水洛液被製成，只作用在 不以抗驗性保護薄膜霜菩的 部份’使得m基團在聚醯 m > 屬金屬氧化物或半導體之金屬 孤在凹陷部份的内表面上 .^ 刀離，而無機薄膜能夠形成， 並且無機薄膜能夠在圖案形成 y风之位置的凹陷部份中形成。 因此’無機薄膜能夠對緊密翔基 ^ 幻釕家在黏者具向可靠性及圖案之高精 確度而形成。 2·根據第1項，在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的 方法：其中在步驟⑺中，凹陷部份藉著雷射輻射或真空紫 外線光輻射㈣除該抗驗性保護賴及在聚醯亞胺樹脂的 表面部份而形成。 ^據上述發明㈣2項，當進行雷射輕射或真空紫外線 光幸田射時’不只抗驗性保護薄膜、而且聚醢亞胺樹脂的表 面部份也能被移除，而形成凹陷部份。 安3·根據第1項、用來在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖 木的方法，其中在步驟（5)中，金屬鹽被加以還原處理，以 在χκ II亞胺樹脂之表面的金屬被分離，形成金屬薄膜。 、根據上述發明的第3項，金屬鹽類被還原處理的結果 為·金屬薄膜能夠在無機薄膜形成之位置上形成，並且電 路圖案以無機薄膜形成，而其能夠被用做電路基材等，其 中聚醯亞胺樹脂為基底材質。 107747.doc -10- 1282482 /·根據上述發明之^項在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄 膜圖案的方法，其中在步驟⑺中，金屬鹽與經活化氣體反 應，在聚醯亞胺樹脂之表面上被分離為金屬氧化物或半導 體，使得形成金屬氧化物薄膜或半導體薄膜。 根據上述發明之第4項’金屬鹽與經活化氣體反應的結 果疋.金屬氧化物的薄膜或半導體的薄膜能夠在無機薄膜 形成的位置上形成’而現在其能制做各種具有金屬氧化 物之薄膜或半導體之薄膜的電子零件。 5·根據第!項、在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的 方法’其中在步驟(5)中，無機薄膜圖案包含無機奈米顆粒 的凝聚物。 根據上述發明之第5項，無機薄膜之緊密黏著強度是能 以活化無機奈米顆粒之凝聚物的固著鎖定效應而被增進， 並且非電子性電鐘能夠容易地在無機薄膜之表面上、藉著 活化無機奈米顆粒之凝聚物的催化活性而進行。 6.根據第!項、在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的 方法，其中在步驟(5)中，一部份之無機奈米顆粒凝聚物被 彼入在聚酸亞胺樹脂中。 根據上述發明之第6項，包含益德太 3無钺奈未顆粒之凝聚物的 無機薄膜，能夠強力地藉著無機奈米 丁不々貝粒，旋聚物對聚醯亞 胺樹脂的高固著鎖定效應 上0 而緊密地黏著到聚醯亞胺樹脂 無機薄膜圖案的 一個在聚醯亞胺 7 ·根據第1項、在聚醯亞胺樹脂上形成 方法，其在步驟（5)之後進一步包含（6) ·· 107747.doc 1282482

樹脂之表面上加以非電子性電鍛的H 聚醢亞胺樹脂之表面上被分i 4相圖案在 8.根據第5項、在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的 方法，其在步驟（5)之後進一步包含（6):、 i士+日匕夕主工， 在t酉也亞胺 =曰之表面上加以非電子性電鍍的步驟，無機薄膜圖案在 聚醯亞胺樹脂之表面上被分離。 /、

:據上述發明之第7及8項’非電子性電鍍的薄膜在益機 薄膜之表面上形成，使得無機薄媒的厚度能夠變成厚：， 並且電子電路基材的電路能夠藉著無機薄臈而形成。 9.根據第8項、在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄臈圖案的 方法’其中在步驟⑷中，非電子性電鎮是藉著無機奈^顆 粒的凝聚物作為用於電鍍之分離的核心而進行。

根據上述發明之9項，非電子㈣在包含無機奈米顆粒 «物之無機薄膜的表面上被分離’其中非電子性電錄能 夠選擇性地在無機薄膜的表面上進行，非電子性電鐘薄膜 在無機薄膜形成之凹陷的内面部份中產生，並且以電解性 電鍍增厚該無機薄膜’圖案的精確度能夠在增厚之後被維 持0 1〇·根據Si項、在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的 方法，其中無機薄膜圖案具有電路圖案的的形狀。 根據上述發明之10項，電路能夠藉著在圖案形成位置上 形成的無機薄膜而形成，並且其能夠被用做電子電路基材 或類似，其中聚醯亞胺樹脂被用做基底材質。 根據本發明’鹼性水溶液被製成只作用在抗鹼性保護薄 107747.doc -12- 1282482 膜未覆蓋的凹陷部份，使得在聚醯亞胺樹脂中產生羧基 團並金屬、金屬氧化物或半導體在凹陷部份的内表面 上分離，使得無機薄膜能夠形成，並且無機薄膜的形成能 夠在圖案形成之位置的凹陷部份中完成。因此，無機薄膜 月匕夠對緊密黏著以高可靠性及高圖案精確度形成。 此後’本發明將會被詳細敘述。 聚醯亞胺樹脂是一種在主鏈上具有環狀醯亞胺結構的聚 合物，是藉著例如所聚醯胺酸的亞醯胺化而產生，並且為 具有優良抗熱性、抗化學品、機械強度、抗燃性、電絕緣 等的熱固性樹脂。在本發明中’聚醯亞胺樹脂之薄膜、鑄 造板或類似物可被用做基底材質，並且對其形狀無特別限 在本發明中，首先在步驟⑴中，具有優良抗驗性之保 護膜2在聚醯亞胺樹脂基底材質}的整個表面上形成，如圖 1A所不虽隹然對構成抗驗保護膜的材質沒有特別限制，其 較佳地可在輕步驟中被以地移除，並且其實例為抗驗 性樹脂組份及無機高分子組份。當酸性溶液被使用於稍後 乂驟：時’理想的是：⑨了抗鹼性之外’該保護膜對酸具 有抵抗性。關於形成抗鹼保護膜2的樹脂組份，較佳者為 聚鱗S备亞胺、平# r ^ ”、 ^ A本乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸酯、 聚：乙烯等’並且關於無機高分子組份，較佳者為聚矽氧 烧等。 在抗鹼保護膜2的形成當中，能夠進行的方式是例如： 树月曰組份及無機高分子組份被溶解於溶劑中，並且所得液 107747.doc 1282482 體或糊狀物被用在聚醯亞胺樹脂基底材質的表面。對於塗 覆方法無特別限制，並且其實例為旋轉塗覆方法、浸泡塗 覆方法、網板印刷方法、彈性凸版印刷方法及棒狀塗覆 (bar coating)方法。溶劑可適當取決於組份及塗覆方法而 被選擇，並且更特定地，THF對聚醚醯亞胺為較佳，甲苯 對聚苯乙烯為較佳，熱石油英對聚乙烯為較佳，並且曱苯 對聚丙烯為較佳。乙基纖維素或類似物是不能被使用，因 為其低抗驗性。

抗鹼保護膜2塗覆在聚醯亞胺樹脂基底材質丨表面的整個 區域上，並且薄膜厚度被設為〇〇1至1〇微米，並且更佳為 〇·〇3至4微米。當抗鹼保護膜2之薄膜厚度是低於〇〇ι微米 時，有可能為其不扮演為保護膜的角色，當厚度是大於⑺ 微米時，其難以在下-步驟⑺中於聚酿亞胺樹脂基底材質 1上形成凹陷部份3。 在抗鹼保護膜2於聚醯亞胺樹脂基底材質丨的表面上如上 述地形成之後，在抗鹼保護膜2及聚醯亞胺樹脂基底材質i 的表面部份’在步驟（2)中沿著預先測定的可選擇圖案形狀 被私除，其中凹陷部份3如圖1B所示地形成圖案的形狀。 干凹陷部份3的形成能夠以使用雷射裝置的方式進行，該 雷射是例如：飛秒（femtosecond)雷射、紫外線雷射、綠光 雷射或YAG雷射，從抗驗保護膜2的上面區域輕射沿著圖 案的形狀掃描。也可能進行的方式為❹真外線光 (〜彻)輻射機H，並且真空紫外線光經由光罩被㈣到抗 鹼保護膜2的上面區域。當在雷射輻射或真空紫外線光輻 107747.doc 14 1282482 射=此進行時，不只抗驗保護膜2、而且其下之聚酿亞胺 树脂基底材質⑽表面部份能夠被移除，並且凹陷部们能 夠在聚醢亞胺樹脂基底材質】的表面上形成。在習用光石 ’ P刷方法或類似法中’其中抗驗保護膜2使用溶劑以圖 • ^形式被移除’使凹陷部份3不能在聚醯亞胺樹脂基底材 質1的表面上形成。 雖然對凹陷部份3的深度無特別限制，較佳的是在0.5至 _ 5微米的靶圍内’更佳的是在1至ίο微米的範圍内。在 此，抗驗保護膜2為化學穩定的薄膜，並且維持不在最後 除並且因此凹陷部份3的深度包括抗驗保護膜2的薄 '旱度並為攸抗鹼保護膜2之表面到凹陷部份3之底部 深度。 — 匕然後，在步驟（3)中，驗性水溶液4被塗覆在㈣亞胺樹 脂基底材質1的表面上，或聚酿亞胺樹脂基底材質1被浸泡 在驗性水溶液4中，使得聚酸亞胺樹脂基底材们的表面以 # 欢丨生水'合液4處理。對鹼性水溶液4無特別限制，並且其實 例為氫氧化鉀水溶液、氫氧化納水溶液、氫氧化两水溶 液:氫氧化鎂水溶液及乙稀二胺水溶液。對驗性水溶液4 勺/辰度無特別限制’並且其較佳為〇 〇1至⑺莫耳濃度，並 且2為0.5至6莫耳濃度。也可能添加選自黏合劑樹脂、 有機/谷劑、無機填充劑辅助劑、增稠劑、流平試劑等，到 驗性水溶液4中，> 以调1黏度、對聚醯亞胺樹脂基底材質 勺/,、、、/門H貝、平順性/平滑性及揮發性。其較佳地選擇是 取決於形狀及塗覆圖案的線寬。 107747.doc -15- 1282482 在以鹼性水溶液4如此處理的當中，鹼性水溶液4選擇性 地只作用在凹陷部份3，其是如圖1C所示地在聚醯亞胺樹 脂基底材質1的表面上不以抗鹼保護膜2覆蓋。在該情況 下，當鹼性水溶液4作用在聚醯亞胺樹脂基底材質丨的表面 上時，切斷在聚醯亞胺樹脂&子結構中之醯胺制叛基围 (COOA，羧酸之鹼金屬鹽或鹼土金屬鹽）及醯胺鍵結（_ 生0

CONH-)如專利文件！所示地從化學反應式⑴中所註地產

因此’田疋如圖1B所示之聚醢亞胺樹脂基底材質1的表 面以㈣水溶液4處理’並且如圖1C所示地選擇性地只與 聚醯亞胺樹脂基底材fl之凹陷部份3接觸時，緩基團在聚 酿亞胺樹脂基底材fl的表面部份上形成，並且重新成形 的部份5以沿著圖案形成之位置的圖形而形成。 在此，驗性水溶液μ - 、< 上不地滲入到聚醯亞胺樹脂基底 材質1之凹陷部份3的表面，报#获i瞭 化成竣基團，並且進行聚醯亞 月女树月曰的重組反應。當以驗性水溶液4處理的時間長、或 】07747.doc -16- 1282482 聚醯亞胺樹脂基底材質1被加以熱處理時，重新成形部份5 的厚度能夠增加。用來以驗性水溶液4處理聚酿亞胺樹脂 基底材以的處理溫度較佳為10或8〇。〇，更佳為15至6〇 C。處理時間較佳為5至！，咖秒，更佳為職6⑼秒。 ”中羧基團如上所不地在步驟⑺中於聚醯亞胺樹脂基 底材質！之凹陷部份3内表面上產生重新成形部份5之後， 在步驟⑷中聚醯亞胺樹脂基底材質】之表面以包含金屬離 子的溶液處理。關於在合+屬施2 哪％隹3孟屬離子之溶液中的金屬離子， 可列出至少-個是選自金離子、銀離子、銅離子、翻胺錯 合物、鈀胺錯合物、鎢離子、鉅離子、鈦離子、錫離子、 銦離子、錢離子、鈒離子、鉻離子、短離子、銘離子、鐵 離子、銘離子、錦離子及鋅離子。在那些金屬離子中，翻 胺錯合物及！巴胺錯合物以驗性溶液的狀態被使用，並且除 此之外的金屬離子以酸性溶液的狀態被使用。 聚醯亞胺樹脂基底材们之表面如此地以含金屬離子的 溶液處理，並且其中疑基團如上述產生的重新成形部份5 與含金屬離子的溶液接觸’其中金屬離子（Μ)配位到羧 基團，例如如下示·· -COO'·. Μ2+ ··· -00C- 其中幾基團的金屬鹽（叛酸的金屬鹽）能夠被產生，並且如 圖1E所示’含金屬離子的重新成形部份6能夠在重新成形 刀5=位置形成。在本發明中，"含金屬離子的重新成形 部份”意為具有上述幾基團之金屬鹽的重新成形部份。在 虽k ’可施增進在金屬離子及經基團之間、在聚酿亞胺樹 107747.doc 1282482 脂中形成之羧基團中的鹼金屬或鹼土金屬的配位交換，是 藉著增加羧基團、鹼金屬或鹼土金屬的解離程度。為此目 的’茜要的疋保持聚醢亞胺樹脂基底材質1在酸性狀態， 因此在此情況下，較佳的是使用含金屬離子的酸性溶液做 為含金屬離子的溶液。 在含金屬離子之溶液中的金屬離子濃度對羥基團、在聚 醯亞胺樹脂中形成之減團中的驗金屬或驗土金屬之配位 取代反應具有緊密的關係。雖㈣變化取決於金屬離子的 種類，金屬離子濃度較佳為1至1，000毫莫耳濃度，並且更 佳為10至500毫莫耳濃度。低金屬離子濃度為不佳的，因 為直到配位取代反應達到平衡的時間變得太長。含金屬離 子之溶液與聚醢亞胺樹脂基底材質!之表面的接觸時間較 佳為10至600秒，並且更佳為3〇至42〇秒。 通’在4 (4)中’含金屬離子之溶液接觸在聚酿 亞胺樹脂基底材質i之凹陷部份3的内表面之重新形成部分 5及含金屬離子的重新成形部份5,其中絲團的金屬⑼ 成，並且之後，亞胺樹月旨基底材#1之表面較佳以水· 洗條’以移除不必要的金屬離子。然後在步驟 子 新成形部份6中之含金屬離子的金屬鹽被分離為金屬； :金屬氧化物或半導體被分離…含金屬氧化物屬戈半： :之無機_7能夠在聚醯亞胺樹脂基底材質 、 3 “離子之重新成形部份6的組合物改 107747.doc 1282482 f使侍減少在丨中所含之金屬離子的份量，是藉著在含 、 子之重新成形部份6的表面上分離包含其中為金 屬、金屬氧化物或半導體之金屬鹽。特定地，在步驟（5)之 後，含金屬離子之重新成形部份6的組合物被變成其中無 '屬離子被留持的重新成形部份6’、或其中部份金屬離子 被邊持的重新成形部份6，，取決於含金屬離子之重新成形 邛伤6的厚度、或下述處理之種類或程度等。在含金屬離 子之重新成形部份6的金屬鹽被分離為金屬的情況下，能 夠藉著i屬鹽被加以還原處理而進行。還原處理能夠藉著 例如·以含還原劑的溶液處理聚醯亞胺樹脂基底材質1的 表面而進行，或藉著將聚醯亞胺樹脂基底材質1在還原氣 體或惰性氣體的氣壓下加以熱處理。還原的條件取決於金 屬離子種類而變化，在以含還原劑之溶液處理的情況下， 可能使用如：硼氫化鈉、膦酸或其鹽類、或二曱基胺硼的 還原劑。以還原氣體處理的情況下，可能使用如：氫及其 混合氣體、或硼與氮之混合氣體的還原劑，並且以惰性氣 體處理的情況下，可能使用如：氮氣或氬氣的惰性氣體。 在其中含金屬離子之重新成形部份6的金屬鹽以金屬氧 化物或半導體被分離的情況下，能夠藉著以經活化氣體處 理金屬鹽而進行。用於處理的條件取決而金屬離子種類而 變化，並且處理能夠使用氧氣及其混合氣體、氮氣及其混 合氣體、硫及其混合氣體等為經活化氣體而進行，並且聚 醯亞胺樹脂基底材質1的表面與該經活化氣體接觸。 金屬氧化物的實例包括氧化鈦、氧化錫、氧化銦、氧化 107747.doc -19- 1282482 釩、氧化錳、氧化鎳、氧化鋁、氧化鐵、氧化鈷、氧化 鋅、欽酸鋇、鈦酸銷、銦及錫的攙合氧化物、鎳及鐵的攙 合氧化物和始及鐵的攙合氧化物。當含金屬氧化物之無機 薄膜7如此地在聚醯亞胺樹脂基底材質1的表面上形成時， 產物能夠被用做例如：電容器（condenser)、透明導電膜、 释熱材質、磁記錄材質、電變色元件、感應器、觸媒及螢 光材質。 半V體的貫例包括硫化録、碌化錦、砸化錦、硫化銀、 硫化銅及磷化銦。當含此半導體之無機薄膜7在聚醯亞胺 樹脂基底材質1的表面上形成時，現在能夠使用例如：螢 光材質、電晶體及記憶材質。 如上述’構成以步驟（5)形成之無機薄膜7的金屬、金屬 氧化物或半導體，較佳地由具有2至100毫微米的奈米顆粒 構成。由於其非常高表面能量，無機奈米顆粒容易凝聚， 並且以無機奈米顆粒的凝聚物存在。在當時，雖然程度取 决於A述的金屬離子濃度、還原劑濃度、氣壓溫度及經活 化氣體的濃度而變化，一部份的無機顆粒凝聚物在聚醯亞 胺樹脂基底材質1中被穩定，換言之，一部份的無機顆粒 凝聚物是在被嵌入聚醯亞胺樹脂基底材質丨之表面層的狀 恶，在當時是藉著固著鎖定效應，聚醯亞胺樹脂基底材質 1及含無機顆粒凝聚物之無機薄膜7能夠強烈並且緊密黏 著特別是在藉著基底材質表面之化學或物理粗糙度所達 到的一般固著鎖定效應中，表面粗糙度是在微米的程度， 仁疋在本發明之無機奈米顆粒及聚醯亞胺樹脂的固著鎖定 107747.doc 1282482 效應中，優良緊密的黏著特性甚至在表面粗輪度為一奈米 私度時能夠達到，並且其適於用在高頻率區域中電子訊號 傳導的線路材質。 /Ji述’無機薄膜7能夠在聚醯亞胺樹脂基底材質1之凹 P知3上形成，並且當凹陷部份3被設定為電路圖案的形 a: ’電路圖案能夠以無機薄臈7形成，並且聚醯亞胺樹脂 ，基底材質！能夠被用於電子零件，如：電子電路基材。益 機薄膜7在聚醯亞胺樹脂基底材質1表面上形成之凹陷部份 中形成因此，無機薄膜7是難以從凹陷部份3脫附，其 =機薄膜7能夠被高度緊密黏著地形成，並且沿著凹陷 :(M分3 ’、無機薄膜7能夠高精確地形成。因此，在以無機薄 安Ή電路圖案中’能夠對緊密黏著以高可靠性及高圖 案精確性形成。 ”有厚度約10至500毫微米的無機薄膜7可以上述 —成。另一方面，在電子電路基材中，需要電路的 微米的程度。因此，在用做電子電路基材當 、、的疋·乓厚被用到無機薄膜7並且電路的薄膜厚 ^被^厚。因此，在步驟(5)之後，非電子性電鍍在聚醯亞 女树知基底材質！上形成之無機薄膜7的表面上進行，其中 …、Ί仏7的厚度能夠以步驟（6) _之非電子性電鐘增厚。 非電子丨生電鍍能夠例如以浸泡聚醯亞胺樹脂基底材質1 =子性輪中來進行。在那時，非電子性電鑛薄膜 無機潯膜7的表面上分離，使用前述之奈米顆粒凝 ^形成無機薄膜7為用來分離如圖1G顯示之電鍍分離的 107747.doc 21 1282482 核。。因此，因為無機奈米顆粒之凝聚物具有非常大的表 面積其顯7F優良的催化活性，並且當其用做用於非電子 性電鍍薄膜8之分離的分離核心，電鐘薄膜之分離從許多 句勻地開始，其中可能產生顯示緊密黏著及電子特性的 非電子性電鍍薄膜8。在無機薄膜7表面上、使用無機夺米 顆粒凝聚物為用於電鍍之分離核心而做為電解性電鍍薄膜 ^分離的結果’非電子性電鍍薄膜味聚醢亞胺樹脂基底材 質1當中能夠選擇性地在無機薄膜7表面上形成。非電子性 電鍍薄膜8沿著凹陷部份3的内部部份形成，其中無機薄膜 7'成’並且在藉著無機薄臈7以非’電子性電鍍薄膜8增厚 /成電路田中’甚至在薄膜增厚之後，電路圖案的精確 :能夠以凹陷部份3維持。因此，非電子性電鑛薄膜8的厚 又不大於凹陷部份3的深度。當凹陷部份3的内部面積完全 以非電子性電鑛薄膜8填充，非電子性電鍍薄膜_厚度可 大於凹陷部份3的深度。當非電子性電鑛薄膜8的厚度大於 凹IW伤3的深度時’較佳的是：超過該深度之非電子性 膜8是藉著磨製而被移除，例如藉著如研磨之機械 脂基底材質1的再重 再重新成形’非電子性電鍍浴較佳為中性 或4驗性的非電子性電鑛浴。 【實施方式】 實例 現在本發明更詳細參考實例及比較例說明， 本發明不被解釋為限制之。 頒1解 107747.doc -22- 1282482 實例1 聚醯亞胺薄膜（由DuPont-Toray Co，· Ltd.;商標名稱： Kapton 200-H)被浸入乙醇溶液中、加以超音波清潔$分 鐘，並且在HHTC供箱中乾燥60分鐘，以清潔聚酿亞胺^ 膜的表面。 同時，苯乙烯溶液是藉著溶解5〇質量份數之苯乙烯在 180質量份數之甲苯中製備，並且苯乙烯溶液藉著旋轉塗 覆方法、在每分鐘1，500轉的條件下3〇秒内被均勻地塗覆 在聚醯亞胺薄膜的表面。之後，其被保持在保持於6〇它之 烘箱中10分鐘，以在聚醯亞胺薄膜上形成苯乙烯之抗驗性 保護膜（參考圖⑷。抗驗性保護膜的膜厚度為〇_5微米。 伤（參考圖1B) 雷射輸出 波長 閃爍操作 掃描速度 然後使用紫外線雷射裝置，線寬5微米之電路圖案在下 列條件下被晝i ’並且抗驗性保護膜及聚酿亞胺薄膜之表 面部份被移除，以圖案形狀在聚醯亞胺薄膜上形成凹陷部 凹陷部份的深度為3微米。 ·· 5瓦 :355毫微米 :脈衝式 :30毫米/秒 液中:^之聚酸亞胺薄膜被浸入5莫耳濃度KOH水溶 p考^里’其中溫度被調整到贼，以驗性水溶液處理 (蒼考圖1 c)。之接，&喊 曼ΛΚ醯亞胺薄膜被浸入乙醇溶液中，並 新^ f曰波清潔10分鐘。在聚酸亞胺薄膜的表面上，重 ” M u電路®1案形狀形成（參考圖1D)。 107747.doc -23 - 1282482 然後’ CuS04的50毫莫耳濃度水溶液被用為含金屬離子的 酸性溶液，聚醯亞胺薄膜被浸入此水溶液5分鐘，並且a 離子被配位到重新成形的部份，形成含金屬離子的重新成 形部份（參考圖1F)。之後，過量的CuSc^蒸射移除。 、，然後，NaBH4 5毫莫耳濃度水溶液被用做還原溶液， 亚且聚醯亞胺薄膜被浸入此水溶液5分鐘，並且以蒸館水 洗務，其中銅薄膜的分離在凹陷部份的内表面上、於含金 屬離子的重新成形部份上確定f夂 隹疋（參考圖1F)。銅薄膜的厚度 及線寬分別為3 0 0毫微米及$外水 ._ 3 饿卞及5镟水。銅薄膜的電絕緣性為 5x10 Qcm ’並且具有金凹 /、卩曰邛知相同形狀的電路圖案能 夠被形成。 >

CuCl； 乙烯二胺 Co(N03)2 抗壞血酸 2,2、二苏啶基 pH 之後’聚醢亞胺薄膜被浸人具有下列浴組合物之中性非 電:性銅電鍵浴中3小時，其中溫度被調整到贼。 :0·05莫耳濃度 :G·60莫耳濃度 :〇15莫耳濃度 :G·01莫耳濃度 :每分鐘20轉 :6.75 非電子性電錢鋼薄膜在凹 刀的銅薄膜上被分離，並 且膜厗度為3微米的均勻電 力+ ^矣 玉錢鋼薄膜被製備（參考圖1G)。 銅電鍍薄膜的電絕緣性為3χ1〇·5 ) Ά V ΛΑ ^ Ω〇ηΐ ’並且W述的銅薄膜 及上述的銅電鍍薄膜能夠 j小成電子電路基材的電路。 實例2 107747.doc -24- 1282482 丙烯酸酯樹脂（10質量份數）被溶解在80質量份數之香油 月包中，以製備丙烯酸酯樹脂糊。然後，該丙烯酸酯樹脂糊 以網板印刷方法、經由3〇〇網眼的sus網板及5微米的乳化 劑被塗覆在聚醯亞胺薄膜的表面上，其中表面以如實例工 之相同方式被清潔，並且保持在11〇t烘箱中3〇分鐘，以 形成抗鹼性保護膜（參考圖1A)。此抗鹼性保護膜的膜厚度 為10微米。

然後，線寬40微米之電路圖案使用YAG雷射裝置在下列 條件下破畫上，並且抗鹼性保護膜及聚醯亞胺薄膜之表面 部份被移除，以圖案形狀在聚醯亞胺薄膜上形成凹陷部份 (參考圖1B)。凹陷部份的深度為18微米。

雷射輸出 ：WET ^ ·· 1〇64毫微米 閃爍操作 ··脈衝式 掃描速度 ：100毫米/秒

同時，30質量份數的聚乙二醇被添加到1〇〇質量份數之 辰度為1 0莫耳/辰度的KOH水溶液中做為增稠劑，並且藉著 授拌溶解，製備驗性水溶液。該驗性水溶液以棒狀塗覆方 法、以膜厚度為5G微米被塗覆到聚醯亞胺薄膜的表面上， 並且在帶狀熔爐中加熱30分鐘，其中尖♦温度被保持40 °C，以該鹼性水溶液處理（參考圖⑴）。之後，聚醯亞胺薄 膜被浸到丙醇溶液，並且進行超音波清潔1Q分鐘。在聚酿 亞月女薄膜的表面上’重新成形部份以電路圖案形狀被形成 (參考圖1D)。 107747.doc -25- 1282482 :、、後’ /辰度為1 00宅莫耳濃度的AgN〇3水溶液被用做含 金屬離子之酸性水溶液，並且聚醯亞胺薄膜被浸到含該金 屬離子之水溶液中5分鐘’使得銀離子配位到凹陷部份之 内表面上的重新成形部份，含金屬離子之重新成形部份在 凹陷部份中形成（參考圖1E)。之後，過量的AgN03以蒸餘 水移除。 然後虱氣被用做還房# q U疋尽札體，並且還原處理在200它、 50% (N2平衡量）的氫氧塵下進行3〇分鐘，其中銀薄膜分離 在含金屬離子之重新成形部份的表面上確定(參考圖抒)。 銀薄膜的厚度及線寬分別為则毫微米及4G微米，並且銀 薄膜的電絕緣性為5xl(r、em，其中具有與凹陷部份相同 形狀的電路圖案能夠被形成。 之後，聚醯亞胺薄膜被浸到具有下列浴組合物的中性非 電子性電鑛浴中5小時，其中溫度被調整到8CTC。

NiS04 CH3COOH NaH2P02 pH 在凹陷部份中 :ο·1莫耳濃度 :1〇莫耳濃度 :〇·2莫耳濃度 • 4.5 非電子性電鍍鎳薄膜在銀薄膜上分離， 產生均勻電鍍鎳薄膜，其中臈厚度為16微米(參考圖叫。 電鑛鎳的電絕緣性為3翁5ω⑽，並且可能由上述銀薄膜 及上述電鍍鎳薄膜形成地電子電路基材的電路。 實例3 聚丙稀（30質量份數）被溶解在⑽質量份數之甲苯中， 107747.doc • 26 - 1282482 製備聚丙稀溶液。缺# V. Έ 、 …、後’该聚丙烯溶液以浸泡方法、在拉 伸速度20毫米/秒的條件下’均勻地被塗覆在聚醯亞胺薄 n中該表面以如實例1之相同方式被清潔，並且在 火、相中保持40 C 5分鐘，在聚醯亞胺薄膜表面上形成聚芮 烯之抗驗性保護膜(參考圖1Α)。此抗驗性保護膜的膜厚度 為0.03微米。 • 後，線見3微米之電路圖案使用飛秒雷射裝置在下列 =件下破畫上，並且抗鹼性保護膜及聚醯亞胺薄膜之表面 Ρ伤被私除’以圖案形狀在聚醯亞胺薄膜上形成凹陷部份 (參考圖1Β)。凹陷部份的深度為3微米。 雷射輸出 波長 閃爍操作 10瓦 7 8 0宅微米 脈衝式 掃描速度 ：30毫朱/秒 然後，前述之聚醯亞胺薄膜在濃度為2莫耳濃度的κ〇Η 水溶液中浸泡1〇分鐘，其中溫度被調整到7〇t，並且以鹼 性水溶液處理（參考圖10：)。之後，聚酸亞胺薄膜被浸到水 中，亚且進行超音波清潔10分鐘。在聚醯亞胺薄膜的表面 上，重新成形部份以電路圖案形狀被形成（參考圖1D)。 然後，濃度為〇. 1莫耳濃度的硫酸銦水溶液及濃度為〇 r 莫耳濃度的硫酸錫水溶液被混合，製備含金屬離子之水溶 液’其中銦離子對錫離子的莫耳比率以In/Sn而言為 15/85。聚醯亞胺薄膜被浸到含該金屬離子之水溶液中μ 刀益里，使传銦離子及錫離子配位到凹陷部份之内表面上的 107747.doc -27- 1282482 重新成形部份，含金屬離子之重新成形部份在凹陷部份中 形成（參考圖1 E)。之後，過量金屬離子以蒸餾水移除。

然後聚醢亞胺薄膜在氫氧壓、3 5 0 °C下被加以熱處理3小 時，製備含銦-錫合金的奈米顆粒凝聚物。同時，奈米顆 粒綾聚物的膜厚度為5 0毫微米。之後，聚醯亞胺薄膜在空 氣壓、300°C的條件下被加以熱處理6小時，使得銦_錫合 金與氧氣反應，其中ITO薄膜在凹陷部份的内表面上形成（參 考圖1F)。ITO薄膜的線寬為3微米及其片抵抗性為〇 7 ω/口。 實例4 對其中與100質量份數、濃度為5莫耳濃度之乙稀二胺水 溶液混合的50質量份數聚二甲基矽氧烷溶液，添加35質量 份數的聚乙烯基四氫苏咯酮及25質量份數的甘油為增稠 劑，並且混合物以授拌溶解，製備二甲基石夕氧炫糊。^二 甲基石夕氧院糊以彈性凸版印刷印刷而被均句地塗覆到聚酿 亞月女薄膜的表面上豈φ矣 " 中表面以如實例1之相同方式被清 >糸’並且在帶狀炫爐令加以熱處理1〇分鐘 在150t，在聚醯亞胺薄膜 于大峄概度 ㈣的表面上形成抗鹼性保護膜(參 考圖广。该抗鹼性保護膜的膜厚度為8微米。 然後，線寬20微米之電路圖案 ★ 丁 X丨^ 文用具空紫外線輻射裝詈 在下列條件下被畫上，並且抗 * 之表面邛份被移除，其中以 、 成凹八β ^ 口系小狀在聚醯亞胺薄膜上製 成參考圖1Β)。凹陷部份的深 雷射輸出 ：⑽瓦 波長 ··毫微米 I07747.doc -28- 1282482 真空度 ：1 〇巴斯卡 輻射時間 ：300分鐘 然後，上述之聚醯亞胺薄膜被浸到濃度為7莫耳濃度的 Mg(OH)2水溶液50分鐘，其中溫度被調整到6(Γ(：,並且以 產双f生水’谷液處理（參考圖1C)。之後，聚醯亞胺薄膜被浸到 水中 並且加以超音波清潔1 〇分鐘。在聚醯亞胺薄膜的表 面上，重新成形部份以電路圖案形狀被形成（參考圖1D)。 然後’聚亞胺薄膜被浸到含濃度為5〇毫莫耳濃度硝酸 録水溶液之含金屬離子的酸性水溶液中3分鐘，使得錦（π) 離子配位到凹陷部份之内表面上的重新成形部份，含金屬 離子之重新成形部份形成（參考圖1E)。之後，過量的硝酸 編以蒸鶴水移除。 然後含100 ppm濃度硫化鈉、5毫莫耳濃度磷酸氫二鈉、 5毫莫耳/辰度碗酸二氫卸的組合物水溶液，被保持在3 〇 C ’並且聚醯亞胺薄膜被浸在其中2 〇分鐘，以進行硫續化 處理，其中硫化鎘的奈米顆粒凝聚物被製備。在上述處理 之後，以鹼性水溶液的處理重覆進行1〇次，其中硫化鎘奈 米顆粒凝聚物的濃度增加。 之後，熱處理在空氣壓、30(rc的條件下進行5小時，形 成硫化鎘薄膜（參考圖1F)。硫化鎘薄膜的線寬及膜厚分別 為20微米及2.3微米。 比較例1 聚苯乙烯（10質量份數）被溶解在18〇質量份數之甲苯 中，製備聚苯乙烯溶液，並且該聚苯乙烯溶液藉著旋轉塗 107747.doc -29- 1282482 覆方法、在每分鐘3，〇〇〇轉的條件下及3〇秒内被均勻地塗 覆在聚酿亞胺薄膜的表面，其中該表面以如實例丨之相同 方式被清潔。之後，其被保持在6〇〇c烘箱中丨〇分鐘，在聚 醯亞胺薄膜的表面上以形成聚苯乙烯的抗鹼性保護膜。此 抗驗性保護膜的膜厚度為〇 〇〇8微米。

然後使用紫外線雷射裝置，線寬5微米之電路圖案在下 列條件下被晝上’並且抗鹼性保護膜及聚醯亞胺薄膜之表 面部份被移除，以圖案形狀在聚醯亞胺薄膜上形成凹陷部 份（參考圖1B)。凹陷部份的深度為4微米。 雷射輸出 波長 閃爍操作 掃描速度 5瓦 355毫微米 脈衝式 3 0毫米/秒 然後，上述的聚醯亞胺薄膜被浸入濃度為5莫耳濃度 KOH水溶液中5分鐘，其中溫度被調整到5(rc，並且以鹼 性水溶液處理。之後，聚醯亞胺薄膜被浸入乙醇溶液中， 並且超音波清潔1 〇分鐘。在聚醯亞胺薄膜的表面上，重新 成形部份以圖案形狀被形成。 然後，濃度為50毫莫耳濃度的CuS〇4水溶液被用做含金 屬離子之酸性水溶液，並且聚醯亞胺薄膜被浸到該水溶液 中5分鐘’使得Cu離子配位到重新成形部份，其中含金屬 離子的重新成形部份被形成。之後，過量的CuS〇4以蒸餾 水移除。 然後’聚醯亞胺薄膜被浸到濃度為5毫莫耳濃度、做為 】0*7747.doc -30- 1282482 還原溶液的NaBHU水溶液中5分鐘，並且以蒸餾水洗務， 其中銅薄膜的分離被注意到不只在凹陷部份，也在除了沒 有電路圖案能形成之凹陷部份外的聚醯亞胺薄膜表面。 比較例2 丙烯酸酯樹脂（30質量份數）被溶解在80質量份數之香油 腦中，以製備丙烯酸酯樹脂糊。然後，該丙烯酸酯樹脂糊 以網板印刷方法、經由200網眼的SUS網板及2〇微米的乳 化劑被塗覆在聚醯亞胺薄膜的表面上，其中表面以如實例 1之相同方式被清潔，並且保持在11(rc烘箱中3〇分鐘，以 在聚醯亞胺薄膜的表面上形成丙烯酸酯樹脂的抗鹼性保護 膜。此抗驗性保護膜的膜厚度為丨5微米。 然後，線寬40微米之電路圖案使用YAG雷射裝置在下列 條件下被晝上，以圖案形狀形成凹陷部份。凹陷部份的深 度為12微米，並且其不滲透抗鹼性保護膜，並且不達到聚 醯亞胺薄膜的表面。 :50瓦 雷射輸出 n : 1064毫微米 閃蝶操作 ··脈衝式 掃描速度 ：20毫米/秒 :後’前述之聚醯亞胺薄膜在濃度為5莫耳濃度的k〇h 水冷液中次泡5分鐘’纟中溫度被調整到抓，並且以驗 性水溶液加以處理°之後，肖聚醯亞胺薄膜被浸到乙醇溶 、 並且進行超音波清潔1 0分鐘。在該聚醯亞胺薄膜的 表面上重新成形的形成無法被確定。 107747.doc 1282482 比較例3 乙基纖維素（30質量份數）被溶解在1〇〇質量份數之香油 腦中，以製備乙基纖維素溶液。然後，該乙基纖維素溶液 以網板印刷方法、經由300網眼的SIJS網板及5微米的乳化 劑被塗覆在聚醯亞胺薄膜的表面上，其中表面以如實例1 之相同方式被清潔，並且保持在11(rc烘箱中3〇分鐘，以 在聚醯亞胺薄膜的表面上形成乙基纖維素的抗鹼性保護 鲁膜。此乙基纖維素的膜厚度為5微米。 然後，線寬40微米之電路圖案使用YAG雷射裝置在下列 條件下被晝上，並且乙基纖維素膜及聚醯亞胺薄膜的表面 4知被移除，以圖案形狀形在聚醯亞胺薄膜上成凹陷部份 (参考圖1Β)。凹陷部份的深度為18微米。 雷射輸出 ；5 0瓦 波長 ；1064毫微米 閃爍操作 ·，脈衝式 # 掃描速度 ；100毫米/秒 然後’前述之聚醯亞胺薄膜在濃度為5莫耳濃度的ΚΟΗ 水溶液中浸泡5分鐘，其中溫度被調整到5〇它，並且以鹼 性水溶液加以處理。之後，該聚醯亞胺薄膜被浸到乙醇溶 液中，並且進行超音波清潔10分鐘。如此鹼處理的結果 為··在該乙基纖維素膜溶解在K0H水溶液中，並且在聚醯 亞胺溥膜的表面上，不存在保護膜。 如上述，本發明能夠廣泛地使用在電子零售及機械零件 的製造上，特別是如可撓性電路板、剛性電路板及用於 107747.doc -32- 1282482 TAB載體的電路板製造上。 當本發明被詳細並參考其特定具體實施例敘述時，習知 此藝者明白：可在其中有不同變化及改變，而不择離其精 神及範疇。 本申請書是以2004年12月27日送件之曰本專利申請書 2004-377950為基礎，並且其内容在此併於本文為參考。 【圖式簡單說明】 圖1A至1G顯示本發明之具體實施例的實例，並且各為 圖式剖面圖。 【主要元件符號說明】 2 3 4 5 聚醢亞胺樹脂基底材質 抗驗性保護膜 凹陷部份 鹼性水溶液 重新成形的部份

7 8 含金屬離子的重新成形部份 無機薄膜 非電子性電鍍薄膜 I07747.doc -33 -

Claims (1)

1282482 十、申請專利範圍： 1· -種在聚酿亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方法，其包 含： ⑴-形成抗鹼性保護薄膜的步驟，該薄膜在聚醯亞胺 樹脂的表面上具有厚度為0.01至10微米； (2) -移除該抗驗性保護薄膜及在該聚醯亞胺樹脂之益 機薄膜圖案形成位置上之表面部份的步驟，以形成一個 凹陷部份； (3) —將鹼性水溶液與該聚醯亞胺樹脂在凹陷部份接觸 勺；X驟以切斷5亥聚醯亞胺樹脂之醯亞胺環，以在具有 羧基團之聚醯亞胺樹脂形成處產生羧基團； (4) 一將含金屬離子溶液與具有羧基團之聚醯亞胺樹脂 接觸的步驟，以產生羧基圓之金屬鹽；及 (5) 在聚醯亞胺樹脂之表面上分離為金屬、金屬氧化 物或半導體之金屬鹽的步驟，以形成無機薄膜圖案。 2·根據請求項丨之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法， 其中，在步驟（2)中，是以雷射或真空紫外線光的輻射 移除該抗鹼性保護薄膜及該聚醯亞胺樹脂的表面部分， 而形成凹陷部份。 3.根據請求項1之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法， ^ 其中，在步驟（5)中，該金屬鹽被加以還原處理，而在 該聚醯亞胺樹脂的表面上被分離成金屬，以形成金屬薄 107747.doc 1282482 膜。 4.根據請求項1之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法， 、 其中，在步驟（5)中，該金屬鹽與經活化氣體反應，在 該聚醯亞胺樹脂之表面上被分離為金屬氧化物或半導 體，以形成金屬氧化物薄膜或半導體薄膜。 5·根據請求項1之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法， 、 其中，在步驟（5)中，該無機薄膜圖案包含無機奈米顆 粒的凝聚物。 ' 6. 根據請求項1之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法，， 卞 其中，在步驟（5)中，一部份的無機奈米顆粒凝聚物被 欲入在該聚醯亞胺樹脂中。 7. 根據請求項1之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法，其中，在步驟（5)之後，其進一步包含 (6)—在無機薄膜圖案被分離之該聚醯亞胺樹脂的表面 上施加非電子性電鍍的步驟。 8. 根據請求項5之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法，其中，在步驟（5)之後，其進一步包含 (6)—在無機薄膜圖案被分離之該聚醯亞胺樹脂的表面 上施加非電子性電鍍的步驟。 9·根據請求項8之在聚醯亞胺樹脂上形成無機薄膜圖案的方 法， 107747.doc 1282482 其中，在步驟（6)中，該 奈米顆粒凝聚物做為用於錢 電=疋錯者使用無機 、 ， & <刀雊的核心來進行。 1 〇 ·根據清求項1之在聚醢亞胺樹脂上形成無機薄膜安 、闺本的方 法， 其中該無機薄膜圖案具有電路圖案的形狀。

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