TWI282103B - An electrode foil used in condenser and a method of producing the same - Google Patents
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- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 71
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 62
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 50
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 40
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 25
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 22
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 152
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 77
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 41
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 33
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 32
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 30
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 29
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 24
- -1 lactic acid titanate ion Chemical class 0.000 description 21
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 20
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 10
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 8
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 8
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- MBAKFIZHTUAVJN-UHFFFAOYSA-I hexafluoroantimony(1-);hydron Chemical compound F.F[Sb](F)(F)(F)F MBAKFIZHTUAVJN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000001502 gel electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000028327 secretion Effects 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272814 Anser sp. Species 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 235000002566 Capsicum Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N Lactic Acid Natural products CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006002 Pepper Substances 0.000 description 1
- 235000016761 Piper aduncum Nutrition 0.000 description 1
- 235000017804 Piper guineense Nutrition 0.000 description 1
- 244000203593 Piper nigrum Species 0.000 description 1
- 235000008184 Piper nigrum Nutrition 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N Salicylic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000239226 Scorpiones Species 0.000 description 1
- 240000006394 Sorghum bicolor Species 0.000 description 1
- 235000011684 Sorghum saccharatum Nutrition 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- NMGYKLMMQCTUGI-UHFFFAOYSA-J diazanium;titanium(4+);hexafluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] NMGYKLMMQCTUGI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- IWPONXBZGIPGMD-UHFFFAOYSA-N difluoro 3,4,5,6-tetrafluorobenzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound FOC(C=1C(C(=O)OF)=C(C(=C(C=1F)F)F)F)=O IWPONXBZGIPGMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000002265 electronic spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- CZMAIROVPAYCMU-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+) Chemical compound [La+3] CZMAIROVPAYCMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) chloride Chemical compound Cl[La](Cl)Cl ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHUHXSNGMLUYES-UHFFFAOYSA-J osmium(iv) chloride Chemical compound Cl[Os](Cl)(Cl)Cl IHUHXSNGMLUYES-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- BLGUIMKBRCQORR-UHFFFAOYSA-M potassium;hexanoate Chemical compound [K+].CCCCCC([O-])=O BLGUIMKBRCQORR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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Description
* -. 1282103 九、發明說明： 【發明所屬之枝術領域】 發明領域 本發明係有關於-種電容器用電極络及其製造方 广編有關於靜電容量之高容量化之電容器用 及里 製造方法。 久其 C 才支4椅;3 發明背景 •、—般㈣’㈣構錢解電容11_電極係、於酸水 10溶液中對銘箱加外直流電壓或交流電壓，進行電解兹刻， 於羯表面形成多數的凹洞，使表面積擴大後，於化學溶液 中進行陽極氧化，使於箱表面形成氧化銘皮膜，以作為電 極材料使用。於使靜電容量增大上，可列舉使箔的表面積 增大或使作為介電體的氧化皮膜變薄等方法，關於該等方 5法已進灯過各種檢討。進而，關於使氧化皮膜的介電常數 # 冑大並使靜電容量增大的方法、即藉著形成介電常數高的 ^化鈦皮膜、氧化鈦與氧化銘的複合氧化皮膜而帶來高容 量化之方法亦進行檢討，但現狀係無法充份地增大容量。 #關於後者，例如於曰本特開2〇〇3_11542〇號公報中，藉 2〇者於吸著含鈦錯離子的水溶液後，於蝴酸鐘等電解液中進 行祕氧化’以形成氧化鈦與氧化紹的複合氧化物，但使 用草酉文鈦1離子、乳酸鈦酸離子、檸樣酸欽離子、酒石酸 欽g夂料水揚酸鈦酸離子等時，由於與A】洛的密著性不 足不月4成良好的氧化鈦膜，故其複合氧化物亦為脆弱， 1282103 無法得到充份的靜電容量，漏電流亦變大。 又，於日本特開2003-224036號公報中，於氧化鈦皮膜 的形成上列舉CVD法、濺鍍法、溶膠凝膠法、溶膠凝膠電 泳電鍍法等進行檢討，但於CVD法與濺鍍法中，由於朝已 5 蝕刻的A1箔的成膜極為困難，故無法得到充份的靜電容 量，漏電流亦變大。於溶膠凝膠法與溶膠凝膠電泳電鍍法 中，由於不易形成緻密的氧化物皮膜，故無法得到充份的 靜電容量，漏電流亦變大。因此，於日本特開2003-257796 號公報中，加以改良溶膠凝膠法，對含有高聚合度的閥金 10 屬氧化物高分子-芬香族化合物溶媒錯合物進行檢討，但此 時亦必須用以形成氧化皮膜的熱處理，因熱處理時的揮發 物所帶來的緻密度的減低，而無法得到充份的靜電容量， 漏電流的改善亦不足。於日本特開平5-315197號公報中， 於塗佈金屬鹽或有機金屬鹽後，藉著熱分解形成氧化物皮 15 膜，與上述相同地，因熱分解時的揮發物所帶來的緻密度 的減低，而無法得到充份的靜電容量，漏電流的改善亦不 足。 【發明内容】 發明概要 20 本發明鑑於上述情況，其目的係提供一種高容量的電 容器用電極箔及其製造方法。 本發明者們經銳意檢討用以解決前述問題的方法後， 結果發現一種電容器用電極箔可隨著閥作用金屬的介電常 數而增大靜電容量，該電容器用電極箔係至少具有以紹以 1282103 之^作用金屬構賴金屬氧化物作為域份的含氟皮膜 的介ίΐ進而發現—種電容器用電極可隨著閥作用金屬 係至：：ϊ而f進一少增大靜電容量，該電容器用電極箱 用金屬播/錢化祕為主成份的皮膜及以糾外的閥作 或者該電=金屬氧化物作為主成份的含氟皮膜之㈣， 皮膜電極㈣至少具有以氧化銘作為主成份的 化物中/ί外的閥作用金屬的複合氧化物或混合氧 10箔 閱作用全屬ΪΓ者=為主成份的含氟皮膜及㈣以外的 箱。 ^金Μ化物料主成份的含氟皮膜之銘 本發明之旨趣如下所述。 作用金屬構自’係至少具有以銘以外的閥 箱。構成的金屬氧化物料主成份的含氟皮膜之紹 15 主成(=電容器_’係至少具有以氧化_ 作:=:_外_乍用金屬構成的金屬氧化物 作為主成伤的含氟皮膜之鋁箔。 主成=的=電容__，係至少―作為 或混合氧化物中的—者或兩者 m乳化物 奴L7々卜ή6問从m P 马主成伤的含氟皮膜及以 二:成的〜物作為主成份的含氟 (4) 一種電容器用電極箔 於該絲面形成金屬氧化物接觸於處理液而 、而形成，該處理液係以以 20 1282103 下二種水溶液中的—者或二者作為主成份，即： 閱作用金屬離子與莫 勺 的水、、^ ^耳比為祕子6倍以上的氣離子共存 岭液，及包含由紹以外的閥作用金屬與莫耳入 屬6倍以上的氟所構成的錯離子的水溶液。 孟 10 15 於種電容11用電郎，係使鋁轉觸於處理液而 形=Γ成金屬氧化物皮膜後，進行陽極氧化處理而 Μ理液係以以下二種水溶液中的_者或二者作為 立成份’即··銘以外的閥作用金屬離子與莫耳比為該離子6 倍以上的氟離子共存的水溶液，及包含由如外的闕作用 金屬與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成的錯離子的 溶液。 (6) —種電容器用電極箔，係使鋁箔接觸於處理液而 於該羯表面形成金屬氧化物皮膜後，進行陽極氧化處理及 熱處理而形成，該處理液係以以下二種水溶液中的一者或 二者作為主成份，即：鋁以外的閥作用金屬離子與莫耳比 為該離子6倍以上的氟離子共存的水溶液，及包含由鋁以外 的閥作用金屬與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成的錯 離子的水溶液。 (7) 如前述第（4)〜(6)項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述處理液的pH係4〜7。 (8) 如前述第（6)項之電容器用電極箔，其中前述熱處 理溫度係400°C以下。 (9) 如前述第（1)〜(6)項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述閥作用金屬係鈦、钽、鈮中的1種以上。 20 1282103 (10) 如前述第（1)〜(6)項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述閥作用金屬係鈦。 (11) 如前述第（1)〜(6)項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述铭箔係經#刻的紹箔。 5 (12)—種電容器，係以前述第（1)〜(11)項中任一項之電 容器用電極箱作為構成元件。 (13) —種電容器用電極箔之製造方法，係使鋁箔接觸 於處理液，於該箔表面形成金屬氧化物皮膜者，該處理液 係以以下二種水溶液中的一者或二者作為主成份，即：鋁 10 以外的閥作用金屬離子與莫耳比為該離子6倍以上的氟離 子共存的水溶液，及包含由鋁以外的閥作用金屬與莫耳比 為該金屬6倍以上的氟所構成的錯離子的水溶液。 (14) 一種電容器用電極箔之製造方法，係使鋁箔接觸 於處理液，於該箔表面形成金屬氧化物皮膜後，進行陽極 15 氧化處理者，該處理液係以以下二種水溶液中的一者或二 者作為主成份，即··鋁以外的閥作用金屬離子與莫耳比為 該離子6倍以上的氟離子共存的水溶液，及包含由紹以外的 閥作用金屬與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成的錯離 子的水溶液。 20 (15)—種電容器用電極箔之製造方法，係使鋁箔接觸 於處理液，於該箔表面形成金屬氧化物皮膜後，進行陽極 氧化處理，進而進行熱處理者，該處理液係以以下二種水 溶液中的一者或二者作為主成份，即：鋁以外的閥作用金 屬離子與莫耳比為該離子6倍以上的氟離子共存的水溶 1282103 液，及包含由鋁以外的閥作用金屬與莫耳比為該金屬6倍以 上的氟所構成的錯離子的水溶液。 (16)如前述第（13)〜(15)項中任一項之電容器用電極箔 之製造方法，其中前述處理液的pH係4〜7。 5 (17)如前述第（15)項之電容器用電極箔之製造方法，其 中前述熱處理溫度係400°C以下。 (18)如前述第（13)〜(15)項中任一項之電容器用電極箔 之製造方法，其中前述閥作用金屬係鈦、组、銳中的1種以 上。 10 (19)如前述第（13)〜(15)項中任一項之電容器用電極箔 之製造方法，其中前述閥作用金屬係鈦。 如前述第（13)〜(15)項中任一項之電容器用電極箔之製 造方法，其中前述紹箔係經I虫刻的紹箔。 I：實施方式3 15 發明之較佳實施形態 以下，詳細地說明本發明。 所謂閥作用金屬係指其金屬氧化物僅使電流朝一方向 流動，極不易朝相反方向流動之金屬，具體而言可列舉鈕、 鈮、锆、鈦等，但只要是具有上述作用，並不限定於該等 20 金屬。 關於以鋁以外的閥作用金屬構成的金屬氧化物作為主 成份的含氟皮膜、以鋁及鋁以外的閥作用金屬的複合氧化 物或混合氧化物中的一者或兩者作為主成份的含氟皮膜、 以氧化紹作為主成份的皮膜，該等皮膜的膜厚愈薄容量愈 10 1282103 大。又，進-步包含不會阻礙該等3種皮膜的作用之皮膜或 成份亦可。 又，關於存在於皮膜中的氟的效果顯現的機構，認為 可能是有助於氧化物皮膜形成時的觸媒作用與皮膜的安定 5化，但尚未明確。皮膜中的氟含有濃度宜為0·1原子％〜60 原子％。未滿0.1原子％時，效果顯現不足，60原子％以上時 有漏電流增大之情形。 於鋁以外的閥作用金屬離子與莫耳比為該離子6倍以 上的氟離子共存的水溶液，或包含由I呂以外的閥作用金屬 1〇與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成的錯離子的水溶液 中成為金屬離子與氧化物的平衡反應。關於金屬離子的 濃度，其理由並不清楚，但依照金屬離子的種類，成膜狀 態或成膜量不同。氟離子可列舉氟化氫酸或其鹽，例如銨 鹽、鐘鹽、鈉鹽等，關於該等鹽並沒有限制。關於包含金 15屬與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成的錯離子，可使用 六氟鈦酸、六氟鈮酸、六氟钽酸、六氟鍅酸等或其等之鹽， 例如銨鹽、鋰鹽、鈉鹽等，關於該等鹽並沒有特別限制。 進而’於錯離子中包含金屬與氟以外的元素亦可。使用鹽 時’由於依照其陽離子種的不同其飽和溶解度不同，故有 20必須考慮成膜濃度範圍而選擇決定之情形。於處理液的金 屬離子與氟離子的莫耳比未滿6倍時，雖然可健全地成膜， 但沒有足夠的容量增大。 藉著氟離子、氫離子的消耗及還原，金屬離子成為氧 化物的反應進行中，著眼於處理液pH進行檢討。結果發現 11 1282103 5
10 15
20 處理液pIUx4〜7為佳。較佳為5〜6。於處理液pH未滿4時， 雖然可健全地成膜，但沒有足夠的容量增大。關於其理由 並不明4 m比7大時，溶液不安定，有凝集物析 出之情形，不適合較薄的成膜。處理液PH的調整以周知的 綠即可。本發明之析出反應的其他條件並沒有特別限 疋。反應溫度及反應時間只要適當設定即可。 關於成膜可列舉浸潰、噴霧、噴塗等，但只要讓㈣ 接觸於上述處理液即可，方法並無限定。 陽極氧化處理用電解液例如可列舉含有硼酸銨、磷 酸、己二酸、草酸、硫酸、癸二酸或其等之銨鹽中的—種 或二種以上之歸’但並不限定於此。又，陽極氧化處理 條件只要以周知的條件進行即可，並無特別限定。 陽極氧化後的熱處理溫度以400t以下為佳，較佳為 200〜400°c。於未滿200°c時，熱處理的效果有不足之情二 超過40(TC時’靜電容量下降。熱處理時的氣氛以真空中或 氮或氬等惰性氣體中為f取真空時可由大氣減壓，或於 以惰性氣體取代氣氛後減壓。 、 使用的紹箱可列舉例如1聊、IN90等電容器中使用的 同、、、屯度！呂4。進而，為！呂燒結體亦可。關於钱㈤，與粗化 處理的程度無關。 可為使用具有皮膜的鋁箔作為陽極的電容器。再者 關於電解質及陰極並無限定，只要適當選擇使用即可。 實施例 以下，以實施例具體地制本發明，但本發明並不能 12 1282103 以該等實施例作任何限制。 (實施例1) 如下所述地使用各種處理液成膜後，對靜電容量及漏 電流進行評價。 5 處理液、處理條件及結果等顯示於表1、表2(接續表1)。 基材使用未蝕刻加工的未化學合成的Am(IN99)。進行陽極 氧化時，使用12%的己二酸銨水溶液，於溫度8(rc外加電 壓50V、6〇分鐘進行。 靜電容量使用12%的己二酸銨水溶液，量器以 10 1進行測疋。漏電流則以外加5v測定。評價於與下述 作為比較例之實驗No· 46的比較下，基於以下的基準進行。 •靜電容量 X :比No. 46低 △:比No. 46高1〜5倍 〇：比No. 46高5〜10倍 15 ◎:比No. 46高10倍以上 •漏電流 X :比No. 46高 ◦:與No. 46相等 ◎:比No. 46低 〔實驗N〇. 1〜6〕 20 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為1 : 5的0.1M氯 化欽與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約300°C進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測 13 1282103 定，經確認為0·1〜60原子％。 〔實驗No. 7〜12〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為i :6的〇·1Μ氯 化鈦與氟化氳^c的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將阳調整 至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。關於皮膜中的氟量以χ射線光電子光 譜分析法測定，經確認為〇1〜6〇原子％。 〔貫驗No· 13〜16〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為i :6的0.1M氯 1〇化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至4、5、6、7。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。進行陽極氧化。關於皮膜中的氟量以χ射線光 電子光譜分析法測定，經確認為〇1〜6〇原子0/〇。 〔實驗No· 17〜19〕 15 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的0.1M氯 化鈦與氟化氳銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至5。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，以約300t進行熱處理。熱處理氣氛為 真空中、氮氣中及含未滿1%的氮氣之真空中。關於皮膜中 2〇的氟里以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為0.1〜60 原子％。 〔實驗No. 20、21〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的〇·1Μ氯 化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將？11調整 1282103 至6 7。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，於真空中以約30(TC進行熱處理。關於 皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為 〇·1〜60原子％。 5 〔實驗No. 22〜27〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的〇·ΐΜ氣 化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至4、5、6。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約9〇。〇、約45〇。〇分 10別進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析 法測定，經確認為〇·1〜6〇原子％。 〔實驗No. 28〜33〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為丨：12的0.1M氯 化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 15 至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約3〇(^c進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測 定’經確認為0.1〜60原子％。 〔實驗No. 34〜39〕 2 0 處理液使用0·1Μ六氟鈦酸水溶液，以氫氟酸及氨水將 ΡΗ調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘 進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約 3〇〇C進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜 分析法測定，經確認為〇·1〜6〇原子％。 15 1282103 〔實驗No· 40〜45〕 處理液使用0.1M六氟鈦酸銨水溶液，以氫氟酸及氨水 將pH調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5 分鐘進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中 5 以約30(TC進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子 光譜分析法測定，經確認為0.1〜60原子％。 〔實驗No· 46〕 將基材陽極氧化後，於真空中以約300°C進行熱處理。 ⑩ 16 1282103
孽 |s ..椠 漩Η 特性評價 漏電流 蠻化 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 〇 < < < <3 < <] <1 〇 1 < △〜U △〜〇 〇 1 < <] 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 < 成膜後處理 熱處理(真空中） 400Ρ〇 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 200°C~ 400°C 杯 杯 杯 杷 杷 杷 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 杷 杷 椰 杷 1 1 〜100〇C 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 t 1 1 1 1 1 1 1 1 1 陽極氧化 杷 杯 1 1 1 1 ! 1 杯 杷 R! 寸 Ό 00 寸 so 卜 00 寸 ΙΛ Ό 卜 in iT) v£) 卜 寸 寸 Λ3 VO v〇 Η η 1—< — — — 想 «ί姨 屮φ 基材 Alfg平坦 1 — (N m 寸 m VO 00 〇\ 〇 1-H (N m r-H 2 in r—^ 卜 00 Os m ίΝ 1實施例| I實施例| 丨實施例| I實施例| I實施例| |實施例| 丨實施例| I實施例| I實施例| I實施例| 1實施例| 1實施例| 1實施例 I實施例| I實施例 |實施例| |實施例| 實施例 實施例 I實施例| I實施例| 實施例 1實施例 17 1282103
特性評價 漏電流 變化 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 基準丨 me 〇 <3 〇 < ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 基準 成膜後處理 熱處理(真空中） 400。〇 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 200〇C 〜 400°C I 1 1 1 4^ 杷 杯 杯 杯 杯 杯 杯 杷 杯 杯 杯 你 杯 他 〜100°C 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ! 1 1 1 1 1 1 1 1 陽極氧化 你 你 妹 杷 杯 杷 4^ 杯 杯 杷 S} X α in in 〇 \〇 m 寸 in v〇 卜 00 m 寸 卜 00 m 寸 卜 〇〇 1 莫耳比 VO v〇 1 — 1 戡 m 鈦離子、氟離子 混合水溶液 \ 六氟鈦酸水溶液 六氟欽酸銨水溶液 1 基材 A1箔平坦 A1箔平坦 Z CN ?5 — m CM m m in m 卜 m 00 m 〇\ m 〇 5 5 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 I實施例| 實施例 實施例 1實施例| 丨實施例| 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 |實施例| 18 1282103 (實施例2) 如下所述地使用各種處理液成膜後，對靜電容量及漏 電流進行評價。 處理液、處理條件及結果等顯示於表3、表4(接續表3)。 5基材使用於以鹽酸為主成份的飯刻液中，經以直流|虫刻成 為約20倍的表面積的未化學合成的A1^(IN99)。進行陽極氧 化時，使用12%的己二酸銨水溶液，於溫度8〇。〇外加電壓 5〇V、60分鐘進行。 靜電容量使用U0/。的己二酸銨水溶液，以LCR^〗量器以 10 1201^進行測定。漏電流則以外加5V測定。評價於與下述 作為比較例之實驗Ν〇· 92的比較下，基於以下的基準進行。 •靜電容量 X :比No. 92低 •比No. 92南1〜5倍 〇 ·比No· 92南5〜10倍 15 ◎:比No. 92高10倍以上 •漏電流 X :比No. 92高 〇：與No· 92相等 ◎:比No. 92低 〔實驗No. 47〜52〕 〇 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為1 ·· 5的0.1M氯 化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至3、4、5、0、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約％ 0。。進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以χ射線光電子光譜分析法測 19 1282103 疋’經確認為〇·1〜6〇原子％。 〔實驗No. 53〜58〕 處理液使用鈦離子舆氟離子的莫耳比為i : 6的〇刚氯 化鈦吳氟化氮&的混合水溶液，以氯氣酸及氨水將阳調整 5至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光 譜分析法測定，經確認為〇1〜6〇原子％。 〔實驗No. 59〜62〕 1 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為i: 6的讀氯 10化鈦純化氫銨的混合水驗，叫氟酸及氨水將pH調整 至4、5、6、7。成膜係㈣於室溫輯沒鐘進行，成膜後， ^洗風乾。進行陽極氧化。關於皮膜中的氣量以X射線光 電子光譜分析法測定，經確認為〇丨〜⑼原子％。 〔實驗No. 63〜65〕 15 纽毅祕離子與氟離子的料比為1 : 6的(UM氯 φ 化鈦與氟化氫銨的混合水料，以聽酸及氨水將PH調整 至5。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，以約30(rc進行熱處理。熱處理氣氛為 真，中、氮氣中及含未滿1%的氮氣之真空中。關於皮膜中 20的亂量以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為〇1〜 原子％。 〔實驗No. 66、67〕 處理液使用欽離子與氟離子的莫耳比為】：6的讀氯 化鈦與氟化氳銨的混合水雜，以氫該絲水將pH調整 20 1282103 至6、7。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，於真空中以約30(rc進行熱處理。關於 皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為 〇·1〜60原子％。 5 〔實驗No· 68〜73〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的〇·1Μ氯 化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至4、5、6。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約9〇〇c、約45〇它分 10別進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析 法測定，經確認為0.:^60原子％。 〔實驗No. 74〜79〕 處理液使用鈦離子與氟離子的莫耳比為丨：9的〇11^氯 化鈦與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 15至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室温浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約3〇〇。(：進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測 定’經確認為0.1〜60原子％。 〔實驗No. 80〜85〕 處理液使用0.1M六氟鈦酸水溶液，以氫氟酸及氨水將 pH调整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘 進仃，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約 進行熱處理。關於皮膜中的氟量以χ射線光電子光譜 刀析去測定’經確認為0· 1〜60原子％ 〇 21 1282103 〔實驗No· 86〜91〕 處理液使用0.1M六氣鈦酸銨水溶液，以氫敦酸及氨水 將pH調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5 分鐘進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中 5 以約300°C進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子 光譜分析法測定，經確認為0.1〜60原子％。 〔實驗No· 92〕 將基材陽極氧化後，於真空中以約300°C進行熱處理。 1282103
$ P ••雜 wf 待性評價 漏電流 變化 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 〇 ㈣ <1 < < < < <3 < △〜〇 1 △〜〇 △〜〇 △〜〇 < 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 <] 成膜後處理 熱處理(真空中） 400〇C〜 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 200〇C~ 400°C 杷 杯 体 杯 椒 杯 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 杯 杷 杷 1 1 ~100°C 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 i 1 陽極氧化 杷 % 杯 1 1 1 1 1 1 椒 杯 杯 4r 喊 m 寸 iTi v〇 OG ΓΟ ν〇 00 VO in \〇 卜 寸 寸 莫耳比 Ό X) — — — 骤 想 鈦離子、氤錐早 1 混合水溶液 基材 Α1箔平坦 1 〇 in 5； !〇 〇〇 tn 0\ § S 2 S 2 S ίο $ $ 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例丨 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 |實施例丨 23 1282103
(ε<螫)寸嵴 $ 特性評價 漏電流 變化 Ο 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ Ο 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 基準1 ㈣ Ο < 〇 < ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 基準丨 成膜後處理 熱處理(真空中） 400〇〇 1 1 1 1 1 1 1 1 1 [ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 200艽〜 400°C 1 ! 1 1 杯 杷 杯 杯 你 妹 杯 杷 杯 栖 杷 杷 杷 杷 〜100〇C 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 J 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 陽極氧化 杯 你 杯 杯 杯 杯 枇 栖 S! 喊 X α in Ό m 寸 VO 卜 00 m 寸 in VO 卜 00 m 寸 U-i 卜 00 1 莫耳比 PL. 〇\ v〇 1 f Η Η — 1 凝 * 鈦離子、氟離子 混合水溶液 六氟鈦酸水溶液 六氟鈦酸銨水溶液 1 基材 1 A1笛平坦 A1箔平坦 Ζ ο ο CN cn JO v〇 00 Ον § 5 CM 00 S3 00 00 §§ t—^ On 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 I實施例丨 24 1282103 (實施例3) 如下所述地使用各種處理液成膜後，對靜電容量及漏 電流進行評價。 處理液、處理條件及結果等顯示於表5、表6(接續表5)。 基材使用於以鹽酸為主成份的蝕刻液中，經以直流蝕刻成 為約2〇倍的表面積的未化學合成的A1箔（IN99)。進行陽極氧 化時’使用12%的己二酸銨水溶液，於溫度8(TC外加電壓 50V、6〇分鐘進行。 10 15 20 靜電容量使用12%的己二酸銨水溶液，以LCR測量器以 120HZ進行測定。漏電流則以外加5V測定。評價於與下述 作為比較例之實驗No· 92的比較下，基於以下的基準進行。 •靜電容量 X :比No. 92低 △:比No. 92高1〜3倍 〇：比No. 92高3〜6倍 ◎:比No. 92高6倍以上 •漏電流 X :比No. 92高 〇：與No. 92相等 ◎ ··比No. 92低 〔實驗Ν〇· 93〜98〕 處理液使用鈕離子與氟離子的莫耳比為丨：5的〇1“氯 化1-與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至3、4 、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 月梦德 ，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約3〇〇。〇進 灯…义理。關於皮膜中的氟量以χ射線光電子光譜分析法測 25 1282103 定，經確認為0·1〜6〇原子％。 〔實驗No· 99〜104〕 夜使用！一離子與氟離子的莫耳比為工：6的氯 化组與氟化驗的混合水轉，錢氟酸及氨水將阳調整 5至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光 譜分析法測定，經確認為01〜60原子％。 〔實驗No. 105〜108〕 處理液使用麵離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的〇1M氯 10化與氟化鼠叙的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至4、5、6、7。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。進行陽極氧化。關於皮膜中的氟量以X射線光 電子光譜分析法測定，經確認為〇·1〜60原子％。 〔實驗 No. 1〇9 〜111〕 15 處理液使用鈕離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的0.1M氯 化组與氣化鼠錢的混合水溶液’以氮氟酸及氨水將pH調整 至5。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，以約3〇〇°C進行熱處理。熱處理氣氛為 真空中、氮氣中及含未滿1〇/〇的氮氣之真空中。關於皮膜中 20的氟量以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為0.1〜60 原子％。 〔實驗No. 112、113〕 處理液使用钽離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的0·1Μ氯 化组與氟化氫按的混合水溶液’以氫氟酸及氣水將pH調整 26 1282103 至6、7。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，於真空中以約30(rc進行熱處理。關於 皮膜中的氟I以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為 0.1〜60原子％。 5 〔實驗 No. 114 〜119〕 處理液使用鈕離子與氟離子的莫耳比為丨·· 6&〇1M氯 化组與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將調整 至4、5、6。成膜係藉著於室温浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約9(rc、約45(^c分 1〇別進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析 法測定，經確認為〇.：1〜60原子％。 〔實驗 No. 120 〜125〕 處理液使用钽離子與氟離子的莫耳比為1 : 7的〇1M氣 化短與氟化氫鐘的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 15至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後’水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約3⑻。C進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測 定，經確認為0.1〜60原子％。 〔實驗 No. 126 〜131〕 20 處理液使用〇·1Μ六氟鈕酸水溶液，以氫氟酸及氨水將 pH調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘 進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約 3〇〇°C進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜 分析法測定，經確認為0.1〜60原子％。 27 1282103 〔實驗 No· 132 〜137〕 處理液使用0.1M六氣钽酸卸水溶液，以氫氟酸及氨水 將pH調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5 分鐘進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中 5 以約300°C進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子 光譜分析法測定，經確認為0.1〜60原子％。
28 1282103
擊 Is .•鹅 特性評價 漏電流 變化 Ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 〇 <3 <3 <1 < < < <1 〇 1 < | △〜〇I △〜〇 △〜〇 < 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 <] 成膜後處理 熱處理(真空中) 400〇C 〜 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 200〇C 〜 400°C 杯 杯 你 杯 杷 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 杷 杷 杯 他 杷 1 1 〜100V 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 : 1 1 1 1 1 1 1 1 陽極氧化 % 杯 1 1 1 1 1 1 杯 杷 枇 杯 喊 α ΓΟ 寸 in 卜 00 m 寸 \〇 卜 00 寸 tn 卜 in 寸 寸 莫耳比 Λ Ό VO V〇 VO 1—Η 蘧 « 鈦離子、氟錐手 混合水溶液 基材 A1箔平坦 1 S! S： §： 〇 Ψ-Η f—t S r-H r-H S g T-M g τ-Η S 1-H 〇 1—^ <N m r-H 2 in Ψ^4 實施例 實施例 實施例| 實施例| 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 I實施例I 29 1282103
% 樂 特性評價 漏電流 變化 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 < 〇 <1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 成膜後處理 熱處理(真空中） 400°C~ 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 I 200〇C〜 400°C 1 1 1 1 妹 杷 杯 他 杷 栖 杷 杯 # 杯 杷 杯 枇 枇 〜100〇C 1 1 1 I I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 t 1 I 1 1 陽極氧化 杯 杯 杷 杷 杯 杯 Si 喊 Cu •η v〇 v〇 寸 »Γ> Ό 卜 00 m VO 卜 00 m 寸 v〇 卜 00 1莫耳比| r Ό Xi -Η 一 •Η 骧 鈦離子、氟離子 混合水溶液 六氟鈦敗水溶液 六氟欽酸鍵水溶液 基材 _：_1 ! A1箔平坦 1 卜 r-H 00 〇 π- t-Ή rsj CN r—< m CN r-H r"H KT) CN CS »—( 5n 00 CN r-H On CM m CN m m 寸 m m 1-H v〇 m r-^ 卜 m T—H 1實施例I 1實施例1 1實施例| |實施例| |實施例| I實施ϊ列1 |實施例 |實施例I |實施例| |實施例| I實施例| |實施例| 實施例 1實施例1 I實施例| 1實施例1 I實施例1 實施例^ 實施例 I實施例| 1實施例1 I實施例| 30 1282103 (實施例4) 所述地 %流進行評價。 使用各種處理液成膜後，對靜電容 量及漏 義材Ζ夜、處理條件及結果等顯示於表7、表8(接續表7)。 她〇倍3贿為域份輸㈣中，經錢流餘刻成 化時，σ、表面積的未化學合成的Α1|§(ΙΝ99)。進行陽極氧
了使用12%的己二酸銨水溶液，於溫度阶外加 5〇V、6G分鐘進行。 u 月夢电合$使用12%的己二酸銨水溶液，以以^反測量器以 、進行測疋。漏電流則以外加5V測定。評價於與下述 作為比較例之實驗Ng· 92的比較下，基於以下的基準進行。 •靜電容量X :比No· 92低 ·比No. 92南1〜3倍 〇：比No· 92高3〜6倍 ◎:比No· 92高6倍以上 漏電流 X :比No. 92高 〇··與No. 92相等 ◎:比No. 92低 〔實驗No. 138〜143〕 處理液使用鈮離子與氟離子的莫耳比為1 ·· 5的〇1]^氯 化鈮與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約3 進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測 31 1282103 定，經確認為0·1〜60原子％。 〔實驗No. 144〜149〕 處理液使用錕離子與氟離子的莫耳比為（：6的〇1乂氯 化銳與IUb驗的混合水麵，以聽酸聽水將阳調整 4 5 6 7 8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。關於皮膜中的說量以χ射線光電子光 譜分析法測定，經確認為(U〜6〇原子％。 〔實驗No· 150〜153〕 處理液使用銳離子與氟離子的莫耳比為i : 6的〇说氯 10化銳純化氫銨的混合水驗，錢該及氨水將pH調整 至4、5、6、7。成膜係藉著於室温浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。進行陽極氧化。關於皮膜中的氣量以X射線光 電子光譜分析法測定，經確認為〇1〜6〇原子％。 〔實驗 No. 154 〜156〕 15 處理液使用㈣子與氟離子的莫耳比為1 : 6的0.1M氯 化銳與lUbiL銨的混合水料，錢氟酸及氨水將pH調整 至5。成難藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，以約30(TC進行熱處理。熱處理氣氛為 真工中、氮氣中及含未滿1%的氮氣之真空中。關於皮膜中 20的氣量以X射線光電子光譜分析法測$，經確認為〇1〜6〇 原子％。 〔實驗No. 157、158〕 處理液使祕離子與氟離子的莫耳比為丨：6齡削氯 化銳與lUb氫銨的混合水溶液，錢氟酸及氨水將pH調整 32 1282103 至6 7成膜係猎者於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後，水洗、 風乾。陽極氧化後，於真空中以約300t進行熱處理。關於 皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測定，經確認為 0.1〜60原子％。 5 〔實驗 No. 159 〜164〕 處理液使用鈮離子與氟離子的莫耳比為1 : 6的o.im氯 化鈮與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 至4、5、6。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行，成膜後， 水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約9〇。〇、約45〇它分 10別進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析 法測定，經確認為0·1〜60原子％。 〔實驗 No. 165 〜170〕 處理液使用鈮離子與氟離子的莫耳比為1 ·· 12的0.1M氯 化鈮與氟化氫銨的混合水溶液，以氫氟酸及氨水將pH調整 15至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘進行， 成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約3〇〇。〇進 行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子光譜分析法測 定，經確認為0.1〜60原子％。 〔實驗 No. 171 〜176〕 20 處理液使用六氟銳酸水溶液，以氫氟酸及氨水將 PH調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5分鐘 進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中以約 300°C進行熱處理。關於皮膜中的氟量以χ射線光電子光譜 分析法測定，經確認為0·1〜60原子〇/0。 33 1282103 〔實驗 No· 177 〜182〕 處理液使用0.1M六氣銳酸鉀水溶液，以氫氟酸及氨水 將pH調整至3、4、5、6、7、8。成膜係藉著於室溫浸潰5 分鐘進行，成膜後，水洗、風乾。陽極氧化後，於真空中 5 以約300°C進行熱處理。關於皮膜中的氟量以X射線光電子 光譜分析法測定，經確認為0.1〜60原子％。 34 1282103
$ ii ¥ ..鹅 漩Η 特性評價 漏電流 變化 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 〇 Μ < < < < < <3 < 〇 1 <3 △〜〇 △〜〇 〇 1 < < 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 < 成膜後處理 熱處理(真空中) 400〇C 〜 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 i 1 i 1 1 1 1 1 1 200°〇 400°C 杯 杯 杯 杯 杯 1 1 ί 1 1 1 1 1 1 1 杷 杯 % 坤 杷 1 1 ~100°C 1 1 1 1 1 ί 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 陽極氧化 杯 杯 1 1 1 1 1 1 坤 杯 杯 杯 你 嚷 mj 喊 ffi α cn 寸 ΙΛ VO 00 m 寸 卜 00 寸 wn VO 卜 v〇 卜 寸 寸 莫耳比 VO ν〇 t — — m 鈦離子、患.離子 混合水溶灰 基材 Α1箔平坦 .00 m Os m ο r-^ rn ? 146 Τ—^ in in 2 § Os § 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 |實施例| 35 1282103
% > 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 〇 ◎ ◎ 〇 0 0 〇 ◎ ◎ 〇 〇 〇 < 〇 <] ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ®ί 喊 糾 Η 喊 1 P 8 寸 1 1 +F 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 II 1 1 1 1 你 杷 杯 椰 杷 杷 杯 杷 杷 杷 杯 杯 +P 枇 杯 P g 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 奥 杯 杷 杷 你 杷 栖 杯 体 他 疼 ttxil R 喊 in VO v〇 m 寸 in VO 卜 00 rn 寸 Ό 00 m 寸 ΙΓ) 卜 00 -Ο η IX| Ό Ό r λ〇 VO Η -t Η Η 漿 W 鏺 ， « * ♦ 煥 Μ \C 效 竣 總 1 3 r-H CN Ό τ—Η 3 r-H S T-H 5 $ T—* $ 〇 F-H 卜 (Ν CO Τ-Η JQ r-H VO Τ-Η 〇〇 Τ-Η τ-Η r-H 00 r-H S : 冢 ίΚ 36 1282103 無論上述哪一種情形，本發明之電極箔都顯示比比較 材優異的特性，其效果被確定。 產業之可利用性 依本發明，可提供一種若與過去的電解電容器為相同 5 大小可更高容量化，若與過去的電解電容器為相同容量則 可更小型化的電容器用電極箔及電容器。 C圖式簡單說明3 (無） 【主要元件符號說明】 (無） 37
Claims (1)
- I282·4咖97號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：95μ | '，…------w 十、申請專利範圍： L----------ΓΆ轉換it 1· 一種電容器用電極箔，係至少具有以鋁以外的閥作用金 - 屬構成的金屬氧化物作為主成份的含氟皮膜之鋁箱。 2. —種電容器用電極箔，係至少具有以氧化鋁作為主成份 的皮膜及以鋁以外的閥作用金屬構成的金屬氧化物作 為主成份的含氟皮膜之鋁箔。 3· —種電容器用電極箔，係至少具有以氧化鋁作為主成份 的皮膜、以鋁及鋁以外的閥作用金屬的複合氧化物或混 合氧化物中的一者或兩者作為主成份的含氟皮膜、及以 鋁以外的閥作用金屬構成的金屬氧化物作為主成份的 含氟皮膜之鋁箔。 4·如申請專利範圍第1項之電容器用電極箔，係使鋁箔接 觸於處理液而於該箔表面形成金屬氧化物皮膜而形成 者，且該處理液係含有以下二種水溶液中的一者或二 15 者，即：鋁以外的閥作用金屬離子與莫耳比為該離子6 _ 倍以上的氟離子共存之水溶液，及包含由如外的閥作 用金屬與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成之錯離子 , 的水溶液。 一 5·如申請專利範圍第1項之電容器用電極箔，其係使鋁箔 2〇 接觸於處理液而於該絲㈣成金屬氧化物皮膜後，進 行陽極氧化處理而形成者，且該處理液係含有以下二種 水洛液中的-者或二者，即：㈣外的閥作用金屬離子 與莫耳比為該離子6倍以上的氟離子共存的水溶液，及 包含由鋁以外的閥作用金屬與莫耳比為該金屬6倍以上 38 1282103 的氟所構成的錯離子的水溶液。 6. 如申請專利範圍第1項之電容器用電極箔，係使鋁箔接 觸於處理液而於該箔表面形成金屬氧化物皮膜後，進行 陽極氧化處理及熱處理而形成者，且該處理液係含有以 5 下二種水溶液中的一者或二者，即：鋁以外的閥作用金 屬離子與莫耳比為該離子6倍以上的氟離子共存的水溶 液，及包含由鋁以外的閥作用金屬與莫耳比為該金屬6 倍以上的說所構成的錯離子的水溶液。 7. 如申請專利範圍第4〜6項中任一項之電容器用電極箔， 10 其中前述處理液的pH係4〜7。 8. 如申請專利範圍第6項之電容器用電極箔，其中前述熱 處理溫度係400°C以下。 9. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述閥作用金屬係鈦、鈕、銳中的1種以上。 15 10.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述閥作用金屬係鈦。 11. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之電容器用電極箔， 其中前述I呂係經#刻的I呂落。 12. —種電容器，係以申請專利範圍第1〜11項中任一項之電 20 容器用電極箔作為構成元件者。 13. —種電容器用電極箔之製造方法，係使鋁箔接觸於處理 液，於該fl表面形成金屬氧化物皮膜者，且該處理液係 以以下二種水溶液中的一者或二者作為主成份，即：鋁 以外的閥作用金屬離子與莫耳比為該離子6倍以上的氟 39 1282103 離子共存的水溶液，及包含由鋁以外的閥作用金屬與莫 耳比為該金屬6倍以上的氟所構成的錯離子的水溶液。 14. 一種電容器用電極箔之製造方法，係使鋁箔接觸於處理 液，於該箱表面形成金屬氧化物皮膜後，進行陽極氧化 5 處理者，該處理液係以以下二種水溶液中的一者或二者 作為主成份，即：鋁以外的閥作用金屬離子與莫耳比為 該離子6倍以上的亂離子共存的水溶液，及包含由|呂以 外的閥作用金屬與莫耳比為該金屬6倍以上的氟所構成 的錯離子的水溶液。 10 15. —種電容器用電極箔之製造方法，係使鋁箔接觸於處理 液，於該猪表面形成金屬氧化物皮膜後，進行陽極氧化 處理，再進行熱處理者，且該處理液係以以下二種水溶 液中的一者或二者作為主成份，即：鋁以外的閥作用金 屬離子與莫耳比為該離子6倍以上的氟離子共存的水溶 15 液，及包含由鋁以外的閥作用金屬與莫耳比為該金屬6 倍以上的氟所構成的錯離子的水溶液。 16.如申請專利範圍第13〜15項中任一項之電容器用電極箔 之製造方法，其中前述處理液的pH係4〜7。 17·如申請專利範圍第15項之電容器用電極箔之製造方 20 法，其中前述熱處理溫度係400°C以下。 18. 如申請專利範圍第13〜15項中任一項之電容器用電極箔 之製造方法，其中前述閥作用金屬係鈦、鈕、鈮中的1 種以上。 19. 如申請專利範圍第13〜15項中任一項之電容器用電極箔 40 1282103 之製造方法，其中前述閥作用金屬係鈦。 2 0.如申請專利範圍第13〜15項中任一項之電容器用電極箔 之製造方法，其中前述鋁箔係經蝕刻的鋁箔。I 41
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004215911A JP2006041030A (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | コンデンサ用電極箔及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200606971A TW200606971A (en) | 2006-02-16 |
| TWI282103B true TWI282103B (en) | 2007-06-01 |
Family
ID=35785089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW94123197A TWI282103B (en) | 2004-07-23 | 2005-07-08 | An electrode foil used in condenser and a method of producing the same |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006041030A (zh) |
| TW (1) | TWI282103B (zh) |
| WO (1) | WO2006008970A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4844973B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-12-28 | パナソニック株式会社 | 電極箔の製造方法 |
| JP4835488B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 電解コンデンサおよび電解コンデンサの製造方法 |
| JP4753809B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2011-08-24 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| JP6981348B2 (ja) * | 2018-04-13 | 2021-12-15 | トヨタ自動車株式会社 | 正極、非水電解質二次電池、および正極の製造方法 |
| CN114446667B (zh) * | 2022-01-17 | 2023-09-08 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高介电常数电极箔的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3352798B2 (ja) * | 1993-12-15 | 2002-12-03 | 三菱アルミニウム株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ陽極用箔 |
| JP2003055796A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Showa Denko Kk | アルミニウム材およびその製造方法、ならびに電子写真用感光体および電解コンデンサ電極用アルミニウム材料 |
| JP2003257796A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Japan Carlit Co Ltd:The | 電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔 |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2004215911A patent/JP2006041030A/ja active Pending
-
2005
- 2005-06-30 WO PCT/JP2005/012520 patent/WO2006008970A1/ja active Application Filing
- 2005-07-08 TW TW94123197A patent/TWI282103B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006008970A1 (ja) | 2006-01-26 |
| JP2006041030A (ja) | 2006-02-09 |
| TW200606971A (en) | 2006-02-16 |
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